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TWI593089B - 有機發光顯示設備 - Google Patents

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TWI593089B
TWI593089B TW102148576A TW102148576A TWI593089B TW I593089 B TWI593089 B TW I593089B TW 102148576 A TW102148576 A TW 102148576A TW 102148576 A TW102148576 A TW 102148576A TW I593089 B TWI593089 B TW I593089B
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TW
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electrode
layer
cover layer
region
organic light
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TW102148576A
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TW201445708A (zh
Inventor
崔俊呼
曺觀鉉
鄭鎭九
Original Assignee
三星顯示器有限公司
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Publication date
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Description

有機發光顯示設備
本申請案主張於2013年5月29日向韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2013-0061251之效益，其全部內容於此併入作為參考。
本發明係關於一種有機發光顯示設備及其製造方法，且更精確的說，係關於一種具有改善的電性及圖像品質的有機發光顯示設備。
便攜式及薄膜型平板顯示設備越來越多被使用作為顯示設備。在平板顯示設備中，有機發光顯示設備為具有廣視角、良好的對比度及快速響應時間的自發光顯示設備，且已作為下一代顯示設備而引起關注。
有機發光顯示設備包含中間層、第一電極及第二電極。中間層包含有機發光層。當電壓施加於第一電極及第二電極，可見光可從有機發光層產生。
在這種情況下，可因設置在第二電極上的封裝部份或雜質產生污染及損壞。
由於上述因素，有機發光顯示設備的圖像品質及電性的改善可能是有限的。
本發明提供了一種有機發光顯示裝置，其之電性及圖像品質可以輕易地被改善，以及該有機發光顯示設備的製造方法。
根據本發明的一個態樣，提供了一種有機發光顯示設備，其包含基板、形成在基板上的第一電極、形成在第一電極上的中間層。中間層包含有機發光層。第二電極形成在中間層上，且覆蓋層係形成在第一區域中之第二電極上。覆蓋層包含第一邊緣部份且至少二層。第三電極係形成在第二區域中之第二電極上。第二區域不與第一區域重疊，且第三電極包含具有側部面對覆蓋層之第一邊緣部份之側部之第二邊緣部份。
第三電極可包含依序堆疊之複數個層。
第三電極可包含依序堆疊之下電極層及上電極層，且覆蓋層可包含依序堆疊之第一覆蓋層及第二覆蓋層。
第三電極可包含單一層，且覆蓋層可包含依序堆疊之第一覆蓋層及第二覆蓋層。
第三電極可包含依序堆疊之上電極層及下電極層，且覆蓋層可包含依序堆疊之第一覆蓋層、第二覆蓋層、第三覆蓋層、及第四覆蓋層。
第三電極之厚度可大於第二電極之厚度。
在第三電極及覆蓋層之間之附著性可小於在第三電極及第二電極之附著性。
覆蓋層可包含8-羥基喹啉鋰、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯基-4,4'-二胺)(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、N(二 苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺)(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine)、或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並-[d]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole)。
第三電極可包含Mg。
有機發光顯示設備可包含用於穿透外部光之光穿透區域及相鄰於光穿透區域且發出光之像素區域。光穿透區域及像素區域被設置在第一區域中，且第一電極可與像素區域重疊。
有機發光顯示設備可進一步包含含有主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極之薄膜電晶體，薄膜電晶體與第一電極達成電連接，且第一電極可被設置從而屏蔽薄膜電晶體。
覆蓋層可為光透射的。所有覆蓋層的邊緣部份及第三電極的邊緣部份可彼此連接。
在一個像素內覆蓋層的面積可大於發光面積。
根據本發明的另一態樣，提供一種有機發光顯示設備的製造方法，包含在基板上形成第一電極、在第一電極上形成包含有機發光層的中間層、在中間層上形成第二電極、以及在第一區域中的第二電極上形成覆蓋層。覆蓋層包含第一邊緣部份且至少二層。第三電極形成在第二區域中的第二電極上。 第二區域不與第一區域重疊，且第三電極包含具有側部面對覆蓋層的第一邊緣部份的側部的第二邊緣部份。
第三電極及覆蓋層可通過實行沈積製程而形成。
用於形成第三電極及覆蓋層的材料之間的附著力可小於用於形成第三電極及第二電極的材料之間的附著力。
覆蓋層可藉由使用包含對應覆蓋層的圖樣的縫隙部份的遮罩而形成。
第三電極可藉由使用包含在覆蓋層上的開口之開口遮罩形成。
第三電極可藉由不使用遮罩地進行沈積製程來形成。
覆蓋層的形成可包含藉由使用具有覆蓋層的對應圖樣的縫隙部份的遮罩形成設置在第二電極上的覆蓋層之至少二層中的第一層，且藉由使用包含在覆蓋層上之開口的開口遮罩形成覆蓋層的其餘層。
覆蓋層的形成可包含藉由使用具有覆蓋層的對應圖樣的縫隙部份的遮罩形成設置在第二電極上的覆蓋層之至少二層中的第一層，且不使用遮罩地形成覆蓋層的其餘層。
第三電極的形成可在形成覆蓋層的至少一層後進行。
第三電極及覆蓋層的形成可包含藉由使用具有覆蓋層的對應圖樣的縫隙部份的遮罩形成設置在第二電極上的覆蓋層的至少兩層中之第一層，且藉由在共沈積製程中使用開口遮罩形成第三電極及覆蓋層的其餘層，開口遮罩包含在覆蓋層的第一層上的開口。
第三電極可包含依序堆疊的複數個電極層。
