TWI433253B - 半導體設備及其中的可動式承載平板 - Google Patents

Description

半導體設備及其中的可動式承載平板

本發明係有關於一種半導體設備及其中的承載平板，特別是關於一種具有加熱、傳送與製程處理功能之半導體設備及其承載平板。

習知製造平板顯示器、二極體及太陽能電池...等基板，其中以製作太陽能電池基板30為例，請參考第1圖，係使用一種叢集式半導體設備40(cluster type)，此叢集式半導體設備40，包含進出腔體41(load/unload chamber)、傳輸裝置42、傳送腔體43及複數個製程腔體44，且上述之製程腔體44中，至少包含有一片承載加熱板45(susceptor)。而此太陽能電池基板30係利用傳輸裝置42，依不同製程需求，再傳輸太陽能電池基板30至不同的製程腔體44中之承載加熱板45上。

因為在製作太陽能電池基板30期間，係根據不同地太陽能鍍膜製程之種類，需要分別進入不同的製程腔體44，才得以將此太陽能電池基板30完成。再者，現今的太陽能電池基板30尺寸又日亦趨大，因此，上述習知之製作太陽能電池基板30製程技術，有以下缺點：

第一、需要在每一個製程腔體分別設置一承載加熱板，將使得購買設備成本增加。

第二、因為每一個製程腔體分別設置一承載加熱板，故欲進入不同之製程腔體時，需要花費時間對位，將增加製程時間。

第三、因為基板尺寸日益趨大，且又薄又脆，故在傳輸的過程中，常因為對位不準，使得基板撞破或因為承載加熱板的支撐不穩，使得基板摔破。

第四、因為基板尺寸日益趨大，且又薄又脆，故在傳輸的過程中，常因為對位不準，使得基板傳輸進入不同的承載加熱板上時，因 為沒有放置妥當，故導致有加熱不平均的製程問題。

因此，若能發明一種設備可解決上述之問題，實為業界所需。

為了解決上述先前技術不盡理想之處，本發明提供了一種半導體設備，係用以對一基板進行一半導體製程，此半導體製程需持續進行一處理時間。此半導體設備包含有加熱腔體、傳送腔體、至少一個製程腔體以及可動式承載平板。此半導體製程係以製程中熱量變動速率造成上述之可動式承載平板之熱量變動，此可動式承載平板具有殼體及空腔，此殼體係為一導體材質；此空腔內部填充有保溫材料，此可動式承載平板具有總表面積、單位面積真空輻射熱散失速率；此保溫材料具有質量以及比熱值。

上述之可動式承載平板承載基板於加熱腔體中共同加熱後，藉由傳送過程於傳送時間下經由傳送腔體與基板共同傳送至製程腔體內，以進行半導體製程。而上述之總表面積、單位面積真空輻射熱散失速率、傳送時間、製程中熱量變動速率、製程處理時間、質量以及比熱值係具有下列關係式：(A x Q_loss x t_T-Q_proc x t_P)M_gel x C_p x ΔT，其中A：係為可動式承載平板之總表面積；Q_loss：係為可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率；t_T：係為傳送時間；Q_proc：係為製程中熱量變動速率；t_P：係為製程處理時間；M_gel：係為保溫材料之質量；C_p：係為保溫材料之比熱值；ΔT：係為一預設之溫度變化範圍；藉此，上述之可動式承載平板於傳送過程中及半導體製程進行中可使基板之溫度維持於預設之溫度變化範圍之內。

因此，本發明之主要目的係提供一種半導體設備，藉由其中之可動式 承載平板以及其內含之保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而減少設備成本。

本發明之次要目的係提供一種半導體設備，藉由其中之可動式承載平板以及其內含之保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而減少基板進入每個製程腔體時之對位時間，提高製程效率。

本發明之又一目的係提供一種半導體設備，藉由其中之可動式承載平板以及其內含之保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而可減少基板進入每個製程腔體時，因為對位不準確，造成置於可動式承載平板上的基板破片，進而降低生產成本。

