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TWI518199B - 用於氣相沉積之含鉿或含鋯前驅物 - Google Patents

用於氣相沉積之含鉿或含鋯前驅物 Download PDF

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TWI518199B
TWI518199B TW100112135A TW100112135A TWI518199B TW I518199 B TWI518199 B TW I518199B TW 100112135 A TW100112135 A TW 100112135A TW 100112135 A TW100112135 A TW 100112135A TW I518199 B TWI518199 B TW I518199B
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凡卡特斯瓦拉Ｒ 帕雷姆
克里斯均 杜薩拉特
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液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
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Description

用於氣相沉積之含鉿或含鋯前驅物
揭示含鉿及含鋯前驅物、合成含鉿及含鋯前驅物之方法，及使用含鉿及含鋯前驅物以使用氣相沉積製程沉積含鉿及含鋯層之方法。
半導體工業面臨之嚴重挑戰中之一者為開發用於DRAM及電容器之新的閘極介電材料。數十年中，二氧化矽(SiO2)為可靠介電質，但隨著電晶體繼續收縮且技術自「全Si」電晶體移至「金屬閘極/高k」電晶體，基於SiO2之閘極介電質之可靠性達到其物理限制。隨著用於當前技術之大小收縮，對新的高介電常數材料及製程之需要日益增加且變得愈來愈關鍵。
美國專利申請公開案第2005/277223號揭示了使用具有式M(L1)x(L2)y之含金屬前驅物形成金屬氧化物之ALD方法，其中M為金屬，L1及L2可為鹵化物、二酮、醇鹽、胺基、烷氧基胺、脒鹽或多牙配位基。然而，例示性前驅物僅為Hf(OtBu)2(NEtMe)2、Hf(OtBu)2(NEt2)2、Hf(NEt2)2(DMAMP)2、Hf(NEtMe)2(DMAMP)2、Ti(OtBu)3Cl、Ti(OtBu)3Me、Ti(OtBu)2(NEt2)2、Ti(NEt2)2(DMAMP)2、Ti(OtBu)2(DMAMP)2，及TiCl2(DMAMP)2。
美國專利第7,491,654號揭示了使用參(N-乙基-N-甲胺基)(第三丁氧基)鋯前驅物形成ZrO2薄膜之ALD方法。
正為新一代積體電路裝置搜尋併有含Hf及含Zr材料之其他來源及方法。需要新穎前驅物。
揭示具有以下式之分子：
M(R 1 -N-C(R 3 )-N-R 2 ) u (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 　式I
或
M(R 1 -N-(C(R 3 ) 2 ) m -N-R 2 ) v (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 　式II
其中：
■　M為Hf或Zr；
■　R1、R2、R5、R6及R7獨立地選自由H及C1-C6烷基組成之群；
■　R3=H、C1-C6烷基，或NMe2；
■　R4為C1-C6烷基；
■　m=2至4；
■　u=0至2；
■　v=0至1；
■　x=1至3；
■　y=0至2；
■　z=0至1；
■　在式I中，u+x+y+z=4；
■　在式II中，2v+x+y+z=4；且
■　u、v或z1。
該等所揭示之分子可進一步包括以下態樣中之一或多者：
‧該分子具有式I，其中u=1，x=3，y=0，且z=0；
‧該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiPr)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OMe)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OEt)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OnPr)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OsBu)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiBu)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OtBu)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OEt)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OMe)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OnPr)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OsBu)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OiBu)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3，及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)3；
‧該分子具有式II，其中v=1，x=2，y=0，且z=0；
‧該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiPr)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OMe)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OEt)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OnPr)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OsBu)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiBu)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OtBu)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OEt)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OnPr)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OsBu)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiBu)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OtBu)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiPr)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OMe)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OEt)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OnPr)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OsBu)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiBu)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OtBu)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OEt)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OnPr)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OsBu)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiBu)2，及M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OtBu)2；
‧該分子具有式I，其中u=2，x=2，y=0，且z=0；
‧該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OMe)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OsBu)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OtBu)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiPr)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OMe)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OEt)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OnPr)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OsBu)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiBu)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OtBu)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OMe)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OEt)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiPr)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OMe)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OsBu)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiBu)2，及M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OtBu)2；
