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TWI522404B - A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device - Google Patents

A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device Download PDF

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TWI522404B
TWI522404B TW099108129A TW99108129A TWI522404B TW I522404 B TWI522404 B TW I522404B TW 099108129 A TW099108129 A TW 099108129A TW 99108129 A TW99108129 A TW 99108129A TW I522404 B TWI522404 B TW I522404B
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gas
ion implantation
layer
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TW099108129A
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TW201035199A (en
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Shinichi Hoshi
Takeshi Kondo
Kazue Uemura
Yuta Suzuki
Original Assignee
Lintec Corp
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Publication date
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Description

成形體、其製造方法、電子裝置用元件與電子裝置
本發明關於阻氣性、透明性、耐彎曲性、抗靜電性及表面平滑性優異的成形體，其製造方法，由此成形體所成的電子裝置用零件，及包括此電子裝置用元件的電子裝置。
以往，塑膠薄膜等的高分子成形體，由於低價格、加工性優異，故賦予所欲的機能而使用於各種領域。
例如，近年來於液晶顯示器或電致發光(EL)顯示器等的顯示器中，為了實現薄型化、輕量化、可撓化等，作為基板，檢討使用透明塑膠薄膜來代替玻璃板。
例如，專利文獻1中提案於透明塑膠薄膜上形成有由無機化合物所成的阻氣層之阻氣薄膜。然而，此文獻中所記載的阻氣薄膜係有在無機化合物薄膜中發生針孔，針孔發生部的阻氣性極度降低之問題。又，若將薄膜弄圓或彎折，則在阻氣層中發生龜裂而亦有阻氣性降低的問題。再者，阻氣層的表面平滑性差，於阻氣性層上形成有其它層時，在所形成的其它層中容易發生針孔，亦有得不到作為電子裝置用元件的充分可靠性之問題。
又，專利文獻2中提案在塑膠基材上形成有非晶質的鑽石狀碳膜的阻氣薄膜。然而，此文獻中所記載的阻氣薄膜由於透明性低，尤其在用於顯示器用途等時會有困難。
另一方面，專利文獻3提案具有電離輻射線硬化性樹脂組成物的硬化層及似鑽石的碳被膜之成形體。其中記載在硬化層上，藉由電漿離子法來形成似鑽石的碳被膜之技術。
然而，由此文獻中記載的技術所得之成形體，雖然耐透濕性優異，但是不具有充分的阻氣性。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]　特開2006-297737號公報
[專利文獻2]　特開平6-344495號公報
[專利文獻3]　特開2007-283726號公報
本發明係鑒於上述先前技術而完成者，其課題為提供阻氣性、透明性、耐彎曲性、抗靜電性及表面平滑性優異的成形體，其製造方法，由此成形體所成的電子裝置用元件，以及包括此電子裝置用元件的電子裝置。
本發明者們為了解決上述問題，進行專心致力的檢討，結果發現藉由對表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層之表面部，注入烴系化合物的離子，可簡便且高效率地製造目的之成形體，終於完成本發明。
如此地，依照本發明的第1點，提供下述(1)～(3)之成形體。
(1)一種成形體，其特徵在於：具有對含聚有機矽氧烷系化合物的層，注入烴系化合物的離子而得之層。
(2)如(1)記載的成形體，其中具有藉由電漿離子注入法，對含聚有機矽氧烷系化合物的層，注入烴系化合物的離子而得之層。
(3)如(1)或(2)記載的成形體，其在40℃、相對濕度90%環境下的水蒸氣透過率為1.5g/m2/day以下。
依照本發明的第2點，提供下述(4)、(5)的成形體之製造方法。
(4)一種(1)記載的成形體之製造方法，其具有對表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層之表面部，注入烴系化合物的離子之步驟。
