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TWI401330B - 反應性濺鍍氧化鋅透明導電氧化物至大面積基材上 - Google Patents

反應性濺鍍氧化鋅透明導電氧化物至大面積基材上 Download PDF

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TWI401330B
TWI401330B TW096112371A TW96112371A TWI401330B TW I401330 B TWI401330 B TW I401330B TW 096112371 A TW096112371 A TW 096112371A TW 96112371 A TW96112371 A TW 96112371A TW I401330 B TWI401330 B TW I401330B
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Makoto Inagawa
Bradley O Stimson
Akihiro Hosokawa
John M White
Yan Ye
Ankur Kadam
Yanping Li
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Applied Materials Inc
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Description

反應性濺鍍氧化鋅透明導電氧化物至大面積基材上
本發明實施例大體上有關於一種物理氣相沉積(PVD)的系統與方法，以藉由反應性濺鍍而在大面積基材上沉積透明導電氧化物(TCO)。
使用磁控管(magnetron)的物理氣相沉積法是一種在基材上沉積材料的方法。在PVD製程的過程中，可對一靶材施以電性偏壓，使在處理區中生成的離子挾帶足夠以將原子從靶材上撞擊下來的能量來撞向該靶材表面。通常將藉著偏壓靶材來產生電漿而造成離子撞擊靶材並從靶材上移除原子的程序稱為濺鍍。被濺擊出來的原子大致朝向欲進行濺鍍塗層的基材前進，並沉積在該基材上。或者，該些原子會與電漿中的氣體反應，例如與氧氣或氮氣反應，而反應性地沉積一化合物在該基材上。
直流電流(DC)濺鍍與交流電流(AC)濺鍍是偏壓靶材以吸引離子朝向靶材的濺鍍形式。可對靶材施予約-100至-600伏特(V)的負偏壓，以吸引操作氣體(例如氬氣)中的正離子朝向靶材，而濺鍍出原子。濺鍍反應室的側壁可覆蓋一擋板(shield)，以保護反應室壁避免受到濺鍍沉積。擋板可電性接地，進而在靶材陰極的相對位置上提供一陽極，而以電容般的方式將靶材功率耦接至濺鍍反應室內的電漿。
濺鍍時，材料會濺擊並沉積在反應室中的暴露表面上。當溫度波動從製程溫度改變至一較低的非製程溫度時，已經沉積在反應室之暴露表面上的材料可能會剝落而污染基材。
當在大面積基材上沉積薄膜時，例如玻璃基材、平面顯示器基材、太陽能電池板基材及其他適當基材等，可能難以在基材上進行均勻一致的沉積。因此在此領域中，需要一種可減少PVD反應室中的剝落問題，又能在基板上均勻沉積的技術。
本發明大體上包含一或多個冷卻陽極，該等陽極藏有一或多個氣體引導管，其中該等冷卻陽極以及氣體引導管跨越定義在該濺鍍反應室內一或多個濺鍍靶材與一或多個基材之間的空間。該等氣體引導管可具有多個氣體出口，該等氣體出口可引導已導入的氣體離開該一或多個基材。該等氣體引導管可將反應性氣體(例如氧氣)導入濺鍍反應室中，以利用反應性濺鍍作用來沉積一TCO薄膜。在一多步驟濺鍍製程中，可改變氣流(即，氣體的量與種類)、靶材與基材之間的間距以及直流功率來達到想要的結果。
在一實施例中揭示一種物理氣相沉積設備。該設備包括一或多個濺鍍靶材、一基材支撐件、一或多個設置在該等濺鍍靶材與該基材支撐件之間的陽極以及一或多個氣體配送管，其中該等氣體配送管連接該等陽極以及一或多個氣體源。
另一個實施例中揭示一種物理氣相沉積設備。該設備包括一反應室主體、位於該反應室中的一或多個濺鍍靶材、位於該反應室中的一基材支撐件以及設置在該反應室主體內介於該等濺鍍靶材與該基材支撐件之間的一或多個管，其中該一或多個管包含一陽極與一或多個氣體出口。
在又一個實施例中揭示一種物理氣相沉積方法。該方法包括：將至少一管組件設置於介在一或多個濺鍍靶材與一台座之間的一處理空間中，該管組件包含一陽極與一氣體配送管，且該陽極內具有一冷卻通道；以流動於該陽極內的一冷卻流體來冷卻該至少一管組件；使製程氣體流過該氣體配送管；以及，將材料從該一或多個濺鍍靶材濺鍍至一基材上。
本發明大體上包含一或多個冷卻陽極，該等陽極藏有一或多個氣體引導管，其中該等冷卻陽極以及氣體引導管跨越定義在該濺鍍反應室內一或多個濺鍍靶材與一或多個基材之間的空間。該等氣體引導管可具有多個氣體出口，該等氣體出口可引導已導入的氣體離開該一或多個基材。該等氣體引導管可將反應性氣體(例如氧氣)導入濺鍍反應室中，以利用反應性濺鍍作用來沉積一TCO薄膜。在一多步驟濺鍍製程中，可改變氣流(即，氣體的量與種類)、靶材與基材之間的間距以及直流功率來達到想要的結果。
本文以例如可購自於美國加州聖克拉拉市之AKT® 應用材料分公司的4300反應室作為示範，來示例性地說明本發明以及本發明可用於大面積基材的PVD反應室中。然而，需了解的是，濺鍍靶材可應用於其他的系統設計架構，包括該些設計用以處理大面積圓形基材的系統以及其他製造廠商所生產的系統。
第1A圖是根據本發明實施例之PVD反應室100的剖面圖。第1B圖為第1A圖的近觀圖。可利用一真空幫浦114來抽空反應室100。在反應室100中，基材102可設置在與靶材104相對的位置處。基材可放置於反應室100內的台座106上。台座106可藉由致動器112如箭頭A所示般地升高或降低。台座106可升高以將基材102舉升至處理位置，並可降低以從反應室100中移出基材102。當台座106位於降低位置時，舉升銷108可將基材102舉高於台座106上方。在處理過程中，接地條110使台座接地。在處理過程中，台座106會升高以達到均勻沉積的效果。
