[go: up one dir, main page]

TWI590394B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI590394B
TWI590394B TW101108144A TW101108144A TWI590394B TW I590394 B TWI590394 B TW I590394B TW 101108144 A TW101108144 A TW 101108144A TW 101108144 A TW101108144 A TW 101108144A TW I590394 B TWI590394 B TW I590394B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor
sealing material
material layer
heat
sealing
Prior art date
Application number
TW101108144A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201240032A (en
Inventor
小谷貴浩
前田將克
Original Assignee
住友電木股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友電木股份有限公司 filed Critical 住友電木股份有限公司
Publication of TW201240032A publication Critical patent/TW201240032A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI590394B publication Critical patent/TWI590394B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13024—Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

半導體裝置之製造方法
本發明關於一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法。
本案係基於2011年3月10日在日本申請的特願2011-053541號主張優先權，將其內容併入本說明書。
近年來，正研究取代TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝體)等的封裝體，而改以晶圓級進行封裝製作的方法。該方法之一有例如在矽晶圓上進行密封的方法。關於該方法，係受限於晶片尺寸等。
現在正研究使用板狀的仿真晶圓之晶圓級封裝體。如此的封裝技術係例如於專利文獻1所記載者。使用記載於專利文獻1的仿真晶圓之封裝方法包含以下的步驟。首先，於載體貼附再剝離性架裝膜(mount film)，再於其上搭載複數個晶片。使用環氧樹脂組成物密封複數個晶片。然後，剝離該薄膜而製作仿真晶圓。在該仿真晶圓中，複數個晶片的連接面露出。其係記載分割各元件，於插入物基板配置具有元件的分割體，藉以對如此所製作的仿真晶圓進行封裝。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1 美國專利公報第7326592號說明書
然而，本發明人等研究的結果，清楚發現在以往的技術中，自仿真晶圓的密封樹脂面剝離架裝膜時，會在密封樹脂面上殘留一部分的架裝膜(以下，稱為殘膠)。因為這樣的殘膠，而可能降低半導體裝置的產率。
本發明係如下所述。
[1]一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下。
[2]如[1]記載之半導體裝置之製造方法，其中形成前述密封材層的步驟包含以100℃以上150℃以下的溫度條件進行硬化處理的步驟。
[3]如[1]或[2]記載之半導體裝置之製造方法，其中在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，包含：於前述密封材層的前述下面上及前述半導體元件的前述下面上形成再配線用絶緣樹脂層的步驟；及在前述再配線用絶緣樹脂層上形成再配線電路的步 驟。
[4]如[3]記載之半導體裝置之製造方法，其中在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後、形成前述再配線用絶緣樹脂層的步驟之前，包含：以150℃以上200℃以下的溫度條件進一步進行硬化後處理的步驟。
[5]如[1]至[4]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其係在形成前述密封材層的前述步驟中，使用顆粒的前述半導體密封用樹脂組成物進行壓縮形成，藉以形成前述密封材層。
[6]如[1]至[5]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中使用介電分析裝置、以測定溫度125℃、測定頻率100Hz的條件測定之際，前述半導體密封用樹脂組成物達到飽和離子黏度的時刻，從測定開始為100秒以上、900秒以下。
[7]如[1]至[6]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中以測定溫度180℃、剝離速度50mm/min的條件測定之際，前述密封材層與前述架裝膜的剝離強度為1N/m以上、10N/m以下。
[8]如[1]至[7]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中以125℃、10分鐘的條件硬化之後的前述密封材層的蕭式D硬度為70以上。
[9]如[1]至[8]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置之製造方法，其中使用介電分析裝置、以測定溫度125℃、測定頻 率100Hz的條件測定之際，前述半導體密封用樹脂組成物的最低離子黏度為6以上8以下，而且從測定開始的經過時間600秒後的離子黏度為9以上11以下。
[10]如[1]至[9]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中使用高化式黏度測定裝置、以測定溫度125℃、負荷40kg測定之際，前述半導體密封用樹脂組成物的高化式黏度為20Pa‧s以上200Pa‧s以下。
[11]如[1]至[10]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中在260℃中的前述密封材層的彎曲強度為10MPa以上100MPa以下。
[12]如[1]至[11]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中在260℃中的前述密封材層的彎曲彈性率為5×102MPa以上3×103MPa以下。
[13]如[1]至[12]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中前述密封材層的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以上250℃以下。
[14]如[1]至[13]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中在25℃以上、玻璃轉移溫度(Tg)以下的領域，前述密封材層的xy平面方向的線膨脹係數(α1)為3ppm/℃以上15ppm/℃以下。
[15]如[1]至[13]中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中使用動態黏彈性測定器、以三點彎曲模式、頻率10Hz、測定溫度260℃測定之際，前述密封材層的儲藏彈性率(E')為5×102MPa以上5×103MPa以下。
[16]如[3]記載之半導體裝置之製造方法，其係在形成前述再配線用絶緣樹脂層之前述步驟中，以250℃、90分硬化前述再配線用絶緣樹脂層時，前述再配線用絶緣樹脂層的硬化處理前與硬化處理後之前述密封材層的質量差在5質量%以內。
[17]一種半導體裝置，其係以[1]至[16]中任一項記載之半導體裝置之製造方法而得到。
依照本發明，可提供一種可減低殘膠、且產率優良之半導體裝置的構造及其製造方法。
以下，用圖式說明本發明的實施形態。此外，在全部的圖式中，相同的構成要素賦予相同的符號，並省略適宜說明。
圖1係本實施形態中的半導體裝置100的斷面圖。圖2~圖5係顯示本實施形態中的半導體裝置的製造順序的步驟斷面圖。
本實施形態的半導體裝置100具備：半導體元件106、密封材層108、再配線用絶緣樹脂層110、通孔114、再配線電路116、阻焊保護層118、焊料球120及墊片122。在圖1，雖然半導體裝置100具有單數個半導體元件106，但不受限於此，亦可具有複數個半導體元件106。在半導體元件106的下面20形成複數個墊片122。半導體元件106的下面20形成為與再配線電路116的連接面。
於如此的半導體元件106的下面20(連接面)上形成再配線用絶緣樹脂層110。於再配線用絶緣樹脂層110上形成阻焊保護層118。於阻焊保護層118形成再配線電路116。又，於再配線用絶緣樹脂層110形成電性連接該再配線電路116與墊片122的通孔114。又，於再配線電路116上形成焊料球120。因此，半導體裝置100隔著外部端子用的焊料球120安裝於插入物等的安裝基板。
又，半導體元件106係用密封材層108而予以密封。換句話說，於半導體元件106的側壁面上及上面上形成密封材層108。如此的密封材層108的下面30、與半導體元件106的下面20係在同一面構成。在半導體裝置100中，除了形成如此的半導體元件106的下面20外，還可在密封材層108的下面30上形成再配線電路116。因此，在俯視圖中，由於還能在半導體元件106的下面20之領域的外側所形成之密封材層108的下面30上形成再配線電路116，所以可自由設計配線。因此，若依照本實施形態的半導體裝置100，則可提昇配線的自由度。
又，以與密封材層108的下面30的表面接觸的方式來形成再配線用絶緣樹脂層110。在本實施的形態中，密封材層108的下面30的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係特定為70度以下。因此，該密封材層108的下面30對於構成再配線用絶緣樹脂層110的材料的濕潤性提高。藉此，由於構成再配線用絶緣樹脂層110的材料能輕易均勻地潤濕擴散，所以提高了再配線用絶緣樹脂層 110的塗膜特性。因此，可得到產率優良的半導體裝置100。