本發明之另一目的係提供一種半導體設備，藉由其中之可動式承載平板以及其內含之保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而可減少基板進入每個製程腔體時，基板沒有放置妥當的問題，因此不會有加熱不平均的製程問題。

本發明進一步提供一種可動式承載平板，係用以一半導體設備中承載一基板以進行一半導體製程。此半導體設備包含有加熱腔體、傳送腔體以及至少一個製程腔體。此可動式承載平板具有殼體及空腔，此殼體係為一導體材質；此空腔內部填充有保溫材料。此半導體製程需持續進行製程處理時間，同時，此半導體製程係以製程中熱量變動速率造成可動式承載平板之熱量變動，此可動式承載平板具有總表面積、單位面積真空輻射熱散失速率；此保溫材料具有質量以及比熱值。

上述之可動式承載平板承載基板於加熱腔體中共同加熱後，藉由傳送過程於傳送時間下經由傳送腔體與基板共同傳送至製程腔體內，以進行半 導體製程。而上述之總表面積、單位面積真空輻射熱散失速率、傳送時間、製程中熱量變動速率、製程處理時間、質量以及比熱值係具有下列關係式：(A x Q_loss x t_T-Q_proc x t_P)M_gel x C_p x ΔT，其中A：係為可動式承載平板之總表面積；Q_loss：係為可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率，t_T：係為傳送時間；Q_proc：係為製程中熱量變動速率；t_P：係為製程處理時間；M_gel：係為保溫材料之質量；C_p：係為保溫材料之比熱值；ΔT：係為一預設之溫度變化範圍；藉此，上述之可動式承載平板於傳送過程中及半導體製程進行中可使基板之溫度維持於預設之溫度變化範圍之內。

因此，本發明之再一目的係提供一種可動式承載平板，藉由承載平板為可動式且含有保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而減少設備成本。

本發明之再一目的係提供一種可動式承載平板，藉由承載平板為可動式且含有保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而減少基板進入每個製程腔體時之對位時間，提高製程效率。

本發明之再一目的係提供一種可動式承載平板，藉由承載平板為可動式且含有保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而可減少基板進入每個製程腔體時，因為對位不準確，造成置於可動式承載平板上的基板破片，進而降低生產成本。

本發明之再一目的係提供一種可動式承載平板，藉由承載平板為可動式且含有保溫材料，因為可動式承載平板可承載基板一併至製程腔體中且能保溫，因此製程腔體中不需再設置承載加熱板，進而可減少基板進入每個製程腔體時，基板沒有放置妥當的問題，因此不會有加熱不平均的製程問題。

由於本發明係揭露一種半導體設備及其中的可動式承載平板，其中所利用之半導體製程原理及承載平板機械作動原理，已為相關技術領域具有通常知識者所能明瞭，故以下文中之說明，不再作完整描述。同時，以下文中所對照之圖式，係表達與本發明特徵有關之結構示意，並未亦不需要依據實際尺寸完整繪製，盍先敘明。

首先請參考第2圖，係本發明提出之第一較佳實施例，為一種半導體設備10，為用以對基板9進行半導體製程，而此半導體製程需持續進行一段製程處理時間t_P。半導體設備10包含有加熱腔體11、傳送腔體12、至少一個製程腔體13以及可動式承載平板14。此外，基板9在進行上述之半導體製程時，可動式承載平板14係以製程中熱量變動速率Qproc產生熱量變動。又因為在不同種類的半導體製程中，可動式承載平板14可能是熱量散失或熱量增加，因此，製程中熱量變動速率Qproc有可能為負的數值或是為正的數值。例如，在PECVD製程中，會因為電漿對基板進行化學氣相沈積係為一放熱反應，而導致承載基板的可動式承載平板其熱量增加。

請參考第3圖，可動式承載平板14具有殼體141及空腔142。此殼體141係為導體材質所製成，而空腔142內部填充有保溫材料143，且保溫材料143具有質量Mgel及比熱值Cp。又，可動式承載平板14具有總表面積A及單位面積真空輻射熱散失速率Qloss，在此要特別說明的是，單位面積真空輻射熱散失速率Qloss係指可動式承載平板14在真空環境下的 輻射熱散失速率，其他如傳導及對流等熱散失形式，其熱散失量遠小於輻射熱散失的量，故在此忽略不計。

