TWI327105B - Thermal adhesive polyester film, production method of ic card or ic tag using it, and ic card or ic tag - Google Patents

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1327105 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關，適用作1C卡或1C標籤的構成材料之 熱黏著性聚酯薄膜、用它之1C卡或1C標籤之製法、及 1C卡或1C標籤》 【先前技術】 近年來，利用內建1C晶片之卡、標籤作資訊管理之 系統開始普及》用於這些之卡'標籤一般稱爲「1C卡」、 「1C標籤」，因較之習知印刷·筆記式、磁記錄式之卡. 標籤等，能記錄•保持更多資訊而有用，已開始活用於 人、物等各種資訊之管理運用諸領域》 構成1C卡或1C標籤之塑膠材料，向來以聚氯乙烯 (PVC)爲主。然而近年來因環境問題，改用不含鹵素之 材質深受期待，卡之主流構成素材已由聚酯系樹脂取 代。聚酯系樹脂構成之片或膜，因係非晶性且加工特性 與PVC相近，主要係用含1，4 -環己烷二甲醇共聚成分 之共聚酯（PETG)之無配向片，或因泛用性主要係用雙軸 延伸聚對酞酸乙二酯（PET)膜。然而，現況係這些片及 膜各有難解之問題。 例如，無配向PETG之耐熱性不足。此乃因構成片之 聚酯，分子鏈未經延伸配向，上述薄片於加熱之際，在 玻璃轉移溫度附近急遽軟化變形。故1C卡或1C標籤在 烈曰下長久放置於汽車儀表板，收藏在西裝口袋不慎將 該西裝洗滌•熱風乾燥，或裝載於貨運船艙運往熱帶地 1327105 區時，1C卡或1C標籤因熱發生尺寸變化、變形、 剝落等，外觀、功能受損。 爲改善該耐熱性，近年來有時係用PETG添加 酯等之無配向片。然而，該薄片耐藥物性稍差’ 卡或1C標籤時若使用溶劑系黏著劑、溶劑系印 會變形、變色，有外觀、功能受損之問題。 而雙軸延伸PET膜耐藥物性、耐熱性優良。 雙軸延伸PET膜彈性模量大，難以變形’無法吸 自1C卡或1C標籤內部構造（1C晶片、電路等）之 有晶片、電路之形狀浮出1C卡或1C標籤表面之 若有如此之凹凸在1C卡或1C標籤表面，則外觀 佳，搬運之際與其它物品摩擦而印刷面被抹掉， 它物品則表層剝落等，外觀、功能受損。 雙軸延伸PET膜非如PVC片、PETG片之具有 著性，熱壓、熱積層無法黏著。因此爲積層雙軸延 膜製造1C卡或1C標籤，各膜間需以熱熔系黏著 加工。使用雙軸配向膜形成1C卡或1C標籤步驟 有工作性、收率差之問題。 爲使這些各素材之缺點互補，有將雙軸延伸 與無配向PETG片貼合的方法之提議。然而，爲 貼合，需使用熱熔黏著劑，上述問題依然無解。 無配向PETG片難以高精度製造出薄片》而通常 通之無配向PETG片厚度超過100//m。因此， PETG片所占1C卡或1C標籤構造厚度比率高^ 捲曲、 聚碳酸 製造1C 墨，則 然而， 收產生 凹凸| 問題》 自然不 卡住其 自我黏 伸PET 劑插入 繁雜， PET膜 將這些 -般， 市場流 無配向 因而將 1327105 無配向PETG片如上貼合之構造，卡整体之耐熱性不能 充分改善。且需複數之膜、片貼合步驟。故製程複雜， 於品質安定性、製造成本不佳。 本發明提議，較之習知貼合雙軸延伸PET膜與無配 向PETG片之方法，耐熱性、耐藥物性、凹凸吸收性、 熱黏著性之均衡更佳，於雙軸延伸聚酯膜之一面或兩面 積層特定熱黏著性樹脂層構成之熱黏著性聚酯薄膜。 類似本發明之層構造之膜，向來主要係用於包裝材料 之熱黏著性聚酯膜。例如有，如下關於熱黏著性聚酯膜 之發明的揭示。 (1) 含空洞之聚酯膜表面積層以聚對酞酸丁二酯/聚氧化 四亞甲基共聚物構成之隔熱性包裝材料膜（參考例如 專利文獻1) (2) 聚酯膜表面積層以結晶性聚酯與低結晶性共聚醋之 混合物構成之包裝材料用或電絕緣用膜（參考例如專 利文獻2) (3) 聚酯膜表面積層以二種共聚酯樹脂之混合樹脂之包 裝材料膜（參考例如專利文獻3、4) (4) 含空洞之聚酯膜表面，至少塗以一種共聚酯樹脂混合 之樹脂之包裝材料用或印刷材料用膜（參考例如專利 文獻5、6) (5) 聚酯膜表面積層以共聚酯樹脂與氧化矽粒子之混合 物之金屬板積層物或包裝材料膜（參考例如專利文獻 7~10) 1327105 (6)聚酯膜表面塗以共聚酯樹脂或共聚胺甲酸乙醋樹 脂，與氧化矽粒子、碳酸鈣粒子、沸石粒子等之混合 物之電容器用膜（參考例如專利文獻1 1 ~ 1 4) 專利文獻1 :日本專利特開昭56-4564號公報 專利文獻2 :特開昭58- 1 2 1 53號公報 專利文獻3 :特開平1 -2 3 7 1 3 8號公報 專利文獻4 :日本專利348469 5號公報 專利文獻5 :日本專利33 1 48 1 4號公報 專利文獻6 :日本專利3 3 1 4 8 1 6號公報 專利文獻7 :特開平7- 1 32580號公報 專利文獻8:特開20 01-293832號公報 專利文獻9 :特開2004- 1 88622號公報 專利文獻10:特開2004-203905號公報 專利文獻1 1 :特開2000-30969號公報 專利文獻12:特開2001-307945號公報 專利文獻13 :特開2002-79637號公報 專利文獻14:特開2003-142332號公報 這些發明構造本身雖類似，而本發明之熱黏著性聚醋 薄膜之課題之一，凹凸吸收性卻未能滿足。亦即，以結 晶性共聚酯用作熱黏著層之主要構成成分者（專利文獻 2、7~10)，熱黏著層之變形不足。因而用作1C卡或1C 標籤之芯片之必要凹凸吸收性不足。而藉塗敷法設熱黏 著層之發明（專利文獻5、6、11〜14)因熱黏著層薄，用 作1C卡或1C標籤之芯片之必要凹凸吸收性不足。