(5)如(4)記載的成形體之製造方法，其中一邊在一定方向中搬送表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之長條狀成形物，一邊對前述含聚有機矽氧烷系化合物的層，注入烴系化合物的離子。
依照本發明的第3點，提供下述(6)的電子裝置。
(6)一種電子裝置用元件，其係由前述(1)～(3)中任一項記載的成形體所成。
依照本發明的第4點，提供下述(7)的電子裝置。
(7)一種電子裝置，其包括前述(6)記載的電子裝置用元件。
本發明的成形體係阻氣性、透明性、耐彎曲性、抗靜電性及表面平滑性優異者。因此，本發明的成形體係可適用作為撓性顯示器、太陽電池等的電子裝置用元件。
依照本發明的製造方法，可簡便且高效率地製造本發明的成形體。
本發明的電子裝置用元件，由於具有優異的阻氣性、透明性等，故可適用於顯示器、太陽電池等的電子裝置。
以下分項為(1)成形體、(2)成形體之製造方法、(3)電子裝置用元件及電子裝置來詳細說明本發明。
(1)成形體
本發明的成形體之特徵為具有對含聚有機矽氧烷系化合物的層(以下亦稱為「聚有機矽氧烷系化合物層」)，注入烴系化合物的離子而得之層(以下稱為「離子注入層」)。
此處，聚有機矽氧烷系化合物係意味具有具矽氧烷鍵結[-(O-Si)-O-]的重複單位之含矽的高分子化合物。
聚有機矽氧烷系化合物的主鏈構造係沒有限制，可為直鏈狀、梯狀、籠狀的任一者。
例如，作為前述直鏈狀的主鏈構造，可舉出下述式(a)所示的構造，作為梯狀的主鏈構造，可舉出下述式(b)所示的構造，作為籠狀的主鏈構造，可例示下述式(c)所示的構造。
式中，Rx、Ry、Rz各自獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基等之非水解性基。但是，式(a)的Rx係不2個皆為氫原子。又，式(a)中的複數之Rx、式(b)中的複數之Ry及式(c)的複數之Rz可各自相同或不同。
作為無取代或具有取代基的烷基之烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等之碳數1～10的烷基。
作為烯基，例如可舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等之碳數2～10的烯基。
作為前述烷基及烯基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等之無取代或具有取代基的苯基等。
作為無取代或具有取代基的芳基之芳基，例如可舉出苯基、1-萘基、2-萘基等之碳數6～10的芳基。
作為前述芳基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子；甲基、乙基等之碳數1～6的烷基；甲氧基、乙氧基等之碳數1～6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等之無取代或具有取代基的芳基等。
於此等之中，Rx、Ry、Rz較佳為氫原子、碳數1～6的烷基或苯基，特佳為碳數1～6的烷基。
於本發明中，作為聚有機矽氧烷系化合物，較佳為前述式(a)所示的直鏈狀化合物或前述式(b)所示的梯狀化合物，從取得容易性及可形成具有優異的阻氣性之離子注入層的觀點來看，更佳為前述式(a)所示的直鏈狀化合物，特佳為前述式(a)中的2個Rx皆係甲基的聚二甲基有機矽氧烷。
聚有機矽氧烷系化合物係可藉由將具有水解性官能基的矽烷化合物進行聚縮合的眾所周知之製造方法來獲得。
具有水解性官能基的矽烷化合物，係可按照目的之聚有機矽氧烷系化合物的構造來適宜選擇‧使用。作為具有水解性官能基的矽烷化合物之具體例，可舉出二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷等的2官能矽烷化合物；甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基二乙氧基甲氧基矽烷等的3官能矽烷化合物；四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷、四第三丁氧基矽烷、四第二丁氧基矽烷、甲氧基三乙氧基矽烷、二甲氧基二乙氧基矽烷、三甲氧基乙氧基矽烷等的4官能矽烷化合物等。
又，作為聚有機矽氧烷系化合物，亦可將當作剝離劑、接著劑、密封劑、塗料等而市售的市售品照原樣使用。
聚有機矽氧烷系化合物層，除了含有聚有機矽氧烷系化合物，在不妨礙本發明目的之範圍內，亦可含有其它成分。作為其它成分，可舉出硬化劑、其它高分子、防老化劑、光安定劑、難燃劑等。
聚有機矽氧烷系化合物層中的聚有機矽氧烷系化合物之含量，從可形成具有優異的阻氣性之離子注入層的觀點來看，較佳為50重量%以上，更佳為70重量%以上。
形成聚有機矽氧烷系化合物層之方法係沒有特別的限制，例如可舉出將含有聚有機矽氧烷系化合物的至少一種、依所欲的其它成分及溶劑等的聚有機矽氧烷系化合物層形成用組成物塗佈在適當的基材上，使所得之塗膜乾燥，視需要進行加熱等而形成的方法。作為基材，可使用由後述的其它層之材料所成的薄膜。
所形成的聚有機矽氧烷系化合物層之厚度係沒有特別的限制，通常為30nm～100μm。
前述離子注入層係對聚有機矽氧烷系化合物層，注入烴系化合物的離子(以下亦僅稱「離子」)而得者。
