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TWI480165B - Manufacture of electronic devices - Google Patents

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TWI480165B
TWI480165B TW099108222A TW99108222A TWI480165B TW I480165 B TWI480165 B TW I480165B TW 099108222 A TW099108222 A TW 099108222A TW 99108222 A TW99108222 A TW 99108222A TW I480165 B TWI480165 B TW I480165B
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TW
Taiwan
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substrate
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resin layer
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TW099108222A
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English (en)
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TW201113155A (en
Inventor
江田研一
Original Assignee
旭硝子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 旭硝子股份有限公司 filed Critical 旭硝子股份有限公司
Publication of TW201113155A publication Critical patent/TW201113155A/zh
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Publication of TWI480165B publication Critical patent/TWI480165B/zh

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Description

電子裝置之製造方法
本發明係關於一種電子裝置之製造方法、及附支持體之電子裝置。
近年來,液晶顯示裝置(LCD,Liquid Crystal Display)、有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示裝置(OLED,Organic Light Emitting Diode,有機發光二極體)係作為顯示裝置而受到廣泛利用。尤其在手機或行動電話等可攜式顯示裝置之領域中,要求顯示裝置輕量化、薄型化。
同樣地,太陽能電池、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子裝置亦要求輕量化、薄型化。
為因應該等要求,顯示裝置等電子裝置所使用之玻璃、樹脂、金屬等之基板正在向薄板化方向發展。
於玻璃基板之情形時,作為使板厚變薄之方法,一般使用如下方法:於玻璃基板之表面上形成顯示裝置用構件,在形成顯示裝置用面板後,使用化學蝕刻來對顯示裝置用面板之兩外側表面進行蝕刻處理,使顯示裝置用面板之厚度變薄。
該使用化學蝕刻進行之基板薄化之方法中,例如,將1張玻璃基板之板厚自0.7 mm薄化加工至0.2 mm或0.1 mm時,會因蝕刻液而削落原先的玻璃基板材料之大半,因此就生產性或原材料之使用效率之觀點而言不佳。相對於此,若最初便採用板厚較薄之玻璃基板而欲製造TFT(Thin Film Transistor,薄膜電晶體)陣列基板或彩色濾光片基板,則製造時玻璃基板之強度不足,彎曲量亦增大。由此而產生無法利用現有之生產線進行處理之問題。
又,於上述使用化學蝕刻之基板薄化法中,於玻璃基板之表面上形成顯示裝置用構件後,進行化學蝕刻處理等而使玻璃基板變薄,因此有時會產生形成於玻璃基板表面之微細之傷痕顯在化的問題,即,產生蝕刻斑之問題。
因此,為解決上述問題而提出如下方法等:使板厚未滿0.7 mm之較薄的玻璃基板(亦稱為「薄板玻璃基板」)與其他的支持玻璃基板黏合而形成積層體,並於此狀態下實施用以製造顯示裝置之特定之處理,其後,分離薄板玻璃基板與支持玻璃基板。
例如,於專利文獻1中記載有一種方法,其係利用玻璃基板彼此之靜電吸附力或真空吸附力將製品用玻璃基板與增強用玻璃基板黏合在一起而實現一體化,製造使用有製品用玻璃基板之顯示裝置。
又,於專利文獻2中,記載有一種液晶顯示裝置之製造方法,其係使用玻璃料系之接著劑將液晶顯示裝置之基板與支持體之端部加以接著,其後形成電極圖案等。
於專利文獻3中,記載有一種顯示裝置用基板之製造方法,其係包括以下步驟:對2張玻璃基板之至少周緣部之端面附近照射雷射光,使上述2張玻璃基板融合。
於專利文獻4中,記載有一種液晶顯示裝置之製造方法,其係將基板貼附於在支持體上設置有黏著劑層之基板搬送用治具,並搬送基板搬送用治具,藉此,經由液晶顯示元件之製造步驟來對貼附於基板搬送用治具上之基板依序進行液晶顯示元件形成處理,在完成特定之步驟後,將基板自基板搬送用治具剝離。
於專利文獻5中,記載有一種液晶顯示元件之製造方法,其特徵在於:使用由紫外線硬化型黏著劑將液晶顯示裝置用電極基板設置於支持體上之治具,對液晶顯示裝置用電極基板實施特定之加工後,對紫外線硬化型黏著劑照射紫外線,藉此使上述紫外線硬化型黏著劑之黏著力下降,從而將上述液晶顯示裝置用電極基板自上述治具剝離。
於專利文獻6中,記載有一種搬送方法,其係以黏著劑將薄板暫時固定於支持板上,並以密封劑密封上述黏著劑之周緣部而搬送暫時固定有薄板之支持板。
於專利文獻7中,記載有一種薄板玻璃積層體,其特徵在於:其係使薄板玻璃基板與支持玻璃基板積層而成者,且上述薄板玻璃基板與上述支持玻璃基板係經由具有剝離性及非黏著性之聚矽氧樹脂層而積層。並且,在分離薄板玻璃基板與支持玻璃基板時,只要賦予沿垂直方向將薄板玻璃基板自支持玻璃基板拉開之力即可,利用剃刀之刃等在端部形成剝離起始部,或者向積層界面注入空氣,藉此可更容易地剝離。
又,於專利文獻8中,記載有一種使用有聚矽氧之半導體製造用之雙面密著片材。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2000-241804號公報
專利文獻2:日本專利特開昭58-54316號公報
專利文獻3:日本專利特開2003-216068號公報
專利文獻4:日本專利特開平8-86993號公報
專利文獻5:日本專利特開平9-105896號公報
專利文獻6:日本專利特開2000-252342號公報
專利文獻7:國際公開第2007/018028號小冊子
專利文獻8:日本專利特開2004-26950號公報
然而,於專利文獻1所記載之利用靜電吸附力或真空吸附力將玻璃基板彼此固定之方法、專利文獻2所記載之利用玻璃料將玻璃基板之兩端固定之方法、或者專利文獻3所記載之對周緣部之端面附近照射雷射光而使2張玻璃基板融合之方法中,由於並未經由任何中間層而使玻璃基板彼此積層密著,故因混入至玻璃基板間之氣泡或塵芥等異物而會於玻璃基板上產生應變缺陷。因此,難以獲得表面平滑之玻璃基板積層體。
又,於專利文獻4~6所記載之在玻璃基板間配置黏著劑層等之方法中,可避免上述的因混入至玻璃基板間之氣泡等而導致應變缺陷之產生,但難以分離兩玻璃基板,且於分離時有薄板玻璃基板破損之虞。又,於分離後之薄板玻璃基板上殘存有黏著劑亦將成為問題。
相對於此,根據專利文獻7所記載之薄板玻璃基板積層體,難以產生上述的因混入至玻璃基板間之氣泡等而導致之應變缺陷。又,亦可剝離薄板玻璃基板與支持玻璃基板。進而,可解決於剝離後之薄板玻璃基板上殘存有黏著劑之問題。但是,即便對剝離後之薄板玻璃基板之附樹脂層之面貼附偏光膜或相位差膜等附黏著劑之膜,亦有黏著強度較弱而會剝離之情形。尤其在偏光膜等中之黏著劑為丙烯酸系時容易剝離。本發明者對其原因進行努力研究後,認為其原因在於:對於專利文獻7所記載之積層體,於剝離後之薄板玻璃基板上看起來並未殘存有聚矽氧樹脂層,但源自該樹脂層之任何物質(例如可列舉化合物。又,例如可列舉形成樹脂層之物質的一部分、且於上述樹脂層之表面析出並存在之低分子化合物等。以下亦稱為「轉印物」)、空氣中飛散之塵芥、及因製造步驟而導致之金屬片或機油等之異物會極少地附著於上述薄板玻璃基板之表面。進而,本發明者發現一種可不對薄板玻璃基板及附著於其上之顯示裝置用構件等造成熱、電磁、機械及化學性損傷地去除上述異物之方法。當薄板玻璃基板為顯示裝置用面板之一部分時,在與薄板玻璃基板之分離面為相反側之面會形成薄膜電晶體、有機EL元件、或彩色濾光片等顯示裝置用構件,又,由於必需不會對其等造成如上所述之損傷,故亦有2張薄板玻璃基板藉由密封劑而成為封裝化之狀態之情形。
本發明係鑒於上述問題而完成者。即,本發明之目的在於提供一種電子裝置之製造方法,其係自將含有電子裝置用構件之基板、樹脂層及支持基板積層而成之附支持體之電子裝置,剝離包含上述樹脂層及上述支持基板之支持體而獲得電子裝置後,不對基板及電子裝置用構件等(例如薄膜電晶體、有機EL元件、彩色濾光片)造成熱、電磁、機械及化學性損傷地去除附著於上述電子裝置用之基板主面的異物,其結果可將偏光膜或相位差膜等附黏著劑之膜牢固地貼附於剝離後之基板之附樹脂層的面。
本發明者為解決上述課題而進行反覆努力研究,完成本發明。
本發明係關於以下(1)~(8)。
(1)一種電子裝置之製造方法,其包括:剝離步驟,自附支持體之電子裝置剝離包含支持基板及樹脂層之支持體,獲得包含電子裝置用構件及基板之電子裝置,上述附支持體之電子裝置係:在含有第1主面及第2主面、且於第2主面上含有電子裝置用構件之基板之第1主面密著有樹脂層,該樹脂層含有剝離性表面,其固定於含有第1主面及第2主面之支持基板之第1主面;及去除步驟,去除附著於上述電子裝置中之上述基板第1主面的異物。