概要說明在本實施形態中的半導體裝置之製造方法，然後詳細說明各步驟。
在本實施形態中的半導體裝置之製造方法包含以下的步驟。
(晶片架設步驟)：在熱剝離性黏著層(架裝膜104)的主面10上配置複數個半導體元件106的步驟。
(密封材層108形成步驟)：使用半導體密封用樹脂組成物，密封架裝膜104之主面10上的複數個半導體元件106之形成密封材層108的步驟。
(再配線用仿真晶圓200形成步驟)：經由剝離架裝膜104，而使密封材層108的下面及半導體元件106的下面露出的步驟。
又，在本實施形態中的半導體裝置之製造方法包含以下的步驟。
(再配線步驟)：在剝離熱剝離性黏著層(架裝膜104)的步驟之後，於密封材層108的下面30上及半導體元件106的下面20上形成再配線用絶緣樹脂層110的步驟；於再配線用絶緣樹脂層110上形成再配線電路116的步驟。
在本實施形態的半導體裝置之製造方法中，於剝離架裝膜104的步驟後，而且在再配線步驟前，密封材層 108的下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係特定為70度以下。
在以往的使用仿真晶圓的封裝技術，係在載體貼附再剝離性架裝膜，再於其上搭載複數個晶片。使用環氧樹脂組成物來密封複數個晶片。然後，經由剝離該薄膜來製作仿真晶圓。
然而，經本發明人等研究的結果，清楚發現由於以往的環氧樹脂組成物的組成係謀求最終製品的密封特性而進行選擇，而沒有特別考量到對於製造製程的影響，所以當自仿真晶圓的密封樹脂面剝離架裝膜時，會產生在密封樹脂面上殘留一部分的架裝膜的所謂殘膠。若於產生如此殘膠之仿真晶圓面上塗布再配線材料，因殘膠會阻礙再配線材料的濕潤擴散，所以可能降低再配線材料的塗膜特性。因此，用以往的半導體裝置之製造方法有時會降低產率。
本發明人等經進一步研究的結果，發現在密封材層108的下面30(經剝離架裝膜104的剝離面)，以再配線材料形成測定的接觸角，可評估在下面30上殘膠的減少。亦即，發現了藉由縮小下面30的接觸角，可減少殘膠。在密封材層108的下面30，再配線材料的濕潤性提高的結果，一般認為可使再配線材料的塗膜特性提昇。
基於上述實驗事實，成立了以下的假設。
(i)存在有能測定顯示再配線材料的濕潤性傾向之接觸角的測定標準物質。
(ii)利用(i)的測定標準物質，能定性評價該再配線材料的濕潤性。
(iii)藉由適當控制利用(i)的測定標準物質所測定之接觸角，能改善再配線材料的濕潤性。
基於這樣的假設，本發明人等就發現顯示再配線材料的濕潤性傾向的測定標準物質，且以該測定標準物質將接觸角控制成適當的數值進行了探討研究。
而且，根據各種的實驗結果，得到了使用甲醯胺做為測定標準物質較宜的結論。亦即，發現藉由將使用甲醯胺所測定之密封材層108的下面30控制在70度以下，可減少該下面30上的殘膠，而完成了本發明。此外，該甲醯胺係在接觸角的領域中一般所使用的測定標準物質。
如上所述，在本實施的形態中，藉由以甲醯胺減小特定之密封材層108的下面30的接觸角，減少了在下面30上的殘膠。因此，由於在密封材層108的下面30，再配線材料不易濕潤擴散的問題受到了抑制，所以再配線材料的塗膜特性提昇。因此，若依照本實施的形態，可得到產率優良的半導體裝置100。
以下，就本發明的半導體裝置100的各製造步驟加以說明。
(晶片架設步驟)
首先，如圖2(a)所示，在板狀的載體102上配置熱剝離性黏著層(架裝膜104)。例如：可在載體102表面上載置薄膜狀的架裝膜104。
載體102的形狀及材料係沒有特別限制，可使用例如：在俯視圖中圓形形狀或多角形形狀的金屬板或矽基板。
又，架裝膜104較佳係含有主劑與發泡劑。該主劑係沒有特別限制，係例如丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、苯乙烯‧共軛二烯嵌段共聚物，較佳為丙烯酸系黏著劑。又，發泡劑係沒有特別限制，係例如無機系、有機系等的各種發泡劑。架裝膜104的熱剝離性係可例如藉由使黏著劑成為發泡性者而得到，若加熱該黏著劑至發泡溫度，由於黏著劑的接著力實質上會消失，所以可輕易地從被黏附物剝離架裝膜104。
繼續，如圖2(b)所示，在平面觀察中，於架裝膜104的主面10上分離配置複數個半導體元件106。例如，半導體元件106在平面觀察中，於縱横方向中的配置數可相同亦可不同，又，從提高密度、或確保各單位半導體晶片的端子面積等的各種觀點而言，亦可配置成點對稱或格子狀等。該半導體元件106的晶片尺寸、或鄰接的半導體元件106間的分離部的距離沒有特別限定，以能有效使用架裝膜104的載置面積而決定。以半導體元件106的連接面(下面20)連接於架裝膜104的主面10的方 式，隔著架裝膜104來接著固定載體102及半導體元件106。
(密封材層108形成步驟)
繼續，如圖3(a)所示，以密封材層108密封載置在架裝膜104的主面10上的複數個半導體元件106。亦即，在半導體元件106的側壁上及上面上形成密封材層108，並且以包埋半導體元件106彼此的分離部的方式而形成密封材層108。因此，半導體元件106的下面20(連接面)與密封材層108的下面30(架裝膜104剝離面)構成為同一面。在本實施的形態中，所謂的同一面係指連續的面，而且凹凸的高低差較佳為1mm以下，更佳為100μm以下。如此的密封材層108係經由硬化本發明的半導體密封用樹脂組成物而形成。例如，密封材層108可經由使用顆粒的半導體密封用樹脂組成物來進行壓縮成形而形成。
[半導體密封用樹脂組成物]
此處，就本發明的半導體密封用樹脂組成物的各成分等加以說明。
本發明的半導體密封用樹脂組成物係包含至少環氧樹脂(A)、硬化劑(B)、與無機填充劑(C)。
[環氧樹脂(A)]
首先，就環氧樹脂(A)加以說明。該環氧樹脂(A)係在一分子中具有2個以上、更佳為3個以上的環氧基者即可，沒有特別限定分子量或構造。可舉出例如：苯酚酚 醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等的酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等的雙酚型環氧樹脂、N,N-二縮水甘油苯胺、N,N-二縮水甘油甲苯胺、二胺基二苯基甲烷型縮水甘油胺、胺基苯酚般的芳香族縮水甘油胺型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、三酚基甲烷型環氧樹脂、三酚基丙烷型環氧樹脂、烷基變性三酚基甲烷型環氧樹脂、三嗪核含有環氧樹脂、二聚環戊二烯變性酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、具有伸苯基及/或伸聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸苯基及/或伸聯苯基骨架的萘酚芳烷基型環氧樹脂等的芳烷基型環氧樹脂、乙烯環己烯二氧化物、二聚環戊二烯氧化物、脂環族二環氧-己二酸酯等的脂環式環氧等的脂肪族環氧樹脂。此等可單獨、亦可混合2種以上混合使用。
關於環氧樹脂(A)含量的下限值，相對於半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，並沒有特別限定，但較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，尤佳為4質量%以上。若摻混比例的下限值在上述範圍內，可得到良好的流動性。又，對於本發明的半導體密封用樹脂組成物而言，環氧樹脂(A)的含量的合計值的上限值也沒有特別限定，但相對於半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為15質量%以下，更佳為12質量%以下， 尤佳為10質量%以下。若摻混比例的上限值在上述範圍內，可得到良好的耐焊性等優異的可靠性。
[硬化劑(B)]
接著，就硬化劑(B)加以說明。硬化劑(B)沒有特別限定，可為例如酚醛樹脂。如此的酚醛樹脂系硬化劑係在一分子內具有2個以上、更佳為3個以上的酚性羥基之單體、寡聚物、聚合物全部，且並未特別限定其分子量、分子構造。例如，酚醛樹脂系硬化劑可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂等的酚醛清漆型樹脂；三酚基甲烷型酚醛樹脂等的多官能型酚醛樹脂；萜烯變性酚醛樹脂、二聚環戊二烯變性酚醛樹脂等的變性酚醛樹脂；具有伸苯基骨架及/或伸聯苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂、具有伸苯基及/或伸聯苯基骨架的萘酚芳烷基樹脂等的芳烷基型樹脂；雙酚A、雙酚F等的雙酚化合物等。此等可單獨1種使用、亦可併用2種以上。利用如此的酚醛樹脂系硬化劑，耐燃性、耐濕性、電氣特性、硬化性、保存安定性等的均衡性良好。特別是從硬化性之觀點，例如酚醛樹脂系硬化劑的羥基當量可為90g/eq以上250g/eq以下。
再者，能併用的硬化劑可舉出例如加成聚合型的硬化劑、觸媒型的硬化劑、縮合型的硬化劑等。
加成聚合型的硬化劑係例如：除了二乙三胺(DETA)、三乙三胺(TETA)、間二甲苯二胺(MXDA)等的脂肪族聚胺、二胺基二苯基甲烷(DDM)、m-伸苯基二胺 (MPDA)、二胺基二苯基碸(DDS)等的芳香族聚胺以外，還可包含雙氰胺(DICY)、有機酸雙肼等的聚胺化合物；六氫酞酸酐(HHPA)、甲基四氫酞酸酐(MTHPA)等的脂環族酸酐、偏苯三甲酸酐(TMA)、苯均四酸酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸羧酸(BTDA)等的含有芳香族酸酐等的酸酐；多硫化物、硫酯、硫醚等的多硫醇化合物；異氰酸酯預聚物、嵌段化異氰酸酯等的異氰酸酯化合物；含羧酸之聚酯樹脂等的有機酸類等。
觸媒型的硬化劑可舉出例如：苯甲基二甲基胺(BDMA)、2,4,6-三-二甲基胺基甲基酚(DMP-30)等的三級胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(EMI24)等的咪唑化合物；BF3錯合物等的路易士酸等。
縮合型的硬化劑可舉出例如：羥甲基含有尿素樹脂般的尿素樹脂；羥甲基含有三聚氰胺樹脂般的三聚氰胺樹脂等。
在併用如此的其他硬化劑之情形中，酚醛樹脂系硬化劑的含量的下限值相對於全硬化劑(B)，較佳為20質量%以上，更佳為30質量%以上，特佳為50質量%以上。若摻混比例在上述範圍內，則可保持耐燃性、耐焊性，且能發現良好的流動性。又，酚醛樹脂系硬化劑的含量的上限值係沒有特別限制，相對於全硬化劑(B)，較佳為100質量%以下。