而以 1327105 非晶性共聚酯用作熱黏著層之主要構成成分者（專利文 獻1、3、4)因熱黏著層厚且膜之滑性差，得不到通常膜 之取用上所需之滑性。熱黏著層厚者因基材與熱黏著層 之組成不同，剛製膜後、保存後、後加工步驟之熱處理 時易起捲曲。因而必須特地注意膜之捲曲（平面性）。然 而，上述專利文獻之技術範圍無法安定控制捲曲。 亦即習知技術中，凹凸吸收性、熱黏著性及滑性難以 兼具。其技術上之理由應係如下。 通常，藉樹脂之變形吸收凹凸時，樹脂以用非晶性者 爲有利。從熱黏著性之觀點，以用樹脂結晶程度適當 之，軟化溫度低者爲有利。 然而已知，使用如此之樹脂製造雙軸延伸膜時，難得 滑性。亦即，使一般用於改良膜之滑性之數/zm以下之 無機粒子、有機粒子含於膜中，以非晶性樹脂用作薄膜 原料之雙軸延伸膜，膜表面仍不得充分之凹凸。因此， 膜之滑性不足。 其原因雖不明確，但應係低結晶性樹脂於膜之熱固定 處理步驟中實質上近乎熔融狀態。此時膜表面凹凸小， 表面積亦即表面自由能因表面張力而縮小，粒子埋沒於 樹脂中。 爲改善滑性，使用大粒徑之粒子時，因大粒子之突 出，膜之底面部分產生接觸不良之區域，有時熱黏著性 不足。膜之製程、加工步驟中大粒子脫落，會有製程之 污染，膜、片強度下降。 1327105 對此，以無配向PETG片爲首之無配向片，片本身可 施以軋花加工形成巨觀之凹凸，造成滑性。然而，使用 如本發明，耐藥物性、耐熱性優良之雙軸延伸聚酯膜 時，因係具剛性之膜，難以作軋花加工，無法採用如同 無配向片之方法。 【發明內容】 發明所欲解決的課題 本發明之目的在提供，具環境適性（不含_素）、耐熱 性、耐藥物性，且熱黏著性、凹凸吸收性、滑性獲改善 之構成1C卡或1C標籤的熱黏著性聚酯薄膜。並提供捲 曲小，平面性優良之熱黏著性性聚酯薄膜。 用以解決課題的手段 可以解決上述課題的，本發明之第1發明係於雙軸延 伸聚酯膜之一面或兩面’積層熱黏著層而成之熱黏著性 聚酯薄膜’其特徵爲熱黏著層厚5〜30yin，係由玻璃轉 移溫度50 ~95°C之非晶性聚酯樹脂a及與其不相溶之熱 塑性樹脂B的混合物構成，熱塑性樹脂b乃（a)熔點50 ~180C之結晶性樹脂、（b)玻璃轉移溫度-50 ~15〇eC之 非晶性樹脂、（c)或該等之混合物中任―，並以1〜質 量％含於熱黏著層中。 第2發明係如第1發明的熱黏著性聚醋薄膜，其中雙 軸延伸聚酯膜係內部含有白色顏料及微細空洞之一或 二者之白色聚酯膜。 第3發明係如第1發明的熱黏著性聚醋薄膜，其中於 -10- 1327105 雙軸延伸聚酯膜兩面積層熱黏著層，其一熱黏著層爲 a，另一熱黏著層爲b(厚度同熱黏著層a或比熱黏著層a 薄）時，上述熱黏著層厚度之比（熱黏著層a厚度/熱黏著 層b厚度）在1. 0〜2. 0，且膜之加熱處理後（110°C，無荷 重下30分鐘）之捲曲値在5mm以下。 第4發明係如第1或第2發明的熱黏著性聚酯薄膜， 其中膜內部含多數微細空洞| (a)膜之表觀密度0. 7-1. 3 g/cm3，（b)厚度 50 ~350 〆！!！，（c)光學濃度 0· 5 〜3. 0 或 透光率25〜98 %。 第5發明係如第1發明的熱黏著性聚酯薄膜，其中熱 黏著層表面滿足下述式（1)~(3)。 1. 0 ^ Stl ^ 10. 0 ----(1) 3. 0 ^ Stl/Sal ^ 20 · · · (2) 0. 001 ^ St2^ 3. 000 · · . (3) 上述式U)~(3)中，Sal指熱黏著層表面之算數平均表 面粗度，Stl指最大高度。St2指以算數平均表面粗度 0.001/zm以下之2片潔淨玻璃板夾膜，溫度i〇〇°c壓力 1 MPa之條件下熱壓處理1分鐘後熱黏著層表面之算數 平均表面粗度。而Sal、Stl、St2之單位皆係；zm。 第6發明係如第1發明的熱黏著性聚酯薄膜，其中其 正面與反面間之摩擦係數在0. 1〜0. 8，熱壓賦形性滿足 (4)及（5)。 (4) 賦形率：40〜105% (5) 賦形部外緣梯度：20〜1000% 1327105 賦形率係將天線電路或銅箔片載置於熱黏著層表 面，熱壓後，常溫常壓下去除天線電路或銅箔片時，天 線電路或銅箔片造成之熱黏著層凹陷深度，賦形部外緣 梯度係該凹陷外緣壁面之梯度。 第7發明係其特徵爲，於塑膠膜設天線電路及1C晶 片之插入物的一面或兩面配置如第1發明之熱黏著性聚 酯薄膜，介著熱黏著性聚酯薄膜之熱黏著層將插入物熱 壓黏著成芯片用作構成要素之1C卡或1C標籤之製法。 第8發明係其特徵爲含，於塑膠膜設天線電路及1C 晶片之插入物的一面或兩面積層如第1發明之熱黏著性 聚酯薄膜，介著熱黏著性聚酯薄膜之熱黏著層將插入物 黏著成芯片作爲構成要素之1C卡或1C標籤》 第9發明係如第8發明之ic卡或1C標籤，其中於芯 片兩面積層聚酯片或雙軸延伸聚酯膜。 第10發明係如第8或第9發明之1C卡或1C標籤， 其中膜之表觀密度爲0. 7 g/cm3以上未達1. 3 g/cm3。 第1 1發明係如第8或第9發明之1C卡或1C標籤， 其中透光率爲10%以上98%以下。 第1 2發明係如第8或第9發明之1C卡或1C標籤， 其中透光率爲0 · 0 1 %以上5 %以下。 發明效果 本發明之熱黏著性聚酯薄膜兼具習知1C卡用之各種 材質 '熱黏著性聚酯薄膜無法達成之（a)凹凸吸收性與環 境適性（不含鹵素）、耐熱性、耐藥物性，（b)凹凸吸收性 -12- 1327105 與熱黏著性，（C)熱黏著性與滑性、平面性（減少捲曲）等 相反特性" (各構造及作用效果） 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，因基材係用雙軸延伸聚 酯膜’用於1C卡或1C標籤時環境適性（不含鹵素）、耐 熱性、耐藥物性優良β 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，因於雙軸延伸聚酯膜之 一面或兩面設有適當厚度之非晶性聚酯樹脂及與其不 相溶之熱塑性樹脂之混合物構成之特定熱黏著層，用於 1C卡或1C標籤芯片時，熱黏著性及凹凸吸收性優良。