靶材104可包含一或多個靶材104。在一實施例中，靶材104包含一大面積的濺鍍靶材104。另一實施例中，靶材104包含多個靶材小塊。在又一實施例中，靶材104包含多個靶材條。又另一個實施例中，靶材104可包含一或多個圓柱形可旋轉靶材。靶材104可藉由黏著層134而黏接至背板116。為了控制靶材104的溫度，背板116中可具有多個冷卻通道136。並可在背板116的後方設置一或多個磁控管118。磁控管118可以線性移動或呈二維路 徑的方式來掃描整個背板116。可利用一暗空間擋板(dark space shield)120與一反應室擋板122來遮擋反應室壁，以避免沉積在反應室壁上。
接地的反應室壁可能作為陽極而從電漿處吸引電子，因此可能在反應室壁附近產生出高電漿密度。靠近反應室壁的高電漿密度可能會提高在靠近反應室壁處之基材的沉積作用，並降低反應室壁上的沉積作用。另一方面，接地台座106也可作為陽極。用於大面積基材沉積製程時，台座106可能在處理空間158中橫跨一段不小的長度。因此，台座106不僅在台座106的邊緣，也在台座106的中間提供一供電子接地的接地路徑。由於每個陽極(反應室壁與台座)將平均地作為陽極並且將電漿均勻地噴灑於整個處理空間內，因此台座106中間處的接地路徑能抵消掉台座106邊緣處與反應室壁的接地。藉著將電漿均勻地分配在整個處理空間中，可在整個基材102上產生均勻的沉積作用。
當基材102是絕緣基材時，例如玻璃或聚合物，基材102不導電也因此電子可能無法流過基材。而結果是，基材102覆蓋著台座106時，台座106可能無法提供足夠的陽極表面。
對於大面積基材102，諸如太陽能電池板或用於平面顯示器的基材102而言，基材尺寸阻擋經過台座106的接地路徑的情形可能相當明顯。直徑約1公尺見方的基材102在平面顯示器工業領域中並不常見。以1公尺見方的基材102來說，通過台座106的接地路徑可能會被阻擋掉1平 方公尺的面積。因此，未被基材覆蓋住的反應室壁與台座106邊緣是電漿電子僅有的接地路徑。在靠近基材102中心處沒有接地路徑。具有大面積基材102時，未被基材102所覆蓋住的反應室壁與台座106邊緣附近可能產生高密度電漿。反應室壁與台座106邊緣附近的高密度電漿可能會使靠近不具接地路徑之處理區中央處的電漿變得薄弱。由於靠近處理區中央處沒有接地路徑，電漿可能不均勻，從而使大面積基材上的沉積作用不均勻。
為了有助於在基材102上提供均勻的濺鍍沉積，係在靶材104與基材102之間設置一陽極124。在一實施例中，陽極124可為塗有電弧噴鍍鋁的噴砂處理不銹鋼。在一實施例中，陽極124的一端可透過托架130而設置在反應室壁。如第1B圖所示，可將托架130塑造成部份圍住陽極124並遮擋一部份的陽極。托架130彎折於暗空間擋板120的下方。如第1B圖所示，一部份的托架130躺在暗空間擋板120與反應室擋板122之間。陽極124的另一端則穿通暗空間擋板120與反應室壁。
陽極124提供一相反電荷給靶材104，使得帶電離子會被吸引至靶材104，而不會被吸引至通常處於接地電位的反應室壁上。藉著在靶材104與基材102之間提供陽極124，可使電漿更為均勻而有助於沉積作用。
處理過程中，反應室100的溫度可升高至約400℃。在處理之間，也就是當基材102移出以及移入反應室100中時，反應室100的溫度可降低至室溫，即約25℃。溫度 變化可能造成陽極124膨脹與收縮。在處理過程中，由於陽極位在靶材104與基材102之間，來自靶材104的材料可能沉積至陽極124上。沉積在陽極124上的材料可能會因為陽極124的膨脹與收縮作用而剝落。
冷卻流體流過一或多個陽極124可控制陽極124的溫度，進而降低陽極124的膨脹與收縮作用。降低陽極124的膨脹與收縮量，可減少材料從陽極124上剝落的情形。
對於反應性濺鍍而言，提供反應性氣體至反應室100中是有益的。一或多個氣體引導管126亦可跨越介在靶材104與基材102之間的整個反應室100距離。氣體引導管126可引導濺鍍氣體，例如氬氣等惰性氣體以及例如氧氣、氮氣等反應性氣體。可從能引導諸如氬氣、氧氣與氮氣等一或多種氣體的氣體板132供應該些氣體至氣體引導管126。
多個氣體引導管126可設置在基材102與靶材104之間並位於一或多個陽極124的下方。位於該等氣體引導管126上的多個氣體出口138可面對遠離基材102的方向，以減少使基材102直接暴露於製程氣體下情形。氣體引導管126的直徑B約比氣體出口138的直徑大10倍，使得通過每個氣體出口138的氣流實質相等。陽極124可遮擋該等氣體引導管126，以避免氣體引導管126在處理過程中受到沉積。以陽極124遮擋氣體引導管126可減少可能覆蓋住並堵塞氣體出口138的沉積物量。陽極124的直徑(如箭頭B所示)可大於氣體引導管126的直徑(如箭頭C所 示)。氣體引導管126可藉由一或多個連結件128而與陽極124相連。
處理過程中，可對氣體引導管126施以與陽極124相同的溫度波動。因此，冷卻氣體引導管126是有所助益的。連結件128可由導熱性材料所製成，以允許以傳導的方式來冷卻器體引導管126。此外，連結件128也可導電性，使得氣體引導管126能接地並作為陽極。在一實施例中，連結件128包含金屬。在另一實施例中，連結件128包含不鏽鋼。
第2A圖為根據本發明實施例顯示一連接至冷卻陽極202之氣體引導管204的透視圖。第2A圖是從靶材214處向上看的視圖。第2B圖為第2A圖中穿通反應室壁之氣體引導管204與冷卻陽極202的透視圖。該等陽極202可藉由連結件206而連接至該等氣體引導管204。在一實施例中，六個連結件206可間隔開來地設置在整個陽極202與氣體引導管204上。氣體引導管204與冷卻陽極202兩者均為實質U型的造形，使得通至陽極202的入口210、通至氣體引導管204的入口208、陽極202的出口210以及氣體引導管204的出口208能設置在反應室的同一側上。冷卻流體可透過管212而流入與流出反應室。
第3圖為根據本發明實施例之連結件300的剖面圖，該連結件300順著冷卻陽極302與氣體引導管的壁面延伸。連結件300可包含單一主體306，並透過該單一主體306來安置氣體引導管與陽極302。連結件主體306可包含一電性絕緣與導熱性材料。
