TWI431430B - 曝光方法、曝光裝置、光罩以及光罩的製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是關於一種使用為了利用微影製程來製造液晶顯示元件等平板顯示元件等微型元件的曝光裝置的曝光方法、藉由該曝光方法進行曝光的曝光裝置、該曝光方法中所使用的光罩以及該光罩的製造方法。
例如,於製造半導體元件或液晶顯示元件等時,使用有將遮罩(標線片reticle、光罩photomask等)的圖案經由投影光學系統而投影至塗佈有光阻劑的平板(玻璃平板或半導體晶圓等)上的投影曝光裝置。先前,大多使用利用步進重複(Step And Repeat)方式使各標線片(reticle)的圖案一併曝光於平板上的各照射(shot)區域上的投影曝光裝置(步進曝光機,Stepper)。近年來,提出有如下所述的步進掃描(Step and Scan)方式的投影曝光裝置(例如,參照日本專利特願平5-161588號公報以及日本專利特開平11-265848號公報),以取代1個較大的投影光學系統,該步進掃描式投影曝光裝置中,將多個局部投影光學系統排列在與掃描方向正交的方向上,進而沿掃描方向以規定間隔配置多列,一面對光罩及平板進行掃描,一面利用各局部投影光學系統將光罩的圖案分別曝光於平板上。作為多個局部投影光學系統,使用有將光罩上的圖案以正立正像等倍的方式曝光於平板上的光學系統。
然而,近年來,平板正逐步大型化,逐漸使用超過2 m見方的平板。此處,在使用上述步進掃描方式的曝光裝置於大型平板上進行曝光時,為了使局部投影光學系統為等倍,光罩亦大型化。由於亦必須維持光罩基板的平面性,因此光罩越大型化,光罩的成本則越高。而且,為了形成通常的TFT部,需要4~5層(layer)的光罩,且必須準備約10種左右尺寸不同的面板作為光罩,這樣須耗費極大的成本。
因此,於日本專利特開平11-265848號公報中所揭示的投影曝光裝置中,將投影光學系統的倍率設為1.1倍~1.5倍或1.5倍以上,而於實施例中放大倍率則設為4倍,將光罩分割成多個由此實現光罩小型化。然而,由於增大投影光學系統的倍率,因此相對於掃描面積成為多餘的區域變大,且相對於曝光所必需的區域,曝光所不需要的區域變大,從而,難以獲得對於掃描面積而言充分的曝光貢獻率。
本發明的課題在於,提供一種可提高光罩的圖案區域的利用效率而進行曝光的曝光方法、藉由該曝光方法進行曝光的曝光裝置、該曝光方法中所使用的光罩以及該光罩的製造方法。
本發明的曝光方法,是分別經由具有放大倍率的多個投影光學系統(PL1~PL5),將設於第1物體(M)上的圖案(M1、M2)投影曝光至第2物體(P)上的曝光方法,此曝光方法的特徵在於包括下述投影曝光步驟:將具有以對應於上述放大倍率的位置關係非連續地配置的第1圖案區域(M1)、以及至少一部分設於上述第1圖案區域(M1)之間的第2圖案區域(M2、m)的上述第1物體(M),配置於上述多個投影光學系統(PL1~PL5)的第1面側,並且,使上述第1圖案區域(M1)及上述第2圖案區域(M2、m)中的上述第1圖案區域(M1)的放大像,分別經由上述多個投影光學系統(PL1~PL5)而投影曝光至配置於上述多個投影光學系統(PL1~PL5)的第2面側的上述第2物體(P)上。
而且,本發明的曝光裝置,是分別經由具有放大倍率的多個投影光學系統(PL1~PL5),將設於第1物體(M)上的圖案(M1、M2)投影曝光至第2物體(P)上的曝光裝置,此曝光裝置的特徵在於包括第1保持裝置(MS)及第2保持裝置(PS),其中,上述第1保持裝置(MS)是將具有設於上述第1物體(M)上且非連續地配置的第1圖案區域(M1)、以及至少一部分設於上述第1圖案區域(M1)之間的第2圖案區域(M2、m)的上述第1物體(M)支持於上述多個投影光學系統(PL1~PL5)的第1面上,而上述第2保持裝置(PS)是將上述第2物體(P)保持於上述多個投影光學系統(PL1~PL5)的第2面上,以使上述第1圖案區域(M1)及上述第2圖案區域(M2、m)中的上述第1圖案區域(M1)的放大像分別經由上述多個投影光學系統(PL1~PL5)而投影。
而且,本發明的光罩,是形成有原圖圖案(M1、M2)的光罩(M),該原圖圖案(M1、M2)是用以使圖案曝光於經由具有放大倍率之多個投影光學系統(PL1~PL5)的感光物體(P)上,此光罩的特徵在於包括多個第1圖案區域(M1)及第2圖案區域(M2),上述多個第1圖案區域(M1)以對應於上述放大倍率的位置關係非連續地配置,且用以分別藉由上述多個投影光學系統(PL1~PL5)而形成放大像,上述第2圖案區域(M2)的至少一部分設於上述多個第1圖案區域(M1)之間,且藉由上述多個投影光學系統(PL1~PL5)中的至少1個而形成放大像。
而且,本發明的光罩,是具有圖案區域的光罩,其特徵在於,上述圖案區域包含奇數列圖案區域、及偶數列圖案區域,於上述奇數列圖案區域中相鄰接的至少一對端部、或上述偶數列圖案區域中相鄰接的至少一對端部上,含有具備相同圖案的共通區域,且上述偶數列圖案區域的至少一部分配置於相鄰接的至少一對上述奇數列圖案區域之間。
而且,本發明的光罩的製造方法,是上述光罩的製造方法,其特徵在於包括:第1步驟,對與上述光罩上的奇數列圖案區域中形成的全部奇數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第1劃分資料群;第2步驟,對與上述光罩上的偶數列圖案區域中形成的全部偶數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第2劃分資料群;第3步驟,於至少一對上述第1劃分資料群或者至少一對上述第2劃分資料群的端部,附加與共通區域相對應的圖案資料,製作與上述光罩上形成的全部圖案相對應的奇數列圖案繪製資料及偶數列圖案繪製資料;以及第4步驟,使用上述奇數列圖案繪製資料及上述偶數列圖案繪製資料,於上述光罩上繪製上述全部圖案。
而且,本發明的光罩的製造方法,是上述光罩的製造方法,其特徵在於包括:第1步驟,對與在至少一對奇數列圖案區域中具有共通區域的全部奇數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第1劃分資料群;第2步驟,對與在至少一對偶數列圖案區域中具有共通區域的全部偶數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第2劃分資料群;以及第3步驟,使用上述第1劃分資料群及上述第2劃分資料群,於上述光罩上繪製上述全部奇數列圖案及上述全部偶數列圖案。
根據本發明的曝光方法,可經由具有放大倍率的多個投影光學系統,而將設於第1物體上的圖案的放大像投影曝光至第2物體上,因此即便於第2物體大型化時亦可防止第1物體的大型化。而且,將以對應於多個投影光學系統的放大倍率的位置關係非連續地配置的第1圖案區域、或者設於第1圖案區域之間的第2圖案區域的放大像投影曝光至第2物體上,因此可提高第1物體的利用效率。
而且,根據本發明的曝光裝置,具備具有放大倍率的投影光學系統,因此可將設於第1物體上的圖案的放大像投影至第2物體上。因此,即便在第2物體大型化時亦可防止第1物體的大型化,且可防止第1保持裝置的大型化。而且,將以對應於多個投影光學系統的放大倍率的位置關係非連續地配置的第1圖案區域、或者設於第1圖案區域之間的第2圖案區域的放大像投影曝光至第2物體上,因此可提高第1物體的利用效率。尤其是在使用將多個局部投影光學系統排列在與掃描方向正交的方向上,並在掃描方向上進行掃描的曝光裝置之情形時,可將掃描方向上光罩的長度設為約1/(放大倍率)的長度。
而且,根據本發明的光罩,具有多個第1圖案區域及第2圖案區域,上述多個第1圖案區域是以對應於多個投影光學系統的放大倍率的位置關係非連續地配置,且用以藉由各投影光學系統而形成放大像,上述第2圖案區域的至少一部分設於多個第1圖案區域之間,且用以藉由各投影光學系統中的至少1個而形成放大像,因此可防止大型化,且可提高圖案區域的利用效率。因此,可減少在使用曝光裝置來製造各種元件時所必需的光罩的片數。例如,在先前的曝光步驟中,必需多片光罩,而與此相對,亦可利用1片光罩進行曝光,從而可縮短更換光罩的時間,且可實現光罩的低成本化。
而且,根據本發明的光罩的製造方法,可降低光罩的製造成本。
以下,參照圖式,對本發明實施形態的曝光裝置進行說明。圖1是表示該實施形態的曝光裝置的概略結構的立體圖。在該實施形態中,以如下所述的步進掃描方式的曝光裝置為例進行說明,該曝光裝置中,一面使遮罩(第1物體、光罩)M及平板(第2物體、感光物體)P對於由多個反射折射型投影光學單元PL1、PL3、PL5以及未圖示的2個投影光學單元(以下,稱為投影光學單元PL2、PL4)所構成的投影光學系統PL相對移動,一面將光罩M上所形成的圖案(原圖圖案)的影像轉印至平板P上。
另外,在以下說明中,設定各圖中所示的XYZ正交座標系,並一面參照該XYZ正交座標系一面說明各構件的位置關係。XYZ正交座標系設定X軸以及Y軸平行於平板P,並設定Z軸方向與平板P正交。對於圖中的XYZ座標系而言,實際上XY平面設定為平行於水平面,Z軸設定為鉛直方向。而且,在本實施形態中,將光罩M以及平板P移動的方向(掃描方向)設定為X軸方向。
該實施形態的曝光裝置,具備用以對光罩平臺(第1保持裝置)MS上所支持的光罩M進行均勻照明的照明光學系統IL。照明光學系統IL例如具備由水銀燈或超高壓水銀燈構成的光源1。由於光源1配置於橢圓鏡2的第1焦點位置上,因此自光源1射出的照明光束經由分色鏡3後,於橢圓鏡2的第2焦點位置上形成光源影像。
另外,於本實施形態中,自光源1射出的光由形成於橢圓鏡2內面的反射膜以及分色鏡3反射,藉此,於橢圓鏡2的第2焦點位置上形成由300 nm以上的波長域的光所構成的光源影像,該300 nm以上的波長域的光包含g線(436 nm)的光、h線(405 nm)的光、及i線(365 nm)的光。也就是說,於由橢圓鏡2及分色鏡3反射時,包含g線、h線、及i線的波長域以外的在曝光上所不需要的成分會被去除。
於橢圓鏡2的第2焦點位置上配置有快門4。藉由開關快門4,可使通過快門4開口部的照明光束的光量迅速變化,從而可獲得脈衝狀照明光束。來自橢圓鏡2的第2焦點位置上所形成的光源影像的發散光束,藉由準直透鏡5而轉換為大致平行的光束,併入射至波長選擇濾光片6。波長選擇濾光片6僅使包含g線、h線、及i線的波長域的光束透過。透過波長選擇濾光片6的光,經由中繼透鏡8而再次成像。於該成像位置附近,配置有光導9的入射端9a。光導9是例如使多根纖維芯線隨機成束而成的隨機光導纖維,該光導9具備:數量與光源1的數量(於該實施形態中為1個)相同的入射端9a;以及數量與構成投影光學系統PL的投影光學單元的數量(於該實施形態中為5個)相同的射出端,即5個射出端9b~9f。如此,入射至光導9的入射端9a的光,於其內部傳遞之後,自射出端9b~9f分割射出。另外,於僅具備1個光源1而導致光量不足時,亦可設置多個光源,並且針對各光源設置光導,該光導具有所設置的多個入射端,且使自各個入射端入射的光分割為大致相同的光量而自各射出端射出。
於光導9的射出端9b與光罩M之間,依序配置有準直透鏡11b、複眼式積分器(fly eye integrator)12b、孔徑光闌(aperture stop)(未圖示)、分光器(未圖示)、以及聚光透鏡系統15b。同樣,於光導9的其他4個射出端9c~9f與光罩M之間,依序分別配置有準直透鏡、複眼式積分器、孔徑光闌(未圖示)、分光器(未圖示)、以及聚光透鏡系統。
另外,此處為了簡化說明,以於光導9的射出端9b與光罩M之間所設的準直透鏡11b、複眼式積分器12b、以及聚光透鏡系統15b為代表,說明於光導9的各射出端9b~9f與光罩M之間所設的光學構件的結構。
自光導9的射出端9b所射出的發散光束,藉由準直透鏡11b而轉換為大致平行的光束之後,入射至複眼式積分器12b。複眼式積分器12b,是藉由將多個透鏡元件以使其中心軸線沿照明光學系統IL的光軸延伸的方式縱橫且密集地排列而構成的。因此,入射至複眼式積分器12b的光束,藉由多個透鏡元件而被波前分割(wavefront splitting),並於其後聚焦面(亦即,射出面的附近)上形成包括個數與透鏡元件相同的光源影像的二次光源。亦即,於複眼式積分器12b的後聚焦面上,形成實質性的面光源。
來自複眼式積分器12b後聚焦面上所形成的多個二次光源的光束,受到配置於複眼式積分器12b後聚焦面附近的未圖示的孔徑光闌的限制後,經由未圖示的分光器,入射至聚光透鏡系統15b。另外,孔徑光闌配置於與相對應的投影光學單元PL1的瞳面在光學上大致共軛的位置上,且具有用以規定有助於照明的二次光源之範圍的可變開口部。孔徑光闌藉由使該可變開口部的開口徑變化,可將決定照明條件的σ值(瞳面上的二次光源影像的開口徑與構成投影光學系統PL的各投影光學單元PL1~PL5的該瞳面的開口徑之比)設定為所期望的值。
經由聚光透鏡系統15b的光束較強地照亮光罩M。另外,自光導9的其他4個射出端9c~9f射出的發散光束亦同樣,依次經由準直透鏡、複眼式積分器、孔徑光闌、分光器、以及聚光透鏡,而分別較強地照亮光罩M。亦即,照明光學系統IL,照亮光罩M上排列於Y軸方向上的多個(於該實施形態中為5個)梯形區域。另外,作為照明光學系統IL所具備的光源,亦可為紫外導體雷射(h線)、固體雷射(355 nm)、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射等。
圖2是表示光罩M的結構的圖。如圖2所示,於光罩M上,形成有用於第1曝光的第1圖案(第1圖案區域)M1(圖中斜線部分)、以及用於第2曝光的第2圖案(第2圖案區域)M2。第1圖案M1以及第2圖案M2,是以分別對應於照亮光罩M的5個梯形照明區域I1~I5的方式而形成的。亦即,第1圖案M1,以與下述投影光學系統PL的放大倍率及曝光區域的間距間隔Lr相對應的位置關係非連續地配置,第2圖案M2與第1圖案M1同樣,以與投影光學系統PL的放大倍率及曝光區域的間距間隔Lr相對應的位置關係而設於第1圖案M1之間。非連續地配置的第1圖案M1以及第2圖案M2,具備在經由多個投影光學單元PL1~PL5而曝光於平板P上時一部分重複的區域,且以成為於平板P上連續的圖案的方式而形成。
照明區域I1~I5以如下方式進行照明,即,以規定的間距間隔Li排列,各照明區域I1~I5是由寬度Si的部分及寬度Ti的部分所構成,且於由投影光學系統PL所投影的平板P上,寬度Si的各部分成為相鄰接的照明區域彼此的疊印(overwrap)部分。於該實施形態中,將照明區域Y方向的寬度平均化後而獲得的有效照明寬度為(Ti+(Ti+Si×2))÷2=(Ti+Si),將該有效照明寬度(Ti+Si)乘以投影光學系統PL的倍率後而獲得的值,與曝光區域的間距間隔Lr(參照圖3)相等。而且,光罩的圖案,是以圖案間距Lm的間隔而配置,Lm為Li/2的間隔。
由於第1圖案M1的各圖案區域、以及第2圖案M2的各圖案區域形成於1個光罩上,因此可將各圖案區域的位置誤差抑制得較小。而且,第1圖案M1與第2圖案M2的位置誤差亦較少,於切換進行曝光的圖案時亦可高精度地進行切換動作。另外,於使每一圖案位置偏移時,亦可進行穩定的偏移調整。
而且,於光罩M上,於-X方向側、+X方向側、及第1圖案M1與第2圖案M2之間,形成有多個位置計測用標記(第2圖案區域、位置檢測用圖案)m、m0、m1。位置計測用標記m、m0、m1是在藉由下述空間像計測裝置24來計測形成於平板P上的空間像時所使用的。亦即,藉由投影光學單元PL1~PL5中的至少1個所形成的位置計測用標記m、m0、m1的空間像是由空間像計測裝置24計測的,且根據該計測結果來檢測位置計測用標記m、m0、m1的影像位置。
來自光罩M上的各照明區域的光,入射至由沿Y軸方向呈鋸齒狀排列的多個(於該實施形態中為5個)投影光學單元PL1~PL5以與各照明區域相對應的方式而構成的投影光學系統PL。經過投影光學系統PL的光,於在平板平臺(第2保持構件)PS上的經由未圖示的平板固持器而平行地支持於XY平面上的平板P上,形成光罩M的圖案的影像。各投影光學單元PL1~PL5具有大於2倍的投影倍率(於該實施形態中,放大倍率為2.4倍)。因此,於在平板P上的以與各照明區域I1~I5相對應的方式而排列在Y方向上的梯形曝光區域R1~R5中,形成光罩M的圖案的放大像。亦即,由於投影光學單元PL1~PL5的放大倍率為2.4倍,故而形成於平板P上的曝光區域R1~R5的視野面積是形成於光罩M上的照明區域I1~I5的視野面積的2.4倍。各投影光學單元PL1~PL5具備調整機構,該調整機構用以調整形成於平板P上的影像的位置、倍率、旋轉、聚焦、像面傾斜等。例如,各投影光學單元PL1~PL5具備用以調整聚焦或像面傾斜的楔狀的雙層玻璃、用以調整像的位置的平行平面板、用以調整像的倍率的凹凸的倍率調整透鏡、用以調整像的旋轉的稜鏡等。另外,各投影光學單元PL1~PL5的平板P側,視平板P表面的平面度而定,但亦可設為遠心的(telecentric)。
圖3是表示於平板P上形成有光罩M的圖案像的狀態的圖。如圖3所示,藉由與照明區域I1相對應的曝光區域R1,使光罩M上的第1圖案M1或第2圖案M2曝光於平板P上的區域P1上。同樣,藉由與照明區域I2~I5相對應的曝光區域R2~R5,使光罩M上的第1圖案M1或第2圖案M2曝光於平板P上的區域P2~P5上。亦即,關於選擇性地切換第1圖案M1及第2圖案M2而使第1圖案M1或第2圖案M2的放大像投影曝光至平板P上的切換機構,使光罩平臺MS以規定量在Y方向上步進移動,從而使由照明光學系統IL所照亮的第1圖案M1或第2圖案M2的放大像投影曝光至平板P上的區域P1~P5上。於該實施形態中,可行的是,以與投影光學單元PL1~PL5的間距間隔大致相等的規定量進行步進移動。
曝光區域R1~R5由寬度Sr的部分及寬度Tr的部分所構成,於平板P上,各寬度Sr的部分成為相鄰接的曝光區域彼此的疊印部分。於該實施形態中,曝光區域Y方向上的寬度,是由將圖2所示的寬度Si的部分與寬度Ti的部分乘以投影光學系統的倍率後而獲得的寬度Sr的部分及寬度Tr的部分所構成,將曝光區域Y方向上的寬度平均化後而獲得的有效曝光寬度為(Tr+Sr),其與曝光區域的間距間隔Lr相等。因此,當曝光區域的間距間隔Lr與Y方向上的投影光學系統的排列間距相同時,若規定曝光區域的間距間隔Lr與倍率,則可求得光罩圖案的圖案間距Lm。
另外,例如,隨機或呈Z字形(zigzag)對光罩M的第1圖案M1或第2圖案M2的連接部進行圖案化,以使由投影光學單元PL1及PL2所形成的曝光區域R1與R2的連接部(重複的部分,疊印部)P11的圖案、以及由投影光學單元PL2~PL5所形成的曝光區域R2~R5的連接部(重複的部分,疊印部)P12~P14的圖案成為連續的。而且,作為曝光區域,並不限定於梯形,亦可根據構成裝置的光學系統,而呈長方形、六角形、圓弧、圓弧+三角形等。
在將光罩M支持於投影光學系統PL的物體側(第1面)的光罩平臺(第1保持構件)MS上,設有具有長衝程的掃描驅動系統(未圖示),該掃描驅動系統用以使光罩平臺沿掃描方向即X軸方向移動。而且,設有一對定位驅動系統(未圖示),該定位驅動系統用以使光罩平臺沿掃描正交方向即Y軸方向移動規定量、並且以微小量圍繞Z軸旋轉。而且,光罩平臺的位置座標由使用有移動鏡25的雷射干涉儀(未圖示)而計測、且受到位置控制。進而,光罩平臺在Z方向上的位置可變。
同樣的驅動系統,亦設置於將平板P保持於投影光學系統PL的影像側(第2面)的平板平臺(第2保持裝置)PS上。亦即,設有具有長衝程的掃描驅動系統(未圖示)、及一對定位驅動系統(未圖示),該掃描驅動系統用以使平板平臺沿掃描方向即X軸方向移動,該定位驅動系統用以使平板平臺沿掃描正交方向即Y軸方向移動規定量、並且以微小量圍Z軸旋轉。而且,平板平臺的位置座標是由使用有移動鏡26的雷射干涉儀(未圖示)所計測且受到位置控制。平板平臺與光罩平臺同樣亦可在Z方向上移動。於該實施形態中,光罩M的圖案由投影光學系統PL放大至2.4倍後投影至平板P上。因此,使光罩平臺與平板平臺以1:2.4的掃描比,分別由投影光學系統PL進行掃描。即,根據投影光學系統PL的倍率,使平板平臺相對於光罩平臺以幾倍倍率的速度比受到掃描。藉此,於掃描方向上,針對光罩M的圖案區域的長度,使之放大至幾倍倍率的長度並曝光於平板P側。
投影光學單元PL1、PL3、PL5以規定間隔配置於與掃描方向正交的方向上,作為第1列。而且,投影光學系統單元PL2、PL4亦同樣以規定間隔配置於與掃描方向正交的方向上,作為第2列。於第1列投影光學單元群與第2列投影光學單元群之間,配置有用以進行平板P定位的離軸(off-axis)的定位系統52、以及用以調整光罩M或平板P的聚焦位置的自動聚焦系統54。
而且,於平板平臺上設有照度測定部29,該照度測定部29是用以測定經過投影光學系統PL後照射至平板P上的光的照度。而且,於平板平臺上,設有空間像計測裝置(檢測機構)24,該空間像計測裝置(檢測機構)24用以計測由投影光學單元PL1~PL5中的至少1個所形成的位置計測用標記m、m0、m1的空間像。
其次,參照圖4所示的流程圖,說明使用有該實施形態中的曝光裝置的曝光方法。
首先,輸入用以選擇形成於光罩M上的第1圖案M1與第2圖案M2的曝光資訊(步驟S10)。於該實施形態中,輸入第1圖案M1所曝光的平板P上的曝光區域的位置、以及第2圖案M2所曝光的平板P上的曝光區域的位置等曝光資訊。另外,曝光資訊亦可預先輸入。而且,亦可對光罩M設置包含曝光資訊的識別用條形碼(bar-code)等ID,並利用條形碼讀取機等來進行曝光資訊的讀入。其次,根據步驟S10中所輸入的曝光資訊,選擇第1圖案M1或第2圖案M2(步驟S11)。於該實施形態中,選擇的是第1圖案M1。
其次,使用空間像計測裝置24來計測形成於光罩M的第1圖案M1與第2圖案M2之間的位置計測用標記m的空間像(步驟S12)。具體而言,藉由使支持光罩M的光罩平臺在Y方向上移動規定量而配置光罩平臺,以使光罩平臺在X方向上掃描時形成於第1圖案M1與第2圖案M2之間的位置計測用標記m位於照明區域I1~I5內。在光罩平臺移動的同時,藉由使平板平臺移動規定量,而將平板平臺配置於空間像計測裝置24可計測位置計測用標記m的空間像的位置處。繼而,使光罩平臺在X方向(掃描方向)上步進移動規定量,並反覆此步進移動操作,藉此,依次計測形成於第1圖案M1與第2圖案M2之間的位置計測用標記m的空間像。根據位置計測用標記m的計測結果,計算出光罩M的變形量。
於該實施形態中,可於光罩M上的第1圖案M1與第2圖案M2之間設有位置計測用標記m,並由空間像計測裝置24來計測上述位置計測用標記m,因此可高精度地檢測出整個光罩M上的變形。作為變形,包含載置於光罩平臺上時的扭曲或由熱所引起的伸縮。而且,一般而言,於第1圖案M1及第2圖案M2同時繪製有位置計測用標記m的光罩的情形時,藉由測定形成於第1圖案M1與第2圖案M2之間的位置計測用標記m,可檢測出第1圖案M1的區域內的繪製誤差、或第2圖案M2的區域內的繪製誤差。進而,藉由利用該資訊而設於投影光學單元PL1~PL5中的調整機構,可進行放大像的位置修正、倍率等的調整。
其次,為檢測分別由投影光學單元PL1~PL5所形成的第1圖案M1的影像的相對的位置偏移(連接誤差),使用空間像計測裝置24來計測形成於光罩M上的-X方向側的位置計測用標記m0的空間像(步驟S13)。首先,使光罩平臺(光罩M)相對於投影光學單元PL1~PL5移動,以使第1圖案M1與投影光學單元PL1~PL5相對向。具體而言,使光罩平臺在Y方向上步進移動規定量,以使照明光學系統IL照亮第1圖案M1,亦即,使第1圖案M1位於照明區域I1~I5。在光罩平臺移動的同時,藉由使平板平臺移動規定量,而將平板平臺配置於空間像計測裝置24可計測位置計測用標記m0的空間像的位置上。繼而,計測形成於光罩M上的-X方向側的位置計測用標記m0的空間像。根據位置計測用標記m0的計測結果,計算出分別由投影光學單元PL1~PL5所形成的第1圖案M1的影像的相對的位置偏移(連接誤差)量。
其次,根據步驟S13中所計算出的分別由投影光學單元PL1~PL5所形成的第1圖案M1的影像的相對的位置偏移量,對各投影光學單元PL1~PL5進行調整(步驟S14)。亦即,根據相對的位置偏移量,計算出各投影光學單元PL1~PL5所具備的調整機構的修正量。繼而,根據計算出的調整機構的修正量,驅動各投影光學單元PL1~PL5的調整機構,調整由各投影光學單元PL1~PL5所投影的影像的位置。
其次,根據步驟S12中所計算出的基於光罩M之變形量的各投影光學單元PL1~PL5所具備的調整機構的修正量,一面驅動各投影光學單元PL1~PL5的調整機構,一面進行第1圖案M1的曝光(步驟S15)。亦即,將非連續地配置於Y方向(規定方向)上的第1圖案M1的放大像,經過投影光學單元PL1~PL5而投影曝光至平板P上,並且使光罩平臺(光罩M)及平板平臺(平板P)與投影光學單元PL1~PL5在X方向(與規定方向交叉的方向)上進行相對的掃描而進行掃描曝光。
此時,由於投影光學單元PL1~PL5具有放大倍率,故光罩平臺以及平板平臺以投影光學單元PL1~PL5的投影倍率之比在X方向上受到掃描。亦即,於該實施形態中,由於投影光學單元PL1~PL5的投影倍率為2.4倍,故平板平臺的掃描速度為光罩平臺的掃描速度的2.4倍。而且,如圖3所示,使第1圖案M1的放大像P1~P5投影曝光至平板P上,且是隨著重複曝光的區域P11~P14而連續形成的。
其次,於步驟S10中,根據所輸入的曝光資訊,選擇第1圖案M1或第2圖案M2(步驟S16)。於該實施形態中,選擇的是第2圖案M2。
其次,為檢測分別由投影光學單元PL1~PL5所形成的第2圖案M2的影像的相對的位置偏移(連接誤差),使用空間像計測裝置24來計測形成於光罩M上的-X方向側的位置計測用標記m0的空間像(步驟S17)。首先,使光罩平臺(光罩M)與投影光學單元PL1~PL5相對地移動,以使第2圖案M2與投影光學單元PL1~PL5相對向。具體而言,使光罩平臺在Y方向上步進移動規定量,以使照明光學系統IL照亮第2圖案M2,亦即,使第2圖案M2位於照明區域I1~I5中。在光罩平臺移動的同時,使平板平臺移動規定量,藉此將平板平臺配置於空間像計測裝置24可計測位置計測用標記m0的空間像的位置處。繼而,計測形成於光罩M上的-X方向側的位置計測用標記m0的空間像。根據位置計測用標記m0的計測結果,計算出分別由投影光學單元PL1~PL5所形成的第2圖案M2的影像的相對的位置偏移(連接誤差)量。
其次,根據步驟S17中所計算出的分別由投影光學單元PL1~PL5所形成的第2圖案M2的影像的相對的位置偏移量,對各投影光學單元PL1~PL5進行調整(步驟S18)。亦即,根據相對的位置偏移量,計算出各投影光學單元PL1~PL5所具備的調整機構的修正量,根據所計算出的調整機構的修正量,驅動各投影光學單元PL1~PL5的調整機構,調整由各投影光學單元PL1~PL5所投影的影像的位置。
其次,進行第2圖案M2的曝光(步驟S19)。繼而,根據步驟S12中所計算出的基於光罩M的變形量的各投影光學單元PL1~PL5所具備的調整機構的修正量,一面驅動各投影光學單元PL1~PL5的調整機構,一面進行第2圖案M2的曝光。亦即,將於Y方向(規定方向)上非連續地配置的第2圖案M2的放大像,經過投影光學單元PL1~PL5後投影曝光至平板P上,並且使光罩平臺(光罩M)及平板平臺(平板P)與投影光學單元PL1~PL5在X方向(與規定方向交叉的方向)上進行相對的掃描而進行掃描曝光。
與步驟S15中的第1圖案M1的曝光同樣,光罩平臺以及平板平臺以投影光學單元PL1~PL5的投影倍率之比在X方向上受到掃描,使第2圖案M2的放大像P1~P5投影曝光至平板P上,且使其隨著重複曝光的區域P11~P14而連續形成。
另外,於步驟S13及步驟S17中,計測形成於光罩M上的-X方向側的位置計測用標記m0的空間像,但亦可計測形成於光罩M上的-X方向側及+X方向側的位置計測用標記m0、m1的空間像。此時,使用該計測結果,於曝光前或曝光時藉由驅動各投影光學單元PL1~PL5的調整機構來修正由各投影光學單元PL1~PL5所形成的影像的相對的位置偏移量。與僅計測形成於光罩M上的-X方向側的位置計測用標記m0之情形相比較,由於計測形成於光罩M上的-X方向側及+X方向側之兩側的位置計測用標記m0、m1,故可更高精度地許測由各投影光學單元PL1~PL5所形成的影像的相對的位置偏移。
另外,於該實施形態中,以形成有用以投影曝光至同一平板P上的不同曝光區域的第1圖案M1及第2圖案M2的光罩M為例進行了說明,但亦可於光罩M上形成用以投影曝光至不同平板上的不同的圖案作為第1圖案M1及第2圖案M2。而且,亦可於光罩M上形成第1層圖案作為第1圖案M1,形成第2層圖案作為第2圖案M2。上述情形下,可減少光罩的更換,高效地進行曝光。
根據該實施形態的曝光裝置及曝光方法,可經由具有放大倍率的多個投影光學單元PL1~PL5,而將設於光罩M上的圖案的放大像投影曝光至平板P上,故可防止光罩M相對於平板P的大型化。而且,由於具備以對應於多個投影光學單元PL1~PL5的放大倍率的位置關係非連續地配置的第1圖案M1、以及至少一部分設於第1圖案M1之間的第2圖案M2或位置檢測用標記m,並將第1圖案M1或第2圖案M2的放大像投影曝光至平板P上,故可提高光罩M的利用效率。
例如,對於通常的液晶裝置的曝光中,如圖5所示般使8張元件圖案曝光於平板P上之情形、如圖6所示般使6張元件圖案曝光於平板P上之情形進行說明。通常,經過4~5層(layer)的濺鍍、光阻劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻的步驟而生成液晶面板。此處,設有5層時,必需5片光罩(光罩)。而且,圖5所示的8張圖案、圖6所示的6張圖案分別需要5片光罩,故合計必需10片光罩。光罩的成本高,製造10片光罩在成本方面負擔較大。
此處,如該實施形態的曝光裝置一般,將投影光學系統PL的投影倍率設為2倍或2倍以上。繼而,例如,如圖2所示,於光罩M的第1圖案M1的區域上繪製8張曝光步驟用圖案,於第2圖案M2的區域上繪製6張曝光步驟用圖案,藉此,8張、6張這2個曝光步驟中所必需的光罩片數為5片,也就是說,可使之為先前的光罩片數的1/2。
而且,通常為8張之情形時藉由進行4次掃描(4次scan)進行曝光,於6張之情形時藉由進行6次掃描(6次scan)而進行曝光。進行6次掃描的6張圖案區域(1張的區域)小於進行4次掃描的8張圖案區域(圖5的斜線部)。因此,如圖7所示,分成光罩M的第1圖案M1的區域與第2圖案M2的區域,將非連續地配置的3個第1圖案M1作為6張用圖案,將非連續地配置的4個第2圖案M2作為8張用圖案。此時,於平板P上,如圖8所示使第1圖案M1曝光,如圖9所示使第2圖案M2曝光,故可於1片光罩上形成不同大小的6張圖案區域以及8張圖案區域,從而可提高光罩的圖案區域的使用效率。
而且,例如,於先前的6張圖案的裝置中,於光罩上繪製相當於1張的區域的圖案,而將圖6中以虛線所示的區域A的圖案繪製於光罩M上作為第1圖案M1,將圖6中以一點鎖線所示的區域B的圖案繪製於光罩M上作為第2圖案M2。於平板P上,進行連續曝光以合成區域A與區域B,藉此無需進行6次掃描,以4次掃描即可完成曝光,從而可提高處理量(throughput)。
以下,對此時的曝光動作進行說明。首先,將光罩M的第1圖案M1曝光於平板P的區域A(參照圖6)上,使平板平臺(平板P)在Y方向上步進移動規定量。此時,藉由使光罩平臺(光罩M)在Y方向上步進移動規定量,而自第1圖案M1切換至第2圖案M2。繼而,將第2圖案M2曝光於平板P的虛線內的區域C(參照圖6)上。同樣,將第1圖案M1曝光於區域D(參照圖6)上,將第2圖案M2曝光於區域B(參照圖6)上。於使平板平臺(平板P)在Y方向上步進移動之期間,可使光罩平臺(光罩M)步進移動,以此切換第1圖案M1與第2圖案M2,故不會導致處理的延遲,而可進行4次掃描曝光。
另外,於該實施形態中,以步進掃描方式的曝光裝置為例進行了說明,但本發明亦可適用於步進-重複方式的曝光裝置、往復曝光方式的曝光裝置中。於步進-重複方式的曝光裝置中,例如,如圖10所示,於光罩M'上形成第1圖案M3及第2圖案M4。繼而,例如,如圖11所示,將所選擇的第1圖案M3或第2圖案M4的放大像分別投影曝光至平板P'上的區域P3上。
而且,於該實施形態中,於1片光罩M上設有第1圖案M1及第2圖案M2,但亦可將第1圖案及第2圖案劃分設置於分散配置的多個光罩上,並將上述多個光罩支持於光罩平臺上。亦即,如圖12所示,例如,將3片光罩M5、M6、M7排列配置於光罩平臺上。第1圖案M8分散配置於光罩M5、M6、M7上,且形成於各光罩M5、M6、M7上的第1圖案M8分別藉由投影光學單元PL1~PL5中的至少1個而進行放大投影曝光。同樣,第2圖案M9亦分散地配置於光罩M5、M6、M7上,且形成於各光罩M5、M6、M7上的第2圖案M9分別藉由投影光學單元PL1~PL5中的至少1個而進行放大投影曝光。此時,由於可防止光罩的大型化,故可抑制光罩的成本。
而且,於該實施形態中,以形成有第1圖案M1、第2圖案M2及位置計測用標記m、m0、m1的光罩M為例進行了說明,但如圖13所示,亦可使用形成有第1圖案M1及位置計測用標記m的光罩M10。此時,由於一部分位置計測用標記m形成於第1圖案M1之間,故亦可高精度地檢測光罩M10的變形。
而且,於該實施形態中,藉由使光罩M在Y方向上步進移動而切換第1圖案M1與第2圖案M2,但亦可不使光罩M(光罩平臺)步進移動,而使光罩M以可旋轉180度的方式搭載從而來切換第1圖案M1與第2圖案M2。而且,藉由預先挪動將光罩載置於光罩平臺上的位置,亦可進行第1圖案M1與第2圖案M2的切換。
而且,於使2個光罩圖案重疊曝光於同一平板上、從而經由進行2重曝光來提高圖案的解像力的技術中,將圖案劃分並繪製於1個光罩上,並使所劃分的圖案2重曝光於同一平板上,藉此,僅以1個光罩即可提高圖案的解像力。
而且,於該實施形態中,於平板平臺PS上具備空間像計測裝置24,但亦可將用以計測位置計測用標記m、m0、m1的至少1個計測系統設置於光罩平臺的投影光學系統PL側、或者光罩平臺的照明光學系統IL側。計測系統可分別與投影光學單元PL1~PL5相對應而設,或者亦可針對2個或2個以上投影光學單元而設置1個計測系統。此時,於掃描曝光中,即時地預知位置計測用標記m的位置並進行計測,即時地驅動各投影光學單元PL1~PL5的調整機構,藉此可調整像位置,故無須於曝光前計測光罩M的變形、以及由各投影光學單元PL1~PL5所形成的影像的相對的位置偏移,從而可提高處理量。
而且,於該實施形態中,表示了第1圖案M1由投影光學系統PL合成並對1個圖案進行曝光的情況,亦可設計第1圖案,以使所合成的圖案成為2個圖案。另外,當然,此時2個圖案分離的部分無須作為疊印部分而重複曝光。
而且,當於第1圖案區域中設置作為第1圖案的元件圖案,而於第2圖案區域中僅設置位置計測用標記時,可使第1圖案區域的各圖案的間距與投影光學系統的倍率小於2.4倍,可設定1.1~1.2倍或1.1~1.2倍以上的倍率。
而且,當然,於對圖案區域進行劃分,於光罩上設置有第1圖案區域、第2圖案區域、第3圖案區域時,投影光學系統的倍率必然成為大於3倍的3.3~3.6倍或3.3~3.6倍以上的倍率。
其次,參照圖14~圖29,對本發明的其他實施形態進行說明。首先,對當投影光學系統PL1~PL5-為正立系的光學系統時所使用的正立像用光罩進行說明。如圖14所示,光罩M具備奇數列圖案區域M1(此處為5個圖案區域)、及偶數列圖案區域M2(此處為5個圖案區域)。此處,奇數列圖案區域M1是指,例如,如該圖所示般,於非掃描方向(Y方向)上自上方開始計數的第奇數個,即第1個、第3個、第5個、第7個、第9個圖案區域,偶數列圖案是指,同樣於非掃描方向(Y方向)上自上方開始計數的第偶數個,即第2個、第4個、第6個、第8個、第10個圖案區域。
於奇數列圖案區域M1的相鄰接的至少一對端部、或者偶數列圖案區域M2的相鄰接的至少一對端部上,形成有具備相同圖案的共通區域。此處,共通區域分別形成於相鄰接的一對奇數列圖案區域M1或者相鄰接的一對偶數列圖案區域M2的相鄰接的一側。例如,如圖14所示,分別形成有共通區域opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph。而且,偶數列圖案區域M2中的至少一部分,配置於相鄰接的至少一對奇數列圖案區域M1之間。由於其他部分與圖2大致相同,故省略其說明。
其次,對當投影光學系統PL1~PL5為倒立系的光學系統時所使用的倒立像用光罩進行說明。如圖15所示,光罩M與圖14同樣,具備奇數列圖案區域M1(此處為5個圖案區域)、及偶數列圖案區域M2(此處為5個圖案區域)。此處,奇數列圖案區域是指,例如,如該圖所示,於非掃描方向(Y方向)上自上方開始計數的第奇數個,即第1個、第3個、第5個、第7個、第9個圖案區域,偶數列圖案是指,同樣於非掃描方向(Y方向)上自上方開始計數的第偶數個,即第2個、第4個、第6個、第8個、第10個圖案區域。
於奇數列圖案區域M1的相鄰接的至少一對端部、或者偶數列圖案區域M2的相鄰接的至少一對端部上,形成有具備相同圖案的共通區域。此處,共通區域分別形成於相鄰接的一對奇數列圖案區域M1或者相鄰接的一對偶數列圖案區域M2的相反側(與相鄰接的一側相反的一側)。例如,如圖15所示,分別形成有共通區域opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph。而且,偶數列圖案區域M2中的至少一部分配置於相鄰接的至少一對奇數列圖案區域M1之間。由於其他部分與圖2大致相同,因此省略其說明。
另外,奇數列圖案區域M1與偶數列圖案區域M2亦可構成為分別具有1個圖案區域。
於上述正立像的光罩以及倒立像的光罩的說明中,所謂鄰接,無須使奇數列圖案區域M1與偶數列圖案區域M2相接,亦可為隔開規定的距離。於相鄰接的一對奇數列圖案區域M1或者相鄰接的一對偶數列圖案區域M2中,以至少一對共通區域opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph互相重疊而形成1個目標圖案的方式,使共通區域的全部或一部分重疊而轉印曝光。另外,一對奇數列圖案區域M1與一對偶數列圖案區域M2,亦可為使相鄰接的至少一對共通區域相互重疊而形成1個目標圖案的圖案,而無須使形成於一對共通區域上的圖案完全相同。例如,一對共通區域中,奇數列圖案區域M1的共通區域中的任一個、或者偶數列圖案區域M2的共通區域中的任一個,亦可具有完全不使用的多餘圖案。
而且,光罩M的圖案在非掃描方向(Y方向)上的奇數列圖案區域M1及偶數列圖案區域M2的寬度並無特別限定,亦可設為35 mm~175 mm。
圖16表示使用圖14或圖15所示的光罩M的奇數列圖案區域M1,將圖案曝光轉印至平板P上的情形,圖17表示使用圖14或圖15所示的光罩M的偶數列圖案區域M2,將圖案曝光轉印至平板P上的情形。如圖16或圖17所示,曝光區域R1~R5由寬度Sr的部分及寬度Tr的部分構成,於平板P上,各寬度Tr的部分成為相鄰接的曝光區域彼此的共通區域。於該實施形態中,曝光區域R1~R5在非掃描方向Y上的寬度,由將圖14以及圖15所示的寬度Si的部分及寬度Ti的部分乘以投影光學系統PL1~PL5的倍率後而獲得的寬度Sr的部分以及寬度Tr的部分所構成,將曝光區域R1~R5在非掃描方向Y上的寬度平均化後而獲得的有效曝光寬度為(Tr+Sr),其與曝光區域R1~R5的間距間隔Lr相等。即,當曝光區域R1~R5的間距間隔Lr與投影光學系統PL1~PL5在非掃描方向Y上的排列間距相等時,若規定曝光區域R1~R5的間距間隔Lr與投影光學系統PL1~PL5的倍率,則可求得光罩M的圖案M1、M2的圖案間距Lm。
因此,雖無特別限定,但例如,於將本實施形態的投影光學系統PL1~PL5的放大倍率設為2倍,將有效曝光寬度設為350 mm時,圖案間距Lm為175 mm。此處,由於曝光區域R1~R5的間距間隔Lr與投影光學系統PL1~PL5在非掃描方向Y上的排列間距相等,因此,本實施形態的圖案間距Lm的最小間距亦與投影光學系統PL1~PL5在非掃描方向Y上的排列間距相關。考慮到保持投影光學系統PL1~PL5的固持器的厚度等,於非掃描方向Y上,例如若將投影光學系統彼此不接觸的寬度設為70 mm,將投影光學系統PL1~PL5的放大倍率設為2倍,則圖案間距Lm為35 mm。
另一方面,非掃描方向Y上的共通區域的寬度並無特別限定,但可設為可目測的寬度,亦可設為圖案間距Lm的2成或2成以下。因此,例如若將本實施形態的圖案間距Lm設為175 mm,則共通區域的寬度可設為1 mm~35 mm。
而且,於本實施形態的光罩M中,為了防止因形成於光罩上的周邊或一部分上的多餘圖案的曝光、或因自平板P洩漏的光而導致的誤曝光等,例如,亦可利用遮光薄板等,於奇數列圖案區域M1與偶數列圖案區域M2以及共通區域的周邊或一部分上形成遮光帶。
而且,如圖18所示,光罩M具備:多個第1位置檢測用標記m11,相對於奇數列圖案區域M1而以規定的位置關係所形成;以及多個第2位置檢測用標記m21,相對於偶數列圖案區域M2而以規定的位置關係所形成。此處,第1位置檢測用標記m11與第2位置檢測用標記m21,是用以將光罩M定位於裝置上的定位標記、或者用以對投影光學系統PL1~PL5進行配置調整的定位標記。另外,第1位置檢測用標記m11與第2位置檢測用標記m21,亦可為用以檢測整個光罩M上的變形的定位標記、用以檢測奇數列圖案區域M1的繪製誤差或偶數列圖案區域M2的繪製誤差的定位標記、用以檢測分別由投影光學系統PL1~PL5所形成的奇數列圖案區域M1或者偶數列圖案區域M2的影像的相對的位置偏移(連接誤差)的定位標記等。於圖18中,多個第1位置檢測用標記m11在沿掃描方向X的方向上,配置於相對於多個奇數列圖案區域M1而隔開規定距離(作為一例,與非掃描方向Y上自上方開始的第1個奇數列圖案M1的距離為Y11)的位置上,多個第2位置檢測用標記m21在沿掃描方向X的方向上,配置於相對於偶數列圖案區域M2而隔開規定距離(作為一例,與非掃描方向Y上自上開始的第2個偶數列圖案M2的距離為Y21)的位置上。
另外,於該圖18中,pm是表示各圖案區域M1、M2的非掃描方向Y上的中心的標記。而且,第1位置檢測用標記m11以及第2位置檢測用標記m21的位置並無特別限定,但如圖18所示,可配置於非掃描方向Y的兩端部(於圖18中為上側端部及下側端部)。然而,上述第1位置檢測用標記m11及第2位置檢測用標記m21亦可配置於圖案區域M1、M2之間的部分或其他部分上。
以下,參照圖19所示的流程圖,對上述正立像用光罩M的製造方法進行說明。該製造方法大致由圖案資料獲取步驟S1、圖案資料劃分步驟(第1步驟、第2步驟)S2、共通區域附加步驟(第3步驟)S3、圖案資料生成步驟(第3步驟)S4、及圖案繪製步驟(第4步驟)S5構成。
首先,於圖案資料獲取步驟S1中,獲取與應曝光轉印至平板P上的一層上的元件圖案相對應的第1圖案資料,並且獲取與應曝光轉印至平板P上的其他層上的元件圖案相對應的第2圖案資料。此處,於曝光轉印至同一平板P上的不同曝光區域之情形時,第1圖案資料與第2圖案資料亦可為與形成在各曝光區域上的元件圖案相對應的第1及第2圖案資料,而於曝光轉印至不同的平板P上之情形時,第1圖案資料與第2圖案資料亦可為與形成於各平板P上的元件圖案相對應的第1及第2圖案資料。上述圖案資料是以投影光學系統PL1~PL5的投影倍率的倒數縮小的資料。其次,於圖案資料劃分步驟S2中,如圖20及圖21所示,分別劃分第1圖案資料PD1及第2圖案資料PD2,生成第1劃分資料群a1、b1、c1以及第2劃分資料群a2、b2、c2。此處,第1圖案群資料a1、b1、c1是應形成於光罩M上的奇數列圖案區域M1上的圖案,第2劃分資料群a2、b2、c2是應形成於光罩M上的偶數列圖案區域M2上的圖案。
當圖案資料劃分步驟S2中的圖案劃分完成時,於共通區域附加步驟S3中,如圖22及圖23所示,於至少一對第1劃分資料群或至少一對第2劃分資料群的端部,附加與共通區域相對應的圖案資料,繼而,於圖案資料生成步驟S4中,製作與形成於光罩上的全部圖案相對應的奇數列圖案繪製資料及偶數列圖案繪製資料。
對於第1劃分資料群附加與共通區域相對應的圖案資料時,如圖22所示,藉由如下方式進行:將相當於第1劃分資料A1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1側的端部)的部分opa資料,附加於第1劃分資料B1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料A1側的端部),將相當於第1劃分資料B1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料C1側的端部)的部分opc資料,附加於第1劃分資料C1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1側的端部)。但是,亦可藉由如下方式進行:將相當於第1劃分資料B1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料A1側的端部)的部分opa資料,附加於第1劃分資料A1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1側的端部),將相當於第1劃分資料C1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1側的端部)的部分opc資料,附加於第1劃分資料B1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料C1側的端部)。
而且,對於第2劃分資料群附加與共通區域相對應的圖案資料時,如圖23所示,藉由如下方式進行:將相當於第2劃分資料A2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2側的端部)的部分opb資料,附加於第2劃分資料B2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料A2側的端部),將相當於第2劃分資料B2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料C2側的端部)的部分opd資料,附加於第2劃分資料C2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2側的端部)。但是,亦可藉由如下方式進行:將相當於第2劃分資料B2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料A2側的端部)的部分opb資料,附加於第2劃分資料A2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2側的端部),將相當於第2劃分資料C2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2側的端部)的部分opd資料,附加於第2劃分資料B2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料C2側的端部)。
當奇數列圖案繪製資料與偶數列圖案繪製資料的製作完成時,於圖案繪製步驟S5中,按照上述資料,使用EB曝光裝置等,將整個圖案繪製於光罩基板(blanks)上,藉此製造出光罩M。此時,如圖24所示交替繪製有第1劃分資料群A1、B1、C1以及第2劃分資料群A2、B2、C2。
倒立像用光罩M的製造方法中,圖案資料獲取步驟S1、圖案資料劃分步驟S2、圖案生成步驟S4、以及圖案繪製步驟S5均與上述相同,但共通區域附加步驟S3中對於與共通區域相對應的圖案資料的附加處理不同。
亦即,當圖案資料劃分步驟S2的圖案劃分完成時,如圖25及圖26所示,於至少一對第1劃分資料群或至少一對第2劃分資料群的端部,附加與共通區域相對應的圖案資料。
對於第1劃分資料群附加與共通區域相對應的圖案資料時,如圖25所示,藉由如下方式進行:將相當於第1劃分資料A1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1的相反側的端部)的部分opa資料,附加於第1劃分資料B1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料A1的相反側的端部),將相當於第1劃分資料B1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料C1的相反側的端部)的部分opc資料,附加於第1劃分資料C1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1的相反側的端部)。但是,亦可藉由如下方式進行:將相當於第1劃分資料B1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料A1的相反側的端部)的部分opa資料,附加於第1劃分資料A1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1的相反側的端部),將相當於第1劃分資料C1的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料B1的相反側的端部)的部分opc資料,附加於第1劃分資料B1相應的端部(此處為相鄰接的第1劃分資料C1的相反側的端部)。
而且,對於第2劃分資料群附加與共通區域相對應的圖案資料時,如圖26所示,藉由如下方式進行:將相當於第2劃分資料A2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2的相反側的端部)的部分opb資料,附加於第2劃分資料B2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料A2的相反側的端部),將相當於第2劃分資料B2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料C2的相反側的端部)的部分opd資料,附加於第2劃分資料C2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2的相反側的端部)。但是,亦可藉由如下方式進行:將相當於第2劃分資料B2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料A2的相反側的端部)的部分opb資料,附加於第2劃分資料A2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2的相反側的端部),將相當於第2劃分資料C2的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料B2的相反側的端部)的部分opd資料,附加於第2劃分資料B2相應的端部(此處為相鄰接的第2劃分資料C2的相反側的端部)。
當藉由圖案資料生成步驟S4而完成奇數列圖案繪製資料與偶數列圖案繪製資料的製作時,於圖案繪製步驟S5中,根據上述資料,使用EB曝光裝置等,將整個圖案繪製於光罩基板(blanks)上,藉此製造出光罩M。此時,如圖27所示交替繪製有第1劃分資料群A1、B1、C1及第2劃分資料群A2、B2、C2。
另外,於上述圖案資料劃分步驟S2中,對與元件圖案相對應的圖案進行劃分,於其後實施共通區域附加步驟S3,但亦可對與在至少一對奇數列圖案區域中具有共通區域的全部奇數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第1劃分資料群(第1步驟),並且,對與在至少一對偶數列圖案區域中具有共通區域的全部偶數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第2劃分資料群(第2步驟),並使用上述第1劃分資料群及第2劃分資料群,將上述全部奇數列圖案及上述全部偶數列圖案繪製於光罩M上(第3步驟)。此時的奇數列圖案相關的第1圖案資料PD1如圖28所示,偶數列圖案相關的第2圖案資料PD2如圖29所示。於上述圖中,opa、opb、opc、opd為共通區域。
以上所說明的實施形態地目的在於使讀者容易理解本發明,並非為了限定本發明。因此,上述實施形態中所揭示的各要素亦包含屬於本發明的技術性範圍內的所有設計變更或其等價物。而且,亦可對上述實施形態的各構成要素等進行任意組合等。
1...光源
2...橢圓鏡
3...分色鏡
4...快門
5...準直透鏡
6...波長選擇濾光片
8...中繼透鏡
9...光導
9a...入射端
9b、9c、9d、9e、9f...射出端
11b...準直透鏡
12b...複眼式積分器
15b...聚光透鏡系統
24...空間像計測裝置
25、26...移動鏡
29...照度測定部
52...定位系統
54...自動聚焦系統
A、B、C、D、P1~P5、P11~P14...區域
a1、b1、c1...第1劃分資料群
a2、b2、c2...第2劃分資料群
A1、B1、C1...第1劃分資料
A2、B2、C2...第2劃分資料
I1~I5...照明區域
IL...照明光學系統
Li、Lr...間距間隔
Lm...圖案間距
M、M'、M5、M6、M7、M10...光罩
m、m0、m1...位置計測用標記
m11...第1位置檢測用標記
m21...第2位置檢測用標記
M1...奇數列圖案區域
M2...偶數列圖案區域
M3、M8...第1圖案
M4、M9...第2圖案
MS...光罩平臺
opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph...共通區域
P、P'...平板
PD1...第1圖案資料
PD2...第2圖案資料
PL...投影光學系統
PL1~PL5...投影光學單元
PS...平板平臺
R1~R5...曝光區域
Si、Ti、Sr、Tr...寬度
圖1是表示實施形態的曝光裝置的概略結構的立體圖。
圖2是表示實施形態的光罩(mask)結構的圖。
圖3是表示實施形態的平板結構的圖。
圖4是用以說明實施形態的曝光方法的流程圖。
圖5是用以說明使8張元件圖案曝光於平板上之情形的圖。
圖6是用以說明使6張元件圖案曝光於平板上之情形的圖。
圖7是表示實施形態的其他光罩結構的圖。
圖8是表示實施形態的其他平板結構的圖。
圖9是表示實施形態的其他平板結構的圖。
圖10是表示步進-重複方式的曝光裝置中所使用的光罩結構的圖。
圖11是表示利用步進-重複方式的曝光裝置使圖案曝光的平板結構的圖。
圖12是表示實施形態的其他光罩結構的圖。
圖13是表示實施形態的其他光罩結構的圖。
圖14是表示其他實施形態的正立像用光罩的結構的圖。
圖15是表示其他實施形態的倒立像用光罩的結構的圖。
圖16是表示其他實施形態的藉由奇數列圖案來進行曝光處理後的平板結構的圖。
圖17是表示其他實施形態的藉由偶數列圖案來進行曝光處理後的平板結構的圖。
圖18是表示其他實施形態的其他光罩結構的圖。
圖19是表示其他實施形態的光罩製造方法的流程圖。
圖20是用以說明其他實施形態中與奇數列圖案相關的圖案資料的劃分步驟的圖。
圖21是用以說明其他實施形態的與偶數列圖案相關的圖案資料的劃分步驟的圖。
圖22是用以說明其他實施形態中與製造正立像用光罩時的奇數列圖案相關的共通區域賦予步驟的圖。
圖23是用以說明其他實施形態下與製造正立像用光罩時的偶數列圖案相關的共通區域賦予步驟的圖。
圖24是表示藉由其他實施形態中製造方法所製造的正立像用光罩的結構的圖。
圖25是用以說明其他實施形態中與製造倒立像用光罩時的奇數列圖案相關的共通區域賦予步驟的圖。
圖26是用以說明其他實施形態中與製造倒立像用光罩時的偶數列圖案相關的共通區域賦予步驟的圖。
圖27是表示藉由其他實施形態的製造方法所製造的倒立像用光罩的結構的圖。
圖28是用以說明其他實施形態下與省略光罩製造方法的共通區域賦予步驟時的奇數列圖案相關的圖案資料的劃分步驟的圖。
圖29是用以說明其他實施形態下與省略光罩製造方法的共通區域賦予步驟時的偶數列圖案相關的圖案資料的劃分步驟的圖。
I1~I5...照明區域
Lm...圖案間距
Li...間距間隔
M...光罩
M1、M2...圖案
m、m0、m1...位置計測用標記
Si、Ti...寬度
Claims (58)
- 一種曝光方法,是將圖案的像曝光於感光物體上的曝光方法,此曝光方法包括:準備光罩,上述光罩形成有於第1方向以規定間隔非連續地設置的多個第1圖案、以及於上述第1方向以上述規定間隔設置而非連續地設於上述第1圖案之間的多個第2圖案;使上述多個第1圖案的各放大像,於上述第1方向相互地連續並投影曝光至上述感光物體上;以及使上述多個第2圖案的各放大像,於上述第1方向相互地連續並投影曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像之中相鄰的至少一對上述第1圖案的放大像的一部分,是相互重複地投影曝光至前述感光物體上;且上述多個第2圖案的放大像之中相鄰的至少一對上述第2圖案的放大像的一部分,是相互重複地投影曝光至前述感光物體上。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像以及上述多個第2圖案的放大像,是投影曝光於相同的上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第3項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像,投影曝光於前述感光物體的第1區域;且 上述多個第2圖案的放大像,投影曝光於與上述感光物體上的上述第1區域不同的第2區域上。
- 如申請專利範圍第3項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像,投影曝光於前述感光物體的第1區域;且上述多個第2圖案的放大像,投影曝光於與上述感光物體上的上述第1區域至少一部分重複的第2區域上。
- 如申請專利範圍第5項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像、與上述多個第2圖案的放大像是相互2重曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述感光物體包括不同的第1感光物體與第2感光物體,且上述多個第1圖案的放大像是投影曝光於上述第1感光物體上,且上述多個第2圖案的放大像是投影曝光於上述第2感光物體上。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像與上述多個第2圖案的放大像是以大於2倍的投影倍率被投影曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像,是利用於上述第1方向相互地以上述規定間隔設置排列的多個投影光學單元投影曝光至上述感光物體;上述多個第2圖案的放大像,是利用上述多個投影光學單元投影曝光至上述感光物體。
- 如申請專利範圍第9項所述的曝光方法,其中上述第1圖案的放大像投影曝光至上述感光物體的步驟包括:對於上述多個投影光學單元,使上述光罩及上述感光物體在與上述第1方向交叉的第2方向進行掃描,且上述多個第2圖案的放大像投影曝光至上述感光物體的步驟包括:對於上述多個投影光學單元,使上述光罩及上述感光物體在上述第2方向進行掃瞄。
- 如申請專利範圍第10項所述的曝光方法,其中上述多個第1圖案的放大像投影曝光至上述感光物體的步驟包括:使上述光罩與上述感光物體以與上述多個投影光學單元所具有的倍率相等的速度比,在上述第2方向上進行掃描,且上述多個第2圖案的放大像投影曝光至上述感光物體的步驟包括:使上述光罩與上述感光物體以上述速度比,在上述第2方向上進行掃描。
- 如申請專利範圍第9項所述的曝光方法,包括:按照上述第1圖案與上述第2圖案在上述第1方向的間隔,使上述光罩於上述第1方向步進移動;且使上述多個第1圖案或上述多個第2圖案分別與上述多個投影光學單元對向。
- 如申請專利範圍第9項所述的曝光方法,還包括:取得用以選擇上述第1圖案或上述第2圖案中的一者的曝光資訊;以及 根據上述曝光資訊,使上述多個投影光學單元分別與上述多個第1圖案或上述多個第2圖案對向。
- 如申請專利範圍第9項所述的曝光方法,包括:對應於上述多個第1圖案及上述多個第2圖案中至少一方於上述光罩的規定位置所形成的多個計測用標記的像,是利用上述多個投影光學單元而形成;計測上述多個計測用標記的像;以及根據上述多個計測用標記的像的計測結果,調整上述多個投影光學單元,其中上述多個第1圖案的放大像與上述多個第2圖案的放大像,是由根據上述多個計測用標記的計測結果而調整的上述多個投影光學單元,投影曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第14項所述的曝光方法,其中計測上述多個計測用標記的像的步驟包括:根據上述像的計測結果,檢測出上述光罩的變形量或上述第1圖案與上述第2圖案的繪製誤差的相關資訊,且上述多個投影光學單元的調整步驟包括:根據上述變形量或上述繪製誤差的相關資訊,來調整上述多個投影光學單元。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述規定間隔是對應投影曝光至上述感光物體的上述第1圖案的放大像及上述第2圖案的放大像的放大倍率而設定。
- 如申請專利範圍第9項所述的曝光方法,其中上述規定間隔是對應上述多個投影光學單元所具有的倍率、與 上述多個投影光學單元所形成的多個曝光區域沿著上述第1方向的間距間隔而設定。
- 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法,其中上述光罩包括沿上述第1方向分散配置的多個光罩基板,且上述多個第1圖案與上述多個第2圖案是分別劃分設置於上述多個光罩基板,且準備上述光罩的步驟包括:支撐著沿上述第1方向分散配置的上述多個光罩基板。
- 一種曝光方法,是把圖案的像曝光於感光物體的曝光方法,其特徵在於包括:準備光罩,上述光罩於第1方向以規定間隔非連續地配置多個第1圖案,且於上述第1方向以上述規定間隔配置多個第2圖案,且至少一第2圖案設於上述非連續設置的上述多個第1圖案之間,其中上述多個第1圖案是將第1元件圖案於上述第1方向分割而形成,且上述多個第2圖案是將第2元件圖案於上述第1方向分割而形成;把上述多個第1圖案的各放大像投影曝光至上述感光物體,以將上述第1元件圖案的各放大像形成於上述感光物體上;以及把上述多個第2圖案的放大像投影曝光至上述感光物體,以將上述第2元件圖案的放大像形成於上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第19項所述的曝光方法,其中上述第1元件圖案的放大像,是利用於上述第1方向相互地 以上述規定間隔設置排列的多個投影光學單元而被投影曝光至上述感光物體,且上述第2元件圖案的放大像,是利用上述多個投影光學單元而投影曝光至上述感光物體。
- 一種曝光裝置,是把圖案的像曝光至感光物體的曝光裝置,其特徵在於包括:多個投影光學單元,沿第1方向排列,並將第1面所配置的上述圖案的放大像分別投影曝光至第2面;第1保持裝置,支撐著光罩並使上述光罩配置於上述第1面而使上述光罩可對於上述多個投影光學單元相對移動,其中上述光罩於上述第1方向以規定間隔非連續地配置多個第1圖案,且上述光罩於上述第1方向以上述規定間隔非連續地設置於上述多個第1圖案之間配置多個第2圖案;以及第2保持裝置,支撐上述感光物體並使上述感光物體配置於上述第2面,其中上述多個投影光學單元以使利用上述第1保持裝置而配置於上述第1面的上述多個第1圖案的各放大像分別對向於上述多個投影光學單元的方式,使上述第1面所配置的上述多個第1圖案的放大像於上述第1方向連續,並投影曝光至利用上述第2保持裝置而配置於上述第2面的上述感光物體,且上述多個投影光學單元以使利用上述第1保持裝置而配置於上述第1面的上述多個第2圖案的各放大像分別對 向於上述多個投影光學單元的方式,使上述第1面所配置的上述多個第2圖案的放大像於上述第1方向連續,並投影曝光至利用上述第2保持裝置而配置於上述第2面的上述感光物體。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述多個投影光學單元是,使上述多個第1圖案的放大像之中相鄰的至少一對上述第1圖案的放大像的一部分,相互重複地投影曝光至前述感光物體上,且使上述多個第2圖案的放大像之中相鄰的至少一對上述第2圖案的放大像的一部分,相互重複地投影曝光至前述感光物體上。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述多個第1圖案的放大像以及上述多個第2圖案的放大像,是投影曝光於相同的上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第23項所述的曝光裝置,其中上述多個第1圖案的放大像,投影曝光於前述感光物體的第1區域;且上述多個第2圖案的放大像,投影曝光於與上述感光物體上的上述第1區域不同的第2區域上。
- 如申請專利範圍第23項所述的曝光裝置,其中上述多個第1圖案的放大像,投影曝光於前述感光物體的第1區域;且上述多個第2圖案的放大像,投影曝光於與上述感光物體上的上述第1區域至少一部分重複的第2區域上。
- 如申請專利範圍第25項所述的曝光裝置,其中上述多個第1圖案的放大像、與上述多個第2圖案的放大像是相互2重曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述感光物體包括不同的第1感光物體與第2感光物體,且上述多個第1圖案的放大像是投影曝光於上述第1感光物體上,且上述多個第2圖案的放大像是投影曝光於上述第2感光物體上。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述多個投影光學單元具有大於2倍的倍率。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述第1保持裝置與上述第2保持裝置,是以與上述多個投影光學單元所具有的倍率相等的速度比,使上述光罩及上述感光物體,於與上述第1方向交叉的第2方向上進行掃描。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中第1保持裝置是按照上述第1圖案與上述第2圖案在上述第1方向的間隔,來使上述光罩於第1方向步進移動,且使上述多個第1圖案或上述多個第2圖案分別與多個投影光學單元對向。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述第1保持裝置是根據被輸入於該曝光裝置的用以選擇上述第1圖案及上述第2圖案中一者的曝光資訊,使上述多 個第1圖案或上述多個第2圖案分別與上述多個投影光學單元對向。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,包括:像計測裝置,對多個計測用標記由上述多個投影光學單元的像進行計測,上述多個計測用標是對應於上述多個第1圖案及上述多個第2圖案中至少一方而形成於上述光罩的規定位置;以及調整裝置,根據上述多個計測用標記的計測結果,調整上述多個投影光學單元。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述規定間隔是對應上述多個投影光學單元所具有的倍率、與上述多個投影光學單元所形成的多個曝光區域沿著上述第1方向的間距間隔而設定。
- 如申請專利範圍第21項所述的曝光裝置,其中上述光罩包括沿上述第1方向非連續配置的多個光罩基板,且上述多個第1圖案及上述多個第2圖案,分別劃分設置於前述多個光罩基板上,且上述第1保持裝置支撐著沿上述第1方向分散配置的上述多個光罩基板。
- 一種曝光裝置,是把圖案的像曝光於感光物體的曝光裝置,其特徵在於包括: 多個投影光學單元,於第1方向相互地以規定間隔設置排列,把第1面所配置的上述多個圖案的放大像分別投影曝光至第2面;第1保持裝置,支撐著光罩並使上述光罩配置於上述第1面而使上述光罩可對於上述多個投影光學單元相對移動,其中上述光罩沿著上述第1方向以上述規定間隔非連續地配置多個第1圖案,且上述光罩沿著上述第1方向以上述規定間隔於上述多個第1圖案之間非連續地配置多個第2圖案,且上述多個第1圖案是將第1元件圖案於上述第1方向分割而形成,上述多個第2圖案是將第2元件圖案於上述第1方向分割而形成;以及第2保持裝置,支撐上述感光物體並使上述感光物體配置於上述第2面,其中上述多個投影光學單元以使利用上述第1保持裝置而配置於上述第1面的上述多個第1圖案的各放大像分別對向於上述多個投影光學單元的方式,使上述第1面所配置的上述多個第1圖案的放大像投影至利用上述第2保持裝置而配置於上述第2面的上述感光物體,並使上述第1元件圖案的放大像曝光至上述感光物體;且上述多個投影光學單元以使利用上述第1保持裝置而配置於上述第1面的上述多個第2圖案的各放大像分別對向於上述多個投影光學單元的方式,使上述第1面所配置的上述多個第2圖案的放大像投影至利用上述第2保持裝 置而配置於上述第2面的上述感光物體,並使上述第2元件圖案的放大像曝光至上述感光物體。
- 一種光罩,是把被曝光的圖案形成於感光物體上的光罩,此光罩包括:多個第1圖案,沿著第1方向以規定間隔非連續地配置,且使上述感光物體於第1方向上形成連續圖案的方式,把放大像投影曝光至上述感光物體;以及多個第2圖案,沿著上述第1方向以規定間隔非連續地設於上述多個第1圖案之間,且使於上述感光物體上形成連續的圖案的方式,把放大像投影曝光至上述感光物體。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,其中上述多個第1圖案的放大像之中相鄰的至少一對上述第1圖案的放大像的一部分,是相互重複地投影曝光至前述感光物體上;且上述多個第2圖案的放大像之中相鄰的至少一對上述第2圖案的放大像的一部分,是相互重複地投影曝光至前述感光物體上。
- 如申請專利範圍第37項所述的光罩,其中上述多個第1圖案的放大像、與上述多個第2圖案的放大像是相互2重曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,其中上述多個第1圖案的放大像與上述多個第2圖案的放大像是以大於2倍的投影倍率被投影曝光至上述感光物體上。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,其中上述多個第1圖案的放大像,是利用於上述第1方向相互地以上述規定間隔設置排列的多個投影光學單元投影曝光至上述感光物體,且上述多個第2圖案的放大像,是利用上述多個投影光學單元投影曝光至上述感光物體。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,其中上述第1圖案及上述第2圖案是分別沿著與上述第1方向交叉的第2方向而形成。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,包括:多個計測用標記,對應於上述多個第1圖案及上述多個第2圖案中至少一方而設於規定位置。
- 如申請專利範圍第42項所述的光罩,其中多個計測用標記的至少一部分,是配置於相鄰的上述第1圖案與上述第2圖案之間。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,其中於上述多個第1圖案中相鄰接的至少一對上述第1圖案的端部,設有具備相同圖案的第1共通區域,且上述多個第2圖案中相鄰的至少一對上述第2圖案的端部,設有具備相同圖案的第2共通區域。
- 如申請專利範圍第44項所述的光罩,其中上述第1共通區域分別設於相鄰的至少一對上述第1圖案的相鄰側,且 上述第2共通區域分別設於相鄰的至少一對上述第2圖案的相鄰側。
- 如申請專利範圍第44項所述的光罩,其中上述第1共通區域分別設於與相鄰的至少一對上述第1圖案的相鄰側相反的相反側,且上述第2共通區域分別設於與相鄰的至少一對上述第2圖案的相鄰側相反的相反側。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,其中上述規定間隔是對應投影曝光至上述感光物體的上述第1圖案的放大像及上述第2圖案的放大像的放大倍率而設定。
- 如申請專利範圍第36項所述的光罩,包括:沿上述第1方向分散配置的多個光罩基板,其中上述多個第1圖案與上述多個第2圖案是分別劃分設置於上述多個光罩基板。
- 一種光罩,是把被曝光的圖案形成於感光物體的光罩,其特徵在於包括:多個第1圖案,將第1元件圖案於第1方向分割而形成,且沿著上述第1方向以規定間隔非連續地配置;以及多個第2圖案,將第2元件圖案於上述第1方向分割而形成,且沿著上述第1方向以上述規定間隔非連續地配置於上述多個第1圖案之間。
- 一種光罩,此光罩包括圖案區域,上述圖案區域包含沿著第1方向以規定間隔離散地配置的奇數列圖案區域及偶數列圖案區域, 於上述奇數列圖案區域中於第1方向上相鄰接的至少一對端部、或上述偶數列圖案區域中於第1方向上相鄰接的至少一對端部上,含有具備相同圖案的共通區域,上述偶數列圖案區域中至少一部分,配置於相鄰接的至少一對上述奇數列圖案區域之間。
- 如申請專利範圍第50項所述的光罩,其中上述共通區域分別形成於一對上述奇數列圖案區域相鄰接的一側、或者一對上述偶數列圖案區域相鄰接的一側。
- 如申請專利範圍第50項所述的光罩,其中上述共通區域分別形成於一對上述奇數列圖案區域相鄰接的一側、或者一對上述偶數列圖案區域相鄰接的一側的相反側。
- 如申請專利範圍第50項至第52項中任一項所述的光罩,其中上述共通區域的寬度在1mm~35mm的範圍內。
- 如申請專利範圍第50項至第53項中任一項所述的光罩,其中上述奇數列圖案區域以及上述偶數列圖案區域的寬度在35mm~175mm的範圍內。
- 如申請專利範圍第50項至第53項中任一項所述的光罩,其中上述共通區域與上述圖案區域的周圍具有遮光帶。
- 如申請專利範圍第50項至第53項中任一項所述的光罩,其包括:第1位置檢測用標記,與上述奇數列圖案區域具有規定的位置關係;以及 第2位置檢測用標記,與上述偶數列圖案區域具有規定的位置關係。
- 一種光罩的製造方法,是如申請專利範圍第50項至第56項中任一項所述的光罩的製造方法,包括:第1步驟,對與上述光罩上的奇數列圖案區域中所形成的全部奇數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第1劃分資料群;第2步驟,對與上述光罩上的偶數列圖案區域中所形成的全部偶數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第2劃分資料群;第3步驟,於至少一對上述第1劃分資料群或者至少一對上述第2劃分資料群的端部,附加與上述共通區域相對應的圖案資料,製作與上述光罩上形成的全部圖案相對應的奇數列圖案繪製資料及偶數列圖案繪製資料;以及第4步驟,使用上述奇數列圖案繪製資料及上述偶數列圖案繪製資料,於上述光罩上繪製上述全部圖案。
- 一種光罩的製造方法,是如申請專利範圍第50項至第56項中任一項所述的光罩的製造方法,包括:第1步驟,以在至少一對奇數列圖案區域中具有上述共通區域的方式,對全部奇數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第1劃分資料群;第2步驟,以在至少一對偶數列圖案區域中具有上述共通區域的方式,對全部偶數列圖案相對應的圖案資料進行劃分,生成第2劃分資料群;以及 第3步驟,使用上述第1劃分資料群及上述第2劃分資料群,於上述光罩上繪製上述全部奇數列圖案及上述全部偶數列圖案。
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| KR101415411B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2014-07-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치, 노광 방법, 디스플레이의 제조방법, 마스크 및 마스크의 제조 방법 |
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| US8654307B2 (en) * | 2006-03-20 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus, method of manufacturing micro-apparatus, mask, projection optical apparatus, and method of manufacturing mask |
| US20080165333A1 (en) * | 2007-01-04 | 2008-07-10 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, photomask, and device and photomask manufacturing method |
| US8130364B2 (en) * | 2007-01-04 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, photomask, and device and photomask manufacturing method |
| US8917378B2 (en) * | 2007-12-20 | 2014-12-23 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device with plurality of projection optical systems and pattern having first partial pattern area and second partial area having overlaid area with first partial pattern area |
| JP5335397B2 (ja) | 2008-02-15 | 2013-11-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP5288104B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-09-11 | Nskテクノロジー株式会社 | スキャン露光装置およびスキャン露光方法 |