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，熱黏著層厚度係調整於 適當範圍，並係非晶性聚酯樹脂，分子鏈成延伸配向構 造。因而加工後1C卡或1C標籤之熱變形可改善至實用 上無問題之範圍。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，因使熱黏著層含特定之 聚酯及不相溶之熱塑性樹脂，膜表面之表面張力（表面 自由能）及表面粗度（表面突起）可控制於適當範圍，由製 膜至使用，可得必要之取用性，亦即滑性。 熱黏著層中，熱塑性樹脂形成之突起，即使係大突起 亦幾乎不脫落，少有引起製程污染之虞》以低熱壓溫度 作熱黏著之際亦可軟化變形而平坦化，添加如以往之大 粒徑無機·有機粒子之際，不起熱黏著性下降。又因變 形合理度大於無機•有機粒子，少有膜強度下降之疑 慮β -13- 1327105 使用本發明之熱黏著性聚酯薄膜製造之卡'標 切實內建構成1C卡或1C標籤之電器零件·電路°此 本發明具有熱壓加工時適度軟化變形之熱黏著層’並 熱黏著層以島成分（粒狀分散體）含有於其無妨之溶點 玻璃轉移溫度的聚合物之故。因此，本發明之熱黏著 聚酯薄膜可保有滑性，並具有能切實吸收1C晶片、 屬箔電路等之凹凸的賦形性。 以本發明之熱黏著性聚酯薄膜用作1C卡或1C標籤 構成材料時可得必要之平面性。此乃熱黏著層厚度及 材膜厚經調整，且膜表裡之熱收縮率、線膨脹係數控 在適當範圍，後加工步驟中發生之捲曲減少之故。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜可依含空洞之聚醋膜 習知製造技術，使膜中含多數微細空洞。此於以往 PVC ' PETG有困難。藉此，熱黏著性聚酯薄膜之表觀 度’亦即，空洞含量可調節於適當範圍。 使膜中適度含有微細空洞，可有效付與1C卡或IC 籤輕量性、柔軟性、緩衝性及筆記性。以含空洞之聚 膜用作材料，1C卡或1C標籤落入水中、海中亦不立 下沈。因之在多有遺失1C卡或1C標籤之意外時可免 失。含空洞之聚酯膜較之不含空洞之聚酯膜或片，表 介電常數低。因之以HF帶或SHF帶之高頻通信時介 損失少。亦即以含空洞之聚酯膜用作材料，1C卡或 標籤因增益高，於通信精度、通信距離、省電上有效 —般，實用性受重視之1C卡或IC標籤，透光率低

可 乃 於 性 金 之 基 制 之 之 密 標 酯 即 遺 觀 電 1C -14- 1327105 隱蔽性高者於印刷鮮明度、安全上較佳。g 節目性要求之用途，有時係以用內部電路 明度者爲佳。此時，熱黏著性聚酯薄膜之 之雙軸延伸聚酯。本發明係以非晶性聚酯 相溶之非晶性熱塑性樹脂之混合物構成熱 著層之透明度提升。此乃熱黏著層不含光 折射率之結晶性樹脂成分之故。 【實施方式】 本發明之熱黏著性聚酯薄膜係於雙軸 一面或兩面，積層熱黏著層而成，其特徵 5〜3 0 # m，係由玻璃轉移溫度5 0 ~ 9 5 °C之非 A及與其不相溶之熱塑性樹脂B之混合物 樹脂B乃U)熔點5 0~180°C之結晶性樹脂 溫度 -5 0~150°C之非晶性樹脂、（c)或該 任一，並以1〜30質量％含於熱黏著層中。 本發明之1C卡或1C標簸之製法其特指 設天線電路或1C晶片之插入物的一面或 熱黏著性膜，介著熱黏著性膜之熱黏著層 黏著成芯片用作構成要素。 本發明之1C卡或1C標籤其特徵爲含有 線電路及1C晶片之插入物的一面或兩面 著性膜，介著熱黏著性膜之熱黏著層將插 芯片作爲構成要素。更佳之實施形態係於 聚酯片或雙軸延伸聚酯膜之1C卡或1C標 ^而，有時尙、 積極可見之透 基材係用透明 樹脂及與其不 黏著層，熱黏 學異方性及高 延伸聚酯膜之 爲熱黏著層厚 晶性聚酯樹脂 構成，熱塑性 、（b)玻璃轉移 等之混合物中 女爲，於塑膠膜 兩面配置上述 將插入物熱壓 於塑膠膜設天 積層上述熱黏 入物黏著成之 芯片兩面積層 籤。 1327105 以下詳細說明本發明之實施形態。 [膜之構造] 本發明之熱黏著性聚酯薄膜之構造爲，於基材及該基 材之一面或兩面積層有熱黏著層。基材係用雙軸延伸聚 酯膜，環境適性（不含鹵素）之外耐熱性、耐藥物性、強 度、剛性等皆屬重要。藉此，這些特性比向來所用之無 配向PVC片、PETG片等飛躍提升》 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，其一面或兩面有熱黏著 層至爲重要。此所謂熱黏著層係加熱條件下，能與構成 1C卡或1C標籤之塑膠膜或片、金屬膜、形成於這些表 面之各種塗層熱黏著之層。將該熱黏著層積層於基材， 即可付與如同習知1(：卡或1C標籤之素材PVC、PETG 等之熱黏著性。要點係該熱黏著層之厚度爲每層 以上30/zm以下。熱黏著層之厚度未達5/zm時熱黏著 性及凹凸吸收性不足。而熱黏著層之厚度超過30//m 時’如同習知以PETG用作材料之卡，耐熱性、耐藥物 性差。熱黏著層厚度之下限以8ym爲更佳，10//m尤 佳。而熱黏著層厚度之上限以25 爲更佳，20//m尤 佳。 將熱黏著層設於基材表面之手段無特殊限制，爲安定 積層成上述厚度，雙軸延伸聚酯膜之製程中，以用原料 之溶融押出時將2種樹脂共押出、積層之方法，所謂共 押出法製造未延伸片爲佳。從於熱黏著層付與適度耐熱 性之觀點，以於延伸步驟前積層，將熱黏著層及基材（雙 -16- 1327105 軸延伸聚酯膜）層一倂延伸加工爲佳。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，爲抑制膜之捲曲，係以 於基材兩面設熱黏著層爲較佳實施形態。本發明中熱黏 著層主要由非晶性樹脂構成，與以結晶性聚酯樹脂爲主 體之基材熱膨脹係數大大不同。因此，僅於基材之—面 設熱黏著層時隨加工條件、使用條件有時會如雙金屬捲 曲，有平面性 '取用性不良之虞。於基材兩面設熱黏著 層時，表裡熱黏著層厚度比以〇· 5以上2. 0以下爲佳。 超出該範圍則因上述理由會發生捲曲。發生捲曲時，無 荷重狀態下於ll〇°C加熱處理30分鐘後，捲曲値若在 5 mm以下實質上亦無礙於取用性。更佳者捲曲値3 mm 以下，1mm以下尤佳。 抑制捲曲之又一方法有，於薄膜表裡積極付與溫差、 熱量差，結果使捲曲値近乎零之方法。具體係於縱延 伸、橫延伸等延伸步驟及熱固定步驟，使薄膜表裡之溫 度或熱量爲不同値，獨立控制薄膜表裡之配向度，使薄 膜表裡構造、物性均衡。其結果可降低捲曲値。使用此 方法時，膜之縱延伸步驟之加熱•冷卻過程中，將薄膜 表裡加熱之輥、紅外線加熱器之溫度易於調整，乃較佳 方法。