‧該分子具有式I，其中u=1，x=2，y=1，且z=0；
‧該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMe2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEt2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)，及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMetBu)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMeiPr)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NiPr2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)；
‧該分子具有式I，其中u=1，x=2，y=0，且z=1；
‧該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(O2CMe)及M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(O2CMe)；
‧該分子具有式II，其中v=1，x=1，y=0，且z=1；
‧該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OMe)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OEt)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OnPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OsBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OtBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OMe)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OEt)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OnPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OsBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiBu)(O2CMe)，及M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OtBu)(O2CMe)；
‧該分子具有式I或式II，其中u、v、y=0，x=2，且z=2；
‧該分子為M(OiPr)2(O2CMe)2；
‧該分子具有式I或式II，其中u、v、y=0，x=3，且z=1；及
‧該分子為M(OiPr)3(O2CMe)。
亦揭示在基板上形成含Hf或含Zr層之方法。提供反應腔室，該反應腔室內安置有至少一基板。將上文所揭示之該等分子中之至少一者的蒸汽引入至該反應腔室中。使該蒸汽與該基板接觸以使用氣相沉積製程在該基板之至少一表面上形成含Hf或含Zr層。該等所揭示之方法可進一步包括以下態樣中之一或多者：
記號及命名法
特定縮寫、符號及術語係貫穿以下描述及申請專利範圍而使用且包括：縮寫「PZT」指代鋯鈦酸鉛；
縮寫「R1-NC(R3)N-R2」指代以下化學結構：
縮寫「R1-N(C(R3)2)m-N-R2」指代以下化學結構：
縮寫「O2CR7」指代以下化學結構：
縮寫「Cy」指代環己基；縮寫「Cp」指代環戊二烯；術語「脂族基」指代C1-C6直鏈或分支鏈烷基；術語「烷基」指代僅含有碳原子及氫原子之飽和官能基且包括直鏈烷基、分支鏈烷基或環烷基。直鏈烷基之實例包括(不限制)甲基、乙基、正丙基、正丁基等。分支鏈烷基之實例包括(不限制)第三丁基。環烷基之實例包括(不限制)環丙基、環丁基、環戊基、環己基等。縮寫「Me」指代甲基；縮寫「Et」指代乙基；縮寫「Pr」指代丙基；縮寫「iPr」指代異丙基；縮寫「iBu」指代異丁基；縮寫「nBu」指代正丁基；縮寫「sBu」指代第二丁基；縮寫「tBu」指代第三丁基；縮寫「NZ-amd」指代R1-NC(R3)N-R2，其中R3=C1-C6烷基且R1及R2=Z，Z經定義為Me、Et、Pr、iPr、nBu、iBu、sBu或tBu，例如NMe-amd為Me-NC(Me)N-Me；縮寫「NZ-fmd」指代R1-NC(R3)N-R2，其中R3=H且R1及R2=Z，Z經定義為Me、Et、Pr、iPr或tBu；縮寫「Nz-gmd」指代R1-NC(R3)N-R2，其中R3=NR5R6，其中R5及R6=H或C1-C6烷基，且R1及R2=Z，Z經定義為Me、Et、Pr、iPr、nBu、iBu、sBu或tBu；縮寫「THF」指代四氫呋喃；縮寫「TMA」指代三甲基鋁；縮寫「ALD」指代原子層沉積；縮寫「CVD」指代化學氣相沉積；縮寫「LPCVD」指代低壓化學氣相沉積；縮寫「P-CVD」指代脈衝化學氣相沉積；縮寫「PE-ALD」指代電漿增強原子層沉積；縮寫「MIM」指代金屬絕緣體金屬(用於電容器中之結構)；縮寫「DRAM」指代動態隨機存取記憶體；縮寫「FeRAM」指代鐵電隨機存取記憶體；縮寫「CMOS」指代互補金氧半導體；縮寫「TGA」指代熱解重量分析。
本文中使用來自元素週期表之元素的標準縮寫。應理解，可藉由此等縮寫來參考元素(例如，Hf指代鉿，Zr指代鋯，等等)。
揭示新穎含鉿及含鋯前驅物，合成含鉿及含鋯前驅物之方法，及使用含鉿及含鋯前驅物之方法。
該等所揭示之混配含鉿及含鋯前驅物衍生自不同類別之配位基系統，諸如脒鹽、甲脒鹽、胍鹽、醯胺，及/或螯合醯胺配位基，加醇鹽配位基。前驅物設計可幫助改良揮發性，減小熔點(液體或極低熔融固體)，增加與水之反應性，且增加用於較寬製程窗應用之熱穩定性。
該等所揭示之含鉿及含鋯前驅物具有以下式：
M(R 1 -N-C(R 3 )-N-R 2 ) u (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 　式I
或
M(R 1 -N-(C(R 3 ) 2 ) m -N-R 2 ) v (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 　式II
其中：
■M為Hf或Zr；
■R1、R2、R5、R6及R7獨立地選自由H及C1-C6烷基組成之群；
■R3=H、C1-C6烷基，或NMe2；
■R4為C1-C6烷基；
■m=2至4；
■u=0至2；
■v=0至1；
■x=1至3；
■y=0至2；
■z=0至1；
■在式I中，u+x+y+z=4；
■在式II中，2v+x+y+z=4；且
■u、v或z1。
如上文所定義，該C1-C6烷基包括具有1至6個碳原子之任何直鏈烷基、分支鏈烷基或環烷基，包括(但不限於)Me、tBu或環己基。
在式I中，該R1-NC(R3)N-R2配位基具有以下化學結構：
在式II中，該R1-N-(C(R3)2)m-N-R2配位基具有以下化學結構：
因此，雖然相同元素維持於該配位基之主鏈(亦即，-N-C-N-)中，但該配位基自身自在該-N-C-N-主鏈之間具有一個非定域負電荷之-1配位基轉向具有定域於每一氮原子處之一個負電荷之-2配位基。另外，該式I配位基具有比該式II配位基更硬質之結構。
當R1及R3為式I中之C1-C6直鏈或分支鏈烷基時，R1及R3可為獨立取代基或其可連接在一起以形成自R1延伸至R3之單環結構，如下文所論證。
類似地，當R1、R3及R2為式I中之C1-C6直鏈或分支鏈烷基時，R1、R3及R2可為獨立取代基或其可連接在一起以形成雙環結構，如下文所論證。
選擇該等所揭示之前驅物之組態，以便使該反應性(尤其是與H2O)最佳化，且同時使該穩定性最佳化。M-N鍵較弱且將快速地在該表面上起反應。同時，M-O鍵強得多且將幫助使該分子穩定以避免快速分解。藉由調整此分子，獲得前驅物，該前驅物由於較弱位點而在該基板上良好地起反應。
當在式I中u=1，x=3，y=0且z=0時，R1及R2較佳為Et或iPr，R3較佳為H、Me或NMe2，且R4較佳為C1-C4直鏈或分支鏈烷基鏈。例示性前驅物包括：M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OiPr)3、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OMe)3、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OEt)3、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OnPr)3、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OsBu)3、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OiBu)3、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OtBu)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiPr)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OMe)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OEt)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OnPr)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OsBu)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiBu)3、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OtBu)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OEt)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OMe)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OnPr)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OsBu)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OiBu)3、M(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3，或M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)3。
