TWI434725B - 利用氫氧基化合物和離子交換樹脂吸附以純化氟酸系蝕刻液的處理方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種蝕刻液的處理方法，且特別是有關於一種純化氟酸系蝕刻液的處理方法。
一般半導體產業、液晶顯示器、太陽能產業之基材蝕刻廢料中，除了未耗盡之強酸強鹼蝕刻液(如氫氟酸)外，還有從半導體或液晶顯示器玻璃基材或太陽能電池元件所蝕刻下來的陰離子、陽離子以及金屬氧化物等不純污染物質。目前上述產業所產生之蝕刻廢液皆直接當做廢棄物處理，不僅造成環境的嚴重負擔，也不符合經濟效益。
以氟酸系蝕刻液為例，氟酸系蝕刻液廣泛應用於矽晶圓、玻璃基材、太陽能電池矽基材等濕式蝕刻製程中。氟酸系蝕刻廢液的來源，除了未耗盡之蝕刻液外，還有經過多次蝕刻製程使用過的氟酸系蝕刻廢液。由於經過多次蝕刻製程後，上述基材中所含之部份物質會被蝕刻出來並留在蝕刻液中，形成各種不純物，例如陰離子、陽離子以及金屬氧化物等不純物。蝕刻液中累積越多的不純物，蝕刻液之蝕刻效率就愈趨緩慢，進而影響生產效能與蝕刻品質。當蝕刻液中的不純物嚴重影響到蝕刻效率時，就必須更換整槽蝕刻液，重新注入新鮮的蝕刻液。
目前上述產業所產生之蝕刻廢液皆直接當做廢棄物處理，不僅造成環境的嚴重負擔，也不符合經濟效益。另外，目前的廢水處理方法不僅處理程序繁複、成本過高、不僅不適用於氟酸系蝕刻廢液之再利用，更無法再製成符合工業製程需求的氟酸系蝕刻液。
有鑑於此，亟需提供一種純化氟酸系蝕刻液的處理方法，以克服氟酸系蝕刻廢液之再利用的問題。
因此，本發明之一態樣是在提供一種純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其係利用可重複再生之鹼性陰離子交換樹脂，吸附氟酸系蝕刻液之硼離子與磷酸根離子，並獲得純化氟酸系蝕刻液之流出物。所得之純化氟酸系蝕刻液可進行後處理，以提供氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品。
根據本發明之上述態樣，提出一種純化氟酸系蝕刻液的處理方法。在一實施例中，首先利用氫氧基化合物調整氟酸系蝕刻液之酸鹼值，使其酸鹼值調整為6.5至8.0，其中此氟酸系蝕刻液至少包含氫氟酸(hydrogen fluoride；HF)、氟化氨(Ammonium Fluoride；AF)、硼離子以及磷酸根離子。其次，可將鹼性陰離子交換樹脂進行樹脂前處理，其中此樹脂前處理係利用氫氧化鈉溶液通過此鹼性陰離子交換樹脂。然後，將經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液通過經樹脂前處理之鹼性陰離子交換樹脂，使硼離子與磷酸根離子被吸附於鹼性陰離子交換樹脂，並獲得流出物。所得之流出物為純化氟酸系蝕刻液，且流出物之硼離子及磷酸根離子之濃度分別為十億分之一莫耳濃度(10-9
M；1ppb)至200ppb。
依據本發明一實施例，上述之氫氧基化合物為氨氣或氫氧化氨溶液。
依據本發明另一實施例，上述之氟酸系蝕刻液通過鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時2至40倍的樹脂體積流速(bulk velocity)。
依據本發明又一實施例，在流出純化氟酸系蝕刻液後，此方法更包含使純化氟酸系蝕刻液進行後處理，以提供氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品。
依據本發明再一實施例，在流出純化氟酸系蝕刻液後，此方法更包含將鹼性陰離子交換樹脂進行樹脂再生處理。接著，將另一經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液通過鹼性陰離子交換樹脂，以獲得另一流出物。然後，檢測另一流出物之硼離子及磷酸根離子之濃度。之後，判斷硼離子及磷酸根離子之濃度是否小於一預設值。
在一例示中，若判斷另一流出物之硼離子及磷酸根離子之濃度分別小於預設值時，則將經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液通過經樹脂前處理之鹼性陰離子交換樹脂，使硼離子與磷酸根離子被吸附於鹼性陰離子交換樹脂中，並獲得流出物。另一種情形，若判斷另一流出物之硼離子及磷酸根離子之濃度分別大於前述預設值時，則將鹼性陰離子交換樹脂進行至少一次的樹脂再生處理。
依據本發明其他實施例，上述之樹脂前處理以及樹脂再生處理可利用0.5重量百分比至10重量百分比之氫氧化鈉溶液，且氫氧化鈉溶液通過鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時1至10倍的樹脂體積流速。
應用本發明之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其係藉由可重複再生之鹼性陰離子交換樹脂回收氟酸系蝕刻液，不僅減少蝕刻液污染，大幅降低蝕刻液處理成本，而且純化所得之氟酸系蝕刻液又可製成其他產品，再利用於其他工業製程中。
本發明提供一種純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其係藉由可重複再生之鹼性陰離子交換樹脂除去氟酸系蝕刻液之不純物，以回收氟酸系蝕刻液並再利用於半導體產業、液晶顯示器、太陽能產業等之濕式蝕刻製程。以下分述之。
請參照第1圖，其係繪示根據本發明一實施例之純化氟酸系蝕刻液的處理方法流程圖。