第4A－7B圖揭示連接至氣體引導管之冷卻陽極的數種實施例。第4A圖為根據本發明實施例之連接至氣體引導管的冷卻陽極402的透視圖。第4B圖為第4A圖中連接至氣體引導管404之冷卻陽極402的剖面圖。多個氣體出口408設置成實質面向陽極402的方向。陽極402與氣體引導管404可透過連結件406而聯結在一起。連結件406可包含多個區段410a與410b，該等區段410a與410b藉著在延著陽極402與氣體引導管404一或多個位置處的一或多個連結元件412而聯結在一起。如第4B圖中所見般，陽極402的直徑(箭頭D)可大於氣體引導管404的直徑(箭頭E)。
第5A圖係根據本發明實施例顯示一連接至氣體引導管之冷卻陽極的透視圖。第5B圖顯示第5A圖中連接至氣體引導管之冷卻陽極502的剖面圖。焊接件506可用來在沿著氣體引導管504與陽極502上的一或多個位置處連接氣體引導管504與陽極502。以箭頭F來表示的陽極502之直徑可大於箭頭G所示之氣體引導管504的直徑，以遮擋住氣體引導管504，避免氣體引導管504受到沉積。一或多個氣體出口508可沿著氣體引導管504設置。在一實施例中，將該等氣體出口508設置成可引導氣體直接朝向陽極502。在另一實施例中，將該等氣體出口508設置成可引導氣體從基材朝上方流動，但遠離陽極502。
第6A圖為根據本發明實施例顯示一連接至氣體引導管604之冷卻陽極602的透視圖。第6B圖為第6A圖中連接至氣體引導管604之冷卻陽極602的剖面圖。可藉由沿著氣體引導管604以及陽極602之長度方向的一焊接件606將陽極602與氣體引導管604連接在一起。或者，氣體引導管604、焊接件606與陽極602可包含一單塊材料(single unitary piece of rnaterial)。可將多個氣體出口608設置在氣體引導管604中，以引導氣體進入處理反應室內。該等氣體出口608可設置成用來引導氣體使其與陽極602呈一角度。陽極602之直徑(箭頭H)可大於氣體引導管604的直徑(箭頭I)，以遮擋氣體引導管604，從而避免氣體引導管604受到沉積。
第7A圖為根據本發明實施例顯示一連接至氣體引導管704之冷卻陽極702的透視圖。第7B圖為第7A圖中連接至氣體引導管704之冷卻陽極702的剖面圖。可藉由一連結件706將氣體引導管704連接至陽極702。陽極702可實質圍住氣體引導管704的三側。陽極702可包含一實質呈倒U形的剖面。陽極702可為中空的，以允許冷卻流體流經其中。多個氣體出口708沿著氣體引導管704而設置，以允許氣體從氣體引導管704中射出並被陽極702反射向下而前往處理區。
反應性濺鍍製程
反應性濺鍍製程可用來沉積一TCO層於一基材上，以用於諸如太陽能電池板與薄膜式電晶體等用途上。TCO層 可設置於一太陽能板中，介於一反射層與一p-i-n結構之間、介於兩相鄰的p-i-n結構之間，以及介於玻璃和一p-i-n結構之間。第8A與8B圖顯示根據本發明實施例所做，可用於太陽能板之單接(single junction)800、雙接/串接(dual/tandem junction)850薄膜堆疊層的示意圖。
第8A圖顯示根據本發明實施例所做之用於太陽能板的單接堆疊層800。以相對於太陽816的順序來表示，該堆疊層包括一基材802、一TCO層804、一p-層806、一i-層808、一n-層810、一第二TCO層812以及一反射層814。在一實施例中，基材802可包括玻璃並具有至少700毫米(mm)×600毫米的表面。該p-層806、i-層808以及n-層810可皆包含矽。該p-層806可包含摻雜有已知p型摻雜物的非晶形矽(amorphous)或微晶矽(microcrystalline)，並且其厚度約為60埃(Angstroms)至約400埃。同樣地，該n-層810可包含摻雜有已知n型摻雜物的非晶形矽或微晶矽，並且其厚度約為100埃至約500埃。該i-層808可包含非晶形矽或微晶矽，並且其厚度約為1500埃至約30000埃。反射層814可包含一選自於由鋁(Al)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、金(Au)、銅(Cu)、鉑(Pt)以及上述金屬之合金或其組合物所構成之群組中的材料。
第8B圖顯示根據本發明實施例所做之可用於太陽能板的一雙/串接堆疊層850。以相對於太陽874的順序來表示，該堆疊層包括一基材852、一TCO層854、一p-層856、一i-層858、一n-層860、一第二TCO層862、一第二p- 層864、一第二i-層866、一第二n-層868、一第三TCO層870以及一反射層872。該基材852、p-層856與864、i-層858與866、n-層860與868以及一反射層872皆如上單接堆疊層800中所描述般。然而，該雙/串接850可能具有不同的i-層858與866。例如，i層858與866其中一者可包含非晶形矽，而另一者則包含微晶矽，而能捕捉太陽能光譜的不同部分。或者，兩i-層858與866可包含相同種類的矽，例如非晶形矽或微晶矽。
TCO層804、812、854、862與870可利用反應性濺鍍沉積至約250埃至約10000埃的厚度，並且可包含一或多種元素，該等元素選自於由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與鎵(Ga)所構成之群組中。TCO層中亦可存在一或多種摻雜物。摻雜物的範例可包括錫(Sn)、鎵(Ga)、鈣(Ca)、矽(Si)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鍺(Ge)、銦(In)、鎳(Ni)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)、鎂(Mg)、氮化矽(Six Ny )、氧化鋁(Alx Oy )與碳化矽(SiC)。可用來構成TCO層之化合物的範例包括諸如三氧化二銦(In2 O3 )、二氧化錫(SnO2 )氧化鋅(ZnO)與氧化鎘(CdO)等二元化合物、諸如氧化銦錫(In4 SnO12 )、氧化鋅錫(ZnSnO3 )與氧化鋅銦(Zn2 In2 O5 )等三元化合物、諸如氧化鋅-氧化錫(ZnO-SnO2 )與氧化鋅-氧化銦-氧化錫(ZnO-In2 O3 -SnO2 )等二元-二元化合物(binary-binary compound)以及諸如氧化銦摻雜錫(In2 O3 ：Sn，ITO)、氧化錫摻雜氟(SnO2 ：F)、氧化鋅摻雜銦(ZnO：In，IZO)、氧化鋅摻雜鎵(ZnO：Ga)、氧化鋅摻雜鋁(ZnO：Al，AZO)、氧化鋅摻雜硼(ZnO：B)與氧化鋅錫摻雜銦(ZnSnO3 ：In)等摻雜化合物。
