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TWI458005B - 半導體裝置用膜及半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置用膜及半導體裝置 Download PDF

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TWI458005B
TWI458005B TW100131753A TW100131753A TWI458005B TW I458005 B TWI458005 B TW I458005B TW 100131753 A TW100131753 A TW 100131753A TW 100131753 A TW100131753 A TW 100131753A TW I458005 B TWI458005 B TW I458005B
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adhesive
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adhesive film
wafer
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TW100131753A
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Inventor
Yasuhiro Amano
Koichi Inoue
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Description

半導體裝置用膜及半導體裝置
本發明是有關於半導體裝置用膜、及使用此半導體裝置用膜而製造的半導體裝置。
先前，於半導體裝置的製造過程中半導體晶片於導線架或電極構件上的固著是使用銀漿。此固著處理是在導線架的晶片座等上塗佈漿狀黏著劑，於漿狀黏著劑上搭載半導體晶片而使漿狀黏著劑層硬化來進行。
然而，漿狀黏著劑因其黏度行為或劣化等而於塗佈量或塗佈形狀等產生較大的不均。其結果是，由於所形成的漿狀黏著劑厚變得不均一而使半導體晶片的固著強度缺乏可靠性。即，若漿狀黏著劑的塗佈量不足，則半導體晶片與電極構件之間的固著強度變低，於後續的焊線接合步驟中半導體晶片會剝離。另一方面，若漿狀黏著劑的塗佈量過多，則漿狀黏著劑流延至半導體晶片上為止而產生特性不良，良率或可靠性降低。此種固著處理中的問題隨著半導體晶片的大型化而變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行漿狀黏著劑的塗佈量的控制，而對作業性或生產性造成妨礙。
於此漿狀黏著劑的塗佈步驟中，有在導線架或已形成之晶片上另外塗佈漿狀黏著劑的方法。但是，此方法中，漿狀黏著劑層難以均一化，並且在漿狀黏著劑的塗佈時需要特殊裝置或長時間。因此提出在切晶步驟中黏著保持半 導體晶圓，並且亦形成安裝步驟所必需的晶片固著用黏著劑層的切晶膜、附切晶片的黏著膜(例如參照專利文獻1)。
此附切晶片的黏著膜是在支撐基材上可剝離地設置黏著劑層而成，是在藉由此黏著劑層的保持下將半導體晶圓切晶後，將支撐基材延伸而將形成晶片與黏著劑層一起剝離，將形成晶片與黏著劑層逐個回收並經由此黏著劑層而固著於導線架等被黏接體上而成。
先前，附切晶片的黏著膜因製造步驟上的制約而分別分開製作切晶膜與黏著膜，然後將兩者貼合而製作。因此，就防止在各膜製作步驟中產生鬆弛或捲繞失準、定位失準、空隙(氣泡)等的觀點而言，宜在藉由輥的搬送時對各膜施加拉伸張力並進行附切晶片的黏著膜的製作。
此種附切晶片的黏著膜若置於高溫、高濕的環境下、或施加負荷的狀態下長期保存，則有時會硬化。其結果會招致黏著劑層的流動性或對半導體晶圓的保持力的降低、切晶後的剝離性的降低。因此，附切晶片的黏著膜大多於-30℃~-10℃的冷凍、或-5℃~10℃的冷藏狀態下保存並輸送，藉此可實現膜特性的長期保存。
上述附切晶片的黏著膜考慮到與半導體晶圓的貼附、或切晶時的在環形架上的安裝等作業性，有預先加工成所貼附的半導體晶圓的形狀(例如圓形狀)的實施了預先切割加工的附切晶片的黏著膜。
此種附切晶片的黏著膜是在基材上積層黏接劑層而成的切晶膜上貼合沖裁成圓形狀的黏著膜後，將切晶膜沖裁 成與環形架對應的圓形狀而製造。藉此將半導體晶圓切晶時，可在切晶膜的外周部貼附環形架，而將附切晶片的黏著膜固定。
經預先切割加工的附切晶片的黏著膜在長條覆蓋膜上以特定間隔設置而貼附後，捲繞成輥狀，並以半導體裝置製造用膜的形態進行輸送或保管。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開昭60-57642號公報
然而，在上述的半導體裝置用膜時，積層有附切晶片的黏著膜的部分的厚度比未積層附切晶片的黏著膜的部分的厚度厚。因此，特別是捲數變大、或捲取時的張力變高時，存在其他的附切晶片的黏著膜的邊緣抵接於1的附切晶片的黏著膜而轉印捲痕，而使黏著膜的平滑性受損的情況。此種轉印痕特別是在黏著膜由相對較柔軟的樹脂形成時、在黏著膜的厚度較厚時、及在半導體裝置用膜的捲數較多時等會顯著地產生。並且，若具有此種轉印痕、且平滑性存在缺陷的黏著膜貼附於半導體晶圓，則會於半導體晶圓與黏著膜之間產生空隙(氣泡)。此種空隙在半導體晶圓加工時會產生麻煩，而可能降低所製造的半導體裝置的良率。
因此，為了抑制上述轉印痕的產生，而考慮減弱半導體裝置用膜的捲取壓的方法。然而，此方法可能會產生捲繞失準，例如難以設置於膠帶安裝機等，在實際使用時造 成妨礙。
另外，為了抑制上述轉印痕的產生，而考慮在黏著膜的背面側設置緩衝基材。然而存在以下問題，在黏著膜與緩衝基材之間殘存有殘留應力，藉此在上述的低溫狀態下的輸送或長時間保管後，在黏著膜與緩衝基材的界面產生兩者的剝離。
本發明是鑒於上述課題而完成的，其目的在於提供一種半導體裝置用膜，其在將於切晶膜上積層了黏著膜的附切晶片的黏著膜以特定間隔設置而積層於覆蓋膜上的半導體裝置用膜捲取成輥狀時，可抑制於黏著膜上產生轉印痕。
本申請案發明者等人為了解決上述先前的問題點，而對半導體裝置用膜進行研究。其結果發現，藉由控制構成半導體裝置用膜的覆蓋膜的厚度與切晶膜的厚度，而可抑制於黏著膜上產生轉印痕，從而完成了本發明。
即，本發明的半導體裝置用膜是在切晶膜上積層了黏著膜的附切晶片的黏著膜以特定間隔設置而積層於覆蓋膜上的半導體裝置用膜，其特徵在於，將上述覆蓋膜的厚度設為Ta，將上述切晶膜的厚度設為Tb時，Ta/Tb為0.07~2.5的範圍內。
上述Ta/Tb例如當將覆蓋膜的厚度Ta設為一定時，值越小，則切晶膜越厚。根據上述構成，由於上述Ta/Tb為0.07以上，因此積層有切晶膜的部分、與未積層切晶膜的部分的階差為一定以下。因此，可抑制轉印痕的產生。並 且，由於上述Ta/Tb為0.07以上，與覆蓋膜相比切晶膜的厚度更厚，因此可藉由覆蓋膜的厚度而吸收應力，並可抑制轉印痕的產生。並且，由於上述Ta/Tb為0.07以上，與覆蓋膜相比而切晶膜的厚度更厚，因此貼合於半導體晶圓時，可將具有切晶膜的附切晶片的黏著膜與覆蓋膜較佳地剝離(舌部剝起)。另外，上述Ta/Tb例如當將切晶膜的厚度Tb設為一定時，值越小，則覆蓋膜的厚度越薄。由於上述Ta/Tb為2.5以下，因此覆蓋膜的厚度為一定以下。因此，對積層有切晶膜的部分、與未積層切晶膜的部分的階差的追隨性良好。並且，由於上述Ta/Tb為2.5以下，覆蓋膜的厚度為一定以下，因此可使將附切晶片的黏著膜層壓於覆蓋膜時的壓力變得均一，並可防止氣泡混入。如此，根據上述構成，於將在切晶膜上依序積層黏著膜及覆蓋膜的半導體裝置用膜捲取成輥狀時，可抑制於黏著膜上產生轉印痕。
於上述構成中較佳為，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min的條件下的T型剝離試驗中上述黏著膜與上述覆蓋膜之間的剝離力F1為0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，上述黏著膜與上述切晶膜之間的剝離力F2為0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，上述F1與上述F2滿足F1<F2的關係。
