TWI466728B

TWI466728B - 成膜裝置

Info

Publication number: TWI466728B
Application number: TW102104527A
Authority: TW
Inventors: Takahiro Shirahata; Hiroyuki Orita; Takahiro Hiramatsu
Original assignee: Toshiba Mitsubishi Elec Inc
Priority date: 2012-11-05
Filing date: 2013-02-06
Publication date: 2015-01-01
Also published as: CN104755174A; WO2014068778A1; JP5914690B2; EP2915588A1; US20150299854A1; US10458017B2; EP2915588A4; EP2915588B1; KR20150055067A; KR101764987B1; CN104755174B; TW201418894A; JPWO2014068778A1; HK1206676A1

Description

成膜裝置

本發明係關於一種用以將膜成膜於基板的成膜裝置。

作為將膜成膜在基板的方法，以往有「噴沫(spray)法」與「霧態(mist)法」。在此，於「噴沫法」中，係將10μm至100μm左右的液滴噴射至基板。相對於此，在「霧態法」中，係將數μm左右的霧態物對基板進行噴霧。

此外，在「噴沫法」中，一般係使用二流體噴沫噴嘴，該二流體噴沫噴嘴係藉由使氣體撞擊溶液，而將該溶液轉化為數十μm左右大小的液滴。另一方面，在「霧態法」中，係藉由超音波振動器等，將溶液微細地霧化至數μm左右，並透過長的配管將經由該霧化過的溶液，搬運至載置有基板的反應室(或噴霧口)。

另外，關於「噴沫法」的先前文獻，已有例如專利文獻1。此外，關於「霧態法」的先前文獻，已有例如專利文獻2。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2007-144297號公報

專利文獻2：日本特開2005-307238號公報

然而，在「噴沫法」中，與溶液撞擊的氣體，通常需有較大的壓力及流量。因此，液滴的初速度會變大，而在該液滴狀態下直接與加熱中的基板撞擊。該液滴的直徑係大到100μm至數十μm左右，因此無法接收化學反應所需的熱能。因此，在「噴沫法」中，會有成膜於基板之膜的膜質劣化的問題。

另一方面，在「霧態法」中，由於經霧化為數μm左右的溶液被噴霧至基板，因此不會發生「噴沫法」所具有的上述問題。換言之，在「霧態法」中，以載氣(carrier gas)搬運之經霧化的溶液被供給至經加熱的基板。因此，霧態物的初速度較小，溶劑在基板表面附近蒸發，故在「霧態法」中，成膜在基板之膜的膜質會提高。

然而，在「霧態法」中，需要設置用以使溶液霧化的大型機構。因此，應用了「霧態法」的成膜裝置，會有裝置整體大型化的問題。

此外，在應用了「霧態法」的成膜裝置中，必須經由長的配管，將經過霧化的溶液搬運至載置有基板的反應室(或噴霧口)。因此，在該配管內，經霧化過的溶液會易於凝聚。因此，在「霧態法」中，會有難以將材料(溶液)有效率地利用在成膜處理的問題。

再者，由於溶液在上述配管內的凝聚，濃度不均勻的霧態物會被搬運至基板。因此，必須將用以整流霧態物的機構設置在基板附近的霧態物供給部。因此，在應用了「霧態法」的成膜裝置中，也會有霧態物供給部大型化、重量化，且難以維修的各種問題。

因此，本發明之目的在提供一種可在基板上形成膜質良好的膜，且可將溶液有效地利用在成膜處理，而可謀求裝置整體之小型化的成膜裝置。

為了達成上述目的，本發明之成膜裝置係一種用以將膜成膜在基板者，其係具備：噴沫噴嘴，用以噴射經液滴化的溶液；第1室，可收容自前述噴沫噴嘴噴射之經液滴化的前述溶液；、第1氣體供給口，噴射出對存在於前述第1室內之前述溶液進行撞擊的氣體；第2室，鄰接於前述第1室；貫通孔，穿設於存在於前述第1室與前述第2室之間的壁面，將因為承受自前述第1氣體供給口噴射之前述氣體的撞擊而霧化的前述溶液，自前述第1室引導至前述第2室；及噴霧口，以面向配置在前述第2室之外側之前述基板之方式，配設在前述第2室，且對前述基板進行經霧化的前述溶液之噴霧。

