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TWI568035B - A light emitting element, a method of manufacturing the same, and a light emitting device - Google Patents

A light emitting element, a method of manufacturing the same, and a light emitting device Download PDF

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TWI568035B
TWI568035B TW101136600A TW101136600A TWI568035B TW I568035 B TWI568035 B TW I568035B TW 101136600 A TW101136600 A TW 101136600A TW 101136600 A TW101136600 A TW 101136600A TW I568035 B TWI568035 B TW I568035B
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TW
Taiwan
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light
wavelength conversion
group
mol
emitting element
Prior art date
Application number
TW101136600A
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English (en)
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TW201322505A (zh
Inventor
Satoshi Kuretake
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Publication of TW201322505A publication Critical patent/TW201322505A/zh
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Description

發光元件、其製造方法及發光裝置
本發明係關於一種發光元件、其製造方法及發光裝置。
先前，作為白色光源，眾所周知有如下者：包含藍色LED(Light Emitting Diode，發光二極體)及含有螢光體之波長轉換元件，且出射白色光，該白色光係自藍色LED出射並透過螢光體之光與來自螢光體之螢光的混合光(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特表2010-512014號公報
然而，於利文獻1所記載之白色光源中，存在因藍色LED之發光特性之差異或變動等而導致出射光之色調發生變化之情況。又，自藍色LED或波長轉換元件出射之光之波長頻帶較窄。因此，於專利文獻1所記載之白色光源中，難以獲得優異之顯色性。
鑒於此種問題，業界要求一種產生較寬之波長頻帶之發光之發光元件。
本發明之主要目的在於提供一種產生較寬之波長頻帶之發光之發光元件。
本發明之發光元件包括第1波長轉換部及第2波長轉換部。第2波長轉換部配置於第1波長轉換部上。第1波長轉換部包含以由A1B1Ow1(其中，A1包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W1為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷。第2波長轉換部包含以由A2B2Ow2(其中，A2包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B2包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W2為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷。A1中之La之含量多於A2中之La之含量。A2中之Y、Gd及Lu之含量多於A1中之Y、Gd及Lu之含量。
