TWI473297B - 輻射發射組件 - Google Patents

Description

輻射發射組件

本發明係關於一種包含一實現電磁輻射發射之作用區的輻射發射組件。

本專利申請案主張德國專利申請案DE 10 2007 045 087.9及DE 10 2008 005 344.9之優先權，其所揭示之內容於本文併為參考。

本發明之目的在提供一種輻射發射組件，其能以簡單方法使輻射發射組件為高輻射發射效率。此外，該目的係以簡單方法實現一種具有高準確性之所欲輻射光譜。

該目的經由申請專利範圍獨立項之特徵而達成，本發明有利之結構如申請專利範圍附屬項所載之特徵。

第一態樣在具體說明一種輻射發射組件，其包含具有一實現電磁輻射發射之作用區的半導體層堆疊，及至少一實現電磁輻射傳導之半導體層堆疊表面或光學元件表面，該表面具有一法向量，其中在電磁輻射通過的至少一個半導體層堆疊表面或光學元件表面上，配置一抗反射層並以下列方式設置，對於預定波長，相對於表面之法向量的視角具有最小反射，而在該表面，電磁輻射之帶狀光通量(zonal luminous flux)增加趨近最大量。此帶狀光通量係在實現電磁輻射傳導之半導體層堆 疊表面上或光學元件之表面上的立體角(solid angle)範圍中的光通量，自個別表面之法向量前進。

實現電磁輻射傳導之半導體層堆疊表面上或光學元件表面上的立體角範圍之帶狀光通量容許一種關於輻射發射組件之角度依賴性總放射量的表達方式。抗反射層之一具體例的優點為下列方式，對於預定波長，相對於表面之法向量的視角具最小反射，而在該表面，電磁輻射之帶狀光通量增加約為最大量。從而，根據視角，考慮到電磁輻射之帶狀光通量的輪廓，可最大化輻射發射組件之總放射量。

在一具體實施例中，抗反射層依以下方式實現，對於預定波長而言，在相對法向量之30°至60°間的視角，其具有最小反射。因此，可最大化輻射發射組件之總放射量，其中電磁輻射帶狀光通量中增加之最大量係位於30°至60°間之視角。

在另一較佳具體實施例中，抗反射層依以下方式實現，對於預定波長而言，在相對於法向量之40°至50°間的視角，其具有最小反射。此可最大化輻射發射組件之總放射量，其中電磁輻射帶狀光通量中增加之最大量係位於約45°之視角。

在另一具體實施例中，該輻射發射組件具有一設置半導體層於其上之基板，該基板具有一對側於半導體層堆疊之表面，在表面上設置抗反射層。此所具備之優點為，可簡易地應用抗反射層於現行的輻射發射組件之基 板。

在另一具體實施例中，輻射發射組件具有一與半導體層堆疊隔開之蓋板，其中該蓋板具有一面向於該半導體層堆疊之表面及一對側於半導體層堆疊之表面，且該抗反射層被設置於蓋板之至少一表面上。此表示可藉由不取決於製造半導體層堆疊的有利方式應用該反射層，亦可最後應用反射層於已完成之輻射發射組件。

在另一具體實施例中，抗反射層包含金屬氟化物或金屬氧化物，且該金屬選自鉿、鋯、鋁、鈦及鎂所組成之群組。此所具備之優點為，包含此形式之金屬的金屬氟化物或金屬氧化物非常適合於抗反射層。

在另一具體實施例中，該基板包含選自玻璃、石英及塑膠所組成之群組的物質，對於基板而言，其能穩定、易於製造及有成本效益的處理。

第二態樣在具體說明一種輻射發射組件，其包含一具有一實現電磁初級輻射(primary radiation)發射的作用區之半導體層堆疊，與一轉換層，其機械性耦合至半導體層堆疊並包含一實現轉換部分電磁初級輻射成為電磁次級輻射(secondary radiation)的磷光體，其中部分電磁初級輻射與電磁次級輻射重疊，而在色空間(color space)中形成具有合成點(resultant point)(彩度座標；chromaticity coordinate)之混合輻射，且具有至少二層鄰接設置的色彩校正層被配置於電磁混合輻射所通過之至少一表面上，其中第一層由具有一第一折射率之物質 所組成，第二層由具有一第二折射率之物質所組成，第一折射率不同於第二折射率，且這些層依據視角在色空間設定合成點具體化。