相對於本發明的半導體密封用樹脂組成物，關於硬化劑(B)含量的合計值的下限值係沒有特別地限定，相對 於半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，尤佳為3質量%以上。若摻混比例的下限值在上述範圍內，可得到良好的硬化性。又，相對於本發明的半導體密封用樹脂組成物，關於硬化劑(B)含量的合計值的上限值也沒有特別地限定，相對於全半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為12質量%以下，更佳為10質量%以下，尤佳為8質量%以下。若硬化劑(B)的含量的上限值在上述範圍內，可得到良好的耐焊性。
此外，所謂做為硬化劑(B)的酚醛樹脂、與環氧樹脂(A)，較佳係以全環氧樹脂(A)的環氧基數(EP)、與全酚醛樹脂的酚性羥基數(OH)之當量比(EP)/(OH)為0.8以上、1.3以下的方式進行摻混。若當量比在上述範圍內，成形所得到的半導體密封用樹脂組成物時，可得到充分的硬化特性。
[無機填充劑(C)]
本發明的半導體密封用樹脂組成物中所使用的無機填充劑(C)，可使用在半導體密封用樹脂組成物的技術領域中一般使用的無機填充劑。可舉出例如：熔融矽石、球狀矽石、結晶矽石、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。從對鑄孔(mold cavity)的填充性之觀點，無機填充劑的平均粒徑最好是0.01μm以上、150μm以下。
無機填充劑(C)的含量的下限值，相對於半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為80質量%以 上，更佳為83質量%以上，更較佳為86質量%以上。若下限值在上述範圍內，隨著所得到的半導體密封用樹脂組成物的硬化，能降低吸濕量的增加、或強度的降低。藉此，可得到具有良好的耐焊接龜裂性之硬化物。又，無機填充劑(C)的含量的上限值，相對於半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為95質量%以下，更佳為93質量%以下，更較佳為91質量%以下。若上限值在上述範圍內，得到的半導體密封用樹脂組成物具有良好的流動性，並且具備良好的成形性。
又，在併用無機填充劑、與如後述的氫氧化鋁、氫氧化鎂等的金屬氫氧化物、或硼酸鋅、鉬酸鋅、三氧化銻等的無機系難燃劑時，此等的無機系難燃劑與上述無機填充劑的合計量最好是在上述無機填充劑(C)的含量的範圍內。
[其他成分]
本發明的半導體密封用樹脂組成物亦可含有硬化促進劑(D)。硬化促進劑(D)若能促進環氧樹脂(A)的環氧基與酚醛樹脂系硬化劑(B)的羥基的反應即可，可使用一般所使用的硬化促進劑(D)。
硬化促進劑(D)的具體例較佳為有機膦、磷酸酯甜菜鹼化合物、膦化合物與醌化合物的加成物等的磷原子含有化合物、及咪唑等的單環式脒化合物。
在本發明的半導體密封用樹脂組成物中可使用的有機膦可舉出例如：三苯基膦、三甲苯膦、三甲氧基苯基 膦等的三芳基膦、三丁基膦等的烷基三烷基膦等所示之第3膦、二苯基膦等的第2膦。此等之中，較佳為下述一般式(8)所示之三芳基膦。
(式中，X表示氫或碳數1~3的烷基、或碳數1~3的烷氧基。m為1~3的整數。m為2以上的整數，芳香環具有複數個X做為取代基時，複數個X可彼此相同或是不同)
本發明的半導體密封用樹脂組成物中可使用的磷酸酯甜菜鹼化合物可舉出例如：下述一般式(9)所示之化合物等。
一般式(9)中，X1表示碳數1~3的烷基，Y1表示羥基，f為0~5的整數，g為0~4的整數。f為2以上的整數，芳香環具有複數個X1做為取代基時，複數個X1可彼此相同或是不同。
一般式(9)所示之化合物可以如以下的方式得到。首先，經由使第三膦之三芳香族取代膦與重氮鹽接觸，使 三芳香族取代膦與重氮鹽具有的重氮基進行置換之步驟而得到。然而，並不限於此。
本發明的半導體密封用樹脂組成物中可使用的膦化合物與醌化合物的加成物可舉出例如：下述一般式(10)所示之化合物等。
一般式(10)中，P表示磷原子，R21、R22及R23係互相獨立、表示碳數1~12的烷基或碳數6~12的芳基，R24、R25及R26係互相獨立、表示氫原子或碳數1~12的烴基，R24與R25亦可互相結合而形成環。
膦化合物與醌化合物的加成物中使用的膦化合物較佳係例如：三苯基膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三萘基膦、在三(苯甲基)膦等的芳香環存在有無取代或烷基、烷氧基等的取代基者。烷基、烷氧基等的取代基可舉出具有1~6的碳數者。從容易取得之觀點，則較佳為三苯基膦。
又，膦化合物與醌化合物的加成物中使用的醌化合物可舉出鄰苯醌、對苯醌、蒽醌類，其中從保存安定性之觀點較佳為p-苯醌。
膦化合物與醌化合物的加成物之製造方法係藉由在可溶解有機第三膦與苯醌類兩者的溶媒中予以接觸、混合，而得到加成物。溶媒較佳係在丙酮或甲基乙基酮等的酮類中對於加成物的溶解性低者。然而並不限於此。
一般式(10)所示之化合物中，與磷原子鍵結的R21、R22及R23為苯基，而且R24、R25及R26為氫原子之化合物、亦即加成1,4-苯醌與三苯基膦而成之化合物，從可降低半導體密封用樹脂組成物的硬化物的熱時間彈性率之觀點而言為佳。
本發明的半導體密封用樹脂組成物中可使用的單環式脒化合物可例示例如：2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苯甲基-2-甲基咪唑等。單環式脒化合物之中，特佳為下述一般式(11)所示之咪唑。下述一般式(11)的取代基之R係較佳為苯基、甲苯基等的芳基；甲基、乙基、丙基、異丙基等的烷基；苯甲基等的芳烷基。
(R為氫、或碳數10以下的烴基，可彼此相同、亦可彼此不同)
可使用於本發明的半導體密封用樹脂組成物的硬化促進劑(D)的含量的下限值，相對於全半導體密封用樹脂 組成物的合計值100質量%，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.03質量%以上，又更佳為0.05質量%以上。硬化促進劑(D)的含量的下限值若在上述範圍內，可得到充分的硬化性。又，硬化促進劑(D)的含量的上限值，相對於全半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為1.5質量%以下，更佳為1.2質量%以下，又更佳為0.8質量%以下。若硬化促進劑(D)的含量的上限值在上述範圍內，可得到充分的流動性。
在本發明，可進一步使用：羥基分別與構成芳香環之2個以上的鄰接碳原子鍵結而成之化合物(E)(以下，亦僅稱為「化合物(E)」)。羥基分別與構成芳香環之2個以上的鄰接碳原子鍵結而成之化合物(E)的理由，係即使在不具有：可促進環氧樹脂(A)與酚醛樹脂系硬化劑(B)的交聯反應的能潛在做為硬化促進劑(D)的磷原子含有硬化促進劑時，亦可抑制在半導體密封用樹脂組成物的熔融混練中的反應，可穩定地得到半導體密封用樹脂組成物。又，化合物(E)亦具有降低半導體密封用樹脂組成物的熔融黏度、提昇流動性的效果。化合物(E)可使用下述一般式(12)所示之單環式化合物、或下述一般式(13)所示之多環式化合物等，此等的化合物亦可具有羥基以外的取代基。
一般式(12)中，R31及R35中的任一者為羥基，另一者為氫原子、羥基或羥基以外的取代基，R32、R33及R34為氫原子、羥基或羥基以外的取代基。
一般式(13)中，R36及R42中的任一者為羥基，另一者為氫原子、羥基或羥基以外的取代基，R37、R38、R39、R40及R41為氫原子、羥基或羥基以外的取代基。
一般式(12)所示之單環式化合物的具體例可舉出例如：鄰苯二酚、焦性沒食子酸、没食子酸、没食子酸酯或此等的衍生物。又，一般式(13)所示之多環式化合物的具體例可舉出例如：1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘及此等的衍生物。此等之中，從控制流動性與硬化性的容易度，較佳為羥基分別與構成芳香環之2個鄰接的碳原子鍵結而成之化合物。又，考慮在混練步驟的揮發時，母核為低揮發性且秤量安定性高的萘環之化合物為更佳。此 時，具體而言，化合物(E)可為例如：具有1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘及其衍生物等的萘環之化合物。此等的化合物(E)可單獨1種使用、亦可併用2種以上。
化合物(E)的含量的下限值相對於全半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，係較佳為0.01質量%以上、更佳為0.03質量%以上、特佳為0.05質量%以上。若化合物(E)的含量的下限值在上述範圍內，可得到半導體密封用樹脂組成物充分的低黏度化與流動性提昇效果。又，化合物(E)的含量的上限值相對於全半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為1質量%以下、更佳為0.8質量%以下，特佳為0.5質量%以下。若化合物(E)的含量的上限值在上述範圍內，較無引起半導體密封用樹脂組成物的硬化性的下降或硬化物的物性降低之疑慮。
在本發明的半導體密封用樹脂組成物，為了提昇環氧樹脂(A)與無機填充劑(C)的密合性，可添加矽烷偶合劑等的偶合劑(F)。偶合劑(F)若為可在環氧樹脂(A)與無機填充劑(C)之間反應，且提昇環氧樹脂(A)與無機填充劑(C)的界面強度者即可，沒有特別地限定，可舉出例如環氧矽烷、胺基矽烷、脲基矽烷、巰基矽烷等。又，偶合劑(F)與前述的化合物(E)併用，亦可提高所謂降低半導體密封用樹脂組成物的熔融黏度、使流動性提昇之化合物(E)的效果。