半導體裝置用膜就防止產生鬆弛或捲繞失準、定位失準、空隙(氣泡)等的觀點而言，宜一邊對切晶膜或黏著膜、覆蓋膜施加拉伸張力一邊進行製造。其結果是，半導 體裝置用膜是在構成其的膜的任一膜存在拉伸殘留應變的狀態下製造。此拉伸殘留應變例如在-30℃~-10℃的冷凍、或-5℃~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保管時，在各膜中會引起收縮。而且，由於各膜的物性不同而收縮的程度亦不同。例如切晶膜在各膜中的收縮的程度最大，覆蓋膜的收縮的程度最小。其結果是在切晶膜與黏著膜之間產生界面剝離，或引起覆蓋膜的膜隆起現象。
上述構成是使黏著膜與覆蓋膜之間的剝離力F1為0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍，且使黏著膜與切晶膜之間的剝離力F2為0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，而且滿足F1<F2的關係的構成。如上所述，由於各膜中的收縮是切晶膜最大，因此藉由和黏著膜與覆蓋膜之間的剝離力F1相比，更加增大黏著膜與切晶膜之間的剝離力F2，而抑制收縮率最大的切晶膜的收縮，並防止切晶膜與黏著膜之間的界面剝離、或覆蓋膜的膜隆起現象。而且亦可防止黏著膜的一部分或全部轉印至覆蓋膜上。
上述構成中較佳為，上述覆蓋膜的厚度Ta為10μm~100μm。
上述構成中較佳為，上述切晶膜的厚度Tb為25μm~180μm。
另外，本發明的半導體裝置是使用上述記載的半導體裝置用膜而製造而成。
以下對本實施形態的半導體裝置用膜進行說明。
圖1的(a)是表示本實施形態的半導體裝置用膜的概要的平面圖，圖1的(b)是半導體裝置用膜的部分剖面圖。半導體裝置用膜10具有附切晶片的黏著膜1以特定間隔設置而積層於覆蓋膜2上的構成。附切晶片的黏著膜1是於切晶膜11上積層黏著膜12，並且切晶膜11是在基材13上積層黏接劑層14的結構。
圖2是將圖1的(a)及圖1的(b)所示的半導體裝置用膜捲繞成輥狀的狀態的部分剖面圖。如圖2所示，捲繞成輥狀的半導體裝置用膜10在積層有附切晶片的黏著膜1的部分、與未積層附切晶片的黏著膜1的部分存在階差19。並且，覆蓋膜2上的多個附切晶片的黏著膜1相互於橫方向錯開並積層。因此，其他的附切晶片的黏著膜1的邊緣與1的附切晶片的黏著膜1抵接。
半導體裝置用膜10中，將覆蓋膜2的厚度設為Ta，將切晶膜11的厚度設為Tb時，Ta/Tb為0.07~2.5。上述Ta/Tb較佳為0.1~2，更佳為0.3~1.5。上述Ta/Tb例如當將覆蓋膜22的厚度Ta設為一定時，值越小，則切晶膜11越厚。根據半導體裝置用膜10，由於上述Ta/Tb為0.07以上，因此積層有切晶膜11的部分、即積層有附切晶片的黏著膜1的部分、與未積層切晶膜11的部分的階差19為一定以下。因此，可抑制在構成附切晶片的黏著膜1的黏著膜12上產生轉印痕。並且，由於上述Ta/Tb為0.07以上，與覆蓋膜2相比切晶膜11的厚度更厚，因此可藉由覆蓋膜2的厚度而吸收應力，並可抑制轉印痕的產生。並 且，由於上述Ta/Tb為0.07以上，與覆蓋膜相比切晶膜的厚度更厚，因此在貼合於半導體晶圓時，可將具有切晶膜的附切晶片的黏著膜與覆蓋膜較佳地剝離(舌部剝起)。另外，上述Ta/Tb例如當將切晶膜11的厚度Tb設為一定時，值越小，則覆蓋膜2的厚度越薄。並且，由於上述Ta/Tb為2.5以下，因此覆蓋膜2的厚度為一定以下。因此，對積層有切晶膜11的部分、與未積層切晶膜11的部分的階差的追隨性良好。並且，由於上述Ta/Tb為2.5以下，覆蓋膜2的厚度為一定以下，因此可使將附切晶片的黏著膜1層壓於覆蓋膜2時的壓力均一，並可防止氣泡混入。如此，根據半導體裝置用膜10，在捲取成輥狀時，可抑制於黏著膜12上產生轉印痕。
黏著膜12與覆蓋膜2之間的剝離力F1小於黏著膜12與切晶膜11之間的剝離力F2。半導體裝置用膜10在其製造過程中，就防止產生鬆弛或捲繞失準、定位失準、空隙(氣泡)等的觀點而言，宜一邊對切晶膜11、黏著膜12及覆蓋膜2施加拉伸張力並積層而製造。因此，各膜存在拉伸殘留應變。此拉伸殘留應變例如在-30℃~-10℃的冷凍、或-5℃~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保管時會在各膜中分別引起收縮。例如，切晶膜的收縮的程度最大，覆蓋膜的收縮的程度最小。此處，本實施形態的半導體裝置用膜藉由使上述剝離力F1及F2達成F1<F2的關係，而可防止因各膜的收縮的差異引起的膜間的界面剝離或覆蓋膜2的膜隆起現象。而且亦可防止黏著膜12的一部分或 全部轉印至覆蓋膜2。
黏著膜12與覆蓋膜2之間的剝離力F1較佳為0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，更佳為0.03N/100mm~0.06N/100mm的範圍內，特佳為0.035N/100mm~0.05N/100mm的範圍內。若剝離力F1小於0.025N/100mm，則存在以下情況：例如在-30℃~-10℃的冷凍、或-5℃~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保管時，黏著膜12及覆蓋膜2會以各不相同的收縮率收縮，藉此產生覆蓋膜2的膜隆起現象。另外有在半導體裝置用膜10等的搬送中，產生皺褶或捲繞失準、異物混入的情況。而且有在半導體晶圓的安裝時在黏著膜12與半導體晶圓之間產生空隙(氣泡)的情況。另一方面，若剝離力F1大於0.075N/100mm，則黏著膜12與覆蓋膜2的密接性過強，因此有在覆蓋膜2的剝離或覆蓋膜2的收縮時，構成黏著膜12的黏著劑(詳細內容於下文闡述)一部分或全部轉印的情況。另外，上述剝離力F1的值在黏著膜12為熱硬化型時，是指熱硬化前的黏著膜12與覆蓋膜2之間的剝離力。
另外，黏著膜12與切晶膜11之間的剝離力F2較佳為0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，更佳為0.1N/100mm~6N/100mm的範圍內，特佳為0.15N/100mm~0.4N/100mm的範圍內。若剝離力F2為0.08N/100mm以上，則例如在-30℃~-10℃的冷凍、或-5℃~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保管時，切晶膜11及黏著膜12會以各不相同的收縮率收縮，藉此可防止在切晶膜11與黏著 膜12之間產生界面剝離。另外，可防止在半導體裝置用膜10等的搬送中產生皺褶或捲繞失準、異物混入、空隙。而且在將半導體晶圓切晶時可防止產生晶片飛散或碎屑。另一方面，若剝離力F2為10N/100mm以下，則在半導體晶片的拾取時，黏著膜12與黏接劑層14之間的剝離性較佳，並可使半導體晶片的拾取變得良好。另外，可防止構成黏接劑層14的黏接劑附著在附黏著劑的半導體晶片上(詳細內容於下文闡述)。另外，上述剝離力F2的數值範圍亦包括切晶膜11中的黏接劑層為紫外線硬化型、且預先藉由紫外線照射而一定程度硬化的情況。並且，藉由紫外線照射的黏接劑層的硬化可在與黏著膜12貼合之前，亦可在貼合之後。
另外，覆蓋膜2與切晶膜11(黏接劑層14)之間的剝離力F3較佳為0.025N/100mm~5N/100mm的範圍內，更佳為0.05N/100mm~1N/100mm的範圍內，特佳為0.1N/100mm~0.5N/100mm的範圍內。若剝離力F3為0.025N/100mm以上，則例如在-30℃~-10℃的冷凍、或-5℃~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保管時，切晶膜11及覆蓋膜2會以各不相同的收縮率收縮，藉此可防止覆蓋膜2產生膜隆起現象。並且，在半導體裝置用膜10等的搬送中，可防止產生皺褶或捲繞失準、異物混入。另一方面，由於剝離力F3為5N/100mm以下，因此可抑制切晶膜11與覆蓋膜2的密接性變強，並可防止在將覆蓋膜剝離的步驟中無法分離。
上述剝離力F1~F3的值是在溫度23±2℃、剝離速度300mm/min、夾頭間距離100mm的條件下進行的T型剝離試驗(JIS K6854-3)中的測定值。另外，拉伸試驗機是使用商品名「自動立體測圖儀AGS-H」(島津製作所(股)製造)。