本發明之熱黏著性聚酯薄膜，全体厚度以50 以 上35〇vm以下爲佳。全体厚度之下限以70//m爲更佳’ 90//m尤佳。而全体厚度之上限係以280 /zm爲更佳， 200 #m尤佳。薄膜全体厚度未達50//m時1C卡或1C -17- 1327105 標籤之基材厚度不足，無助於提升卡整体之耐熱性。而 薄膜全体厚度超過時卡之標準厚度UIS規格爲 0. 76mm)與其它片、膜、電路之組合受限。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，爲改善熱黏著性、滑 性，或爲付與抗靜電性等其它功能，亦可於表面設塗 層。構成塗層之樹脂、添加劑有聚酯樹脂、聚胺甲酸乙 酯樹脂、聚酯聚胺甲酸乙酯樹脂、丙烯醯系樹脂等，通 常用以提升聚酯膜之黏著性之樹脂，或提升抗靜電性之 抗靜電劑等。由這些樹脂、添加劑選出之較佳者係，對 於本發明之熱黏著性聚酯薄膜，及積層於它之材料的親 和性高者。具體而言以選用表面張力、溶解度參數相近 之樹脂、添加劑爲佳。唯厚塗有硬化性樹脂時必須注意 以免有損於本發明之重要效果，凹凸吸收性。 設以塗層之方法可用凹輥塗敷方式、觸接塗敷方式、 浸沾方式、噴塗方式、幕塗方式、氣刀塗敷方式、刮刀 塗敷方式、反向輥塗方式等常用方法。依塗敷階段可 係’膜延伸前塗敷之方法' 縱延伸後塗敷之方法、配向 處理完於膜表面塗敷之方法等任一方法。 [熱黏著層] 於本發明之熱黏著性聚酯薄膜，要點係熱黏著層以非 晶性聚酯樹脂A爲主要構成成分。 此所謂非晶性聚酯樹脂A係熔化熱20mJ/mg以下之 聚酯樹脂。熔化熱係依JIS-K7122所述「塑膠之轉移熱 測定方法」，用DSC裝置，在氮氛圍下，以l〇°C /分鐘 -18" 1327105 之速度加熱而測定。本發明中，上述熔化熱以10m〗/mg 以下爲佳，實質上無熔化尖峰之觀察者更佳。熔化熱超 過2 0m〗/mg時熱黏著層不易變形，不得充分之凹凸吸收 性。 於非晶性聚酯樹脂A，要點爲玻璃轉移溫度在50°C 以上95 °C以下。上述玻璃轉移溫度指依】IS-K7 121所述 「塑膠之轉移溫度測定方法」，用DSC裝置，在氮氛圍 下，以10°C /分鐘之速度加熱，由所得DSC曲線求出之 中間點玻璃轉移溫度（Tmk) »非晶性聚酯樹脂A之玻璃 轉移溫度下限以60°C爲更佳，70°C尤佳。而玻璃轉移溫 度之上限以90°C爲更佳，85°C尤佳。玻璃轉移溫度未達 5 0°C時用作1C卡或1C標籤之際耐熱性不足而變形，或 者稍一加熱，熱黏著層即再剝離。而玻璃轉移溫度超過 95 °C時製造1C卡或1C標籤之際因須以更高溫加熱，電 路等之負擔變大。 非晶性聚酯樹脂A之種類無特殊限制，由泛用性、 成本、耐久性或對於PETG片等之熱黏著性之觀點，以 用聚對酞酸乙二酯爲首之芳香族聚酯樹脂分子骨架導 入有種種共聚成分者爲佳。導入之共聚成分中，二醇成 分有乙二醇、二甘醇、新戊二醇（NPG)'環己烷二甲醇 (CHDM) '丙二醇'丁二醇等。而酸成分有聚對酞酸、萘 二甲酸等。共聚成分係選用可降低玻璃轉移溫度，提升 低溫下之熱黏著性之單體。如此之聚合成分有直鏈成分 長之二醇，或立體障礙大之非線狀構造成分。後者可用 -19- 1327105 於有效降低熱黏著層之結晶度，提升凹凸吸收性。 明中由對於PETG片之熱黏著性之觀點，以CHDM、 爲佳，NPG更佳。 非晶性聚酯樹脂A尙有，開發作一般黏著劑用 售品。使用如此之黏著劑用樹脂時，因本來即係開 黏著劑，有能黏著多種材質之可能。然而，如此之 劑用樹脂有時難以於雙軸延伸膜之製程中安定 出。此時，押出機之溫度控制、熱黏著層之厚度等 分調整。 本發明中，熱黏著層含非晶性聚酯樹脂A及與 相溶之非晶性或結晶性熱塑性樹脂B，形成海· 造。熱塑性樹脂B係以分散體（島構造）存在於熱 層。起因於該海·島構造之突起具有付與熱黏著性 薄膜滑性，熱黏著步驟中該突起崩潰平坦化，無礙 黏著性、透明性之作用效果》 以下說明可用作熱塑性樹脂B之非晶性聚酯樹 結晶性熱塑性樹脂。 上述非晶性聚酯樹脂乃熔化熱20m】/mg以下之 性樹脂。熔化熱係依nS-K7 122「塑膠之轉移熱測 法j ，用DSC裝置，在氮氛圍下，以10°C /分鐘之 加熱而測定。 非晶性熱塑性樹脂，於熱黏著層內部在非晶性聚 脂中形成島構造，其所致之突起形成於熱黏著層表 該突起室溫下十分硬，乃提升膜的滑性之所需。因 本發 NPG 之市 發作 黏著 共押 須充 其不 島構 黏著 聚酯 於熱 脂及 熱塑 定方 速度 酯樹 面。 此， -20- 1327105 #胃B月Φ ’成爲島成分之熱塑性樹脂B係用非晶性熱塑 性樹脂時’要點爲樹脂之玻璃轉移溫度在-5(rc以上 150°C以下。上述玻璃轉移溫度指依ns_K7121「塑膠之 轉移溫度測定方法」用DSC裝置在氮氛圍下，於10°C/ 分鐘之加熱過程測定之中間點玻璃轉移溫度。 非晶性熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度下限以-20t爲更 佳’ 〇°C尤佳。非晶性熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度未達 -50°C者有時不得薄膜的取用之必要滑性，ic卡或ic標 籤製造後會有熱塑性樹脂成分滲出表面。 