於本發明之發光元件之某個特定態樣中，A1包含La及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi。B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種。A2包含選自Gd及Y中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi。B2包含選自Zr及Hf中之至少一種。
於本發明之發光元件之另一特定態樣中，於照射波長為360 nm之光時，自第1波長轉換部出射之光與自第2波長轉換部出射之光的混合光為白色。
於本發明中，所謂「白色」係指如下光源：於CIE(International Commission on Illumination，國際照明委員會)1960 uv色度圖中，光源之色度座標與黑體輻射軌道之 距離duv為0.02以下，且成為該最接近之黑體輻射軌道上之溫度、即相關色溫為3000 K~10000 K。
於本發明之發光元件之又一特定態樣中，發光元件進而包括設置於第1波長轉換部與第2波長轉換部之間的相互擴散層。
於本發明之發光元件之製造方法中，形成含有第1螢光體或其前驅物之第1陶瓷生片。形成含有第2螢光體或其前驅物之第2陶瓷生片。積層上述第1陶瓷生片與上述第2陶瓷生片而製作積層體。進行如下燒結步驟：藉由燒結積層體，而獲得包含由第1陶瓷生片形成之第1波長轉換部、及由第2陶瓷生片形成且與第1波長轉換部接合之第2波長轉換部的發光元件。
於本發明之發光元件之製造方法之某個特定態樣中，於燒結步驟中，以於第1波長轉換部與第2波長轉換部之間形成相互擴散層之方式燒結積層體。再者，此時亦能以緩和因燒結而產生之應力為目的，而於第1生片與第2生片之間包含具有各個生片之中間組成的第3生片，該情形亦不會影響到以下說明中之作用、效果。又，於此情形時，存在可抑制龜裂之產生率之情形。
於本發明之發光元件之製造方法之另一特定態樣中，第1螢光體包含以由A1B1Ow1(其中，A1包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W1為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化 合物為主成分之陶瓷。第2螢光體包含以由A2B2Ow2(其中，A2包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B2包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W2為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷。A1中之La之含量多於A2中之La之含量。A2中之Y、Gd及Lu之含量多於A1中之Y、Gd及Lu之含量。
本發明之發光裝置包含上述發光元件、及對發光元件出射發光元件之激發光之光源。
根據本發明，可提供一種產生較寬之波長頻帶之發光之發光元件。
以下，對實施本發明之較佳形態之一例進行說明。其中，下述實施形態僅為例示。本發明並不受下述實施形態任何限定。
實施形態中所參照之圖式係模式性地記載者，存在圖式中所描繪之物體之尺寸比率等與實物之尺寸比率等有所不同之情形。具體物體之尺寸比率等應參酌以下之說明而進行判斷。
圖1所示之發光元件1係於激發光入射時發出波長長於激發光之波長之光的元件。
發光元件1包含第1波長轉換部11及第2波長轉換部12。第2波長轉換部12配置於第1波長轉換部11上。即，第1波 長轉換部11與第2波長轉換部12積層。
第1波長轉換部11與第2波長轉換部12相互接合。於第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間設置有未圖示之相互擴散層。該相互擴散層係藉由第1波長轉換部11之成分與第2波長轉換部12之成分相互擴散而形成之層。藉由該相互擴散層，第1波長轉換部11與第2波長轉換部12牢固地接合。又，藉由設置相互擴散層，可使第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間的折射率變化緩和。因此，可使第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間的界面之光之反射率降低。其結果為可提高光之出射效率。
第1波長轉換部11含有第1螢光體，該第1螢光體包含以由A1B1Ow1(其中，A1包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W1為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷。
再者，於以由A1B1Ow1所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷中，莫耳比A1：B1並不嚴格地限定於1：1。本發明中，於以由A1B1Ow1所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷中，亦包含莫耳比A1/B1為0.95~1.05者。