本發明之成膜裝置係具備：噴沫噴嘴，用以噴射經液滴化的溶液；第1室，可收容自前述噴沫噴嘴噴射之經液滴化的前述溶液；第1氣體供給口，噴射出對存在於前述第1室內之前述溶液進行撞擊的氣體；第2室，鄰接於前述第1室；貫通孔，穿設於存在於前述第1室與前述第2室之間的壁面，將因為承接自前述第1氣體供給口噴射之前述氣體的撞擊而霧化的前述溶液，自前述第1室引導至前述第2室；及噴霧口，以面向配置在前述第2室之外側之前述基板之方式，配設在前述第2室，且對前述基板進行經霧化之前述溶液的噴霧。

如此，在本發明的成膜裝置中，係可藉由與自第1氣體供給口噴出之氣體的撞擊，將藉由噴沫噴嘴所噴射之經液滴化的溶液，在第1室內予以霧化。因此，噴沫(spray)狀的溶液不會直接接觸基板，而可達成溶液的霧化，且該霧態狀的溶液會噴霧至基板，因此在大氣中，可達成類似CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)的成膜。因此，在該成膜裝置中，可在基板上形成膜質良好的膜。

再者，在本發明的成膜裝置中，係在屬於溶液對基板的噴霧口附近的第1室中，將噴沫狀的溶液予以霧化。因此，可使霧態狀溶液的搬運距離比採用習知之「霧態法」技術的成膜裝置更極度地縮短。因此，可抑制霧態狀溶液在移動途中凝聚。藉此，本發明之成膜裝置可將溶液有效地利用在成膜處理，且可對基板噴霧濃度穩定的溶液。

再者，在本發明的成膜裝置中，係在噴出噴沫狀溶液之後，藉由使之撞擊氣體，而施行溶液的霧化。換言之，在本發明的成膜裝置中，供溶液霧化用的構成極為簡易，也不需要超音波振動器等。因此，在本發明的成膜裝置中，可謀求裝置整體的小型化。此外，由於該簡易的構成，在本發明的成膜裝置中，維修性亦獲得提昇。

本發明之目的、特徵、形態及優點，藉由以下詳細的說明與附圖應可更為明瞭。

1‧‧‧噴沫噴嘴

1a‧‧‧噴射口

2‧‧‧第1室

3‧‧‧第1氣體供給噴嘴

3a‧‧‧第1氣體供給口

4‧‧‧第2室

5‧‧‧貫通孔

6‧‧‧第2氣體供給噴嘴

6a‧‧‧第2氣體供給口

7‧‧‧第3氣體供給噴嘴

7a‧‧‧噴出口

8‧‧‧第4室

9‧‧‧第3氣體供給口

10‧‧‧噴霧口

11‧‧‧排氣口

12‧‧‧第3室

13‧‧‧區隔板

14‧‧‧排氣噴嘴

14a‧‧‧排氣孔

15‧‧‧溫度調整部

16‧‧‧切換閥

17‧‧‧洗淨液供給噴嘴

30‧‧‧容器

50‧‧‧基板

60‧‧‧基板載置部

第1圖係為顯示本實施形態之成膜裝置之主要部分之構成的剖面圖。

第2圖係為從上方向觀看本實施形態之成膜裝置之主要部分之構成之情形的俯視圖。

第3圖係為顯示第1室2及連接於該第1室2之構成構件之構成的放大剖面圖。

第4圖係為顯示第2室4及連接於該第2室4之構成構件之構成的放大剖面圖。

第5圖係為顯示第3室12及連接於該第3室12之構成構件之構成的放大剖面圖。

第6圖係為顯示第4室8及連接於該第4室8之構成構件之構成的放大剖面圖。

第7圖係為用以說明利用洗淨液之噴沫噴嘴1之洗淨處理的放大剖面圖。

本發明係關於一種在大氣中將膜成膜於基板的成膜裝置。在大氣中開放的空間配置基板，且使第1圖所示之溶液噴霧構成體位於該基板之上方的開放空間。以下根據顯示該實施形態的圖式來具體說明本發明。