環氧矽烷可舉出例如：γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、β-(3,4環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。又，胺基矽烷可舉出例如：γ-胺丙基三乙氧基矽烷、γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺乙基)γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺乙基)γ-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-苯基γ-胺丙基三乙氧基矽烷、N-苯基γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺乙基)γ-胺丙基三乙氧基矽烷、N-6-(胺基己基)3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(3-(三甲氧基矽烷基丙基)-1,3-苯二甲胺等。又，脲基矽烷可舉出例如：γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、六甲基二矽氮烷等。亦可使用胺基矽烷的1級胺基部位與酮或醛進行反應而受到保護之潛在性胺基矽烷偶合劑使。又，胺基矽烷亦可具有2級胺基。又，巰基矽烷除了可舉出例如：γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷外，還可舉出：雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)二硫化物之藉由熱分解而表現與巰基矽烷偶合劑同樣功能的矽烷偶合劑等。又，亦可摻混預先使此等的矽烷偶合劑予以水解反應者。此等的矽烷偶合劑可單獨1種使用、亦可併用2種以上。
從耐焊性與連續成形性的均衡性之觀點，較佳為巰基矽烷，從流動性之觀點，較佳為胺基矽烷，從與矽晶片表面的聚醯亞胺或基板表面的阻焊保護層等的有機構件的密合性之觀點，較佳為環氧矽烷。
可使用於本發明的半導體密封用樹脂組成物之矽烷偶合劑等的偶合劑(F)的含量的下限值，相對於全半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上、特佳為0.1質量%以上。若矽烷偶合劑等的偶合劑(F)的含量的下限值在上述範圍內，不會降低環氧樹脂(A)與無機填充劑(C)的界面強度，可得到半導體裝置的良好耐焊接龜裂性。又，矽烷偶合劑等的偶合劑(F)的含量的上限值，相對於全半導體密封用樹脂組成物的合計值100質量%，較佳為1質量%以下，更佳為0.8質量%以下，特佳為0.6質量%以下。矽烷偶合劑等的偶合劑(F)的含量的上限值若在上述範圍內，不會降低環氧樹脂(A)與無機填充劑(C)的界面強度，可得到在半導體裝置的良好耐焊接龜裂性。又，矽烷偶合劑等的偶合劑(F)的含量若在上述範圍內，不會增大半導體密封用樹脂組成物的硬化物的吸水性，可得到在半導體裝置的良好耐焊接龜裂性。
在本發明的半導體密封用樹脂組成物中，為了提昇難燃性可添加無機難燃劑(G)。其中，以燃燒時藉由脫水、吸熱而阻礙燃燒反應的金屬氫氧化物、或複合金屬氫氧化物，從可縮短燃燒時間之觀點而言為佳。金屬氫氧化物可舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鋯。複合金屬氫氧化物為含有2種以上金屬元素的水滑石化合物，至少一種的金屬元素為鎂，而且其他金屬元素較佳係選自鈣、鋁、錫、鈦、鐵、鈷、鎳、 銅、或鋅的金屬元素，這樣的複合金屬氫氧化物係以氫氧化鎂/鋅固溶體為市售品且容易取得。其中，從耐焊性與連續成形性的均衡性之觀點，較佳為氫氧化鋁、氫氧化鎂/鋅固溶體。無機難燃劑(G)可單獨使用、亦可使用2種以上。又，以降低對連續成形性的影響為目的，亦可在矽烷偶合劑等的矽化合物或蠟等的脂肪族系化合物等進行表面處理。
在本發明的半導體密封用樹脂組成物，除了前述的成分以外，亦可適當摻混碳黑、赭土、氧化鈦等的著色劑；巴西棕櫚蠟等的天然蠟；聚乙烯蠟等的合成蠟；磷酸硬脂酸或磷酸硬脂酸鋅等的高級脂肪酸及其金屬鹽類或者聚烯烴等的脫膜劑；矽油、橡膠矽氧橡膠等的低應力添加劑。
本發明的半導體密封用樹脂組成物可使用例如混合器等將環氧樹脂(A)、硬化劑(B)及無機填充劑(C)、以及上述的其他添加劑等在常溫下均一混合，然後，按照需要使用加熱軋輥、捏和機或擠壓機等的混練機進行熔融混練，繼續按照需要進行冷卻、粉碎，藉以調整成分散度或流動性等。
又，在本發明的半導體密封用樹脂組成物中，使用介電分析裝置、以測定溫度125℃、測定頻率100Hz的條件予以測定時，半導體密封用樹脂組成物達到飽和離子黏度的時刻，從測定開始，較佳為100秒以上、更佳為180秒以上、更較佳為300秒以上，另一方面，較佳 為900秒以下，更佳為800秒以下，更較佳為700秒以下。所謂達到飽和離子黏度的時刻係指例如離子黏度的增加停止的時刻。藉由使半導體密封用樹脂組成物達到飽和離子黏度的時刻在上述範圍內，可得到低溫成形性優異的半導體密封用樹脂組成物。
又，在本發明的半導體密封用樹脂組成物中，使用介電分析裝置、以測定溫度125℃、測定頻率100Hz的條件予以測定時，半導體密封用樹脂組成物的最低離子黏度(Log Ion Viscosity)係較佳為6以上8以下，而且從測定開始的經過時間600秒後的離子黏度係較佳為9以上11以下。最低離子黏度的出現時刻係表示為樹脂系的溶解度，最低離子黏度的數值係表示為樹脂系的最低黏度。藉由使半導體密封用樹脂組成物的最低離子黏度在上述範圍內，可得到低溫成形性優異的半導體密封用樹脂組成物。
又，在本發明的半導體密封用樹脂組成物中，使用高化式黏度測定裝置(島津製作所(股)製、CFT500)、噴嘴徑0.5mmψ、長度1mm的噴嘴、以測定溫度125℃、負荷40kg予以測定時，半導體密封用樹脂組成物的高化式黏度係較佳為20Pa‧s以上200Pa‧s以下，更佳為30Pa‧s以上180Pa‧s以下。藉由使半導體密封用樹脂組成物的高化式黏度在上述範圍內，可得到低溫成形性優異的半導體密封用樹脂組成物。
如此一來，在本實施的形態中，藉由適當選擇例如：硬化促進劑(D)、或使用三酚基甲烷型環氧樹脂、三酚基丙烷型環氧樹脂、烷基變性三酚基甲烷型環氧樹脂等的多官能型環氧樹脂、以及三酚基甲烷型酚醛樹脂、三酚基丙烷型酚醛樹脂、烷基變性三酚基甲烷型酚醛樹脂等的多官能型酚醛樹脂，可得到低溫成形性優異的半導體密封用樹脂組成物。
藉由使用如此的低溫成形性優異的半導體密封用樹脂組成物，形成密封材層108的步驟(壓縮成形步驟)可以較佳為100℃以上150℃以下、更佳為115℃以上135℃以下、更較佳為120℃以上130℃以下的溫度條件來進行硬化處理。
此處，本發明人等發現雖然機制不明，但是若降低半導體密封用樹脂組成物的成形溫度，就可減少殘膠。因此，藉由使半導體密封用樹脂組成物的硬化處理在上述溫度範圍內、亦即藉由降低硬化溫度，可使架裝膜104的殘膠減少。
因此，藉由使在形成密封材層108之步驟中的成形溫度在上述上限值以下，可減少殘膠。另一方面，藉由使成形溫度在上述下限值以上，可使密封材層108的成形性提昇。特別是使成形溫度在更佳的範圍內，可藉以實現殘膠的減少與密封材層108的成形性的均衡性均優異的半導體裝置。
[本發明的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物之製造方法]
接著，就得到本發明的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的方法進行說明。
得到本發明的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的方法，若能滿足本發明的粒度分布或顆粒密度的話，沒有特別地限定，可舉出例如：對自具有複數個小孔的圓筒狀外周部與圓盤狀的底面所構成的轉子的內側，供給經熔融混練的樹脂組成物，藉由旋轉轉子所得到的離心力而使該半導體密封用樹脂組成物能通過小孔的方法(以下，亦稱為「離心製粉法」)；以混合器預先混合各原料成分後，利用軋輥、捏和機或擠壓機等的混練機進行加熱混練後，經過冷卻、粉碎步驟成為粉碎物，使用篩網由粉碎物進行粗粒與微粉的除去的方法(以下，亦稱為「粉碎篩分法」；以混合器預先混合各原料成分後，使用配置有於螺桿前端部配置複數個小徑的沖模的擠壓機，進行加熱混練，並且以沖模面大略平行地進行滑動旋轉的切割機，切斷從配置於沖模的小孔擠壓成條股狀的熔融樹脂的方法(以下，亦稱為「熱切割法」)等。任一種方法均可藉由選擇混練條件、離心條件、篩分條件、切斷條件等，而得到本發明的粒度分布或顆粒密度。特佳的製法為離心製粉法，藉此所得到的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物由於能安定表現本發明的粒度分布或顆粒密度，所以對於在搬送路上的搬送性或防止黏著而言為 佳。又，在離心製粉法，由於可使粒子表面某程度地變得光滑，所以粒子彼此不會牽扯、與搬送路面的摩擦抵抗也不會增大，對於防止在往搬送路的供給口的橋接(堵塞)、防止在搬送路上的滯留均為佳。又，在離心製粉法，由於從樹脂組成物被熔融的狀態使用離心力來形成粒子，所以形成在粒子內含有某程度空隙的狀態。其結果，由於可某程度地降低顆粒密度，所以關於在壓縮成形的搬送性是有利的。
另一方面，粉碎篩分法雖然必須研究藉由篩分而產生的多量微粉及粗粒的處理方法，但是由於篩分裝置等可在半導體密封用樹脂組成物的現有製造線使用，就可直接這樣使用以往的製造線之觀點而言為佳。又，粉碎篩分法由於在粉碎前薄片化熔融樹脂時的薄片厚度的選擇、粉碎時的粉碎條件或篩網的選擇、篩分時篩子的選擇等、用以表現本發明的粒度分布的獨立可控制的因子很多，所以從用以調整要求的粒度分布的手段的選擇很多之觀點而言為佳。又，熱切割法係以例如於擠壓機的前端附加熱切割機構的程度，可直接這樣利用以往的製造線之觀點而言也為佳。
接著，關於用以得到本發明的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的製法之一例的離心製粉法，係利用圖式來詳細說明。圖6中表示為了得到顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物，從半導體密封用樹脂組成物的熔融混練至收集到顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物之一實施例 的概略圖，圖7中表示用以加熱轉子及轉子的圓筒狀外周部的激磁線圈之一實施例的斷面圖，圖8中表示將經熔融混練的半導體密封用樹脂組成物供給於轉子的雙管式圓筒體之一實施例的斷面圖。
以雙軸擠壓機309熔融混練之半導體密封用樹脂組成物係在內壁與外壁之間通過冷媒而予以冷卻，通過雙管式圓筒體305而供給至轉子301的內側。此時，雙管式圓筒體305係以經熔融混練之半導體密封用樹脂組成物不會附著於雙管式圓筒體305的壁上的方式，使用冷媒使其冷卻為佳。又，若通過雙管式圓筒體305而供給半導體密封用樹脂組成物至轉子301，半導體密封用樹脂組成物即使是以連續的糸狀而供給的情形，轉子301在高速旋轉中半導體密封用樹脂組成物也不會從轉子301溢出，可安定供給。此外，藉由在雙軸擠壓機309的混練條件而控制熔融樹脂的吐出溫度等，可藉以調整顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的粒子形狀或粒度分布。又，藉由在雙軸擠壓機309安裝脫氣裝置，亦可控制粒子中捲入氣泡。