此外，可動式承載平板14在真空環境下的輻射熱的熱散失速率Qloss，係與可動式承載平板14之溫度與其所處之外界環境溫度之溫度差有關。當基板9與可動式承載平板14在加熱腔體13共同經加熱後，具有第一溫度T₁，之後會先經過傳送腔體12，再傳送至製程腔體13，且傳送腔體12具有第二溫度T₂。Qloss主要是表示基板9自加熱腔體11後，再經過傳送腔體12，最後至製程腔體13的這一段時間的單位面積真空輻射熱散失速率。此外，可動式承載平板14具有一散熱係數ε，故可動式承載平板14之單位面積真空輻射熱散失速率係經由下列算式而得：Qloss=εσ(T₁ ⁴-T₂ ⁴)，其中，ε係為可動式承載平板14之散熱係數(emissivity)，σ為常數(σ=5.6697 x 10^-8)

實際之操作情況為，可動式承載平板14承載基板9於加熱腔體11共同加熱後，經由傳送腔體12與基板9共同傳送至製程腔體13內，進行半導體製程，傳送可動式承載平板14及基板9的過程所需時間定為傳送時間t_T。為了要使可動式承載平板14在傳送及後續製程進行中，保持基板9的溫度變動在預設的範圍之內，可動式承載平板14之比熱值需要有一底限，故填充於可動式承載平板14空腔142內部的填充材料143其比熱值Cp與上述之總表面積A、單位面積真空輻射熱散失速率Qloss、傳送時間t_T、製程中熱量變動速率Qproc、製程處理時間t_P、質量Mgel等參數係具有下列關係式：

其中傳送時間t_T時通常為1~3分鐘，需視可動式承載平板14及承載基板9的實際尺寸而定，進一步更可視基板實際產能而定。製程處理時間t_P在實際操作時，需取決於基板欲生成之薄膜的厚度、薄膜的材質、電力...等。預設之溫度變化範圍ΔT，係指基板9經加熱後，再隨著可動式承載平 板14移動至製程腔體13時，這一段時間內，基板9可容許的溫度變化量。

在此要特別說明的是，在此較佳實施例中，製程腔體13內並無再設置承載加熱板或其他加熱源，而是利用可動式承載平板14承載基板9後，在共同移動至所需之製程腔體13的過程中以及後續的製程進行中時，由填充有高比熱的保溫材料143的可動式承載平板14向基板9提供或吸收熱量。因此，製程腔體13中不需額外設置承載加熱板或其他加熱源，故可減少設備製造或設置成本。

並且，要特別留意的是，本發明之半導體設備10，因為製程腔體13中沒有設置承載加熱板，故基板9僅在加熱腔體11中進行加熱。此外，可動式承載平板14內含的保溫材料之材質需具有較高之比熱值，例如：水，水的比熱值為4.18(cal/g蚓)、乙二醇二甲醚(C4H10O2)，乙二醇二甲醚的比熱值為23.4(cal/g℃)...等，因為高比熱材質係具有在相同的熱量變化下，溫度變化量較同質量的低比熱材質為低之特性。因此，只要填充材料143的比熱值大於或等於[(A x Qloss x t_T-Qproc x t_P)/(Mgel x ΔT)]此一數值，填充有保溫材料143的可動式承載平板14即可在加熱後保持基板9的溫度在容許的溫度範圍內。

再者，請參考第2圖。可動式承載平板14外部可設置至少一個定位件144，作為傳輸及定位使用，使得基板9進入製程腔體13時，不會因為對位不準而造成置於可動式承載平板14上的基板9產生破片情況，進而降低生產成本。