切晶膜11中的基材13不僅成為切晶膜11而且成為半導體裝置用膜10的強度母體。基材13例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物，聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、芳香族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，在黏接劑層14為紫外線硬化型時，基材13較佳為上述所例示的基材中具有紫外線透射性的基材。
另外，基材13的材料可列舉上述樹脂的交聯體等聚合物。上述塑膠膜可無延伸地使用，亦可使用視需要實施了單軸或雙軸延伸處理的塑膠膜。根據藉由延伸處理等而賦予熱收縮性的樹脂片，可藉由在切晶後使上述基材13熱收 縮而降低黏接劑層14與黏著膜12的黏著面積，從而實現半導體晶片的回收的容易化。
基材13的表面為了提高與鄰接的層的密接性、保持性等，而可實施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理，藉由底塗劑(例如後述的黏接物質)的塗佈處理。
基材13可適當選擇同種或不同種基材而使用，視需要可使用將多種基材混合而成的基材。另外，基材13為了賦予抗靜電能力，而可在基材13上設置包含金屬、合金、該些的氧化物等的厚度為30Å~500Å左右的導電性物質的蒸鍍層。基材13可為單層或可為2種以上的多層。
基材13的厚度為了確保膜的搬送性，並且在接合步驟中的支撐基材的擴展時亦防止發生基材的破裂、破損、塑性變形，較佳為10μm~170μm，更佳為50μm~150μm，尤佳為100μm~130μm。
用於黏接劑層14的形成的黏接劑並無特別限制，例如可使用丙烯酸系黏接劑、橡膠系黏接劑等一般的感壓性黏接劑。上述感壓性黏接劑就半導體晶圓或玻璃等忌諱污染的電子零件的藉由超純水或醇等有機溶劑的清潔清洗性等的方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物的丙烯酸系黏接劑。
上述丙烯酸系聚合物例如可列舉：使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、 2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳數為1~30、特別是碳數為4~18的直鏈狀或支鏈狀烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)的1種或2種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全為相同的含義。
上述丙烯酸系聚合物為了改質凝聚力、耐熱性等，視需要可包含對應於能與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸環烷基酯共聚合的其他單體成分的單元。此種單體成分例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基的單體；順丁烯二酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基的單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基的單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該些能共聚合的單體成分可使用1種或2種以上。該些能共聚合的單體的使用量較 佳為總單體成分的40wt%(重量百分比)以下。
並且，上述丙烯酸系聚合物為了進行交聯，視需要亦可包含多官能性單體等作為共聚合用單體成分。此種多官能性單體例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該些多官能性單體亦可使用1種或2種以上。多官能性單體的使用量就黏接特性等的方面而言，較佳為總單體成分的30wt%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由將單一單體或2種以上的單體混合物進行聚合而獲得。聚合亦可藉由溶液聚合、乳化重合、塊狀聚合、懸浮聚合等的任一種方式來進行。就防止對清潔的被黏接體造成污染等的方面而言，較佳為低分子量物質的含量較小。就此方面而言，丙烯酸系聚合物的數量平均分子量較佳為30萬以上，更佳為40萬~300萬左右。
另外，上述黏接劑中為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等的數量平均分子量，亦可適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體方法可列舉：添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法。使用外部交聯劑時，外部 交聯劑的使用量可根據與應交聯的基礎聚合物的平衡，而進一步根據作為黏接劑的使用用途來適當確定。通常相對於上述基礎聚合物100重量份，較佳為調配5重量份左右以下，更佳為調配0.1重量份~5重量份。而且，黏著劑中視需要除了上述成分外，還可使用先前公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
黏接劑層14可由紫外線硬化型黏接劑形成。紫外線硬化型黏接劑可藉由紫外線的照射使交聯度增大從而容易地使其黏接力降低，並可藉由僅對黏接劑層14的與半導體晶圓貼附部分對應的部分照射紫外線而可設置與其他部分的黏接力之差。
使上述黏接劑層14進行紫外線硬化後在23℃的拉伸彈性模量，較佳為1MPa~170MPa的範圍內，更佳為5MPa~100MPa的範圍內。藉由使上述拉伸彈性模量為1MPa以上，而可維持良好的拾取性。另一方面，藉由使拉伸彈性模量為170MPa以下，而可防止切晶時產生晶片飛散。另外，上述紫外線的照射例如較佳為以30mJ/cm2 ~1000mJ/cm2 的紫外線照射累計光量來進行。藉由使紫外線照射累計光量為30mJ/cm2 以上，而可使黏接劑層14充分地硬化，並可防止與黏著膜12的過度密接。其結果是在半導體晶片的拾取時可表現出良好的拾取性。另外，可防止在拾取後在黏著膜12附著(所謂的糊劑殘留)黏接劑層14的黏接劑。另一方面，藉由使紫外線照射累計光量為1000mJ/cm2 以下，而可防止黏接劑層14的黏接力的極度 的降低，藉此防止於與黏著膜12之間產生剝離而發生所安裝的半導體晶圓的脫落。另外，在半導體晶圓的切晶時，可防止所形成的半導體晶片產生晶片飛散。
上述黏接劑層的拉伸彈性模量的值是藉由以下測定方法而得。即，將黏接劑層14切出長度30.0mm、寬度10.0mm、剖面積0.1mm2 ~0.5mm2 的樣品。對此樣品以測定溫度23℃、夾頭間距離20mm、拉伸速度50mm/min於MD方向進行拉伸試驗，測定由此樣品伸長所致的變化量(mm)。藉此，於所得的S-S(Strain-Strength，應變強度)曲線中，對曲線的初始上升的部分畫切線，將相當於此切線伸長100%時的拉伸強度除以剖面積，將所得的值作為黏接劑層的拉伸彈性模量。
此處，黏著膜12是根據半導體晶圓的俯視時的形狀而僅形成於半導體晶圓的貼附部分的構成。因此，藉由使紫外線硬化型黏接劑層14與黏著膜12的形狀一致而硬化，而可容易地使與半導體晶圓貼附部分對應的部分的黏接力降低。由於在黏接力降低的上述部分貼附黏著膜12，因此黏接劑層14的上述部分與黏著膜12的界面具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的黏接力。
如上所述，上述黏接劑層14由未硬化的紫外線硬化型黏接劑形成的上述部分與黏著膜12黏接，可確保切晶時的保持力。如此，紫外線硬化型黏接劑能以黏著、剝離的平衡性佳的方式支撐用以將晶片狀半導體晶圓(半導體晶片 等)固著於基板等被黏接體的黏著膜12。在僅於半導體晶圓的貼附部分積層黏著膜12時，於未積層黏著膜12的區域，將晶圓環固定。
紫外線硬化型黏接劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線硬化性官能基、且表現黏接性的紫外線硬化型黏接劑。紫外線硬化型黏接劑例如可例示：在上述丙烯酸系黏接劑、橡膠系黏接劑等通常的感壓性黏接劑中調配了紫外線硬化性單體成分或寡聚物成分的添加型紫外線硬化型黏接劑。