轉子301與馬達310連接，並可以任意的旋轉數進行旋轉。藉由適當選擇該旋轉數，可調整顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的粒子形狀或粒度分布。具有設置於轉子301的外周上之複數個小孔的圓筒狀外周部302係具備磁性材料303。隨著使藉由使利用交流電源產生裝置306所產生的交流電源與於其附近所具備的激磁線圈 304通電而產生的交變磁束通過磁性材料303，利用渦流損失或磁滯耗損使磁性材料303予以加熱。此外，該磁性材料303可舉出例如：鐵材或矽鋼等，可1種或複合2種以上的磁性材料303使用。具有複數個小孔的圓筒狀外周部302的小孔附近亦可以與磁性材料303為不同材質來形成。例如，藉由圓筒狀外周部302的小孔附近是以導熱率高的非磁性材料而形成、於其上下具有磁性材料303，可利用經加熱的磁性材料303做為熱源進行熱傳導而加熱圓筒狀外周部302的小孔附近。非磁性材料可舉例如銅或鋁等，可1種或複合2種以上的非磁性材料使用。半導體密封用樹脂組成物在供給至轉子301的內側之後，藉由利用馬達310使轉子301旋轉所得到的離心力，而飛行移動至經加熱的圓筒狀外周部302。
與具有經加熱的複數個小孔之圓筒狀外周部302接觸的半導體密封用樹脂組成物的熔融黏度不會上昇，可輕易地通過圓筒狀外周部302的小孔而吐出。加熱的溫度可依照應用的半導體密封用樹脂組成物的特性而任意設定。藉由適當選擇加熱溫度，可調整顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的粒子形狀或粒度分布。一般而言，若過度提高加熱溫度，樹脂組成物的硬化加速、流動性降低，又雖然在圓筒狀外周部302的小孔產生堵塞，但若在適當的溫度條件的情形下，由於半導體密封用樹脂組成物與圓筒狀外周部302的接觸時間非常短，所以對流動性的影響非常少。又，由於具有複數個小孔的圓筒 狀外周部302為均一加熱，所以局部流動性的變化非常少。又，圓筒狀外周部302的複數個小孔係藉由適當選擇孔徑，可調整顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的粒子形狀或粒度分布。
通過圓筒狀外周部302的小孔而吐出的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物係以例如：設置在轉子301周圍的外槽308來收集。外槽308係為了防止顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物朝內壁附著、顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物彼此的熔融黏著，通過圓筒狀外周部302的小孔而飛行的顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物碰撞到內壁的碰撞面，較佳係相對於顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的飛行方向，以10~80度、較佳為25~65度的傾斜而設置。碰撞面對半導體密封用樹脂組成物的飛行方向的傾斜若在上述上限值以下，可使顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的碰撞能量充分分散，朝壁面附著所產生的疑慮少。又，碰撞面對樹脂組成物的飛行方向的傾斜若在上述下限值以上，由於可充分地減少顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物的飛行速度，所以即使在碰撞外槽壁面2次的情形下，附著於該外裝壁面的疑慮少。
又，若顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物碰撞的碰撞面的溫度高，由於顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物容易附著，較佳係碰撞面外周設置有冷卻套管307，冷卻碰撞面。外槽308的內徑最好是能使顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物充分地冷卻、不會產生顆粒狀的半導體 密封用樹脂組成物朝內壁的附著、或顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物彼此的熔融黏著的程度的大小。一般而言，利用轉子301的旋轉產生空氣的流動，可得到冷卻效果，但亦可按照需要導入冷風。外槽308的大小係依照處理的樹脂量而定，例如若轉子301的直徑為20cm的情形、外槽308的內徑為100cm程度，可防止附著或熔融黏著。
(再配線用仿真晶圓200形成步驟)
繼續，如圖3(b)所示，從密封材層108的下面30及半導體元件106的下面20剝離架裝膜104。例如：藉由加熱處理熱分解架裝膜104，可分離該架裝膜104。又，除了加熱處理以外，亦可實施電子束或紫外線等的照射處理。如此一來，可從由載體102、架裝膜104、半導體元件106及密封材層108所構成之構造體，分離架裝膜104及載體102。藉此，可得到如圖3(b)所示之再配線用仿真晶圓200。再配線用仿真晶圓200具有半導體元件106及密封材層108。在與密封材層108的下面30為同一面上，露出複數個半導體元件106的下面20(連接面)。另一方面，以連續覆蓋複數個半導體元件106的上面的方式，形成密封材層108。換句話說，在斷面觀察中，於再配線用仿真晶圓200的一面(再配線形成面)側形成密封材層108及半導體元件106，另一方面，於另一面(密封面)側只形成密封材層108。再配線用仿真晶圓200係 例如板狀。再配線用仿真晶圓200在平面觀察中，可為圓形狀、也可為矩形形狀。
在剝離本實施形態的架裝膜104的步驟時，在下述測定條件下的密封材層108與架裝膜104的剝離強度係較佳為1N/m以上10N/m以下，更佳為2N/m以上9N/m以下。
剝離強度的測定條件係測定溫度180℃、剝離速度50mm/min。藉由使剝離強度在上述範圍，可減少架裝膜104的殘膠。因此，可抑制液狀的再配線材料難以形成於密封材層108面上。剝離強度的降低係可藉由例如適當選擇半導體密封用樹脂組成物的材料或硬化溫度而實現。
在本實施形態的半導體裝置之製造方法中，在剝離架裝膜104的步驟後，密封材層108的下面的接觸角的上限值使用甲醯胺來測定時，較佳為70度以下，更佳為65度以下，更較佳為60度以下。另一方面，接觸角的下限值係沒有特別限制，例如：0度，較佳為5度以上，更佳為10度以上。
此處，在本實施的形態中，接觸角較佳係例如從測定開始到規定的測定時間後的平均值、最小值或最大值中的任一者，更佳為平均值。規定時間係沒有特別限制，例如：10秒鐘。具體而言，可舉例如在剝離架裝膜104之後，在25℃中靜置液滴，重複3次測量10秒後的值，取其平均值的方法。
該甲醯胺係在一般的接觸角測定中做為標準液使用。
本實施的形態中，以測定溫度：25℃、測定裝置：Dropmaster500(協和科學(股)製)來測定。
本實施的形態中，例如藉由適當選擇主劑或硬化劑、或適當選擇硬化促進劑(D)，可減低接觸角。使用甲醯胺所測定之接觸角降低，係表示再配線用材料的接觸角降低。因此，藉由使本實施形態的接觸角在上述範圍內，可使架裝膜104的殘膠減少，所以液狀的再配線材料在再配線用仿真晶圓200的表面不易濕潤擴散的問離受到抑制。因此，本實施的形態中，可得到產率優良的半導體裝置100。
(後硬化)
亦可在剝離架裝膜104之前、及/或剝離架裝膜104之後，對再配線用仿真晶圓200中的密封材層108實施後硬化。後硬化係以例如：150℃以上200℃以下、更佳為160℃以上190℃以下的溫度範圍，進行10分鐘至8小時。藉由在架裝膜104的剝離後實施後硬化，可抑制架裝膜104的殘膠。
(再配線步驟)
繼續，剝離架裝膜104的步驟後，如圖4(a)所示，在密封材層108的下面30上及半導體元件106的下面20上形成再配線用絶緣樹脂層110。換句話說，於再配線用 仿真晶圓200的一面(具有半導體元件106的連接面之面)上，形成再配線用絶緣樹脂層110。
繼續，如圖4(b)所示，於再配線用絶緣樹脂層110形成令半導體元件106的連接面上的墊片122的表面露出的開口部112。例如：使用微影法等，於再配線用絶緣樹脂層110形成圖案，進行硬化處理。硬化處理的條件可以例如：150℃以上300℃以下的溫度範圍，進行10分鐘至5小時。又，可在再配線用仿真晶圓200上直接形成再配線用絶緣樹脂層110，但亦可在此等之間形成未圖示的保護層(Passivation layer)。
又，再配線用絶緣樹脂層110係沒有特別限制，從耐熱性及可靠性的觀點，可使用聚醯亞胺樹脂、聚苯并氧化物(polybenzo-oxide)樹脂、苯并環丁烯樹脂等。
繼續，如圖5(a)所示，以濺鍍等的方法在再配線用仿真晶圓200的全面形成供電層之後，於供電層上形成光阻層，曝光、顯像成規定的圖案後，以電解鍍銅形成通孔114及再配線電路116。形成再配線電路116之後，剝離光阻層且蝕刻供電層。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，以125℃、10分鐘的條件經硬化後的密封材層108的蕭式D硬度，係較佳為70以上100以下，更佳為80以上95以下。藉由使蕭式D硬度在上述範圍內，可在半導體元件106周圍的密封材層108作成穩定形狀的試樣，由於可抑 制凹陷等的表面形狀的變形產生，所以可精密度更佳地進行再配線用絶緣樹脂層110及再配線電路116的形成。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，在260℃的密封材層108的彎曲強度較佳為10MPa以上100MPa以下，更佳為20MPa以上80MPa以下。藉由使彎曲強度在上述範圍內，可在半導體元件106周圍的密封材層108作成穩定形狀的試樣，由於可抑制凹陷等的表面形狀的變形產生，所以可精密度更佳地進行再配線用絶緣樹脂層110及再配線電路116的形成。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，在260℃的密封材層108的彎曲彈性率較佳為5×102MPa以上3×103MPa以下，更佳為7×102MPa以上2.8×103MPa以下。藉由使彎曲彈性率在上述範圍內，可在半導體元件106周圍的密封材層108作成穩定形狀的試樣，由於可抑制凹陷等的表面形狀的變形產生，所以可精密度更佳地進行再配線用絶緣樹脂層110及再配線電路116的形成。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，使用動態黏彈性測定器、以三點彎曲模式、頻率10Hz、測定溫度260℃測定時的密封材層108的儲藏彈性率(E')，係較佳為5×102MPa以上5×103MPa以下，更佳為8×102MPa以上4×103MPa以下。藉由使儲藏彈性率(E')在上述範圍內，可在半導體元件106周圍的密封材層108作成穩定形狀的試樣，由於可抑制凹陷等的表面形狀的 變形產生，所以可精密度更佳地進行再配線用絶緣樹脂層110及再配線電路116的形成。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，在25℃以上、玻璃轉移溫度(Tg)以下的領域中的密封材層108的xy平面方向的線膨脹係數(α1)，係較佳為3ppm/℃以上15ppm/℃以下，更佳為4ppm/℃以上11ppm/℃以下。例如，藉由使用多官能的環氧樹脂(A)或多官能的硬化劑(B)，可使線膨脹係數(α1)在上述範圍內。藉由使線膨脹係數(α1)在上述範圍內，由於在半導體元件106周圍的密封材層108中，可抑制半導體元件106配置面側的對向面側翹曲，所以可精密度更佳地進行再配線用絶緣樹脂層110及再配線電路116的形成。