作為生成烴系化合物的離子之原料氣體，可舉出甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等的烷系氣體類；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等的烯系氣體類；戊二烯、丁二烯等的烷二烯系氣體類；乙炔、甲基乙炔等的炔系氣體類；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等的芳香族烴系氣體類；環丙烷、環己烷等的環烷系氣體類；環戊烯、環己烯等的環烯系氣體類等。
此等氣體可為單獨一種或組合二種以上來使用。
於此等之中，從更簡便地得到本發明目的之成形體的觀點來看，較佳為碳數1～3的烴化合物之氣體，特佳為甲烷氣體、乙烯氣體、乙炔氣體。
離子的注入量係可配合所形成的成形體之使用目的(必要的阻氣性、透明性等)等來適宜決定。
注入離子的方法係沒有特別的限定，可採用眾所周知的方法。例如，可舉出照射經電場加速的離子(離子束)之方法、將電漿中的離子注入之方法等。特別地，於本發明中，從可簡便地得到阻氣性成形體來看，較佳為後者之將電漿中的離子注入之方法(以下稱為「電漿離子注入法」)。
電漿離子注入法係如後述地藉由對暴露於電漿中的在表面具有聚有機矽氧烷系化合物層的成形物，施加負的高電壓脈衝，而將電漿的離子注入前述層的表面部，以形成離子注入層之方法。
離子注入部分的厚度係可由注入條件來控制，可按照成形體的使用目的來適宜決定，通常為0.1～1000nm。
離子的注入係可藉由使用X射線光電子分光(XPS)分析，對自表面起10nm附近的元素進行分析測定而確認。
本發明的成形體之形狀係沒有特別的限制，例如可舉出薄膜狀、薄片狀、長方體狀、多角柱狀、筒狀等。如後述地作為電子裝置用元件使用時，較佳為薄膜狀、薄片狀。當本發明的成形體為薄膜狀物時，薄膜的厚度係沒有特別的限定，可按照目的之電子裝置的用途來適宜決定。
本發明的成形體係可僅由離子注入層所構成，也可更含有其它層。又，其它層可為單層，也可為同種或異種的2層以上。作為其它層，例如可舉出由聚有機矽氧烷系化合物以外的材料所成的基材。
前述其它層的材料，只要符合成形體之目的，則沒有特別的限制，例如可舉出聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、環烯系聚合物、芳香族系聚合物等。
於此等之中，從透明性優異、具有泛用性來看，較佳為聚酯、聚醯胺或環烯系聚合物，更佳為聚酯或環烯系聚合物。
作為聚酯，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯等。
作為聚醯胺，可舉出全芳香族聚醯胺、耐隆6、耐隆66、耐隆共聚物等。
作為環烯系聚合物，可舉出原冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物及此等的氫化物。作為其具體例，可舉出Appel(三井化學公司製的乙烯-環烯共聚物)、Arton(JSR公司製的原冰片烯系聚合物)、Zeonor(日本ZEON公司製的原冰片烯系聚合物)等。
當本發明的成形體為含有其它層的層積體時，離子注入層的配置位置係沒有特別的限定，基於可高效率地製造等之理由，較佳為在表面具有離子注入層。又，當本發明的成形體係在表面具有離子注入層時，離子注入層可僅形成在其它層的一面，也可形成在其它層的兩面。
本發明的成形體係阻氣性、透明性、耐彎曲性、抗靜電性及表面平滑性優異。
本發明的成形體之阻氣性優異，係可藉由比較本發明的成形體之水蒸氣等的氣體之透過率與沒有注入離子者，由格外小來確認。例如，在40℃、相對濕度90%環境下之水蒸氣透過度，即在40℃，由相對濕度90%的調濕室通過成型體(薄膜)的水蒸氣量，較佳為1.5g/m2/day以下。
成形體的水蒸氣等之透過率，係可使用眾所周知的氣體透過率測定裝置來測定。
本發明的成形體係可見光透過率高、透明性優異。本發明的成形體之波長550nm的可見光透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上。再者，成形體的可見光透過率係可使用眾所周知的紫外可見近紅外分光透過率計來測定。
本發明的成形體係耐彎曲性優異。本發明的成形體之耐彎曲性優異，例如可藉由將成形體，以離子注入面成為外側的方式，捲繞在不銹鋼棒上，在圓周方向往返10次，而成形體也沒有劣化(不發生龜裂)來確認。
本發明的成形體係抗靜電性優異。本發明的成形體之抗靜電性優異，例如可藉由用電荷衰減度測定裝置使成形體帶電，測定其初期帶電壓減低到50%的時間(半衰期)，由其為短時間來確認。
又，亦可使用高電阻率計來測定表面電阻，由其值小者來確認。本發明的成形體之表面電阻通常為1.1×1014/□以下，較佳為1.0×1010/□～1.05×1014/□。
又，本發明的成形體亦表面平滑性優異。本發明的成形體之表面平滑性優異，例如可藉由使用原子力顯微鏡(AFM)，對測定範圍1×1μm及25×25μm的表面粗糙度Ra值(nm)進行測定而確認。1×1μm的Ra值較佳為0.35nm以下，更佳為0.3nm以下，25×25μm的Ra值較佳為3nm以下，更佳為2.3nm以下。
(2)成形體的製造方法
本發明的成形體之製造方法的特徵為具有對表面部具有聚有機矽氧烷系化合物層之成形物的前述聚有機矽氧烷系化合物層，注入烴系化合物的離子之步驟。
作為烴系化合物的離子，可舉出與前述(1)成形體的項目下所例示的同樣者。