該海·島構造所致之突起於熱黏著步驟中崩潰平坦 化’無礙於熱黏著性、透明性。通常製造1C卡或1C標 籤之際所作之熱壓係於80~ 150°C爲之，因此上述非晶性 熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度上限以130°C爲更佳，i〇〇r 以下尤佳》而非晶性熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度超過 150°C時有（a)不得充分之熱黏著性，（b)必須以更高溫度 熱黏著，電路等之負擔變大，或（c)黏著界面平坦性不 足，黏著後透明性差之問題。 本發明中，用於熱黏著層之熱塑性樹脂B可係結晶 性熱塑性樹脂。上述結晶性熱塑性樹脂乃熔化熱超過 20m〗/mg之熱塑性樹脂。熔化熱係依JIS-K7122所述「塑 膠之轉移熱測定方法」，用DSC裝置，在氮氛圍下，以 i〇°C /分鐘之速度加熱而測定。 該結晶性熱塑性樹脂因不與非晶性聚酯樹脂 A相 溶，於非晶性聚酯樹脂中以分散體形成島構造，其所致 1327105 之突起形成於熱黏著層表面。該突起室溫下硬，乃提升 膜的滑性之所需。因此，要點係結晶性熱塑性樹脂熔點 在50°C以上200°C以下。而結晶性熱塑性樹脂之熔點係 依JIS-K7121所述「塑膠之轉移溫度測定方法」用DSC 裝置在氮氛圍下，於10°C/分鐘之加熱而測定。 結晶性熱塑性樹脂熔點之下限以70°C爲更佳，90°C 尤佳。因熱黏著步驟中崩潰而平坦化，無礙於黏著，樹 脂熔點超過熱黏著步驟之最高溫度30 °C以上則不佳。更 具體言之，樹脂熔點上限以180°C爲更佳，160。(3尤佳。 本發明中，用於熱黏著層之熱塑性樹脂無特殊限制， 因與非晶性聚酯樹脂混用，以溶解度參數比聚對酞酸乙 二酯大或小2. 0(】/cm3) 1/2之樹脂爲合適。 非晶性而泛用性高之樹脂有聚苯乙烯、聚碳酸酯、丙 烯醯類 '環烯烴類、其共聚物’立體規則性低之低密度 聚丙烯、聚乙烯等烯烴類、其共聚物等，因對於熱、紫 外線、氧之安定性高更加泛用，以聚苯乙烯、聚烯烴類 爲佳，因耐熱性高’聚苯乙燃或環儲烴類共聚物更佳。 結晶性而泛用性筒之樹脂有聚乙燃、聚丙烧、聚丁二 烯 '聚乙烯丙烯橡膠、聚乳酸、聚氧亞甲基等。其中因 對於熱、紫外線、氧之安定性高更加泛用，以聚乙烯或、 聚丙烯爲佳，因熔點恰當’聚丙烯更佳。而聚乙烯因結 晶性’以密度超過0· 90 g/cm3之高密度聚乙烯或直鏈低 密度聚乙烯爲佳。 本發明中含於熱黏著層之熱塑性樹脂B之量係對於 -22 - 1327105 構成熱黏‘著層之材料1質量％以上30質量％以下。熱塑 性樹脂B之含量下限以3質量％爲更佳，5質量％尤佳。 而熱塑性樹脂B之含量上限以25質量％爲更佳，20質 量％尤佳。熱塑性樹脂B之含量未達1質量％則不得必 要之滑性’超過30質量％則成粗大突起會自膜表面脫 落’滑性反而差’或熱壓無法充分平坦化而熱黏著性 差，透明度下降。 本發明中熱黏著層表面最大高度以0//m以上 10〆m以下爲佳。熱黏著層表面最大高度之下限以i 2ym爲更佳，1. 5/zm尤佳。而熱黏著層表面最大高度 之上限以8. 0//m爲更佳’5.0// m尤佳。熱黏著層表面 最大高度未達1. 0/zm則不得充分之滑性，膜難以取 用。熱黏著層表面最大高度超過10// m則因擦掠膜表面 之突起脫落污染製程，滑性反而差。 本發明中熱黏著層表面最大高度（Stl)與算數平均表 面粗度（Sal)之比（SU/Sal)以3. 0以上20以下爲佳。 Stl/Sal之下限以5. 0爲更佳，7· 0尤佳。而Stl/Sal之 上限以16爲更佳，12尤佳。Stl/Sal未達3. 0則滑性難 以改善，超過20則難得熱黏著性。 將熱黏著層表面突起之最大高度調整於適當範圍之 方法有（1)選擇非晶性聚酯樹脂A之熔融黏度、玻璃轉移 溫度之方法’（2)選擇熱塑性樹脂B之熔融黏度、玻璃轉 移溫度、熔點、表面張力、溶解度參數、添加量之方法， (3)選擇熱黏著層之樹脂押出於膜表面時之溫度之方法 -23- 1327105 等。這些方法中，調節非晶性聚酯樹脂之玻璃轉移溫 度、熱塑性樹脂之種類、添加量、押出溫度之方法簡單 切實。 本發明中使熱黏著層表面與平滑潔淨之玻璃板相向 夾合’熱壓處理（100°c，IMPa，1分鐘）後，熱黏著層表 面之最大突起高度（St2)以0. 001 # m以上3. 000 // m以 下爲佳。

St2之下限以〇. 〇〇5仁m爲更佳，〇· 〇1仁m尤佳。st2 之上限以2. 500/zm爲更佳，2. 000/zm以下尤佳。St2 未達0· 005ym則熱壓時構成熱黏著層之樹脂流動，加 工安定性恐不足，St2超過0. 01/zm則熱壓後仍有多數 突起餘留’不得發揮充分黏著力之黏著界面故不佳。爲 調整St2於0. 001 ~3· 00 v m之範圍，可將結晶性熱塑性 樹脂之熔點調整於50~200°C之範圍，或調節結晶性熱塑 性樹脂之含量於1〜30質量％之範圍。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜其正反面相向之界面靜 摩擦係數以0· 1以上0. 8以下爲佳。摩擦係數之下限以 0. 2爲更佳，上限以〇. 7爲更佳，0. 6又更佳，〇. 5尤 佳。膜正反面間之靜摩擦係數未達0· 1則難達本發明之 技術範圍，超過0. 8則膜之取用性明顯惡化。爲調整靜 摩擦係數於0. 1~0. 8之範圍，以如上調節熱黏著層表面 之最大高度，或調節熱黏著層之彈性模量、表面張力爲 佳。 配置於1C卡或1C標籤芯片內部之1C晶片、電路之 -24 - 1327105 凹凸吸收性乃熱壓時賦形性之指標，可由賦形率及賦形 部外緣梯度等參數表示。於此賦形率指將天線電路或銅 箔片載置於熱黏著層表面熱壓後，常溫常壓下去除天線 電路或銅箔片時，天線電路或銅箔片造成之熱黏著層凹 陷深度，賦形部外緣梯度指該凹陷外緣壁面之梯度。