第三電極及覆蓋層的形成可包含藉由使用包含覆蓋層的對應圖樣的縫隙部份的遮罩來形成與第二電極進行接觸之覆蓋層的複數個層中之最低層，以及形成藉由使用包含在覆蓋層的最低層上的開口之開口遮罩來形成與第二電極進行接觸之第三電極的複數個電極層之中的最低電極層。
方法可包含藉由使用具有覆蓋層的對應圖樣的縫隙部份的遮罩來形成除了最低層外，覆蓋層的複數個層中的其餘層，以及藉由使用開口遮罩形成除了最低電極層外，第三電極的複數個電極層中的其餘層。
方法可包含藉由使用開口遮罩來形成除了最低層外，覆蓋層的複數個層中的其餘層，以及藉由使用開口遮罩形成最低電極層外，第三電極的複數個電極層中的其餘層。
第三電極及覆蓋層的形成可包含交替設置包含用於形成覆蓋層的材料的複數個第一沈積源，及包含用於形成第三電極的材料的複數個第二沈積源，且移動包含第二電極的基板從而以將基板一個接著一個的對應於複數個第一沈積源及複數個第二沈積源。
第三電極及覆蓋層的形成可包含藉由使用具有覆蓋層的對應圖樣的縫隙部份的遮罩來形成設置在第二電極上的覆蓋層的至少兩層中之層，以及藉由共沈積製程的手段，使用開口遮罩同時形成第三電極的至少一層及覆蓋層的其餘層中的至少一層，開口遮罩包含覆蓋層上之開口。
基於根據本揭露的有機發光顯示設備及製造有機發光顯示設備的方法，電性及圖像品質可輕易地被改善。
100、100’、400、500‧‧‧有機發光顯示設備
101、101’、201、301‧‧‧基板
102、202、302、402‧‧‧緩衝層
103、203、303‧‧‧主動層
104、204、304、404‧‧‧閘極絕緣層
105、205、305‧‧‧閘極電極
106、206、306、406‧‧‧層間絕緣層
107、207、307‧‧‧源極電極
108、208、308‧‧‧汲極電極
109、209、309、409‧‧‧鈍化層
110、110’‧‧‧有機發光部份
119、219、319、419‧‧‧像素定義層
119a、182、219a、319a‧‧‧開口部份
120、220、320、420‧‧‧中間層
121、221、321、421、521a、521b、521c‧‧‧第一電極
122、222、322、422‧‧‧第二電極
130、230、330、430‧‧‧第三電極
140、240、340、440‧‧‧覆蓋層
140a、240a、340a‧‧‧第一邊緣部份
131、331‧‧‧下電極層
130a、230a、330a‧‧‧第二邊緣部份
132、332‧‧‧上電極層
141、241、341‧‧‧第一覆蓋層
142、242、342‧‧‧第二覆蓋層
150‧‧‧密封材料
170、270、370‧‧‧遮罩
171、181、271、371‧‧‧阻擋部份
172、272、372‧‧‧縫隙部份
180、280、380‧‧‧開口遮罩
191‧‧‧封裝基板
192‧‧‧封裝層
25‧‧‧空間
343‧‧‧第三覆蓋層
344‧‧‧第四覆蓋層
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
TR‧‧‧薄膜電晶體
EL‧‧‧有機發光裝置
S1‧‧‧第一沈積源
S2‧‧‧第二沈積源
X、Y1、Y2‧‧‧區域
P‧‧‧像素
TR‧‧‧薄膜電晶體
TA‧‧‧光透射區域
PA‧‧‧像素區域
PC‧‧‧像素電路部份
S‧‧‧掃描線
D‧‧‧數據線
V‧‧‧電源線
T1‧‧‧第一薄膜電晶體
T2‧‧‧第二薄膜電晶體
Cst‧‧‧電容
D1‧‧‧第一數據線
D2‧‧‧第二數據線
D3‧‧‧第三數據線
V1‧‧‧第一電源線
V2‧‧‧第二電源線
上述和其他特徵和優點將參照附圖描述示例實施例而變得更加明顯：第1圖係為根據例示性實施例的有機發光顯示設備剖面示意圖； 第2圖係為根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的剖面示意圖；第3圖係為第1圖中區域X的放大圖；第4圖係為第3圖中區域Y1及Y2區域的放大圖；第5圖至第10圖係為依序描繪製造第1圖中的有機發光顯示設備的方法之圖；第11圖至第13圖係為描繪第1圖中有機發光顯示設備的覆蓋層的形狀的各種例示性實施例之圖；第14圖至第17圖係為描繪製造第1圖中的有機發光顯示裝置的方法之圖；第18圖係為描繪製造第1圖中的有機發光顯示設備的方法的另一例示性實施例之圖；第19圖係為根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的剖面圖；第20圖係為第19圖中區域Y1及Y2的放大圖；第21圖及第22圖係為描繪製造第19圖中的有機發光顯示設備的方法；第23圖係為根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的剖視圖；第24圖係為第23圖中的區域Y1及Y2的放大圖；第25圖至第28圖係為依序描繪製造第23圖中的有機發光顯示設備的方法之圖； 第29圖至第32圖係為依序描繪製造第23圖中的有機發光顯示設備的另一方法之圖；第33圖係為描繪根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備之平面圖；第34圖係為描繪第33圖中的有機發光顯示設備的一個像素的剖視圖；以及第35圖係為描繪根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的平面圖。
現將詳細參考其範例描繪在附圖中之實施例，其中在通篇說明書中，類似的元件符號代表類似的元件。在這方面，本實施例可具有不同形式且不應被解釋為限於本文中所闡述的敘述。因此，例示性實施例僅藉由參考附圖在下文中描述，以解釋本敘述的態樣。
如在本文中所使用，用語「及/或(and/or)」包含一或多個相關所列物件的任何或所有組合。
下文中，構成及操作將參考描繪在附圖中的例示性實施例詳細解釋。
第1圖係為根據例示性實施例的有機發光顯示設備示意性的剖面示意圖。
參考第1圖，根據實施例的有機發光顯示設備包含形成在基板101上的有機發光部份110以及用於密封有機發光部份110的封裝基板191。
封裝基板191可被形成以包含光透射材料，使得在有機發光部份110產生的可見光可穿透到封裝基板191，且封裝基板191可避免外部氣體及濕氣穿透進入有機發光部份110。
基板101及封裝基板191可被密封材料150結合，且在基板101及封裝基板191之間的空間25可被密封。在空間25中，可設置濕氣吸收材料或填料。
第2圖係為根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的剖面示意圖。
在第2圖中的有機發光顯示設備100’，薄膜的封裝層192可形成在有機發光部份110’上而不是形成在第1圖中的封裝基板191，從而以形成在基板101’上的有機發光部份110’因外部空氣受損。封裝層192可藉由交替形成包含像是例如氧化矽或氮化矽之無機材料的層，以及包含像是例如環氧樹脂和聚亞醯胺之有機材料的層而形成，但無限制。可採用任何密封結構在光透射薄膜上。
第3圖係為在第1圖中勾勒出的區域X的放大圖，以及第4圖係為在第3圖中勾勒出的區域Y1及Y2的區域的放大圖。更精確的，第3圖描繪在第1圖中示出之有機發光部份110的一個像素。另外，第3圖可描繪在第2圖中示出之有機發光部份110’的一個像素。