可使用上述的PVD反應室執行反應性濺鍍製程來形成TCO層804、812、854、862與870。濺鍍靶材可包含TCO的金屬。此外，濺鍍靶材中可含有一或多種摻雜物。例如，若欲製造AZO的TCO層，則濺鍍靶材可包含鋅與一些作為摻雜物的鋁。靶材中的鋁摻雜物在靶材中可含有約2原子百分比至6原子百分比。藉著反應性濺鍍TCO層，可達到小於5 x 10－4 歐姆－公分(ohm－cm)的電阻。在一實施例中，電阻為3.1 x 10－4 歐姆－公分。該TCO層可能具有小於1%的霧鍍(haze)。在一實施例中，該霧鍍可能大於10%。
在濺鍍製程中，可提供各種濺鍍氣體至PVD反應室中以反應性地濺鍍TCO層。可能提供的濺鍍氣體包括惰性氣體、含氧氣體、不含氧的添加物及上述物種之組合物。該等氣體的流速可與反應室的體積成比例。舉例而言，惰性氣體的範例包括如氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氙(Xe)及其組合物，且流速可約為100 sccm至約200 sccm之間。可用的含氧氣體範例包括一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2 )、一氧化氮(NO)、二氧化氮(N2 O)、水(H2 O)、氧氣(O2 )、碳氫氧化物(Cx Hy Oz )及其組合物。含氧氣體的供應流速可約為5 sccm至500 sccm之間。在一實施例中，含氧氣體的流速可為約10 sccm至約30 sccm之間。可用的不含氧添加氣體包括氮氣(N2 )、氫氣(H2 )、碳氫化合物(Cx Hy )、氨氣(NH3 )、三氟化氮(NF3 )、矽烷(SiH4 )、六氫化二硼(B2 H6 )、三氫化磷(PH3 )及其組合物。不含氧之添加氣體的供應流速約100 sccm或更高。在一實施例中，該不含氧之添加氣體的供應流速可約為200 sccm或更高。
供應直流(DC)功率以進行反應性濺鍍TCO層。在一實施例中，可以約達50仟赫(kHz)的頻率來脈衝提供直流功率。該脈衝功率的工作週期(duty cycle)亦可調整。濺鍍過程中的基材溫度可介於室溫至約450℃之間。在一實施例中，基材溫度可約為25℃。靶材與基材之間的間距則介於約17毫米至約85毫米之間。
TCO的反應性濺鍍製程可以有多個步驟。若為多步驟時，必須了解到其包含多個分離且獨立的步驟以及一連續的製程，並且在該製程與步驟中可能改變一個或多個沉積參數。在沉積過程中，可改變所提供的功率、濺鍍氣體流速、溫度以及靶材與基材之間的間距。這些參數的改變可在一沉積步驟中進行改變，或者在沉積步驟之間進行改變。當沉積TCO層時，由於金屬可提供與其下方層之間的良好接觸，因此該TCO層的初始部份可能包含較多金屬而較少氧化物。當TCO層越來越厚時，該層中可能需要更多的氧以達到完全氧化。藉著調整沉積過程中的參數，可以調整TCO層的膜層性質，例如能隙(band gap)、應力與折射係數等。
雖然本發明的多個實施例已敘述如上，然而在不偏離本發明基本精神的情況下，當可做出多種其他或更進一步的本發明實施例。本發明範圍當由後附申請專利範圍而定。
100‧‧‧反應室
102‧‧‧基材
104‧‧‧靶材
106‧‧‧台座
108‧‧‧舉升銷
110‧‧‧接地條
112‧‧‧致動器
114‧‧‧真空幫浦
116‧‧‧背板
118‧‧‧磁控管
120‧‧‧暗空間擋板
122‧‧‧反應室擋板
124‧‧‧陽極
126‧‧‧氣體引導管
128‧‧‧連結件
130‧‧‧托架
132．．．氣體盤
134．．．黏結層
136．．．冷卻管
138．．．氣體出口
202．．．陽極
204．．．氣體引導管
206．．．連結件
208．．．入口/出口
210．．．入口/出口
212．．．管
214．．．靶材
300．．．連結件
302．．．陽極
304．．．氣體引導管
306．．．主體
402．．．陽極
404．．．氣體引導管
406．．．連結件
408．．．氣體出口
410a．．．區段
410b．．．區段
412．．．連結元件
502．．．陽極
504．．．氣體引導管
506．．．連結件
508．．．氣體出口
602．．．陽極
604．．．氣體引導管
606．．．連結件
608．．．氣體出口
702．．．陽極
704．．．氣體引導管
706．．．連結件
708．．．氣體出口
800．．．單接面
802．．．基材
804．．．TCO層
806．．．p－層
808．．．i－層
810．．．n－層
812．．．TCO層
814．．．反射層
816．．．太陽
850．．．雙/串接
852．．．基材
854．．．TCO層
856．．．p－層
858．．．i－層
860．．．n－層
862．．．TCO層
864．．．p－層
866．．．i－層
868．．．n－層
870．．．TCO層
872．．．反射層
874．．．太陽
A－I．．．箭頭
為了能了解本發明上述特徵的細節，可參閱部分繪示於附圖中的實施例來閱讀以上所整理的本發明更明確描述內容。然而需了解到，該些附圖僅繪示本發明的代表性實施例，故不應用以限制本發明範圍。本發明還容許其他等效實施例。
第1A圖為根據本發明一實施例之PVD反應室的示意剖面圖；第1B圖為第1A圖的近觀圖；第2A圖為根據本發明實施例顯示一連接至冷卻陽極的氣體引導管之透視圖；第2B圖為通過反應室壁之第2A圖的冷卻陽極與氣體引導管的透視圖；第3圖為根據本發明實施例顯示一延著冷卻陽極壁與一氣體引導管之連結件的剖面圖。