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜係以賦形率40%以上 105 %以下爲佳。本發明由吸收1C晶片、電路的凹凸之 觀點，賦形率下限以50 %爲更佳，60 %尤佳。 由該觀點，賦形率之上限當然愈高愈佳。然而，熱壓 步驟中熱黏著層軟化•流動時因有加工安定性差之疑 慮，現實上以止於102 %以下爲佳，98%以下更佳。將賦 形率調整爲40~ 105 %以下之方法，除調整熱黏著層厚度 爲5"m以上之外，適當調整構成熱黏著層之非晶性聚 酯樹脂A、熱塑性樹脂B之玻璃轉移溫度 '熔點、混合 比率、黏度、彈性模量等亦係要點。 本發明中，熱壓所致賦形部外緣梯度以 20 %以上 1000 %以下爲佳。本發明中由熱黏著層之吸收1C晶片、 電路凹凸之觀點，賦形凹陷之形狀以與電路等之外形一 致爲佳。賦形部外緣梯度未達20 %則對於電路等之凸部 連同其周圍走樣，或凸部形狀未充分吸收。該梯度50% 以上則更佳，1 00 %以上尤佳。 由凹凸吸收性之觀點，熱壓所致賦形部外緣梯度愈 大，變形自然愈理想，幾何學上係以無限大爲最佳。然 而，於本發明揭示之技術範圍現實上達成者，上限止於 -25 - 1327105 100 0 %’ 一般加工步驟現實可達者爲500 %以下。調整 熱壓所致賦形部外緣梯度於20-100 0 %之方法，除調整熱 黏著層厚度於5/zm以上之外，適當調整構成熱黏著層 之非晶性聚酯樹脂A、非晶性熱塑性樹脂B之玻璃轉移 溫度 '混合比率、黏度、彈性模量等亦係要點》 本發明的熱黏著性聚酯薄膜，尤以不必透明時，尤以 必須係白色具隱蔽性之卡、標籤而用作材料時，使熱黏 著層含無礙於熱黏著性、滑性、凹凸吸收性之白色顏 料’乃較佳實施形態之一。使之含於熱黏著層之白色顏 料以由氧化鈦、碳酸鈣、硫酸鋇及這些之複合體構成者 爲佳，由隱蔽效果之觀點以用氧化鈦爲更佳。這些無機 粒子以對於基材雙軸延伸聚酯膜之構成材料含30質量 %以下爲佳’ 20質量％以下更佳。添加超過上述範圍則 有時會損及上述特性。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜在無妨於熱黏著性、滑 性、凹凸吸收性之範圍內，亦可含有機粒子。使熱黏著 層含有機粒子，即可於熱黏著層表面形成突起，熱壓下 熱黏著製造卡之際，能有效排出膜間之氣泡。有機粒子 係以三聚氰胺樹脂、交聯聚苯乙烯樹脂、交聯丙烯醯樹 脂及以這些爲主體之複合粒子爲佳。而這些有機粒子係 以對於熱黏著層之構成材料含30質量％以下爲佳，20 質量％以下更佳。添加超過上述範圍則有時會損及上述 特性。 [雙軸延伸聚酯膜層（基材膜）] -26- 1327105 本發明之熱黏著性聚酯薄膜至少以一層之雙軸延伸 聚酯膜層爲基材。該層以習知方法可輕易調節光學特 性、力學特性。亦即，以本發明之熱黏著性聚酯薄膜用 作白色或高隱蔽性1C卡或1C標籤時，以使基材膜中含 多數微細空洞或含白色顏料乃較佳實施形態之一。不必 隱蔽性，以透明性 '強度爲要時，以盡量使用不含無機 粒子、雜質之雙軸延伸聚酯膜爲較佳實施形態之一。 以本發明之熱黏著性聚酯薄膜用作白色或高隱蔽性 1C卡或1C標籤之原料時，基材膜以其內部含多數微細 空洞之含空洞聚酯膜爲佳。藉膜內之多數微細空洞，控 制膜之表觀密度於0. 7 g/cm3以上1, 2g/cm3以下爲佳。 膜表觀密度之下限以0. 8g/cm3爲更佳，0· 9 g/cm3尤 佳。而膜表觀密度之上限以1. 2g/cm3爲更佳，1. 1 g/cm3 尤佳。膜之表觀密度未達〇· 7 g/cm3則膜之強度' 抗皺屈 性、壓縮回復率低’不得1C卡或1C標籤加工、使用時 之恰當性能。而膜之表觀密度超過1. 2g/cm3則不得1C 卡或1C標籤之輕量性、柔軟性。 使膜內部含空洞之方法有（1)使之含發泡劑，押出 時、製膜時因熱發泡’或因化學分解發泡之方法，（2) 押出時或押出後添加二氧化碳等氣體或可氣化物質，使 其發泡之方法，（3)添加與該聚酯不相溶之熱塑性樹脂， 熔融押出後單軸或雙軸延伸之方法，（4)添加有機或無機 粒子，熔融押出後單軸或雙軸延伸之方法等。 上述使膜內部含空洞之方法中較佳者爲，上述（3)之 * 27 - 1327105 方法，亦即添加與聚酯不相溶之熱塑性樹脂，熔融押出 後單軸或雙軸延伸之方法。與聚酯樹脂不相溶之熱塑性 樹脂無任何限制，有例如聚丙烯' 聚甲基戊烯爲首之聚 烯烴系樹脂’聚苯乙烯樹脂、聚丙烯醯系樹脂、聚碳酸 醋樹脂、聚碾系樹脂、纖維素系樹脂、聚苯醚系樹脂等。 這些熱塑性樹脂可單獨使用亦可組合複數之熱塑性 樹脂使用。這些與聚酯樹脂不相溶之熱塑性樹脂含量係 以對於形成含空洞之聚酯層之樹脂3~20質量％爲佳， 5〜15質量％更佳。而與熱塑性樹脂不相溶之熱塑性樹脂 含量對於形成含空洞之聚酯層之樹脂未達3質量％則形 成於膜內部之空洞含量低，隱蔽性差。不相溶之熱塑性 樹脂含量對於形成白色聚酯層之樹脂超過20質量％則 製膜時多有斷裂發生。含空洞之聚酯膜內部空洞含有率 以10~50體積％爲佳，20〜40體積％更佳》 &本發明之熱黏著性聚酯薄膜用作白色或高隱蔽之 1C卡或1C標籤之原料時，基材膜係以使雙軸延伸聚酯 層含白色顏料之白色聚酯膜爲較佳實施形態之一。所用 之白色顔料不特定，由泛用性之觀點係以氧化鈦、碳酸 耗 ' 硫酸鋇及這些之複合體構成者爲佳，由隱蔽效果之 觀點以用氧化鈦更佳。這些無機粒子以對於白色聚酯層 之構成材料含25質量％以下爲佳，20質量％以下更佳。 添加超過上述範圍則會有製膜時多有斷裂發生，難以於 工業上安定生產。 以本發明之熱黏著性聚酯薄膜用作白色或高隱蔽之 -28- 1327105 1C卡或1C標籤之原料時，以適當調節微細空洞 '白色 顔料之含量使光學濃度在0 5以上3. 0以下爲佳》光學 濃度之下限以0. 7爲更佳，〇 9尤佳。光學濃度之上限 以2.5爲更佳’ 2.0尤佳。光學濃度未達上述範圍則製 成1C卡或1C標籤時隱蔽性不足，有時可透視ic晶片、 電路等內部構造，創意上、安全上不佳。