參考第3圖，緩衝層102形成在基板101上，且薄膜電晶體TR形成在緩衝層102上。薄膜電晶體TR包含主動層103、閘極電極105、源極電極107及汲極電極108。
即便在第3圖中僅示出一個薄膜電晶體TR，像素可藉由進一步包含至少一其他薄膜電晶體及電容而構成像素電路。
主動層103形成在緩衝層102上。
緩衝層102可避免雜質成分的滲透且可用以平坦化其表面。緩衝層102可藉由使用可進行上述功能的各種材料來形成。例如，緩衝層102可藉由使用無機材料，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等，或有機材料如聚亞醯胺、聚酯、丙烯醯基等而形成，或可形成為其堆疊結構。緩衝層102可被省略。
主動層103可由非晶矽、多晶矽、或有機半導體材料形成，但不一定限於此。主動層103可藉由使用氧化半導體來形成。例如，主動層103可為G-I-Z-O層(氧化銦鎵鋅層)[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c層](其中a、b、及c係為分別滿足a0,b0及c0的實數)。
覆蓋主動層103的閘極絕緣層104係形成在緩衝層102上，且閘極電極105係形成在閘極絕緣層104上。
層間絕緣層106係形成在閘極絕緣層104上以覆蓋閘極電極105，且源極電極107及汲極電極108係形成在層間絕緣層106上且通過接觸孔分別與主動層103接觸。
上述薄膜電晶體TR的結構不一定限於此，且可採用各種類型的薄膜電晶體結構。例如，在第3圖中示出的薄膜電晶體TR可具有頂閘極結構。或者，可使用底閘極結構的薄膜電晶體TR。或者，可使用所有薄膜電晶體其他適用結構。
可形成包含電容與薄膜電晶體TR之像素電路(未示出)。
覆蓋包含薄膜電晶體TR的像素電路的鈍化層109被形成。鈍化層109可為具有單一層或複數個層的平坦化的上表面之絕緣層。鈍化層109可藉由使用無機材料及/或有機材料形成。
在鈍化層109上，形成有機發光裝置EL從而以達成與薄膜電晶體TR的電連接。有機發光裝置EL包含第一電極121、第二電極122及中間層120。
具體而言，形成第一電極121從而以達成與汲極電極108的電連接。
在鈍化層109上，形成覆蓋第一電極121的邊緣部份的像素定義層119。像素定義層119包含設置以對應第一電極121的中心部份的開口部份119a。
透過開口部份119a暴露的第一電極121上，形成包含有機發光層的中間層120包含並形成覆蓋中間層120的第二電極122。
中間層120可包含低分子量有機層或高分子量有機層。當使用低分子量有機層時，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等可被使用作為單層結構或作為堆疊複合結構。低分子量有機層可藉由真空沈積法的手段形成。
HIL可藉由使用，例如，像是銅酞菁等之酞菁化合物或像是三(4-咔唑-9-基苯基)胺(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine,TCTA)、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(4,4’,4”-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(2-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(1,3,5-tris[4-(2-methylphenylphenylamino)phenyl]benzene,m-MTDAPB)等之星型胺來形成。
HTL可以藉由使用，例如，N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯基]-4,4'-二胺(N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine,TDP)、N,N'- 二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine,α-NPD)等來形成。
EIL可以藉由使用，例如像是LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、8-羥基喹啉鋰(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)等材料來形成。
ETL可以藉由使用，例如，三(8-羥基)鋁(tris(8-hydroxy)aluminium,Alq3)來形成。
EML可包含基質材料及掺質材料。EML可包含發出各種顏色可見光的發光層。此外，EML的設置可不同地定義且可被設置從而以根據像素產生不同顏色。然而，本揭露可不限於上述實施例。不同顏色的濾色片可根據像素所需的顏色在複數個發光層堆疊後設置從而以根據白光發光方法對於整個像素實現白色發光。
第一電極121可作用為陽極電極，且第二電極122可作用為陰極電極。或者，第一電極121及第二電極122的極性可互換。
當第一電極121作用為陽極電極，第一電極121可包含具有高功函數的材料，像是例如ITO、IZO、ZnO、In2O3等，且可額外的包含由使用如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、Ca等形成的反射層。
當第二電極122作用為陰極電極，第二電極122可藉由使用像是例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca等之金屬形成。此外，第二電極122可包含，例如，ITO、IZO、ZnO、In2O3等用於光透射。此外，第二電極122可藉由使用如Al、Ag及/或Mg形成作為薄膜。形成第二電極122以使得共用電壓可被施加於所有像素，且由此形成作為未圖像化以對應於像素的圖樣 的共用電極。或者，作為共用電極的第二電極122可以藉由移除除了覆蓋發光區域的部份外之共用電極獲得的網格狀而被圖樣化。
當第二電極122形成作為共用電極，在第二電極122可能產生壓降。具體而言，當第3圖中的有機發光顯示設備是其中使用者可從第3圖中的上部觀看圖像的頂發光型有機發光顯示設備，第二電極122的片電阻可因第二電極122包含光透射金屬氧化物或金屬薄膜而提昇。在這種情況下，產生的壓降可能更大。
為了解決上述缺陷，在本揭露中與第二電極122達成電連接的第三電極130可進一步形成。
此外，第二電極122的上表面可因第1圖中所示的封裝基板191而受損。第二電極122的上表面在第2圖中的封裝層192形成期間也可能很容易受損。為了解決上述缺陷，覆蓋層140被形成在第二電極122上。
覆蓋層140形成在第一區域R1內的第二電極122上且具有第一邊緣部份140a。
第三電極130形成在第二區域R2內的第二電極122上且具有第二邊緣部份130a。第三電極130相鄰於覆蓋層140設置同時維持水平狀態。