第4A圖為根據本發明實施例，一連接至氣體引導管之冷卻陽極的透視圖；第4B圖為第4A圖中連接至該氣體引導管之冷卻陽極的剖面圖；第5A圖為根據本發明實施例顯示一連接至一氣體引導管之冷卻陽極的透視圖；第5B圖為第5A圖中連接至該氣體引導管之冷卻陽極的剖面圖；第6A圖為根據本發明實施例顯示一連接至一氣體引導管之冷卻陽極的透視圖；第6B圖為第6A圖中連接至該氣體引導管之冷卻陽極的剖面圖；第7A圖為根據本發明實施例顯示一連接至一氣體引導管之冷卻陽極的透視圖；第7B圖為第7A圖中連接至該氣體引導管之冷卻陽極的剖面圖；第8A與8B圖為根據本發明實施例顯示可用於太陽能板之單接、雙接與串接薄膜堆疊層的示意圖。為了便於了解，在各圖式中相同的元件盡可能地以相同元件符號來表示。此利於將一實施例中的元件用於其他實施例中，而無需多作說明。
104‧‧‧靶材
116‧‧‧背板
118‧‧‧磁控管
120‧‧‧暗空間擋板
122‧‧‧反應室擋板
124‧‧‧陽極
126‧‧‧氣體引導管
128‧‧‧連結件
134‧‧‧黏結層
136‧‧‧冷卻管
138‧‧‧氣體出口

Claims (22)

  1. 一種物理氣相沉積設備，包含：一或多個濺鍍靶材；一基材支撐件；一或多個陽極，該等陽極位於該一或多個濺鍍靶材與該基材支撐件之間，該一或多個陽極之每一者包含一主體，該主體定義出一冷卻流體的流動路徑；以及一或多個氣體配送管，係與該一或多個陽極以及一或多個氣體源連接，該一或多個氣體配送管被該一或多個陽極遮擋。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該一或多個氣體源包含一氧氣源。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該一或多個氣體配送管位於該一或多個陽極與該基材支撐件之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該一或多個陽極之每一者具有一第一直徑，以及該一或多個氣體配送管之每一者具有一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該一或多個氣 體配送管藉由一夾鉗而與該一或多個陽極連接在一起。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該夾鉗包含一具有導熱性、導電性或兩者兼具的材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該一或多個氣體配送管藉由焊接的方式與該一或多個陽極連接在一起。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該一或多個氣體配送管包含一或多個開孔，該等開孔朝向遠離該基材支撐件的方向。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該一或多個氣體配送管之每一者具有一第一直徑，以及該一或多個開孔之每一者具有一第二直徑，其中該第一直徑約比該第二直徑大10倍。
  10. 一種物理氣相沉積設備，包含：一反應室主體；一或多個濺鍍靶材，位於該反應室主體中；一基材支撐件，位於該反應室主體中；以及一或多個管，位於該反應室主體中且介於該一或多個濺鍍靶材及該基材支撐件之間，該一或多個管包含一陽極 與一或多個氣體出口，該陽極包含一冷卻通道且其中該一或多個氣體出口被該陽極遮擋。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之設備，其中該一或多個氣體出口係朝向遠離該基材支撐件的方向。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之設備，其中該一或多個管包含一中空陽極部份與一氣體配送部份，該氣體配送部份具有該一或多個氣體出口，且其中該中空陽極部份與該氣體配送部份是一單塊材料(a unitary piece of material)。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之設備，其中該氣體配送部份位於該陽極部份與該基材支撐件之間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之設備，其中該氣體配送部份與一或多個氣體源相連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之設備，其中該一或多個氣體源為一氧氣源。
  16. 一種物理氣相沉積方法，包含：將至少一管組件設置於介在一或多個濺鍍靶材與一台座之間的一處理空間中，該管組件包含一陽極與一氣體配 送管，該陽極內具有一冷卻通道且該氣體配送管被該陽極遮擋；以流動於該陽極內的一冷卻流體來冷卻該至少一管組件；使製程氣體流過該氣體配送管；以及將材料從該一或多個濺鍍靶材濺鍍至一基材上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該一或多個濺鍍靶材包含鋅。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該濺鍍包含反應性濺鍍。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該製程氣體包含惰性氣體、含氧氣體、不含氧的添加物以及其組合物。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中一透明導電氧化物濺鍍沉積在該基材上。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包含調整濺鍍過程中的一或多個參數，該等參數選自於由氣體流率、施加在該一或多個濺鍍靶材上的功率、介於該基材與該一或多個濺鍍靶材之間的間距以及基材溫度所構成之群組中。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該濺鍍發生在約25℃的溫度。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8034317B2 (en) 2007-06-18 2011-10-11 Heliovolt Corporation Assemblies of anisotropic nanoparticles