如此一來，在本實施的形態中，藉由適當選擇使用例如：三酚基甲烷型環氧樹脂、三酚基丙烷型環氧樹脂、烷基變性三酚基甲烷型環氧樹脂等的多官能型環氧樹脂、以及、三酚基甲烷型酚醛樹脂、三酚基丙烷型酚醛樹脂、烷基變性三酚基甲烷型酚醛樹脂等的多官能型酚醛樹脂，或藉由在成形時促進硬化或者在成形後之後硬化(後硬化)，能進一步加速樹脂的硬化，可得到穩定形狀的半導體密封用樹脂組成物的硬化物(密封材層108)。因此，能提昇本實施形態的半導體裝置100的產率。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，密封材層108的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為100℃以上250℃以下，更佳為110℃以上220℃以下。例如，藉由使用多 官能的環氧樹脂(A)或多官能的硬化劑(B)、或藉由促進硬化反應，可使玻璃轉移溫度(Tg)在上述範圍內。藉由使玻璃轉移溫度(Tg)在上述範圍內，於硬化再配線用絶緣樹脂層110時，密封材層108的加熱減量會降低，並可抑制在再配線用絶緣樹脂層110的表面發生產生氣體所致的空隙，而不易形成再配線電路116的問題。
又，在本實施形態的再配線用仿真晶圓200中，以250℃、90分使再配線用絶緣樹脂層110硬化時，再配線用絶緣樹脂層110的硬化處理前與硬化處理後的密封材層108的質量差，係較佳在5質量%以內。藉此，如上所述，可抑制在再配線用絶緣樹脂層110的表面發生產生氣體所致的空隙，而不易形成再配線電路116的問題。
繼續，於設置在配線圖案(再配線電路116)上的面地塗布助焊劑(flux)。接著，藉由在搭載焊料球120之後進行加熱熔融，於陸地安裝焊料球120。又，以覆蓋再配線電路116及焊料球120的一部份的方式形成阻焊保護層118。塗布的助焊劑係可使用樹脂系或水溶系者。加熱熔融方法係可使用回焊、熱板(加熱板)等。藉此，可得到晶圓級封裝體210。
然後，利用切割等的方法，將晶圓級封裝體210個片化成例如各半導體元件106。藉此，可得到本實施形態的半導體裝置100。此外，藉由在複數個半導體晶片108單位進行分割，可在同一半導體裝置100配置具有複數個功能的半導體元件106。如此所得到的半導體裝置100 亦可安裝在基板(插入物)上。進行安裝係例如隔著凸塊來電性連接半導體裝置100的焊料球120、與形成在插入物上的配線電路。可藉此得到積層封裝體。
〔實施例〕
以下，參照實施例來詳細說明本發明，但本發明絲毫不受此等實施例的記載。
針對在後述的實施例及比較例所得之半導體密封用樹脂組成物使用的各成分加以說明。此外，只要沒有特別記載，各成分的摻混量為質量份。
(實施例1)
<半導體密封用樹脂組成物的摻混(質量份)>
環氧樹脂1：以具有下述式(1)所示之三苯基甲烷骨架的環氧樹脂為主成分的環氧樹脂(JER(股)製、商品名YL6677、環氧當量163)6.95質量份 酚醛樹脂系硬化劑1：具有下述式(2)所示之三苯基甲烷骨架的酚醛樹脂(AIR WATER(股)製、商品名HE910-20、軟化點88℃、羥基當量101)4.30質量份 熔融球狀矽石1：(平均粒徑24μm、比表面積3.5m2/g)73質量份熔融球狀矽石2：(平均粒徑0.5μm、比表面積5.9m2/g)15質量份硬化促進劑1：三苯基膦(KI化成(股)製、商品名PP-360)0.1質量份著色劑：碳黑(比表面積29m2/g、DBP吸收量71cm3/100g) 0.3質量份偶合劑：N-苯基γ-胺丙基三甲氧基矽烷(信越化學(股)製、商品名KBM-573) 0.2質量份脫膜劑：褐煤酸酯系蠟(CLARIANT JAPAN(股)製、商品名LICOLUB WE-4) 0.15質量份
<母料的準備>
以超混合器粉碎混合上述摻混的樹脂組成物的原材料5分鐘之後，準備該混合原料。
<顆粒狀的樹脂組成物的製造>
使用具有孔徑2.5mm的小孔之鐵製的衝孔絲網，來作為圖6所示之圓筒狀外周部302的原料。在直徑20cm的轉子301的外周上安裝加工成圓筒狀之高度25mm、厚 度1.5mm的衝孔絲網，且形成圓筒狀外周部302。以3000RPM旋轉轉子301，以激磁線圈加熱圓筒狀外周部302至115℃。轉子301的旋轉數、與圓筒狀外周部302的溫度成為穩定狀態之後，將一般利用脫氣裝置進行脫氣一邊利用雙軸擠壓機309熔融混練上述母料所得之熔融物，從轉子301的上方通過雙管式圓筒體305，且以2kg/hr的比例供給至轉子301的內側。藉此，利用將轉子301旋轉所得之離心力使熔融物通過圓筒狀外周部302的複數個小孔，以得到顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物。
<半導體裝置的製造>
於架裝膜(日東電工(股)製：REVALPHA(註冊商標))上排列配置複數個半導體元件。繼續，使用上述顆粒狀的半導體密封用樹脂組成物來進行壓縮成形，密封架裝膜上的半導體元件。壓縮成形的條件係成形溫度125℃、硬化時間7分鐘。然後，以150℃、1小時進行後硬化之後，剝離架裝膜，再以175℃、4小時進行後硬化。
繼續，在半導體元件的連接面側中的密封材層的一面塗布再配線用材料(住友電木(股)製、CRC-8902)，以250℃、90分鐘進行硬化處理。緊接在再配線用絶緣樹脂層上形成再配線電路，以得到半導體裝置。
(實施例2~6、比較例1~4)
依照表1的摻混，以與實施例1同樣的方式製造顆粒狀的樹脂組成物之後，以與實施例1同樣的方式製造半導體裝置。
以下表示實施例1以外所使用的原材料。
環氧樹脂2：具有下述式(3)所示之伸聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂(日本化藥(股)製、商品名NC3000P、軟化點58℃、環氧當量273)
酚醛樹脂系硬化劑2：具有下述式(4)所示之伸聯苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂(明和化成(股)製、商品名MEH-7851SS、軟化點107℃、羥基當量204)
硬化促進劑2：4-羥基-2-(四苯基鏻)酚鹽(KI化成(股)製、商品名TPP-BQ)
硬化促進劑3：三苯基鏻‧雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸鹽(住友電木(股)製)
硬化促進劑4：三苯基鏻‧4,4'-磺醯基二酚鹽(住友電木(股)製)
硬化促進劑5：三苯基鏻‧2,3'-二羥基萘二甲酸鹽(住友電木(股)製)
硬化促進劑6：下述式(5)所示之2-(四苯基鏻)酚鹽
硬化促進劑7：2-甲基咪唑(四國化成工業(股)製、Curezol 2MZ-P)
(評價方法)
按照下述的條件進行各評價。
‧離子黏度
介電分析裝置本體係使用NETZSCH公司製的DEA231/1 cure analyzer，加壓機係使用NETZSCH公司製的MP235 Mini-Press，依照ASTM E2039，以測定溫度125℃、測定頻率100Hz的條件，將實施例及比較例所得之顆粒狀的樹脂組成物作成粉末狀之試料約3g導入至加壓機內的電極部上面之後，進行加壓後測定。從所得之黏度數據，求得最低離子黏度、經過600秒後的離子黏度、及達飽和離子黏度的時間。最低離子黏度、經過600秒後的離子黏度均沒有單位，達飽和離子黏度的時間的單位為秒(sec.)。測定結果示於表2。
‧高化式黏度(40kg)
針對實施例及比較例所得之顆粒狀的樹脂組成物，使用高化式FLOWTESTER((股)島津製作所‧製CFT-500)，以125℃、壓力40kgf/cm2、毛細管徑0.5mm的條件來測定高化式黏度。單位為Pa‧s。測定結果示於表2。
‧蕭式D硬度
使用實施例及比較例所得之顆粒狀的樹脂組成物進行轉注成形，以成形長度800mm、寬度10mm、厚度4mm的試驗片。轉注成形的條件係設為成形溫度125℃、硬化 時間10分鐘。於成形時打開模具10秒後，使用蕭式D硬度計來測定試驗片的蕭式D硬度。測定結果示於表2。
‧彎曲強度及彎曲彈性率(125℃成形品)
使用實施例及比較例所得之顆粒狀的樹脂組成物進行轉注成形，以得到JIS彎曲試驗片。轉注成形的條件係設為成形溫度125℃、硬化時間7分鐘。依照JIS K 6911來測定所得之試驗片在260℃的彎曲強度及彎曲彈性率。單位為MPa。測定結果示於表2。
‧由TMA測定之玻璃轉移溫度(Tg)與線膨脹係數(α1)(125℃成形品)
使用實施例及比較例所得之顆粒狀的樹脂組成物進行轉注成形，以得到長度15mm、寬度4mm、厚度3mm的試驗片。轉注成形的條件係設為成形溫度125℃、硬化時間7分鐘。將所得之試驗片使用熱膨脹計(SEIKO INSTRUMENTS公司製TMA-120)，從室溫(25℃)以5℃/分的升溫速度進行升溫，而求得試驗片的伸長係數急遽變化的溫度作為玻璃轉移溫度。單位為。℃。又，求得從室溫(25℃)至Tg-30℃之間的平均線膨脹係數作為α1。單位為ppm/℃。測定結果示於表2。
‧由DMA測定之儲藏彈性率(E')(125℃成形品)
使用實施例及比較例所得之顆粒狀的樹脂組成物進行轉注成形，以得到寬度4mm、長度20mm、厚度0.1mm的試驗片。轉注成形的條件係設為成形溫度125℃、硬化時間7分鐘。將所得之試驗片以三點彎曲模式、頻率 10Hz、測定溫度260℃的條件，使用DMA(Dynamic mechanical analysis/動態黏彈性測定器)測定時，求得在260℃的儲藏彈性率(E')。單位為MPa。測定結果示於表2。