(2)如上述(1)之電子裝置之製造方法,其中上述樹脂層係聚矽氧樹脂層。
(3)如上述(1)或(2)之電子裝置之製造方法,其中令上述樹脂層之剝離性表面密著於上述基板第1主面之前的上述基板第1主面之黏著強度為f0 ,且令上述去除步驟之後獲得之電子裝置中的上述基板第1主面之黏著強度為f時,f≧f0
(4)如上述(1)~(3)中任一項之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係對上述基板之第1主面照射電漿而去除上述異物者。
(5)如上述(1)~(3)中任一項之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係使用含有酸或鹼之藥液而去除上述異物者。
(6)如上述(1)~(3)中任一項之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係使用含有溶解度參數為7~15之溶劑之藥液而去除上述異物者。
(7)如上述(5)或(6)之電子裝置之製造方法,其係以下步驟:進而使用超音波振動而去除上述異物。
(8)如上述(1)~(7)中任一項之電子裝置之製造方法,其中包括2個以上的上述去除步驟。
根據本發明,可提供一種電子裝置之製造方法,其係自將含有顯示裝置等電子裝置用構件之基板、樹脂層及支持基板積層而成之附支持體之電子裝置,剝離包含上述樹脂層及上述支持基板之支持體而獲得電子裝置後,不對基板及電子裝置用構件等(例如薄膜電晶體、有機EL元件、彩色濾光片)造成熱、電磁、機械及化學性損傷地去除附著於上述電子裝置用之基板主面的異物,其結果可將偏光膜或相位差膜等附黏著劑之膜牢固地貼附於剝離後之基板之附樹脂層的面。
對本發明進行說明。
本發明之電子裝置製造方法(以下亦稱為「本發明之電子裝置製造方法」)係包括:剝離步驟,自附支持體之電子裝置剝離包含支持基板及樹脂層之支持體,獲得包含電子裝置用構件及基板之電子裝置,上述附支持體之電子裝置係:在含有第1主面及第2主面、且於第2主面上含有電子裝置用構件之基板之第1主面密著有樹脂層,該樹脂層含有剝離性表面,其固定於含有第1主面及第2主面之支持基板之第1主面;及去除步驟,去除附著於上述電子裝置中之上述基板第1主面的異物。
又,以下,將供本發明之電子裝置製造方法中之剝離步驟的附支持體之電子裝置亦稱為「本發明之附支持體之電子裝置」,該附支持體之電子裝置即為:在含有第1主面及第2主面之上述基板之第1主面密著有樹脂層,該樹脂層含有剝離性表面,其固定於含有第1主面及第2主面之支持基板之第1主面。
再者,關於詳細情形將於以下敍述,本發明中所使用之附支持體之電子裝置係:在含有第1主面及第2主面、且於第2主面上含有電子裝置用構件之基板之第1主面密著有樹脂層,該樹脂層含有剝離性表面,其固定於含有第1主面及第2主面之支持基板之第1主面。
即,附支持體之電子裝置含有電子裝置用構件、基板、樹脂層及支持基板,且該等係依此順序而積層。又,電子裝置含有電子裝置用構件及基板,且電子裝置用構件係形成於基板之第2主面上。
又,附支持體之電子裝置亦可係將由基板、樹脂層及支持基板依此順序積層後之積層體經由電子裝置用構件而積層2個所成者,即,將支持基板、樹脂層、基板、電子裝置用構件、基板、樹脂層及支持基板依此順序積層而成者。
此處,所謂電子裝置,係指顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件。所謂顯示裝置用面板,係包括液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
以下,將基板及支持基板包含玻璃之顯示裝置用面板作為本發明中之電子裝置之一進行詳細敍述。以下,將顯示裝置用面板之製造方法稱為「本發明之面板製造方法」,將附支持體之顯示裝置用面板稱為「本發明之附支持體之面板」。
首先,對本發明之附支持體之面板中之薄板玻璃基板進行說明。
對薄板玻璃基板而言,其厚度、形狀、大小、物性(熱收縮率、表面形狀、耐化學品性等)、組成等並無特別限定,例如,可與先前之LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板相同。
薄板玻璃基板之厚度以未滿0.7 mm為宜,較佳者為0.5 mm以下,更佳者為0.4 mm以下。又,薄板玻璃基板之厚度以0.05 mm以上為宜,較佳者為0.07 mm以上,更佳者為0.1 mm以上。
薄板玻璃基板之形狀並無限定,但以矩形為宜。此處,所謂矩形,係指實質上為大致矩形,亦包括切除周邊部之角後(切角後)所成之形狀。
薄板玻璃基板之大小並無限定,例如,當矩形時可為100~2000 mm×100~2000 mm,較佳者為500~1000 mm×500~1000 mm。
本發明中,即便為上述厚度及大小時,亦可容易剝離薄板玻璃基板與支持體。
薄板玻璃基板之熱收縮率、表面形狀、耐化學品性等特性亦無特別限定,其根據所製造之顯示裝置之種類而不同。
熱收縮率較小時為宜。具體而言,作為熱收縮率指標之線膨脹係數以500×10-7 /℃以下為宜,較佳者為300×10-7 /℃以下,進而較佳者為200×10-7 /℃以下,更佳者為100×10-7 /℃以下,進而更佳者為45×10-7 /℃以下。
再者,於本發明中,線膨脹係數係指JIS R3102(1995年)中所規定者。
薄板玻璃基板之玻璃材料之組成例如亦可與先前已知的含有鹼金屬氧化物之鹼玻璃或無鹼玻璃相同。其中,自熱收縮率較小之觀點而言尤以無鹼玻璃為佳。
本發明之附支持體之面板中,於上述薄板玻璃基板之第2主面含有顯示裝置用構件。
所謂顯示裝置用構件,係指先前的LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板於其表面上所含有之發光層、保護層、TFT陣列(以下稱為陣列)、彩色濾光片、液晶、含有ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)之透明電極等、各種電路圖案等。上述薄板玻璃基板之第2主面上之顯示裝置用構件的種類並無特別限定。
由上述顯示裝置用構件與上述薄板玻璃基板而形成顯示裝置用面板。
其次,對本發明之附支持體之面板中之支持玻璃基板進行說明。
本發明之附支持體之面板係在上述薄板玻璃基板之第1主面含有固定有樹脂層的支持玻璃基板作為支持體。支持玻璃基板係經由樹脂層而與薄板玻璃基板密著,以增強薄板玻璃基板之強度。
支持玻璃基板之厚度、形狀、大小、物性(熱收縮率、表面形狀、耐化學品性等)、組成等並無特別限定。
支持玻璃基板之厚度並無特別限定,但本發明之附支持體之面板必需為以現行的生產線可處理之厚度。
例如,厚度宜為0.1~1.1 mm,較佳者為0.3~0.8 mm,更佳者為0.4~0.7 mm。
例如,現行的生產線係設計成可對厚度0.5 mm之基板進行處理者,故當薄板玻璃基板之厚度為0.1 mm時,使支持玻璃基板之厚度與樹脂層之厚度相加為0.4 mm。又,現行的生產線最普遍的是設計成可對厚度0.7 mm之玻璃基板進行處理者,故例如在薄板玻璃基板之厚度為0.4 mm時,使支持玻璃基板之厚度與樹脂層之厚度相加為0.3 mm。
支持玻璃基板之厚度與上述薄板玻璃基板之相對厚度之關係並無限定,支持玻璃基板之厚度可厚於薄板玻璃基板之厚度,支持玻璃基板之厚度亦可薄於薄板玻璃基板之厚度。
支持玻璃基板之形狀並無限定,但以矩形為宜。此處,所謂矩形,係指實質上為大致矩形,亦包括切除周邊部之角後(切角後)所成之形狀。
支持玻璃基板之大小並無限定,但以與上述薄板玻璃基板相同程度為宜,較佳者為稍大於上述薄板玻璃基板。具體而言,例如縱向或橫向之大小分別為0.05~10 mm左右時為佳。其理由為:在顯示裝置用面板製造時,可容易保護上述薄板玻璃基板之端部,不讓其不與定位銷等對準裝置接觸,以及可更容易地進行薄板玻璃基板與支持玻璃基板之剝離。
支持玻璃基板之線膨脹係數可與上述薄板玻璃基板實質上相同,亦可不同。若實質上相同,則在以本發明之面板製造方法進行處理時,在薄板玻璃基板或支持玻璃基板上難以產生翹曲,此點較佳。
薄板玻璃基板與支持玻璃基板之線膨脹係數之差宜為300×10-7 /℃以下,較佳者為100×10-7 /℃以下,更佳者為50×10-7 /℃以下。
支持玻璃基板之玻璃材料之組成例如可與鹼玻璃、無鹼玻璃相同。其中,自熱收縮率較小之觀點而言尤以無鹼玻璃為佳。
於本發明之實施形態中,基板設為薄板玻璃基板,但本發明並不限定於此。就工業上之易取得性之觀點而言,可將玻璃板、矽晶圓、金屬板、塑膠板等作為較佳之例而呈現。
在採用板厚較薄之玻璃板(薄板玻璃基板)作為基板時,薄板玻璃基板之組成例如可與鹼玻璃或無鹼玻璃相同。其中,自熱收縮率較小之觀點而言尤以無鹼玻璃為佳。
在採用塑膠板作為基板時,其種類並無特別限制,例如,於透明基板之情形時,可例示:聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚聚矽氧樹脂、透明氟樹脂等。於不透明基板之情形時,可例示:聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、各種液晶聚合物樹脂等。
在採用金屬板作為基板時,其種類並無特別限制,例如可例示不鏽鋼板、銅板等。
基板之耐熱性並無特別限制,但在形成顯示裝置用構件之TFT陣列等時,耐熱性宜較高。具體而言,上述5%加熱重量損失溫度宜為300℃以上。較佳者為350℃以上。
於此情形時,就耐熱性之觀點而言,上述玻璃板之任一者皆適合。
就耐熱性之觀點而言,作為較佳之塑膠板,可例示:聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、各種液晶聚合物樹脂等。
又,基板亦可為將玻璃板、矽晶圓、金屬板、塑膠板等不同材質積層而成之積層體。例如可列舉:將玻璃板、樹脂層、塑膠板依此順序積層而成之積層體之類的將不同種類之基板經由樹脂層積層而成之積層體;或者將玻璃板、塑膠、玻璃板依此順序積層而成者用作基板之類的將由不同種類之板複層化而成者用作基板之積層體。