當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OiPr)3、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OMe)3、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OEt)3、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OnPr)3、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OsBu)3、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OiBu)3、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OtBu)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiPr)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OMe)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OEt)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OnPr)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OsBu)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiBu)3、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OtBu)3、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OEt)3、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OMe)3、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OnPr)3、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OsBu)3、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OiBu)3、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3，或Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)3。
當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OiPr)3、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OMe)3、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OEt)3、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OnPr)3、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OsBu)3、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OiBu)3、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)1(OtBu)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiPr)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OMe)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OEt)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OnPr)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OsBu)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiBu)3、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OtBu)3、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OEt)3、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OMe)3、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OnPr)3、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OsBu)3、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OiBu)3、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3，或Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)3。
在此具體實例中，該等較佳例示性前驅物為Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiPr)3或Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OiPr)3。
當在式II中m=2或3，v=1，x=2，y=0且z=0時，R1及R2較佳為Et或iPr，R3較佳為H，且R4較佳為C1-C4直鏈或分支鏈烷基鏈。更佳地，當m=2時，R1及R2不為Me。例示性前驅物包括：M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiPr)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OMe)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OEt)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OnPr)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OsBu)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiBu)2、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OtBu)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OEt)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OnPr)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OsBu)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiBu)2、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OtBu)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiPr)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OMe)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OEt)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OnPr)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OsBu)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiBu)2、M(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OtBu)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OEt)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OnPr)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OsBu)2、M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiBu)2，或M(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OtBu)2。
當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiPr)2、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OMe)2、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OEt)2、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OnPr)2、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OsBu)2、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiBu)2、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OtBu)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OEt)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OnPr)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OsBu)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiBu)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OtBu)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiPr)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OMe)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OEt)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OnPr)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OsBu)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiBu)2、Hf(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OtBu)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OEt)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OnPr)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OsBu)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiBu)2，或Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OtBu)2。