一般而言，由於氟酸系蝕刻液之酸鹼值較低，且氟酸系蝕刻液至少包含氫氟酸(hydrogen fluoride；HF)、氟化氨(Ammonium Fluoride；AF)以及不純物，其中前述之不純物可包括陽離子以及陰離子，例如硼離子以及磷酸根離子。因此在一實施例中，如步驟101之所示，本發明之氟酸系蝕刻液的處理方法100係利用氫氧基化合物調整氟酸系蝕刻液之酸鹼值至偏中性或弱鹼性。
在一例示中，上述之氫氧基化合物以氨氣或氫氧化氨溶液較佳。氨氣或氫氧化氨溶液可將氟酸系蝕刻液之酸鹼值調整至偏中性或弱鹼性，例如酸鹼值為6.5至8.0。在此說明的是，本發明使用的氫氧基化合物為氨氣或氫氧化氨溶液，並排除使用其他的氫氧基化合物。一方面，氨氣與氫氟酸可形成氟化氨(ammonium fluoride；AF)，可進而應用於其他工業製程中，例如與氫氟酸以及水配製成緩衝氧化蝕刻劑(buffered oxide etchant；BOE)。另一方面，氨氣或氫氧化氨溶液並不含金屬離子，因此在酸鹼值調整過程中，不會對氟酸系蝕刻液造成額外金屬離子之污染。再者，倘若不藉由前述氫氧基化合物將氟酸系蝕刻液之酸鹼值至6.5至8.0，例如將酸鹼值調整至小於6.5或大於8.0，則於後續處理時，鹼性陰離子交換樹脂就無法同時除去硼離子及磷酸根離子等不純物。
承前所述，本發明係藉由可重複再生之鹼性陰離子交換樹脂除去氟酸系蝕刻液之不純物。申言之，在一實施例中，如步驟103所示，鹼性陰離子交換樹脂可先進行樹脂前處理，其中此鹼性陰離子交換樹脂為市售可得之強鹼陰離子交換樹脂。在一例示中，可利用0.5重量百分比至10重量百分比之氫氧化鈉溶液，通過此鹼性陰離子交換樹脂，以進行樹脂前處理。在另一例示中，亦可利用1重量百分比至5重量百分比之氫氧化鈉溶液進行樹脂前處理。惟在此說明的是，本發明排除使用氫氧化鈉溶液以外的鹼液進行樹脂前處理。倘若使用氫氧化鈉溶液以外的鹼液(例如氫氧化鉀溶液)進行樹脂前處理，殘留在樹脂中的金屬離子(例如鉀離子)，有可能會污染樹脂以及後續回收純化之氟酸系蝕刻液，而且殘留的金屬離子也會影響後續純化之氟酸系蝕刻液的純度甚至蝕刻速率等效能。
在一例示中，進行步驟103之樹脂前處理時，前述之氫氧化鈉溶液通過鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時1至10倍的樹脂體積流速(bulk velocity)。在另一例示中，前述之氫氧化鈉溶液通過鹼性陰離子交換樹脂的流速亦可為毎小時2至8倍的樹脂體積流速。在又一例示中，前述之氫氧化鈉溶液通過鹼性陰離子交換樹脂的流速亦可為毎小時3至6倍的樹脂體積流速。
然後，如步驟105之所示，將經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液，通過經樹脂前處理之鹼性陰離子交換樹脂，使硼離子與磷酸根離子同時被吸附於鹼性陰離子交換樹脂中。前述蝕刻液通過樹脂的同時，如步驟107之所示，可由鹼性陰離子交換樹脂獲得流出物，其中此流出物即為純化氟酸系蝕刻液。由於本發明一實施方式之流出物為經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液，直接通過經樹脂再生處理之鹼性陰離子交換樹脂所得，不需使用其他沖提液沖洗樹脂，因此本發明方法100可有效減少沖提液的使用量。
在一例示中，所得之純化氟酸系蝕刻液之硼離子及磷酸根離子之濃度分別可為十億分之一莫耳濃度(10-9
M；1ppb)至200ppb。端視客戶需求或不同產品而異，在其他例示中，前述之純化氟酸系蝕刻液之硼離子及磷酸根離子之濃度亦可為10ppb至200ppb或10ppb至100ppb。
值得一提的是，如步驟109所示，前述所得純化氟酸系蝕刻液更可選擇性進行後處理，以提供半導體產業、液晶顯示器、太陽能產業等工業製程所需之氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品。關於氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品可使用習知製程進行，此為本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者所熟知，在此不另贅述。
另外，如第1圖之步驟110所示，前述使用過的鹼性陰離子交換樹脂亦可視情況，選擇性進行樹脂再生處理，以重複再生使用。至於樹脂再生處理方法，容後詳述。
請參照第2圖，其係繪示根據本發明一實施例之樹脂再生處理方法的流程圖，其中方法200係用以例示說明第1圖之步驟110。
在一實施例中，如步驟201所示，本發明方法200可先檢測步驟107之流出物之硼離子及磷酸根離子的濃度。前述檢測流出物之硼離子及磷酸根離子的濃度可利用監測設備，例如感應耦合電漿質譜儀(inductively coupled plasma mass spectrometer；ICP-MS)、其他監測設備或製程監測系統進行，以監控鹼性陰離子交換樹脂對於不純物之吸附能力，此為本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者所熟知，不另贅述。
接著，如步驟203所示，判斷硼離子及磷酸根離子之濃度是否小於一預設值，其中此預設值端視實際需求而異，可為電子級的品質，例如200 ppb或其他數值。
在一例示中，若判斷硼離子及磷酸根離子之濃度分別小於前述預設值時，則可繼續進行前述方法100之步驟105與步驟107。