進而,亦可為將2張以上之玻璃板彼此用作基板、或者將2張以上之塑膠板彼此用作基板之類的將由同一種類之板複層化而成者用作基板之積層體等。
又,於本發明之實施形態中,支持基板設為使用有玻璃板之支持玻璃基板,但本發明並不限定於此。就工業上之易取得性之觀點而言,可將玻璃板、矽晶圓、金屬板、塑膠板等作為較佳之例而呈現。
在採用玻璃板作為支持基板時,支持玻璃基板之厚度、形狀、大小、物性(熱收縮率、表面形狀、耐化學品性等)、組成等並無特別限定。
支持玻璃基板之厚度並無特別限定,但附支持體之顯示裝置用面板必需為以現行的生產線可處理之厚度。
例如厚度宜為0.1~1.1 mm,較佳者為0.3~0.8 mm,更佳者為0.4~0.7 mm。
例如,現行的生產線係設計成可對厚度0.5 mm之基板進行處理者,故當薄板玻璃基板之厚度為0.1 mm時,使支持玻璃基板之厚度與樹脂層之厚度相加為0.4 mm。又,現行的生產線最普遍的是設計成可對厚度0.7 mm之玻璃基板進行處理者,故例如在薄板玻璃基板之厚度為0.4 mm時,使支持玻璃基板之厚度與樹脂層之厚度相加為0.3 mm。
支持玻璃基板之厚度宜厚於上述薄板玻璃基板。
其次,對本發明之附支持體之面板中之樹脂層進行說明。
樹脂層固定於上述支持玻璃基板之第1主面。並且,樹脂層密著於上述薄板玻璃基板之第1主面,但可容易地剝離。即,樹脂層對上述薄板玻璃基板之第1主面而以某種程度之結合力結合,且以剝離時不會破壞薄板玻璃基板而可容易剝離之程度之結合力結合。本發明中,將樹脂層表面的可容易剝離之性質稱為剝離性。
於本發明之附支持體之面板中,較佳為:樹脂層與薄板玻璃基板之第1主面並非藉由含有黏著劑之類的黏著力而附著,而是藉由固體分子間之凡得瓦力所引起之力、即密著力而附著。
另一方面,樹脂層對上述支持玻璃基板之第1主面之結合力,相對地高於對上述薄板玻璃基板之第1主面之結合力。本發明中,將對薄板玻璃基板之第1主面之結合稱為密著,將對支持玻璃基板之第1主面之結合稱為固定。
樹脂層之厚度並無特別限定,以1~100 μm為宜,較佳者為5~30 μm,更佳者為7~20 μm。其原因在於:在樹脂層之厚度為上述範圍時,薄板玻璃基板之第1主面與樹脂層之密著將會充分。
又,其原因在於,即便介入有氣泡或異物,亦可抑制薄板玻璃基板產生應變缺陷。又,若樹脂層之厚度過厚,則形成時需要花費時間及材料而不經濟。
另外,樹脂層可包含2層以上。於此情形時,「樹脂層之厚度」係指所有層之總計厚度。
又,當樹脂層包含2層以上時,形成各個層之樹脂的種類可不同。
對樹脂層而言,相對於上述薄板玻璃基板之第1主面的樹脂層之剝離性表面之表面張力宜為30 mN/m以下,較佳者為25 mN/m以下,更佳者為22 mN/m以下。其原因在於,當為上述表面張力時,可更容易地與薄板玻璃基板之第1主面剝離,同時與薄板玻璃基板之第1主面之密著亦會充分。
又,樹脂層宜包含玻璃轉移點低於室溫(25℃左右)或者不具有玻璃轉移點之材料。其原因在於,可成為非黏著性之樹脂層,且具有更高之剝離性,更容易與薄板玻璃基板之第1主面剝離,同時與薄板玻璃基板之第1主面之密著亦會充分。
又,樹脂層宜具有耐熱性。其原因在於,於本發明之面板製造方法中,例如於上述薄板玻璃基板之第2主面上形成顯示裝置用構件時,可將由薄板玻璃基板、樹脂層及支持玻璃基板積層而成之玻璃積層體供熱處理。
又,若樹脂層之彈性模數過高,則與薄板玻璃基板之第1主面之密著性將會降低而不佳。另外,若彈性模數過低,則剝離性將會降低而不佳。
形成樹脂層之樹脂之種類並無特別限定。例如可列舉:丙烯酸樹脂、聚烯烴系樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂。可混合若干種類之樹脂而使用。於上述樹脂之群中,聚矽氧樹脂為宜。其原因在於,聚矽氧樹脂之耐熱性優異,且對薄板玻璃基板之剝離性之程度較佳。又,其原因在於,於支持玻璃基板之第1主面使硬化性聚矽氧樹脂硬化而形成聚矽氧樹脂層時,藉由與支持玻璃基板之第1主面之矽烷醇基之縮合反應而容易固定於支持玻璃基板上。聚矽氧樹脂層例如即便於300~400℃左右進行1小時左右之處理,剝離性仍大致不會劣化,此點亦較佳。
又,樹脂層在聚矽氧樹脂中尤以剝離紙用之硬化性聚矽氧之硬化物為佳。剝離紙用聚矽氧係以於分子內含有直鏈狀的二甲基聚矽氧烷之聚矽氧作為主劑者。使用觸媒、光聚合起始劑等而使含有該主劑與交聯劑之組合物於上述支持玻璃基板之表面(第1主面)硬化所形成之樹脂層具有優異的剝離性,故較佳。又,上述樹脂層之柔軟性較高,因此即便氣泡或塵芥等異物混入至薄板玻璃基板與樹脂層之間,亦可抑制薄板玻璃基板產生應變缺陷。
該種剝離紙用聚矽氧根據其硬化機構而分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧或電子束硬化型聚矽氧,但皆可使用。該等中尤以加成反應型聚矽氧為佳。其原因在於,硬化反應之難易度、形成樹脂層時剝離性之程度為良好,且耐熱性亦較高。
又,剝離紙用聚矽氧在形態上有溶劑型、乳液型及無溶劑型,任一類型皆可使用。該等中尤以無溶劑型為佳。其原因在於,在生產性、安全性、環境特性之方面優異。又,其原因在於,形成樹脂層時在進行硬化時,即,在加熱硬化、紫外線硬化或電子束硬化時,不含有會產生發泡之溶劑,故樹脂層中難以殘留氣泡。
又,作為剝離紙用聚矽氧,具體而言,作為一般市售之商品名或型號,可列舉:KNS-320A、KS-847(皆為信越聚矽氧(Shin-Etsu Silicones)公司製造)、TPR6700(GE東芝(GE Toshiba Silicones)聚矽氧公司製造)、乙烯基聚矽氧「8500」(荒川化學工業股份有限公司製造)、與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業股份有限公司製造)之組合;乙烯基聚矽氧「11364」(荒川化學工業股份有限公司製造)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業股份有限公司製造)之組合;乙烯基聚矽氧「11365」(荒川化學工業股份有限公司製造)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業股份有限公司製造)之組合等。再者,KNS-320A、KS-847及TPR6700係預先含有主劑與交聯劑之聚矽氧。
又,形成樹脂層之聚矽氧樹脂宜具有聚矽氧樹脂中之成分難以轉移至薄板玻璃基板的性質,即,宜具有低聚矽氧轉移性。
其次,利用圖式來說明本發明之附支持體之面板。
圖1係表示本發明之附支持體之面板之一態樣的概略剖面圖。
於圖1中,顯示裝置用面板16包含層狀之顯示裝置用構件14及薄板玻璃基板12,該等被積層。此處,顯示裝置用構件14係形成於薄板玻璃基板12之第2主面上。並且,薄板玻璃基板12之第1主面與固定於支持玻璃基板19之第1主面之樹脂層18的表面密著而附著,形成本發明之附支持體之面板10。
圖1所示之態樣之本發明之附支持體之面板10中,薄板玻璃基板12、樹脂層18、及支持玻璃基板19在面方向上為大致相同之大小。
圖2係表示本發明之附支持體之面板之另一態樣的概略正視圖,圖3係其A-A'剖面圖(概略剖面圖)。
於圖2及圖3中,顯示裝置用面板26包含層狀之顯示裝置用構件24及薄板玻璃基板22,該等被積層。此處,顯示裝置用構件24係形成於薄板玻璃基板22之第2主面上。並且,薄板玻璃基板22之第1主面與固定於支持玻璃基板29之第1主面的樹脂層28密著而附著,形成本發明之附支持體之面板20。
圖2及圖3所示之態樣之本發明之附支持體之面板20中,較薄板玻璃基板22而言,支持玻璃基板29之主面面積更大,且薄板玻璃基板22之面方向之外緣並未自支持玻璃基板29之外緣伸出。
又,圖2及圖3所示之態樣之本發明之附支持體之面板20中,較樹脂層28之表面(與薄板玻璃基板22之第1主面相接之面)之面積(以下,亦稱為樹脂層中之「表面面積」)而言,薄板玻璃基板22之第1主面之面積更大。樹脂層28之表面面積較薄板玻璃基板22之第一主面之面積小了相當於形成後述間隙部25之部分。並且,薄板玻璃基板22之第1主面中之未與樹脂層28相接之部分α、及與其對向之支持玻璃基板29之一部分β,形成連接本發明之附支持體之面板20之端面(γ1、γ2)的間隙部25。
在形成上述間隙部25後,於後述之本發明之面板製造方法之剝離步驟中,可更容易地剝離薄板玻璃基板與樹脂層,因而較佳。
又,間隙部25之深度宜為1 mm以上,較佳者為3 mm以上,更佳者為5 mm以上。又,宜為15 mm以下,較佳者為10 mm以下。其原因在於,於後述之本發明之面板製造方法之剝離步驟中,可更容易地剝離薄板玻璃基板與樹脂層。
再者,所謂「間隙部之深度」,係指自薄板玻璃基板之端面(γ2)起沿該端面之垂直方向直至樹脂層之端面為止的長度。於圖2、圖3所示之情形下,係指由α所表示之部分的長度。再者,如後述之圖5所示之態樣,當自薄板玻璃基板之端面起沿該端面之垂直方向直至樹脂層之端面為止的之長度係根據作為起點之薄板玻璃基板之端面之部位而不同時,使最大長度為「間隙部之深度」。
又,間隙部25之位置可為如圖2所示之矩形的薄板玻璃基板22之一邊之中心部分,亦可為如圖4所示之矩形的薄板玻璃基板22之一邊之全部。又,亦可為將如圖5所示之矩形的薄板玻璃基板22含有之角中之一個角大幅切角後所成者。再者,圖4、圖5分別係表示本發明之附支持體之面板之又一態樣的概略正視圖。
又,如圖6之概略剖面圖所示,本發明之附支持體之面板亦可為如下態樣:將顯示裝置用構件34之兩主面夾入至薄板玻璃基板(32a、32b)、樹脂層(38a、38b)及支持玻璃基板(39a、39b)之積層體中。該種態樣亦為可利用本發明的面板製造方法進行處理之本發明之附支持體之面板。
其次,說明本發明之附支持體之面板之製造方法。
本發明之附支持體之面板之製造方法並無特別限定,但宜包括如下步驟:樹脂層形成步驟,於上述支持玻璃基板之第1主面形成含有剝離性表面之樹脂層;密著步驟,積層上述薄板玻璃基板與上述支持玻璃基板,使上述樹脂層之剝離性表面密著於上述薄板玻璃基板之第1主面;及顯示裝置用構件形成步驟,於上述薄板玻璃基板之第2主面上形成顯示裝置用構件。