所調配的紫外線硬化性單體成分例如可列舉：胺基甲酸酯寡聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。並且，紫外線硬化性寡聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物，紫外線硬化性寡聚物成分的分子量較佳為100~30000左右的範圍。紫外線硬化性單體成分或寡聚物成分的調配量根據上述黏接劑層的種類，可適當確定能降低黏接劑層的黏接力的量。通常相對於構成黏接劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5重量份~500重量份，較佳為40重量份~150重量份左右。
另外，紫外線硬化型黏接劑除了上述所說明的添加型 紫外線硬化型黏接劑外，還可列舉：使用在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線硬化型黏接劑。內在型紫外線硬化型黏接劑由於無須含有或不大量含有作為低分子量成分的寡聚物成分等，因此寡聚物成分等不會經時移動至黏接劑中，並可形成穩定的層結構的黏接劑層，因此較佳。
上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、且具有黏接性的基礎聚合物。此種基礎聚合物較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架的基礎聚合物。丙烯酸系聚合物的基本骨架可列舉上述所例示的丙烯酸系聚合物。
在上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵的導入法並無特別限制，可採用各種方法，碳-碳雙鍵導入至聚合物側鏈的分子設計較為容易。例如可列舉以下方法：預先使具有官能基的單體與丙烯酸系聚合物共聚合後，使具有能與此官能基反應的官能基及碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的紫外線硬化性的狀態下進行縮合或加成反應。
該些官能基的組合的例子可列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該些官能基的組合中，就反應追蹤的容易性而言，較佳為羥基與異氰酸酯基的組合。另外，若為藉由該些官能基的組合，而生成具有上述碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物的任意一側，上述較佳的組合中，較佳為丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物 具有異氰酸酯基的情況。此時，具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，丙烯酸系聚合物可使用將上述例示的含羥基的單體或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚的醚系化合物等進行共聚合而得的產物。
上述內在型紫外線硬化型黏接劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，在不使特性惡化的程度上亦可調配上述紫外線硬化性單體成分或寡聚物成分。紫外線硬化性寡聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份而為30重量份的範圍內，較佳為0重量份~10重量份的範圍。
上述紫外線硬化型黏接劑在藉由紫外線等而硬化時含有光聚合起始劑。光聚合起始劑例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-噻噸酮、2-氯-噻噸酮、2-甲基- 噻噸酮、2,4-二甲基-噻噸酮、異丙基-噻噸酮、2,4-二氯-噻噸酮、2,4-二乙基-噻噸酮、2,4-二異丙基-噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化膦；醯基磷酸酯等。光聚合起始劑的調配量相對於構成黏接劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為0.05重量份~20重量份左右。
上述紫外線硬化型黏接劑層14中視需要亦可含有藉由紫外線照射而著色的化合物。藉由在黏接劑層14中含有藉由紫外線照射而著色的化合物，而可僅對羥紫外線照射的部分進行著色。藉此可藉由目視而直接判明是否對黏接劑層14照射紫外線，並容易識別半導體晶圓貼附部分，且半導體晶圓的貼合較為容易。另外，藉由光感測器等檢測半導體晶片時，其檢測精度提高，而不會在半導體晶片的拾取時發生誤動作。
藉由紫外線照射而著色的化合物是在紫外線照射前為無色或淡色，但藉由紫外線照射而成為有色的化合物。此化合物的較佳具體例可列舉無色染料。無色染料可較佳地使用慣用的三苯基甲烷系、熒烷系、酚噻嗪系、金胺系、螺吡喃系無色燃料。具體可列舉：3-[N-(對甲苯基胺基)]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基胺基]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基胺基]-7-苯胺基熒烷、3-二乙基胺基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結晶紫內酯、4,4',4"-三-(二甲基胺基)三苯基甲醇、4,4',4"-三-(二甲基胺基)三苯基甲烷等。
與該些無色染料一起較佳地使用的顯色劑可列舉：先前以來一直使用的苯酚甲醛樹脂的初始聚合物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，而且，在使色調變化時，亦可將各種公知的發色劑加以組合而使用。
此種藉由紫外線照射而著色的化合物可在暫時溶解於有機溶劑等後包含在紫外線硬化型黏接劑中，並且亦可製成微粉末狀包含在此黏接劑中。此化合物的使用比例較理想為，在黏接劑層14中為10wt%以下，較佳為0.01wt%~10wt%，更佳為0.5wt%~5wt%。若此化合物的比例超過10wt%，則導致照射至黏接劑層14的紫外線被此化合物過分吸收，因此黏接劑層14的與半導體晶圓貼附部分對應的部分的硬化變得不充分，而黏接力並不充分地降低。另一方面，為了充分地著色，較佳為將此化合物的比例設為0.01wt%以上。
另外，在由紫外線硬化型黏接劑形成黏接劑層14時，使用將基材13的至少單面的與半導體晶圓貼附部分對應的部分以外的部分的全部或一部分遮光的基材，在此基材上形成紫外線硬化型黏接劑層14後照射紫外線，使與半導體晶圓貼附部分對應的部分硬化，而可形成黏接力降低的上述部分。遮光材料可藉由印刷或蒸鍍等而製作可在支撐膜上成為光罩的遮光材料。根據此製造方法，可效率佳地製造本發明的半導體裝置用膜10。
另外，在紫外線照射時，在引起因氧氣所致的硬化障礙時，較理想為藉由某些方法將紫外線硬化型黏接劑層14 的表面阻隔氧氣(空氣)。例如可列舉：藉由間隔件被覆上述黏接劑層14的表面的方法、或在氮氣環境中進行紫外線照射的方法等。
黏接劑層14的厚度就晶片切割面的缺陷防止或黏著膜的固定保持的並存性的方面而言，較佳為1μm~50μm，更佳為2μm~30μm，尤佳為5μm~25μm。
並且，基材13的厚度與黏接劑層14的厚度的合計、即切晶膜11的厚度Tb，就搬送性、晶片切割面的缺陷防止或黏著膜的固定保持的觀點、拾取性的觀點而言，較佳為25μm~180μm，更佳為50μm~150μm，尤佳為100μm~130μm。
黏著膜12是具有黏著功能的層，黏著膜12的構成材料可併用熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂，亦可單獨使用熱塑性樹脂。
黏著膜12在硬化前的23℃的拉伸儲存彈性模量較佳為50MPa~5000MPa的範圍內，更佳為300MPa~4000MPa的範圍內，尤佳為500MPa~3000MPa的範圍內。藉由使拉伸儲存彈性模量為50MPa以上，而可防止在半導體晶圓的切晶時，因與切晶刀的摩擦而熱熔融的黏著劑附著於半導體晶片而導致的拾取不良。另一方面，藉由使拉伸儲存彈性模量為5000MPa以下，而可使與所安裝的半導體晶圓或所黏晶的基板等的密接性良好。
上述拉伸儲存彈性模量的值是藉由以下測定方法而得的值。即，在實施了脫模處理的剝離襯墊上塗佈黏著劑組 成物的溶液並乾燥，而形成厚度100μm的黏著膜12。使用黏彈性測定裝置(Rheometrics公司製造：型號：RSA-II)測定此黏著膜12在黏著膜12硬化前的23℃的拉伸儲存彈性模量。更詳細而言，將樣品尺寸設為長度30.0mm×寬度5.0mm×厚度0.1mm，將測定試樣設置於膜拉伸測定用夾具上，在-30℃~280℃的溫度區域在頻率10.0Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定。