當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiPr)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OMe)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OEt)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OnPr)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OsBu)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiBu)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OtBu)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OEt)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OnPr)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OsBu)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiBu)2、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OtBu)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiPr)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OMe)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OEt)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OnPr)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OsBu)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OiBu)2、Zr(iPr-N-(CH2)3-N-iPr)1(OtBu)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OEt)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OnPr)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OsBu)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiBu)2，或Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OtBu)2。
在此具體實例中，該等較佳例示性前驅物為：Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiPr)2、Hf(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)1(OiPr)2、Zr(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2，或Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2。
當在式I中u=2，x=2，y=0且z=0時，該前驅物具有以下化學結構：
在此具體實例中，R1及R2較佳為Et或iPr，R3較佳為H或Me，且R4較佳為C1-C4直鏈或分支鏈烷基鏈。更佳地，R3不為NMe2。例示性前驅物包括：M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OMe)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OsBu)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu)2、M(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OtBu)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiPr)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OMe)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OEt)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OnPr)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OsBu)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiBu)2、M(Et-N-C(H)-N-Et)2(OtBu)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OMe)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OEt)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiPr)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OMe)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OsBu)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiBu)2，及M(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OtBu)2。
當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OMe)2、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt)2、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr)2、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OsBu)2、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu)2、Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OtBu)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiPr)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OMe)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OEt)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OnPr)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OsBu)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiBu)2、Hf(Et-N-C(H)-N-Et)2(OtBu)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OMe)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OEt)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiPr)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OMe)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OsBu)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiBu)2，及Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OtBu)2。