本發明之附支持體之面板之製造方法中的薄板玻璃基板及支持玻璃基板之製造方法並無特別限定。例如可利用先前公知之方法來製造。例如,在將先前公知之玻璃原料熔解而形成熔融玻璃後,可藉由浮式法、熔融法、流孔法(slot method)、再曳引法(redraw method)等成形為板狀而獲得。
對本發明之附支持體之面板之製造方法中的樹脂層形成步驟進行說明。
於支持玻璃基板之表面(第1主面)上形成樹脂層之方法並無特別限定。
例如可列舉將膜狀之樹脂接著於支持玻璃基板之表面的方法。具體而言可列舉如下方法:為了對膜之表面賦予較高之接著力而進行表面改質處理,將其接著於支持玻璃基板之第1主面。作為表面改質之處理方法,可例示:如矽烷偶合劑之類的使密著力化學性地提高之化學方法(底塗處理);或如火焰(flame)處理之類的使表面活性基增加之物理方法;如噴砂處理之類的藉由增加表面粗糙度而使捕獲力增加之機械方法等。
又,例如可列舉以公知之方法將形成樹脂層之樹脂組合物塗佈於支持玻璃基板之第1主面上的方法。作為公知之方法,可列舉:噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、絲網印刷法、凹版印刷塗佈法。可根據樹脂組合物之種類而自上述方法中適當選擇。
例如,在使用無溶劑型之剝離紙用聚矽氧作為樹脂組合物時,宜採用模塗法、旋塗法或絲網印刷法。
再者,在製造含有如使用圖2~5所說明之間隙部的本發明之附支持體之面板時,宜對形成間隙部之部位預先進行遮蔽,然後塗佈樹脂組合物。所謂遮蔽,係指如下方法:在塗佈樹脂組合物時,對形成間隙部之部位預先貼附可再剝離之膜等,使樹脂組合物不塗佈於該部位,其後剝離上述膜。
又,在將樹脂組合物塗佈於支持玻璃基板之第1主面上時,其塗佈量宜為1~100 g/m2 ,較佳者為5~20 g/m2
又,作為其他方法,例如在由加成反應型聚矽氧而形成樹脂層時,藉由上述之噴塗法等公知之方法,將包含:於分子內含有直鏈狀之二甲基聚矽氧烷之聚矽氧(主劑)、交聯劑及觸媒之樹脂組合物塗佈於支持玻璃基板之第1主面上,其後使其加熱硬化。加熱硬化條件係根據觸媒之調配量而不同,例如在相對於主劑及交聯劑之總計量100重量份而調配鉑系觸媒2重量份時,使其在大氣中於50℃~250℃下進行反應,較佳者為100℃~200℃下進行反應。又,此時之反應時間為5~60分鐘,較佳者為10~30分鐘。由於形成為具有低聚矽氧轉移性之聚矽氧樹脂層,因此使硬化反應儘可能地進行以便聚矽氧樹脂層中不殘留有未反應之聚矽氧成分為宜,若為上述的反應溫度及反應時間,則可使聚矽氧樹脂層中不會殘留有未反應之聚矽氧成分,因而較佳。當反應時間較上述反應時間而言過長時、或反應溫度過高時,會同時引起聚矽氧樹脂之氧化分解,生成低分子量之聚矽氧成分,因此聚矽氧轉移性有可能變高。使硬化反應儘可能地進行以便聚矽氧樹脂層中不會殘留有未反應之聚矽氧成分,由此亦可使加熱處理後之剝離性良好,故較佳。
利用上述方法於支持玻璃基板之第1主面上形成樹脂層之後,於樹脂層之表面積層薄板玻璃基板。
又,例如,在使用剝離紙用聚矽氧而製造樹脂層時,將塗佈於支持玻璃基板之第1主面上之剝離紙用聚矽氧加熱硬化而形成聚矽氧樹脂層之後,於密著步驟中使薄板玻璃基板積層於支持玻璃基板之聚矽氧樹脂形成面。藉由使剝離紙用聚矽氧加熱硬化而使聚矽氧樹脂硬化物與支持玻璃基板化學性結合。又,根據效果,聚矽氧樹脂層會與支持玻璃基板結合。於該等之作用下,聚矽氧樹脂層被牢固地固定於支持玻璃基板之第1主面。
對本發明之附支持體之面板之製造方法中的密著步驟進行說明。
密著步驟係將上述薄板玻璃基板之第1主面、與在第1主面形成有上述樹脂層之上述支持玻璃基板進行積層,並使上述樹脂層之剝離性表面密著於上述薄板玻璃基板之第1主面的步驟。
薄板玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面宜藉由非常接近之相對的固體分子間之凡得瓦力所引起之力、即密著力而結合。此時,可保持為使支持玻璃基板與薄板玻璃基板積層之狀態。
使上述薄板玻璃基板與在第1主面固定有上述樹脂層之上述支持玻璃基板積層之方法並無特別限定。例如可使用公知之方法而實施。例如可列舉如下方法:在常壓環境下將薄板玻璃基板疊合於樹脂層之表面後,使用輥或衝壓機使樹脂層與薄板玻璃基板壓接。使用輥或衝壓機進行壓接,藉此樹脂層與薄板玻璃基板將進一步密著,故較佳。又,使用輥或衝壓機之壓接,藉此可容易地去除混入至樹脂層與薄板玻璃基板之間的氣泡,故較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接,則可更好地抑制氣泡之混入及確保良好的密著,故更佳。於真空下進行壓接,藉此亦存在以下優點:即便在殘存有微量氣泡之情形時,氣泡亦不會因加熱而成長,從而難以導致薄板玻璃基板之應變缺陷。
於密著步驟中,在使薄板玻璃基板積層於支持玻璃基板之樹脂層之剝離性表面時,宜充分地清洗薄板玻璃基板之表面,於潔淨度高的環境下進行積層。即便在樹脂層與薄板玻璃基板之間混入有異物,亦不會因樹脂層變形而對薄板玻璃基板之表面之平坦性造成影響,但潔淨度越高,其平坦性越好,故潔淨度高為佳。
以此方式獲得積層有薄板玻璃基板、樹脂層及支持玻璃基板之玻璃積層體(以下,亦稱為「薄板玻璃積層體」)之後,於該薄板玻璃積層體中之薄板玻璃基板之第2主面上形成顯示裝置用構件。
當形成顯示裝置用構件時,視需要亦宜對薄板玻璃基板之第2主面進行研磨以提高其平坦度。
顯示裝置用構件並無特別限定。例如可列舉含有LCD之陣列或彩色濾光片。又,例如可列舉:含有OLED之透明電極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層。
對本發明之附支持體之面板之製造方法中的顯示裝置用構件形成步驟進行說明。
顯示裝置用構件形成步驟係於上述薄板玻璃積層體之上述薄板玻璃基板之第2主面上形成顯示裝置用構件的步驟。
於上述薄板玻璃積層體之上述薄板玻璃基板之第2主面上形成上述顯示裝置用構件之方法並無特別限定,可與先前公知之方法相同。
例如,在製造LCD作為顯示裝置時,可與先前公知之於玻璃基板上形成陣列之步驟、形成彩色濾光片之步驟、經由密封劑而使形成有陣列之玻璃基板與形成有彩色濾光片之玻璃基板黏合之步驟(陣列‧彩色濾光片黏合步驟)等的各種步驟相同。更具體而言,作為該等步驟中實施之處理,例如可列舉:純水清洗、乾燥、成膜、抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻及抗蝕劑去除。進而,作為在實施陣列‧彩色濾光片黏合步驟後所要進行之步驟,有液晶注入步驟、及實施該處理後進行之注入口之密封步驟,可列舉該等步驟中實施之處理。
又,以製造OLED之情形為,作為用以於薄板玻璃基板之第2主面上形成有機EL結構體之步驟,其包括:形成透明電極之步驟、蒸鍍電洞注入層‧電洞傳輸層‧發光層‧電子傳輸層等之步驟、及密封步驟等的各種步驟,作為該等步驟中所實施之處理,具體而言例如可列舉:成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
如此一來,可製造本發明之附支持體之面板。
其次,對本發明之面板製造方法進行說明。
本發明之面板製造方法並無特別限定,但宜包括:剝離步驟,其係自上述附支持體之面板剝離包含上述支持玻璃基板及上述樹脂層之支持體;及去除步驟,其係去除附著於經該剝離步驟而獲得之顯示裝置用面板中之薄板玻璃基板第1主面的來源於上述樹脂層之轉印物等的異物。
對本發明之面板製造方法中之剝離步驟進行說明。
剝離步驟係自上述附支持體之顯示裝置用面板剝離包含上述支持玻璃基板及上述樹脂層之支持體的步驟。
剝離方法只要係可不對薄板玻璃基板、形成於其第2主面上之顯示裝置用構件及密封劑造成熱、電磁、機械及化學性損傷地進行剝離之方法,則無特別限制。而且,較佳者為支持玻璃基板無損傷之方法,進而,更佳者為固定於支持玻璃基板之第1主面之具有剝離性的樹脂層無損傷之方法。
作為具體的剝離方法,例如,可於薄板玻璃基板與樹脂層之界面中插入鋒利的刃具狀物或噴射水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。較佳者為,以上述附支持體之面板之支持玻璃基板側為上側、顯示裝置用面板側為下側之方式設置於壓盤上,將顯示裝置用面板側基板真空吸附於壓盤上(於雙面積層有支持玻璃基板時,依序進行),並於該狀態下對附支持體之面板之薄板玻璃基板與樹脂層之邊界噴射水與壓縮空氣之混合流體,朝垂直上方上拉支持玻璃基板之端部。如此一來,於上述邊界依序形成空氣層,該空氣層擴展至上述邊界之整個面,可容易地剝離支持體(於附支持體之面板之兩主面積層有支持玻璃基板時,逐一單面地反覆進行上述剝離步驟)。
經上述剝離步驟所剝離之支持體可再利用。例如,當上述樹脂層為聚矽氧樹脂層之情形時,剝離後之支持體中之聚矽氧樹脂層越具有低聚矽氧轉移性,則越會有可抑制上述玻璃積層體由於經加熱步驟時之剝離強度上升而導致的剝離不良之傾向。因此,可更好地再利用。
對本發明之面板製造方法中之去除步驟進行說明。
去除步驟係去除附著於上述顯示裝置用面板中之上述薄板玻璃基板之第1主面之異物的步驟。
如上所述,即便供上述剝離步驟後所獲得之顯示裝置用面板中之薄板玻璃基板之第1主面(與樹脂層密著之面)貼附偏光膜或相位差膜等附黏著劑之膜,亦有黏著強度較弱而會剝離之情形。本發明者對其原因進行研究後,認為其原因在於:源自樹脂層之轉印物、空氣中飛散之塵芥、及因製造步驟而導致之金屬片或機油等異物會極少地附著於該第1主面。並且,本發明者發現一種可不對薄板玻璃基板及形成於該薄板玻璃基板之第2主面的顯示裝置用構件等造成熱、電磁、機械及化學性損傷地去除上述異物之方法。
如上所述,所謂異物,係指包含源自上述樹脂層之任何物質(即轉印物)、空氣中飛散之塵芥、及因製造步驟而導致之金屬片或機油等在內的除附著於薄板玻璃基板第1主面之薄板玻璃基板以外之物。作為上述轉印物,例如可列舉形成樹脂層之化合物,其係藉由與薄板玻璃基板之第1主面密著而附著於該第1主面者。又,例如可列舉形成樹脂層之物質之一部分、且於上述樹脂層之表面析出並存在之低分子化合物等。