另一方面，第2波長轉換部12含有第2螢光體，該第2螢光體包含以由A2B2Ow2(其中，A2包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B2包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種， W2為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷。
再者，於以由A2B2Ow2所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷中，莫耳比A2：B2並不嚴格地限定於1：1。本發明中，於以由A2B2Ow2所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷中，亦包含莫耳比A2/B2為0.95~1.05者。
再者，W2既可與W1相同，亦可不同。W1及W2可分別設為例如3.5。即，作為A1B1Ow1之具體例，可列舉A1 2B1 2O7。作為A2B2Ow2之具體例，可列舉A2 2B2 2O7。
第1及第2螢光體較佳為由A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示之陶瓷於還原氣氛中經熱處理而成者。
此處，與例如Ce：YAG螢光體等代表性白色LED用螢光體相比，包含由A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示之陶瓷之第1及第2螢光體產生較寬之波長頻帶之發光。又，於本實施形態中，A1中之La之含量多於A2中之La之含量。而且，A2中之Y、Gd及Lu之含量多於A1中之Y、Gd及Lu之含量。因此，自包含由A1B1Ow1所表示之陶瓷之第1螢光體出射之發光中包含發光之中心波長位於相對較長波長側之寬頻帶之發光，自包含由A2B2Ow2所表示之陶瓷之第2螢光體出射之發光中包含發光之中心波長位於相對較短波長側之寬頻帶之發光。因此，自第1螢光體出射之寬頻帶之光與自第2螢光體出射之寬頻帶之光的混合光之波長頻帶較寬。即，發光元件1產生較寬之波長頻帶之發光。因此，可實現優異之顯色性。又，可獲得出射白光之發光元件1。具體而 言，較佳為照射波長為360 nm之光時自第1波長轉換部11出射之光與自上述第2波長轉換部12出射之光的混合光為白色。
包含由A1B1Ow1所表示之陶瓷之第1螢光體較佳為發出發光之中心波長處於550 nm~700 nm之光，更佳為發出處於600 nm~700 nm之光。包含由A2B2Ow2所表示之陶瓷之第2螢光體較佳為發出發光之中心波長處於400 nm~550 nm之光，更佳為發出處於400 nm~500 nm之光。
於第1螢光體中，A1較佳為包含La及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi。又，B1較佳為包含選自Zr、Sn及Hf中之一種以上。
於第2螢光體中，A2較佳為包含選自Gd及Y中之一種以上及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi。又，B2較佳為包含選自Hf及Zr中之一種以上。
再者，由A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示之陶瓷之主成分之晶系亦可為立方晶。
由A1B1Ow1或A2B2Ow2所表示之陶瓷除含有A1或A2、B1或B2、O成分以外，亦可含有不可避免地混入之雜質(以下稱為「不可避免之雜質」。作為不可避免之雜質之具體例，可列舉SiO2、B2O3、Al2O3等。
接下來，對發光元件1之製造方法之一例進行說明。
首先，製作含有包含由A1B1Ow1所表示之陶瓷之第1螢光體或其前驅物的第1陶瓷生片。具體而言，製備含有第1螢光體之第1漿料。其次，例如藉由絲網印刷法等將第1漿料 塗佈於樹脂片材等上，藉此而製作第1陶瓷生片。此處，所謂第1螢光體之前驅物係指可藉由實施熱處理等而成為第1螢光體之物質。
同樣，製作含有包含由A2B2Ow2所表示之陶瓷之第2螢光體或其前驅物的第2陶瓷生片。此處，所謂第2螢光體之前驅物係指可藉由實施熱處理等而成為第2螢光體之物質。
繼而，積層第1陶瓷生片與第2陶瓷生片。例如，可積層複數片第1陶瓷生片，並且積層複數片第2陶瓷生片。第1及第2陶瓷生片各自之積層片數可根據各陶瓷生片之厚度與所欲獲得之波長轉換部之厚度而適當設定。亦可視需要而壓製積層體。
