TWI488280B - 電磁波屏蔽結構及其製造方法 - Google Patents

Description

電磁波屏蔽結構及其製造方法

本發明係有關於一種電磁波屏蔽結構及其製造方法。

為因應電子及通訊產品多功能的市場需求，電路基板上的IC構裝需要更輕、薄、短、小；而在功能上，則需要強大且高速訊號傳輸。因此，I/O腳數的密度勢必提高，而伴隨著IC腳位數目也得隨之增多。IC載板線路之間的距離越來越近，加上工作頻率朝向高寬頻化，使得IC相互之間的電磁干擾(Electromagnetic Interference；EMI)情形越來越嚴重。因此，對於整體產品或元件的電磁波屏蔽能力的需求愈來愈高。解決軟板的電磁波干擾問題除了藉由整套完整的佈線路徑設計最佳化，如何經由良好接地降低電磁波干擾以維持電子產品系統穩定的運作將成為重要的關鍵，因此，如果能在軟板電子構裝中將絕緣層賦予電磁波屏蔽的功能，更能提供良好的元件接地的途徑，以增加元件的可靠度及壽命。

本發明係提供一種電磁波屏蔽結構，包括：一種電磁波屏蔽結構，包括：一基材；以及一多孔複合膜，形成於此基材上，此多孔複合膜包含一連續相網路、一第一樹脂組成物及複數個孔洞，該連續相網路係由複數個金屬奈米顆粒相互熔接形成，該第一樹脂組成物披覆於該連續相網 路之表面上，該些孔洞為具有該第一樹脂組成物披覆於其上之該連續相網路中的空隙。

本發明實施例更提供一種電磁波屏蔽結構之製造方法，包括：提供一基材；以及形成一多孔複合膜於此基材上，其中此多孔複合膜包含一連續相網路、一第一樹脂組成物及複數個孔洞，該連續相網路係由複數個金屬奈米顆粒相互熔接形成，該第一樹脂組成物披覆於該連續相網路之表面上，該些孔洞為具有該第一樹脂組成物披覆於其上之該連續相網路中的空隙。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

下述揭露內容提供多種實施例，以實現本發明的多種不同特徵。在本說明書中，為了簡化說明，將採用特定的實施例、單元、及組合方式說明。然而這些特例僅用以說明而非限制本發明。此外，形成某一元件於另一元件上包含兩元件為直接接觸，或者兩元件之間插設有其他元件而使得兩元件非為直接接觸。為求圖示簡潔清楚，各元件可能以任意比例繪示。

依照本發明所述之實施例，所提供的是一種電磁波屏蔽結構，此電磁波屏蔽結構係包含一基材及一多孔複合膜形成於此基材上，其中此多孔複合膜兼備優良的電磁波屏蔽能力及可撓曲性。

例如，第1A圖顯示為依照本發明一實施例之電磁波屏蔽結構之剖面示意圖。電磁波屏蔽結構可例如為一電磁波屏蔽膜。此電磁波屏蔽膜可包含一基材(例如為絕緣基材)120、一多孔複合膜102及一導電接著層104，其中多孔複合膜102可形成於絕緣基材120上，導電接著層104可形成於多孔複合膜102上。在此實施例中，基材120可為聚亞醯胺(PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚苯硫醚(PPS)、環氧樹脂、壓克力樹脂或前述之組合。在此實施例中，多孔複合膜102可具有電磁波屏蔽之能力。導電接著層104可為具有黏著性之半固化膜層，以供貼合此電磁波屏蔽膜至其他需電磁波屏蔽功能之元件上。

例如，參見第1B圖，其顯示為依照本發明另一實施例之電磁波屏蔽結構之剖面示意圖。電磁波屏蔽結構可為具有電磁波屏蔽能力之軟性印刷電路板結構。例如，此電磁波屏蔽結構可為第1A圖所示之電磁波屏蔽膜藉由其導電接著層104貼合於軟性印刷電路板140上。此軟性印刷電路板140中可設有多個導電線路142及至少一接地線路144。在一實施例中，電磁波屏蔽膜之導電接著層104可與印刷電路板中的接地走線144形成電性連接(例如直接接觸)，以達到更佳之電磁波屏蔽功效。此外，在此實施例中，導電接著層104可為一固化膜層。