上述熱塑性樹脂可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂等。該些熱塑性樹脂可單獨使用或併用2種以上而使用。該些熱塑性樹脂中，特佳為離子性雜質較少且耐熱性較高、並能確保半導體裝置的可靠性的丙烯酸系樹脂。
上述丙烯酸系樹脂並無特別限定，可列舉：將具有碳數30以下、特別是碳數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物等。上述烷基例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、 硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，形成上述聚合物的其他單體並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等各種含羧基的單體，順丁烯二酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等各種含羥基的單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等各種含磺酸基的單體，或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等各種含磷酸基的單體。
上述熱硬化性樹脂可列舉：酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該些熱硬化性樹脂可單獨使用或併用2種以上而使用。特佳為使半導體晶片腐蝕的離子性雜質等含有量較少的環氧樹脂。並且，環氧樹脂的硬化劑較佳為酚樹脂。
上述環氧樹脂若為通常用作黏著劑組成物的環氧樹脂，則並無特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆 型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等的二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油胺型等的環氧樹脂。該些環氧樹脂可單獨使用或併用2種以上而使用。該些環氧樹脂中特佳為清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。原因是該些環氧樹脂與作為硬化劑的酚樹脂富有反應性，並且耐熱性等優異。
而且，上述酚樹脂發揮出作為上述環氧樹脂的硬化劑的作用，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，可溶型酚樹脂，聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該些酚樹脂可單獨使用或併用2種以上而使用。該些酚樹脂中特佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。原因是可提高半導體裝置的連接可靠性。
上述環氧樹脂與酚樹脂的調配比例例如較佳為，以相對於上述環氧樹脂成分中的環氧基1當量而酚樹脂中的羥基為0.5當量~2.0當量的方式進行調配。更佳為酚樹脂中的羥基為0.8當量~1.2當量。即原因是，若兩者的調配比例超出上述範圍，則不會進行充分的硬化反應，而環氧樹脂硬化物的特性容易劣化。
另外，在本實施形態中，特佳為包含環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹脂的黏著膜12。該些樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，因此可確保半導體晶片的可靠性。此 時的調配比是相對於丙烯酸系樹脂成分100重量份而環氧樹脂與酚樹脂的混合量為10重量份~200重量份。
本實施形態的黏著膜12為了預先進行某種程度交聯，而在製作時可添加與聚合物的分子鏈末端的官能基等反應的多官能性化合物作為交聯劑。藉此提高在高溫下的黏著特性，並實現耐熱性的改善。
上述交聯劑可採用先前公知的交聯劑。特別是更佳為甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等聚異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於上述聚合物100重量份，通常較佳為設為0.05重量份~7重量份。若交聯劑的量多於7重量份，則黏著力降低而欠佳。另一方面，若交聯劑的量少於0.05重量份，則凝聚力不足而欠佳。另外，視需要可與此種聚異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其他多官能性化合物。
另外，黏著膜12中根據其用途可適當調配無機填充劑。無機填充劑的調配可賦予導電性或提高導熱性、調節彈性模量等。上述無機填充劑例如可列舉：包括二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬、或合金類，其他碳等的各種無機粉末。該些無機填充劑可單獨使用或併用2種以上而使用。其中較佳為使用二氧化矽，特佳為使用熔融二氧化矽。另外，無機填充劑的平均粒徑較佳為0.01μm~80μm的範圍內。
上述無機填充劑的調配量相對於有機成分100重量份，較佳為設定為0重量份~80重量份，更佳為設定為0重量份~70重量份。
另外，黏著膜12中視需要可適當調配其他添加劑。其他添加劑例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕捉劑等。上述阻燃劑例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該些阻燃劑可單獨使用或併用2種以上而使用。上述矽烷偶合劑例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該些化合物可單獨使用或併用2種以上而使用。上述離子捕捉劑例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。該些離子捕捉劑可單獨使用或併用2種以上而使用。
黏著膜12的厚度並無特別限定，例如為5μm~100μm左右，較佳為5μm~70μm左右。
半導體裝置用膜10可具有抗靜電能力。藉此，可防止半導體裝置用膜10黏著時及剝離時等產生靜電或因由此導致的半導體晶圓等的帶電而將電路破壞等。抗靜電能力的賦予可藉由在基材13、黏接劑層14或黏著膜12中添加抗靜電劑或導電性物質的方法，在基材13上附設包含電荷移動錯合物或金屬膜等的導電層等適當方式來進行。該些方式較佳為難以產生可能使半導體晶圓變質的雜質離子的方式。為了賦予導電性、提高導熱性等而調配的導電性物質(導電填料)可列舉：銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合 金等的球狀、針狀、薄片狀金屬粉，氧化鋁等金屬氧化物，非晶碳黑、石墨等。但是，上述黏著膜12就能實現不漏電的方面而言，較佳為非導電性。
黏著膜12由覆蓋膜2保護。覆蓋膜2具有作為保護黏著膜12直至供於實用為止的保護材料的功能。覆蓋膜2於在附切晶片的黏著膜的黏著膜12上貼著半導體晶圓時剝離。覆蓋膜2亦可使用：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或藉由氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑而進行表面塗佈的塑膠膜或紙等。
覆蓋膜2的厚度Ta就作業性、搬送性的觀點而言較佳為10μm~100μm，更佳為15μm~75μm，尤佳為25μm~50μm。
接著，以下對本實施形態的半導體裝置用膜10的製造方法進行說明。
本實施形態的半導體裝置用膜10的製造方法包括：在基材13上形成黏接劑層14而製作切晶膜11的步驟；在基材間隔件22上形成黏著膜12的步驟；將黏著膜12沖裁成與所貼附的半導體晶圓的形狀一致的形狀的步驟；將切晶膜11的黏接劑層14與黏著膜12作為貼合面進行積層的步驟；將切晶膜11沖裁成與環形架對應的圓形狀的步驟；藉由剝離黏著膜12上的基材間隔件22而製作附切晶片的黏著膜1的步驟；在覆蓋膜2上以特定間隔設置而貼合附切晶片的黏著膜1的步驟。