<實施形態>

第1圖係為顯示本實施形態之成膜裝置之主要部分 (更具體而言係將溶液噴霧至基板的溶液噴霧部分附近)之構成的剖面圖。在此，於第1圖中係顯示X-Y-Z方向。此外，第2圖係為顯示從第1圖之上方向觀看第1圖所示之構成之構成的俯視圖。在此，第2圖中係顯示X-Y方向。此外，在第2圖中，為了簡化圖式，係省略了各構成構件16、17、60的圖示。

此外，第3圖係為顯示第1圖所示之第1室2及連接於該第1室2之構成構件1、3等之構成的放大剖面圖。此外，第4圖係為顯示第1圖所示之第2室4及連接於該第2室4之構成構件6等之構成的放大剖面圖。此外，第5圖係為顯示第1圖所示之第3室12及連接於該第3室12之構成構件14之構成的放大剖面圖。再者，第6圖係為顯示第1圖所示之第4室8及連接於該第4室8之構成構件7之構成的放大剖面圖。

以下使用第1至6圖詳細說明本實施形態之成膜裝置的構成。

如第1圖所示，上述溶液噴霧部係由4個室2、4、8、12所構成，各室2、4、8、12係藉由壁面所區隔。換言之，如第1圖之構成例所示，各室2、4、8、12藉由壁面圍繞周圍以形成收容空間。

在第1圖的構成例中，第1室2係在X方向(第1圖的右方向)與第2室4鄰接。此外，第2室4係在X方向(第1圖的右方向)與第3室12鄰接。換言之，在X方向中，第1室2、第2室4及第3室12係依序鄰接。另一方面，第1室2係在-Z方向(第1圖的下方向)與第4室8鄰接。

首先，參照第1、2、3圖來說明包含第1室2的構成。

如第2圖所示，第1室2係具有朝Y方向延設之長方形的俯視形狀。如第1、3圖所示，在第1室2中，係藉由壁面圍繞周圍以形成收容空間。換言之，藉由在第1室2的上下左右配置壁面，於第1室2形成封閉的空間。

在此，如第1、3圖所示，在與第2室4鄰接之第1室2的壁面，係穿設有聯繫第1室2與第2室4的貫通孔5。該貫通孔5係可為一個，亦可為複數個。此外，貫通孔5的開口形狀亦可採用任意的形狀，舉例而言，可為朝Y方向延設的長方形(細縫(slit)狀)。

如第1、3圖所示，配設有用以噴射經液滴化之溶液的噴沫噴嘴1。在此，自噴沫噴嘴1的噴射口1a，係藉由「噴沫法」噴射經液滴化的溶液。換言之，自噴沫噴嘴1係噴射數十μm左右大小的液滴。另外，例如可採用上述之二流體噴沫噴嘴作為噴沫噴嘴1。另外，在該溶液中，係含有成膜於基板50之膜的原材材料。

在此，在第1、3的構成例中，係於噴沫噴嘴1之途中的路徑配設有切換閥(valve)16，在該切換閥16係連接有洗淨液供給噴嘴17。自洗淨液供給噴嘴17的洗淨液供給口，係噴射用以洗淨噴沫噴嘴1內的洗淨液。

將切換閥16切換至一方向時，僅洗淨液供給噴嘴17的洗淨液供給口關閉，而在噴沫噴嘴1內，只有溶液流通。相對於此，將切換閥16切換至另一方向時，洗淨液供給噴嘴17的洗淨液供給口會張開，而在切換閥16的上游側，噴沫噴嘴1的流體路徑則關閉。因此，此時，在切換閥16下游側的噴沫噴嘴1內，僅流通有從洗淨液供給噴嘴17之洗淨液供給口噴射的洗淨液。

在第1室2之上面側的壁面，係穿設有複數個孔，而在該孔係插通有噴沫噴嘴1的前端部(較切換閥16更下游側之噴沫噴嘴1的部分)。在此，如第2圖所例示，可將複數個噴沫噴嘴1連接於第1室2的上面(在第2圖的構成例中，係噴沫噴嘴1彼此沿著Y方向隔開預定間隔而排成一列)，亦可將一個噴沫噴嘴1連接於第1室2的上面。此外，在噴沫噴嘴1連接於第1室2的狀態下，穿設於第1室2上面的孔(噴沫噴嘴1的插通孔)係已確保了密封狀態。