第1C圖顯示為第1A及1B圖中之多孔複合膜之區域A之放大示意圖。如第1C圖所示，多孔複合膜中可包含金 屬奈米顆粒108相互熔接所形成之連續相網路，及披覆於此連續相網路之表面108A上的第一樹脂組成物110。因此，孔洞112係為具有第一樹脂組成物110披覆於其上之連續相網路中的空隙。值得注意的是，雖然圖中僅顯示了數個金屬奈米顆粒相連接，可知的是，這些金屬奈米顆粒係會朝立體空間中的各個方向延伸而形成所述之連續相網路。因此，電磁波雜訊可藉由此連續相網路傳導至導電接著層104及接地線路，而產生良好的電磁波屏蔽功效。此外，多孔複合膜102中的孔洞112亦可幫助加強多孔複合膜102與導電接著層104的黏著強度。

請參見第2A~2D圖，其顯示為依照本發明一實施例之具有電磁波屏蔽之軟性印刷電路板之製造方法於各種中間階段之剖面圖。在此實施例中，與前述實施例相似之元件係以相似參考標號表示。

首先，參見第2A圖，提供一絕緣基材120。在一實施例中，此基材可選自下列組合：聚亞醯胺(PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯類(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯類(PEN)、聚醚碸(PES)、聚苯硫醚(PPS)、環氧樹脂、壓克力樹脂、前述之組合或其他可耐高溫之絕緣基材，其厚度大體可介於約3~25μm。

接著，參見第2B圖，形成多孔複合膜102於絕緣基材120上。在一實施例中，多孔複合膜102可由覆蓋(例如塗佈)一第一溶液(未顯示)於絕緣基材120上，並接著對絕緣基材120上之第一溶液進行熱處理而形成。第一溶液可包 含一有機金屬錯合物及一第一樹脂組成物溶於一溶劑中。在一實施例中，有機金屬錯合物與第一樹脂組成物之重量比可為約20：1至30：1。有機金屬錯合物可例如為CH₃ (CH₂ )_m COO^- Ag⁺ 、[CH₃ (CH₂ )_m COO^- ]₂ Ni²⁺ 、[CH₃ (CH₂ )_m COO^- ]₃ Al³⁺ 或前述之組合，其中m為0~8之間的整數。第一溶液之溶劑可例如為甲苯、二甲苯、N-甲基吡咯酮或前述之組合。第一樹脂組成物可主要由環氧樹脂構成。上述之環氧樹脂可擇自下列組成之族群：多官能基環氧樹脂(multi-functional epoxy resin)、雙酚A型(bisphenol A type)環氧樹脂、環狀脂肪族(cycloaliphatic)環氧樹脂、含萘環(naphthalene)環氧樹脂、雙苯基(diphenylene)環氧樹脂及清漆型環氧樹脂(novolac epoxy)。環氧樹脂之重量平均分子量可為約1000~5000。

此外，第一樹脂組成物亦可包含高分子柔軟劑、硬化劑及催化劑。例如，上述高分子柔軟劑可包含選自下列組成之族群：聚酯類(polyester)、聚醯胺(polyamide)、聚醯胺-醯亞胺(polyamide-imide)、聚乙烯縮丁醛(polyvinyl butyral)、人造橡膠、聚己內酯多元醇(polycaprolactone)、脂肪鏈型環氧樹脂、及端羧基聚丁二烯丙烯腈(carboxyl-terminated butadiene/acrylonitrile；CTBN)。

上述硬化劑可包含酸酐、二胺或聚胺(polyamine)，例如甲基六氫苯酐(methyl hexahydrophthalic anhydride)、甲基四氫鄰苯二甲酸酐(methyltetrahydrophthalic anhydride)、4,4-二氨基二苯碸(4,4-diaminodiphenyl sulfone)、聚醚胺 (polyether diamine)或前述之組合。上述催化劑可包含咪唑(imidazole)，例如2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methyl-imidazole)、2,4-二氨基-6-[2-(2-甲基-1-咪唑基)乙基]-1,3,5-噻嗪(2,4-diamino-6-[2-(2-methyl-1-imidazolyl)ethyl]1,3,5-triazine)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)或前述之組合。

在一實施例中，第一樹脂組成物可具有約50~100重量份之環氧樹脂、小於或等於約30重量份(例如約0.1~30重量份)之高分子柔軟劑、小於或等於約10重量份(例如約0.1~10重量份)之硬化劑及小於或等於約10重量份(例如約0.1~10重量份)之催化劑。