爲製造光學濃 度超過上述範圍之膜時則，膜內部微細空洞、白色顔料 含量必須非常高，膜強度等下降。 以本發明之熱黏著性聚酯薄膜用作白色或高隱蔽之 1C卡或1C標籤之原料時，以倂用於聚酯樹脂配合不相 溶之熱塑性樹脂形成空洞之方法，及配合白色顏料之方 法爲最佳。 而以本發明之熱黏著性聚酯薄膜用作透明1C卡或1C 標籤之原料時，膜之透光率以25 %以上98 %以下爲佳》 將膜之透光率調整於上述範圍，可得透明，美觀，創意 性優良之卡。膜透光率之下限以30 %時爲更佳，40 %尤 佳。膜透光率之下限未達25 %時，透明性不足不得創意 性。而膜透光率之上限以90%爲更佳，80 %尤佳。由創 意性之觀點透光率當然愈高愈佳。然而，製造透光率超 過98 %之膜時，難得實用之滑性。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜中，熱黏著層除外之各層 以構成主體係結晶性聚酯爲較佳。此所謂之結晶性聚酯 樹脂乃熔化熱超過20m】/mg之聚酯樹脂》熔化熱之測定 方法同上。 -29- 1327105 如此之結晶性聚酯係以對酞酸'異酞酸、萘二甲酸等 芳香族二羧酸或其酯與乙二醇、二甘醇、1，3-丙二醇、 1，4·丁二醇、新戊二醇等二醇依適當比率縮合製造之聚 酯。這些聚酯可經芳香族二羧酸與二醇直接反應之直聚 法，及芳香族二羧酸之烷基酯與二醇作酯交換反應後聚 縮合之酯交換法，或將芳香族二羧酸之雙二醇酯聚縮合 等方法製造。 上述結晶性聚酯之代表例有聚對酞酸乙二酯、聚對酞 酸三亞甲酯、聚對酞酸丁二酯或聚-2，6-萘二甲酸酸乙 二酯等。上述聚酯可係單聚物，亦可共聚有第三成分。 這些聚酯中以對酞酸乙二酯單元、對酞酸三亞甲酯單 元、或-2, 6-萘二甲酸酸乙二酯單元占70莫耳％以上之 聚酯爲佳，80莫耳％以上更佳，90莫耳％以上尤佳》 [1C卡或1C標籤及其製法] 本發明之之1C卡或1C標籤，可於塑膠膜設天線電路 及1C晶片之插入物之一面或兩面配置上述熱黏著性 膜，介著熱黏著性膜之熱黏著層將插入物熱壓黏著成芯 片，用它作爲構成要素而製造。1C卡或1C標籤之較佳 製法係’於上述芯片兩面，更以聚酯片（例如無配向PETG 片）或雙軸延伸聚酯膜積層，其次熱壓貼合各構件使之 一體化之方法。 插入物表天線電路或金屬線圈、1C晶片經構裝之製 品形態，乃於塑膠膜之一面設天線電路及I c晶片而構 成。製品形態係最基本的，金屬線圈、I c晶片呈露出狀 -30 - 1327105 態。 通常，以雙軸延伸聚酯膜爲芯材構成卡時，必須使用 熱熔等黏著劑，本發明之熱黏著性聚酯薄膜則無此必 要，可提升卡、標籤之生產效率，降低製造成本。 本發明之1C卡或1C標籤其特徵爲含有於塑膠膜設天 線電路及1C晶片之插入物的一面或兩面積層上述熱黏 著性膜，介著熱黏著性膜之熱黏著層將插入物黏著成之 芯片作爲構成要素。更佳實施形態係於芯片兩面以聚酯 片或雙軸延伸聚酯膜積層之1C卡或1C標籤》 卡、標籤呈示物品之形狀、用途，而若係含塑膠膜設 天線電路或金屬線圈及1C晶片之插入物者，與1C卡、 1C標籤等形態、用途不同者亦包含於本發明。 本發明之熱黏著性聚酯薄膜因於一面或兩面有非晶 性聚酯構成之熱黏著層，不用黏著劑亦能黏著於已知的 聚酯片、聚酯膜。聚酯片不特定，以異酞酸、環己烷二 甲醇、新戊二醇等成分共聚於聚對酞酸乙二酯之低結晶 性或非晶性聚酯片爲佳β使用雙軸延伸聚酯膜時其種類 亦不特定，以用適合於卡、標籤之白色聚酯膜或含空洞 之聚酯膜爲佳。使用形成有印刷性、黏著性經改良之表 面處理層之雙軸延伸聚酯膜，乃更佳實施樣態。 依本發明製造1C卡或1C標籤之際，具天線電路、1C 晶片之插入物係以配置成至少鄰接本發明之熱黏著性 聚酯薄膜之一面爲佳。本發明之熱黏著層可於熱壓步驟 輕易變形，能有效緩和起因於電路、晶片之凹凸，因此 1327105 可製造外觀美麗之卡、標籤。 本發明中以熱壓黏著法製造卡、標籤時，熱 90~160°C爲佳，ii〇~150°c更佳。熱壓溫度未！ 不得充分之黏著力。熱壓溫度超過l60°c則 縮，卡之形狀不美觀，於創意性不佳。 熱壓壓力以〇· 1〜20MPa爲佳，0. 3~I0MPa 壓壓力未達0· IMPa則卡之平面性不足，不 觀。而熱壓壓力超過20MPa則用基材爲含空洞 之熱黏著性聚酯薄膜，其優良緩衝性、凹凸吸 果因高壓而變小。結果，1C晶片等電路受到過 起電故障。 本發明之1C卡或1C標籤的較佳實施形態之 膜內部含多數微細空洞之含空洞膜用作熱黏 薄膜（表觀密度0· 7~1. 3 g/cm3)之基材者，乃 0· 7 g/cm3以上未達1. 3 g/cm3之1C卡或1C標 標籤表觀密度之下限以0. 8 g/cm3爲更佳，0. 佳。而卡或標籤表觀密度之上限以1. 2 g/cm3 1. lg/cm3尤佳。卡或標籤表觀密度未達〇. 7 卡、標籤之強度、抗皺屈性、壓縮回復率低， 使用時不得適當之力學性能。而卡或標籤表觀 1. 3 g/cm3則不得1C卡或1C標籤之輕量性、柔 觀密度〇· 7 g/cm3以上未達1. 3 g/cm3之1C卡： 落水意外之際可浮於水面上，沈沒之前有充分 間。因而本形態之卡是用作例如個人記錄其資 壓溫度以 I 90°C 則 膜顯著收 更佳。熱 得美麗外 之聚酯膜 收性之效 大負擔易 一係以使 著性聚酯 表觀密度 籤。卡或 9g/cm3 尤 爲更佳， g/cm3 則 加工時、 密度超過 軟性。表 矣1C標籤 之回收時 訊之曰常 -32- 1327105 攜帶使用之個人資訊記錄卡。 本發明1C卡之又一較佳實施形態係用透光率2 5 %以 上98 %以下之本發明之熱黏著性聚酯薄膜，而透光率（電 路部分除外）10%以上98%以下之1C卡。控制卡之透光 率於25〜98%之範圍，即可提供時尙性、節目性優良之 1C卡。卡透光率之下限以20%爲更佳，30%尤佳。透光 率之下限未達25 %則透明性不足不得較佳之創意性。