噴沫噴嘴1的前端部係貫通第1室2之上面側的壁面，而噴沫噴嘴1的噴射口1a則存在於第1室2內。經液滴化(數十μm大小)的溶液，係從噴沫噴嘴1的噴射口1a朝向第1室2內噴射，而該噴射的溶液係被收容在第1室2內。

如第1、2、3圖所示，係配設有複數個第1氣體供給噴嘴3。自該第1氣體供給噴嘴3的第1氣體供給口3a係噴射氣體。

在第1室2之左側的壁面，係穿設有複數個孔，而在該孔係插通有第1氣體供給噴嘴3的前端部。在此，如第2圖所例示，可將複數個第1氣體供給噴嘴3連接於第1室2的側面(在第2圖的構成例中，係第1氣體供給噴嘴3彼此沿著Y方向隔開預定間隔而配設)，亦可將一個第1氣體供給噴嘴3連接於第1室2的側面。

在此，自第1氣體供給噴嘴3之第1氣體供給口3a 噴射的氣體，係與存在於第1室2內之經液滴化的溶液撞擊。為了使自噴沫噴嘴1噴射的溶液與自第1氣體供給噴嘴3噴射的氣體撞擊，係以將第1氣體供給口3a朝向自噴沫噴嘴1噴射之溶液的方向為理想。

另外，在第1氣體供給噴嘴3連接於第1室2的狀態下，穿設於第1室2之側面的孔(第1氣體供給噴嘴3的插通孔)，係已確保了密封狀態。

藉由自噴沫噴嘴1噴射的溶液與自第1氣體供給噴嘴3噴射的氣體撞擊，液滴化狀態的溶液即被霧化。換言之，藉由該撞擊，在第1室2內，會產生數μm左右大小的霧狀溶液。

如上所述，在第1室2之右側的側面，係穿設有連通於第2室4的貫通孔5。在此，上述經霧化的溶液，較佳為乘載在自第1氣體供給噴嘴3噴射的氣體，被導入於該貫通孔5。換言之，較佳為在自第1氣體供給噴嘴3噴射之氣體之噴射方向的延長線上，配設有貫通孔5。

此外，如第1、3圖所示，在第1室2之上面側的壁面內，係配設有可調整溫度的溫度調整部15。該溫度調整部15係配設在噴沫噴嘴1的前端部附近，可將該前端部調整為預定的溫度。

接著參照第1、2、4圖來說明包含第2室4的構成。

如第2圖所示，與第1室2相同，第2室4係具有朝Y方向延設之長方形的俯視形狀(在第2圖的構成例中，第1室2之Y方向的尺寸、與第2室4之Y方向的尺寸係相同，且端部齊平)。如第1、4圖所示，在第2室4中，係藉由壁面包圍除了下面以外的周圍，以形成收容空間。換言之，藉由在第2室4的上左右配置壁面，而在第2室4形成有在下面以外封閉的空間。

在第2室4的下面，係形成有張開的噴霧口10。該噴霧口10係隔著預定的距離與在第2室4之外側中載置於基板載置部60之基板50的主面相對向(參照第1圖)。因此，自噴霧口10係對於基板50的主面噴霧經霧化的溶液。該噴霧口10係為朝Y方向延伸之長方形的開口部(細縫狀)。

在此，如上所述，在與第1室2鄰接之第2室4的壁面，係穿設有聯繫第1室2與第2室4的貫通孔5。

如第1、2、4圖所示，配設有複數個第2氣體供給噴嘴6。自該第2氣體供給噴嘴6的第2氣體供給口6a，係噴射氣體。

在第2室4之上面側的壁面，係穿設有複數個孔，而在該孔係插通有第2氣體供給噴嘴6的前端部。在此，如第2圖所例示，可將複數個第2氣體供給噴嘴6連接於第2室4的上面(在第2圖的構成例中，係第2氣體供給噴嘴6彼此沿著Y方向隔著預定間隔排成一列)，亦可將一個第2氣體供給噴嘴6連接於第2室4的上面。此外，在第2氣體供給噴嘴6連接於第2室4的狀態下，穿設於第2室4之上面的孔(第2氣體供給噴嘴6的插通孔)，係已確保了密封狀態。