對上述轉印物進行具體說明。例如,當樹脂層包含聚矽氧時,由於薄板玻璃基板之第1主面與固定於支持玻璃基板之第1主面的聚矽氧樹脂層之密著,故可認為較低分子量之聚矽氧化合物會藉由樹脂層內之擴散效應而附著於薄板玻璃基板之第1主面上。此處,當玻璃積層體經過加熱步驟時,使用溶解聚矽氧化合物所得之溶劑等而自薄板玻璃基板之第1主面去除聚矽氧化合物較為困難。另一方面,當基板並非為薄板玻璃基板而是包含聚醯亞胺等樹脂之基板(以下,亦稱為樹脂基板)時,在自支持體剝離樹脂基板後,可使用溶解聚矽氧化合物所得之溶劑等來去除附著於樹脂基板之第1主面的聚矽氧化合物。一般而言,偏光膜等中之黏著劑係使用丙烯酸系,並被調整為可獲得對親水性之玻璃基板表面之適度的黏著強度。相對於此,若斥水性之聚矽氧化合物附著於玻璃基板表面,則丙烯酸系黏著劑對玻璃基板表面之黏著強度將降低,二次加工(rework)性增加,另一方面,偏光板會藉由外力而剝離。
再者,作為決定偏光膜對玻璃基板表面之黏著強度之因素,除玻璃基板表面之親水性、即水接觸角以外,還可列舉膜之彈性、黏著劑之黏性等,本發明中,黏著強度係指利用將25 mm寬度之偏光膜、或者將附黏著劑之膜貼附於玻璃基板表面之後實施90°剝離之方法進行測定所取得之值。
附著於上述顯示裝置用面板等電子裝置中之上述薄板玻璃基板等基板之第1主面之上述異物的去除方法並無特別限定,但如上所述,即便根據樹脂層或基板之種類而使用溶劑,亦難以去除,宜使用將異物進行熱或化學性分解之方法。例如,當樹脂層為聚矽氧樹脂層,且基板為薄板玻璃基板時,可認為異物中聚矽氧化合物為主成分,可列舉:使附著於薄板玻璃基板之第1主面的聚矽氧化合物熱分解成二氧化矽、水及二氧化碳之方法;或使用酸或鹼來進行化學性分解之方法。另一方面,當樹脂層為聚矽氧樹脂層,且基板為樹脂基板時,除將附著於樹脂基板之聚矽氧化合物進行熱或化學性分解以外,亦可藉由溶劑之溶解而去除。
又,供去除步驟的顯示裝置用面板之態樣為:於薄板玻璃基板之第2主面上形成有陣列、有機EL元件或彩色濾光片等電子裝置用構件;或者利用密封劑而黏合二張薄板玻璃基板,進而於所黏合之二張薄板玻璃基板之間注入有液晶;因此於任一態樣中,皆可無損傷地去除上述異物。即,較好的是,去除步驟係可不對上述薄板玻璃基板、上述顯示裝置用構件及密封劑造成熱、電磁、機械及化學性損傷地去除上述異物之步驟。
又,較好的是,令密著上述樹脂層之前的上述薄板玻璃基板之第1主面之黏著強度為f0 ,且令上述去除步驟之後獲得之顯示裝置用面板中的上述薄板玻璃基板之第1主面之黏著強度為f時,f≧f0 。此黏著強度之關係藉由最恰當地進行剝離步驟及去除步驟中之處理而可實現。
作為附著於上述薄板玻璃基板之第1主面之聚矽氧化合物等異物的去除方法,可列舉電漿照射處理作為較佳例。其中,尤以具備電場屏蔽之方式為佳,其係利用所謂的遠距電漿(Remote Plasma)法而不會對顯示裝置用面板造成熱或電磁性影響者。又,與電漿灰化法等需要高真空之方式相比,常壓遠距電漿法為宜,且能夠以較低成本去除異物,因而較佳。
藉由該種電漿照射處理,可使偏光板等附黏著劑之膜對該薄板玻璃基板之第1主面的黏著強度較與樹脂層密著之前為相同或更高(即,黏著強度f≧黏著強度f0 ),因而較佳。
對上述薄板玻璃基板之第1主面進行電漿照射之次數並無特別限定,只要該薄板玻璃基板之第1主面可獲得所需之黏著強度即可,可照射1次或複數次電漿。
又,電漿照射時之上述薄板玻璃基板表面溫度宜為100℃以下。其理由為:不會導致顯示裝置用面板之密封劑或液晶等構件產生劣化或損傷等,可維持顯示性能。
以下顯示常壓遠距電漿法之具體例。
使用圖7來說明可用以實施常壓遠距電漿法之裝置。
圖7係本發明之面板製造方法之去除步驟中可用以藉由遠距電漿法而去除上述異物之電漿放電裝置的模式性裝置圖。
於圖7中,電壓施加電極42與接地電極43係對向設置,且與基材對向之面分別由固體電介質46被覆。處理氣體沿箭頭方向被導入至由電壓施加電極42與接地電極43所形成之放電空間44,並被電漿化後,自電漿噴出口45向顯示裝置用面板50噴出。
此處,顯示裝置用面板50之搬送速度宜為0.1~5 m/min,較佳者為0.5~2 m/min,其中以1 m/min左右為佳。
作為附著於上述顯示裝置用面板中之上述薄板玻璃基板之第1主面之聚矽氧化合物等異物的去除方法,宜使用含有酸或鹼之藥液而去除上述異物。自防止處理裝置腐蝕等保全之觀點而言,較佳者為使用含有鹼之藥液進行處理。又,於使用含有酸或鹼之藥液之處理中,由於接液之關係,浸槽清洗(vat soaking washing)比噴淋清洗更理想,藉由選定適切之濃度、溫度、處理時間,可尤其不對密封劑造成影響地去除聚矽氧化合物等異物。可例示如下方法:例如,使用已調整為30~70℃(較佳者為40~60℃)之10~30質量%(較佳者為15~25質量%)之含有酸或鹼之藥液進行1~20分鐘(較佳者為5~15分鐘)的處理。又,在將顯示裝置用面板浸漬於酸或鹼之藥液中時,最好不與顯示裝置用構件中之藥液接觸之構件宜適當地進行密封或遮蔽處理。例如,若顯示裝置用構件上有液晶注入孔,則藥液有可能進入至顯示裝置內,故適當地實施密封或遮蔽處理為宜。
作為附著於上述薄板玻璃基板之第1主面之聚矽氧化合物等異物的去除方法,在不會對上述薄板玻璃基板、上述顯示裝置用構件及密封劑造成熱、電磁、機械及化學性損傷之處理條件之範圍內,可列舉電暈放電、或火焰(即火焰處理)。
作為上述處理條件,例如,電暈放電時或火焰處理時之上述薄板玻璃基板表面溫度宜為100℃以下。其理由為:不會導致顯示裝置用面板之密封劑或液晶等構件劣化或損傷等,可維持顯示性能。
作為附著於上述薄板玻璃基板之第1主面之聚矽氧化合物等異物的去除方法,在不對上述薄板玻璃基板、上述顯示裝置用構件及密封劑造成熱、電磁、機械或化學性損傷之處理條件之範圍內,宜使用含有sp(solubility parameter)值、即溶解度參數為7~15(單位:cal1/2 cm-3/2 )之溶劑之藥液來去除異物。若溶解度參數為7~15之範圍外,則液體與樹脂層之親和性較低,因此液體難以濡濕樹脂層。例如,宜使用含有甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、二甲苯、己烷等之藥液去除上述異物。進而,自環境負載之觀點而言,宜使用醇系清洗液,例如使用含有甲醇、乙醇、丙醇等之清洗液。選定清洗液之適切之濃度、溫度、處理時間,藉此可尤其抑制對密封劑之損傷地去除附著於基板表面的聚矽氧化合物等異物。該等溶劑可單獨、或組合使用。又,關於將顯示裝置用面板與含有上述溶劑之藥液接液時,最好不與藥液相接觸之顯示裝置用構件宜適當地進行密封或遮蔽處理。例如,當顯示裝置用面板上有液晶注入孔時,有可能會使藥液自液晶注入孔進入至顯示裝置用面板內部,因此對液晶注入孔實施密封或遮蔽處理為宜。
於本發明之面板製造方法中,包括2個以上的上述去除步驟。
即,較好的是,複數次地實施單一種類之去除步驟而去除上述異物,或者將複數種類之去除步驟加以組合而去除上述異物。例如可列舉:將如上所述使用有電漿之方法與使用有酸等藥液之方法加以組合而去除上述異物。又,於去除步驟中,較好的是進而使用超音波振動而去除上述異物。
如此一來,於本發明之面板製造方法中,藉由進一步供所需之步驟而可獲得顯示裝置用面板。所謂所需之步驟,例如於LCD之情形時,可列舉如下步驟:將存在複數塊晶胞之大型晶胞分割為所需大小之晶胞;對上述分割後之晶胞注入液晶,其後密封注入口;對上述注入口密封後之晶胞貼附偏光板;及形成模組。又,例如於OLED之情形,除上述步驟以外,還可列舉如下步取:將形成有機EL結構體之薄板玻璃基板與對向基板進行組裝。再者,自不會因切割處理而導致薄板玻璃基板之強度下降、且亦不會產生玻璃屑(cullet)之觀點考慮,分割為所需大小之晶胞之步驟宜為利用雷射裁刀進行之切割。
對本發明之面板製造方法之具體例進行說明。
首先,說明本發明之面板製造方法中的本發明之附支持體之面板之製造方法。
首先,準備薄板玻璃基板及支持玻璃基板,清洗其等之表面。作為清洗,例如可列舉純水清洗、UV(ultraviolet,紫外線)清洗。
其次,於支持玻璃基板之第1主面上形成樹脂層。例如,使用絲網印刷機於支持玻璃基板之第1主面上塗佈聚矽氧樹脂。然後進行加熱硬化,於支持玻璃基板之第1主面上形成樹脂層,獲得固定有樹脂層之支持玻璃基板。
接著,使樹脂層之剝離性表面與薄板玻璃基板之第1主面附著並黏合。例如,可於室溫下對樹脂層與薄板玻璃基板進行真空加壓而黏合。並且,可獲得作為支持玻璃基板、樹脂層及薄板玻璃基板之積層體的薄板玻璃積層體。
接下來,視需要,可研磨亦可清洗薄板玻璃積層體中之薄板玻璃基板之第2主面。作為清洗,例如可列舉純水清洗、UV清洗。
利用上述方法而製造2個薄板玻璃積層體後,於各薄板玻璃積層體中的薄板玻璃基板之第2主面上形成顯示裝置用構件。其中1個薄板玻璃積層體係供公知之彩色濾光片形成步驟,藉此而於該薄板玻璃基板之第2主面形成彩色濾光片。又,另1個薄板玻璃積層體係供公知之陣列形成步驟,藉此而於該薄板玻璃基板之第2主面形成陣列。
以上述方法可製造2個本發明之附支持體之面板。
再者,以下,亦將此處獲得的含有彩色濾光片之本發明之附支持體之面板稱為「附支持體之面板x」,且將含有陣列之本發明之附支持體之面板稱為「附支持體之面板y」。
於本發明之面板製造方法中,例如利用以下所示之實例1~實例4之方法進一步處理以上所製造之附支持體之面板x、及附支持體之面板y,製造出顯示裝置用面板。
(實例1)
於實例1中,以上述方式,使附支持體之面板x及附支持體之面板y各自中的彩色濾光片形成面與陣列形成面對向,並使用晶胞形成用紫外線硬化型密封劑等密封劑進行黏合。以下,將此處獲得的本發明之附支持體之面板亦稱為「附支持體之面板z1」。附支持體之面板z1係尚未被液晶填充之狀態者,為所謂之空晶胞狀態。
其次,在利用藥液實施去除步驟時,暫時密封附支持體之面板z1之液晶注入孔。例如,亦可使用紫外線硬化型密封劑等來進一步密封該注入口之外側。
然後,將密封後之附支持體之面板z1之2個支持體供上述本發明之面板製造方法中的剝離步驟進行剝離。並且,供本發明之面板製造方法中的去除步驟。以下,將如此獲得之面板亦稱為「面板w1」。剝離後之2個支持體可於其他的支持體付面板之製造中再利用。