切晶膜11的製作步驟例如以如下所述方式進行。首 先，基材13可藉由先前公知的製膜方法而製膜。此製膜方法例如可例示：壓光製膜法、有機溶劑中的澆鑄法、密閉體系中的膨脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
接著，在基材13上塗佈黏接劑組成物溶液而形成塗佈膜後，使此塗佈膜於特定條件下乾燥(視需要進行加熱交聯)，而形成黏接劑層14。塗佈方法並無特別限定，例如可列舉：輥塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。另外，乾燥條件可根據塗佈膜的厚度或材料等而適當設定。具體而言，例如在乾燥溫度80℃~150℃、乾燥時間0.5分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，在第1間隔件21上塗佈黏接劑組成物而形成塗佈膜後，在上述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而可形成黏接劑層14。然後，在基材13上將黏接劑層14與第1間隔件21一起貼合。藉此製作由第1間隔件21保護黏接劑層14的切晶膜11(參照圖3的(a))。所製作的切晶膜11可具有捲繞成輥狀的長條形態。此時，較佳為以切晶膜11不產生鬆弛或捲繞失準、定位失準的方式於切晶膜11的長度方向或寬度方向施加拉伸張力並進行捲繞。但是，由於施加拉伸張力，切晶膜11會在殘存拉伸殘留應變的狀態下捲繞成輥狀。另外，在捲取切晶膜11時，有時切晶膜11因施加上述拉伸張力而延伸，但捲取並非是以延伸操作為目的的捲取。
在採用包含紫外線硬化型黏接劑、且預先經紫外線硬化的黏著劑層作為黏接劑層14時，以如下所述方式形成。 即，在基材13上塗佈紫外線硬化型黏接劑組成物而形成塗佈膜後，使此塗佈膜於特定條件下乾燥(視需要進行加熱交聯)，而形成黏接劑層。塗佈方法、塗佈條件、及乾燥條件可以與上述相同的方式進行。另外，在第1間隔件21上塗佈紫外線硬化型黏接劑組成物而形成塗佈膜後，於上述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而可形成黏接劑層。然後，在基材13上轉印黏接劑層。再於特定條件下對黏接劑層照射紫外線。紫外線的照射條件並無特別限定，通常較佳為累計光量為50mJ/cm2 ~800mJ/cm2 的範圍內，更佳為100mJ/cm2 ~500mJ/cm2 的範圍內。藉由將累計光量調節至上述數值範圍內，而可將黏著膜12與切晶膜11之間的剝離力F2控制在0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內。若紫外線的照射小於30mJ/cm2 ，則有黏接劑層14的硬化不充分，且與黏著膜12的剝離力變得過大的情況。其結果是與黏晶膜的密接性增大，而招致拾取性降低。並且在拾取後，有在黏著膜上產生糊劑殘留的情況。另一方面，若累計光量超過1000mJ/cm2 ，則有與黏著膜12的剝離力變得過小的情況。其結果是有在黏接劑層14與黏著膜12之間產生界面剝離的情況。其結果是有在半導體晶圓的切晶時產生晶片飛散的情況。並且，有對基材13造成熱損傷的情況。而且，黏接劑層14的硬化過度進行而使拉伸彈性模量變得過大，從而延伸性降低。另外，紫外線照射可在後述的與黏著膜12的貼合步驟後進行。此時，紫外線照射較佳為自基材13側進行。
黏著膜12的製作步驟按以下所述的方式進行。即，將用以形成黏著膜12的黏著劑組成物溶液以達到特定厚度的方式塗佈於基材間隔件22上而形成塗佈膜。然後，使塗佈膜在特定條件下乾燥，而形成黏著膜12。塗佈方法並無特別限定，例如可列舉輥塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。並且，乾燥條件可根據塗佈膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如在乾燥溫度70℃~160℃、乾燥時間1分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，在第2間隔件23上塗佈黏接劑組成物而形成塗佈膜後，可於上述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而形成黏著膜12。然後，在基材間隔件22上將黏著膜12與第2間隔件23一起貼合。藉此，製作在基材間隔件22上依序積層了黏著膜12及第2間隔件23的積層膜(參照圖3的(b))。此積層膜可具有捲繞成輥狀的長條形態。此時較佳為以黏著膜12不產生鬆弛或捲繞失準、定位失準的方式於黏著膜12的長度方向或寬度方向施加拉伸張力並捲繞。
接著，將黏著膜12沖裁成與所貼附的半導體晶圓的形狀一致的形狀，並貼合於切晶膜11。藉此獲得附切晶片的黏著膜1。即，自切晶膜11剝離第1間隔件21，並且自經沖裁的黏著膜12剝離第2間隔件23，並以黏著膜12與黏接劑層14成為貼合面的方式將兩者貼合(參照圖3的(c))。此時，對切晶膜11或黏著膜12的至少任一膜的周邊部施加拉伸張力並進行壓接。另外，在切晶膜11為經捲繞成輥狀的長條形態時，對於切晶膜11，較佳為不於切晶 膜11的長度方向極力施加拉伸張力而進行搬送。原因是抑制膜的拉伸殘留應變。但就防止切晶膜11產生鬆弛或捲繞失準、定位失準、空隙(氣泡)等的觀點而言，可在10N~25N的範圍內施加拉伸張力。若拉伸張力為此範圍內，切晶膜11即便殘存拉伸殘留應變，亦可防止於切晶膜11與黏著膜12之間產生界面剝離。
另外，切晶膜11與黏著膜12的貼合例如可藉由壓接來進行。此時，層壓溫度並無特別限定，通常較佳為30℃~80℃，更佳為30℃~60℃，特佳為30℃~50℃。並且，線壓並無特別限定，通常較佳為0.1kgf/cm~20kgf/cm，更佳為1kgf/cm~10kgf/cm。對於有機成分的玻璃轉移溫度為-20℃~50℃的範圍內的黏著膜12，將層壓溫度及/或線壓分別調整至上述數值範圍內，並與切晶膜11貼合，藉此可將黏著膜12與切晶膜11之間的剝離力F2控制在0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內。此處，例如藉由在上述範圍內提高層壓溫度，而可增大切晶膜11與黏著膜12之間的剝離力F2。並且，藉由在上述範圍內增大線壓，亦可增大剝離力F2。
接著，將黏著膜12上的基材間隔件22剝離，施加拉伸張力並貼合覆蓋膜2。接著，以特定間隔設置並將切晶膜11沖裁成與環形架對應的圓形狀。藉此，製作預先切割的附切晶片的黏著膜1以特定間隔設置而積層於覆蓋膜2的半導體裝置用膜10。
附切晶片的黏著膜1中的黏著膜12與覆蓋膜2的貼合 較佳為藉由壓接來進行。此時，層壓溫度並無特別限定，通常較佳為20℃~80℃，更佳為20℃~60℃，特佳為20℃~50℃。並且，線壓並無特別限定，通常較佳為0.1kgf/cm~20kgf/cm，更佳為0.2kgf/cm~10kgf/cm。對於有機成分的玻璃轉移溫度為-20℃~50℃的範圍內的黏著膜12，將層壓溫度及/或線壓分別調整至上述數值範圍內，並與覆蓋膜2貼合，藉此可將黏著膜12與覆蓋膜2之間的剝離力F1控制在0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內。此處，例如藉由在上述範圍內提高層壓溫度，而可增大附切晶片的黏著膜1與覆蓋膜2之間的剝離力F1。並且，藉由在上述範圍內增大線壓，亦可增大剝離力F1。並且對於覆蓋膜2，較佳為不於覆蓋膜2的長度方向極力施加拉伸張力而進行搬送。原因是抑制覆蓋膜2的拉伸殘留應變。但就防止覆蓋膜2產生鬆弛或捲繞失準、定位失準、空隙(氣泡)等的觀點而言，可在10N~25N的範圍內施加拉伸張力。若拉伸張力為此範圍內，則即便覆蓋膜2殘存拉伸殘留應變，亦可防止產生覆蓋膜2相對於附切晶片的黏著膜1的膜隆起現象。
另外，切晶膜11的黏接劑層14上所貼合的第1間隔件21、黏著膜12的基材間隔件22、及此黏著膜12上所貼合的第2間隔件23並無特別限定，可使用先前公知的經脫模處理的膜。第1間隔件21及第2間隔件23分別具有作為保護材料的功能。並且，基材間隔件22具有作為將黏著膜12轉印至切晶膜11的黏接劑層14上時的基材的功能。 構成該些各膜的材料並無特別限定，可採用先前公知的材料。具體而言，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或藉由氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈的塑膠膜或紙等。