於本發明的成形體之製造方法中，較佳為一邊在一定方向中搬送表面部具有聚有機矽氧烷系化合物層的長條狀成形物，一邊對聚有機矽氧烷系化合物層注入烴系化合物的離子以製造成形體。依照此製造方法，例如由於可由捲出輥來捲出長條狀成形物，一邊在一定方向中搬送其，一邊注入離子，以捲取輥來捲取，故可連續地製造由離子注入而得之成形體。
長條狀成形物的形狀係薄膜狀，可僅為聚有機矽氧烷系化合物層，也可含有其它層。作為其它層，可舉出由聚有機矽氧烷系化合物以外的材料所成的基材，可使用與前述其它層同樣者。
從捲出、捲取及搬送的操作性之觀點來看，成形物的厚度較佳為1μm～500μm，更佳為5μm～300μm。
於本發明的成形體之製造方法中，對聚有機矽氧烷系化合物層注入離子的方法係沒有特別的限定。其中，較佳為藉由電漿離子注入法在前述層的表面部形成離子注入層的方法。
電漿離子注入法，例如可藉由在含有烴系化合物的氣體之環境下使產生電漿，對聚有機矽氧烷系化合物層施加負的高電壓脈衝，而使該電漿中產生烴系化合物的離子，將此離子注入聚有機矽氧烷系化合物層的表面部而進行。
作為電漿離子注入法，較佳為(A)將使用外部電場而產生的電漿中所存在的離子，注入前述層的表面部之方法，或(B)不使用外部電場，將僅藉由施加於前述層的負高電壓脈衝所致的電場而產生的電漿中所存在的離子，注入前述層的表面部之方法。
於前述(A)的方法中，離子注入之際的壓力(電漿離子注入時的壓力)較佳為0.01～1Pa。電漿離子注入時的壓力若在如此的範圍，則可簡便且高效率地形成均勻的離子注入層，可高效率地形成兼具透明性、阻氣性的離子注入層。
前述(B)的方法係不需要提高減壓度，處理操作簡便，處理時間亦可大幅縮短。又，可對前述層全體進行均一的處理，在負的高電壓脈衝施加時，可以高能量將電漿中的離子連續地注入層的表面部。再者，不需要射頻(高頻，以下簡稱「RF」)或微波等的高頻電力源等之特別的其它手段，可僅對層施加負的高電壓脈衝，而在層的表面部均勻地形成離子注入層。
於前述(A)及(B)的任一方法中，當施加負的高電壓脈衝時，即離子注入時的脈衝寬度，較佳為1～15μsec。脈衝寬度在如此的範圍時，可更簡便且高效率地形成透明且均勻的離子注入層。
又，產生電漿時的施加電壓較佳為-1kV～-50kV，更佳為-1kV～-30kV，特佳為-5kV～20kV。若以施加電壓大於-1kV之值來進行離子注入，則離子注入量(劑量)變不足，得不到所欲的性能。另一方面，若以小於-50kV之值進行離子注入，則離子注入時成形體會帶電，且發生對成形體的著色等不良情況而不宜。
於對層的表面部注入電漿中的離子之際，使用電漿離子注入裝置。
作為電漿離子注入裝置，具體地可舉出(α)在對聚有機矽氧烷系化合物層(以下亦稱為「離子注入層」)施加負的高電壓脈衝之饋通上重疊高頻電力，均等地以電漿包圍離子注入層的周圍，誘導、注入電漿中的離子及使碰撞、沈積的裝置(特開2001-26887號公報)，(β)在室內設置天線，給予高頻電力而使產生電漿，在電漿到達離子注入層的周圍後，藉由對離子注入層交互地施加正與負的脈衝，而以正的脈衝誘導碰撞電漿中的電子，以加熱離子注入層，控制脈衝常數，一邊進行溫度控制，一邊施加負的脈衝而誘導、注入電漿中的離子之裝置(特開2001-156013號公報)，(γ)使用微波等的高頻電力源等之外部電場而使產生電漿，施加高電壓脈衝而誘導、注入電漿中的離子之電漿離子注入裝置，(δ)不用外部電場，僅藉由高電壓脈衝的施加所產生的電場，而將電漿中的離子注入之電漿離子注入裝置等。
於此等之中，從處理操作簡便、處理時間亦可大幅縮短、適合於連續使用來看，較佳為使用(γ)或(δ)的電漿離子注入裝置。
以下，邊參照圖面邊詳細說明使用前述(γ)及(δ)的電漿離子注入置之方法。
圖1係顯示包括前述(γ)的電漿離子注入裝置之連續電漿離子注入裝置的概要之圖。
圖1(a)中，1a係表面部具有聚有機矽氧烷系化合物層的長條薄膜狀的成形物(以下稱為「薄膜」)，11a係室，20a係渦輪分子泵，3a係送出離子注入前的薄膜1a之捲出輥，5a係將離子注入後的薄膜(成形體)1b捲繞成輥狀的捲取輥，2a係高電壓施加旋轉罐(can)、6a係薄膜的送出輥，10a係氣體導入口，7a係高電壓脈衝電源，4係電漿放電用電極(外部電場)。圖1(b)係前述高電壓施加旋轉罐2a的斜視圖，15係高電壓導入端子(饋通)。
本實施形態所用的表面部具有聚有機矽氧烷系化合物層之長條狀薄膜1a，係在基材(其它層)上形成有聚有機矽氧烷系化合物層的薄膜。
於圖1所示的連續電漿離子注入裝置中，薄膜1a係在室11a內，由捲出輥3a往圖1中箭號X方向搬送，通過高電壓施加旋轉罐2a，捲繞在捲取輥5a上。薄膜1a的捲繞方法或搬送薄膜1a的方法等係沒有特別的限制，於本實施形態中，藉由以一定速度使高電壓施加旋轉罐2a旋轉，以進行薄膜1a的搬送。又，高電壓施加旋轉罐2a的旋轉係藉由馬達使高電壓導入端子15的中心軸13旋轉而進行。
高電壓導入端子15及薄膜1a所接觸的複數之送出用輥6a等係由絕緣體所構成，例如氧化鋁的表面經聚四氟乙烯等的樹脂所被覆而形成。又，高電壓施加旋轉罐2a係由導體所構成，例如可由不銹鋼等所形成。
薄膜1a的搬送速度係可適宜設定。在由捲出輥3a搬送出薄膜1a到捲繞在捲取輥5a上為止之間，對薄膜1a的表面部(聚有機矽氧烷系化合物層)進行離子注入，速度只要是能確保形成所欲之離子注入層的時間，則沒有特別的限制。薄膜的捲繞速度(線速度)亦取決於外加電壓、裝置規模等，通常為0.1～3m/min，較佳為0.2～2.5m/min。