此所具備之優點為，考量電磁混合輻射之組成，依據視角，對於輻射發射組件，其可能產生初級與次級輻射之混合比例的高度差異影響。此外，此所具備之優點為，具有非欲發射之波長的電磁輻射可被反射回轉換層，可被轉換成電磁第二輻射以進一步使用。

在第二態樣之一具體實施例中，色彩校正層以一具有多重層體之層堆疊實現，且這些層以下述方式配置，一層所分別鄰接的兩層，其之折射率具有皆小於或大於該一層之折射率。此相當於以具有交替高低折射率之層配置一層堆疊，此層體之配置可賦予寬頻及高效色彩校正。

在第二態樣之另一具體實施例中，色彩校正層被配置於轉換層上，因此該色彩校正層可以特別優異之機械性保護的方式配置。

在第二態樣之另一具體實施例中，輻射發射組件具有一蓋板，其可配置於轉換層上，且其具有一對側於轉換層之表面，且在該表面上設置有色彩校正層。此意指色彩校正層可單獨應用於層堆疊及轉換層之製造。反射層最後亦可應用於已完成之輻射發射組件的蓋板。

在第二態樣之另一具體實施例中，輻射發射組件具有一與轉換層隔開之蓋板，其中該蓋板具有一面向於該 半導體層堆疊之表面及一對側於半導體層堆疊之表面，且該色彩校正層被設置於蓋板之至少一表面上。此具備之優點為，色彩校正層可單獨應用於層堆疊與轉換層之製造，亦可最後應用反射層於已完成之輻射發射組件以外的個別蓋板。

在第二態樣之另一具體實施例中，色彩校正層包含金屬氟化物或金屬氧化物，且該金屬選自鎂、鉿、鋯、鋁及鈦所組成之群組。色彩校正層之層體可由不同之金屬氟化物及金屬氧化物所形成，包含此形式之金屬的金屬氟化物或金屬氧化物非常適合於色彩校正用之層體。

第三態樣在具體說明一種輻射發射組件，其包含具有一實現電磁輻射發射的作用區之半導體層堆疊，與具有一表面之覆蓋元件，其中吸收及/或反射層配置於該覆蓋元件之第一區域的表面上，而覆蓋元件之第二區域中，該表面並不具有吸收及/或反射層。此所具備之優點為，該含有半導體層堆疊之輻射發射組件可發射具有代表性型式之光束，該型式可被覆蓋元件之第二區域的型式所限定，該第二區域體現為一窗口區(window region)。

在第三態樣之一具體實施例中，於覆蓋元件第二區域之一表面上配置一抗反射層，並以下述方式實現，對於預定波長而言，在相對於表面法向量的視角，其具有最小反射，在該表面上，電磁輻射之帶狀光通量的增加約具有最大值。從而，根據視角，考量電磁輻射之帶狀光通量的輪廓，可將覆蓋元件之第二區域的輻射發射組 件之總放射量假定為最大值，而該第二區域具體化為一窗口區。

在第三態樣之另一具體實施例中，抗反射層依以下方式實現，對於預定波長而言，在40°至50°間之視角具有最小反射。此所具備之優點為，在輻射發射組件之總放射量上，電磁輻射帶狀光通量中增加之最大量係位於約45°之視角。

在第三態樣之另一具體實施例中，抗反射層包含金屬氟化物或金屬氧化物，且該金屬選自鉿、鋯、鋁、鈦及鎂所組成之群組。其特別優異係因為包含此形式之金屬的金屬氟化物或金屬氧化物非常適合於抗反射層。