當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OMe)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OsBu)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OtBu)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiPr)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OMe)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OEt)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OnPr)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OsBu)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OiBu)2、Zr(Et-N-C(H)-N-Et)2(OtBu)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OMe)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OEt)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiPr)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OMe)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OsBu)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiBu)2，及Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OtBu)2。
在此具體實例中，該較佳例示性前驅物為Hf(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr)2、Zr(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2，或Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr)2。
當在式I中u=1，x=2，y=1且z=0時，該前驅物具有以下化學結構：
在此具體實例中，R1及R2較佳為Et或iPr；R3較佳為H、Me或NMe2；R4較佳為iPr；且R5及R6較佳獨立為Me或Et。例示性前驅物包括：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMe2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEt2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMetBu)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMeiPr)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NiPr2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)。
當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMe2)、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEt2)、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEtMe)、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMetBu)、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMeiPr)、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NiPr2)、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NneoPentyl2)、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)及Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)。
當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMe2)、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEt2)、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEtMe)、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMetBu)、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMeiPr)、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NiPr2)、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NneoPentyl2)、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)，及Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)。
在此具體實例中，該較佳例示性前驅物為Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)或Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)。
當在式I中u=1，x=2，y=0且z=1時，該前驅物具有以下化學結構：
在此具體實例中，R1及R2較佳為Et或iPr；R3較佳為H或Me；R4較佳為iPr；且R7較佳為Me。例示性前驅物包括：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(O2CMe)及M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(O2CMe)。當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(O2CMe)及Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(O2CMe)。當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(O2CMe)及Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(O2CMe)。
當在式II中v=1，x=1，y=0且z=1時，該前驅物具有以下化學結構：
當m=2，v=1，x=1，y=0，z=1且R3=H時，該前驅物具有以下化學結構：
當m=3，v=1，x=1，y=0，z=1且R3=H時，該前驅物具有以下化學結構：
在此等具體實例中，m較佳為2或3，R1及R2較佳為Et或iPr；R3較佳為H；R4較佳為C1-C4直鏈或分支鏈烷基鏈；且R7較佳為Me。例示性前驅物包括：M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OMe)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OEt)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OnPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OsBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OtBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OMe)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OEt)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OnPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OsBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiBu)(O2CMe)，及M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OtBu)(O2CMe)。
當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OMe)(O2CMe)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OEt)(O2CMe)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OnPr)(O2CMe)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OsBu)(O2CMe)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiBu)(O2CMe)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OtBu)(O2CMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(O2CMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OMe)(O2CMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OEt)(O2CMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OnPr)(O2CMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OsBu)(O2CMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiBu)(O2CMe)，及Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OtBu)(O2CMe)。
當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OMe)(O2CMe)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OEt)(O2CMe)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OnPr)(O2CMe)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OsBu)(O2CMe)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiBu)(O2CMe)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OtBu)(O2CMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(O2CMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OMe)(O2CMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OEt)(O2CMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OnPr)(O2CMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OsBu)(O2CMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiBu)(O2CMe)，及Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OtBu)(O2CMe)。
