TWI490205B - 不對稱雙取代三蝶烯衍生物及其有機發光二極體 - Google Patents
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Description
本發明是關於一種三蝶烯衍生物及其有機發光二極體,尤其是一種具有不對稱雙取代三蝶烯衍生物及其有機發光二極體。
有機發光二極體(organic light-emitting diode;OLED),通常稱作有機電致發光裝置(organic electroluminescent device),是以有機層作為主動層的一種發光二極體(LED)。由於有機電致發光裝置具有自發光、廣視角(>170°)、反應時間短(~μs)、高對比、高效率、省電、高亮度、低操作電壓(3-10V)、更輕薄(<2mm)、可撓曲性等優點,近年來已漸漸使用於平面面板顯示器(flat panel display)上。與液晶顯示器不同,有機電激發光顯示器所包含之有機發光二極體畫素陣列係具有自發光的特性,因此不需外加背光源;為了應用作為全彩顯示器,開發具適當色度(chromaticity)與高放光效率紅色、綠色與藍色的發光材料是必須且重要的。
電洞和電子之再結合而產生的激子可具有三重態(triplet state)或單重態(singlet state)之自旋態(spin state)。由單重態激子(singlet exciton)所產生的發光為螢光(fluorescence),而由三重態激子(triplet exciton)所產生的發光為磷光(phosphorescence)。磷光的發光效率是螢光的三倍,藉由引入重金屬在發光體結構中,造成強烈的自旋軌道耦合(spin-orbital
coupling),進而使得單重態及三重態激發狀態之間的混合,以致於原件的內部量子效率(internal quantum efficiency,IQE)可大幅提升至100%,因此近年來有機發光二極體多採用發磷光的金屬錯合物做為發光層中的磷光摻雜劑。此外,在發光層中通常會以掺雜技術的製程,將發光材料掺雜在主體發光材料中,以抑制發光材料自我淬息的發生,因此,主體發光材料的開發為相當重要的一個課題,主體發光材料必須具備易捕捉載子、能量轉移特性佳、高玻璃轉換溫度、高熱穩定性、合適的單重態及三重態能隙。然而,由於上述條件相當難以完全符合,因此有機發光二極體在主體發光材料的開發上仍有很大改善的空間。
在三蝶烯結構部分,中華民國專利I390007揭示一種三蝶烯衍生物及其在有機電子元件的應用,其主要揭示具有三取代基的三蝶烯衍生物,如下列化合物。
美國專利申請號US20110272680揭示下列三蝶烯衍生物如下:
綜合上述,開發新穎的主體發光材料是目前亟需努力的目標。
本發明之一目的為提供一種新穎的三蝶烯衍生物。
依據本發明之一實施例,一種三蝶烯衍生物具有下列代表式(I):
其中R1
與R2
可獨立選自鹵素、芳基、具有芳基取代的芳基、具有C1
-C20
烷基取代的芳基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的芳基、具有胺基取代的芳基、具有鹵素取代基的芳基、具有雜芳基取代基的芳基、雜芳基、具有芳基取代的雜芳基、具有C1
-C20
烷基取代的雜芳基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的雜芳基、具有鹵素取代基的雜芳基、具有雜芳基取代基的雜芳基、具有芳基取代的胺基、具有雜芳基取代的胺基、磷氧基、具有芳基取代的磷氧基、具有C1
-C20
烷基取代的磷氧基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的磷氧基、具有鹵素取代基的磷氧基、具有雜芳基取代基的磷氧基、矽烷基、具有芳基取代的矽烷基、具有C1
-C20
烷基取代的矽烷基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的矽烷基、具有鹵素取代基的矽烷基、具有雜芳基取代基的矽烷基,其中R1
與R2
為不同。
本發明之另一目的為提供具有高效率元件表現的有機發光二極體。
依據本發明另一實施例,一種有機發光二極體,包括一陰極、一陽極以及設置於陰極及陽極之間的一有機層,其中有機層包含上述的三蝶烯衍生物。
本發明之三蝶烯衍生物可作為為一主體發光材料、電子傳輸材料、電洞傳輸材料,並可應用於藍色磷光發光二極體、綠色磷光發光二
極體或紅色磷光發光二極體。
以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明,當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
1‧‧‧陽極
2‧‧‧陰極
3‧‧‧發光層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧電子傳輸層
6‧‧‧電洞阻擋層
8‧‧‧電子注入層
9‧‧‧電子阻擋層
圖1為示意圖顯示具有三蝶烯衍生物的發光元件結構。
本發明之三蝶烯衍生物,具有下列代表式(I):