其次,去除面板w1之液晶注入孔之暫時密封後,將該面板w1切割為各別晶胞。
其次,自上述注入孔對切割後之各別晶胞注入液晶,其後,密封該注入孔而形成液晶晶胞。
然後,進而於上述液晶晶胞上貼附偏光板,形成背光等,由此可獲得LCD1。
再者,該實例中的本發明之面板製造方法中之去除步驟,可在自附支持體之面板剝離支持體後、或者切割為各別晶胞而形成液晶晶胞後之任一情況下進行。其中,於支持體剝離後之藥液處理時,為了防止藥液向空晶胞內滲透,較理想的是對上述注入孔實施暫時密封。
(實例2)
於實例2中,使用先前已知之液晶滴下式注入法(ODF,One Drop Filling)而製造液晶晶胞。使液晶垂滴至附支持體之面板x及附支持體之面板y各自中的彩色濾光片形成面與陣列形成面中之任一方,且使另一方之形成面與垂滴有該液晶之形成面對向,並使用晶胞形成用紫外線硬化型密封劑等密封劑進行黏合。以下,將此處獲得之本發明之附支持體之面板亦稱為「附支持體之面板z2」。
其次,將附支持體之面板z2之2個支持體供上述本發明之面板製造方法中的剝離步驟進行剝離。並且,供本發明之面板製造方法中的去除步驟。以下,將如此獲得之面板亦稱為「面板w2」。剝離後之2個支持體可於其他的支持體付面板之製造中再利用。
其次,將面板w2切割為各別晶胞。
然後,進而於切割為各別晶胞之面板w2上貼附偏光板,形成背光等,由此可獲得LCD2。
再者,該實例中的本發明之去除步驟可在剝離支持玻璃基板後、或者切割為各別晶胞而形成液晶晶胞後之任一情況下進行。其中,於支持體剝離後之藥液處理時,為了防止藥液向空晶胞內滲透,較理想的是對上述注入孔實施暫時密封。
(實例3)
於實例3中,使用ODF製造液晶晶胞。使液晶垂滴至附支持體之面板x及附支持體之面板y各自中的彩色濾光片形成面與陣列形成面中之任一方,使另一方之形成面與垂滴有該液晶之形成面對向,並使用晶胞形成用紫外線硬化型密封劑等密封劑進行黏合。然後,上述黏合後之附支持體之面板x及附支持體之面板y係與支持體一併被切割為各別晶胞。以下,將此處經切割而獲得之本發明之附支持體之面板亦稱為「附支持體之面板z3」。
接下來,將附支持體之面板z3之2個支持體供上述本發明之面板製造方法中的剝離步驟進行剝離。並且,供本發明之面板製造方法中的去除步驟。以下,將如此獲得之面板亦稱為「面板w3」。
然後,於面板w3貼附偏光板,形成背光等,由此可獲得LCD3。
(實例4)
於實例4中,以上述方式,使附支持體之面板x及附支持體之面板y各自中的彩色濾光片形成面與陣列形成面對向,並使用晶胞形成用紫外線硬化型密封劑等密封劑進行黏合。然後,與支持體一併被切割為各別晶胞。以下,將此處經切割而獲得之本發明之附支持體之面板亦稱為「附支持體之面板z4」。附支持體之面板z4係尚未被液晶填充之狀態者,為所謂之空晶胞狀態。
其次,在利用藥液實施去除步驟時,暫時密封附支持體之面板z4之液晶注入孔。
然後,將附支持體之面板z4之2個支持體供上述本發明之面板製造方法中的剝離步驟進行剝離。並且,供本發明之面板製造方法中的去除步驟。以下,將如此獲得之面板亦稱為「面板w4」。
其次,去除面板w4之液晶注入孔之暫時密封後,對該面板w4之晶胞注入液晶,其後進行密封。
然後,進而貼附偏光板,形成背光等,由此可獲得LCD4。
其中,於支持體剝離後之藥液處理時,為了防止藥液向空晶胞內滲透,較理想的是對上述注入孔實施暫時密封。
根據本發明之面板製造方法,在薄板玻璃基板較大時,例如為730×920 mm時,亦可容易地剝離上述薄板玻璃基板。
其次,對本發明之顯示裝置之製造方法進行說明。
本發明之顯示裝置之製造方法係包含本發明之面板製造方法者。
於以本發明之面板製造方法獲得顯示裝置用面板後,將其進而供先前公知之步驟,藉此可獲得顯示裝置。
本發明之顯示裝置之製造方法適合於行動電話或PDA(Personal Digital Assistant,個人數位助理)之類的手機終端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED,作為LCD,包括:TN(Twisted Nematic,扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic,超扭轉向列)型、FE(Field Effect,場效應)型、TFT型、MIM(Metal Insulator Metal,金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching,橫向電場切換)型、VA(Vertical Aligned,垂直配向)型等。基本上,本發明對於被動驅動型、主動驅動型之任一類型之顯示裝置亦可適用。
以上,作為本發明之電子裝置,以於基板之表面(第2主面)含有顯示裝置用構件之顯示裝置用面板為代表例進行了說明,但如上所述,本發明並不限定於此,當然亦可為:代替顯示裝置用構件而於基板之表面(第2主面)分別含有太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、及電子零件用電路等電子裝置用構件的太陽電池、薄膜二次電池、及電子零件等的電子裝置。
例如,作為太陽電池用構件,矽型中可列舉:正極之氧化錫等透明電極、由p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等,其他可列舉:與化合物型、色素增感型、量子點型等對應之各種構件等。
又,作為薄膜二次電池用構件,鋰離子型中可列舉:正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等,其他可列舉:與氫化鎳型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又,作為電子零件用電路,CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體)中可列舉:導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等,其他可列舉:與壓力感測器‧加速度感測器等各種感測器或硬式印刷基板、軟式印刷基板、軟-硬式印刷基板等對應之各種構件等。
實施例 (實施例1a)
首先,對縱720 mm、橫600 mm、板厚0.4 mm、線膨脹係數38×10-7 /℃之支持玻璃基板(旭硝子股份有限公司製,AN100,無鹼玻璃)進行純水清洗、UV清洗,使其淨化。
其次,利用絲網印刷機,將無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧(信越聚矽氧公司製,KNS-320A,黏度為0.40 Pa‧s,溶解參數(SP值)=7.3)100重量份與鉑系觸媒(信越聚矽氧公司製,CAT-PL-56)2重量份之混合物於支持玻璃基板之第1主面上塗佈成縱705 mm、橫595 mm大小之長方形(塗佈量為30 g/m2 )。
接著,使其在大氣中於180℃下加熱硬化30分鐘,於支持玻璃基板之第1主面形成厚度為20 μm之聚矽氧樹脂層。
其次,對與縱720 mm、橫600 mm、板厚0.3 mm、線膨脹係數38×10-7 /℃之薄板玻璃基板(旭硝子股份有限公司製,AN100,無鹼玻璃)之聚矽氧樹脂層相接觸之側的面進行純水清洗、UV清洗,使其淨化後,於室溫下對聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板以真空加壓而黏合,從而獲得薄板玻璃積層體(以下,亦稱為「薄板玻璃積層體A1」)。
再者,樹脂層之形成及薄板玻璃基板之積層係以於薄板玻璃積層體A1之端部形成有深度為15 mm之間隙部之方式而進行。
於所獲得之薄板玻璃積層體A1中,兩玻璃基板係與聚矽氧樹脂層不產生氣泡地密著,亦無變形狀缺陷,平滑性亦良好。
其次,使薄板玻璃積層體A1在大氣中於250℃下進行2小時加熱處理。可確認:薄板玻璃積層體A1之樹脂層不會因熱而導致劣化,耐熱性良好。
接下來,將薄板玻璃積層體A1中之薄板玻璃基板之第2主面固定於固定台上。又,以吸附墊吸附支持玻璃基板之第2主面。然後,向薄板玻璃積層體A1所具有之4個角部中之1個中、且薄板玻璃基板與樹脂層之界面中,插入厚度為0.4 mm之小刀稍加剝離,繼而使吸附墊向遠離固定台之方向移動,從而剝離薄板玻璃基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離所得之薄板玻璃基板亦稱為「薄板玻璃基板a1」。
接下來,於薄板玻璃基板a1中之第1主面(密著有樹脂層之面)上貼附偏光膜(日東電工公司製,丙烯酸系黏著劑)。然後,測定該偏光膜之黏著強度。測定方法為:將25 mm寬之偏光膜、或附黏著劑之膜貼附於玻璃基板表面之後,對膜端部進行90°剝離。其結果,黏著強度為0.20 N/25 mm。
其次,暫時剝離偏光膜後,使用常壓遠距電漿裝置(積水化學公司製造)對薄板玻璃基板a1之第1主面照射電漿。此處,處理條件為:輸出為3 kw,氮氣與空氣流量之比=600 slm/750 sccm,搬送速度為1 m/min。電漿照射時之薄板玻璃基板a之表面溫度為50℃以下。
其次,與照射電漿之前同樣地,對照射電漿後之薄板玻璃基板a1中之第1主面貼附偏光膜,並以相同方法測定偏光膜之黏著強度。
其結果為,90°剝離時之黏著強度為4.7 N/25 mm。又,利用光學顯微鏡觀察薄板玻璃基板a1之第1主面後,並未觀察到異物附著或破裂、缺損。
再者,形成薄板玻璃積層體A1之前的薄板玻璃基板之第1主面中的黏著強度為3.9 N/25 mm。
(實施例1b)
於支持玻璃基板之第1主面上,使用:在兩末端具有乙烯基之直鏈狀聚有機矽氧烷(荒川化學工業股份有限公司製,商品名「8500」)、在分子內具有氫矽烷基之甲基氫化聚矽氧烷(荒川化學工業股份有限公司製,商品名「12031」)、及鉑系觸媒(荒川化學工業股份有限公司製,商品名「CAT12070」)之混合物,除此之外,以與實施例1a相同之方法獲得薄型玻璃積層體(以下,亦稱為「薄板玻璃積層體A2」)後,於大氣中進行加熱處理。
其次,以與實施例1a相同之方法,剝離薄板玻璃基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離後所得之薄板玻璃基板亦稱為「薄板玻璃基板a2」。