當在式I中u=1，x=1，y=2且z=0時，例示性前驅物包括：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NMe2)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NEt2)2、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NMe2)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NEt2)2、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NEtMe)2、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NMe2)2、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NEt2)2，及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)2。
當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NMe2)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NEt2)2、Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NMe2)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NEt2)2、Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NEtMe)2、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NMe2)2、Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NEt2)2，及Hf(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)2。
當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NMe2)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NEt2)2、Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NMe2)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NEt2)2、Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(NEtMe)2、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NMe2)2、Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NEt2)2，及Zr(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)2。
當在式II中v=1，x=1，y=1且z=0時，例示性前驅物包括：M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NMe2)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NEt2)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NMe2)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NEt2)，及M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NEtMe)。當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NMe2)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NEt2)、Hf(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NMe2)、Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NEt2)，及Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NEtMe)。當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NMe2)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NEt2)、Zr(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(NEtMe)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NMe2)、Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NEt2)，及Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(NEtMe)。
當在式I中u=1，x=1，y=0且z=2時，例示性前驅物包括：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)2及M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(O2CMe)2。當M為Hf時，該等例示性前驅物包括：Hf(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)2及Hf(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(O2CMe)2。當M為Zr時，該等例示性前驅物包括：Zr(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)2及Zr(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)(O2CMe)2。
當在式I或式II中之任一者中u、v、y=0，x=2且z=2時，例示性前驅物包括M(OiPr)2(O2CMe)2，或當M為Hf時，例示性前驅物包括Hf(OiPr)2(O2CMe)2，且當M為Zr時，例示性前驅物包括Zr(OiPr)2(O2CMe)2。
當在式I或式II中之任一者中u、v、y=0，x=3且z=1時，例示性前驅物包括M(OiPr)3(O2CMe)，或當M為Hf時，例示性前驅物包括Hf(OiPr)3(O2CMe)，且當M為Zr時，例示性前驅物包括Zr(OiPr)3(O2CMe)。
可藉由在氮氣氛圍下組合H(R1-N-C(R3)-N-R2)之烴溶液與鉿或鋯化合物(諸如，Hf(OR4)3(NR5R6)、Hf(OR4)2(NR5R6)2、Zr(OR4)3(NR5R6)，或Zr(OR4)2(NR5R6)2)之淨溶液或烴溶液來合成該等所揭示之前驅物，混合燒瓶之出口連接至油起泡器。例示性烴溶液包括戊烷。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在可適用之情況下，可添加HO2CR7且進一步攪拌歷時6至12小時。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除。分別藉由蒸餾或昇華執行所得液體或固體之純化。額外合成細節提供於「實施例」中。
亦揭示使用該等所揭示之含鉿及含鋯前驅物用於氣相沉積方法的方法。該等所揭示之方法提供該等含鉿及含鋯前驅物分別用於沉積含鉿及含鋯膜之使用。該等所揭示之方法可用於半導體、光伏打裝置、LCD-TFT或平板型裝置之製造中。該方法包括：提供基板；提供包括該等所揭示之含鉿或含鋯前驅物中之至少一者之蒸汽；及使該蒸汽與該基板接觸(且典型地將該蒸汽引向該基板)以在該基板之至少一表面上形成含鉿或含鋯層。
該等所揭示之方法亦提供用於使用氣相沉積製程在基板上形成含雙金屬層。該等所揭示之方法可用於半導體、光伏打裝置、LCD-TFT或平板型裝置之製造中。該方法包括：提供基板；提供包括該等所揭示之含鉿或含鋯前驅物中之至少一者之蒸汽；及使該蒸汽與該基板接觸(且典型地將該蒸汽引向該基板)以在該基板之至少一表面上形成含雙金屬層。亦可提供氧源，諸如O3、O2、H2O及NO，較佳為H2O。
該等所揭示之含鉿及含鋯前驅物可用以使用熟習此項技術者已知之任何沉積方法沉積含鉿及含鋯膜。合適沉積方法之實例包括(不限制)習知化學氣相沉積(CVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、原子層沉積(ALD)、脈衝化學氣相沉積(P-CVD)、電漿增強原子層沉積(PE-ALD)，或其組合。較佳地，該沉積方法為ALD或PE-ALD。
將該含鉿或含鋯前驅物之蒸汽引入至含有至少一基板之反應腔室中。在合適條件下保持該反應腔室內之溫度及壓力及該基板之溫度，以使得該含鉿或含鋯前驅物與該基板之間的接觸導致在該基板之至少一表面上形成含Hf或含Zr層。亦可使用反應物來幫助形成該含Hf或含Zr層。
該反應腔室可為裝置之進行沉積方法之任何外殼或腔室，諸如(不限制)平行板型反應器、冷壁型反應器、熱壁型反應器、單晶圓反應器、多晶圓反應器，或其他此等類型之沉積系統。所有此等例示性反應腔室能夠用作ALD反應腔室。該反應腔室可維持在自約0.5毫托(0.07 Pa)至約20托(2700 Pa)之壓力範圍內。另外，該反應腔室內之該溫度可在約200℃至約600℃之範圍內。一般熟習此項技術者將認識到，可經由用以達成所要結果之純實驗使該溫度最佳化。
可藉由控制基板固持器之溫度或控制反應器壁之溫度來控制該反應腔室之該溫度。用以加熱該基板之裝置為此項技術中已知的。將該反應器壁加熱至足夠溫度以在足夠生長速率下獲得該所要膜且該所要膜具有所要物理狀態及組成物。該反應器壁可被加熱至之一非限制性例示性溫度範圍包括自約200℃至約600℃。當利用電漿沉積製程時，沉積溫度可在約200℃至約550℃之範圍內。或者，當執行熱製程時，沉積溫度可在約400℃至約600℃之範圍內。