繼而，燒結積層體(燒結步驟)。積層體之燒結例如可於含氧之氣氛下進行。燒結溫度(最高溫度)例如可設為1500℃~1800℃左右。燒結溫度(最高溫度)之保持時間例如可設為5小時~100小時左右。
其後，視需要而於還原氣氛中對燒結體進行熱處理(還原熱處理)。該熱處理步驟例如可於H2/H2O氣氛下進行。燒結體之熱處理溫度(最高溫度)例如較佳為800℃~1200℃，更佳為900℃~1100℃。又，燒結體之熱處理溫度(最高溫度)之保持時間例如可設為1小時~100小時左右。
藉由以上步驟，可完成發光元件1，該發光元件1包含由至少一個第1陶瓷生片形成之第1波長轉換部11及由至少一個第2陶瓷生片形成且與第1波長轉換部材11接合之第2波 長轉換部12。
再者，於燒結步驟中，較佳為於在第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間形成相互擴散層之條件下燒結積層體。
且說，亦可考慮藉由分別製作複數個波長轉換部，使用玻璃或樹脂接著劑等貼合其等而製作發光元件。然而，於此情形時，因波長轉換部與接著層之間的界面之反射而導致光之出射效率降低。若於波長轉換部與接著層之間的界面產生全反射，則光被封入波長轉換層中，因此光之提取效率容易進一步降低。
相對於此，於本實施形態中，藉由將積層有第1陶瓷生片及第2陶瓷生片之積層體燒結，而製作包括相互接合之第1波長轉換部11及第2波長轉換部12之發光元件1。因此，無需於第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間設置接著層。因此，可抑制第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間的界面之光的反射或封入。因此，可實現較高之光提取效率。
進而，於設置有相互擴散層之情形時，於第1波長轉換部11與第2波長轉換部12之間，折射率於厚度方向漸變。因此，可更有效地抑制光之反射。
發光元件1可與光源等組合而製成發光裝置。圖8係包含發光元件1之第1發光裝置6之簡略剖面圖。第1發光裝置6包含發光元件1及光源2。發光元件1配置於基板4上。光源2與發光元件1隔開間隔而配置。光源2對發光元件1出射發 光元件1之激發光。作為光源2，例如可列舉LED等。發光元件1藉由接收來自光源2之激發光而發光。於第1發光裝置6中，來自光源2之激發光之一部分由反射器3反射而到達發光元件1。
就光之提取效率提高或指向性調整之觀點等而言，發光元件1之表面亦可藉由研磨等機械加工或雷射剝蝕加工等而加工成透鏡形狀或蛾眼結構等。又，就同樣之觀點而言，亦可於發光元件1之表面配置其他材料，該其他材料包含藉由研磨等機械加工或雷射剝蝕加工等而加工成透鏡形狀或蛾眼結構等之樹脂或玻璃等。
圖9係第2發光裝置7之簡略剖面圖。於第2發光裝置7中，發光元件1與光源2經由磊晶晶圓5而連接。發光元件1與磊晶晶圓5例如可藉由使用接著劑之方法或利用熱擴散之方法等而連接。磊晶晶圓5例如由藍寶石、碳化矽、矽、氮化鋁、氮化鎵等而構成。於第2發光裝置7之光源2中，依序配置有第1電極24、p型層22、發光層23及n型層21。p型層22與第1電極24電性連接。n型層21與第2電極25電性連接。
圖10係第3發光裝置8之簡略剖面圖。於第3發光裝置8中，發光元件1與光源2不經由磊晶晶圓5而直接連接。
圖11係第4發光裝置9之簡略剖面圖。於第4發光裝置9中，發光元件1與光源2不隔開間隔地接觸。
以下，根據具體實施例，對本發明進一步進行詳細說明，但本發明並不受以下實施例任何限定，可於不變更其 主旨之範圍內進行適當變更而實施。
(實施例1)
首先，準備高純度之La(OH)3、Gd2O3、Y2O3、ZrO2、HfO2、SnO2、Bi2O3作為原料。以成為下述表1所示之組成A之方式稱量該等原料，於球磨機中濕式混合20小時。使所獲得之混合物乾燥後，以1300℃預燒3小時，獲得預燒物。將該預燒物與水及有機分散劑及有機黏合劑一併投入球磨機中，濕式粉碎12小時。其次，使所獲得之粉碎物成形為厚度60 μm之生片。將所獲得之生片以成為10 mm見方之方式切出，將其重疊15片並以2 t/cm2之壓力進行加壓，藉此製作10 mm見方、厚度約0.8 mm之第1成形體。
除以成為下述表1所示之組成B之方式進行稱量以外，以同樣之方式獲得第2成形體。
繼而，將第1成形體及第2成形體各者於氧氣濃度為約98%之氣氛下以1700℃煅燒20小時。於900℃之H2/H2O還原氣氛下(氧分壓：1×10-15 Mpa)對所獲得之燒結體進行3小時熱處理。其後，藉由對各樣本之兩面進行鏡面研磨，使厚度為0.5 mm，從而分別獲得第1樣本及第2樣本。將對 各樣本進行XRD(X-ray diffraction，X射線繞射)分析之結果示於圖2及圖3。
根據圖2及圖3所示之結果可知，於第1樣本中包含具有由La2Zr2O7所示之組成之燒綠石結構之化合物。又，可知於第2樣本中包含具有由Gd2Hf2O7所示之組成之燒綠石結構之化合物。