在另一例示中，若判斷硼離子及磷酸根離子之濃度分別大於前述預設值時，則進行步驟207，其係將鹼性陰離子交換樹脂進行樹脂再生處理。在此例示中，樹脂再生處理係利用與步驟103之樹脂前處理相同的溶液及流速進行，此處不另贅述。
接著，在步驟209中，將另一氟酸系蝕刻液通過鹼性陰離子交換樹脂，以獲得另一流出物，其中另一氟酸系蝕刻液之酸鹼值亦利用與步驟101相同的方式進行酸鹼值調整，此處不贅言。
然後，如步驟211所示，檢測另一流出物之硼離子及磷酸根離子之濃度，此亦利用與步驟201相同的方式進行檢測，故不贅述。
之後，如步驟203所示，判斷另一流出物的硼離子及磷酸根離子之濃度是否小於前述預設值。在一例示中，倘若判斷硼離子及磷酸根離子之濃度分別小於預設值，則如步驟205所示，可繼續進行前述方法100。在另一例示中，倘若判斷硼離子及磷酸根離子之濃度仍大於預設值，則繼續進行至少一次步驟207，直到流出物的硼離子及磷酸根離子之濃度分別小於預設值為止。在又一例示中，倘若重複進行步驟207多次，例如10次，流出物的硼離子及磷酸根離子之濃度仍大於預設值，則可更換新的鹼性陰離子交換樹脂。
在一實施例中，上述純化氟酸系蝕刻液的處理方法可於習知的反應系統或於第3圖之反應系統300中進行之。以下藉由第3圖之反應系統300為例來說明之。
請參照第3圖，其係繪示根據本發明一實施例之純化氟酸系蝕刻液的反應系統示意圖。在一實施例中，第3圖之反應系統300可包括反應槽301。在一例示中，反應槽301另設有管路(圖未繪示)與氨氣(圖未繪示)或氫氧化氨溶液(圖未繪示)連通，使氨氣或氫氧化氨溶液得以注入反應槽301，以調整氟酸系蝕刻液之酸鹼值。在另一例示中，反應槽301可設有攪拌設備(圖未繪示)，使注入於反應槽301內的氨氣或氫氧化氨溶液得以與待處理的蝕刻液充分均勻混合。在又一例示中，反應槽301另設有pH計(圖未繪示)，以監控蝕刻液之酸鹼值變化。
廢液槽301之蝕刻液經調整其酸鹼值至前述範圍後，可利用例如定量泵305，經由管路303與管路307，進一步輸送至離子交換樹脂塔309。其中，離子交換樹脂塔309包括鹼性陰離子交換樹脂，其規格並不特別限定。在一例示中，離子交換樹脂塔309之半徑可例如約2公分、長度約100公分。在另一例示中，定量泵305亦可控制蝕刻液通過鹼性陰離子交換樹脂的流速，使離子交換樹脂塔309得以同時吸附蝕刻液中之硼離子及磷酸根離子等不純物。
蝕刻液通過離子交換樹脂塔309後，所得之流出物為經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液，經由管道311收集至收集槽313中。在一例示中，管道311可另設有監測設備315，例如ICP-MS、其他監測設備或製程監測系統，以檢測流出物之硼離子及磷酸根離子的濃度，藉此監控離子交換樹脂塔309對於不純物之吸附能力。
另需補充的是，上述離子交換樹脂塔309，可重複進行多次方法200的樹脂再生處理，以達到較佳的吸附效果。
以下利用數個實施方式以說明本發明之應用，然其並非用以限定本發明，本發明技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。
實施例：純化氟酸系蝕刻液的處理方法及其評估
首先，利用氨氣(NH3
gas)或氫氧化氨溶液(NH4
OH aq.)將氟酸系蝕刻液之酸鹼值(pH)調整至約6.5至8.0或約7.0。
此時，將所選用使用之離子交換樹脂(例如強鹼性陰離子交換樹脂，型號DIAION SA10ALLP Type I，太洋化成股份有限公司，台灣高雄)緊實充填至離子交換樹脂塔內。再以約10 mL/min之流速、用約5倍樹脂體積量的10重量百分比之氫氧化鈉(NaOH)溶液流洗離子交換樹脂塔內所充填之樹脂，使所充填之樹脂進行前處理(樹脂再生)。然後，再以超純水清洗離子交換樹脂塔內所充填之樹脂。
之後，利用定量幫浦以約20 mL/min之流速，將酸鹼值調整後之氟酸系蝕刻液，注入離子交換樹脂塔，以吸附蝕刻液中之硼離子及磷酸根離子等不純物，並獲得流出物。
將流出物予以固定量取樣，並利用ICP-MS檢測純化處理過之蝕刻液內所含的不純物。
請參閱第4圖與第5圖，其係繪示根據本發明一實施例之鹼性陰離子交換樹脂純化的氟酸系蝕刻液之硼離子(第4圖)及磷酸根離子(第5圖)之濃度變化圖。在第4圖與第5圖中，其橫軸為鹼性陰離子交換樹脂處理蝕刻液之體積(L)，而縱軸為硼離子(第4圖)及磷酸根離子(第5圖)之濃度(ppb)。起始蝕刻液的硼離子及磷酸根離子濃度均為1000ppb，毎處理1公升取樣分析一次，直到所測得的結果超過200ppb，並以此數據製作一曲線圖。
由第4圖與第5圖之結果可知，經過鹼性陰離子交換樹脂的吸附後降為約10ppb。由此可知，鹼性陰離子交換樹脂可處理約30公升之蝕刻液，相當於約40倍的樹脂體積。
綜言之，本發明之純化氟酸系蝕刻液的處理方法證實其純化所得之氟酸系蝕刻液具有電子級的品質，可進行後處理，以提供半導體產業、液晶顯示器、太陽能產業等工業製程所需之氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品。
惟在此需補充的是，本發明雖以特定化合物、特定製程、特定反應條件、特定應用方式或特定設備等作為例示，說明本發明之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，惟本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者可知，本發明並不限於此，在不脫離本發明之精神和範圍內，本發明之純化氟酸系蝕刻液的處理方法亦可使用其他的化合物、其他製程、其他反應條件、其他應用方式、其他等級相當的設備等進行。