本發明的黏著膜可用作黏晶膜、或覆晶型半導體背面用膜。覆晶型半導體背面用膜是為了形成於在被黏接體(例如導線架或電路基板等各種基板)上覆晶連接的半導體元件(例如半導體晶片)的背面而使用的膜。
實例
以下例示性詳細地說明本發明的較佳實例。但本實例所記載的材料或調配量等只要無特別限定性記載，則並非旨在將本發明的要旨僅限定於該些實例。另外，份表示重量份。
(實例1)
〈切晶膜的製作〉
在具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置的反應容器中，投入丙烯酸2-乙基己酯(以下稱為「2EHA」)88.8份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為「HEA」)11.2份、過氧化苯甲醯0.2份及甲苯65份，在氮氣流中在61℃進行6小時聚合處理，而獲得重量平均分子量為85萬的丙烯酸系聚合物A。2EHA與HEA的莫耳比為100mol：20mol。另外，重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測定，並藉由聚苯乙烯換算而算出的值。
於此丙烯酸系聚合物A中添加2-甲基丙烯醯氧基乙基 異氰酸酯(以下稱為「MOI」)12份(相對於HEA為80mol%)，在空氣流中在50℃進行48小時加成反應處理，而獲得丙烯酸系聚合物A'。
接著，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，而添加異氰酸酯系交聯劑(商品名「Coronate L」、日本聚胺酯(NIPPON POLYURETHANE)(股)製造)8份、及光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」、汽巴精化公司製造)5份，而製作黏接劑溶液。
將上述所製備的黏接劑溶液塗佈於PET剝離襯墊(第1間隔件)的實施了矽酮處理的面上，於120℃進行2分鐘加熱交聯，而形成厚度10μm的黏接劑層。接著，於此黏接劑層的表面貼合厚度100μm的聚烯烴膜(基材)。然後，在50℃保存24小時。
接著，將上述PET剝離襯墊剝離，僅對黏接劑層的與半導體晶圓貼附部分(直徑200mm的圓形狀)相當的部分(直徑220mm的圓形狀)直接照射紫外線。藉此製作本實例的切晶膜。另外，照射條件如下述所述。並且，藉由後述方法測定黏接劑層的拉伸彈性模量，結果是拉伸彈性模量為19.7MPa。
〈紫外線的照射條件〉
紫外線(UV)照射裝置：高壓水銀燈
紫外線照射累計光量：500mJ/cm2
輸出：120W
照射強度：200mW/cm2
〈黏著膜的製作〉
相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工業(股)製造、商品名；Paracron W-197CM、Tg：18℃)100份，而將異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯(股)製造、商品名；Coronate HX)2份、環氧樹脂(JER(股)製造、Epikote 1004)50份、酚樹脂(三井化學(股)製造、商品名；Milex XLC-3L)10份、作為無機填充劑的球狀二氧化矽(Admatechs(股)製造、商品名；SO-25R、平均粒徑0.5μm)30份溶解於甲基乙基酮，並調整為濃度為18.0wt%。另外，若藉由後述方法測定熱硬化前的黏著膜的拉伸彈性模量，則拉伸彈性模量為531MPa。
將此黏著劑組成物的溶液藉由噴注式塗佈機塗佈於脫模處理膜(基材間隔件)上而形成塗佈層，對此塗佈層直接噴射150℃、10m/s的熱風2分鐘使其乾燥。藉此於脫模處理膜上製作厚度為25μm的黏著膜。另外，脫模處理膜(基材間隔件)是使用對聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度為50μm)進行了矽酮脫模處理的脫模處理膜。
〈附切晶片的黏著膜的製作〉
接著，將上述黏著膜切出成直徑230mm的圓形狀，將上述切晶膜的黏接劑層與切出成圓形狀的黏著膜貼合。貼合是使用夾輥，在貼合條件為層壓溫度50℃、線壓3kgf/cm的條件下進行貼合，再將黏著膜上的基材間隔件剝離並貼合作為脫模處理膜(覆蓋膜)的經矽酮脫模處理的 聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度38μm)。此時，為了防止產生定位失準、空隙(氣泡)等，而使用張力調節輥對覆蓋膜於MD方向施加17N的拉伸張力，並且不施加層壓溫度而以線壓2kgf/cm進行貼合，而製作附切晶片的黏著膜。
〈半導體裝置用膜的製作〉
接著，以黏著膜成為中心的方式將切晶膜沖裁成直徑270mm的圓形狀，藉此獲得隔開10mm的間隔而貼合有200片附切晶片的黏著膜的本實例的半導體裝置用膜。
(實例2)
〈切晶膜的製作〉
本實例的切晶膜是使用與上述實例1相同的切晶膜。
〈黏著膜的製作〉
相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工業(股)製造、商品名；Paracron W-197C、Tg：18℃)100份，將異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯(股)製造、商品名；Coronate HX)4份、環氧樹脂(JER(股)製造、Epikote 1004)30份、酚樹脂(三井化學(股)製造、商品名：Milex XLC-3L)15份、作為無機填充劑的球狀二氧化矽(Admatechs(股)製造、商品名；SO-25R、平均粒徑0.5μm)60份溶解於甲基乙基酮，並調整為濃度為18.0wt%。另外，若藉由後述方法測定熱硬化前的黏著膜的拉伸彈性模量，則拉伸彈性模量為224MPa。
〈半導體裝置用膜的製作〉
本實例2的半導體裝置用膜除了使用上述黏著膜以外，以與本實例1相同的方式貼合經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度38μm)，藉此製作半導體裝置用膜。
(實例3)
〈切晶膜的製作〉
本實例的切晶膜除了將乾燥後的黏接劑層的厚度設為5μm，將所使用的聚烯烴膜(基材)的厚度設為40μm，將切晶膜的總厚設為45μm以外，以與上述實例1相同的方式製作本實例的切晶膜。
〈黏著膜的製作〉
本實例的黏著膜是使用與上述實例1相同的黏著膜。
〈半導體裝置用膜的製作〉
本實例3的半導體裝置用膜除了使用上述切晶膜以外，以與本實例1相同的方式貼合經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度100μm)，藉此製作半導體裝置用膜。
(實例4)
〈切晶膜的製作〉
本實例的切晶膜除了將乾燥後的黏接劑層的厚度設為10μm，將所使用的聚烯烴膜(基材)的厚度設為150μm，將切晶膜的總厚設為160μm以外，以與上述實例1相同的方式製作本實例的切晶膜。
〈黏著膜的製作〉
本實例的黏著膜是使用與上述實例1相同的黏著膜。
〈半導體裝置用膜的製作〉
本實例4的半導體裝置用膜除了使用上述切晶膜以外，以與本實例1相同的方式貼合經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度12μm)，藉此製作半導體裝置用膜。
(實例5)
〈切晶膜的製作〉
本實例的切晶膜除了將乾燥後的黏接劑層的厚度設為5μm，將所使用的聚烯烴膜(基材)的厚度設為75μm，將切晶膜的總厚設為80μm以外，以與上述實例1相同的方式製作本實例的切晶膜。
〈黏著膜的製作〉
本實例的黏著膜是使用與上述實例1相同的黏著膜。
〈半導體裝置用膜的製作〉
本實例5的半導體裝置用膜除了使用上述切晶膜，將層壓溫度設為50℃，將線壓設為5kg/cm以外，以與本實例1相同的方式貼合經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度75μm)，藉此製作半導體裝置製造用膜。
(比較例1)
〈切晶膜的製作〉