在第三態樣之另一具體實施例中，該電磁輻射為一電磁初級輻射，且包含一轉換層，其機械性耦合至層堆疊且具有一實現轉換部分電磁初級輻射成為電磁次級輻射的磷光體，其中部分電磁初級輻射與電磁次級輻射重疊，而在色空間中形成具有合成點之混合輻射，且其中具有至少二層鄰接設置的色彩校正層被配置於覆蓋元件之第二區域上，其中第一層由具有一第一折射率之物質所組成，而第二層由具有一第二折射率之物質所組成，第一折射率不同於第二折射率，且這些層依據視角在色空間設定合成點實現。此所具備之優點為，考量電磁混合輻射之組成，依據視角，對於輻射發射組件可能產生初級與次級輻射之混合比例的高度差異影響。

在第三態樣之另一具體實施例中，該色彩校正層包 含金屬氟化物或金屬氧化物，且該金屬選自鎂、鉿、鋯、鋁及鈦所組成之群組。此所具備之優點為，包含此形式之金屬的金屬氟化物或金屬氧化物非常適合於色彩校正之層體。

在第三態樣之另一具體實施例中，該色彩校正層具體化為一具有多重層體之層堆疊，且這些層以下述方式配置，一層所分別鄰接的兩層之折射率具有皆小於或大於各層之折射率。此之優點係因為具有交替高低折射率之層堆疊可賦予寬頻及高效色彩校正。

在第三態樣之另一具體實施例中，抗反射層及色彩校正層被配置在覆蓋元件第二區域之比此相對配置的二表面上。此所具備之優點為，覆蓋元件可作為抗反射層及色彩校正層之載體。此外，其所具備之優點為，抗反射層可被單獨應用於色彩校正層之覆蓋元件。

在另一具體實施例中，輻射發射組件為一發光二極體。因此可使用該反射層及/或色彩校正層於發光二極體。

在另一具體實施例中，該輻射發射組件以面之方式實現，在此情況中，以面之方式實現可表示該輻射發射組件連續延展於面積區域上，其包含至少一數平方毫米之面積，較佳為數平方釐米，且特佳為至少一或數平方公寸以上。此所具備之優點為，該反射層及/或色彩校正層可經由以面之方式展現的輻射發射組件具體化，因此亦為非常平坦之輻射發射組件。

以下參照圖式更詳細說明本發明優異之結構。

於圖中，同一構造或功能之元件以相同參考符號表示。

原則上，所說明之元件及其相互間大小關係應不被視為按照比例；更確切地，為了較佳描述之目的及/或較佳理解之目的，例如層體、結構部件、組件及區域之個別元件可以一逾常的厚度或尺寸說明。

第1圖顯示一輻射發射組件8之第一示範具體例。

該輻射發射組件8具有一半導體層堆疊10。該半導體層堆疊10具有實現電磁輻射R發射之一作用區12。

此型式之輻射發射組件8較佳地實現方式為，輻射發射組件8為一發光二極體或發光二極體陣列。

較佳地，該輻射發射組件8為一半導體發光二極體，例如基於AlInGaN。

連接區域13鄰接配置於作用區12，並耦合於連接線，可供應電流至輻射發射組件8。

半導體層堆疊10配置於一基板18上，基板18較佳包括玻璃。此外，基板18亦可包括石英、塑膠膜、金屬、金屬膜、矽晶圓或任何其他適當的基板材料。此外，基板18亦可包括一層板或以多層所組成之層序列(layer sequence)。因此，至少一層可包含玻璃或由玻璃組成。特別是，在由一層序列形成之基板18的情況，其至少一層(半導體層堆疊10配置於其上)可包含玻 璃。再者，基板18亦可包括塑膠。

若輻射發射組件8以作用區12發射之電磁輻射R通過基板18發射(第2圖)之方式實現，則基板18至少在作用區12中產生電磁輻射的部分可有利地具有一透明度。在此結構中，作用區12與基板18之間所形成的連接區域13至少在作用區12中產生電磁輻射的部分亦可有利地具有一透明度。

半導體層堆疊10擁有一具法向量N之表面14，與設置於該表面之抗反射層30(第1圖)。該抗反射層30實現之方式為，對於一預定波長，相對於半導體層堆疊10之表面14的法向量N，其在視角ALPHA具有一最小反射，其中電磁輻射R之帶狀光通量的增加約具有一最大值。