‧剝離強度
在實施例及比較例的半導體裝置的製造步驟中，於剝離架裝膜時，以測定溫度180℃、剝離速度50mm/min的條件，剝離密封材層與架裝膜，以求得剝離強度。單位為N/m。測定結果示於表2。
‧使用甲醯胺所測定的接觸角
在實施例及比較例的半導體裝置的製造步驟中，剝離架裝膜之後的密封材層下面與甲醯胺的接觸角，係使用Dropmaster500(協和科學(股)製)，使液滴在25℃靜置，測量10秒後的值，並重複測量3次，以求取其平均值。單位為°(度)。結果示於表2。
‧使用再配線材料所測定的接觸角
在實施例及比較例的半導體裝置的製造步驟中，剝離架裝膜之後的密封材層下面與再配線材料(住友電木(股)製、CRC-8902)的接觸角，係使用Dropmaster500(協和科學(股)製)，使液滴在25℃靜置，測量10秒後的值，並重複測量3次，以求取其平均值。單位為°(度)。結果示於表2。
如比較例1~4所示，當使用以往的半導體密封用樹脂組成物時，甲醯胺的接觸角為73°~83°。
關於實施例1~6，已知由於甲醯胺的接觸角較比較例1~6為減小，故可抑制殘膠。因此，關於實施例1~6，已知再配線材料的接觸角也較比較例為減小，可進行塗布沒有問題。
此外，上述的實施形態及複數個變形例理所當然地可在不與其內容相反的範圍內加以組合。又，在上述的實施形態及變形例雖然具體說明了各部的構造等，但其構造等可在符合本案發明的範圍內作各種變更。
〔產業上的利用可能性〕
依照本發明，可提供減低殘膠、且產率優良之半導體裝置的構造及其製造方法。因此，本發明適合使用於半導體裝置及其製造方法。
10‧‧‧主面
20‧‧‧下面
30‧‧‧下面
100‧‧‧半導體裝置
102‧‧‧載體
104‧‧‧架裝膜
106‧‧‧半導體元件
108‧‧‧密封材層
110‧‧‧再配線用絶緣樹脂層
112‧‧‧開口部
114‧‧‧通孔
116‧‧‧再配線電路
118‧‧‧阻焊保護層
120‧‧‧焊料球
122‧‧‧墊片
200‧‧‧再配線用仿真晶圓
210‧‧‧晶圓級封裝體
301‧‧‧轉子
302‧‧‧圓筒狀外周部
303‧‧‧磁性材料
304‧‧‧激磁線圈
305‧‧‧雙管式圓筒體
306‧‧‧交流電源產生裝置
307‧‧‧冷卻套管
308‧‧‧外槽
309‧‧‧雙軸擠壓機
310‧‧‧馬達
圖1係概要地顯示在本發明之實施形態中的半導體裝置的斷面圖。
圖2(a)及(b)係顯示在本發明之實施形態中的半導體裝置的製造順序的步驟斷面圖。
圖3(a)及(b)係顯示在本發明之實施形態中的半導體裝置的製造順序的步驟斷面圖。
圖4(a)及(b)係顯示在本發明之實施形態中的半導體裝置的製造順序的步驟斷面圖。
圖5(a)及(b)係顯示在本發明之實施形態中的半導體 裝置的製造順序的步驟斷面圖。
圖6係為了得到本發明的實施形態的顆粒狀半導體密封用樹脂組成物，從半導體密封用樹脂組成物的熔融混練至補集顆粒狀的樹脂組成物為止的一實施例的概略圖。
圖7係用以加熱在本發明的實施形態中使用的轉子及轉子的圓筒狀外周部的激磁線圈的一實施例的斷面圖。
圖8係將熔融混練的半導體密封用樹脂組成物供給予轉子之雙管式圓筒體的一實施例的斷面圖。
20‧‧‧下面
30‧‧‧下面
100‧‧‧半導體裝置
106‧‧‧半導體元件
108‧‧‧密封材層
110‧‧‧再配線用絶緣樹脂層
114‧‧‧通孔
116‧‧‧再配線電路
118‧‧‧阻焊保護層
120‧‧‧焊料球
122‧‧‧墊片

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，包含：於前述密封材層的前述下面上及前述半導體元件的前述下面上形成再配線用絶緣樹脂層的步驟；及在前述再配線用絶緣樹脂層上形成再配線電路的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後、形成前述再配線用絶緣樹脂層的步驟之前，包含：以150℃以上200℃以下的溫度條件進一步進行硬化後處理的步驟。
  2. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟； 使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；以測定溫度180℃、剝離速度50mm/min的條件測定之際，前述密封材層與前述架裝膜的剝離強度為1N/m以上、10N/m以下。
  3. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；以125℃、10分鐘的條件硬化之後的前述密封材層的蕭式D硬度為70以上。
  4. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；使用介電分析裝置、以測定溫度125℃、測定頻率100Hz的條件測定之際，前述半導體密封用樹脂組成物的最低離子黏度為6以上8以下，而且從測定開始的經過時間600秒後的離子黏度為9以上11以下。
  5. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密 封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；使用高化式黏度測定裝置、以測定溫度125℃、負荷40kg測定之際，前述半導體密封用樹脂組成物的高化式黏度為20Pa‧s以上200Pa‧s以下。
  6. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；在260℃中的前述密封材層的彎曲強度為10MPa以上100MPa以下。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及 經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；在260℃中的前述密封材層的彎曲彈性率為5×102MPa以上3×103MPa以下。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟；使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層的步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；使用動態黏彈性測定器、以三點彎曲模式、頻率10Hz、測定溫度260℃測定之際，前述密封材層的儲藏彈性率(E')為5×102MPa以上5×103MPa以下。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：在熱剝離性黏著層的主面上配置複數個半導體元件的步驟； 使用半導體密封用樹脂組成物，密封前述熱剝離性黏著層的前述主面上之複數個前述半導體元件的形成密封材層步驟；及經由剝離前述熱剝離性黏著層，使前述密封材層的下面及前述半導體元件的下面露出的步驟；在剝離前述熱剝離性黏著層的前述步驟之後，前述密封材層的前述下面的接觸角於使用甲醯胺來測定時，係70度以下；其中使用介電分析裝置以測定溫度125℃、測定頻率100Hz的條件測定之際，前述半導體密封用樹脂組成物達到飽和離子黏度的時刻，從測定開始為100秒以上900秒以下。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之半導體裝置之製造方法，其中形成前述密封材層的步驟包含以100℃以上150℃以下的溫度條件進行硬化處理的步驟。
  11. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之半導體裝置之製造方法，其係在形成前述密封材層的前述步驟中，使用顆粒的前述半導體密封用樹脂組成物進行壓縮形成，藉以形成前述密封材層。
TW101108144A 2011-03-10 2012-03-09 半導體裝置之製造方法 TWI590394B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011053541 2011-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201240032A TW201240032A (en) 2012-10-01
TWI590394B true TWI590394B (zh) 2017-07-01

Family

ID=46798328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101108144A TWI590394B (zh) 2011-03-10 2012-03-09 半導體裝置之製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20130337608A1 (zh)
JP (1) JP6032197B2 (zh)
KR (1) KR101872556B1 (zh)
CN (1) CN103415923B (zh)
SG (1) SG193419A1 (zh)
TW (1) TWI590394B (zh)
WO (1) WO2012121377A1 (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
US9324680B2 (en) * 2013-09-19 2016-04-26 Intel Corporation Solder attach apparatus and method
TWI582866B (zh) * 2014-04-03 2017-05-11 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件之製法及其所用之支撐件
US9434150B2 (en) 2014-07-20 2016-09-06 X-Celeprint Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
KR101676916B1 (ko) 2014-08-20 2016-11-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스
US9666556B2 (en) * 2015-06-29 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Flip chip packaging