首先，藉由連接於旋轉泵的渦輪分子泵20a，將室11a內排氣、減壓。減壓度通常為1×10-4Pa～1Pa，較佳為1×10-3Pa～1×10-2Pa。
其次，經由氣體導入口10a在室11a內導入甲烷氣體等的離子注入用之氣體(以下亦稱為「離子注入用氣體」)，而使室11a內成為減壓離子注入用氣體環境。
接著，藉由電漿放電用電極4(外部電場)使產生電漿。作為使產生電漿的方法，可舉出藉由微波或RF等的高頻電力源等眾所周知的方法。
另一方面，經由高電壓導入端子15，由連接於高電壓施加旋轉罐2a的高電壓脈衝電源7a來施加負的高電壓脈衝9a。若對高電壓施加旋轉罐2a施加負的高電壓脈衝，則誘導電漿中的離子，注入高電壓施加旋轉罐2a的周圍之薄膜的表面(圖1(a)中箭號Y)。
如前述地，離子注入之際的壓力(室11a內的電漿氣體之壓力)較佳為0.01～1Pa，離子注入時的脈衝寬度較佳為1～15μsec，對高電壓施加旋轉罐2a施加負的高電壓時的外加電壓較佳為-1kV～-50kV。
其次，說明使用圖2所示的連續電漿離子注入裝置，對表面部具有聚有機矽氧烷系化合物層的薄膜之前述聚有機矽氧烷系化合物層進行離子注入的方法。
圖2所示的裝置包括前述(δ)的電漿離子注入裝置。此電漿離子注入裝置係不用外部電場(即圖1中的電漿放電用電極4)，而僅藉由所施加的高電壓脈衝之電場來產生電漿。
於圖2所示的連續電漿離子注入裝置中，薄膜(薄膜狀的成形物)1c係藉由與前述圖1的裝置同樣地使高電壓施加旋轉罐2b旋轉，而由捲出輥3b往圖2中箭號X方向搬送，捲繞在捲取輥5b上。尚且，6b係送出用輥。
於圖2所示的連續電漿離子注入裝置中，對前述薄膜的聚有機矽氧烷系化合物層之表面部的離子注入係如以下地進行。
首先，與圖1中所示的電漿離子注入裝置同樣地，在室11b內設置薄膜1c，藉由連接於旋轉泵的渦輪分子泵20b，將室11b內排氣、減壓。對該處，經由氣體導入口10b對室11b內，導入甲烷氣體等的離子注入用氣體，而使室11b內成為減壓離子注入用氣體環境。
離子注入之際的壓力(室11b內的電漿氣體之壓力)為10Pa以下，較佳為0.01～5Pa，更佳為0.01～1Pa。
其次，一邊在圖2中X的方向中搬送薄膜1c，一邊經由高電壓導入端子，由連接於高電壓施加旋轉罐2b的高電壓脈衝電源7b來施加高電壓脈衝9b。
若對高電壓施加旋轉罐2b施加負的高電壓，則沿著高電壓施加旋轉罐2b的周圍之薄膜1b產生電漿，誘導該電漿中的離子注入用氣體之離子，注入高電壓施加旋轉罐2b的周圍之成形體薄膜1c的表面(圖2中箭號Y)。若對薄膜1c的聚有機矽氧烷系化合物層之表面部注入離子注入用氣體的離子，則在薄膜表面部形成離子注入層，得到薄膜狀的層積體1d。
對高電壓施加旋轉罐2b施加負的高電壓之際的外加電壓、脈衝寬度及離子注入之際的壓力，係與圖1所示的連續電漿離子注入裝置之情況同樣。
於圖2所示的電漿離子注入裝置中，由於以高電壓脈衝電源來兼用作使電漿產生的電漿產生手段，故不需要RF或微波等的高頻電力源等特別的其它手段，藉由僅施加負的高電壓脈衝，而使產生電漿，對薄膜的聚有機矽氧烷系化合物層的表面部注入電漿中的離子，連續形成離子注入層，可量產在薄膜的表面部形成有離子注入層的成形體。
(3)電子裝置用元件及電子裝置
本發明的電子裝置用元件之特徵為由本發明的成形體所構成。因此，本發明的電子裝置用元件，由於阻氣性優異，故可防止水蒸氣等的氣體所致的元件之劣化。再者，由於透明性、耐彎曲性、抗靜電性及表面平滑性優異，故適合作為液晶顯示器、EL顯示器等的顯示器元件、太陽電池用元件等。作為太陽電池用元件，不需要透明性，亦可適用於要求阻氣性的太陽電池用背板。
本發明的電子裝置包括本發明的電子裝置用元件。作為具體例，可舉出液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
本發明的電子裝置，由於包括由本發明的成形體所成的電子裝置用元件，故阻氣性、透明性、耐彎曲性、抗靜電性及表面平滑性優異。
【實施例】
以下，舉出實施例來更詳細說明本發明。惟，本發明完全不受以下的實施例所限定。
所用的電漿離子注入裝置、水蒸氣透過率測定裝置和測定條件、可見光透過率測定裝置、耐彎曲性試驗的方法、帶電壓測定裝置、表面電阻率測定裝置及表面平滑性評價係如以下。再者，所用的電漿離子注入裝置係使用外部電場來進行離子注入的裝置。
(電漿離子注入裝置)
RF電源：型號「RF」56000，日本電子公司製
高電壓脈衝電源：「PV-3-HSHV-0835」，粟田製作所公司製
(水蒸氣透過率測定裝置)
透過率測定器：「L89-500」，LYSSY公司製
測定條件：40℃，相對濕度90%
(可見光透過率測定裝置)
使用紫外可見近紅外分光透過率計(UV-3600,島津製作所公司製)，測定波長550nm的透過率。
(耐彎曲性試驗)
於3mmΦ的不銹鋼棒上，以所得之成形體的離子注入面(比較例1、比較例2係聚矽烷剝離劑層側，比較例3係聚苯基倍半矽氧烷層側，比較例4係氮化矽膜側)成為外側，捲繞成形體，在圓周方向中往返10次後，用光學顯微鏡(倍率2000倍,KEYENCE公司製)來觀察有無發生龜裂。將沒有看到龜裂的發生之情況評價為「無」，將有看到龜裂的發生之情況評價為「有」。