帶狀光通量之輪廓以第12圖之發光二極體為實例之正常化型式說明。

輪廓以0°至視角ALPHA間之立體角範圍的函數加以說明，該立體角範圍係基於法向量N上的每一情況，且視角ALPHA可位於0°至90°之間。因此，帶狀光通量被標準化成在0°至90°間的立體角範圍之帶狀光通量。在本文中輻射發射組件8以發光二極體具體說明，視角ALPHA等於45°之值，帶狀光通量達到最大上升。以另外方式，此意指對發光二極體總發射之最高差異作用係於視角ALPHA等於45°之立體角時。

抗反射層30並不必然以以下方式實現，對於一預 定波長，精確地在相對於表面14法向量N之視角ALPHA上反射為最小，因為在電磁輻射R之帶狀光通量的最大增加處的寬廣範圍，電磁輻射R之帶狀光通量的增加一般約固定不變。因此，如果抗反射層30實現之方式為，對於一預定波長，在電磁輻射R之帶狀光通量所增加之最大值附近，最小反射係在相對於表面14之法向量N的視角ALPHA，則是滿足需求的。

特佳為，對於一預定波長，若抗反射層30之最小反射位於相對於法向量N之30°至60°間之視角ALPHA，則對於輻射發射組件8可能達到總發射之最大化，其中電磁輻射R之帶狀光通量最大值位於30°至60°間之視角ALPHA。

尤其是特佳為，對於一預定波長，若抗反射層30之最小反射位於40°至50°範圍之視角ALPHA。

在另一具體實施例中，基板18具有一對側於半導體層堆疊10之表面15(第2圖)。抗反射層30被配置於基板18之表面15上，該表面15對側於半導體層堆疊10。第2圖具中體實施例之抗反射層30之功能相當於第1圖中具體實施例之抗反射層30之功能。

第3圖顯示，輻射發射組件包含半導體層堆疊10及一相隔於半導體層堆疊10之蓋板20，該蓋板具有一面向於半導體層堆疊10之表面16及一對側於半導體層堆疊10之表面17。為了以蓋板20實現作為一適於傳導電磁輻射R之光學元件而達到降低反射，抗反射層30 被配置於蓋板20上面對於半導體層堆疊10之表面16及對側於半導體層堆疊10之表面17上，因此可被達成的是，對於一預定波長，可達成在相對於表面16、17法向量N之視角ALPHA的最小反射，其中電磁輻射R之帶狀光通量的增加具有一最大值。此特別之優點是因為在蓋板表面16、17上可達到反射最小化。

在一或多個表面14、15、16、17上之抗反射層30經由以一或多層薄層材料氣相沉積實施，尤其是金屬氟化物或金屬氧化物。金屬氟化物及/或金屬氧化物之金屬較佳選自鉿、鋯、鋁、鈦及鎂所組成之群組。特別適當之材料為氯化鎂、二氧化矽、二氧化鈦或二氧化鋯。

特佳為，若抗反射層30具有一多層層體，此具有之優點為，反射因此可大大減少。此外，由於抗反射層30以多層層體實現，對於多重波長可達到減低反射。

在另一具體實施例中，輻射發射組件8較佳以一發射混合光之發光二極體實現，亦即電磁輻射來自至少二個波長範圍(第4至6圖)。此輻射發射組件8特佳地以白光發光二極體實現。