經由貫通孔5在第1室2內經霧化的溶液，被送至第2室4內而收容。再者，自該第2氣體供給口6a噴射的氣體，係將收容於第1室2內之經霧化的溶液，引導至噴霧口10側。

接著，參照第1、2、5圖來說明包含第3室12的構成。

如第2圖所示，第3室12係與第1室2及第2室4相同，具有朝Y方向延設之長方形的俯視形狀(在第2圖的構成例中，第1室2之Y方向的尺寸、與第2室4之Y方向的尺寸、與第3室12之Y方向的尺寸係相同，且端部在各室齊平)。如第1、5圖所示，在第3室12中，係藉由壁面包圍除了下面外的周圍以形成收容空間。換言之，藉由在第3室12之上左右配置壁面，於第3室12形成有在下面以外封閉的空間。

在第3室12的下面係形成有張開的排氣口11。該排氣口11係隔開預定距離與在第3室12之外側中載置於基板載置部60之基板50的主面相對向(參照第1圖)。因此，自排氣口11係抽吸存在於基板50之上方之未反應的液體或氣體等。該排氣口11係為朝Y方向延伸之長方形的開口部(細縫狀)。如第1圖所示，在噴霧口10的右側鄰接有排氣口11，而噴霧口10之高度位置與排氣口11的高度位置係相同。

如第1、2、5圖所示，配設有複數個排氣噴嘴14。自該排氣噴嘴14的排氣孔14a，產生抽吸力的作用。

在第3室12之上面側的壁面，係穿設有複數個孔，而在該孔係插通有排氣噴嘴14的前端部。在此，如第2圖所例示，可將複數個排氣噴嘴14連接於第3室12的上面(在第2圖的構成例中，係排氣噴嘴14彼此沿著Y方向隔開預定間隔而排成一列)，亦可將一個排氣噴嘴14連接於第3室12的上面。此外，在排氣噴嘴14連接於第3室12的狀態下，穿設於第3室12上面的孔(排氣噴嘴14的插通孔)係已確保了密封狀態。

另外，如第1、5圖所示，在第3室12內，係配設有朝斜上方向延設的區隔板13。該區隔板13的一端，雖係與第3室12之一方的側面連接，但該區隔板13的另一端，並未與第3室12之另一方的側面連接。

藉由來自排氣噴嘴14的抽吸力，從排氣口11吸取存在於基板50上方的氣體、液體。藉由該區隔板13的存在，來抑制存在於較第3室12內之區隔板13更上方之從排氣口11所抽溪的氣體、液體等掉落至排氣口11側。

接著參照第1、2、6圖來說明包含第4室8的構成。

第4室8係配置在第1室2的下面側，與該第1室2相同，具有朝Y方向延設之長方形的俯視形狀(第1室2之Y方向的尺寸、與第4室8之Y方向的尺寸係相同，且端部齊平)。如第1、6圖所示，在第4室8中，係藉由壁面包圍周圍以形成收容空間。換言之，藉由在第4室8的上下左右配置壁面，於第4室8形成封閉的空間。

在第4室8之下面側的壁面，係穿設有第3氣體供給口9。該第3氣體供給口9係隔開預定距離與在第4室8之外側中載置於基板載置部60之基板50的主面相對向(參照第1圖)。因此，自第3氣體供給口9係朝向基板50的上方噴出氣體。該第3氣體供給口9係為朝Y方向延伸之長方形的開口部(細縫狀)。如第1圖所示，在噴霧口10的左側鄰接有第3氣體供給口9，而噴霧口10之高度位置與第3氣體供給口9的高度位置係相同。