其中R1
與R2
可獨立選自鹵素、芳基、具有芳基取代的芳基、具有C1
-C20
烷基取代的芳基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的芳基、具有胺基取代的芳基、具有鹵素取代基的芳基、具有雜芳基取代基的芳基、雜芳基、具有芳基取代的雜芳基、具有C1
-C20
烷基取代的雜芳基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的雜芳基、具有鹵素取代基的雜芳基、具有雜芳基取代基的雜芳基、磷氧基、具有芳基取代的磷氧基、具有C1
-C20
烷基取代的磷氧基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的磷氧基、具有鹵素取代基的磷氧基、具有雜芳基取代基的磷氧基、矽烷基、具有芳基取代的矽烷基、具有C1
-C20
烷基取代的矽烷基、具有C1
-C20
鹵代烷基取代基的矽烷基、具有鹵素取代基的矽烷基、具有雜芳基取代基的矽烷基。
本發明之部分取代基結合至三蝶烯之方式已見於中華民國專利I390007,在此將其引入作為參照。
在此「芳基」指的是具有6至約30個碳原子之一或多個芳香環之碳氫基團。芳基基團範例包括苯基(phenyl,Ph)、亞苯基(phenylene)、
萘基(naphthyl)、亞萘基(naphthylene)、芘基(pyrenyl)、蒽基(anthryl)、及菲基(phenanthryl)。
「雜芳基」指的是具有一或多個芳香環之碳氫基團,且該芳香環包含至少一雜原子(例如,氮、氧或硫)。雜芳基基團較佳者為5至10個環原子且含有一、二、三或四個獨立選自氧、氮及硫之雜原子且具有一、二或三個環(其中該等環可稠合)的碳環性芳族系統。雜芳基基團範例可包括呋喃基(furyl)、亞呋喃基(furylene)、茀基(fluorenyl)、吡咯基(pyrrolyl)、噻吩基(thienyl)、噁唑基(oxazolyl)、咪唑基(imidazolyl)、噻唑基(thiazolyl)、吡啶基(pyridyl)、嘧啶基(pyrimidinyl)、喹唑啉基(quinazolinyl)、喹啉基(quinolyl)、異喹啉基(isoquinolyl)及吲哚基(indolyl)。在此應註明的是烷基、烯基、炔基、環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基、芳基、以及雜芳基可包括經取代及未經取代之基團。
可能取代於環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基、芳基、以及雜芳基之取代基包含但不受限於C1
-C10
烷基、C2
-C10
烯基、C2
-C10
炔基、C3
-C20
環烷基、C3
-C20
環烯基、C1
-C20
雜環烷基、C1
-C20
雜環烯基、C1
-C10
烷氧基、芳基、芳氧基、雜芳基、雜芳氧基、胺基、C1
-C10
烷胺基、C1
-C20
二烷胺基、芳胺基、二芳胺基、C1
-C10
烷基磺胺(C1
-C10
alkylsulfonamino)、芳基磺胺(arylsulfonamino)、C1
-C10
烷基亞胺(C1
-C10
alkylimino)、芳基亞胺(arylimino)、C1
-C10
烷基磺亞胺(C1
-C10
alkylsulfonimino)、芳基磺亞胺(arylsulfonimino)、氫氧基、鹵素、硫代基(thio)、C1
-C10
烷硫基、芳硫基、C1
-C10
烷磺醯基(alkylsulfonyl)、芳磺醯基(arylsulfonyl)、醯基胺(acylamino)、胺基醯(aminoacyl)、胺基硫醯(aminothioacyl)、醯胺基(amido)、脒基(amidino)、胍基(guanidine)、脲基(ureido)、硫脲基(thioureido)、腈基、硝基、亞硝基、疊氮基(azido)、醯基、硫醯基、醯氧基(acyloxy)、羧基、及羧酸酯等。另一方面,可能取代於烷基、烯基、或炔基之取代基包含除C1
-C10
烷基外之上述所有取代基。環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基、芳基、及雜芳基亦可互相稠合(fused)。
應註明的是本發明可為對稱或不對稱雙取代三蝶烯衍生
物,亦即R1與R2可為相同或者是不同,其中在一較佳實施例中,R1與R2是選自下列取代基:
化合物合成方式
請參照上圖,其顯示1,5-雙碘基三蝶烯之合成流程。將1,5-二胺基蒽醌(10g,42mmol)加入0℃的硫酸(40ml)中,以超過30分鐘的時間緩慢加入亞硝酸鈉(8g,116mmol),形成棕色的溶液並攪拌三小時後,倒入水中(500ml)。在室溫下攪拌30分鐘後,以抽氣過濾收集紫黑色固體並溶於水中(500ml)並加入碘化鉀(10g,62mmol)攪拌三小時後以抽氣過濾收集所產生之棕色固體。過濾液部分加入碘化鉀(10g,62mmol),並攪拌三小時後,將產生之大量棕色固體以抽氣過濾收集,並與前這結合以飽和硫代硫酸鈉水溶液洗滌後以清水洗固體,烘乾。再將所得固體分散於異丙醇(200ml)與四氫呋喃(200ml)混合溶液中並冷卻至0℃,加入硼氫化鈉(4g,105mmol),持續攪拌至溶液變成勻相後加入水中,以抽氣過濾收集固體再用水重複洗之,烘乾。將烘乾之固體置入單頸瓶中並加入冰醋酸(100ml)與苯胼(12ml,122mmol),加入至90℃反應七小時,加水稀釋以抽氣過濾蒐集固體並以清水將固體中殘存醋酸洗去,烘乾再以正己烷連續萃取可得到亮黃色產物。