(帶電壓測定裝置)
使用電荷衰減度測定裝置(STATIC HONESTMETER Type S-5109,SHISHIDO靜電氣公司製)，在轉台上，以所得之成形體的離子注入面(比較例1、比較例2係聚矽氧剝離劑層側，比較例3係聚苯基倍半矽氧烷層側，比較例4係氮化矽膜側)成為上面而設置，施加輸出電壓10kV的電壓，一邊以1300rpm的旋轉數使旋轉一邊進行帶電，測定初期帶電壓(mV)、半衰期(初期帶電壓衰減到50%為止的時間)及60秒的帶電壓。將半衰期為60秒以上時當作「60秒以上」。
(表面電阻測定裝置)
高電阻率計Hiresta UP MCP-HT450,三菱化學公司製)，測定所得之成形體的離子注入面(比較例1、比較例2係聚矽氧剝離劑層側，比較例3係聚苯基倍半矽氧烷層側，比較例4係氮化矽膜側)的表面電阻。將表面電阻值為1.0×1015Ω/□以上時當作「1.0×1015Ω/□」。
(表面平滑性評價)
使用原子力顯微鏡(AFM)(「SPA300 HV」，SII奈米科技公司製)，在測定範圍1×1μm(1μm□)及25×25μm(25μm□)，測定所得之成形體的離子注入面的表面粗糙度Ra值(nm)。
(比較例a)
於當作基材的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(「PET38T-300」，三菱樹脂公司製，厚度38μm)(以下稱為「PET薄膜」)上，塗佈當作聚有機矽氧烷系化合物的聚矽氧剝離劑1(「KS847」，以聚二甲基矽氧烷當作主成分的聚矽氧樹脂，信越化學工業公司製)，在120℃加熱2分鐘，以在PET薄膜上形成厚度100nm之含聚二甲基矽氧烷的層，而得到成形物。接著，使用圖1所示的電漿離子注入裝置，對含聚二甲基矽氧烷的層之表面，電漿離子注入甲烷(CH4)，以製作成形體1。
以下顯示電漿離子注入的條件。
．負載(Duty)比：0.5%
．重複頻率：1000Hz
．外加電壓：-10kV
．RF電源：頻率13.56MHz，外加電力1000W
．室內壓：0.2Pa
．脈衝寬度：5μsec
．處理時間(離子注入時間)：5分鐘
．氣體流量：100ccm
(比較例b)
除了代替當作聚有機矽氧烷系化合物的聚矽氧剝離劑1，使用苯基三甲氧基矽烷(東京化成工業公司製，以下稱為「聚矽氧剝離劑2」)以外，與比較例a同樣地製作成形體2。
(比較例c)
除了代替當作聚有機矽氧烷系化合物的聚矽氧剝離劑1，使用聚苯基倍半矽氧烷(SR-23，小西化學工業公司製)以外，與比較例a同樣地製作成形體3。
(實施例1)
除了作為離子注入用氣體，使用乙炔代替甲烷以外，與比較例a同樣地製作成形體4。
(實施例2)
除了作為離子注入用氣體，使用乙炔代替甲烷以外，與比較例b同樣地製作成形體5。
(實施例3)
除了作為離子注入用氣體，使用乙炔代替甲烷以外，與比較例c同樣地製作成形體6。
(實施例4)
除了作為離子注入用氣體，使用甲苯代替甲烷以外，與比較例a同樣地製作成形體7。
(實施例5)
除了作為離子注入用氣體，使用甲苯代替甲烷以外，與比較例b同樣地製作成形體8。
(實施例6)
除了作為離子注入用氣體，使用甲苯代替甲烷以外，與比較例c同樣地製作成形體9。
(實施例7)
除了作為離子注入用氣體，使用乙烯代替甲烷以外，與比較例a同樣地製作成形體10。
(參考例1)
除了作為離子注入用氣體，使用氬代替甲烷以外，與比較例a同樣地製作成形體1r。
(參考例2)
除了作為離子注入用氣體，使用氬代替甲烷以外，與比較例b同樣地製作成形體2r。
(參考例3)
除了作為離子注入用氣體，使用氬代替甲烷以外，與比較例c同樣地製作成形體3r。
(比較例1)
除了不進行離子注入以外，與比較例a同樣地製作成形體。即，於PET薄膜上形成聚矽氧剝離劑1的層，當作成形體1c。
(比較例2)
除了不進行離子注入以外，與比較例b同樣地製作成形體。即，於PET薄膜上形成聚矽氧剝離劑2的層，當作成形體2c。
(比較例3)
除了不進行離子注入以外，與比較例c同樣地製作成 形體。即，於PET薄膜上形成聚苯基倍半矽氧烷的層，當作成形體3c。
(比較例4)
於PET薄膜上，藉由濺鍍法來設置厚度50nm的氮化矽(Si3N4)之膜，以製作成形體4c。
(比較例5)
除了於PET薄膜上不塗佈聚有機矽氧烷系化合物以外，與比較例a同樣地製作成形體。即，對PET薄膜的表面，電漿離子注入甲烷，以成為成形體5c。
(比較例6)
除了於PET薄膜上不塗佈聚有機矽氧烷系化合物以外，與實施例1同樣地製作成形體。即，對PET薄膜的表面，電漿離子注入乙炔，以成為成形體6c。
(比較例7)
除了於PET薄膜上不塗佈聚有機矽氧烷系化合物以外，與實施例4同樣地製作成形體。即，對PET薄膜的表面，電漿離子注入甲苯，以成為成形體7c。
於比較例a~c、實施例1~7、參考例1~3及比較例5~7中，離子注入層的形成係藉由使用XPS(測定裝置：ULVAC公司製)，對自表面起10nm附近的元素進行分析測定而確認。
又，對於比較例a~c、實施例1~7、參考例1~3及比較例1~7所得之成形體1~10、1r~3r、1c~7c，進行水蒸氣透過率的測定、耐彎曲性試驗、可見光透過率的測定、帶電壓測定及表面電阻的測定。下述表1中顯示結果。
又，對於比較例a~c、實施例1~7、參考例1~3及比較例1~7所得之成形體1~10、1r~3r、1c~7c，進行表面平滑性評價試驗，下述表2中顯示結果。