如第1、2、6圖所示，配設有複數個第3氣體供給噴嘴7。自第3氣體供給口9的噴出口7a，係朝向第4室8內噴出氣體。

在第4室8之側面側的壁面，係穿設有複數個孔，而在該孔係插通有第3氣體供給噴嘴7的前端部。在此，如第2圖所例示，可將複數個第3氣體供給噴嘴7連接於第4室8的側面(在第2圖的構成例中，係第3氣體供給噴嘴7彼此沿著Y方向隔開預定間隔而排成一列)，亦可將一個第3氣體供給噴嘴7連接於第4室8的側面。此外，在第3氣體供給噴嘴7連接於第4室8的狀態下，穿設於第4室8之側面的孔(第3氣體供給噴嘴7的插通孔)係已確保了密封狀態。

自第3氣體供給噴嘴7噴射的氣體係收容於第4室8內，且自穿設於該第4室8的第3氣體供給口9，噴射至基板50的上面。

另外，如第1圖所示，在成膜裝置中係設有供載置基板50的基板載置部60。該基板載置部60係在載置基板50的狀態下，往第1圖的左右方向(X方向)移動(只要是水平方向的移動即可)。換言之，自噴霧口10係一面朝垂直方向將經霧化的溶液噴霧於基板50，一面藉由基板載置部60的上述移動，該基板50即往水平方向移動。此外，在基板載置部60中係配設有加熱器(heater)。因此，藉由該加熱器，載置於基板載置部60的基板50係加熱至預定的溫度(成膜溫度)。

接著說明成膜動作。

在基板載置部60上載置基板50。再者，藉由使基板載置部60往X方向移動，使基板50移動至噴霧口10的下方。在此，藉由配設於基板載置部60的加熱器，基板50係加熱至成膜溫度。

另一方面，自噴沫噴嘴1係噴出噴沫狀溶液(經液滴化的溶液)至第1室2內。在此，切換閥16係切換於一方的方向，洗淨液供給噴嘴17的洗淨液供給口即呈關閉。因此，在噴沫噴嘴1內的液體通路中，係僅有溶液流通。自第1氣體供給口3a係對存在於第1室2內之噴沫狀溶液噴出氣體。

藉由將來自第1氣體供給口3a的氣體對噴沫狀溶液撞擊，而在第1室2內產生霧態狀溶液。換言之，藉由該撞擊，噴沫狀溶液的粒徑會變得更小，溶液就霧化。

霧態狀溶液係乘載在自第1氣體供給口3a噴出的氣體，通過貫通孔5而被導入至第2室4內。在第2室4內，霧態狀溶液係乘載在自第2氣體供給口6a噴出的氣體，而引導至噴霧口10的方向。再者，自噴霧口10係對基板50的上面噴霧霧態狀溶液。

在此，係藉由來自排氣口11的抽吸力，產生自噴霧口10朝向排氣口11的流動。因此，自噴霧口10噴霧的霧態狀溶液係在基板50的上面側，產生往排氣口11側移動的流動。從排氣口11所抽吸的氣體及液體，係經由第3室12內及排氣噴嘴14被排出至外部。

此外，自噴霧口10噴霧霧態狀溶液時，自第3氣體供給口9朝向基板50的上面噴出氣體。在此，如上所述，自第3氣體供給口9噴出的氣體係為自第3氣體供給噴嘴7供給至第4室8內者。藉由從該第3氣體供給口9噴出氣體，即可防止自噴霧口10噴霧的溶液洩漏至較第3氣體供給口9更左側處。換言之，來自第3氣體供給口9的氣體，係對於自噴霧口10噴物的溶液，發揮「屏障(screen)」的功能。

藉由來自排氣口11的抽吸力，產生從第3氣體供給口9朝向排氣口11的流動。因此，自第3氣體供給口9噴射的氣體，係在基板50的上面側產生往排氣口11側移動的流動。

一面進行如上所述自噴霧口10噴霧溶液、自排氣口11抽吸及自第3氣體供給口9噴出氣體，一面使基板載置部60往X方向移動。藉此，自噴霧口10噴霧的溶液即與大氣反應，遍及加熱狀態之基板50的上面整體，形成均勻的膜。