第一區域R1的面積係大於在至少一像素中產生發光的面積，且對應於覆蓋一個像素內產生發光區域之區域。覆蓋層140形成在整個第一區域R1上，且第一區域R1的邊緣部份係為覆蓋層140的第一邊緣部份140a。第二區域R2對應於第二電極122不包含第一區域R1的區域。第三電極130形成在整個第二區域R2上，且第二區域R2的邊緣部份係為第三電極130的第二邊緣部份130a。第二區域R2係為不包含產生發光區域的區域。
覆蓋層140的第一邊緣部份140a的側部及第三電極130的第二邊緣部份130a的側部彼此接觸。
第三電極可形成以具有大於第二電極122的厚度從而降低第二電極122的片電阻。
因為覆蓋層140可覆蓋在像素中產生發光的區域，覆蓋層140可形成從而以透射光。覆蓋層140可形成為具有小於第三電極130的厚度，然而，覆蓋層140的厚度不在此限。
在例示性實施例中，第三電極130及覆蓋層140的材料可選擇使得在第三電極130及覆蓋層140之間的附著力可小於在第三電極130及第二電極122之間的附著力。
覆蓋層140可藉由使用如包含8-羥基喹啉鋰鋰(Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯基-4,4'-二胺、N(二苯-4-基)9-1,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並[d]咪唑的材料形成。
第三電極130可藉由使用例如Mg形成。
使用作為第三電極130的Mg係類似於使用作為第二電極122的材料，即是，皆藉由使用金屬形成，且在第三電極130及第二電極122之間的附著力是良好的。然而，Mg及上述覆蓋層140的材料之間的附著力不佳。因此，第三電極130可藉由使用在第三電極130及覆蓋層140之間的附著力特性簡單的圖樣化。
如上述，第三電極130被圖樣化從而僅在第二區域R2中形成。然而，在有機發光裝置EL的中間層120被形成之後，第三電極130可不需使用如被 廣泛的使用作為一般金屬層的圖樣化方法之微影製程的濕式製程而被圖樣化。 當進行濕式製程時，濕氣及/或氧氣滲透進入中間層120，有機發光裝置EL的壽命可能會急速下降。
因此，在實際製程中，第三電極130的圖樣化是相當困難的。
根據本揭露，第三電極130可藉由使用在第三電極130極富蓋層140之間的附著力特性來圖樣化。將在以下描述特定的方法。
第三電極130及覆蓋層140分別可各包含多層。
參考第4圖，第三電極130包含下電極層131及上電極層132。
此外，覆蓋層140包含第一覆蓋層141及第二覆蓋層142。第一覆蓋層141及第二覆蓋層142包含上述覆蓋層140的材料且可藉由使用相同材料或不同材料形成。
為了確保覆蓋層140的目標厚度，沈積製程被執行超過一次；其作為二個別的沈積製程執行。首先，第一覆蓋層141被形成且下電極層131被形成。接著，第二覆蓋層142被形成且上電極層132被形成。在這種情況下，第三電極130及覆蓋層140的圖樣化可被輕易的執行，且能夠控制各製程以形成第三電極130及覆蓋層140的微型圖樣。此外，第三電極130可容易地避免形成在第一區域R1中，且因此有機發光顯示設備100的穿透率可被改善。
在本例示性實施例中，覆蓋層140係藉由實行沈積製程兩次而形成，且第三電極130係藉由實行沈積製程兩次而形成。然而，沈積製程可不限於此，且可個別的實行三次或更多次。
第5圖至第10圖依序描繪製造第1圖中的有機發光顯示設備的方法。
首先，參考第5圖，上至第二電極122的元件被形成在基板101上。
接著，參考第6圖，對於上至第二電極122的元件形成於其上的基板101實行沈積製程。即是，遮罩170被設置從而以面對基板101，且沈積製程係藉由使用第一沈積源S1實行。第一沈積源S1包含來自上述各種用於形成覆蓋層140的材料間之至少一種材料。
遮罩170包含阻擋部份171及縫隙部份172。縫隙部份172具有對應於用於形成覆蓋層140的區域，即第一區域R1的特定圖樣。
實行藉由使用第一沈積源S1的沈積製程以在第一區域R1內的第二電極122上形成覆蓋層140的第一覆蓋層141，如第7圖所示。
接著，參考第8圖，對於包含形成上至第一覆蓋層141的元件的基板101實行沈積製程。即是，開口遮罩180被設置從而以面對基板101，且沈積製程係使用第二沈積源S2實行。第二沈積源S2包含上述用於形成第三電極130的材料，即Mg。開口遮罩180包含阻擋部份181及開口部份182。開口遮罩180具有類似方形窗框的形狀，且開口部份182形成阻擋部份181的中心。開口遮罩180包含不具有特定圖樣的開口部份182。即是，不同於上述遮罩170，開口遮罩180係形成以傳遞沈積材料到基板101的整個表面上，包含在以圖樣沈積的覆蓋層上，除了基板101的表面被阻擋部份181的邊框擋住的那些部份。
同時，即便開口遮罩180被提供在本例示性實施例中，當在沈積製程期間使用第二沈積源S2時開口遮罩180可被省略。
通過實行通過第二沈積源S2的沈積製程，第三電極130的下電極層131被形成在第二區域R2中的第二電極122上。
在此例中，因為包含在第二沈積源S2內的用於形成第三電極130的材料對於第一覆蓋層141具有差的附著力，第二沈積源S2的材料的層可不形成在第一覆蓋層141上，但層可僅被形成在第二電極122的暴露部份，第二電極122對於第二沈積源S2的材料具有相對好的附著力。
因此，下電極層131可不使用個別的遮罩或不實行圖樣化製程地自然的圖樣化。具體而言，整個第三電極130可藉由實行超過一次的沈積製程形成。即是，整個第三電極130可藉由首先形成下電極層131至對應於第三電極130的所需厚度的一半的特定厚度而形成。在這種情況下，下電極層131的微型圖樣化是可能的。
接著，參考第9圖，對於包含形成上至下電極層131的元件的基板101實行沈積製程。即是，遮罩170如第6圖中所示地被設置從而以面對基板101，且沈積製程使用第一沈積源S1實行以在第一區域R1內的第一覆蓋層141上形成第二覆蓋層142，以完成覆蓋層140。因為遮罩170相同於上述，將省略其之詳細描述。此外，因為在本例示性實施例的遮罩270及遮罩370係相同於遮罩170，將省略其之詳細描述。
參考第10圖，對於包含形成上至第二覆蓋層142的元件的基板101實行沈積製程。即是，如第8圖所示，開口遮罩180被設置從而以面對基板101，且沈積製程係使用第二沈積源S2實行以在第二區域R2中的下電極層131上形成上電極層132以完成第三電極130。如上述，上電極層132可藉由實行使用第二沈積源S2之沈積製程而不使用開口遮罩180地形成。
因為遮罩180相同於上述，將省略其之詳細描述。此外，由於在接下來的例示性實施例中的遮罩280及遮罩380係相同於開口遮罩180，將省略其詳細描述。
在本例示性實施例中，第一覆蓋層141及第二覆蓋層142係藉由使用遮罩170個別兩次形成以完成覆蓋層140。透過製程，覆蓋層140可輕易的形成為具有目標厚度的目標圖樣。具體而言，覆蓋層140的微型圖樣可被控制使得其僅對應於第一區域R1是可能的。