由本發明上述實施方式可知，本發明之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其優點在於藉由可重複再生之鹼性陰離子交換樹脂回收氟酸系蝕刻液，不僅減少蝕刻液污染，大幅降低蝕刻液處理成本，而且純化所得之氟酸系蝕刻液又可製成其他產品，再利用於其他工業製程中。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．方法
101．．．利用氫氧基化合物調整氟酸系蝕刻液之酸鹼值至偏中性或弱鹼性
103．．．將鹼性陰離子交換樹脂進行樹脂前處理
104．．．選擇性利用超純水潤洗鹼性陰離子交換樹脂至少一次
105．．．將經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液，通過鹼性陰離子交換樹脂
107．．．獲得純化氟酸系蝕刻液
109．．．選擇性進行後處理，以提供氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品
110．．．選擇性進行樹脂再生處理
200．．．方法
201．．．檢測步驟107之流出物之硼離子及磷酸根離子的濃度
203．．．判斷硼離子及磷酸根離子之濃度是否小於預設值
205．．．進行方法100之步驟105與步驟107
207．．．將鹼性陰離子交換樹脂進行樹脂再生處理
209．．．將另一經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液通過鹼性陰離子交換樹脂，以獲得另一流出物
211．．．檢測另一流出物之硼離子及磷酸根離子之濃度
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖係繪示根據本發明一實施例之純化氟酸系蝕刻液的處理方法流程圖。
第2圖係繪示根據本發明一實施例之樹脂再生處理方法的流程圖。
第3圖係繪示根據本發明一實施例之純化氟酸系蝕刻液的反應系統300示意圖。
第4圖係繪示根據本發明一實施例之鹼性陰離子交換樹脂純化的氟酸系蝕刻液之硼離子之濃度變化圖。
第5圖係繪示根據本發明一實施例之鹼性陰離子交換樹脂純化的氟酸系蝕刻液之磷酸根離子之濃度變化圖。
100．．．方法
101．．．利用氫氧基化合物調整氟酸系蝕刻液之酸鹼值至偏中性或弱鹼性
103．．．將鹼性陰離子交換樹脂進行樹脂前處理
104．．．選擇性利用超純水潤洗鹼性陰離子交換樹脂至少一次
105．．．將經調整酸鹼值之氟酸系蝕刻液，通過鹼性陰離子交換樹脂
107．．．獲得純化氟酸系蝕刻液
109．．．選擇性進行後處理，以提供氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品
110．．．選擇性進行樹脂再生處理
Claims (17)
- 一種純化氟酸系蝕刻液的處理方法，包含：利用氨氣或氫氧化氨溶液將氟酸系蝕刻液之酸鹼值調整為6.5至8.0，其中該氟酸系蝕刻液至少包含氫氟酸(hydrogen fluoride；HF)、氟化氨(ammonium fluoride；AF)、硼離子以及磷酸根離子；將一鹼性陰離子交換樹脂進行一樹脂前處理，其中該樹脂前處理係利用0.5重量百分比至10重量百分比之氫氧化鈉溶液通過該鹼性陰離子交換樹脂；以及將經調整該酸鹼值之該氟酸系蝕刻液通過經該樹脂前處理之該鹼性陰離子交換樹脂，使該硼離子與該磷酸根離子被吸附於該鹼性陰離子交換樹脂中，並獲得一流出物，其中該流出物為一純化氟酸系蝕刻液，且該流出物之該硼離子及該磷酸根離子之濃度都是十億分之一莫耳濃度(10-9 M；1ppb)至200ppb。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，在該樹脂前處理與流出該純化氟酸系蝕刻液的步驟間，更至少包含：利用超純水潤洗該鹼性陰離子交換樹脂至少一次，以去除該氫氧化鈉溶液。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氟酸系蝕刻液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時2至40倍的樹脂體積流速(bulk velocity)。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氟酸系蝕刻液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時3至30倍的樹脂體積流速。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氟酸系蝕刻液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時4至20倍的樹脂體積流速。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氟酸系蝕刻液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時5至15倍的樹脂體積流速。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氟酸系蝕刻液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時6至10倍的樹脂體積流速。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該純化氟酸系蝕刻液之該硼離子及/或該磷酸根離子之濃度都是10ppb至200ppb。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，在獲得該流出物後，更至少包含： 使該流出物進行一後處理，以提供氟化氨、二氟化氨、無水氫氟酸或氟系混酸產品。