在覆蓋上述第一溶液至絕緣基材120上後，可對基材120上之第一溶液進行熱處理。在一實施例中，熱處理之步驟可包含多階段之加熱步驟。例如，該多階段加熱步驟可為例如在熱風循環烘箱中以約50℃~250℃之間分段加熱數分鐘至數小時。在一實施例中，該多階段加熱步驟可為例如在熱風循環烘箱中以約90℃~200℃之間分段加熱數分鐘至數小時(例如：三階段加熱：80~100℃/5~10分鐘、140~160℃/30~60分鐘、170~190℃/30~60分鐘)。在進行該多階段之加熱步驟時，第一溶液中的溶劑係會逐漸蒸發，上述之有機金屬錯合物分解為金屬奈米顆粒，且第一樹脂組成物中的環氧樹脂係會形成交聯而固化。值得注意的是，這些金屬奈米顆粒在上述加熱步驟中亦會彼此熔融接合而形成一連續相網路，並被上述交聯固化的環氧樹脂膜 所包覆。也就是說，金屬奈米顆粒之形成及熔融接合是和環氧樹脂的交聯固化同時進行，因此，第一溶液中的第一樹脂組成物係披覆於該些金屬奈米顆粒之連續相網路之表面上。在一實施例中，金屬奈米顆粒可包含銀、鎳或鋁的奈米顆粒。金屬奈米顆粒之平均顆粒粒徑可約為20~100 nm。

此外，在一可選擇之實施例中，在進行上述多階段之加熱步驟之前，更可對絕緣基材120上之第一溶液進行一曝光處理。該曝光處理可加速有機金屬錯合物的分解速率、幫助多孔複合膜之預定型及催化上述環氧樹脂發生交聯反應。此曝光處理可例如為以約1500~3000 mJ/cm² 之紫外光照射約15~60秒。

上述具有第一樹脂組成物披覆於其上之連續相網路中的空隙形成多孔複合膜102中之孔洞。在一實施例中，孔洞之平均孔徑可為約0.01~0.5 μm。由於金屬奈米顆粒之形成及熔融接合和環氧樹脂的交聯固化係為同時進行，金屬奈米顆粒之尺寸及堆疊方式係可視為上述熔融接合及交聯固化的競合結果。因此，孔洞之平均孔徑可由上述熔融接合及交聯固化的反應速率決定，例如可藉由調控溫度或時間的參數決定。

在一實施例中，多孔複合膜之厚度可為約2~5 μm。需注意的是，如多孔複合膜之厚度太厚，將會使電磁波屏蔽膜之柔軟度下降，如其厚度太薄，將無法獲得足夠的電磁波屏蔽效果。在本實施例中，多孔複合膜於頻率為1 GHz 時的電磁波防護能力為50 dB以上。

接著，參見第2C圖，形成導電接著層104於多孔複合膜102上。在一實施例中，導電接著層104可經由例如塗佈的方式形成於多孔複合膜上，例如，可將一第二溶液(未顯示)塗佈於多孔複合膜102上，並接著對多孔複合膜102上之第二溶液進行熱處理。第二溶液可為一含導電粉體之樹脂分散液，且此樹脂分散液包含一第二樹脂組成物溶於其中。導電粉體可為銀、銅、鎳或前述之組合，且其顆粒粒徑可為約0.5~1.0 um。第二樹脂組成物可例如為多官能基環氧樹脂(multi-functional epoxy resin)、雙酚A型(bisphenol A type)環氧樹脂、環狀脂肪族(cycloaliphatic)環氧樹脂、含萘環(naphthalene)環氧樹脂、雙苯基(diphenylene)環氧樹脂及清漆型環氧樹脂(novolac epoxy)。上述環氧樹脂之重量平均分子量可為約1000~5000。在一實施例中，第二樹脂組成物可使用與第一樹脂組成物相同之材料。或者，第二樹脂組成物可使用與第一樹脂組成物不相同之材料。在一實施例中，第二樹脂組成物可視需要包含前述之高分子柔軟劑、硬化劑及催化劑。在一實施例中，導電粉體及第二樹脂組成物之重量比可為約3：2至4：1。

對第二溶液進行熱處理之步驟可為例如在熱風循環烘箱中以約50℃~150℃之間分段加熱數分鐘(例如：三階段加熱：70~90℃/5~12分鐘、90~110℃/2~10分鐘、110~130℃/1~8分鐘)。在進行該多階段之加熱步驟時，第 二溶液中的溶劑係會逐漸蒸發，且第二樹脂組成物中的環氧樹脂係會形成交聯而固化。由於對第二溶液進行熱處理之步驟相較於第一溶液之熱處理較短，第二樹脂組成物中的環氧樹脂係不會完全固化，僅會形成半固化之導電接著層104。如此，即形成如第1A圖所示之電磁波屏蔽膜。