此外，下電極層131及上電極層132係藉由使用開口遮罩180個別兩次形成以完成第三電極。具體而言，在形成第一覆蓋層141後，下電極層131藉由使用第一覆蓋層141在第二區域R2中形成所需的形狀。此外，在形成第二覆蓋層142之後，上電極層132藉由使用第二覆蓋層在第二區域R2中形成所需的形狀。透過此方法，不使用具有特定圖樣的遮罩之第二區域R2中的第三電極130之微型圖樣化可被容易的達成。
第11圖至第13圖描繪第1圖中有機發光顯示設備的覆蓋層的形狀的各種例示性實施例。
如第11圖中所示，一個覆蓋層140可如島狀般地提供於每一像素P。在第11圖中，覆蓋層140具有覆蓋一個像素P的整個區域的面積。然而，覆蓋層140可具有如上述僅覆蓋像素P的發光區域的面積，不受限制。在這種情況下，第三電極130可在各像素P之間形成格子圖樣。
如作為另一例示性實施例繪示於第12圖中者，一個覆蓋層140可如同島狀般地被提供於複數個像素P。在這種情況下，第三電極130可在複數個像素P之間形成格子圖樣。
如作為另一例示性實施例繪示於第13圖中者，覆蓋層140可以條紋狀提供於成列排列的複數個像素P。在這種情況下，第三電極130可在各列像素P之間形成條紋圖樣。
第14圖至第17圖描繪製造第1圖中的有機發光顯示裝置的方法之另一例示性實施例。
參考第14圖，對於包含形成上至第二電極122的元件的第一基板101實行沈積製程。遮罩170包含阻擋部份171及縫隙部份172。縫隙部份172具有對應於用於形成覆蓋層140的區域，即是，第一區域R1之特定圖樣。
透過實行使用第一沈積源S1的沈積製程，覆蓋層140的第一覆蓋層141係形成在第一區域R1中的第二電極122上。
接著，參考第15圖，對於包含形成上至第一覆蓋層141的元件的基板101實行沈積製程。即是，開口遮罩180被設置從而以面對基板101，且沈積製程係使用第二沈積源S2實行。透過實行使用第二沈積源S2的沈積製程，第三電極130的下電極層131被形成在第二區域R2中的第二電極122上。
接著，參考第16圖，對於包含形成上至下電極層131的元件的基板101實行沈積製程。具體而言，開口遮罩180被設置從而以面對基板101，且沈積製程係藉由使用第一沈積源S1實行以在第一區域R1內的第一覆蓋層141上形成第二覆蓋層142以完成覆蓋層140。在此例中，包含在第一沈積源S1中的用於形成第二覆蓋層142的材料對於第一覆蓋層141具有良好的附著力特性且對於下電極層131具有不佳的附著力特性。因此，第一沈積源S1的材料的層可不形成在下電極131上，但第一沈積源S1的材料的層可被形成在具有相對良好附著性的覆蓋層141。
接著，參考第17圖，對於包含形成上至第二覆蓋層142的元件的基板101實行沈積製程。即是，開口遮罩180被設置從而以面對基板101，且實行使用第二沈積源S2的沈積製程以在第二區域R2中的下電極層131上形成上電極層132以完成第三電極130。
第18圖描繪製造第1圖中所示的有機發光顯示設備的方法的另一例示性實施例。
參考第18圖，當包含形成上至第二電極122的元件的基板101沿著由箭頭A指示的方向(x軸方向)移動時，沈積製程持續地被實行。即是，使用第一沈積源S1對於基板101實行沈積製程。遮罩170設置在基板101上以在第一區域R1中形成第一覆蓋層。
接著，使用第二沈積源S2、第一沈積源S1、第二沈積源S2、第一沈積源S1及第二沈積源S2一個接著一個的實行沈積製程。具體而言，開口遮罩180係設置在基板101上以實行沈積製程。或者，沈積製程可不包含開口遮罩180地實行。
透過實行上述製程，藉由堆疊三層而獲得之第三電極130及藉由結合三層而獲得的覆蓋層140可被容易的形成。
第19圖係為根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的剖面圖。第20圖係為第19圖中所示的區域Y1及Y2的放大圖。為了便於解釋，與前述例示性實施例不同的部份將優先被解釋。
參考第19圖及第20圖，緩衝層202形成在基板201上，且薄膜電晶體TR係形成在緩衝層202上。薄膜電晶體TR包含主動層203、閘極電極205、源極電極207及汲極電極208。
主動層203係形成在緩衝層202上，覆蓋主動層203的閘極絕緣層204被形成，且閘極電極205係形成在閘極絕緣層204上。覆蓋閘極電極205的層間絕緣層206係形成在閘極絕緣層204上。在層間絕緣層206上，形成源極電極207及汲極電極208且分別透過接觸孔與主動層203接觸。覆蓋包含薄膜電晶體TR的像素電路的鈍化層209被形成。在鈍化層209上，與薄膜電晶體TR電性接觸的有機發光顯示裝置EL被形成。有機發光裝置EL包含第一電極221、第二電極222及中間層220。具體而言，第一電極221被形成從而與汲極電極208電接觸。在鈍化層209上，包含開口部份219a的像素定義層219被形成。
在第一電極221上，包含有機發光層的中間層220被形成，且覆蓋中間層220的第二電極222被形成。
形成與第二電極222電連接的第三電極230，且覆蓋層240係形成在第二電極222上。
覆蓋層240形成在第一區域R1中的第二電極222上，且具有第一邊緣部份240a。
第三電極230係形成在第二區域R2中的第二電極222上，且具有第二邊緣部份230a。第三電極230係相鄰於覆蓋層240設置同時維持在水平狀態。
覆蓋層240的第一邊緣部份240a的側部及第三電極230的第二邊緣部份230a的側部可彼此接觸。
第三電極230可形成以具有大於第二電極222的厚度從而降低第二電極222的片電阻。
因為覆蓋層240可覆蓋像素中的發光區域，覆蓋層240可被形成從而穿透光。覆蓋層240可被形成為具有小於第三電極230的厚度的薄膜層，然而，覆蓋層240的厚度不限於此。
如例示性實施例所示，第三電極230及覆蓋層240的材料可被選擇使得在第三電極230及覆蓋層240之間的附著力小於第三電極230及第二電極222之間的附著力。
覆蓋層240在本例示性實施例中包含多層。
參考第20圖，覆蓋層240包含第一覆蓋層241及第二覆蓋層242。 第一覆蓋層241及第二覆蓋層242可包含上述覆蓋層240的材料，且可藉由使用相同或不同材料形成。
為了達成覆蓋層240的目標厚度，沈積製程可被實行超過一次。 具體而言，沈積製程被個別的實行兩次。即是，在形成第一覆蓋層241之後，第三電極230及第二覆蓋層242係同時形成，如下所述。透過上述製程，第三電極230及覆蓋層240可容易地被圖樣化及控制，且各層的微型圖樣是可能的。此外，可輕易地避免在第一區域R1中的第三電極230的形成以改善有機發光顯示設備的穿透率。
第21圖及第22圖描繪製造第19圖中所示的有機發光顯示設備的方法。
首先，參考第21圖，對於基板201實行沈積製程。即便未示出，上至第二電極222的元件被形成在基板201上。
遮罩270被設置從而以面對基板201，且沈積製程使用第一沈積源S1實行。遮罩270包含阻擋部份271及縫隙部份272。縫隙部份272包含對應於用於形成覆蓋層240的區域，即是，第一區域R1，的特定圖樣。
