TWI578330B - Solid state semiconductor storage device with temperature control function and control method thereof - Google Patents

Description

具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置及其控制方法

本發明係有關於一種非揮發性記憶體之固態半導體儲存裝置，特別是一種具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置及其控制方法。

隨著固態半導體儲存裝置日漸普及，產生許多利用固態非揮發性記憶體記錄儲存數位資訊的應用，例如USB隨身碟、記憶卡以及固態磁碟機(Solid－State Disk drive,SSD)等。其中又以容量最大的固態磁碟機最適於可攜式電腦(如筆記型電腦、超級行動電腦(Ultra－mobile PC,UMPC)等)，藉以取代硬碟機並提供低耗電、高儲存速度、高可靠度等特性。為了提供更高的儲存容量及存取速度，固態半導體儲存裝置內部需設置複數個非揮發性記憶體，俾能同時進行資料讀取、記錄或抹除作業，藉以減少完成作業所需時間，達到提高存取速度之目的。

請參閱第一圖，習知固態磁碟機功能方塊圖所示，固態磁碟機1係包括電源管理單元11、非揮發性記憶體單元12、及控制單元13。電源管理單元11自應用系統(圖未示)接受其供應之電源，轉為固態磁碟機內部其他單元適用之電源形式。控制單元13經系統介面131連接應用系統以接收指令，並控制非揮發性記憶體單元12進行資料輸入、資料輸出、記憶頁寫入、記憶區塊抹除以及其他必要作業。控制單元13中利用系統介面131連接應用系統，記憶體介面132連接非揮發性記憶體單元12，由微處理器133執行應用系統指令、控制資料傳輸及非揮發性記憶體單元12等流程、與資料傳輸緩衝區134暫存傳輸資料等功能。而非揮發性記憶體單元12則由至少一個或以上之非揮發性記憶體所組成，其接受控制單元13下達之控制指令，記錄及提供應用系統傳輸儲存之數位資訊。

另如美國專利公告第US6725321號”Memory system”、美國專利公告第US6718406號”Memory array apparatus with reduced data accessing time and method for the same”及美國專利公開第20050010717號”Access and data management method using double parallel tracks for flash memory cells”等專利，亦提供有關固態磁碟機之系統架構與方法。然而，由於固態磁碟機內有多項電子元件同時作業，使固態磁碟機在可攜式電腦產生多餘的熱能，在散熱不易的可攜式電腦中，容易導致溫度上升，進而在高溫下產生操作不穩定的現象。

而習知針對溫度變化導致裝置操作不穩定之問題，如第二圖，習知具溫控裝置之記憶系統功能方塊圖所示，記憶體系統300係包括一控制器310及一記憶體裝置320，而控制器310係透過匯流排330來讀寫記憶體裝置320。控制器310中係包括一追蹤電路316及一控制電路315，而追蹤電路316係用於在一特定週期中監控記憶體裝置320之運作，其中記憶體裝置320之運作係包括被讀寫之次數或更新之次數等；而控制電路315係根據追蹤電路316監測記憶體裝置320運作所提供之資料與記憶體裝置320先前運作的經驗資料來判斷在特定時間週期中記憶體裝置320所產生之操作溫度，進而若控制電路315判斷出記憶體裝置320之操作溫度超過容許範圍，便利用於讀寫之操作間加入延遲時間，或是將記憶體裝置320切換於低功率模式等方式來調節記憶體裝置320，以降低記憶體裝置320的操作溫度。

然而，上述之相關技術係適用於揮發性隨機存取記憶體，其散發熱量僅與記憶體控制器存取記憶體之讀寫速度相關時才得以使用。而固態磁碟機內部所採用之儲存媒體為非揮發性記憶體(例如NAND型Flash記憶體)，做為大容量長時間保存資料使用，其存取作業方式與特性與前述技術所適用之揮發性記憶體有多項差異。以目前固態磁碟機主要採用之NADA型Flash記憶體為例，其與揮發性隨機存取記憶體差異包括：1. NADA型Flash記憶體之資料無法隨機存取，其需透過指令碼與指定之流程以較大單位之記憶頁或記憶區塊進行存取作業；2. NADA型Flash記憶體除如揮發性隨機存取記憶體一般之資料輸出/輸入作業外，另需進行記憶頁寫入或記憶區塊抹除作業方能完成記錄資料之動作；3.在功率消耗方面，由於NADA型Flash記憶體執行記憶頁寫入或記憶區塊抹除作業需要較長之時間，所以執行該些作業所消耗之功率較單純進行資料之輸出/輸入更高，散發之熱量亦較高。