如由表1可知，與比較例1~3、5~7的成形體1c~3c、5c~7c相比，比較例a~c、實施例1~7的成形體1~10係水蒸氣透過率小，具有優異的阻氣性。又，與比較例1~5的成形體1c~5c相比，實施例1~7的成形體4~10係帶電壓及表面電阻值小，具有優異的抗靜電性。
還有，於耐彎曲性試驗中，可知比較例a~c、實施例1~7的成形體係沒有見到龜裂的發生，與形成有無機膜的比較例4之成形體4c相比，係耐彎折性優異。
再者，如由表2可知，與比較例1~7的成形體1c~7c相比，比較例a~c、實施例1~7的成形體1~10係表面平滑性優異。
由以上可知，藉由在恰當的條件下進行烴系化合物的離子注入，可得到阻氣性、透明性、抗靜電性、耐彎曲性及表面平滑性皆優異的成形體。
1a、1c．．．薄膜狀的成形物
1b、1d．．．薄膜狀的成形體
2a、2b．．．旋轉罐
3a、3b．．．捲出輥
4．．．電漿放電用電極
5a、5b．．．捲取輥
6a、6b．．．送出用輥
7a、7b．．．脈衝電源
9a、9b．．．高電壓脈衝
10a、10b．．．氣體導入口
11a、11b．．．室
圖1(a)～(b)係顯示本發明中所使用的電漿離子注入裝置之概略構成的圖。
圖2係顯示本發明中所使用的電漿離子注入裝置之概略構成的圖。

Claims (6)

  1. 一種成形體，其特徵在於：具有藉由電漿離子注入法，對含有選自下式(a)、(b)及(c)之聚有機矽氧烷系化合物的層，且前述聚有機矽氧烷系化合物層中的前述聚有機矽氧烷系化合物的含量為50重量%以上，注入選自烯系氣體類、烷二烯系氣體類、炔系氣體類、以及芳香族烴系氣體類的烴系化合物之離子而得之層， 上述式(a)、(b)及(c)中，Rx、Ry、Rz各自獨立地表示氫原子；碳數1~10的烷基；具有選自鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的碳數1~10的烷基；碳數2~10的烯基；具有選自鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的碳數2~10的烯基；碳數6~10的芳基；具有選自鹵素原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的芳基；但是，式(a)中的Rx係不2個皆為氫原子，又，式(a)中的複數之Rx、式(b)中的複數之Ry、及式(c)的複數之Rz可各自相同或不同。
  2. 如申請專利範圍第1項之成形體，其在40℃、相對濕度90%環境下的水蒸氣透過率為1.5g/m2/day以下。
  3. 一種申請專利範圍第1項之成形體之製造方法，其具有對表面部具有含有選自下式(a)、(b)及(c)之聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層之表面部，藉由電漿離子注入法，注入選自烯系氣 體類、烷二烯系氣體類、炔系氣體類、以及芳香族烴系氣體類的烴系化合物的離子之步驟， 上述式(a)、(b)及(c)中，Rx、Ry、Rz各自獨立地表示氫原子；碳數1~10的烷基；具有選自鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取 代基的碳數1~10的烷基；碳數2~10的烯基；具有選自鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的碳數2~10的烯基；碳數6~10的芳基；具有選自鹵素原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的芳基；但是，式(a)中的Rx係不2個皆為氫原子，又，式(a)中的複數之Rx、式(b)中的複數之Ry、及式(c)的複數之Rz可各自相同或不同。
  4. 如申請專利範圍第3項之成形體之製造方法，其中一邊在一定方向中搬送表面部具有含有選自下式(a)、(b)及(c)之聚有機矽氧烷系化合物的層之長條狀成形物，一邊對前述含聚有機矽氧烷系化合物的層，藉由電漿離子注入法，注入選自烯系氣體類、烷二烯系氣體類、炔系氣體類、以及芳香族烴系氣體類的烴系化合物的離子， 上述式(a)、(b)及(c)中，Rx、Ry、Rz各自獨立地表示氫原子；碳數1~10的烷基；具有選自鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的碳數1~10的烷基；碳數2~10的烯基；具有選自鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的碳數2~10的烯基；碳數6~10的芳基； 具有選自鹵素原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基、硫醇基、環氧基、環氧丙氧基、(甲基)丙烯醯氧基、苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基之取代基的芳基；但是，式(a)中的Rx係不2個皆為氫原子，又，式(a)中的複數之Rx、式(b)中的複數之Ry、及式(c)的複數之Rz可各自相同或不同。
  5. 一種電子裝置用元件，由申請專利範圍第1或2項之成形體所成。