透過藉由使用第一沈積源S1實行沈積製程，覆蓋層240的第一覆蓋層241被形成在第一區域R1內的第二電極222上。
接著，參考第22圖，對於包含形成上至第一覆蓋層241的元件的基板201實行沈積製程。即是，開口遮罩280被設置從而以面對基板201，且實行使用第一沈積源S1及第二沈積源S2的共沈積製程。或者，開口遮罩280的使用可被省略。
透過藉由使用第一沈積源S1及第二沈積源S2實行共沈積製程，第三電極230被形成在第二區域R2中的第二電極222上，且第二覆蓋層242被形成在第一區域R1中的第一覆蓋層241上。
在這種情形下，因為包含在第二沈積源S2中用於形成第三電極230的材料對於第一覆蓋層241的附著力不佳，層可不形成在第一覆蓋層241上。 然而，層可被形成在具有相對良好附著力的第二電極222上。相似的，包含在第一沈積源S1內用於形成第二覆蓋層242的材料可被形成在具有相對良好附著力的第一覆蓋層241上。
因此，第三電極230及第二覆蓋層242可不使用個別的遮罩或不實行個別的沈積製程而被自然地圖樣化。
在本例示性實施例中，在使用遮罩270形成第一覆蓋層241之後，第二覆蓋層242使用開口遮罩280形成以完成覆蓋層240。透過實行上述製程，覆 蓋層240可輕易地形成為具有目標厚度的圖樣。具體而言，僅對應於第一區域R1之覆蓋層240的微型圖樣可為可能。
此外，當使用開口遮罩280沈積第二覆蓋層242時，第三電極230被形成。透過實行製程，不使用具有特定圖樣遮罩之第二區域R2中第三電極230的微型圖樣化可輕易地達成。
第23圖係為根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的剖視圖。第24圖係為第23圖中所示的區域Y1及Y2的放大圖。為了便於解釋，與上述例示性實施例不同的部份將優先被解釋。
參考第23圖及第24圖，緩衝層302被形成在基板301上，且薄膜電晶體TR被形成在緩衝層302上，薄膜電晶體TR包含主動層303、閘極電極305、源極電極307及汲極電極308。
在緩衝層302上，主動層303被形成，覆蓋主動層303的閘極絕緣層304被形成，且閘極電極305被形成在閘極絕緣層304上。覆蓋閘極電極305的層間絕緣層306被形成在閘極絕緣層304上，且源極電極307及汲極電極308被形成在層間絕緣層306上以分別地透過接觸孔與主動層303接觸。覆蓋包含薄膜電晶體TR的像素電路的鈍化層309被形成。在鈍化層309上，與薄膜電晶體TR達成電連接的有機發光裝置EL被形成。有機發光裝置EL包含第一電極321、第二電極322及中間層320。具體而言，第一電極321被形成從而達成與汲極電極308的電連接。在鈍化層309上，包含開口部份319a的像素定義層319被形成。
在第一電極321上，形成包含有機發光層的中間層320，且形成覆蓋中間層320的第二電極322。
第三電極330被形成從而達成與第二電極322的電連接，且覆蓋層340被形成在第二電極322上。
覆蓋層340形成在第一區域R1中的第二電極322上且具有第一邊緣部份340a。
第三電極330係形成在第二區域R2中的第二電極322上且具有第二邊緣部份330a。第三電極330係相鄰覆蓋層340設置，同時維持在水平狀態。
覆蓋層340的第一邊緣部份340a的側部與第三電極330的第二邊緣部份330a的側部彼此接觸。
第三電極330可被形成以具有大於第二電極322的厚度從而降低第二電極的片電阻。
因為覆蓋層340可以覆蓋在像素中的發光區域，覆蓋層340可被形成從而透射光。覆蓋層340可被形成為具有小於第三電極330的厚度的薄膜層，然而，覆蓋層340的厚度不限於此。
在例示性實施例中，用於形成第三電極330及覆蓋層340的材料可被選擇使得在第三電極330及覆蓋層340之間的附著力小於在第三電極330及第二電極322之間的附著力。
覆蓋層340及第三電極330各包含多層。
參考第24圖，第三電極330包含下電極層331及上電極層332。此外，覆蓋層340包含第一覆蓋層341、第二覆蓋層342、第三覆蓋層343及第四覆蓋層344。第一覆蓋層341至第四覆蓋層344可藉由使用相同或不同材料形成。
為了達成覆蓋層340的目標厚度，沈積製程可被實行超過一次。 沈積製程被實行多次，具體而言，四次。此外，為了達成第三電極330的目標厚度，沈積製程可被實行兩次。
也就是說，在形成第一覆蓋層341之後，下電極層331及第二覆蓋層342在同一時間形成。在形成第三覆蓋層343之後，上電極層332及第四覆蓋層344在同時形成。具體說明將下文描述。
通過進行上述製程，第三電極330及覆蓋層340的圖案化可輕易地進行及控制，且對於各層的微型圖樣可為可能。此外，在第一區域R1中的第三電極330之形成可被輕易地避免，且有機發光顯示設備的透射率可被改善。
第25圖至第28圖依序描繪製造第23圖所示的有機發光顯示設備的方法。
參考第25圖，對於基板301實行沈積製程。儘管未示出，上至第二電極322的元件形成在基板301上。
遮罩370被設置從而以面對基板301，且藉由使用第一沉積源S1進行沈積製程。遮罩370包括阻擋部份371及縫隙部份372。縫隙部份372具有對應於用於形成覆蓋層340的區域，也就是第一區域R1，的特定圖樣。
透過藉由使用第一沉積源S1進行沉積製程，覆蓋層340的第一覆蓋層341被形成在第一區域R1內的第二電極322上。
參考第26圖，對於包含形成上至第一覆蓋層341的元件的基板301實行沈積製程被。即，開口遮罩380被設置從而以面對基板301，且使用第一沉積源S1及第二沉積源S2實行共沉積製程。或者，開口遮罩380的使用可以省略。
透過藉由使用第一沉積源S1及第二沉積源S2進行共沉積製程，下電極層331形成在第二區域R2中的第二電極322上，且第二覆蓋層342形成在第一區域R1中的第一覆蓋層341上。
在此例中，包含在第二沈積源S2中用於形成第三電極330的下電極層331的材料對於第一覆蓋層341具有較差的附著力。因此，第二沈積源S2的材料的層可不形成在第一覆蓋層341上，但第二沈積源S2的材料的層可形成在具有相對良好的附著力的第二電極322上。類似的，包含在第一沈積源S1內用於形成第二覆蓋層342的材料可被形成在具有相對良好附著力的第一覆蓋層341上。
接著，參考第27圖，對於包含形成上至下電極層331及第二覆蓋層342的元件的基板301實行沈積製程。
在設置遮罩370從而以面對基板301之後，沈積製程藉由使用第一沈積源S1實行。通過第一沈積源S1的沈積製程被實行以在第一區域R1中的第二覆蓋層342上形成第三覆蓋層343。
接著，參考第28圖，對於包含形成上至第三覆蓋層343的元件的基板301實行沈積製程。即是，開口遮罩380被設置從而以面對基板301，且實行使用第一沈積源S1及第二沈積源S2的共沈積製程。或者，開口遮罩380的使用可被省略。
通過藉由使用第一沈積源S1及第二沈積源S2實行共沈積製程，上電極層332被形成在第二區域R2內的下電極層331上，且第四覆蓋層334被形成在第一區域R1內的第三覆蓋層343上。