第4至6圖顯示，輻射發射組件8包含半導體層堆疊10及實現發射電磁初級輻射P之作用區12。該輻射發射組件8具有一轉換層40，其機械耦合於半導體層堆疊10。

在輻射發射組件8之作用區12前方運用電流所產生之電磁初級輻射P可特別地具有一光譜，其具有紫外 線至紅外線之光譜範圍。尤其是，該光譜之優點為包含至少一種觀察者可見之波長。電磁輻射之光譜亦可有利地包含一多重波長，如此對於觀看者可產生一混色發光的感覺。為此目的，輻射發射組件8本身可產生具有多重波長之電磁初級輻射P，或經由輻射發射組件8產生部份電磁初級輻射P，或經由輻射發射組件8產生全部電磁初級輻射P，且例如具有在藍光及/或綠光光譜範圍之第一波長，經由一波長轉換物質轉換成一具有第二波長之電磁次級輻射S，例如在黃光及/或紅光光譜範圍。為此目的，含有波長轉換物質之轉換層40被設置於作用區12之下游處，適當的波長轉換物質及包含波長轉換物質之層體為熟悉其構造與功能之技術者所熟知，而對於此點並不再詳細解釋。部份電磁初級輻射P與部分電磁次級輻射S重疊，以形成在色空間具有一合成點之電磁混合輻射M。關於白光發光二極體，電磁混合輻射M實質上為白光，對於此型式之白光發光二極體傳遞一色彩感是所欲的，其分佈愈均勻愈好。

如第10圖之說明，電磁混合輻射M之彩度座標C_x 及C_y 隨著視角ALPHA增加而增加，其意指，電磁混合輻射M中，具有第二波長之電磁次級輻射S在黃光及/或紅光光譜範圍的比例隨著視角ALPHA增加而增加。

第11圖中顯示一在色空間具有點或電磁混合輻射M之彩度座標C_x 及C_y 之CIE色度圖。對於90°之視角ALPHA，開始進入在電磁混合輻射M之色空間G之點， 視角ALPHA等於0°為色空間O之點。此外，第11圖之CIE色度圖中指出相當於純白光之白點E。

在第4至6圖中所示之具體實施例中，蓋板20配置於轉換層40上，該蓋板20具有一對側於轉換層40之表面17，色彩校正層48設置於該表面。

色彩校正層48具有至少二層毗鄰設置之層50、51，第一層50由具有第一折射率N_1之物質組成，而第二層51由具有第二折射率N_2之物質組成。第一折射率N_1相異於第二折射率N_2，層50、51實現關於其折射率N_1、N_2及其厚度之方式為，色空間中之合成點可根據視角ALPHA設定，其經由適當的選擇層50、51之折射率N_1、N_2及厚度而達成。特別是，在色空間G對於90°之視角ALPHA中之點及在色空間O對於視角ALPHA為0°之點移近色空間E中之點，如第11圖之CIE色度圖中箭頭所指。

若色彩校正層48被實現為具有重複之層50、51、52、53、54、55、56之層堆疊，如第9圖之概略說明，且若層50、51、52、53、54、55、56之配置方式為，分別與一層相毗鄰之二層具有之折射率都同時小於或大於個別一層之折射率；換言之此意指，色彩校正層48之一層各置於相鄰而同時具有較大折射率或較小折射率之層體之間；由此可達到特別優異色彩校正，且因此在色空間G、O之點特別大幅地移至色空間E之點。

第5圖說明輻射發射組件8之一具體實施例，其中 色彩校正層48直接應用於轉換層40之表面42上。

第6圖顯示輻射發射組件8之一具體實施例，其中蓋板20與轉換層40隔開，色彩校正層48被配置於對側於半導體層堆疊10之表面17上，此具有之優點為，色彩校正層48亦可隨後應用於蓋板20。然而，色彩校正層48亦可同時或單獨配置於蓋板20面向於半導體層堆疊10之表面16上。

第7a及7b圖顯示輻射發射組件8之具體實施例，其包含具有作用區12之半導體層堆疊10，半導體層堆疊10實現發射電磁初級輻射P。輻射發射組件8具有機械耦合至半導體層堆疊10之轉換層40。包含磷光質之轉換層40實現轉換部份電磁初級輻射P成為電磁次級輻射S。部份電磁初級輻射P及電磁次級輻射S重疊形成在色空間具有合成點之混合輻射M。

輻射發射組件8具有覆蓋元件62，其具有第一區域64及一第二區域66。覆蓋元件62具有一外表面68及一內表面70，一吸收及/或反射層72被配置於覆蓋元件62第一區域64之外表面68上。覆蓋元件62第二區域66之表面68、70並無吸收及/或反射層72。