以下為本發明於各半導體製程之製程條件下所進行之各實驗例。

實驗例一：於12吋之半導體晶圓(semiconductor wafer)上生成二氧化矽鈍化膜(SiO₂ passivation layer)之製程：

在12吋半導體晶圓上生成二氧化矽鈍化膜之製程中，可容許之溫度變動範圍ΔT為絕對溫標3度(K)。可動式承載平板為一直徑0.35公尺，厚度為0.15公尺之圓盤形平板，其表面積A為0.357958125平方公尺，且 其內部填充之保溫材料之質量設定為15.7973469公斤。此製程中傳送時間t_T為60秒，製程進行所需時間t_P為120秒。可動式承載平板與承載於承載於其上之12吋半導體晶圓共同加熱至673K(T₁)，而傳送腔體之環境溫度T₂為373K，故可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率Q_loss係為421.3444368瓦/平方公尺秒(W/m²sec)。而進行本實驗例之製程，可動式承載平板的製程中熱量變動速率Qproc係為75瓦/秒(W/sec)。因此，為保持在製程中12吋之半導體晶圓的溫度變動範圍維持在3K以內，填充於可動式承載平板空腔中之保溫材料之比熱值C_p需大於或等於1.042788477。

實驗例二：於第2代(2G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板(Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display/TFT)上生成鈍化膜(passivation layer)之製程：

在第2代(2G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板上生成鈍化膜之製程中，可容許之溫度變動範圍ΔT為絕對溫標-3度(K)。可動式承載平板為一直徑0.0891公尺，厚度為0.1公尺之方形平板，其表面積A為0.2982平方公尺，且其內部填充之保溫材料之質量設定為8.5536公斤。此製程中傳送時間t_T為60秒，製程進行所需時間t_P為80秒。可動式承載平板與承載於承載於其上之第2代(2G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板共同加熱至623K(T₁)，而傳送腔體之環境溫度T₂為363K，故可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率Q_loss係為302.2654306瓦/平方公尺秒(W/m²sec)。而進行本實驗例之製程，可動式承載平板的製程中熱量變動速率Qproc係為68瓦/秒(W/sec)。因此，為保持在製程中第2代(2G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板的溫度變動範圍維持在-3K以內，填充於可動式承載平板空腔中之保溫材料之比熱值C_p需大於或等於1.241852012。

實驗例三：於第8.5代(8.5G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板(Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display/TFT)上生成鈍化膜(passivation layer)之製程：

在第8.5代(8.5G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板上生成鈍化膜之製程中，可容許之溫度變動範圍ΔT為絕對溫標25度(K)。可動式承載平板為一直徑7.5公尺，厚度為0.6公尺之方形平板，其表面積A為21.6平方公尺，且其內部填充之保溫材料之質量設定為4860公斤。此製程中傳送時間t_T為150秒，製程進行所需時間t_P為200秒。可動式承載平板與承載於承載於其上之第8.5代(8.5G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板共同加熱至623K(T₁)，而傳送腔體之環境溫度T₂為373K，故可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率Q_loss係為297.7437104瓦/平方公尺秒(W/m²sec)。而進行本實驗例之製程，可動式承載平板的製程中熱量變動速率Qproc係為600瓦/秒(W/sec)。因此，為保持在製程中第8.5代(8.5G)之薄膜電晶體液晶顯示器玻璃基板的溫度變動範圍維持在25K以內，填充於可動式承載平板空腔中之保溫材料之比熱值C_p需大於或等於6.952177956。

實驗例四：於2吋之二極體晶圓(diode wafer)上生成鈍化膜(passivation layer)之製程：

在2吋二極體晶圓上生成鈍化膜之製程中，可容許之溫度變動範圍ΔT為絕對溫標2度(K)。可動式承載平板為一直徑0.1公尺，厚度為0.1公尺之圓盤形平板，其表面積A為0.0471725平方公尺，且其內部填充之保溫材料之質量設定為0.725215275公斤。此製程中傳送時間t_T為50秒，製程進行所需時間t_P為140秒。可動式承載平板與承載於承載於其上之2吋二極體晶圓共同加熱至623K(T₁)，而傳送腔體之環境溫度T₂為373K，故可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率Q_loss係為297.7437104瓦/平方公尺秒(W/m²sec)。而進行本實驗例之製程，可動式承載平板的製 程中熱量變動速率Qproc係為5瓦/秒(W/sec)。因此，為保持在製程中2吋之二極體晶圓的溫度變動範圍維持在2K以內，填充於可動式承載平板空腔中之保溫材料之比熱值C_p需大於或等於1.562128508。