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):7.44(dd,J
=5.2Hz,2H),7.43(d,J
=8.4Hz,2H),7.37(d,J
=7.2Hz,2H),7.03(dd,J
=5.2Hz,2H),6.71(t,J
=7.6Hz,2H),5.72(s,2H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):148.2,146.1,144.1,135.2,127.2,125.7,124.1,58.6
請參照下圖其顯示本發明相同之雙取代基之合成流程。
將1,5-雙碘基三蝶烯(1,5-diiodotriptycene)(505mg,1.0mmol)、硼酸(boronic acid)(3.0,mmol)及Pd(PPh3
)4
(46mg,2mol%)溶於無水THF(60ml),接著再於氮氣吹拂下加入2M K2
CO3(aq)
(30ml)。加熱並迴流混合物12小時。接著以二氯甲烷(DCM,50ml X 3)萃取,並以管柱層析純化。
將1,5-雙碘基三蝶烯(0.5mmol)、雙取代胺(1.2mmol)、CuI(10mol%)、N,N'
-二甲基甘氨酸(N,N
-dimethyl glycine)(20mol%)以及碳酸鉀(10.0mmol)混合,於氮氣環境下加入二甲基亞碸(5ml)。將混合物加熱到120℃並維持72小時。將混合物倒至水中,以二氯甲烷(25ml X 3)萃取,並以管柱層析純化。
將1,5-雙碘基三蝶烯(0.5mmol)、雙取代基磷化物(1.2mmol)、醋酸鈀(3mol%)、乙腈(2ml)與三乙基胺(2ml)混合。將混合物加熱到85℃並維持72小時。將混合物通過矽藻土和矽膠除去金屬化合物並以二氯甲烷(5ml X 3)沖洗,除去溶劑並以管柱層析純化。純化之產物再以二氯甲烷(10ml)溶解後加入30%過氧化氫水溶液,於室溫下反應24小時,以二氯甲烷(15ml X 3)萃取,以無水硫酸鎂除水並除去溶劑後可得磷氧基取代產物。
Es
/ET
(eV)=3.80/2.51
HOMO/LUMO=5.91/2.11
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):7.92(d,J
=8.4Hz,2H),7.10(d,J
=8.0Hz,2H),7.54(s,2H),7.51-7.46(m,8H),7.41-7.31(m,4H),7.29-7.25(m,10H),6.98-6.96(m,2H),6.91(t,J
=7.6Hz,2H),6.58(d,J
=7.6Hz,2H),5.67(s,2H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):152.3,145.4,145.2,143.1,142.8,140.4,137.2,137.0,136.8,130.6,130.4,129.9,129.8,128.6,128.3,128.2,127.5,126.2,125.2,124.9,124.7,123.8,123.4,123.2,123.0,119.9,110.5,50.9
Es
/ET
(eV)=4.16/3.07
HOMO/LUMO=6.21/2.15
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):8.72(d,J
=1.6Hz,4H),7.75(dd,J
=6.4Hz,1.6Hz,2H),7.50-7.47(m,2H),7.35-7.33(m,4H),7.06(t,J
=7.6Hz,2H),7.00-76.96(m,4H),5.65(s,2H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):150.0,148.5,145.5,144.8,143.1,136.6,136.0,134.0,126.5,125.5,125.4,123.8,123.7,123.5,50.8
Es
/ET
(eV)=3.60/3.01
HOMO/LUMO=5.64/2.04
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):8.16-8.23(m,4H),7.44(t,J
=7.6Hz,2H),7.38(d,J
=7.6Hz,2H),7.35-7.33(m,4H),7.14-7.10(m,8H),7.04-7.02(dd,J
=5.2Hz,2H),6.95
(dd,J
=5.2Hz,2H),6.91-6.89(dd,J