- 根據申請專利範圍第1項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，在獲得該流出物後，更至少包含：檢測該流出物之該硼離子及該磷酸根離子之濃度；以及判斷該硼離子及該磷酸根離子之濃度都是小於或大於一預設值，其中該預設值為200ppb。
- 根據申請專利範圍第10項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中若判斷該流出物之該硼離子及該磷酸根離子之濃度都是小於該預設值時，更至少包含：將經調整該酸鹼值之該氟酸系蝕刻液通過經該樹脂前處理之該鹼性陰離子交換樹脂，使該硼離子與該磷酸根離子被吸附於該鹼性陰離子交換樹脂中，並獲得該流出物。
- 根據申請專利範圍第10項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中若判斷該流出物之該硼離子及該磷酸根離子之濃度都是大於該預設值時，更至少包含：將該鹼性陰離子交換樹脂進行至少一次之一樹脂再生處理；將另一氟酸系蝕刻液通過該鹼性陰離子交換樹脂，以獲得另一流出物，其中該另一氟酸系蝕刻液之酸鹼值係利用該氫氧基化合物調整為6.5至8.0； 檢測該另一流出物之該硼離子及該磷酸根離子之濃度；以及判斷該硼離子及該磷酸根離子之濃度都是小於或大於該預設值。
- 根據申請專利範圍第12項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該樹脂再生處理係利用0.5重量百分比至10重量百分比之該氫氧化鈉溶液進行。
- 根據申請專利範圍第10項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該樹脂前處理以及該樹脂再生處理係利用1重量百分比至5重量百分比之該氫氧化鈉溶液進行。
- 根據申請專利範圍第10項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氫氧化鈉溶液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時1至10倍的樹脂體積流速。
- 根據申請專利範圍第10項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氫氧化鈉溶液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時2至8倍的樹脂體積流速。
- 根據申請專利範圍第10項所述之純化氟酸系蝕刻液的處理方法，其中該氫氧化鈉溶液通過該鹼性陰離子交換樹脂的流速為毎小時3至6倍的樹脂體積流速。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2504695A (en) * | 1945-04-14 | 1950-04-18 | Dorr Co | Process for removing silica from water by way of ion exchange |
| US4049772A (en) * | 1974-11-18 | 1977-09-20 | Tokico, Ltd. | Process for the recovery of chromic acid solution from waste water containing chromate ions |
| US4132765A (en) * | 1975-06-26 | 1979-01-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Recovery of fluoride values |
| US4056605A (en) * | 1976-11-23 | 1977-11-01 | Alexandr Ilich Vulikh | Method for purification of hydrofluoric acid |
| US4125594A (en) * | 1976-12-22 | 1978-11-14 | Corning Glass Works | Purification of hydrofluoric acid etching solutions with weak anion exchange resins |
| US4144158A (en) * | 1977-11-14 | 1979-03-13 | Allied Chemical Corporation | Process for manufacture of anhydrous hydrogen fluoride and finely divided silica from fluosilicic acid |
| US4332031A (en) * | 1980-03-21 | 1982-05-25 | Pedro B. Macedo | Silica removal process and alumina composition used therein |