繼而，將與第1及第2樣本之製作中所使用者不同之第1成形體與第2成形體積層，以2 t/cm2之壓力進行加壓，藉此而獲得10 mm見方、厚度約1.5 mm之第3成形體。
繼而，將第3成形體於氧氣濃度為約98%之氣氛下以1700℃煅燒20小時。於900℃之H2/H2O還原氣氛下(氧分壓：1×10-15 MPa)對所獲得之燒結體進行3小時熱處理。其後，藉由對燒結體之兩面進行鏡面研磨，獲得厚度1.0 mm之積層發光元件(樣本3)。
繼而，對樣本3之第1成形體與第2成形體之接合界面之附近部分進行WDX(Wavelength Dispersive X-Ray，波長色散X射線)元素面分析。將結果示於圖4及圖5。
根據圖4及圖5所示之結果可知，於界面形成有近100 μm左右之厚度之相互擴散層。
對所製作之第1~第3樣本，分別使用浜松光子股份有限公司製造之多通道分光器(PMA-12)進行照射波長360 nm之紫外線時之螢光分光測定。圖6中表示第1~第3樣本各自之發光光譜。根據圖6所示之結果可知，自本發明之第3樣本可獲得寬頻帶之發光。
又，自第1樣本觀察到橙色之發光，詳細而言為相關色溫為2100 K、duv=0.008之發光。另一方面，自第2樣本觀察到藍色之發光，詳細而言為相關色溫為11800 K(參考值)、duv=0.037之發光。另一方面，自第3樣本觀察到白色之發光，詳細而言為相關色溫為4800 K、duv=0.005之發光。
此處，所謂「相關色溫」，表示CIE 1960 uv色度圖中位於距發光之色度座標最近之位置之黑體輻射軌道上的點之黑體之溫度，「duv」表示該等之距離。再者，依據JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準)標準Z8725：1999，將可以相關色溫表示者之duv設為0.02以內，因此記載第2樣本之相關色溫作為參考值。
將根據第3樣本之發光光譜，基於JIS Z 8726而求出平均顯色評價指數Ra及特殊顯色評價指數R9~R15之結果示於表2。
此處，所謂「顯色評價指數」係以指數表示如何忠實地再現基準光源之照射時所獲得之物體之色彩，判斷為越接近100，顯色性越佳。再者，「平均顯色評價指數」表示JIS Z 8726之規定中所具有之試驗色No.1~No.8中之顯色評價指數的平均值，「特殊顯色評價指數」表示試驗色No.9~No.15之顯色評價指數。
根據表2所示之結果可知，可獲得大部分顯色評價指數為95以上之極其優異之顯色性。
(實施例2)
除準備高純度之La(OH)3、Gd2O3、Y2O3、ZrO2、HfO2、SnO2、Bi2O3作為原料，以成為表1所示之組成C或D之方式稱量該等原料以外，利用與實施例1完全相同之方法，製作包含組成C之t=0.5 mm之燒結體基板(樣本4)、包含組成D之t=0.5 mm之燒結體基板(樣本5)、及將組成C與組成D積層燒結而成之t=1.0 mm的積層發光元件(樣本6)。
對所製作之第4~第6樣本，與實施例1同樣地進行螢光分光測定，圖7中表示發光光譜。
根據圖7所示之結果可知，自本發明之第6樣本可獲得寬頻帶之發光。將樣本6之相關色溫(K)、duv、平均顯色評價指數示於表2。
(實施例3)
除於實施例1中之生片之積層數中將組成A設為10層，將組成B設為20層以外，利用與實施例1完全相同之方法製作新積層發光元件，作為樣本7。同樣地，亦製作將組成A設為20層、組成B設為10層的積層發光元件，作為樣本8。將樣本7、8之相關色溫(K)、duv、平均顯色評價指數示於表2。
根據表2所示之結果可知，根據本發明，可於相關色溫2800 K~5800 K之較寬之色溫範圍獲得顯色評價指數為大致95以上之顯色性極其優異之光源。
(比較例1)
藉由與實施例1同樣之方法製作包含組成A之t=0.5 mm之燒結體基板、包含組成B之t=0.5 mm之燒結體基板，獲得以透明環氧樹脂貼合其等而成之10 mm見方、厚度1.0 mm的比較樣本1。
對比較樣本1與第3樣本進行發光量之比較。以下，說明評價方法。
．首先，準備波長360 nm之UV-LED(Ultraviolet-Light Emitting Diode，紫外發光二極體)晶片，於在該晶片上配置試樣之狀態下對試樣照射UV-LED之光。
．將自試樣之前面部出射之所有光吸收至積分球中，藉由浜松光子股份有限公司製造之多通道分光器(PMA-12)測定發光光譜強度。
．於可見光區域400 nm~700 nm之範圍對所獲得之發光光譜進行波長積分，作為發光強度。
將樣本3及比較樣本1中之發光量之測定結果分別示於表3。
根據表3所示之結果可知，樣本3之發光量與比較樣本1 相比增大。因此可知，於使用複數個燒結體基板作為波長轉換層之情形時，相較於與以接著劑接合基板間者，藉由燒結而接合者更可提高對前面之光提取效率。