實驗例五：於第5.5代(5.5G)之太陽能基板(solar)上生成介質層(interlayer)之製程：

在第5.5代(5.5G)之太陽能基板上生成介質層之製程中，可容許之溫度變動範圍ΔT為絕對溫標25度(K)。可動式承載平板為一直徑2.08公尺，厚度為0.3公尺之方形平板，其表面積A為5.9平方公尺，且其內部填充之保溫材料之質量設定為599.04公斤。此製程中傳送時間t_T為120秒，製程進行所需時間t_P為150秒。可動式承載平板與承載於其上之第5.5代(5.5G)之太陽能基板共同加熱至473K(T₁)，而傳送腔體之環境溫度T₂為373K，故可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率Q_loss係為69.61889673瓦/平方公尺秒(W/m²se_c)。而進行本實驗例之製程，可動式承載平板的製程中熱量變動速率Qproc係為200瓦/秒(W/sec)。因此，為保持在製程中第5.5代(5.5G)之太陽能基板的溫度變動範圍維持在5K以內，填充於可動式承載平板空腔中之保溫材料之比熱值C_p需大於或等於6.440364211。

此外，針對基板9進行之半導體製程，可以是物理氣相沉積製程、化學氣相沉積製程或蝕刻製程。以物理氣相沉積製程來說，例如：蒸鍍製程或濺鍍製程...等。以化學氣相沉積製程來說，例如：PECVD製程、MOCVD製程或CVD製程...等。可視實際需求決定是利用物理氣相沉積製程或化學氣相沉積製程。並且，上述之半導體設備，可以是叢集式半導體設備(cluster type)、連續叢集式半導體設備(linear cluster type)或連續式半導體設備(in-line type)等任一種設備，可視實際需求而定。

重要的是，此半導體設備亦適用於平面顯示器面板製造、二極體製造、太陽能電池製造及太陽能面板製造...等用途。

請參考第3圖，係本發明提出之第二較佳實施例，為一種可動式承載平板14，可動式承載平板14具有殼體141及空腔142。此殼體141係為導體材質所製成，而空腔142內部填充有保溫材料143。此可動式承載平板14之特徵如前述之第一較佳實施例所揭露者。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之申請專利權利；同時以上的描述，對於熟知本技術領域之專門人士應可明瞭及實施，因此其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在申請專利範圍中。

30‧‧‧太陽能電池基板(先前技術)

40‧‧‧叢集式半導體設備(先前技術)

41‧‧‧進出腔體(先前技術)

42‧‧‧傳輸裝置(先前技術)

43‧‧‧傳送腔體(先前技術)

44‧‧‧製程腔體(先前技術)

45‧‧‧承載加熱板(先前技術)

9‧‧‧基板

10‧‧‧半導體設備

11‧‧‧加熱腔體

12‧‧‧傳送腔體

13‧‧‧製程腔體

14‧‧‧可動式承載平板

141‧‧‧殼體

142‧‧‧空腔

143‧‧‧保溫材料

144‧‧‧定位件

第1圖為一先前技術所提供之半導體設備。

第2圖為一示意圖，係根據本發明提供之第一較佳實施例，為一種半導體設備及其中的可動式承載平板。

第3圖為一示意圖，係根據本發明提供之第二較佳實施例，為一種可動式承載平板。

9‧‧‧基板

10‧‧‧半導體設備

11‧‧‧加熱腔體

12‧‧‧傳送腔體

13‧‧‧製程腔體

14‧‧‧可動式承載平板

144‧‧‧定位件

Claims (10)