=5.2Hz,2H),5.16
(s,2H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):146.9,144.3,143.7,141.7,141.7,132.3,126.5,126.0,125.5,124.5,123.3,123.2,120.4,120.3,119.9,110.5,110.5,49.5,49.5
Es
/ET
(eV)=3.60/3.00
HOMO/LUMO=5.23/1.63
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):6.99(d,J
=8.4Hz,8H),6.82-6.79(m,12H),6.71-6.67(m,6H),5.39(s,2H),2.30(s,12H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):147.0,145.9,144.5,142.6,141.9,130.8,130.6,129.8,125.9,125.1,124.6,123.8,122.1,121.1,121.4,121.2,49.7,20.7
Es
/ET
(eV)=4.25/3.18
HOMO/LUMO=6.50/2.25
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):7.62(t,J
=8.4Hz,8H),7.54(t,J
=7.6Hz,4H),7.43(m,8H),7.10(d,J
=7.2Hz,2H),6.83-6.81(m,2H),6.79-6.77(m,2H),6.68-6.62(m,4H),6.20(s,2H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):150.0,146.1,146.0,143.5,133.4,133.0,132.4,132.2,132.1,132.0,131.8,128.8,128.7,128.6,128.5,128.2,127.8,126.6,125.1,124.6,124.5,124.0,51.7
請參考下圖,以下揭示不對稱雙取代三蝶烯衍生物之合成方
式。
將1,5-雙碘基三蝶烯(1,5-diiodotriptycene)(505mg,1.0mmol)、硼酸(boronic acid)(1.5,mmol)及Pd(PPh3
)4
(23mg,2mol%)溶於無水THF(50ml),接著再於氮氣吹拂下加入2M K2
CO3(aq)
(15ml)。加熱並迴流混合物12小時。接著以乙酸乙酯(EA,50ml X 3)萃取,並以管柱層析純化。
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):8.71-8.67(m,2H),7.71(d,J
=7.6Hz,1H),7.51-7.42(m,4H),7.31(d,J
=7.2Hz,1H),7.21(d,J
=7.2Hz,1H),7.10(t,J
=7.6Hz,1H),7.08-6.97(m,3H),6.68(t,J
=7.6Hz,1H),5.83(s,1H),5.53(s,1H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):150.0,148.5,148.4,146.5,145.1,144.4,142.7,136.5,135.9,135.0,133.9,127.1,126.6,125.6,125.6,125.5,124.2,124.0,123.6,123.4,58.3,51.2
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):7.95(d,J
=8.0Hz,1H),7.77(d,J
=5.6Hz,1H),7.66-7.23(m,12H),7.03-6.99(m,2H),6.66(t,J
=6.4Hz,1H),5.78(s,1H),5.60(s,1H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):152.2,148.6,146.8,144.8,144.6,144.5,142.4,140.2,137.2,136.9,136.9,134.9,130.5,130.5,130.3,129.9,129.4,128.7,128.6,128.4,128.3,127.5,127.5,127.0,126.4,125.5,125.4,125.1,124.1,123.8,123.4,123.1,119.9,110.5,94.0,58.3,51.1
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):9.03-9.00(m,1H),8.70-8.68(m,2H),8.08(d,J
=6.8Hz,2H),7.75-7.63(m,3H),7.53-7.42(m,6H),7.16-7.00(m,4H),6.70(t,J