由上述三點差異可知，NADA型Flash記憶體與揮發性隨機存取記憶體係分別具有不同之特性，所以前述針對記憶體溫度控制之相關技術，亦未能適用於固態磁碟機或其它固態半導體儲存裝置。一般固態半導體儲存裝置因為溫度所造成操作不穩定的問題，至今仍缺較佳之解決方案來改善。

有鑑於此，為避免固態半導體儲存裝置於高溫下產生操作不穩定的現象，必須於固態半導體儲存裝置內部設置溫度控制裝置及一更有效果的溫度控制方法，以達到持續穩定操作的目的。

為達上述目的，本發明提供一種具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置，其包括一非揮發性記憶體單元、一溫度感測元件及一控制單元。其中非揮發性記憶體單元用於儲存數位資訊。溫度感測元件用於感測該固態半導體儲存裝置之操作溫度，以提供一溫度感測信號。控制單元係利用一系統介面與一應用系統電性連接，以接收該應用系統所下達之指令；利用一記憶體介面與該非揮發性記憶體單元電性連接；利用一溫度感測介面與該溫度感測元件電性連接，以接收該溫度感測信號。而控制單元更包含一微處理器，其電性連接該系統介面、該記憶體介面、及該溫度感測介面，該微處理器根據該溫度感測信號判斷該固態碟機之操作溫度，並執行對應程序調整該固態碟機之操作模式。

為達上述目的，本發明再提供一種固態半導體儲存裝置之溫度控制方法，其步驟首先於一控制單元中根據不同操作溫度預設一溫度臨界值；然後透過一溫度感測元件偵測該固態半導體儲存裝置之操作溫度並發出一溫度感測信號回傳該控制單元；接著該控制單元比較該溫度感測信號值與該溫度臨界值，並根據比較結果，控制該固態半導體儲存裝置之動作狀態。

所以本發明利用溫度臨界值與固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值之比較，係可讓控制單元進入不同之操作模式，而不同之操作模式其控制單元有對應之指令執行速度及對非揮發性記憶體單元之存取速度，藉此達到溫度控制之功效。

為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取之技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得一深入且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

請參閱第三圖，係為本發明具溫度控制功能之固態半導體儲存裝置功能方塊圖。如圖所示具溫度控制功能之固態半導體儲存裝置4係包括電源管理單元41、非揮發性記憶體單元42、控制單元43、及溫度感測元件44。電源管理單元41接受從主機板或應用系統45(如：電腦、個人數位行動裝置或各種數位多媒體裝置)供應之電源，轉為固態半導體儲存裝置4內部各單元適用之電源形式。控制單元43經系統介面431連接應用系統45以接收指令，並對非揮發性記憶體單元42進行資料輸入、資料輸出、記憶頁寫入、記憶區塊抹除以及其他必要作業。控制單元43中利用系統介面431連接應用系統45，透過記憶體介面432連接非揮發性記憶體單元42。控制單元43進一步更包含一微處理器433，該微處理器433負責執行應用系統45所傳來之指令、控制資料傳輸及對非揮發性記憶體單元12的資料存取，與控制資料傳輸緩衝區434的暫存傳輸資料功能。而非揮發性記憶體單元42則由至少一個以上之非揮發性記憶體所組成，其接受控制單元43下達之控制指令，用於記錄或提供應用系統45所需之數位資訊，以及儲存控制單元43部分之控制用相關資訊。

溫度感測元件44用於感測固態半導體儲存裝置4之操作溫度，並透過控制單元43上所設置之溫度感測介面435提供溫度感測信號給微處理器433。微處理器433根據溫度感測元件44所提供之溫度感測信號判斷固態半導體儲存裝置4之操作溫度，並於該操作溫度感測信號值達到一預設之溫度臨界值以上時改變動作模式，調整控制單元43回應應用系統45下達指令之執行速度，以及控制單元43存取非揮發性記憶體單元42的方法。其中，溫度感測元件44係可為一熱電偶溫度感應器。