1. 一種半導體設備，係用以對一基板進行一半導體製程，該半導體製程需持續進行一製程處理時間，該半導體設備包含有一加熱腔體、一傳送腔體、至少一個製程腔體以及一可動式承載平板，該半導體製程係以一製程中熱量變動速率造成該可動式承載平板之熱量變動，該可動式承載平板具有一殼體及一空腔，該殼體係為一導體材質，該空腔內部填充有一保溫材料，該可動式承載平板具有一總表面積以及一單位面積真空輻射熱散失速率，該保溫材料具有一質量以及一比熱值，其特徵在於：該可動式承載平板承載該基板於該加熱腔體中共同加熱後，藉由一傳送過程於一傳送時間下經由該傳送腔體與該基板共同傳送至該製程腔體內，以進行該半導體製程，以及該總表面積、該單位面積真空輻射熱散失速率、該傳送時間、該製程中熱量變動速率、該製程處理時間、該質量以及該比熱值係具有下列關係式：(A x Q_loss x t_T-Q_proc x t_P)M_gel x C_p x ΔT，其中A：係為該可動式承載平板之總表面積；Q_loss：係為該可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率；t_T：係為該傳送時間；Q_proc：係為該製程中熱量變動速率；t_P：係為該製程處理時間；M_gel：係為該保溫材料之質量；C_p：係為該保溫材料之比熱值；ΔT：係為一預設之溫度變化範圍；藉此，該可動式承載平板於該傳送過程中及該半導體製程進行中使該基板之溫度維持於該預設之溫度變化範圍之內。
2. 依據申請專利範圍第1項之半導體設備，其中該半導體製程係為物理氣 相沉積製程、化學氣相沉積製程或蝕刻製程。
3. 依據申請專利範圍第1項之半導體設備，其中該可動式承載平板，其外部設置有至少一定位件。
4. 依據申請專利範圍第1項之半導體設備，其中該半導體設備係選自於由叢集式半導體設備、連續叢集式半導體設備及連續式半導體設備所構成之群組。
5. 依據申請專利範圍第1項之半導體設備，其中該半導體設備係適用於平面顯示器基板製造、二極體基板製造或太陽能基板製造等製造用途。
6. 一種可動式承載平板，係用於一半導體設備中承載一基板以進行一半導體製程，該半導體設備進一步包含有一加熱腔體、一傳送腔體以及至少一個製程腔體，該可動式承載平板具有一殼體以及一空腔，該殼體係為一導體材質，該空腔內部填充有一保溫材料，該半導體製程需持續進行一製程處理時間，同時，該半導體製程係以一製程中熱量變動速率造成該可動式承載平板之熱量變動，該可動式承載平板具有一總表面積以及一單位面積真空輻射熱散失速率，該保溫材料具有一質量以及一比熱值，其特徵在於：該可動式承載平板承載該基板於該加熱腔體中共同加熱後，藉由一傳送過程於一傳送時間下經由該傳送腔體與該基板共同傳送至該製程腔體內，以進行該半導體製程，以及該總表面積、該單位面積真空輻射熱散失速率、傳送時間、該製程中熱量變動速率、該製程處理時間、該質量、以及該比熱值係具有下列關係式：(A x Q_loss x t_T-Q_proc x t_P)M_gel x C_p x ΔT，其中A：係為該可動式承載平板之總表面積；Q_loss：係為該可動式承載平板之單位面積真空輻射熱散失速率； t_T：係為該傳送時間；Q_proc：係為該製程中熱量變動速率；t_P：係為該製程處理時間；M_gel：係為該保溫材料之質量；C_p：係為該保溫材料之比熱值；ΔT：係為一預設之溫度變化範圍；藉此，該可動式承載平板於該傳送過程中及該半導體製程進行中使該基板之溫度維持於該預設之溫度變化範圍之內。
7. 依據申請專利範圍第6項之可動式承載平板，其中該可動式承載平板，其外部設置有至少一定位件。
8. 依據申請專利範圍第6項之可動式承載平板，其中該半導體製程係為物理氣相沉積製程、化學氣相沉積製程或蝕刻製程。
9. 依據申請專利範圍第6項之可動式承載平板，其中該半導體設備係選自由叢集式半導體設備、連續叢集式半導體設備及連續式半導體設備所構成之群組。
10. 依據申請專利範圍第6項之可動式承載平板，其中該半導體設備適用於平面顯示器基板製造、二極體基板製造或太陽能基板製造等製造用途。