或者，可將該基板加熱至足夠溫度以在足夠生長速率下獲得該所要含鉿或含鋯膜且該所要含鉿或含鋯膜具有所要物理狀態及組成物。該基板可被加熱至之一非限制性例示性溫度範圍包括自150℃至600℃。較佳地，該基板之該溫度保持小於或等於450℃。
該含鉿或含鋯膜將沉積於上面的基板之類型將取決於意欲之最終用途而變化。在一些具體實例中，該基板可選自以下各者：用作MIM、DRAM或FeRam技術中之介電材料的氧化物(例如，基於HfO2之材料、基於TiO2之材料、基於ZrO2之材料、基於稀土元素氧化物之材料、基於三元氧化物之材料，等等)，或用作銅與低k層之間的氧障壁的基於氮化物之膜(例如，TaN)。其他基板可用於半導體、光伏打裝置、LCD-TFT或平板裝置之製造中。此等基板之實例包括(但不限於)固體基板，諸如含金屬氮化物基板(例如，TaN、TiN、WN、TaCN、TiCN、TaSiN，及TiSiN)；絕緣體(例如，SiO2、Si3N4、SiON、HfO2、Ta2O5、ZrO2、TiO2、Al2O3，及鈦酸鍶鋇)；或其他基板，包括此等材料之任何數目個組合。該所利用之實際基板亦可取決於該所利用之特定前驅物具體實例。但在許多例子中，該所利用之較佳基板將選自以下各者：TiN、SRO、Ru及Si型基板。
在將該含鉿或含鋯前驅物引入至該反應腔室中之前，可將該含鉿或含鋯前驅物以液態饋入至汽化器，在該汽化器中，該含鉿或含鋯前驅物汽化。在該含鉿或含鋯前驅物汽化之前，可視情況將該含鉿或含鋯前驅物與以下各者混合：一或多個溶劑、一或多個金屬源，及一或多個溶劑與一或多個金屬源之混合物。該等溶劑可選自由以下各者組成之群：甲苯、乙苯、二甲苯、均三甲苯、癸烷、十二烷、辛烷、己烷、戊烷，或其他者。所得濃度可在約0.05 M至約2 M之範圍內。該金屬源可包括現在已知或稍後開發之任何含金屬前驅物。
或者，可藉由將運載氣體載入至含有該含鉿或含鋯前驅物之容器中或藉由使該運載氣體起泡至該含鉿或含鋯前驅物中來使該含鉿或含鋯前驅物汽化。接著將該運載氣體及該含鉿或含鋯前驅物以蒸汽形式引入至該反應腔室中。該運載氣體可包括(但不限於)Ar、He、N2，及其混合物。可視情況在該容器中將該含鉿或含鋯前驅物與一或多個溶劑、含金屬前驅物或其混合物混合。必要時，可將該容器加熱至溫度，該溫度准許該含鉿或含鋯前驅物處於其液相且具有足夠蒸汽壓。該容器可維持在處於(例如)約0℃至約150℃之範圍內的溫度。熟習此項技術者認識到，可以已知方式調整該容器之該溫度，以控制含鉿或含鋯前驅物汽化之量。
除在引入至該反應腔室中之前可選地將該含鉿或含鋯前驅物與溶劑、含金屬前驅物及穩定劑混合之外，亦可將該含鉿或含鋯前驅物與該反應腔室內部之反應物混合。例示性反應物包括(不限制)含金屬前驅物，諸如含鋁前驅物(諸如，TMA)或含矽前驅物(諸如，雙(二乙胺基)矽烷)。可將少量此等或其他含金屬前驅物併入至該所得膜中，作為摻雜劑，或作為該所得膜中之第二或第三金屬，諸如PZT。
當該所要含鉿或含鋯膜亦含有氧(諸如(且不限制)ZrO)時，該等反應物可包括選自(但不限於)以下各者之氧源：O2、O3、H2O、H2O2、乙酸、福馬林、仲甲醛，及其組合。較佳地，當執行ALD製程時，該反應物為H2O。
可藉由電漿來處理該反應物以便將該反應物分解成其自由基形式。該電漿可產生或存在於自身之反應腔室內。或者，可大體上在位置處將該電漿自該反應腔室中移除，例如，在位於遠端之電漿系統中。熟習此項技術者將認識到適合於此電漿處理之方法及設備。
舉例而言，可將該反應物引入至直接電漿反應器中(該直接電漿反應器在該反應腔室中產生電漿)，以在該反應腔室中產生該經電漿處理之反應物。例示性直接電漿反應器包括由Trion Technologies生產之TitanTM PECVD系統。可在電漿處理之前將該反應物引入及固持於該反應腔室中。或者，該電漿處理可與反應物之該引入同時地發生。原位電漿典型地為13.56 MHz RF電容耦合電漿，其產生於簇射頭與該基板固持器之間。該基板或簇射頭可取決於是否發生正離子衝擊而為供電電極。原位電漿產生器中之典型外加功率為約100 W至約1000 W。使用原位電漿達成的該反應物之解離典型地小於對於相同功率輸入使用遠端電漿源達成的該反應物之解離，且因此反應物解離不如遠端電漿系統中之反應物解離有效率，此情形可有益於在基板上沉積容易受電漿損壞之含金屬氮化物膜。
或者，可在該反應腔室外部產生該經電漿處理之反應物。在載入至該反應腔室中之前，可使用MKS Instruments之i反應性氣體產生器來處理該反應物。在2.45 GHz、7 kW電漿功率及在約3托至約10托之範圍內的壓力下操作，可將反應物O3分解成三個O-自由基。較佳地，可用在約1 kW至約10 kW之範圍內、更佳在約2.5 kW至約7.5 kW之範圍內的功率產生該遠端電漿。
當該所要含鉿或含鋯膜亦含有另一金屬(諸如(且不限制)Ta、Hf、Zr、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、As、Sb、Bi、Sn、Pb、Co、鑭系元素(諸如，Eu)或其組合時，該等反應物可包括選自(但不限於)以下各者之含金屬前驅物：金屬烷，諸如Ln(RCp)3或Co(RCp)2；金屬烷氧，諸如Ti(Cp)(OMe)3；及其任何組合。
將該含金屬前驅物之蒸汽引入至反應腔室中。在合適條件下保持該反應腔室內之溫度及壓力及該基板之溫度，以使得該含金屬前驅物與該基板之間的接觸導致在該基板之至少一表面上形成含金屬層。亦可使用反應物來幫助形成該含金屬層。
一般熟習此項技術者將認識到，可在該等所揭示之沉積製程中使用額外反應物。
可同時地(化學氣相沉積)、順序地(原子層沉積)或以其他組合將該含鉿或含鋯前驅物及一或多個反應物引入至該反應腔室中。舉例而言，可在一個脈衝中引入該含鉿或含鋯前驅物且可在單獨脈衝中一起引入兩個額外金屬源[經修改之原子層沉積]。或者，在引入該含鉿或含鋯前驅物之前，該反應腔室可能已經含有該反應物。可使該反應物通過定域於該反應腔室遠端之電漿系統，且將該反應物分解成自由基。或者，可在藉由脈衝引入其他金屬源(脈衝化學氣相沉積)的同時，連續地將該含鉿或含鋯前驅物引入至該反應腔室。在每一實施例中，脈衝可繼之以淨化或抽空步驟以移除所引入之過量組份。在每一實施例中，該脈衝可持續時間週期，該時間週期在約0.01 s至約10 s之範圍內，或者在約0.3 s至約3 s之範圍內，或者在約0.5 s至約2 s之範圍內。
在一非限制性例示性原子層沉積型製程中，將含鉿或含鋯前驅物之蒸汽相引入至該反應腔室中，在該反應腔室中，該含鉿或含鋯前驅物之蒸汽相與合適基板接觸。可接著藉由淨化及/或抽空該反應腔室將過量含鉿或含鋯前驅物自該反應腔室中移除。將氧源引入至該反應腔室中，在該反應腔室中，該氧源與該所吸收之含鉿或含鋯前驅物以自限制方式起反應。藉由淨化及/或抽空該反應腔室將任何過量氧源自該反應腔室中移除。若該所要膜為氧化鉿或氧化鋯膜，則此兩步驟製程可提供所要膜厚度，或可重複此兩步驟製程，直至獲得具有必要厚度之膜為止。
或者，若該所要膜為鉿或鋯金屬氧化物膜，則可在該上述兩步驟製程之後，將含金屬前驅物之第二蒸汽引入至該反應腔室中。將基於正沉積之該鉿金屬氧化物或鋯金屬氧化物膜之性質而選擇該含金屬前驅物。在引入至該反應腔室中之後，使該含金屬前驅物與該基板接觸。藉由淨化及/或抽空該反應腔室將任何過量含金屬前驅物自該反應腔室中移除。再次，可將氧源引入至該反應腔室中以與該含金屬前驅物反應。藉由淨化及/或抽空該反應腔室將過量氧源自該反應腔室中移除。若已達成所要膜厚度，則可終止該製程。然而，若需要較厚膜，則可重複該整個四步驟製程。藉由交替供應該含鉿或含鋯前驅物、該含金屬前驅物及該氧源，可沉積具有所要組成物及厚度之膜。
另外，藉由使脈衝之數目變化，可獲得具有所要化學計算量Hf：金屬或Zr：金屬比之膜。舉例而言，可藉由具有該含鋯前驅物之一個脈衝、含鈦前驅物之一個脈衝及含鉛前驅物之兩個脈衝而獲得PZT膜(Pb[ZrxTi1-x]O3，其中0<x<1)，其中每一脈衝繼之以該氧源之脈衝。然而，一般熟習此項技術者將認識到，獲得該所要膜所需之脈衝之數目可能不相同於該所得膜之該化學計算量比。
由上文所論述之該等製程產生的該等含鉿或含鋯膜可包括PZT。一般熟習此項技術者將認識到，藉由慎重地選擇適當含鉿或含鋯前驅物及反應物，可獲得所要膜組成物。
實施例
提供以下非限制性實施例以進一步說明本發明之具體實例。然而，該等實施例並不意欲為全部包括性的且並不意欲限制本文中所描述的本發明之範疇。
預言性實施例1
Hf(N iPr -amd)(OiPr) 3 或Zr(N iPr -amd)(OiPr) 3 ：將戊烷溶液冷卻至-30℃歷時1小時。將Hf(OiPr)3(NMe2)或Zr(OiPr)3(NMe2)添加至冷卻之戊烷溶液。在氮氣氛圍下在室溫下攪拌混合物。將NiPr-amd-H戊烷溶液緩慢地添加至上述混合物。將燒瓶之出口連接至油起泡器，又將該油起泡器連接至酸洗滌器。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除，從而產生目標分子(Hf(NiPr-amd)(OiPr)3或Zr(NiPr-amd)(OiPr)3)。
預言性實施例2
Hf(N iPr -amd) 2 (OiPr) 2 或Zr(N iPr -amd) 2 (OiPr) 2 ：將淨Hf(OiPr)2(NMe2)2或淨Zr(OiPr)2(NMe2)2添加至在氮氣氛圍下在室溫下攪拌的含有NiPr-amd-H之戊烷溶液，將燒瓶之出口連接至油起泡器。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除，從而產生目標分子(Hf(NiPr-amd)2(OiPr)2或Zr(NiPr-amd)2(OiPr)2)。
預言性實施例3
Hf(N iPr -fmd) 2 (OiPr) 2 或Zr(N iPr -fmd) 2 (OiPr) 2 ：將淨Hf(OiPr)2(NMe2)2或淨Zr(OiPr)2(NMe2)2添加至在氮氣氛圍下在室溫下攪拌的含有NiPr-fmd-H之戊烷溶液，將燒瓶之出口連接至油起泡器。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除，從而產生目標分子(Hf(NiPr-fmd)2(OiPr)2或Zr(NiPr-fmd)2(OiPr)2)。
預言性實施例4
Hf(N iPr -gmd) 2 (OiPr) 2 或Zr(N iPr -gmd) 2 (OiPr) 2 ：將淨Hf(OiPr)2(NMe2)2或淨Zr(OiPr)2(NMe2)2添加至在氮氣氛圍下在室溫下攪拌的含有iPr-N=C=N-iPr之戊烷溶液，將燒瓶之出口連接至油起泡器。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除，從而產生目標分子(Hf(NiPr-gmd)2(OiPr)2或Zr(NiPr-gmd)2(OiPr)2)。
預言性實施例5
Hf(N iPr -amd)(OiPr) 2 (NMe 2 )或 Zr(N iPr -amd)(OiPr) 2 (NMe 2 )：將NiPr-amd-H戊烷溶液緩慢地逐滴添加至在氮氣氛圍下在室溫下攪拌的含有Hf(OiPr)2(NMe2)2或Zr(OiPr)2(NMe2)2之戊烷溶液。將燒瓶之出口連接至油起泡器，又將該油起泡器連接至酸洗滌器。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除，從而產生目標分子(Hf(NiPr-amd)(OiPr)2(NMe2)或Zr(NiPr-amd)(OiPr)2(NMe2))。