承上述，固態半導體儲存裝置4可進一步將溫度臨界值預設於控制單元43、非揮發性記憶體單元42或溫度感測元件44內，而溫度感測元件44可進一步結合一比較電路對溫度感測信號與預設溫度臨界值進行比較並將比較結果傳輸至控制單元43；另外，溫度臨界值除了可固定預設於上述單元或元件中外，也可透過應用系統45進行設定或調整；固態半導體儲存裝置4也可進一步就其操作特性，預先設定多個溫度臨界值與對應之操作模式，並且在操作溫度感測信號值達到不同溫度臨界值的情況下，讓該裝置進入不同的操作模式以為因應。接著以預先設定三個溫度臨界值、四種對應之操作模式為例做說明。

請參閱第四圖，係為本發明較佳實施例之固態半導體儲存裝置隨不同操作溫度感測結果切換操作模式之狀況設定表，及第五圖，係為本發明較佳實施例之固態半導體儲存裝置溫度感測信號值及操作模式隨時間與不同假設情境之變化示意圖。

當固態半導體儲存裝置4之操作溫度感測信號值低於第一溫度臨界值T1時，固態半導體儲存裝置4係進入第一操作模式M1，亦即正常操作模式，此時控制單元43以全速執行應用系統45下達之指令，並以全速存取非揮發性記憶體單元42。在第一操作模式M1時，固態半導體儲存裝置4提供最佳的存取效能，但消耗之功率及產生之熱量亦最高。

當固態半導體儲存裝置4之感測元件44所發出之操作溫度感測信號值高於第一溫度臨界值T1時，則該儲存裝置進入第二操作模式M2，亦即低度降溫模式，如第五圖S1所示。此時，控制單元43進入減速運作，亦即執行應用系統45下達指令之速度較低，惟仍以全速存取非揮發性記憶體單元42。在第二操作模式M2時，固態半導體儲存裝置4之存取效能及消耗之功率皆低於操作在第一操作模式M1，以俾於不至大幅影響資料存取效能的情況下，達到低度降溫的效果。若應用系統45並未對固態半導體儲存裝置4連續進行大量資料存取之作業，則一般而言，其內部操作溫度將逐漸下降返回低於第一溫度臨界值T1所對應之溫度，控制單元43隨即將操作模式切回第一操作模式，以提供最佳之資料存取效能，如第五圖S1至S2所示。

接著若應用系統45持續對固態半導體儲存裝置4連續進行大量資料存取作業，或裝置固態半導體儲存裝置4之週遭環境溫度較高，或散熱條件不佳時，即使進入第二操作模式M2減低運作產生之熱量仍可能無法達到降低溫度的目的。此時，溫度持續的上升，如第五圖S3至S4所示。當內部操作溫度感測信號值超過第二溫度臨界值T2時，固態半導體儲存裝置4即進入第三操作模式M3，亦即高度降溫模式，更進一步降低控制單元43之執行速度，並同時減低存取非揮發性記憶體單元42之存取速度，以達在嚴苛的環境下，持續穩定操作的目的，如第五圖S4所示。

而前述之減低存取非揮發性記憶體單元42之存取速度，可包括減低資料輸出或輸入之傳輸率、減少平行或交錯執行記憶頁寫入作業、減少平行或交錯執行記憶區塊抹除作業、減少執行記憶頁寫入作業、減少執行記憶區塊抹除作業、加大執行記憶頁寫入作業之時間間隔、加大執行記憶區塊抹除作業之時間間隔等作業方式。

若裝置固態半導體儲存裝置4之環境，可能因週遭環境有其他熱源且散熱不良的緣故，可能導致即使於第三操作模式M3高度降溫後，其內部操作溫度能持續上升的情況。如第五圖S4至S5所示，即使固態半導體儲存裝置4進入第三操作模式M3，仍僅能減緩溫度上升的趨勢，尚未能完全遏止操作溫度上升的現象。此時，操作溫度即持續上升直到超過固態半導體儲存裝置4能維持穩定運作之容許值，同時操作溫度感測信號值達到第三溫度臨界值T3，如第五圖S5所示。操作溫度既已超出固態半導體儲存裝置4能維持穩定運作之上限，控制單元43即進入第四操作模式M4，以回應過熱錯誤之狀態。此時，對於應用系統45下達之指令，控制單元43均回應錯誤訊息，並停止存取非揮發性記憶體單元42，直到內部操作溫度返回至低於第三溫度臨界值T3所對應之溫度，控制單元43重新返回第三操作模式M3為止，如第五圖S6所示。

由上述之說明可知，本發明具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置係根據固態半導體儲存裝置之操作溫度感測結果來改變控制單元43之執行速度及對非揮發性記憶體單元42之存取速度，以有效降低散發之熱量，進而達到持續穩定操作的目的。

請參閱第六圖，係為本發明具有溫度控制之固態半導體儲存裝置之另一較佳實施例之功能方塊圖。如圖所示，於固態半導體儲存裝置7中除設置溫度感測元件44外，再增設一溫度控制元件71，當溫度感測元件44感測內部溫度超過一預設值所對應之溫度時，控制單元43除改變執行速度及對非揮發性記憶體單元42之存取速度外，更可啟動該溫度控制元件71以提高散熱效率並加快溫度降低之速度。其中，溫度控制元件71係可為電力驅動之風扇或固態冷卻裝置。

另外，本發明更可於固態半導體儲存裝置7所連接之應用系統45上執行一應用程式451來監控儲存裝置7的內部操作溫度，當內部操作溫度感測信號值超過一預設值時，由控制單元43經系統介面431傳輸一信號回饋至應用程式451，再由應用程式451產生一訊息通知應用系統45之使用者或啟動系統中之另一溫度控制元件。

接著請參閱第七圖，係為本發明固態半導體儲存裝置之溫度控制方法流程圖。首先於固態半導體儲存裝置中預先設定至少一溫度臨界值(如圖步驟S801)，然後利用溫度感測元件感測固態半導體儲存裝置之操作溫度，接著由控制單元比較固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值與預設之溫度臨界值(如圖步驟S803)。若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值超過溫度臨界值，則固態半導體儲存裝置之控制單元降低執行速度及其對非揮發性記憶體單元之存取速度(如圖步驟S805)。而其中，控制單元的執行速度及對非揮發性記憶體單元之存取速度之控制方式可包括，控制單元減低執行應用系統所下達之指令的速度及控制單元全速存取非揮發性記憶體單元、控制單元以低速執行應用系統所下達之指令並減低存取非揮發性記憶體單元之速度、或控制單元對應用系統所下達之指令回應錯誤訊息及控制單元停止存取非揮發性記憶體單元。

承上述，若於固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值超過溫度臨界值時，可進一步啟動固態半導體儲存裝置中之溫度控制元件(如圖步驟S807)。並可於固態半導體儲存裝置所連接之應用系統上執行一應用程式，以接收固態半導體儲存裝置操作溫度感測狀態之訊息，並通知應用系統之使用者或啟動系統之應對處理程序。

接下來請參閱第八圖，係為本發明較佳實施例之固態半導體儲存裝置之溫度控制方法流程圖。首先於固態半導體儲存裝置之控制單元中設定一第一溫度臨界值、一第二溫度臨界值、及一第三溫度臨界值，藉此將該控制單元之操作模式區分為第一操作模式、第二操作模式、第三操作模式、及第四操作模式。而其中第一操作模式係為控制單元全速執行應用系統所下達之指令及全速存取非揮發性記憶體單元，第二操作模式係為控制單元減低執行應用系統所下達之指令的速度及全速存取非揮發性記憶體單元，第三操作模式係為控制單元以低速執行應用系統所下達之指令及減低存取非揮發性記憶體單元之速度、而第四操作模式係為控制單元對應用系統所下達之指令均回應錯誤訊息及停止存取非揮發性記憶體單元。

在固態半導體儲存裝置啟動後，便利用一溫度感測元件偵測該儲存裝置之操作溫度，然後該裝置內的控制單元比較該儲存裝置之操作溫度感測信號值是否超過第一溫度臨界值(如圖步驟S905)，若未超過第一溫度臨界值，則控制單元進入第一操作模式(如圖步驟S907)並持續進行偵測與比較的動作。

而若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值超過第一溫度臨界值，則控制單元進入第二操作模式(如圖步驟S909)，然後持續偵測及比較固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值是否低於第一溫度臨界值(如圖步驟S911)。若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值低於第一溫度臨界值，則返回至步驟S907，而若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值未低於第一溫度臨界值，則比較固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值是否超過第二溫度臨界值(如圖步驟S913)。

若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值未超過第二溫度臨界值，則返回步驟S909，而若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值超過第二溫度臨界值，則控制單元進入第三操作模式(如圖步驟S915)。然後持續偵測及比較固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值是否低於第二溫度臨界值(如圖步驟S917)，若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值低於第二溫度臨界值，則返回步驟S909。而若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值未低於第二溫度臨界值，則比較固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值是否超過第三溫度臨界值(如圖步驟S919)。若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值未超過第三溫度臨界值，則返回步驟S915。而若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值超過第三溫度臨界值，則控制單元進入第四操作模式(如圖步驟S921)。接著持續偵測及比較固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值是否低於第三溫度臨界值(如圖步驟S923)，若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值未低於第三溫度臨界值，則返回步驟S921，若固態半導體儲存裝置之操作溫度感測信號值低於第三溫度臨界值，則返回步驟S915。

綜上所述，為避免固態半導體儲存裝置於高溫下產生操作不穩定的現象，本發明係提供了一有效的具溫度控制功能的固態半導體儲存裝置及其控制方法，使固態半導體儲存裝置根據不同之操作溫度調整適當之操作模式，以執行相關之溫度控制機制來降低散發之熱量，達到持續穩定操作的目的

上所述者，僅為本發明其中的較佳實施例而已，並非用來限定本發明的實施範圍，例如前述之各項介面尚可被進一步整合於相關元件中；即凡依本發明申請專利範圍所作的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

固態磁碟機．．．1

電源管理單元．．．11

非揮發性記憶體單元．．．12

控制單元．．．13

系統介面．．．131

記憶體介面．．．132

微處理器．．．133

資料傳輸緩衝區．．．134

記憶體系統．．．300

控制器．．．310

控制電路．．．315

追蹤電路．．．316

記憶體裝置．．．320

匯流排．．．330

固態半導體儲存裝置．．．4,7

電源管理單元．．．41

非揮發性記憶體單元．．．42

控制單元．．．43

系統介面．．．431

記憶體介面．．．432

微處理器．．．433

資料傳輸緩衝區．．．434

溫度感測介面．．．435

溫度感測元件．．．44

應用系統．．．45

應用程式．．．451

溫度控制元件．．．71

第一溫度臨界值．．．T1

第二溫度臨界值．．．T2

第三溫度臨界值．．．T3

第一操作模式．．．M1

第二操作模式．．．M2

第三操作模式．．．M3

第四操作模式．．．M4

第一圖係為習知固態磁碟機功能方塊圖；第二圖係為習知具溫控裝置之記憶系統功能方塊圖；第三圖係為本發明具溫度控制功能之固態半導體儲存裝置功能方塊圖；第四圖係為本發明較佳實施例之固態半導體儲存裝置隨操作溫度感測信號值切換操作模式之狀況設定表；第五圖係為本發明較佳實施例之固態半導體儲存裝置溫度感測信號值及操作模式隨時間與不同假設情境之變化示意圖；第六圖係為本發明具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置之另一較佳實施例之功能方塊圖；及第七圖係為本發明固態半導體儲存裝置之溫度控制方法流程圖；及第八圖係為本發明較佳實施例之固態半導體儲存裝置之溫度控制方法流程圖。

固態半導體儲存裝置．．．4

電源管理單元．．．41

非揮發性記憶體單元．．．42

控制單元．．．43

系統介面．．．431

記憶體介面．．．432

微處理器．．．433

資料傳輸緩衝區．．．434

溫度感測介面．．．435

溫度感測元件．．．44

應用系統．．．45

Claims (19)