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
CN105161431A (zh) * 2015-08-12 2015-12-16 中芯长电半导体（江阴）有限公司 晶圆级芯片封装方法
JP2017088828A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
KR102040766B1 (ko) * 2016-05-18 2019-11-06 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 Lds용 열경화성 수지 조성물, 수지 성형품 및 3차원 성형 회로 부품
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
WO2018038153A1 (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
US10916486B2 (en) * 2016-09-26 2021-02-09 Intel Corporation Semiconductor device including silane based adhesion promoter and method of making
JP2018206797A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2019033124A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法、及び接着積層体
TWI631684B (zh) * 2017-09-05 2018-08-01 Phoenix Pioneer Technology Co., Ltd. 中介基板及其製法
US10796971B2 (en) 2018-08-13 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Pressure-activated electrical interconnection with additive repair
JP6515243B2 (ja) * 2018-11-14 2019-05-15 アオイ電子株式会社 半導体装置の製造方法
CN109638108B (zh) * 2018-12-05 2020-04-14 上海空间电源研究所 平流层飞行器针对翘曲柔性太阳电池片的组件封装方法
US11495588B2 (en) 2018-12-07 2022-11-08 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit board with compact passive component arrangement
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11062936B1 (en) 2019-12-19 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Transfer stamps with multiple separate pedestals
JP2022191847A (ja) * 2021-06-16 2022-12-28 住友ベークライト株式会社 低温硬化性樹脂組成物、および電子装置
JPWO2023013732A1 (zh) * 2021-08-06 2023-02-09

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970569B2 (ja) * 1997-01-13 1999-11-02 日本電気株式会社 樹脂封止方法および樹脂封止金型装置
JP3390335B2 (ja) * 1997-10-29 2003-03-24 住友ベークライト株式会社 半導体装置
US7397139B2 (en) * 2003-04-07 2008-07-08 Hitachi Chemical Co., Ltd. Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device
EP1627901B1 (en) * 2003-05-21 2020-02-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Primer, conductor foil with resin, laminate and process for producing the laminate
CN100400608C (zh) * 2003-05-21 2008-07-09 日立化成工业株式会社 底漆、带有树脂的导体箔、层叠板以及层叠板的制造方法
JP2005005632A (ja) * 2003-06-16 2005-01-06 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその実装構造
US7326592B2 (en) 2005-04-04 2008-02-05 Infineon Technologies Ag Stacked die package
JP2006335835A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2008081683A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物、半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2008144047A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Three M Innovative Properties Co 耐熱性マスキングテープ及びその使用方法
JP2010070622A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US8546959B2 (en) * 2008-12-10 2013-10-01 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin composition for encapsulating semiconductor, method for producing semiconductor device and semiconductor device
JP2010165940A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体素子の樹脂封止方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012121377A1 (ja) 2014-07-17
KR20140012672A (ko) 2014-02-03
TW201240032A (en) 2012-10-01
CN103415923A (zh) 2013-11-27
US20130337608A1 (en) 2013-12-19
JP6032197B2 (ja) 2016-11-24
WO2012121377A1 (ja) 2012-09-13
SG193419A1 (en) 2013-11-29
KR101872556B1 (ko) 2018-06-28
CN103415923B (zh) 2016-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI590394B (zh) 半導體裝置之製造方法
US20130134608A1 (en) Functional particle, functional particle group, filler, resin composition for electronic component, electronic component and semiconductor device
TWI825365B (zh) 樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體
JP7078138B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5799532B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
TWI543312B (zh) Method for manufacturing parts for laminated bodies and power semiconductor modules
KR20110017853A (ko) 전자 패키징
JP2021120462A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置
JP2020084094A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物、及び、電子装置
TWI710069B (zh) 有機樹脂基板之製造方法、有機樹脂基板及半導體裝置
TW201704434A (zh) 密封用樹脂組成物、電子零件之製造方法、及電子零件
TWI599574B (zh) 鏻化合物、含有其的環氧樹脂組成物及使用其製造的半導體裝置
JP7501105B2 (ja) 樹脂被覆無機粒子、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置、樹脂被覆無機粒子の製造方法
JP2020107767A (ja) 封止用樹脂組成物、中空パッケージおよびその製造方法
JP6776597B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置
TWI663220B (zh) 樹脂改質塡料之製造方法
TWI723211B (zh) 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置
JP2023183768A (ja) 封止用樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees