TWI427387B - 導線的修補方法以及顯示面板的修補方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種修補方法以及顯示面板的修補方法。
平面顯示器技術已趨成熟，但顯示面板的組成元件，如主動元件陣列基板，在製造過程之中難免會產生一些瑕疵(defect)。例如，主動元件陣列基板上的掃描線與資料線因其長度很長，故容易發生斷線的情形。當掃描線與資料線發生斷線時，會導致一部分的畫素無法動作(線缺陷)，故必須設法修補斷線。此外，若僅依賴改善製程技術來實現零瑕疵率是非常困難的，因此，顯示面板的瑕疵修補技術就變得相當重要。在習知技術中，顯示面板的瑕疵修補通常採用雷射熔接(laser welding)搭配雷射切割(laser cutting)等方式來進行。
一般來說，上述採用雷射熔接以及雷射切割技術來進行斷線之修補之方式，是先在顯示面板上預先形成修補線。當顯示面板製造完成之後，利用檢測工具檢測顯示面板上是否具有斷線缺陷。倘若發現特定訊號現有斷線缺陷時，便利用位於具有缺陷之訊號線附近的修補線來進行修補，也就是藉由雷射熔接方式使修補線與具有缺陷之訊號線熔接在一起，再利用雷射切割方式切割不需使用到的修補線。
然而，上述修補方法因必須先在顯示面板上形成修補線，且當需要進行修補時需採用雷射熔接以及雷射切割技術。因此，傳統對於顯示面板之斷線的修補方法較為繁瑣，且修補線位置的設置也會受到許多限制。
本發明提供一種導線的修補方法以及顯示面板的修補方法，其可以不需預先於顯示面板中形成修補線，且不需採用傳統雷射熔接以及雷射切割程序，即可以達到修補導線之目的。
本發明提出一種導線的修補方法，其包括提供導線，其中導線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處塗佈奈米金屬溶液，其中奈米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散於有機溶劑中的奈米金屬顆粒。利用雷射照射程序照射斷線缺陷處，以使奈米金屬溶液硬化以形成修補部。
本發明提出一種顯示面板的修補方法，其包括提供顯示面板，所述顯示面板包括多條訊號線，其中所述訊號線中的至少一條訊號線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處塗佈奈米金屬溶液，其中奈米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散於有機溶劑中的奈米金屬顆粒。利用雷射照射程序照射斷線缺陷處，以使奈米金屬溶液硬化以形成修補部。
基於上述，本發明在導線之斷線缺陷處塗佈奈米金屬顆粒，並且利用雷射照射程序以使得奈米金屬溶液硬化以形成修補部，即可使得導線之斷線缺陷獲得修補。由於本
發明不需事先在顯示面板上設置修補線路，因而本發明之修補方法相較於傳統方法較為簡單且便利。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1C是根據本發明一實施例之導線之修補方法的流程示意圖。請參照圖1A，本實施例之導線的修補方法首先包括提供導線L，其中導線L具有斷線缺陷D。在此，導線L之材質可為金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。導線L可為直線導線、彎曲導線或是各種形式之導線。導線L之斷線缺陷D可能是導線L之製程過程中所產生的缺陷，或是於產品搬移過程中因機械碰撞或人為疏失所造成的缺陷。
當導線L發生斷線缺陷D時，導線L就無法順利的將訊號從導線L的一端傳遞到另一端。因此，當導線L發生斷線缺陷D時，通常會採用修補方式將導線L之缺陷D處修補起來，以使導線L能夠恢復正常運作。
在本實施例中，對於上述導線L之斷線缺陷D進行修補之方法如下所述。首先，配製奈米金屬溶液，所述奈米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散於有機溶劑中的奈米金屬顆粒。上述奈米金屬溶液之有機溶劑包括己烷、苯、甲苯或是其他適用的有機溶劑。上述奈米金屬溶液之奈米
金屬顆粒包括奈米金顆粒、奈米銀顆粒或是其他奈米金屬顆粒。特別是，所述奈米金屬溶液之奈米金屬顆粒的顆粒尺寸約為2~3奈米。
之後，如圖1B所示，將上述奈米金屬溶液S塗佈在導線L之斷線缺陷D處。由於奈米金屬溶液S包含有機溶劑O以及均勻分散於有機溶劑O中的奈米金屬顆粒N，因此塗佈在斷線缺陷D處之奈米金屬溶液S中的奈米金屬顆粒N也是均勻的分佈於斷線缺陷D處。
之後，進行雷射照射程序LR，也就是利用雷射LR照射斷線缺陷D處，以使奈米金屬溶液S硬化以形成修補部R，如圖1C所示。根據本實施例，上述雷射照射程序LR的溫度是介於攝氏約350至400度。
一般來說，金屬的熔點通常高達攝氏攝氏五百度以上，甚至高達攝氏九百多度或一千多度。但是當將金屬加工成奈米金屬顆粒之後，也就是使得奈米金屬顆粒的尺寸與傳導電子的德布羅意(deBroglie)波長相當或是更小時，金屬之週期性邊界將會被破壞，而使得奈米金屬顆粒呈現之物理特性與宏觀金屬之物理特性不同。以金(Au)為例，當金到達奈米尺寸之後，將會失去其原來的金屬光澤，而變成黑色，且奈米金的尺寸越小，則色澤越黑。另外，金的熔點在一般的情況之下約為攝氏1064度。若是將金加工為粒徑為10nm左右的奈米顆粒，其熔點會下降至攝氏940度。若是將金進一步加工為粒徑2~3nm左右的奈米顆粒，其熔點將可下降至攝氏350度~攝氏400度左右。
承上所述，由於本實施例採用顆粒尺寸為2~3奈米之奈米金屬顆粒來修補導線之斷線缺陷，因此可以採用低溫雷射照射程序(攝氏450至500度)即可以使得奈米金屬顆粒熔融，並同時使有機溶劑揮發。如此一來，便可以使得奈米金屬顆粒熔融之後形成修補部R。透過修補部R便可使得導線L恢復正常傳遞訊號之功能。
上述之導線之修補方法可以應用在各種電子產品中之導線上。以下舉出顯示面板之修補方法為例來說明，但本發明之修補方法不限於顯示面板中。換言之，在其他的實施例中，上述之導線之修補方法也可以應用於其他電子產品中。
圖2是根據本發明一實施例之顯示面板的示意圖。請參照圖2，本實施例之顯示面板100包括顯示區A以及非顯示區B，且顯示面板100包括多條訊號線。更詳細來說，在顯示面板100之顯示區A中包括設置有訊號線(例如多條掃描線SL1~SLn以及多條資料線DL1~DLn)以及多個畫素結構P。在顯示面板100之非顯示區B中則包括設置有訊號線(例如引線L1-1~L1-n以及引線L2-1~L2-n)。
掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn彼此交越設置，且掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn之間夾有絕緣層。換言之，掃描線SL1~SLn的延伸方向與資料線DL1~DLn的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SL1~SLn的延伸方向與資料線DL1~DLn的延伸方向垂直。基於導電性的考量，掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn一般
是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。
另外，畫素結構P包括主動元件T以及畫素電極PE。主動元件T可以是底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極、通道、源極以及汲極。主動元件T與對應的一條掃描線SL1~SLn及對應的一條資料線DL1~DLn電性連接。另外，主動元件T與畫素電極PE電性連接。
另外，掃描線SL1~SLn延伸至非顯示區B中分別與對應的一條引線L1-1~L1-n電性連接。資料線DL1~DLn延伸至非顯示區B中分別與對應的一條引線L2-1~L2-n電性連接。引線L1-1~L1-n以及引線L2-1~L2-n將與驅動元件電性連接，以提供畫素結構P驅動訊號。
承上所述，一般來說，因掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn的長度會隨著顯示面板的尺寸越大而越長。而在顯示面板的製程過程之中，有可能因為製程步驟之失誤或是污染，或是搬運過程因為機械傷害，而導致訊號線(掃描線SL1~SLn、資料線DL1~DLn、引線L1-1~L1-n以及引線L2-1~L2-n)至少其中之一產生斷線缺陷。當上述任一條訊號線(掃描線SL1~SLn、資料線DL1~DLn、引線L1-1~L1-n以及引線L2-1~L2-n)發生斷線缺陷時，就會使
顯示面板100無法正常運作，或是產生顯示瑕疵影像。
圖3A至圖3C是根據本發明一實施例之顯示面板之修補方法的流程示意圖。請參照圖3A，以下之說明是假設當圖2之顯示面板100中的訊號線(掃描線SL1或引線L1-1)發生斷線缺陷D時對其進行修補的詳細說明。
類似地，首先配製奈米金屬溶液，所述奈米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散於有機溶劑中的奈米金屬顆粒。上述奈米金屬溶液之有機溶劑包括己烷、苯、甲苯或是其他試用的有機溶劑。上述奈米金屬溶液之奈米金屬顆粒包括奈米金顆粒、奈米銀顆粒或是其他奈米金屬顆粒。特別是，所述奈米金屬溶液之奈米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3奈米。
之後，如圖3B所示，將上述奈米金屬溶液S塗佈在訊號線(掃描線SL1或引線L1-1)之斷線缺陷D處。由於奈米金屬溶液S包含有機溶劑O以及均勻分散於有機溶劑O中的奈米金屬顆粒N，因此塗佈在斷線缺陷D處之奈米金屬溶液S中的奈米金屬顆粒N也是均勻的分佈於斷線缺陷D處。
之後，進行雷射照射程序LR，也就是利用雷射LR照射斷線缺陷D處，以使奈米金屬溶液S硬化以形成修補部R，如圖3C所示。根據本實施例，上述雷射照射程序LR的溫度是介於約攝氏350至400度。
承上所述，由於本實施例採用顆粒尺寸為約2~3奈米之奈米金屬顆粒來修補導線之斷線缺陷，因此可以採用
低溫雷射照射程序(約攝氏450至500度)即可以使得奈米金屬顆粒熔融，並同時使有機溶劑揮發。如此一來，便可以使得奈米金屬顆粒熔融之後形成修補部R。透過修補部R便可使得訊號線(掃描線SL1或引線L1-1)恢復正常傳遞訊號之功能。
綜上所述，本發明在導線之斷線缺陷處塗佈奈米金屬顆粒，並且利用雷射照射程序以使得奈米金屬溶液硬化以形成修補部，即可使得導線之斷線缺陷獲得修補。由於本發明不需事先在顯示面板上設置修補線路，因而本發明之修補方法相較於傳統方法較為簡單且便利。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
L‧‧‧導線
D‧‧‧斷線缺陷
LR‧‧‧雷射
S‧‧‧奈米金屬溶液
O‧‧‧有機溶劑
N‧‧‧奈米金屬顆粒
R‧‧‧修補部
100‧‧‧顯示面板
A‧‧‧顯示區
B‧‧‧非顯示區
SL1~SLn‧‧‧掃描線
DL1~DLn‧‧‧資料線
P‧‧‧畫素結構
PE‧‧‧畫素電極
T‧‧‧主動元件
L1-1~L1-n、L2-1~L2-n‧‧‧引線
圖1A至圖1C是根據本發明一實施例之導線之修補方法的流程示意圖。
圖2是根據本發明一實施例之顯示面板的示意圖。
圖3A至圖3C是根據本發明一實施例之顯示面板之修補方法的流程示意圖。
L‧‧‧導線
LR‧‧‧雷射
S‧‧‧奈米金屬溶液
O‧‧‧有機溶劑
N‧‧‧奈米金屬顆粒
Claims (6)
- 一種導線的修補方法，包括：提供一導線，其中該導線具有一斷線缺陷；在該斷線缺陷處塗佈一奈米金屬溶液，其中該奈米金屬溶液包括一有機溶劑以及均勻分散於該有機溶劑中的奈米金屬顆粒；以及利用一雷射照射程序照射該斷線缺陷處，以使該奈米金屬溶液硬化以形成一修補部，其中該奈米金屬溶液之該奈米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3奈米以及該雷射照射程序的溫度介於攝氏350至400度。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線的修補方法，其中該奈米金屬溶液之該奈米金屬顆粒包括奈米金顆粒或是奈米銀顆粒。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線的修補方法，其中該奈米金屬溶液之該有機溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
- 一種顯示面板的修補方法，包括：提供一顯示面板，該顯示面板包括多條訊號線，其中該些訊號線中的至少一條訊號線具有一斷線缺陷；在該斷線缺陷處塗佈一奈米金屬溶液，其中該奈米金屬溶液包括一有機溶劑以及均勻分散於該有機溶劑中的奈米金屬顆粒；以及利用一雷射照射程序照射該斷線缺陷處，以使該奈米金屬溶液硬化以形成一修補部，其中該奈米金屬溶液之該奈米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3奈米以及該雷射照射程 序的溫度介於攝氏350至400度。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板的修補方法，其中該奈米金屬溶液之該奈米金屬顆粒包括奈米金顆粒或是奈米銀顆粒。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板的修補方法，其中該奈米金屬溶液之該有機溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
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