1. 一種具有溫度控制功能之固態半導體儲存裝置，該儲存裝置進一步包括：一非揮發性記憶體單元，用於儲存數位資訊；一溫度感測元件，用於感測該固態半導體儲存裝置之操作溫度，並產生一溫度感測信號；及一控制單元，係分別電性連接於該溫度感測元件與該非揮發性記憶體單元，並接收該溫度感測元件所產生之該溫度感測信號；其中該固態半導體儲存裝置更預設有至少一溫度臨界值，該控制單元比較該溫度感測信號值與該溫度臨界值，且根據該溫度感測信號值與該溫度臨界值之比較結果執行對應程序以調整執行一應用系統對該儲存裝置所下達之指令之速度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該固態半導體儲存裝置所包括之該溫度感測元件係為一熱電偶溫度感應器。
3. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該應用系統係為一電腦。
4. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該應用系統係為一個人數位行動裝置。
5. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該應用系統係為一數位多媒體裝置。
6. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括由該控制單元啟動一溫度控制 元件。
7. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括由該儲存裝置傳輸一信號至該應用系統以使該系統執行應對之程序。
8. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括該控制單元調整存取該非揮發性記憶體單元之速度。
9. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括該控制單元全速執行該應用系統對該儲存裝置所下達之指令。
10. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括該控制單元全速存取該非揮發性記憶體單元。
11. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括該控制單元用較全速低之速度執行該應用系統對該儲存裝置所下達之指令。
12. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括該控制單元用較全速低之速度存取該非揮發性記憶體單元。
13. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該控制單元用較全速低之速度存取該非揮發性記憶體單元係利用減低資料輸出或輸入之傳輸率、減少平行或交錯執行記憶頁寫入作業、減少平行或交錯執行記憶區塊抹除作業、減少執行記憶頁寫入作業、減少執行記憶區塊抹除作業、加大執行記憶頁寫入作 業之時間間隔、及加大執行記憶區塊抹除作業之時間間隔之至少其中之一方式來達成。
14. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該對應程序包括該控制單元停止存取該非揮發性記憶體單元。
15. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該固態半導體儲存裝置更包括一溫度控制元件，係電性連接於該控制單元，用以降低該儲存裝置之溫度。
16. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該溫度控制元件係為電力驅動之風扇或固態冷卻裝置。
17. 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體儲存裝置，其中該應用系統更包括一應用程式，用於接收該固態半導體儲存裝置發出之信號並產生一該儲存裝置之溫度監控訊息。
18. 一種預設有至少一個溫度臨界值的具非揮發性記憶體的固態半導體儲存裝置，其組成包括：一控制單元，該控制單元電性連接於該非揮發性記憶體；及一溫度感測元件電性連接於控制單元，該溫度感測元件用以偵測該儲存裝置之操作溫度，並發出一溫度感測信號；其中該固態半導體儲存裝置更預設有至少一溫度臨界值，該控制單元比較該溫度感測信號值與該溫度臨界值，且根據該溫度感測信號值與該溫度臨界值 之比較結果執行對應程序以調整執行一應用系統對該儲存裝置所下達之指令之速度。
19. 一種用來控制非揮發性半導體之控制元件，其組成包括：一系統介面，用以與一應用系統電性連接，以接收該系統所下達之指令；一記憶體介面，用以與該非揮發性記憶體電性連接；一溫度感測介面，用以與一溫度感測元件電性連接，以接收該溫度感測元件所傳輸之溫度感測信號；及一微處理器，係分別電性連接於該系統介面、該記憶體介面及該溫度感測介面；其中該微處理器透過該記憶體介面控制該非揮發性記憶體；其中該微處理器透過該系統介面接收並執行該應用系統所下達之指令；其中該微處理器透過該溫度感測介面接收該溫度感測信號；其中該控制元件更預設有至少一個溫度臨界值，該微處理器對該溫度感測信號值與該溫度臨界值進行比較，並根據比較結果執行對應程序以調整執行該應用系統對該儲存裝置所下達之指令之速度。