在此，自噴沫噴嘴1噴出的溶液，係依照所形成的膜來任意選擇。此外，自噴嘴3、6、7噴出的氣體亦可選擇任意的氣體。

例如，自噴沫噴嘴1噴射富有與氧之反應性的溶液時，係以自第1氣體供給口3a及第2氣體供給口6a噴射惰性氣體，而自第3氣體供給口9則噴射氧化劑(例如含水、氧或臭氧的流體)為理想。藉此，即可抑制該溶液在第1室2及第2室4內被氧化，且在噴霧口10與基板50之間，促進所噴霧的溶液與氧化劑的反應。

此外，例如，自噴沫噴嘴1噴射富有與氧之反應性的溶液時，亦可自第1氣體供給口3a噴射惰性氣體，而自第2氣體供給口6a則噴射氧化劑(例如氧或臭氧等)。另外，在此情形下，自第3氣體供給口9亦可例如噴射空氣。藉此，即可抑制該溶液在第1室2內被氧化，且可一面促進經霧化的溶液與氧化劑的反應，一面朝向基板50，進行氧化反應同時噴霧溶液。

綜上所述，在本實施形態的成膜裝置中，係具備可收容自噴沫噴嘴1噴射之經液滴化之溶液的第1室2。再者，具備有用以噴射對存在於第1室2內之溶液撞擊之氣體的第1氣體供給口3a、及與第1室2鄰接的第2室4。在此，於存在於第1室2與第2室4之間的壁面，係穿設有供經霧化之溶液流通的貫通孔5。再者，該成膜裝置係具備以與配置在第2室4之外側之基板50相對向之方式配設在第2室4，且對基板50進行經霧化之溶液之噴霧的噴霧口10。

如此，在該成膜裝置中，係可藉由與自第1氣體供給口3a噴出之氣體的撞擊，而在第1室2內將藉由噴沫噴嘴1噴射之經液滴化的溶液予以霧化。因此，噴沫狀溶液不會直接接觸基板50，而可達成溶液的霧化，且該霧態狀溶液會噴霧至基板50，因此在大氣中，可達成類似CVD的成膜。因此，在該成膜裝置中，可在基板50上形成膜質良好的膜。

再者，在該成膜裝置中，係在屬於溶液對基板50的噴霧口10附近的第1室2，將噴沫狀的溶液予以霧化。因此，可使霧態狀溶液的搬運距離比採用習知之「霧態法」技術的成膜裝置更極度地縮短。因此，可抑制霧態狀溶液在移動途中凝聚。藉此，本發明之成膜裝置可將溶液有效地利用在成膜處理，且可對基板50噴霧濃度穩定的溶液。

再者，在本發明的成膜裝置中，係在噴出噴沫狀溶液之後，藉由使之撞擊氣體，而施行溶液的霧化。換言之，在本發明的成膜裝置中，溶液霧化的構成極為簡易，也不需要超音波振動器等。因此，在本發明的成膜裝置中，可謀求裝置整體的小型化。此外，由於該簡易的構成，在本發明的成膜裝置中，維修性亦獲得提昇。

換言之，在本發明的成膜裝置中，可兼具藉由霧態法所獲得的膜質之提升、及藉由噴沫法所獲得的簡便構成、高維修性。

此外，藉由第1室2，亦可防止自噴沫噴嘴1噴出之液滴較大的溶液飛散至周圍。此外，藉由第2室4，亦可防止霧態狀溶液飛散至周圍。此外，藉由第4室8，亦可防止氣體飛散至周圍。再者，藉由第3室12，亦可達成液體、氣體之集中的排氣處理。

此外，在本發明的成膜裝置中，復具備有第2氣體供給口6a，其係用以噴射將存在於第2室4之經霧化之溶液引導至噴霧口10的氣體。因此，可產生將經霧化的溶液供給至基板50側的流動。

此外，在本發明的成膜裝置中，復具備有與排氣口11鄰接而配設的排氣口11。因此，產生自噴霧口10朝向排氣口11的流動。因此，自噴霧口10噴霧之霧態狀溶液係在基板50的上面側，產生往排氣口11側移動的流動。