接著，參見第2D圖，將半固化之導電接著層104貼合至一軟性印刷電路板140上。例如，以熱壓合機於約170~190℃及約70~90 kgf之條件進行加熱壓合。在加熱壓合時，導電接著層104中的環氧樹脂可進一步固化，而完全貼合於軟性印刷電路板140上。此軟性印刷電路板可具有一暴露之接地線路144，以與導電接著層104相接觸而進一步與多孔複合膜102形成電性連接。

由於多孔複合膜102本身即包含了環氧樹脂，其相較於純金屬薄膜，多孔複合膜102與其他膜層之間的接著力更強。此外，由於多孔複合膜102中具有多個奈米尺寸之孔洞，除了可增加與導電接著層104的接著力，在貼合製程中若具有無可避免的氣泡產生，多孔複合膜中102之孔洞係可作儲存氣泡的緩衝區，其可避免氣泡在其他高溫製程時(例如耐焊錫測試)直接自導電接著層104及軟性印刷電路板140之間的接面竄出自外界，進而導致導電接著層104及軟性印刷電路板140之間脫層。因此，在本實施例中，此多孔複合膜102亦可增加導電接著層104與軟性印刷電路板140之間的接著強度，例如可大於4N。

本發明具有電磁波屏蔽結構不但具有優良的電磁波屏 蔽特性及可撓曲性，且製程簡單，更無需使用真空濺鍍金屬薄膜設備。同時，藉由多孔複合膜的設計，更可增加電磁波屏蔽結構之各膜層之間的接著力，且不易有斷層與界面脫層疑慮。因此，上述之具有電磁波屏蔽結構可應用於各種先進技術。

【實施例1】

有機銀錯合物之製備

取20克新葵酸、17.3克三乙醇胺及200克去離子水於室溫下攪拌30分鐘。接著，將17.96克之硝酸銀溶於50克水，緩慢滴入上述溶液中，並攪拌30分鐘，得到白色沉澱物。收集上述白色沉澱物，以甲醇清洗多餘雜質，經真空乾燥後，得到有機銀錯合物。

【實施例2】

多孔複合膜之製備

取10.0克之實施例1之有機銀錯合物，溶於2.5克之甲苯中，形成固含量80%之溶液A。將10.0克的環氧樹脂(大格化學，4221EL)、5.0克的末端羧基丁腈橡膠(CTBN)、1.0克的甲基六氫苯酐及0.04克的2-乙基-4-甲基咪唑溶於6.85克的甲苯中，形成固含量70%之溶液B。隨後，將4克的溶液A及0.133克的溶液B混合均勻後，得到溶液C。接著，以刮刀塗佈將溶液C塗佈至聚亞醯胺基材上。進行能量為1500 mJ/cm² 之曝光照射30sec，並在熱風循環烘箱中進行90℃/5 min、150℃/1 hr、200℃/0.5 hr之3階段烘烤， 以除去甲苯並固化環氧樹脂，得到厚度為3 μm之多孔複合膜。此多孔複合膜之掃描式電子顯微鏡(SEM)圖及穿透式電子顯微鏡(TEM)圖係各自顯示於附件。

【實施例3】

如實施例2之相同方式進行，但溶液C係由4克的溶液A及0.2克的溶液B混合而成。

【實施例4】

如實施例2之相同方式進行，但溶液C係由4克的溶液A及0.4克的溶液B混合而成。

【實施例5】

如實施例2之相同方式進行，但溶液C係由4克的溶液A及0.1克的溶液B混合而成。

【實施例6】

電磁波屏蔽膜之製備

將28.9克的環氧樹脂、100.2克之固含量為20%之末端羧基丁腈橡膠(CTBN)(溶劑為甲基乙基酮)、3.3克的二氨基二苯基碸、0.065克的2-乙基-4-甲基咪唑溶於2.55克之甲基乙基酮，得到固含量為38.57%之導電膠樹脂溶液D，其中上述環氧樹脂係由11.4克的雙酚A樹脂(Epikote 828EL，長億化學)、11.3克的雙酚A清漆型環氧樹脂(BN 200，長春人造樹脂)及6.21克的溴化環氧樹脂(EP153，大日本油墨樹脂)混合而成。