| JPS5775152A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-11 | Hitachi Ltd | Regenerating method for granular ion exchange resin and regenerating system thereof |
| US4334949A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-15 | International Business Machines Corporation | Reducing carbonate concentration in aqueous solution |
| US4387026A (en) * | 1981-01-26 | 1983-06-07 | Biolab Equipment Ltd. | Ion exchange regeneration plant |
| US4405576A (en) * | 1981-10-02 | 1983-09-20 | The Dow Chemical Company | Removal of sulfate ions from brine |
| US4488949A (en) * | 1981-10-02 | 1984-12-18 | The Dow Chemical Company | Removal of sulfate ions from brine |
| US4389293A (en) * | 1982-01-04 | 1983-06-21 | Allied Corporation | Process for the recovery of anhydrous hydrogen fluoride from aqueous solutions of fluosilicic acid and hydrogen fluoride |
| JPS5939347A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 表面官能型陰イオン交換樹脂およびその製法 |
| JPS5969151A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Unitika Ltd | 球状イオン交換樹脂とその製造法及び吸着処理法 |
| JPS5985957A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 陰イオンの分離分析方法 |
| US4528101A (en) * | 1983-09-09 | 1985-07-09 | Illinois Water Treatment Company | Method of separating acid from salt by adsorption with recycling |
| US4734200A (en) * | 1986-04-04 | 1988-03-29 | Advanced Separation Technologies Incorporated | Process for removal of fluoride and phosphorus-type contaminants from acidic wastewater |
| US4927796A (en) * | 1987-06-17 | 1990-05-22 | Epicor Incorporated | Compositions for purifying liquids |
| US5165907A (en) * | 1988-04-14 | 1992-11-24 | Imcera Group Inc. | Method of production of high purity silica and ammonium fluoride |
| US4981664A (en) * | 1988-04-14 | 1991-01-01 | International Minerals & Chemical Corporation | Method of production of high purity silica and ammonium fluoride |
| US4952386A (en) * | 1988-05-20 | 1990-08-28 | Athens Corporation | Method and apparatus for purifying hydrogen fluoride |
| DE3824266A1 (de) * | 1988-07-16 | 1990-01-18 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von bifunktionellen anionenaustauschharzen, neue bifunktionelle anionenaustauschharze und ihre verwendung |
| US5180750A (en) * | 1988-07-29 | 1993-01-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Anion exchanger |