此外，在本發明的成膜裝置中，復具備有與噴霧口10鄰接而配設之用以噴射氣體的第3氣體供給口9。可防止自噴霧口10噴霧的溶液洩漏至較第3氣體供給口9更左側處。

在此，噴霧口10、排氣口11及第3氣體供給口9係分別為朝Y方向延伸的細縫狀。因此，可將收容在第2室4之霧態狀溶液，從噴霧口10均勻地噴霧，且可將收容在第4室8內的氣體，從第3氣體供給口9均勻地噴射，而自排氣口11的排氣亦沿著Y方向均勻地實施。

此外，在本發明的成膜裝置中，噴沫噴嘴1係配設成貫通第1室2之上側的壁面。再者，在噴沫噴嘴1所貫通的該壁面內，係配設有溫度調整部15。

因此，可將噴沫噴嘴1之噴射口1a附近保持在預定溫度。因此，可防止噴沫噴嘴1之噴射口1a附近之溶液的凝聚，而可防止噴沫噴嘴1的阻塞。

此外，在本發明的成膜裝置中，復具備往水平方向移動的基板載置部60。因此，亦可達成在使溶液噴霧側之構成構件固定的狀態下，直接對大面積的基板50進行成膜。另外，由於在基板載置部60配設有加熱器，因此亦可將所載置的基板50予以加熱。

另外，亦可採用以下的構成作為本實施形態的成膜裝置。

換言之，係設置使由噴沫噴嘴1、切換閥16及洗淨液供給噴嘴17所構成的構成體，往垂直及水平方向移動的移動機構。再者，在進行噴沫噴嘴1的洗淨時，係進行以下的動作。

首先，藉由上述移動機構使上述構成體往第1圖的上方向移動，從第1室2之上側的壁面抽出噴沫噴嘴1的前端部。然後，藉由上述移動機構，使上述構成體往水平方向等移動。藉此，如第7圖所示，使噴沫噴嘴1的前端部位於配設在成膜處理範圍(area)外之容器30的上方。

再者，將切換閥16切換至另一方向，打開洗淨液供給噴嘴17的洗淨液供給口，在切換閥16的上游側，噴沫噴嘴1的流體路徑即關閉。藉此，形成連接有用以供給洗淨液至噴沫噴嘴1內之流體通路之洗淨液供給口的狀況。

再者，當使洗淨液流通於洗淨液供給噴嘴17時，洗淨液自洗淨液供給口流通於噴沫噴嘴1內的流體通路，藉此，即可洗淨因為在噴沫噴嘴1內之流體通路的溶液所引起的污染。另外，自噴沫噴嘴1之噴射口1a輸出的洗淨液係收容在容器30內。

在洗淨噴沫噴嘴1之後，進行成膜處理時，係藉由上述移動機構使上述構成體移動，且如第1圖所示，使噴沫噴嘴1插通至穿設於第1室2之上側之壁面的孔。再者，僅用以將切換閥16切換至一方向之洗淨液供給噴嘴17的洗淨液供給口關閉，而在噴沫噴嘴1內，形成僅溶液流通的流體路徑。

藉由上述移動機構及洗淨機構，可將因為成膜處理而污染的噴沫噴嘴1予以適當地洗淨。

在本發明中，係在大氣中之開放的空間，配置第1圖所示之溶液噴霧構成體，且進一步藉由基板載置部60之水平方向的移動，溶液噴霧構成體與基板50之間的空間，不會成為封閉的空間。再者，在本發明中，藉由排氣口11的存在，在溶液噴霧構成體與基板50之間的空間(亦即在開放的空間中)，產生一定的氣流。

因此，在本發明的成膜裝置中，係可防止生成物等的微粒子(particle)附著在溶液噴霧構成體與基板50之間的空間。因此，在該成膜裝置中，也可防止因為微粒子的混入而使所成膜之膜的膜質惡化。

此外，由於溶液噴霧構成體與基板50之間的空間係呈開放，因此溶液噴霧構成體之與基板50對向之部分的維修亦較容易。再者，從第2氣體供給口6a噴射用以將經霧化的溶液從第2室4引導至噴霧口10(亦即基板50)的氣體。藉此，即可將溶液噴霧構成體與基板50之間的距離設為更大，而使上述效果更為顯著。

本發明雖已詳述，但上述的說明在所有形態中僅為例示，並非用以限定本發明。凡未例示之無數個變形例，在未超出本發明之範圍下均可視為可思及者。