接著，將20.5克的導電膠樹脂溶液D與23.4克的鎳粉 加入至30克的甲基乙基酮中，以球磨機均勻攪拌，得到分散液E。接著，以刮刀塗佈方式將上述分散液E塗佈於實施例2之多孔複合膜上。隨後，在熱風循環烘箱中進行80℃/7 min、100℃/4 min、120℃/4 min之3階段烘烤，除去甲基乙基酮，並且部分固化環氧樹脂，得到厚度為16 μm之半固化導電接著層。

【實施例7】

如實施例6之相同方式進行，但導電粉體之樹脂分散液E係塗佈於實施例3之多孔複合膜上。所得到之半固化導電接著層之厚度為16 μm。

【實施例8】

如實施例6之相同方式進行，但分散液E係塗佈於實施例4之多孔複合膜上。所得到之半固化導電接著層之厚度為16 μm。

【實施例9】

如實施例6之相同方式進行，但分散液E係塗佈於實施例5之多孔複合膜上。所得到之半固化導電接著層之厚度為16 μm。

【實施例10】

如實施例6之相同方式進行，但分散液E中僅加入20克的鎳粉。所得到之半固化導電接著層之厚度為15 μm。

【實施例11】

如實施例6之相同方式進行，但分散液E中加入了24.7 克的鎳粉。所得到之半固化導電接著層之厚度為22 μm。

【實施例12】

軟性印刷電路板結構之製備

在軟性印刷電路板上製作出銅箔線路圖案，並於圖案上形成一絕緣層。之後，在軟性印刷電路板上以190℃、70 kgf及60分鐘條件下熱壓貼合實施例6之電磁波屏蔽膜。

【實施例13~17】

如實施例12之相同方式進行，但在軟性印刷電路板上熱壓貼合實施例7~11之電磁波屏蔽膜。

接著，對上述實施例之電磁波屏蔽膜及軟性印刷電路板結構進行：(1)電磁波防護效應、(2)表面電阻、(3)與聚亞醯胺黏著強度、(4)耐彎曲折性、及(5)耐銲錫性之評估。測試條件如下，且結果整理於表1。

電磁波屏蔽複合膜屏蔽效應之評估

電磁波屏蔽效應(shielding effectiveness,SE)是根據ASTM-D4935的規範來評估。首先，將測試樣品(實施例2~5、12~17)裁成直徑大小約13cm的圓。之後，在30MHz~1.5GHz的頻率下進行量測，取1GHz的結果載於表1。

電磁波屏蔽複合膜屏蔽效應之評估

以四點探針量測實施例12~17之電磁波屏蔽膜的表面電阻率，結果載於表1。

電磁波屏蔽膜與聚亞醯胺黏著強度之評估

電磁波屏蔽膜與聚亞醯胺黏著強度的測定依據為IPC-TM-650 2.6.2。首先，將實施例6~11之電磁波屏蔽膜裁切成10mm×70mm試片大小。之後，將試片在180℃、70 kgf的條件下快速熱壓1分鐘及170℃/60分鐘的熱硬化條件下貼合於另一聚亞醯胺膜。壓合後，以50 mm/min拉伸速度做T型剝離試驗，以量測電磁波屏蔽膜與聚亞醯胺薄膜之間的黏著強度(N/cm)，結果載於表1。

耐彎曲試驗

以曲率半徑0.38mm，荷重500克及180次/分鐘的測試條件對實施例12~17之印刷電路板結構進行耐彎曲測試。從線路圖案斷線次數進行耐彎折曲特性評估，結果載於表1。

耐銲錫性之評估

將錫爐加熱到測試溫度約288℃，接著將實施例12~17之裁好的測試樣品(2.5 cm x 12cm)完全浸泡到錫爐中，經過30秒的測試時間後，取出並觀察其表面外觀是否有小氣泡的產生，結果載於表1。

由表1可得知的是，本發明實施例所提供的電磁波屏蔽膜及印刷電路板結構係具有良好的電磁波屏蔽效果、導電性、黏著性及可撓曲性。而溶液A/溶液B之重量比(即多孔複合膜中的環氧樹脂/有機銀錯合物之重量比)或所添加的導電粉體較多時，可具有良好的電磁波屏蔽效果，但亦會稍微犧牲耐彎折曲性，且會導致耐焊錫性變差。然而，當導電粉體的添加量不足時，其表面電阻即會大幅提升。因此，如需滿足各種應用需求，亦可藉由調整多孔複合膜中的環氧樹脂/有機銀錯合物之重量比及導電粉體的添加量來滿足。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