其次,以與實施例1a相同之方法測定薄板玻璃基板a2之第1主面中之偏光膜的黏著強度,其結果為0.60 N/25 mm。
其次,暫時剝離偏光膜,使該薄型玻璃基板a2於50℃下於已稀釋成20重量%之抗蝕劑剝離液(Parker Corporation公司製,含有作為主成分之氫氧化鉀20質量%)中浸漬10分鐘,進行水洗及送風。
其次,測定該薄板玻璃基板a2之第1主面中之偏光膜的黏著強度,其結果為4.5 N/25 mm。
(實施例1c)
以與實施例1b相同之方法獲得薄型玻璃積層體(以下,亦稱為「薄板玻璃積層體A3」)後,於大氣中進行加熱處理。
其次,以與實施例1b相同之方法,剝離薄板玻璃基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離後所得之薄板玻璃基板亦稱為「薄板玻璃基板a3」。
然後,將該薄板玻璃基板a3浸漬於抗蝕劑剝離液中。此處,剝離液之溫度為50℃,浸漬5分鐘。又,使用設置於液槽內之超音波振動板,對薄板玻璃基板a3施加超音波振動。
然後,測定該薄板玻璃基板a3之第1主面中之偏光膜之黏著強度,其結果為4.0 N/25 mm。
(實施例1d)
以與實施例1b相同之方法獲得薄型玻璃積層體(以下,亦稱為「薄板玻璃積層體A4」)後,於大氣中進行加熱處理。
其次,以與實施例1b相同之方法,剝離薄板玻璃基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離後所得之薄板玻璃基板亦稱為「薄板玻璃基板a4」。
其次,於薄板玻璃基板之表面溫度為100℃以下之條件下,利用火焰處理機(Arcotec公司製造)對該薄板玻璃基板a4之第1主面以氧氣燃燒器火焰之緣部10 m/min之掃描速度進行4次處理。
其次,測定該薄板玻璃基板a4之第1主面中之偏光膜之黏著強度,其結果為4.0 N/25 mm。
(實施例1e)
於實施例1e中,將薄板玻璃基板變更為厚度0.05 mm之聚醯亞胺樹脂基板(東麗‧杜邦公司製,Kapton 200HV),除此之外,以與實施例1a相同之方法獲得裝置用基板積層體(以下,亦稱為「裝置用基板積層體A5」)。聚醯亞胺樹脂基板之兩主面中,將與樹脂層之剝離性表面密著之面作為第1主面,將形成有電子裝置用構件之主面作為第2主面。以與實施例1a相同之方法對裝置用基板積層體A5之樹脂層之耐熱性進行評估後,可確認:不會因熱而導致劣化,耐熱性良好。
其次,以與實施例1a相同之方法剝離聚醯亞胺樹脂基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離後所得之聚醯亞胺樹脂基板亦稱為「聚醯亞胺樹脂基板a5」。
其次,以與實施例1a相同之方法,對聚醯亞胺樹脂基板a5之第1主面貼附偏光膜。然後,測定聚醯亞胺樹脂基板a5之第1主面中之偏光膜之黏著強度。偏光膜之黏著強度為0.50 N/25 mm。
然後,以與實施例1a相同之方法,使用常壓遠距電漿裝置,對聚醯亞胺樹脂基板a5之第1主面照射電漿,並貼附偏光膜。測定聚醯亞胺樹脂基板a5之第1主面中之偏光膜之黏著強度,其結果為3.0 N/25 mm。
再者,裝置用基板積層體A5形成前之聚醯亞胺樹脂基板之第1主面中的黏著強度為1.5 N/25 mm。
(實施例1f)
於實施例1f中,將薄板玻璃基板變更為厚度0.1 mm之已實施鏡面處理之不鏽鋼(SUS304)基板,除此之外,以與實施例1a相同之方法獲得裝置用基板積層體(以下,亦稱為「裝置用基板積層體A6」)。不鏽鋼基板之兩主面中,將與樹脂層之剝離性表面密著之面作為第1主面,將形成電子裝置用構件之主面作為第2主面。以與實施例1a相同之方法對裝置用基板積層體A6之樹脂層之耐熱性進行評估後,可確認:不會因熱而導致劣化,耐熱性良好。
其次,以與實施例1a相同之方法剝離不鏽鋼基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離後所得之不鏽鋼基板亦稱為「不鏽鋼基板a6」。
其次,以與實施例1a相同之方法,對不鏽鋼基板a6之第1主面貼附偏光膜。然後,測定不鏽鋼基板a6之第1主面中之偏光膜之黏著強度。偏光膜之黏著強度為0.40 N/25 mm。
接下來,以與實施例1a相同之方法,使用常壓遠距電漿裝置,對不鏽鋼基板a6之第1主面照射電漿,並貼附偏光膜。測定不鏽鋼基板a6之第1主面中之偏光膜之黏著強度,其結果為1.5 N/25 mm。
再者,裝置用基板積層體A6形成前之不鏽鋼基板之第1主面中之黏著強度為1.0 N/25 mm。
(實施例1g)
首先,利用鹼性洗劑對縱350 mm、橫300 mm、板厚0.08 mm、線膨脹係數38×10-7 /℃之玻璃膜(旭硝子股份有限公司製,AN100,無鹼玻璃)進行清洗,使玻璃膜之表面淨化。進而,以γ-巰丙基三甲氧基矽烷之0.1%甲醇溶液對玻璃膜之表面進行噴霧,並於80℃下乾燥3分鐘。另一方面,對縱350 mm、橫300 mm、板厚0.05 mm之聚醯亞胺樹脂基板(東麗‧杜邦公司製,Kapton 200HV)之表面進行電漿處理。然後,將玻璃膜與聚醯亞胺樹脂基板疊合,使用加熱至320℃之加壓裝置而形成玻璃/樹脂積層基板。玻璃/樹脂積層基板之兩主面中,將與樹脂層之剝離性表面密著之聚醯亞胺樹脂基板側之主面作為第1主面,將對向之玻璃膜側之主面作為第2主面。
於實施例1g中,將薄板玻璃基板變更為上述玻璃/樹脂積層基板,除此之外,以與實施例1a相同之方法獲得裝置用基板積層體(以下,亦稱為「裝置用基板積層體A7」)。以與實施例1a相同之方法對裝置用基板積層體A7之樹脂層之耐熱性進行評估後,可確認:不會因熱而導致劣化,耐熱性良好。
其次,以與實施例1a相同之方法剝離玻璃/樹脂積層基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。剝離後所得之玻璃/樹脂積層基板亦稱為「玻璃/樹脂積層基板a7」。
其次,以與實施例1a相同之方法,對玻璃/樹脂積層基板a7之第1主面貼附偏光膜。然後,測定玻璃/樹脂積層基板a7之第1主面中之偏光膜之黏著強度。偏光膜之黏著強度為0.40 N/25 mm。
其次,以與實施例1a相同之方法,使用常壓遠距電漿裝置,對玻璃/樹脂積層基板a7之第1主面照射電漿,並貼附偏光膜。測定玻璃/樹脂積層基板a7之第1主面中之偏光膜之黏著強度,其結果為3.0 N/25 mm。
再者,裝置用基板積層體A7形成前之玻璃/樹脂積層基板之第1主面中之黏著強度為1.5 N/25 mm。
(實施例1h)
於實施例1h中,以與實施例1e相同之方法獲得裝置用基板積層體A51。
其次,以與實施例1e相同之方法剝離聚醯亞胺樹脂基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)。
其次,以與實施例1a相同之方法,對裝置用基板積層體A51中的聚醯亞胺樹脂基板之第1主面貼附偏光膜。並且,測定聚醯亞胺樹脂基板之第1主面中之偏光膜之黏著強度。偏光膜之黏著強度為0.40 N/25 mm。
其次,一邊對聚醯亞胺樹脂基板之第1主面噴射醇系清洗劑(Neocoal R7,Japan Alcohol Trading公司製)一邊進行刷洗。藉由送風而自聚醯亞胺樹脂基板之第1主面去除清洗劑後,以與實施例1a相同之方法貼附偏光膜。測定聚醯亞胺樹脂基板之第1主面中之偏光膜之黏著強度,其結果為2.8 N/25 mm。
(實施例2)
首先,對縱720 mm、橫600 mm、板厚0.6 mm、線膨脹係數38×10-7 /℃之支持玻璃基板(旭硝子股份有限公司製,AN100,無鹼玻璃)進行純水清洗、UV清洗,使其淨化。
其次,利用絲網印刷機,將在兩末端具有乙烯基之直鏈狀聚有機矽氧烷(荒川化學工業股份有限公司製,商品名「8500」)、在分子內具有氫矽烷基之甲基氫化聚矽氧烷(荒川化學工業股份有限公司製,商品名「12031」)、及鉑系觸媒(荒川化學工業股份有限公司製,商品名「CAT12070」)之混合物於支持玻璃基板之第1主面上塗佈成縱705 mm、橫595 mm之大小(塗佈量為20 g/m2 )。此處,調整直鏈狀聚有機矽氧烷與甲基氫化聚矽氧烷之混合比,以使氫矽烷基與乙烯基之莫耳比達到1/1。相對於直鏈狀聚有機矽氧烷與甲基氫化聚矽氧烷之總計100重量份,鉑系觸媒為5重量份。
其次,使其在大氣中於180℃下加熱硬化30分鐘,於支持玻璃基板之第1主面形成厚度為20 μm之聚矽氧樹脂層。
其次,對與縱720 mm、橫600 mm、厚度0.1 mm、線膨脹係數50×10-7 /℃之薄板玻璃基板(旭硝子股份有限公司製,AN100,無鹼玻璃)之聚矽氧樹脂層相接觸之側之面進行純水清洗、UV清洗而使其淨化後,於室溫下對聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板以真空加壓而黏合,從而獲得薄板玻璃積層體(以下亦稱為「薄板玻璃積層體B」)。
再者,樹脂層之形成及薄板玻璃基板之積層係以於薄板玻璃積層體B之端部形成有深度為15 mm之間隙部之方式而進行。
於所獲得之薄板玻璃積層體B中,兩玻璃基板係與聚矽氧樹脂層不產生氣泡地密著,亦無變形狀缺陷,平滑性亦良好。
其次,準備2個薄板玻璃積層體B。並且,於其中的一個薄板玻璃積層體B(稱為「薄板玻璃積層體B1」)之薄板玻璃基板之第2主面形成陣列。具體而言,絕緣層及非晶矽層係利用CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沈積)法而形成,電極層係利用濺鍍法而形成,且各自之圖案係利用光微影之方法而形成陣列。
又,於其中的另一個薄板玻璃積層體B(稱為「薄板玻璃積層體B2」)之薄板玻璃基板之第2主面形成彩色濾光片。具體而言,黑色矩陣及RGB像素係利用塗佈及烘烤法而形成,電極層係利用濺鍍法而形成,且各自之圖案係利用光微影之方法而形成彩色濾光片。
然後,使薄板玻璃積層體B1中之陣列形成面與薄板玻璃積層體B2中之彩色濾光片形成面相對向,使用晶胞形成用紫外線硬化型密封劑進行黏合,從而獲得附支持體之顯示裝置用面板(以下,亦稱為「附支持體之面板C」)。