在此例中，包含在第二沈積源S2內用於形成第三電極330的上電極層332的材料對於第三覆蓋層具有差的附著力。因此，第二沈積源S2的材料的 層可不形成在第三覆蓋層343上，但第二沈積源S2的材料的層可形成在具有相對良好附著力的下電極層331上。類似的，包含在第一沈積源S1內用於形成第四覆蓋層344的材料可在具有相對良好附著力的第三覆蓋層343上形成層。
在本例示性實施例中，在使用遮罩370形成第一覆蓋層341之後，第二覆蓋層342及下電極層331使用開口遮罩380同時形成。此外，在使用遮罩370形成第三覆蓋層343之後，第四覆蓋層344及上電極層332使用開口遮罩380同時形成。
通過實行上述製程，有具有目標厚度的圖樣的覆蓋層340可輕易地被形成。具體而言，覆蓋層340的微型圖樣可被控制以僅對應於第一區域R1是可能的。
此外，當使用開口遮罩380沈積第二覆蓋層342及第四覆蓋層344時，第三電極330的下電極層331及上電極層332可同時形成。因此，可輕易地實行不使用特定圖樣遮罩的第二區域R2中第三電極330的微型圖樣化。
第29圖至第32圖依序描繪製造第23圖中所示的有機發光顯示設備的另一方法。
首先，參考第29圖，對於基板301實行沈積製程。即便未示出，上至第二電極322的元件被形成在基板301上。
遮罩370被設置從而以面對基板301，且使用實行第一沈積源S1沈積製程。遮罩370包含阻擋部份371及縫隙部份372。縫隙部份372具有對應於用於形成覆蓋層340的區域，即是，第一區域R1，的特定圖樣。
通過藉由使用第一沈積源S1實行沈積製程，覆蓋層340的第一覆蓋層341被形成在第一區域R1中的第二電極322上。
參考第30圖，對於包含形成上至第一覆蓋層341的元件的基板301實行沈積製程。即是，開口遮罩380被設置從而以面對基板301，且使用第一沈積源S1及第二沈積源S2實行共沈積製程。或者，開口遮罩380的使用可被省略。
通過使用第一沈積源S1及第二沈積源S2實行共沈積製程，下電極層331被形成在第二區域R2中的第二電極322上，且第二覆蓋層342被形成在第一區域R1中的第一覆蓋層341上。
於此例中，包含在第二沈積源S2內用於形成第三電極330的下電極層331的材料對於第一覆蓋層341具有較差的附著力。因此，第二沈積源S2的材料的層可不形成在第一覆蓋層341上，但第二沈積源S2的材料的層可被形成在具有相對良好附著力的第一覆蓋層341上。類似的，包含在第一沈積源S1內用於形成第二覆蓋層342的材料可在具有相對良好附著力的第一覆蓋層341上形成層。
接著，參考第31圖，對於包含形成上至下電極層331及第二覆蓋層342的元件的基板301實行沈積製程。
在設置開口遮罩380從而以面對基板301之後，藉由使用第一沈積源S1實行沈積製程。通過藉由使用第一沈積源S1實行沈積製程，第三覆蓋層343被形成在第一區域R1中的第二覆蓋層342上。在此例中，包含在第一沈積源S1內用於形成第三覆蓋層343的材料對於第二覆蓋層342具有良好的附著力但對於下電極層331具有差的附著力。因此，第一沈積源S1的材料的層可不形成在下電極層331上，但第一沈積源S1的材料的層可形成在具有相對良好附著力的第二覆蓋層342上。
參考第32圖，對於包含形成上至第三覆蓋層343的元件的基板301實行沈積製程。即是，開口遮罩380被設置從而以面對基板301，且實行使用第一沈積源S1及第二沈積源S2的共沈積製程。或者，開口遮罩380的使用可被省略。
通過藉由使用第一沈積源S1及第二沈積源S2實行共沈積製程，上電極層332被形成在第二區域R2中的下電極層331上，且第四覆蓋層344被形成在第一區域R1中的第三覆蓋層343上。
在此例中，包含在第二沈積源S2內用於形成第三電極層330的上電極層332之材料對於第三覆蓋層343具有差的附著力。因此，第二沈積源S2的材料的層可不形成在第三覆蓋層343上，但第二沈積源S2的材料的層可被形成在具有相對良好附著力的下電極層331上。類似的，包含在第一沈積源S1中用於形成第四覆蓋層344的材料可在具有相對良好附著力的第三覆蓋層343上形成層。
在此例示性實施例中，在使用遮罩370形成第一覆蓋層341之後，第二覆蓋層342及下電極層331使用開口遮罩380同時形成。接著，在使用開口遮罩380形成第三覆蓋層343之後，第四覆蓋層344及上電極層332使用開口遮罩380同時形成。
通過實行上述製程，具有達到目標厚度的目標圖樣的覆蓋層340可輕易地形成。具體而言，覆蓋層340的微型圖樣可被控制從而僅對應於第一區域R1可為可能。
此外，當使用開口遮罩380沈積第二覆蓋層342及第四覆蓋層344時，第三電極330的下電極層331及上電極層332可同時形成。因此，不使用具有特定圖樣的遮罩之第二區域R2中第三電極層330的微型圖樣化可輕易地達成。
第33圖係為描繪根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的平面圖，且第34圖係為描繪第33圖中的有機發光顯示設備的一個像素的剖視圖。
有機發光顯示設備400包含形成以透射光的光透射區域TA，及在光透射區域TA兩側上彼此分離的複數個像素區域PA。
如第33圖中所述，像素電路部份PC係設置在各像素區域PA中，且複數個導線如掃描線S、數據線D及電源線V電性的連接於像素電路部份PC。 即便未示出，可根據像素電路部份PC的構成，提供掃描線S、數據線D及電源線V以外的各種導線。
此外，像素電路部份PC包含連接於掃描線S及數據線D的第一薄膜電晶體T1、連接於第一薄膜電晶體T1及電源線V的第二薄膜電晶體T2、及連接於第一薄膜電晶體T1及第二薄膜電晶體T2的電容Cst。在這種情況下，第一薄膜電晶體T1可為開關電晶體，第二薄膜電晶體T2可為驅動電晶體。第二薄膜電晶體T2電連接到第一電極421。上述薄膜電晶體及電容的數量不受所述例示性實施例的限制，且二或更多的薄膜電晶體及一或更多的電容可根據像素電路部份PC而被組合。
參考第33圖，掃描線S及第一電極421彼此重疊設置。然而，例示性實施例不限於此。包含掃描線S、數據線D、及電源線V的複數個導線之至少其一可重疊第一電極421設置。或者，所有包含掃描線S、數據線D、及電源線V的複數個導線根據設計需要可重疊第一電極421設置，或可相鄰第一電極421設置。
在本例示性實施例中，因在像素電路部份PC中的裝置的圖樣造成的外部光散射導致的失真可被避免。
像素區域PA及光透射區域TA形成使得光透射區域TA的面積比像素區域PA及光透射區域TA的總面積的面積比在約5%至約90%的範圍內。
當光透射區域TA的面積比像素區域PA及光透射區域TA的總面積的面積比小於5%，使用者難以觀察位在有機發光顯示設備400相反側的物或圖像。即是，有機發光顯示設備400的透明度是差的。然而，當外部光的強度高的時候，即便光透射區域TA的面積比像素區域PA及光透射區域TA的總面積的面積比約在5%，使用者能夠視覺辨認位在有機發光顯示設備400相反側的物或圖像。因此，使用者可視有機發光顯示設備400為透光的顯示設備。