| US4936955A (en) * | 1988-08-12 | 1990-06-26 | Alameda Instruments, Inc. | Hydrofluoric acid reprocessing for semiconductor standards |
| US5352345A (en) * | 1991-05-07 | 1994-10-04 | Alliedsignal Inc. | Ion exchange resin regenerant waste recovery and recycling via bipolar membranes |
| US5192446A (en) * | 1992-01-24 | 1993-03-09 | The Graver Company | Cation exchange resins having an enhanced capacity for iron oxides |
| US5728302A (en) * | 1992-04-09 | 1998-03-17 | Groundwater Services, Inc. | Methods for the removal of contaminants from subterranean fluids |
| US5312967A (en) * | 1992-08-12 | 1994-05-17 | Uab Research Foundation | Process for making activated aldarate esters, ester/lactones and lactones |
| JP2508983B2 (ja) * | 1993-09-17 | 1996-06-19 | 日本電気株式会社 | 金属不純物除去方法およびその装置 |
| US6090290A (en) * | 1994-01-25 | 2000-07-18 | Xerox Corporation | Selenium removal methods |
| US5500127A (en) * | 1994-03-14 | 1996-03-19 | Rohm And Haas Company | Purification process |
| JP3200301B2 (ja) * | 1994-07-22 | 2001-08-20 | オルガノ株式会社 | 純水又は超純水の製造方法及び製造装置 |
| US5954965A (en) * | 1996-03-29 | 1999-09-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for producing pure water |
| JP3715371B2 (ja) * | 1996-04-08 | 2005-11-09 | 三菱化学株式会社 | 過酸化水素水の精製方法 |
| US5804057A (en) * | 1996-06-07 | 1998-09-08 | Faraday Technology, Inc. | Method of removing metal salts from solution by electrolysis an electrode closely associated with an ion exchange resin |
| US6576139B1 (en) * | 1996-07-30 | 2003-06-10 | Kenneth C. Hou | Process for purifying photoresist composition employing a filter sheet |
| US5876685A (en) * | 1996-09-11 | 1999-03-02 | Ipec Clean, Inc. | Separation and purification of fluoride from industrial wastes |
| KR100265556B1 (ko) * | 1997-03-21 | 2000-11-01 | 구본준 | 식각장치 |
| JPH10309660A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Tokuyama Corp | 仕上げ研磨剤 |
| US6063712A (en) * | 1997-11-25 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Oxide etch and method of etching |
| US6214301B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-04-10 | The Regents Of The University Of California | Hafnium radioisotope recovery from irradiated tantalum |
| SG93879A1 (en) * | 1999-08-25 | 2003-01-21 | Mykrolis Corp | Filtration and purification system for aqueous acids |
| US6830763B2 (en) * | 1999-09-03 | 2004-12-14 | Lifenet | Continuous acidification demineralization process for producing osteoinductive bone; and osteoinductive bone produced thereby |