反射及/或吸收層72亦可特別地配置於覆蓋元件62之側邊區域74上。因此能避免光之傳遞，特別是在覆蓋元件62之側邊區域74，以及接近覆蓋元件62之第二區域66的覆蓋元件62之第一區域64之部分正面區(詳見第8圖)。

不具吸收及/或反射層72的覆蓋元件62之第二區域66可具有適當型式，如第8圖之說明。例如若欲使用輻射發射組件8做為汽車之前照燈，則光錐在由第一區域64至第二區域66轉變時具有較多或較少急暗/亮轉變。特別是，覆蓋元件62之第二區域66可具有二個局部區域66a、66b，其之主要延伸方向相互傾斜，在此方法中，其相互形成約150°至170°之角度。此之優點特別在於，若欲使用覆蓋元件62之第二區域66作為汽車之前照燈之一遮蔽元件，該遮蔽元件較佳地欲使用作為非對稱近光燈。

第7b圖顯示輻射發射組件8，其中抗反射層58被配置於覆蓋元件62之第二區域66之表面68上。抗反射層58實現之方式為，對於一預定波長，輻射發射組件8在相對於表面68、70法向量N的視角ALPHA具有一最小反射，該表面上，電磁混合輻射M之帶狀光通量的增加約具有最大值。抗反射層58較佳實現方式為，對於一預定波長，其在40至50°之間之視角ALPHA具有最小反射。特佳的為，若抗反射層58由金屬氟化物或金屬氧化物形成，該金屬較佳選自鉿、鋯、鋁、鈦及鎂所組成之群組。

色彩校正層48被配置於覆蓋元件62之第二區域66之表面70上，該色彩校正層48具有至少二層毗鄰設置之層50、51。第一層50由具有第一折射率N_1之物質組成，而第二層51由具有第二折射率N_2之物質組成。 第一折射率N_1相異於第二折射率N_2，因此可根據視角ALPHA在色空間設定合成點而實現層體。特別是，色彩校正層48可實現為一具有多層50、51、52、53、54、55、56之層堆疊(第9圖)。

抗反射層58及色彩校正層48被配置於覆蓋元件62第二區域66之彼此相對配置之二表面68、70上。因此，覆蓋元件62第二區域66可供容納抗反射層58及色彩校正層48。

基於該示範性具體實施例，本發明並不受限於示範性具體實施例之描述。當然，本發明包含任何新的特徵及任何特徵之組合，其中特別包含任何申請專利範圍中之特徵組合，即便此特徵或其之組合在申請專利範圍或示範性具體實施例中並無明確說明。