1‧‧‧發光元件
2‧‧‧光源
3‧‧‧反射器
4‧‧‧基板
5‧‧‧磊晶晶圓
6‧‧‧第1發光裝置
7‧‧‧第2發光裝置
8‧‧‧第3發光裝置
9‧‧‧第4發光裝置
11‧‧‧第1波長轉換部
12‧‧‧第2波長轉換部
21‧‧‧n型層
22‧‧‧p型層
23‧‧‧發光層
24‧‧‧第1電極
25‧‧‧第2電極
圖1係本發明之一實施形態之發光元件之簡略剖面圖。
圖2係表示第1樣本之XRD分析結果之圖表。
圖3係表示第2樣本之XRD分析結果之圖表。
圖4係表示對樣本3之第1成形體與第2成形體之接合界面之附近部分進行WDX元素面(Zr)分析之結果的照片。
圖5係表示對樣本3之第1成形體與第2成形體之接合界面之附近部分進行WDX元素面(Hf)分析之結果的照片。
圖6係表示第1~第3樣本各自之發光光譜之圖表。
圖7係表示第4~第6樣本各自之發光光譜之圖表。
圖8係第1發光裝置之簡略剖面圖。
圖9係第2發光裝置之簡略剖面圖。
圖10係第3發光裝置之簡略剖面圖。
圖11係第4發光裝置之簡略剖面圖。

Claims (7)

  1. 一種發光元件，其包括：第1波長轉換部；及第2波長轉換部，其配置於上述第1波長轉換部上；且上述第1波長轉換部包含以由A1B1Ow1(其中，A1包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W1為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷；上述第2波長轉換部包含以由A2B2Ow2(其中，A2包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B2包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W2為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷；上述A1中之La之含量多於上述A2中之La之含量；上述A2中之Y、Gd及Lu之含量多於上述A1中之Y、Gd及Lu之含量；且於照射波長為360nm之光時，自上述第1波長轉換部出射之光與自上述第2波長轉換部出射之光的混合光為白色。
  2. 如請求項1之發光元件，其中上述A1包含La及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，上述B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種， 上述A2包含選自Gd及Y中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，上述B2包含選自Zr及Hf中之至少一種。
  3. 如請求項1或2之發光元件，其進而包括設置於上述第1波長轉換部與上述第2波長轉換部之間的相互擴散層。
  4. 一種發光元件之製造方法，其包括如下步驟：形成含有第1螢光體或其前驅物之第1陶瓷生片；形成含有第2螢光體或其前驅物之第2陶瓷生片；積層上述第1陶瓷生片與上述第2陶瓷生片而製作積層體；及燒結步驟，其係藉由燒結上述積層體，而獲得包含由上述第1陶瓷生片形成之第1波長轉換部、及由上述第2陶瓷生片形成且與上述第1波長轉換部接合之第2波長轉換部的發光元件。
  5. 如請求項4之發光元件之製造方法，其中於上述燒結步驟中，以於上述第1波長轉換部與上述第2波長轉換部之間形成相互擴散層之方式燒結上述積層體。
  6. 如請求項4或5之發光元件之製造方法，其中上述第1螢光體包含以由A1B1Ow1(其中，A1包含選自由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B1包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W1為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷；上述第2螢光體包含以由A2B2Ow2(其中，A2包含選自 由La、Y、Gd、Yb及Lu所組成之群中之至少一種及0.001莫耳%~5莫耳%之Bi，B2包含選自由Sn、Zr及Hf所組成之群中之至少一種，W2為用以保持電中性之正數)所表示之燒綠石型化合物為主成分之陶瓷；上述A1中之La之含量多於上述A2中之La之含量；上述A2中之Y、Gd及Lu之含量多於上述A1中之Y、Gd及Lu之含量。
  7. 一種發光裝置，其包含如請求項1至3中任一項之發光元件、及對發光元件出射上述發光元件之激發光之光源。
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