102‧‧‧多孔複合膜

104‧‧‧導電接著層

108‧‧‧金屬奈米顆粒

108A‧‧‧連續相網路表面

110‧‧‧第一樹脂組成物

120‧‧‧絕緣基材

140‧‧‧軟性印刷電路板

142‧‧‧導電線路

144‧‧‧接地線路

第1A圖顯示為依照本發明一實施例之電磁波屏蔽結構之剖面示意圖。

第1B圖顯示為依照本發明另一實施例之電磁波屏蔽結構之剖面示意圖。

第1C圖顯示為第1A及1B圖中之多孔複合膜之區域A之放大示意圖。

第2A~2D顯示為依照本發明一實施例之具有電磁波屏蔽結構之製造方法於各種中間階段之剖面示意圖。

102‧‧‧多孔複合膜

104‧‧‧導電接著層

120‧‧‧絕緣基材

140‧‧‧軟性印刷電路板

142‧‧‧導電線路

144‧‧‧接地線路

Claims (16)

1. 一種電磁波屏蔽結構，包括：一基材；以及一多孔複合膜，形成於該基材上，其中該多孔複合膜包含一連續相網路、一第一樹脂組成物及複數個孔洞，該連續相網路係由複數個金屬奈米顆粒相互熔接形成，該第一樹脂組成物披覆於該連續相網路之表面上，該些孔洞為具有該第一樹脂組成物披覆於其上之該連續相網路中的空隙。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽結構，其中該第一樹脂組成物主要由環氧樹脂所構成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽結構，其中該些孔洞之平均孔徑為0.01~0.5 um。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽結構，更包含一導電接著層，形成於該多孔複合膜上，其中該導電接著層包含一導電粉體分散於一第二樹脂組成物中。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電磁波屏蔽結構，其中該導電粉體包含鎳、銀、銅或前述之組合。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽結構，更包含一印刷電路板，與該導電接著層貼合。
7. 如申請專利範圍第6項所述之電磁波屏蔽結構，其中該印刷電路板包含至少一接地線路，且該接地線路與該導電接著層電性連接。
8. 一種電磁波屏蔽結構之製造方法，包括： 提供一基材；以及形成一多孔複合膜於該基材上，其中該多孔複合膜包含一連續相網路、一第一樹脂組成物及複數個孔洞，該連續相網路係由複數個金屬奈米顆粒相互熔接形成，該第一樹脂組成物披覆於該連續相網路之表面上，該些孔洞為具有該第一樹脂組成物披覆於其上之該連續相網路中的空隙。
9. 如申請專利範圍第8項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，其中該第一樹脂組成物主要由環氧樹脂所構成。
10. 如申請專利範圍第8項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，其中該多孔複合膜之形成步驟包括：覆蓋一第一溶液至該基材上，其中該第一溶液包含一有機金屬錯合物及一第一樹脂組成物溶於一溶劑中；及對該基材上之該第一溶液進行熱處理，以使該有機金屬錯合物分解為複數個金屬奈米顆粒、使該些金屬相互熔接成一連續相網路、及固化該第一樹脂組成物。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，其中該有機金屬錯合物包含CH₃ (CH₂ )_m COO^- Ag⁺ 、[CH₃ (CH₂ )_m COO^- ]₂ Ni²⁺ 、[CH₃ (CH₂ )_m COO^- ]₃ Al³⁺ 或前述之組合，其中m為0~8之間的整數。
12. 如申請專利範圍第10項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，其中該對該基材上之該第一溶液進行熱處理之步驟包含多階段加熱。
13. 如申請專利範圍第10項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，更包含在對該絕緣基材上之該第一溶液進行熱處理之前，對該絕緣基材上之該第一溶液進行一曝光步驟。
14. 如申請專利範圍第8項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，更包含形成一導電接著層於該多孔複合膜上。
15. 如申請專利範圍第14項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，其中該形成該導電接著層之步驟包含：覆蓋一第二溶液於該多孔複合膜上，其中該第二溶液包含一導電粉體及一第二樹脂組成物；及對該多孔複合膜上之該第二溶液進行熱處理，以固化該第二樹脂組成物。
16. 如申請專利範圍第8項所述之電磁波屏蔽結構之製造方法，更包含以該導電接著層與一印刷電路板貼合。