當光透射區域TA的面積比像素區域PA及光透射區域TA的總面積的面積比超過約90%，其可難以透過像素區域PA中的發光產生穩定圖像。即是，隨著像素區域PA的面積下降，從中間層420發射之光的亮度被提昇以產生穩定圖像。當從有機發光裝置發射之光的亮度如上述提昇，有機發光裝置的壽命可能急速下降。
光透射區域TA的面積比像素區域PA及光透射區域TA的總面積的面積比可在約20%至70%的範圍內。
當光透射區域TA的面積比像素區域PA及光透射區域TA的總面積的面積比小於約20%，與光透射區域TA比較時，像素區域PA的面積過大。因此，使用者透過光透射區域TA觀察在相反位置的影像時可能察覺到限制。當比率超過約70%，設置在像素區域PA中的像素電路部份PC的設計可能受限。
在像素區域PA中，可提供電連接於像素電路部份PC的第一電極421。像素電路部份PC可被第一電極421重疊從而被第一電極421屏蔽。此外，包含上述掃描線S、數據線D、及電源線V的導線的至少其中之一可被設置以交叉 第一電極421。或者，因為這些導線與像素電路部份比較時，在穿透率上具有較小的抑制率，所有的導線根據設計約束條件可相鄰於第一電極421設置。
如上所述，當第一電極421包含藉由使用用於反射光的導電金屬製造的反射層，第一電極421可阻擋像素電路部份PC，且因在像素區域PA中像素電路部份PC導致的外部圖像的失真可被避免。
如第34圖中所示，像素區域PA及光透射區域TA位在第一區域R1內。
在此情況下，因為覆蓋層440位在第一區域R1內，所有像素區域PA及光透射區域TA可被覆蓋。此外，第三電極430被提供在位在第一區域R1的外部區域的第二區域R2內。
在本例示性實施例中，因為覆蓋層440如上述使用光透射有機材料，在光透射區域TA內的光穿透率不會被影響。覆蓋層440及第三電極430的結構、材料、製造方法等相同於上述實施例所描述的結構、材料、製造方法等。
即便未示出於附圖中，在光透射區域TA中的光穿透率可藉由排除在光透射區域中的第二電極422的至少一部分形成光透射窗來提昇。在此情況下，藉由移除第二電極422的一部分，光透射窗可進一步形成在像素定義層419、鈍化層409、層間絕緣層406、閘極絕緣層404及緩衝層402中至少一層上，更別提第二電極422。
第35圖係為描繪根據另一例示性實施例的有機發光顯示設備的平面圖。具體而言，第35圖描繪對應至有機發光顯示設備500之三子像素的三個平面圖。
參考第35圖，形成對應於三子像素的第一電極521a、521b及521c的一個光透射區域TA。第一數據線D1至第三數據線D3分別與三子像素的第一電極521a、521b及521c電連接。此外，第一電源線V1與第一電極521a及第一電極521b達成電連接，且第二電源線V2與第一電極521c達成電連接。
在此結構中，可相對於複數個子像素提供一個大的光透射區域TA。因此，全部顯示器的穿透率可被提昇的更高，且因光散射造成的失真可降低的更多。
即便未示出，光透射窗可進一步被形成在光透射區域中的第二電極、像素定義層、鈍化層、層間絕緣層、閘極絕緣層及緩衝層的至少其中一層上。
此外，在本例示性實施例中，光透射區域TA及像素區域PA係設置在第一區域中(未示出)，且覆蓋層(未示出)係設置在第一區域中(未示出)以覆蓋光透射區域TA及像素區域PA。此外，第三電極(未示出)可被形成在是第一區域(未示出)的外部區域的第二區域中。
雖然本揭露已參考其例示性實施例具體顯示並描述，其將被所屬技術領域中具有通常知識者理解的是，在不脫離包含後附的專利申請範圍的本揭露的精神及範疇下可進行形式及細節上的各種修改。
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧主動層
104‧‧‧閘極絕緣層
105‧‧‧閘極電極
106‧‧‧層間絕緣層
107‧‧‧源極電極
108‧‧‧汲極電極
109‧‧‧鈍化層
119‧‧‧像素定義層
119a‧‧‧開口部份
120‧‧‧中間層
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
130‧‧‧第三電極
130a‧‧‧第二邊緣部份
140‧‧‧覆蓋層
140a‧‧‧第一邊緣部份
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
TR‧‧‧薄膜電晶體
EL‧‧‧有機發光裝置
Y1、Y2‧‧‧區域

Claims (8)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含：一基板；一第一電極，係形成在該基板上；一中間層，係形成在該第一電極上，該中間層包含一有機發光層；一第二電極，係形成在該中間層上；一覆蓋層，係形成在一第一區域中之該第二電極上，該覆蓋層包含一第一邊緣部份且至少二層；以及一第三電極，係形成在一第二區域中之該第二電極上，該第二區域不與該第一區域重疊，該第三電極包含具有側部面對該覆蓋層之該第一邊緣部份之側部之一第二邊緣部份；其中該第三電極包含依序堆疊之複數個層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第三電極包含依序堆疊之一下電極層及一上電極層，且該覆蓋層包含依序堆疊之一第一覆蓋層及一第二覆蓋層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第三電極包含依序堆疊之一上電極層及一下電極層，且該覆蓋層包含依序堆疊之一第一覆蓋層、一第二覆蓋層、一第三覆蓋層及一第四覆蓋層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第三電極之厚度大於該第二電極之厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第三 電極及該覆蓋層之間之附著性係小於該第三電極及該第二電極之附著性。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該覆蓋層包含8-羥基喹啉鋰、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯基-4,4'-二胺)、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺)、或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並-[d]咪唑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第三電極包含Mg。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，進一步包含用於穿透外部光之一光穿透區域及相鄰於該光穿透區域且發出光之一像素區域，該光穿透區域及該像素區域被設置在該第一區域中，且該第一電極與該像素區域重疊。
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