WO2009084441A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Ulvac, Inc. 透明導電膜の成膜方法及び成膜装置
CN101260507B (zh) * 2008-04-24 2010-12-15 复旦大学 一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
AU2010211053A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Heliovolt Corporation Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films
US20110056541A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Martinez Casiano R Cadmium-free thin films for use in solar cells
JP2011084804A (ja) * 2009-09-18 2011-04-28 Kobelco Kaken:Kk 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット
KR101137390B1 (ko) 2009-12-24 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 광학필름 및 이를 구비하는 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156436B1 (ko) 2010-01-19 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 광학필름 및 이를 구비하는 유기 발광 디스플레이 장치
KR101117734B1 (ko) 2010-01-21 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
US8021641B2 (en) 2010-02-04 2011-09-20 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods of making copper selenium precursor compositions with a targeted copper selenide content and precursor compositions and thin films resulting therefrom
US9502222B2 (en) 2010-04-16 2016-11-22 Viavi Solutions Inc. Integrated anode and activated reactive gas source for use in magnetron sputtering device
WO2011146115A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Heliovolt Corporation Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same
WO2012023973A2 (en) 2010-08-16 2012-02-23 Heliovolt Corporation Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same
KR101740646B1 (ko) 2010-10-25 2017-05-29 삼성디스플레이 주식회사 광학 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
EP2509100B1 (en) * 2011-04-06 2019-08-14 Viavi Solutions Inc. Integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device
JP5813874B2 (ja) * 2011-08-25 2015-11-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スパッタリング装置およびスパッタリング方法
US9105797B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se
KR101975929B1 (ko) 2012-06-29 2019-05-09 삼성전자주식회사 질산화물 채널층을 구비한 트랜지스터 및 그 제조방법
KR20140036765A (ko) 2012-09-18 2014-03-26 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
US9984786B2 (en) * 2012-10-08 2018-05-29 Corning Incorporated Sputtered transparent conductive aluminum doped zinc oxide films
US20140110255A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Primestar Solar, Inc. Cylindrical target having an inhomogeneous sputtering surface for depositing a homogeneous film
US9929310B2 (en) 2013-03-14 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices
CN107208249B (zh) * 2015-02-03 2019-08-20 卡迪奈尔镀膜玻璃公司 包括气体分配系统的喷溅装置
KR102407392B1 (ko) * 2015-07-03 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 방법
US11393665B2 (en) * 2018-08-10 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition (PVD) chamber with reduced arcing
CN111455332B (zh) * 2019-09-03 2022-03-08 北京北方华创微电子装备有限公司 溅射腔室
KR20210148458A (ko) * 2020-05-28 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 및 증착 장치를 이용한 증착 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4946576A (en) * 1985-06-12 1990-08-07 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for the application of thin layers to a substrate
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US20040118678A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Klaus Hartig Magnetron sputtering systems including anodic gas distribution systems

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331737A (en) * 1978-04-01 1982-05-25 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Oxynitride film and its manufacturing method
DE3331707A1 (de) * 1983-09-02 1985-03-21 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
JPS61577A (ja) * 1984-06-13 1986-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパツタリング装置
FR2579754B1 (fr) * 1985-04-02 1987-07-31 Centre Nat Rech Scient Nitrures et oxynitrures utiles comme detecteurs selectifs de gaz reducteurs dans l'atmosphere, et dispositif de detection les contenant
DE3611492A1 (de) * 1986-04-05 1987-10-22 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum beschichten von werkzeugen fuer die zerspanungs- und umformtechnik mit hartstoffschichten
US4769291A (en) * 1987-02-02 1988-09-06 The Boc Group, Inc. Transparent coatings by reactive sputtering
US4816082A (en) * 1987-08-19 1989-03-28 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film solar cell including a spatially modulated intrinsic layer
FR2638527B1 (fr) * 1988-11-02 1991-02-01 Centre Nat Rech Scient Nitrure et oxynitrures de gallium utiles comme detecteurs selectifs de gaz reducteurs dans l'atmosphere, procede pour leur preparation, et dispositif de detection les contenant
JPH03219077A (ja) * 1989-11-06 1991-09-26 Ricoh Co Ltd 薄膜形成装置
JP2934711B2 (ja) * 1989-12-07 1999-08-16 カシオ計算機株式会社 スパッタ装置
CA2034118A1 (en) * 1990-02-09 1991-08-10 Nang Tri Tran Solid state radiation detector
DE4006411C2 (de) * 1990-03-01 1997-05-28 Leybold Ag Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
JP2999280B2 (ja) * 1991-02-22 2000-01-17 キヤノン株式会社 光起電力素子
JP2994812B2 (ja) * 1991-09-26 1999-12-27 キヤノン株式会社 太陽電池
CH687258A5 (de) * 1993-04-22 1996-10-31 Balzers Hochvakuum Gaseinlassanordnung.