本比較例的切晶膜除了將乾燥後的黏接劑層的厚度設為50μm，將所使用的聚烯烴膜(基材)的厚度設為150μm，將切晶膜的總厚設為200μm以外，以與上述實例1 相同的方式製作本比較例的切晶膜。
〈半導體裝置用膜的製作〉
本比較例1的半導體裝置用膜除了使用上述切晶膜，將層壓溫度設為60℃，將線壓設為5kg/cm以外，以與本實例1相同的方式貼合經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度12μm)，藉此製作半導體裝置用膜。
(比較例2)
〈切晶膜的製作〉
本比較例的切晶膜除了將乾燥後的黏接劑層的厚度設為15μm，將所使用的聚烯烴膜(基材)的厚度設為40μm，將切晶膜的總厚設為55μm以外，以與上述實例1相同的方式製作本比較例的切晶膜。
〈半導體裝置用膜的製作〉
本比較例2的半導體裝置用膜除了使用上述切晶膜以外，以與本實例1相同的方式貼合經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度150μm)，藉此製作半導體裝置用膜。
(剝離力的測定)
各實例及比較例中所得的半導體裝置用膜中黏著膜與覆蓋膜之間的剝離力、切晶膜與黏著膜之間的剝離力、及覆蓋膜與切晶膜(黏接劑層)之間的剝離力的測定，是在溫度23±2℃、相對濕度55±5%Rh、剝離速度300mm/min的條件下，藉由T型剝離試驗(JIS K6854-3)進行。並且，拉伸試驗機是使用商品名「自動立體測圖儀AGS-H」(島 津製作所(股)製造)。
(黏接劑層的拉伸彈性模量)
黏接劑層的拉伸彈性模量的值是藉由以下測定方法而得的值。即，將黏接劑層14切出長度30.0mm、寬度10.0mm、剖面積0.1mm2 ~0.5mm2 的樣品。對此樣品以測定溫度23℃、夾頭間距離20mm、拉伸速度50mm/min於MD方向進行拉伸試驗，測定由此樣品伸長所致的變化量(mm)。藉此，於所得的S-S(Strain-Strength)曲線中，對曲線的初始上升部分畫切線，將相當於此切線伸長100%時的拉伸強度除以剖面積，將所得的值作為黏接劑層的拉伸彈性模量。
(熱硬化前的黏著膜的拉伸彈性模量)
將實例及比較例中的黏著劑組成物以達到100μm的方式塗佈於實施了脫模處理的剝離襯墊上，而獲得切晶膜。使用黏彈性測定裝置(Rheometrics公司製造：型號：RSA-II)對此黏著膜測定23℃的拉伸彈性模量。更詳細而言，將樣品尺寸設為長度30mm×寬度5mm×厚度0.1mm，將測定試樣設置於膜拉伸測定用夾具上，並於-30℃~280℃的溫度區域於頻率10.0Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/min的條件下進行測定。
(界面剝離及膜隆起的有無)
各實例及比較例中所得的半導體裝置用膜的膜隆起的確認如以下所述方式進行。即，將各半導體裝置用膜於溫度-30±2℃的冷藏庫中放置120小時。再於溫度23±2℃、 相對濕度55±5%Rh的環境下放置24小時。然後確認半導體裝置用膜的各膜間有無界面剝離及膜隆起。評價基準是將以目視未觀察到界面剝離或膜隆起的情況設為○，將觀察到界面剝離或膜隆起的情況設為×。
(安裝後的空隙的有無)
各實例及比較例中所得的半導體裝置用膜的空隙的有無以如下所述的方式進行確認。即，自各半導體裝置用膜分別剝離覆蓋膜，並於黏著膜上安裝半導體晶圓。半導體晶圓是使用大小為8英吋、厚度為75μm的半導體晶圓。半導體晶圓的安裝條件如以下所述。
〈貼合條件〉
貼附裝置：ACC(股)製造、商品名；RM-300
貼附速度計：50mm/sec
貼附壓力：0.2MPa
貼附溫度：50℃
接著，藉由顯微鏡確認在附切晶片的黏著膜與半導體晶圓的貼合面有無空隙(氣泡)。將結果示於下述表1。
(拾取的評價)
自各半導體裝置用膜分別剝離覆蓋膜，在黏著膜上安裝半導體晶圓。半導體晶圓是使用大小為8英吋、厚度為75μm的半導體晶圓。半導體晶圓的安裝條件與上述相同。
接著，根據下述條件進行半導體晶圓的切晶，而形成30個半導體晶片。接著，將半導體晶片與黏著膜一起拾取。拾取是對30個半導體晶片(縱10mm×橫10mm)進 行，對無破損且成功拾取半導體晶片的情形進行計數並算出成功率。將結果示於下述表1。另外，比較例1中，在藉由安裝機的貼合時，覆蓋膜與黏著膜未剝離而發生多次搬送錯誤(無法分離)。拾取條件如以下所述。
〈切晶條件〉
切晶方法：階梯切割
切晶裝置：DISCO DFD6361(商品名、DISCO股份有限公司製造)
切晶速度：30mm/sec
切晶刀片：Z1；DISCO公司製造「NBC-ZH2030-SE27HCD」
Z2；DISCO公司製造「NBC-ZH1030-SE27HCB」
切晶刀片轉速：Z1；40,000rpm、Z2；45,000rpm
切晶膠帶切入深度：20μm
晶圓晶片尺寸：10mm×10mm
〈拾取條件〉
拾取裝置：商品名「SPA-300」新川公司製造
針數：9根
上推量：300μm
上推速度：10mm/秒
拉下量：3mm
〈冷藏保存一個月後的因捲痕轉印所致的空隙有無的評價〉
將捲取張力設為2kg而將各實例、及比較例中所得的 半導體裝置用膜捲取成輥狀。接著，於此狀態下，於溫度5℃的冷藏庫內放置一個月。然後，恢復至室溫後解除輥，使用第100片附切晶片的黏著膜，進行半導體晶圓的安裝，並目視確認有無空隙。半導體晶圓是使用大小為8英吋、厚度為75μm的半導體晶圓。另外，貼合條件與上述安裝後的空隙評價相同。將結果示於表1。
另外，表1中的剝離力F1表示附切晶片的黏著膜與覆蓋膜之間的剝離力，剝離力F2表示切晶膜與黏著膜之間的剝離力，剝離力F3表示覆蓋膜與切晶膜(黏接劑層)之間的剝離力。
(結果)
如根據表1可明白，若為實例1~實例5的半導體裝 置用膜，則於半導體晶圓剛安裝後，未確認到空隙。並且，在捲繞而冷藏保存一個月時，未確認到因捲痕轉印所致的空隙。並且，藉由安裝機裝置貼合於半導體晶圓時，可將附切晶片的黏著膜與覆蓋膜較佳地剝離(分離)。相對於此，比較例1的半導體裝置用膜中，在半導體晶圓剛安裝後，確認到空隙。並且，捲繞而冷藏保存一個月時，確認到因捲痕轉印所致的空隙。並且亦確認到覆蓋膜的膜隆起的現象。並且，在半導體晶圓的安裝時，覆蓋膜未自半導體裝置用膜剝離且發生多次搬送錯誤。並且在半導體晶圓的切晶時產生晶片飛散或碎屑。並且，在比較例2的半導體裝置用膜中，雖然拾取性良好，但在半導體晶圓剛安裝後，確認到空隙。並且，捲繞而冷藏保存一個月時，確認到因捲痕轉印所致的空隙。並且，亦確認到覆蓋膜的膜隆起的現象。
1‧‧‧附切晶片的黏著膜
2‧‧‧覆蓋膜
10‧‧‧半導體裝置用膜
11‧‧‧切晶膜
12‧‧‧黏著膜
13‧‧‧基材
14‧‧‧黏接劑層
19‧‧‧階差
21‧‧‧第1間隔件
22‧‧‧基材間隔件
23‧‧‧第2間隔件
圖1的(a)是表示本實施形態的半導體裝置用膜的概要的平面圖，圖1的(b)是半導體裝置用膜的部分剖面圖。
圖2是將圖1的(a)~(b)所示的半導體裝置用膜捲繞成輥狀的狀態的部分剖面圖。
圖3的(a)~(c)是用以說明上述半導體裝置用膜的製造過程的概要圖。
1‧‧‧附切晶片的黏著膜
2‧‧‧覆蓋膜
10‧‧‧半導體裝置用膜
11‧‧‧切晶膜
12‧‧‧黏著膜
13‧‧‧基材
14‧‧‧黏接劑層

Claims (3)

  1. 一種半導體裝置用膜，其是在切晶膜上積層了黏著膜的附切晶片的黏著膜以特定間隔設置而積層於覆蓋膜上的半導體裝置用膜，其特徵在於：將上述覆蓋膜的厚度設為Ta，將上述切晶膜的厚度設為Tb時，Ta/Tb為0.07~2.5的範圍內，且在溫度23±2℃、剝離速度300mm/min的條件下的T型剝離試驗中，上述黏著膜與上述覆蓋膜之間的剝離力F1為0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，上述黏著膜與上述切晶膜之間的剝離力F2為0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，上述F1與上述F2滿足F1<F2的關係。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置用膜，其中上述覆蓋膜的厚度Ta為10μm~100μm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體裝置用膜，其中上述切晶膜的厚度Tb為25μm~180μm。
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