=7.6Hz,1H),5.85(s,1H),5.66(s,1H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):148.1,147.9,144.5,136.0,135.0,134.8,134.7,132.1,132.0,131.9,129.7,128.5,128.4,127.7,127.1,126.5,125.7,125.6,125.5,124.8,123.8,58.4,51.4
將單碘基取代三蝶烯衍伸物(0.5mmol)、咔唑(carbazole)(0.6mmol)、CuI(10mol%)、N,N
-二甲基甘氨酸(N,N
-dimethyl glycine)(20mol%)與碳酸鉀(5.0mmol)混合,於氮氣環境下加入二甲基亞碸(4ml)。將混合物加熱到120℃並維持72小時。將混合物倒至水中,以二氯甲烷(25ml X 3)萃取,並以管柱層析純化。
Es
/ET
(eV)=3.65/3.02
HOMO/LUMO=5.78(5.91a
)/2.11
Es
/ET
(eV)=3.74/2.81
HOMO/LUMO=6.21(5.78a
)/2.47
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):8.23(d,J
=7.6Hz,1H),7.95(d,J
=7.6Hz,1H),7.71(d,J
=7.6Hz,1H),7.65(s,1H),7.55-7.26(m,16H),7.18(t,J
=8.8Hz,1H),7.15(d,J
=7.2Hz,1H),7.08-6.99(m,8H),6.95(t,J
=8.8Hz,1H),6.65(d,J
=8.8Hz,1H),5.81(s,1H),5.03(s,1H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):145.0,144.8,144.4,142.7,141.7,140.3,137.2,137.0,136.8,130.7,130.6,130.4,129.9,128.6,128.4,127.5,127.0,126.4,126.3,125.9,125.4,125.3,125.2,125.2,124.8,124.4,124.0,123.8,123.7,123.6,123.5,123.2,123.1,120.2,120.0,119.8,110.5,50.8,49.6
Es
/ET
(eV)=3.74/2.84
HOMO/LUMO=6.06(5.72a
)/2.32
1
H NMR(400MHz,CDCl3
,δ):9.07-9.04(m,2H),8.69-8.65(m,3H),8.24(d,J
=4.4Hz,2H),8.06-7.86(m,5H),7.73(s,2H),7.69-7.26(m,8H),7.17-6.95(m,10H),5.84(s,1H),5.09(s,1H).
13
C NMR(100MHz,CDCl3
,δ):148.9,148.8,148.2,147.5,144.9,144.9,144.4,143.9,142.8,142.3,141.7,139.0,136.7,136.1,134.8,134.7,132.5,128.6,127.9,126.7,126.6,126.4,126.0,125.9,125.5,125.5,125.4,124.8,124.6,124.2,123.9,123.7,123.5,123.3,123.2,120.3,120.3,119.9,119.8,110.4,110.2,51.1,49.6.
此外,請參照圖1,圖1為示意圖顯示具有三蝶烯衍生物的發光元件結構之一實施例。發光元件結構具有設置於陽極1及陰極2之間包含化合物的發光層3。發光層3係將發光材料摻雜至主體發光材料中所構成。發光元件結構還包括從陽極1上方依序形成之電洞傳輸層4、激子阻擋層9、發光層3、電洞阻擋層6、電子傳輸層5及電子注入層8。其中,各層之實際厚度與圖中所顯示之尺寸並無關係。其中,本發光元件之電子阻擋層9、電洞阻擋層6及電子注入層8為選擇性包含。其中三蝶烯衍生物可為發光層之一主體發光材料。此外,本發明之三蝶烯衍生物可做為電子傳輸材料或是電洞傳輸材料。
舉例而言,本發明之有機發光二極體為一紅色磷光有機發光二極體、一綠色磷光有機發光二極體或一藍色磷光有機發光二極體。
所形成的裝置結構之中,ITO做為基板,測試的電極材料包括LiF/Al;測試的發光材料包括FIrPic;測試的電子傳輸層包括TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)、BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-[1,10]phenanthroline)及Alq3
(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III)),其可做為電洞阻擋層或者同時做為電洞阻擋層及電子傳輸層。測試的電洞傳輸層包括NPB(4,4’-bis[N
-(1-naphthyl)-N