US5346601A (en) * 1993-05-11 1994-09-13 Andrew Barada Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution
TW273067B (zh) * 1993-10-04 1996-03-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP3571785B2 (ja) * 1993-12-28 2004-09-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
US5620523A (en) * 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
US5668663A (en) * 1994-05-05 1997-09-16 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
JPH07331433A (ja) * 1994-06-07 1995-12-19 Hitachi Ltd スパッタ装置
US5651865A (en) * 1994-06-17 1997-07-29 Eni Preferential sputtering of insulators from conductive targets
JP3169337B2 (ja) * 1995-05-30 2001-05-21 キヤノン株式会社 光起電力素子及びその製造方法
US5716480A (en) * 1995-07-13 1998-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device and method of manufacturing the same
AU729609B2 (en) * 1996-08-28 2001-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device
US5873989A (en) * 1997-02-06 1999-02-23 Intevac, Inc. Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6238527B1 (en) * 1997-10-08 2001-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same
JP4208281B2 (ja) * 1998-02-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
US6388301B1 (en) * 1998-06-01 2002-05-14 Kaneka Corporation Silicon-based thin-film photoelectric device
EP1006589B1 (en) * 1998-12-03 2012-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. MOS thin film transistor and method of fabricating same
CA2256847A1 (en) * 1998-12-22 2000-06-22 Munther Kandah Particle-free cathodic arc carbon ion source
US20020084455A1 (en) * 1999-03-30 2002-07-04 Jeffery T. Cheung Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature
US6228236B1 (en) * 1999-10-22 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Sputter magnetron having two rotation diameters
US6953947B2 (en) * 1999-12-31 2005-10-11 Lg Chem, Ltd. Organic thin film transistor
US6620719B1 (en) * 2000-03-31 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming ohmic contacts using a self doping layer for thin-film transistors
KR100679917B1 (ko) * 2000-09-09 2007-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US6787010B2 (en) * 2000-11-30 2004-09-07 North Carolina State University Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby
WO2002073313A1 (en) * 2001-03-13 2002-09-19 University Of Utah Structured organic materials and devices using low-energy particle beams
US6740938B2 (en) * 2001-04-16 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor provided with first and second gate electrodes with channel region therebetween
JP4560245B2 (ja) * 2001-06-29 2010-10-13 キヤノン株式会社 光起電力素子
US20030049464A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-13 Afg Industries, Inc. Double silver low-emissivity and solar control coatings
US20030207093A1 (en) * 2001-12-03 2003-11-06 Toshio Tsuji Transparent conductive layer forming method, transparent conductive layer formed by the method, and material comprising the layer
CN100355091C (zh) * 2002-04-09 2007-12-12 株式会社钟化 制造串联型薄膜光电转换器件的方法
US7189992B2 (en) * 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
WO2004061151A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-22 Cardinal Cg Company Coater having substrate cleaning device and coating deposition methods employing such coater
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
WO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Asahi Glass Company, Limited 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US20050017244A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Randy Hoffman Semiconductor device
US7816863B2 (en) * 2003-09-12 2010-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
US7520790B2 (en) * 2003-09-19 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
JP4823478B2 (ja) * 2003-09-19 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7026713B2 (en) * 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US20050233092A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films
US7125758B2 (en) * 2004-04-20 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Controlling the properties and uniformity of a silicon nitride film by controlling the film forming precursors
US7622367B1 (en) * 2004-06-04 2009-11-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US7158208B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060011139A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Applied Materials, Inc. Heated substrate support for chemical vapor deposition
KR100721555B1 (ko) * 2004-08-13 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
US7378286B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor
US7622338B2 (en) * 2004-08-31 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7382421B2 (en) * 2004-10-12 2008-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor with a passivation layer
EP2453480A2 (en) * 2004-11-10 2012-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7691666B2 (en) * 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7628896B2 (en) * 2005-07-05 2009-12-08 Guardian Industries Corp. Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same
US7829471B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
US20070030569A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Guardian Industries Corp. Broad band antireflection coating and method of making same
JP4968660B2 (ja) * 2005-08-24 2012-07-04 スタンレー電気株式会社 ＺｎＯ系化合物半導体結晶の製造方法、及び、ＺｎＯ系化合物半導体基板
US20070068571A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Terra Solar Global Shunt Passivation Method for Amorphous Silicon Thin Film Photovoltaic Modules
EP3614442A3 (en) * 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP4946156B2 (ja) * 2006-05-01 2012-06-06 富士ゼロックス株式会社 半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置
US20090023959A1 (en) * 2006-06-16 2009-01-22 D Amore Michael B Process for making dibutyl ethers from dry 1-butanol
KR101340514B1 (ko) * 2007-01-24 2013-12-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US8274078B2 (en) * 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR100982395B1 (ko) * 2007-04-25 2010-09-14 주식회사 엘지화학 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
US7927713B2 (en) * 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
JP5215589B2 (ja) * 2007-05-11 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置
JP5241143B2 (ja) * 2007-05-30 2013-07-17 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US8372250B2 (en) * 2007-07-23 2013-02-12 National Science And Technology Development Agency Gas-timing method for depositing oxynitride films by reactive R.F. magnetron sputtering
JP5718052B2 (ja) * 2007-08-02 2015-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ
US20090212287A1 (en) * 2007-10-30 2009-08-27 Ignis Innovation Inc. Thin film transistor and method for forming the same
US8980066B2 (en) * 2008-03-14 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Thin film metal oxynitride semiconductors
US8143093B2 (en) * 2008-03-20 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
US7879698B2 (en) * 2008-03-24 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor
US8258511B2 (en) * 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
TWI489628B (zh) * 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4946576A (en) * 1985-06-12 1990-08-07 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for the application of thin layers to a substrate
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US20040118678A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Klaus Hartig Magnetron sputtering systems including anodic gas distribution systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009532589A (ja) 2009-09-10
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