  6. 一種電子裝置，包括申請專利範圍第5項之電子裝置用元件。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101502202B1 (ko) 2008-08-19 2015-03-12 린텍 가부시키가이샤 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스 부재 및 전자 디바이스
EP2433980B1 (en) 2009-05-22 2019-07-10 LINTEC Corporation Molded object, process for producing same, member for electronic device, and electronic device
WO2011122547A1 (ja) * 2010-03-29 2011-10-06 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5697230B2 (ja) 2010-03-31 2015-04-08 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
WO2012023389A1 (ja) 2010-08-20 2012-02-23 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5975418B2 (ja) * 2011-03-25 2016-08-23 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5098202A (en) * 1989-05-11 1992-03-24 Baxter International Inc. Multi-layer web of film having a gas barrier
US5190807A (en) * 1990-10-18 1993-03-02 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant polymeric substrate product
HU211184B (en) * 1993-02-03 1996-02-28 Mta Termeszettu Domanyi Kutato Method for modification of gas-separating membrane
JPH06344495A (ja) 1993-06-10 1994-12-20 Sekisui Chem Co Ltd ガスバリヤーフィルム
JPH10321888A (ja) * 1997-05-21 1998-12-04 Shibata Ind Co Ltd 太陽電池モジュール用保護シート
JP4560693B2 (ja) 1999-05-27 2010-10-13 ソニー株式会社 表面処理装置および表面処理方法
CN1275790A (zh) 1999-05-27 2000-12-06 索尼株式会社 表面处理方法及设备
JP3555928B2 (ja) * 1999-07-12 2004-08-18 独立行政法人産業技術総合研究所 表面改質方法及び表面改質装置
JP3517749B2 (ja) * 1999-11-26 2004-04-12 独立行政法人産業技術総合研究所 表面改質装置
JP2005048252A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Ion Engineering Research Institute Corp 潤滑性と離型性を有する炭素膜被覆物品及びその表面処理方法
JP2006070238A (ja) * 2004-08-05 2006-03-16 Lintec Corp 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム
JP4717497B2 (ja) 2005-04-20 2011-07-06 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルム
JP2007283726A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Bridgestone Corp 成形体及びその製造方法
US8241713B2 (en) * 2007-02-21 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
TWI491500B (zh) 2009-02-16 2015-07-11 Lintec Corp A manufacturing method of a laminated body, a structure for an electronic device, and an electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201035199A (en) 2010-10-01
JPWO2010110305A1 (ja) 2012-09-27
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