其次,將作為附支持體之面板C中之薄板玻璃積層體B1之一部分的支持玻璃基板之第2主面固定於固定台上。又,以吸附墊吸附作為附支持體之面板C中之薄板玻璃積層體B2之一部分的支持玻璃基板之第2主面。並且,向附支持體之面板C所具有之4個角部中之1個中、且作為薄板玻璃積層體B2之一部分的薄板玻璃基板與樹脂層的界面中,插入厚度為0.1 mm之小刀,將薄板玻璃基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)稍加剝離,繼而使吸附墊向遠離固定台之方向移動,從而剝離薄板玻璃基板之第1主面與支持體。自附支持體之面板C剝離薄板玻璃積層體B2之支持體後所獲得者亦稱為「附支持體之面板Cx」。
接下來,將作為附支持體之面板Cx中之薄板玻璃積層體B2之一部分的薄板玻璃基板之第1主面固定於固定台上。又,以吸附墊吸附作為附支持體之面板Cx中之薄板玻璃積層體B1之一部分的支持玻璃基板之第2主面。並且,向附支持體之面板Cx所具有之4個角部中之1個中、且作為薄板玻璃積層體B1之一部分的薄板玻璃基板與樹脂層之界面中,插入厚度為0.1 mm之小刀,將薄板玻璃基板與支持體(含有樹脂層之支持玻璃基板)稍加剝離,繼而使吸附墊向遠離固定台之方向移動,從而剝離薄板玻璃基板與支持體。將此處所獲得者、即將自附支持體之面板C剝離2個支持體後所獲得者作為「面板C」。
其次,於面板C所具有之2個薄板玻璃基板各自之第1主面貼附偏光膜(日東電工公司製,丙烯酸系黏著劑)。然後,測定該偏光膜之黏著強度。測定方法係與實施例1a相同。其結果為,90°剝離時之黏著強度為0.78 N/25 mm及0.59 N/25 mm。
其次,暫時剝離上述膜,切割面板C,獲得縱51 mm×橫38 mm之168個晶胞。並且,向各晶胞中注入液晶並密封注入孔,形成液晶晶胞。其後,使液晶晶胞於50℃下於已稀釋成20重量%之抗蝕劑剝離液(Parker Corporation公司製,含有作為主成分之氫氧化鉀20質量%)中浸漬10分鐘,進行水洗及送風。其後,將形成有液晶晶胞陣列之薄板玻璃基板之第1主面固定於固定台上,以吸附墊吸附形成有彩色濾光片之薄板玻璃基板之第1主面,向遠離固定台之方向以20 N/25 mm拉伸後,並無密封劑之剝離及晶胞之破壞。
其次,與浸漬於抗蝕劑剝離液之前相同,對浸漬於抗蝕劑剝離液之後的液晶晶胞中之薄板玻璃基板之第1主面貼附偏光膜,並以相同之方法測定偏光膜之黏著強度。其結果為,90°剝離時之黏著強度為4.4 N/25 mm。
然後,實施模組形成步驟,可獲得LCD。如此獲得之LCD不會產生特性上之問題,即不會產生陣列性能或彩色濾光片之色度之劣化等。其結果可獲得上述LCD之對向之2個薄板玻璃基板各自之外表面之間的總厚度約為0.2 mm之液晶顯示裝置。
(實施例3)
準備實施例2中已形成之薄板玻璃積層體B、及厚度為0.7 mm之無鹼玻璃基板(旭硝子股份有限公司製,AN100,無鹼玻璃)(將此處使用之薄板玻璃積層體B作為「薄板玻璃積層體B3」)。並且,以與實施例2相同之方法,於薄板玻璃積層體B3之薄板玻璃基板之第2主面形成彩色濾光片,於無鹼玻璃基板之一個主面形成陣列。
並且,與實施例2之情形相同,使無鹼玻璃基板之陣列形成面與薄板玻璃積層體B3之彩色濾光片形成面相對向,填充液晶,使用晶胞形成用紫外線硬化型密封劑進行黏合,從而獲得附支持體之顯示裝置用面板(以下,亦稱為「附支持體之面板D」)。此處,將液晶注入孔密封。
其次,以與實施例2相同之方法,可剝離薄板玻璃積層體B3之支持體。將此處所獲得者、即將自附支持體之面板D剝離支持體後所獲得者作為「面板D」。
然後,以與實施例2相同之方法切割面板D而獲得168個晶胞後,形成液晶晶胞。
並且,將所獲得之液晶晶胞浸漬於與實施例2相同之抗蝕劑剝離液中。此處,剝離液之溫度為50℃,並浸漬5分鐘。又,使用設置於液槽內之超音波振動板,對液晶晶胞施加超音波振動。
其次,對浸漬於抗蝕劑剝離液之後的液晶晶胞之薄板玻璃基板之第1主面貼附偏光膜,測定該偏光膜之黏著強度。所使用之偏光膜之種類及黏著強度之測定方法與實施例1同樣。其結果為,90°剝離時之黏著強度為4.3 N/25 mm。
然後,實施模組形成步驟而可獲得LCD。如此獲得之LCD不會產生特性上之問題,即不會產生陣列性能或彩色濾光片之色度之劣化等。其結果可獲得上述LCD之對向之2個薄板玻璃基板各自之外表面之間的總厚度約為0.8 mm之液晶顯示裝置。
(實施例4)
準備2個已於實施例2中形成之薄板玻璃積層體B。並且,以與實施例2相同之方法,於其中的一個薄板玻璃積層體B(稱為「薄板玻璃積層體B4」)之薄板玻璃基板之第2主面形成陣列。又,於另一個薄板玻璃積層體B(稱為「薄板玻璃積層體B5」)之薄板玻璃基板之第2主面形成有機EL結構體。具體而言,實施形成透明電極之步驟、形成輔助電極之步驟、蒸鍍電洞注入層‧電洞傳輸層‧發光層‧電子傳輸層等之步驟、及密封該等之步驟,於薄板玻璃積層體B5之薄板玻璃基板上形成有機EL結構體。
並且,將薄板玻璃積層體B4及薄板玻璃積層體B5組合而獲得附支持體之面板E。
其次,以與實施例2相同之方法,可剝離薄板玻璃積層體B4及薄板玻璃積層體B5之支持體。將此處所獲得者,即將自附支持體之面板E剝離支持體後所獲得者作為「面板E」。於面板E中之薄板玻璃基板之表面,並未發現會導致強度降低之傷痕。
其次,使用常壓遠距電漿裝置(積水化學公司製),對已形成有機EL結構體之薄板玻璃基板之第1主面照射電漿。此處,處理條件為:輸出為3 kw,氮氣與空氣流量之比=600 slm/750 sccm,搬送速度為1 m/min。電漿照射時之薄板玻璃基板之表面溫度為50℃以下。
其次,使用雷射刀或切割-斷裂法來切割面板E,分割為縱41 mm×橫30 mm之288個晶胞後,於晶胞表面貼附作為保護膜之PET(polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)膜(日東電工公司製,丙烯酸系黏著劑)。此時之黏著強度為3.9 N/25 mm。其後,實施模組形成步驟而製作OLED。
如此獲得之OLED不會產生特性上問題。
上述例中,於分割為顯示之面板單位之前剝離支持體,但亦可將複數個面板彼此連接而成之結構作為單位進行處理。
除上述例以外,亦可於分割為顯示之面板單位之後剝離支持體。
已參照特別指定之實施態樣詳細地說明了本發明,但本領域技術人員明白,在不脫離本發明之精神與範圍內,可進行各種變更或修正。
本申請案係基於2009年3月24日提出申請之日本專利申請2009-072282者,其內容以參照的形式併入於此。
產業上之可利用性
根據本發明,可提供一種電子裝置之製造方法,其係自積層有含有顯示裝置等電子裝置用構件之基板、樹脂層及支持基板的附支持體之電子裝置,剝離包含上述樹脂層及上述支持基板之支持體而獲得電子裝置後,不對基板及電子裝置用構件等(例如薄膜電晶體、有機EL元件、彩色濾光片)造成熱、電磁、機械及化學性損傷地去除附著於上述電子裝置用之基板主面的異物,其結果可將偏光膜或相位差膜等附黏著劑之膜牢固地貼附於剝離後之基板中之附樹脂層的面。
10、20、30...本發明之附支持體之面板
12、22、32...薄板玻璃基板
14、24、34...顯示裝置用構件
16、26...顯示裝置用面板
18、28、38...樹脂層
19、29、39...支持玻璃基板
25...間隙部
41...電源(高壓脈衝電源)
42...電壓施加電極
43...設置電極
44...放電空間
45...電漿噴出口
46...固體電介質
50...剝離步驟後之顯示裝置用面板
圖1係表示本發明之附支持體之面板之一態樣的概略剖面圖。
圖2係表示本發明之附支持體之面板之另一態樣的概略正視圖。
圖3係表示本發明之附支持體之面板之另一態樣的概略剖面圖。
圖4係表示本發明之附支持體之面板之另一態樣的概略正視圖。
圖5係表示本發明之附支持體之面板之另一態樣的概略正視圖。
圖6係表示本發明之附支持體之面板之另一態樣的概略剖面圖。
圖7係說明可用於本發明之面板製造方法之去除步驟中的常壓遠距電漿裝置之例的模式圖。
10...本發明之附支持體之面板
12...薄板玻璃基板
14...顯示裝置用構件
16...顯示裝置用面板
18...樹脂層
19...支持玻璃基板

Claims (8)

  1. 一種電子裝置之製造方法,其包括:剝離步驟,自附支持體之電子裝置剝離包含支持基板及樹脂層之支持體,獲得包含電子裝置用構件及基板之電子裝置,上述附支持體之電子裝置係:在含有第1主面及第2主面、且於第2主面上含有電子裝置用構件之基板之第1主面密著有樹脂層,該樹脂層含有剝離性表面,其固定於含有第1主面及第2主面之支持基板之第1主面;及去除步驟,去除附著於上述電子裝置中之上述基板第1主面的異物,其中上述樹脂層係聚矽氧樹脂層。
  2. 如請求項1之電子裝置之製造方法,其中令上述樹脂層之剝離性表面密著於上述基板第1主面之前的上述基板第1主面之黏著強度為f0 ,且令上述去除步驟之後獲得之電子裝置中的上述基板第1主面之黏著強度為f時,f≧f0
  3. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係對上述基板之第1主面照射電漿而去除上述異物者。
  4. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係使用含有酸或鹼之藥液而去除上述異物者。
  5. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係使用含有溶解度參數為7~15之溶劑之藥液而去除上 述異物者。
  6. 如請求項4之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係進而使用超音波振動而去除上述異物者。
  7. 如請求項5之電子裝置之製造方法,其中上述去除步驟係進而使用超音波振動而去除上述異物者。
  8. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法,其中包括2個以上的上述去除步驟。
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