預言性實施例6
Hf(Et-N-(CH 2 ) 2 -N-Et)(OiPr) 2 或Zr(Et-N-(CH 2 ) 2 -N-Et)(OiPr) 2 ：將Et-NH-(CH2)2-NH-Et之淨液體緩慢地逐滴添加至在氮氣氛圍下在室溫下攪拌的含有Hf(OiPr)2(NMe2)2或Zr(OiPr)2(NMe2)2之戊烷溶液。將燒瓶之出口連接至油起泡器，又將該油起泡器連接至酸洗滌器。隔夜在室溫下攪拌所得溶液。在真空下將溶劑及揮發物自反應混合物中移除，從而產生目標分子(Hf(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)2或Zr(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)2)。
預言性實施例7
Ti(Me-N-(CH 2 ) 2 -N-Me)(OiPr) 2 ：將執行類似於實施例6之合成，其中反應物具有適當配位基。
預言性實施例8
Ti(Me 2 CH-N-(CH 2 ) 3 -N-CHMe 2 )(OiPr) 2 ：將執行類似於實施例6之合成，其中反應物具有適當配位基。
預言性實施例9
使用實施例1至8中之任一者的含鉿或含鋯前驅物及反應物O3在SiO2/Si基板上沉積HfO2或ZrO2膜。將SiO2/Si基板維持在250℃溫度下。使前驅物在維持在50℃下之起泡器中汽化。ALD循環將包括5秒之前驅物脈衝，繼之以5秒淨化，繼之以2秒之反應物脈衝，繼之以5秒淨化。預期HfO2或ZrO2生長速率為0.5 /循環或大於0.5 /循環。在沉積速率下，分析ALD機制將高達350℃。
預言性實施例10
使用實施例1至8中之任一者的含鉿或含鋯前驅物及反應物H2O在SiO2/Si基板上沉積HfO2或ZrO2膜。將SiO2/Si基板維持在250℃溫度下。使前驅物在維持在50℃下之起泡器中汽化。ALD循環將包括20秒之前驅物脈衝，繼之以5秒淨化，繼之以2秒之反應物脈衝，繼之以10秒淨化。預期HfO2或ZrO2生長速率為0.5 /循環或大於0.5 /循環。分析ALD機制將高達350℃。
應理解，熟習此項技術者可在如附加申請專利範圍中所表達的本發明之原理及範疇內，作出本文中已經描述及說明以便解釋本發明之性質的細節、材料、步驟及份額之配置的許多額外改變。因此，本發明不意欲限於上文所給予之實施例及/或附圖中之特定具體實例。

Claims (8)

  1. 一種具有下式之分子：M(R 1 -N-C(R 3 )-N-R 2 ) u (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 式I或M(R 1 -N-(C(R 3 ) 2 ) m -N-R 2 ) v (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 式II其中：M為Hf或Zr；R1、R2、R5、R6及R7獨立地選自由H及C1-C6烷基組成之群；R3=H、C1-C6烷基，或NMe2；R4為C1-C6烷基；m=2至4；u=1，x=2，y=1，且z=0；u=1，x=2，y=0，且z=1；v=1，x=1，y=0，且z=1；u、v、y=0，x=2，且z=2；或u、v、y=0，x=3，且z=1。
  2. 如申請專利範圍第1項之分子，其中該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMe2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEt2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、 M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMetBu)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMeiPr)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NiPr2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)。
  3. 如申請專利範圍第1項之分子，其中該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(O2CMe)及M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(O2CMe)。
  4. 如申請專利範圍第1項之分子，其中該分子選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OMe)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OEt)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OnPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OsBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OtBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(O2CMe)、 M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OMe)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OEt)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OnPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OsBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiBu)(O2CMe)及M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OtBu)(O2CMe)。
  5. 如申請專利範圍第1項之分子，該分子為M(OiPr)2(O2CMe)2。
  6. 如申請專利範圍第1項之分子，該分子為M(OiPr)3(O2CMe)。
  7. 一種在基板上形成含Hf或含Zr層之方法，該方法包含：提供反應腔室，該反應腔室中安置有至少一基板；將包括具有以下式之至少一前驅物之蒸汽引入至該反應腔室中：M(R 1 -N-C(R 3 )-N-R 2 ) u (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 式I或M(R 1 -N-(C(R 3 ) 2 ) m -N-R 2 ) v (OR 4 ) x (NR 5 R 6 ) y (O 2 CR 7 ) z 式II其中：M為Hf或Zr；R1、R2、R5、R6及R7獨立地選自由H及C1-C6烷基組成之群；R3=H、C1-C6烷基，或NMe2；R4為C1-C6烷基； m=2至4；u=1，x=2，y=1，且z=0；u=1，x=2，y=0，且z=1；v=1，x=1，y=0，且z=1；u、v、y=0，x=2，且z=2；或u、v、y=0，x=3，且z=1；使該蒸汽與該基板接觸以使用氣相沉積製程在該基板之至少一表面上形成該含Hf或含Zr層。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該至少一前驅物選自由以下各者組成之群：M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMe2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEt2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMe2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEt2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NEtMe)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NMetBu)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NMeiPr)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NiPr2)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(NneoPentyl2)、 M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NiPr2)、M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NneoPentyl2)及M(iPr-N-C(NMe2)-N-iPr)(OiPr)2(NMeiPr)、M(iPr-N-C(Me)-N-iPr)(OiPr)2(O2CMe)、M(Et-N-C(Me)-N-Et)(OiPr)2(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OMe)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OEt)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OnPr)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OsBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OiBu)(O2CMe)、M(iPr-N-(CH2)2-N-iPr)(OtBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OMe)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OEt)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OnPr)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OsBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OiBu)(O2CMe)、M(Et-N-(CH2)2-N-Et)(OtBu)(O2CMe)、M(OiPr)2(O2CMe)2及M(OiPr)3(O2CMe)。
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