| ATE423751T1 (de) * | 1999-12-03 | 2009-03-15 | Edwards Vacuum Inc | Fluorentfernung durch ionenaustausch |
| AU2001284729A1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-18 | Sievers Instruments, Inc. | Low-level boron detection and measurement |
| JP3939101B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2007-07-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板搬送方法および基板搬送容器 |
| US7666379B2 (en) * | 2001-07-16 | 2010-02-23 | Voltaix, Inc. | Process and apparatus for removing Bronsted acid impurities in binary halides |
| WO2005009908A2 (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Otv S.A. | System and method for treatment of acidic wastewater |
| US6998054B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-02-14 | The Boc Group, Inc. | Selective fluoride and ammonia removal by chromatographic separation of wastewater |
| US7291578B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-11-06 | Arup K. Sengupta | Hybrid anion exchanger for selective removal of contaminating ligands from fluids and method of manufacture thereof |
| US8216515B2 (en) * | 2004-09-16 | 2012-07-10 | Dionex Corporation | Capillary ion chromatography |
| US20060131240A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Romano Andrew R | Process for treating solvents |
| US20060231403A1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Riviello John M | Chambered electrodeionization apparatus with uniform current density, and method of use |
| DE102005025899A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Basf Ag | Verfahren zur Aufbereitung eines Alkoxycarbonylaminotriazin enthaltenden Reaktionsgemisches |
| KR101557269B1 (ko) * | 2007-04-19 | 2015-10-06 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 아니온 교환 수지의 제조 방법, 아니온 교환 수지, 카티온 교환 수지의 제조 방법, 카티온 교환 수지, 혼상 수지 및 전자 부품·재료 세정용 초순수의 제조 방법 |
| JP4790786B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型ケイ素含有膜の剥離方法 |
| PT3594382T (pt) * | 2010-02-17 | 2025-10-27 | Terralithium Llc | Processo para a preparação de carbonato de lítio de elevada pureza |
| MX2012011855A (es) * | 2010-04-13 | 2013-06-05 | Molycorp Minerals Llc | Metodos y dispositivos para aumentar la remocion de contaminantes por medio de tierras raras. |
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