8‧‧‧輻射發射組件

10‧‧‧半導體層堆疊

12‧‧‧作用區

13‧‧‧連接區域

14‧‧‧半導體層堆疊之表面

15‧‧‧基板之表面

16、17‧‧‧蓋板之表面

18‧‧‧基板

20‧‧‧蓋板

30‧‧‧抗反射層

40‧‧‧轉換層

42‧‧‧轉換層之表面

48‧‧‧色彩校正層

50、51、52、53、54、55、56‧‧‧色彩校正層之層

58‧‧‧抗反射層

62‧‧‧覆蓋元件

64‧‧‧覆蓋元件之第一區域

66‧‧‧覆蓋元件之第二區域

66a、66b‧‧‧覆蓋元件第二區域之局部區域

68‧‧‧第二區域之外表面

70‧‧‧第二區域之內表面

72‧‧‧吸收及/或反射層

74‧‧‧覆蓋元件之側邊區域

N_1‧‧‧第一折射率

N_2‧‧‧第二折射率

ALPHA‧‧‧視角

N‧‧‧法向量

R‧‧‧電磁輻射

P‧‧‧電磁初級輻射

S‧‧‧電磁次級輻射

M‧‧‧電磁混合輻射

第1圖顯示包含一抗反射層之輻射發射裝置之第一具體實施例的斷面圖；第2圖顯示包含一抗反射層之輻射發射裝置之另一具體實施例的斷面圖；第3圖顯示包含一抗反射層之輻射發射裝置之另一具體實施例的斷面圖；第4圖顯示包含一色彩校正層之輻射發射裝置之第一具體實施例的斷面圖；第5圖顯示包含一色彩校正層之輻射發射裝置之另一具體實施例的斷面圖； 第6圖顯示包含一色彩校正層之輻射發射裝置之另一具體實施例的斷面圖；第7圖顯示一輻射發射裝置之一具體實施例的斷面圖；第8圖顯示輻射發射裝置另一具體實施例沿第7圖中線VIII-VIII'的平面圖；第9圖顯示輻射發射裝置之色彩校正層的斷面圖；第10圖顯示根據CIE色度圖作為勢角之函數的輻射發射裝置之彩度座標；第11圖顯示以色空間所選擇之點的CIE色度圖；及第12圖顯示在正常化表現中發光二極體帶狀光通量之輪廓。

8‧‧‧輻射發射組件

10‧‧‧半導體層堆疊

12‧‧‧作用區

13‧‧‧連接區域

14‧‧‧半導體層堆疊之表面

30‧‧‧抗反射層

ALPHA‧‧‧視角

N‧‧‧法向量

R‧‧‧電磁輻射

Claims (12)

1. 一種輻射發射組件，其包含：一具有實現電磁輻射發射之作用區的半導體層堆疊，及一具有表面之覆蓋元件，其中一吸收及/或反射層配置於該覆蓋元件之第一區域的表面上，而且該覆蓋元件之第二區域的表面並不具有該吸收及/或反射層，該電磁輻射為一電磁初級輻射，且包含一轉換層，其機械性耦合至該半導體層堆疊且具有一實現轉換部分電磁初級輻射成為電磁次級輻射的磷光體，部分的電磁初級輻射與部分的電磁次級輻射重疊，以形成在色空間中具有合成點之混合輻射，且其中一具有至少二層鄰接設置的色彩校正層被配置於該覆蓋元件之該第二區域上，其中，第一層由具有一第一折射率之物質所組成，而第二層由具有一第二折射率之物質所組成，第一折射率不同於第二折射率，且這些層是依據相對於該表面法向量之視角，在色空間設定該合成點。
2. 如申請專利範圍第1項之輻射發射組件，其中於該覆蓋元件之該第二區域之表面上配置一抗反射層，對於一預定波長而言，在相對於該表面之法向量的視角介於40°至50°之間，該抗反射層具有最小反射，在該表面上電磁輻射之帶狀光通量的增加約具有最大值。
3. 如申請專利範圍第2項之輻射發射組件，其中該最小 反射的角度為45°。
4. 如申請專利範圍第1項之輻射發射組件，其中該色彩校正層實現為一具有多重層體之層堆疊，且這些層以一層所分別鄰接的兩層之折射率具有皆小於或大於該一層之折射率的方式配置。
5. 如申請專利範圍第2項之輻射發射組件，其中該抗反射層及該色彩校正層被配置在該覆蓋元件之第二區域之彼此相對配置的二表面上。
6. 如申請專利範圍第1至3其中一項之輻射發射組件，其中該吸收及/或反射層設置於該覆蓋元件之該第一區域之外表面。
7. 如申請專利範圍第1至3其中一項之輻射發射組件，其中該吸收及/或反射層設置於該覆蓋元件之側邊區域。
8. 如申請專利範圍第1項之輻射發射組件，其中該覆蓋元件之該第二區域具有兩個局部區域，且該些局部區域的主要延伸方向相互傾斜。
9. 如申請專利範圍第8項之輻射發射組件，其中該些局部區域的該些主要延伸方向相互形成約150°至170°之角度。
10. 如申請專利範圍第8或9項之輻射發射組件，其中該覆蓋元件之該第二區域為汽車之前照燈之一遮蔽元件，該遮蔽元件為非對稱近光燈。
11. 如申請專利範圍第2、3或5項之輻射發射組件，其 中該轉換層是相對於該抗反射層、該色彩校正層及該覆蓋元件相間隔設置。
12. 如申請專利範圍第2或3項之輻射發射組件，其中該抗反射層設置於該覆蓋元件的該第一區域的一外表面。