| WO2009128439A1 (ja) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP5493403B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2014-05-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US20120219886A1 (en) | 2011-02-28 | 2012-08-30 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| US8039176B2 (en) | 2009-08-26 | 2011-10-18 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography |
| US8057970B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-11-15 | D2S, Inc. | Method and system for forming circular patterns on a surface |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9405203B2 (en) | 2008-09-23 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography |
| US8670106B2 (en) * | 2008-09-23 | 2014-03-11 | Pinebrook Imaging, Inc. | Optical imaging writer system |
| US8253923B1 (en) | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
| US9025136B2 (en) * | 2008-09-23 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits |
| US9507271B1 (en) * | 2008-12-17 | 2016-11-29 | Applied Materials, Inc. | System and method for manufacturing multiple light emitting diodes in parallel |
| JP5392549B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2014-01-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP5326806B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法 |
| US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| JP5294489B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-09-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
| WO2011089772A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | シャープ株式会社 | 露光装置、液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8818072B2 (en) * | 2010-08-25 | 2014-08-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Rendered database image-to-inspection image optimization for inspection |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9057956B2 (en) * | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US20120244459A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Nanya Technology Corp. | Method for evaluating overlay error and mask for the same |
| JP5704535B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2015-04-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用した露光装置 |
| WO2012148606A2 (en) | 2011-04-26 | 2012-11-01 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US8516402B1 (en) | 2011-08-22 | 2013-08-20 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations |
| US8473874B1 (en) * | 2011-08-22 | 2013-06-25 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| WO2013088551A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| CN103207526B (zh) * | 2012-01-16 | 2016-08-10 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种曝光修正补偿方法 |
| CN103217424B (zh) * | 2012-01-19 | 2017-05-03 | 昆山思拓机器有限公司 | 软板分区对位校正方法 |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| TWI653187B (zh) * | 2012-05-18 | 2019-03-11 | 日商尼康股份有限公司 | 基板處理裝置 |
| JP2014027260A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Canon Inc | 描画装置、データ処理方法および物品の製造方法 |
| JP6011138B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2016-10-19 | 大日本印刷株式会社 | 位置ずれ検出方法 |
| CN104749902B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-02-15 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模板面型整形装置 |
| KR102345078B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2021-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 산출 장치, 패턴 산출 방법, 마스크, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 컴퓨터 프로그램, 및, 기록 매체 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JP3348467B2 (ja) | 1993-06-30 | 2002-11-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法 |
| JP4132095B2 (ja) | 1995-03-14 | 2008-08-13 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
| DE19757074A1 (de) * | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
| JP2000331909A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| EP1107064A3 (en) | 1999-12-06 | 2004-12-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| JP2001168003A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Olympus Optical Co Ltd | 露光装置 |
| JP2002036373A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光造形装置 |
| US6884552B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof |
| JP4362999B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2003324028A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Jfe Steel Kk | 平面磁気素子の製造方法 |
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| US7089352B2 (en) * | 2002-12-23 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | CAM modified to be used for statistic calculation in network switches and routers |
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| TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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