-phenyl-amino]bipheny)及mCP(1,3-Bis(N
-carbazolyl)benzene),其可做為激子阻擋層或者同時做為激子阻擋層及電洞傳輸層。
裝置結構
A:NPB(30)/mCP(20)/CzPyTP:8% Fir(pic)(25)/TAZ(50)
B:NPB(30)/mCP(20)/CzPyTP:8% FIr(pic)(25)/TAZ(30)
C:NPB(30)/mCP(20)/CzPyTP:8% FIr(pic)(25)/BCP(40)
D:NPB(30)/mCP(20)/CzPyTP:8% FIr(pic)(25)/BCP(10)/Alq3
(40)
綜合上述,本發明之三蝶烯衍生物,其具有對稱或不對稱之雙取代基。本發明之三蝶烯衍生物可應用於深藍光至紅光之磷光發光元件,並可作為主體材料、電子傳輸材料或電洞傳輸材料。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點,其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施,當不能以之限定本發明之專利範圍,即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾,仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
1‧‧‧陽極
2‧‧‧陰極
3‧‧‧發光層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧電子傳輸層
6‧‧‧電洞阻擋層
8‧‧‧電子注入層
9‧‧‧電子阻擋層
Claims (8)
- 一種三蝶烯衍生物,具有下列代表式(I):
其中R1 與R2 可獨立選自鹵素、芳基、具有芳基取代的芳基、具有C1 -C20 烷基取代的芳基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的芳基、具有胺基取代的芳基、具有鹵素取代基的芳基、具有雜芳基取代基的芳基、雜芳基、具有芳基取代的雜芳基、具有C1 -C20 烷基取代的雜芳基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的雜芳基、具有鹵素取代基的雜芳基、具有雜芳基取代基的雜芳基、具有芳基取代的胺基、具有雜芳基取代的胺基、磷氧基、具有芳基取代的磷氧基、具有C1 -C20 烷基取代的磷氧基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的磷氧基、具有鹵素取代基的磷氧基、具有雜芳基取代基的磷氧基、矽烷基、具有芳基取代的矽烷基、具有C1 -C20 烷基取代的矽烷基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的矽烷基、具有鹵素取代基的矽烷基、具有雜芳基取代基的矽烷基,其中R1 與R2 為不同。 - 如請求項1所述的三蝶烯衍生物,其中R1 與R2 可獨立選自芳基、具有芳基取代的芳基、具有C1 -C20 烷基取代的芳基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的芳基、具有胺基取代的芳基、具有鹵素取代基的芳基、具有雜芳基取代基的芳基、雜芳基、具有芳基取代的雜芳基、具有C1 -C20 烷基取代的雜芳基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的雜芳基、具有鹵素取代基的雜芳基、 具有雜芳基取代基的雜芳基、磷氧基、具有芳基取代的磷氧基、具有C1 -C20 烷基取代的磷氧基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的磷氧基、具有鹵素取代基的磷氧基、具有雜芳基取代基的磷氧基、矽烷基、具有芳基取代的矽烷基、具有C1 -C20 烷基取代的矽烷基、具有C1 -C20 鹵代烷基取代基的矽烷基、具有鹵素取代基的矽烷基、具有雜芳基取代基的矽烷基。
- 如請求項1所述的三蝶烯衍生物,其中R1 與R2 中係選自下列群組:
- 一種有機發光二極體,包括:一陰極;一陽極;以及一有機層,設置於該陰極及該陽極之間,其中該有機層包含請求項1至3至少其一之三蝶烯衍生物。
- 如請求項4所述之有機發光二極體,其中該有機發光二極體為藍色磷光發光二極體、綠色磷光發光二極體或紅色磷光發光二極體。
- 如請求項4所述之有機發光二極體,其中該有機層為一發光層,而該三蝶烯衍生物為一主體發光材料。
- 如請求項4所述之有機發光二極體,更包含: 一發光層,設置於該陰極及該陽極之間,其中該有機層為一電子傳輸層,其位於該發光層和該陰極之間,以及該三蝶烯衍生物為一電子傳輸材料。
- 如請求項4所述之有機發光二極體,更包含:一發光層,設置於該陰極及該陽極之間,其中該有機層為一電洞傳輸層,其位於該發光層和該陽極之間,以及三蝶烯衍生物為一電洞傳輸材料。
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