而 透光率之上限以90%爲更佳，80%尤佳。由創意性之觀 點，透光率自然愈高愈佳。然而，製造透光率超過98% 者時，難得實用上之滑性，不實際。 本發明之1C標籤的較佳實施形態之一係用透光率 25%以上98%以下的本發明之熱黏著性聚酯薄膜，而標 籤之透光率（電路部分除外）10%以上98%以下之1C標 籤。控制標籤之透光率於25〜98 %之範圍，記入標籤裡 側部分等之管理資訊、收貨者 '人名等可高效率辨認。 因此，透光率之下限以20%爲更佳，30%尤佳。而透光 率之上限以90%爲佳，80%更佳。由辨認性之觀點透光 率自然愈高愈佳。然而，製造透光率超過98 %者時，難 得實用上之滑性，不實際。 實施例 以下舉實施例及比較例更詳細說明本發明。用於本發 明之特性値係依如下方法評估。 [評估方法] (1)樹脂熔點及玻璃轉移溫度 -33 - 1327105 依JIS-K7 121「塑膠之轉移溫度測定方法 定。樣本係用附擴大鏡之薄切機，自膜切出 小片約10mg，密封於鋁盤以300°C經3分鐘 態氮驟冷者。測定器係用微差掃描熱i INSTRUMENT 公司製，EXSTAR6200DSC) « 圍下實施。自室溫以10°C /分鐘之速度加熱 點玻璃轉移溫度後，求出熔化尖峰溫度（熔黒 (2) 樹脂熔化熱 依nS-K7122「塑膠之轉移熱測定方法」求 DSC測定之詳細同上述熔點之測定。 (3) 膜厚 依]IS-K7 130「發泡塑膠-膜及片-厚度測 定。測定器係用電子測微計（MAARU公司製 1240)。由被測定膜之任意4處切取5 cm見 片，每片各測定5次（共20次），平均値即厚 (4) 膜之積層厚度 由被測定膜之任意3處切取小片。用薄切 片，製作正交於膜表面之膜剖面。於該剖面 濺鍍成樣本，用掃描式電子顯微鏡（日立製作 檢視剖面。以膜之全厚含於一視野之適當倍 定各層厚度。各視野測定3處，共9處之平 厚度β (5) 膜之表面粗度 由被測定膜之任意3處切取小片，以除電 」作DSC測 熱黏著層之 熔化，以液 匱儀（SEIKO 在乾燥氮氛 ，求出中間 占）。 :出熔化熱。 定方法」測 ，MILITRON 方之樣本4 〔度。 機切削該小 以鈾鈀合金 所製，S2500) 率觀察，測 均値爲積層 吹風機仔細 -34- 1327105 清除塵粒等。該熱黏著層表面以非接觸式三維形狀測定 裝置（Micromap公司製，Micromap557)測定。光學系統係 用米羅型雙光束干涉物鏡（10倍）及可變焦距透鏡（Body Tube，0. 5倍），用5600 A光源，由2/3吋CCD照相機 受光。測定係以WAVE模式爲之，將1619从mX 1 232 // m 之視野作640X 480像素之數位影像處理。影像分析係 用分析軟體（Micromapl23，4. 0版），以一次函數去傾斜 (Detrending)。以此測定上述3樣本之表裡各5視野（共 30視野）之算數平均表面粗度，以其平均値爲表面粗度 (Sa)。 (6) 熱壓處理後之膜表面粗度 觀察部位之兩面配以平滑潔淨之玻璃板（Sa爲0. 0008 /z m之滑玻片），於該兩面覆蓋緩衝材料（東洋紡績 製，含空洞之聚酯膜 K1212，188/zm)。將之於100°C 預熱5分鐘後熱壓（1 MPa，1分鐘）。其它同上述膜表面 粗度測定熱壓處理後之膜表面粗度。 (7) 賦形率及賦形部外緣梯度 就所製作之1C卡或1C標籤，小心剝離插入物之電路 與熱黏著層表間之黏著面。選出該熱黏著層剝離面中之 界面剝離部分，使印刷電路壓痕之高低差含於視野同上 述（5)得三維形狀之圖像》藉同軟體之剖面分析功能，得 與壓痕之高低差正交之剖面形狀側影。由該側影求出印 刷電路造成之壓痕深度，除以原印刷電路之高度（l〇/zm) 求出賦形率。並於壓痕外緣部分，求出由壓痕部至非壓 -35 - 1327105 痕部之高低差梯度（含局低差中央部，高低差約1/3部分 之梯度）’爲賦形部外緣梯度。觀察係於3視野爲之評估 共丨5側影之平均値。 (8) 膜之靜摩擦係數 依JIS-K7125「發泡塑膠-膜及片-摩擦係數之試驗方 法j測定6測定器係用拉伸試驗機（島津製作所製， AG1KN1)。由被測定膜任意5處切取10片樣本，使膜之 正反兩面相向作測定。於滑玻片施以荷重1 5 0 〇 g，以共 5次之平均値爲靜摩擦係數。 (9) 膜及卡•標籤之光學濃度、透光率 用透過光學濃度計（McBeth公司，RD-914)，以白色 光測定光學濃度。由被測定膜任意5處切取50mm見方 之樣本5片作測定，換算其平均値爲透光率（％)。 (10) 膜之捲曲値 由被測定膜任意3處切取長100mm，寬50mm之長方 形，無荷重狀態下於U0°C加熱處理30分鐘後，膜之凸 部向下靜置於水平玻璃板上，用最小刻度〇. 5mm之尺 測定玻璃板與立起之4個角落下端之垂直距離。該4處 之測定値之平均値爲捲曲値。以3片作測定以平均値爲 捲曲値。 (1 1)凹凸吸收性 所製作之1C卡或1C標籤，配有天線電路或銅箱之部 位外緣用三維形狀測定裝置（菱化系統公司製’ MICROMAPTYPE550,物鏡 10 倍），以 WAVE 模式觀察。 -36- 1327105 有無天線電路或銅箔所致之高低差以三視野（每視野三 處）觀測，求其平均値。高低差愈小凹凸吸收性評估爲 愈佳，高低差未達3//m者爲◎，3/im以上未達6//m 者爲〇，6//m以上者爲X。使用銅箔時無1C卡或1C 標籤之功能，但以熱黏著性膜製成卡或標籤時之凹凸吸 收性的評估法仍可用》 (12) 膜之熱黏著性 所製作之1C卡或1C標籤以手工剝離。全無熱黏著者 爲X，全面界面剝離者爲△，熱黏著層大部分凝集破壞 者爲〇，材料破壞者爲◎。 (13) 膜及卡•標籤之表觀密度 由任意5處切取之100mm見方樣本5片，依JIS-K7222 「發泡塑膠及橡膠-表觀密度之測定」測定。於室溫測 定，以平均値爲表觀密度。爲便於表記，單位換算成 g/cm3。 (14) 1C卡或1C標籤之耐熱性 靜置所製作之1C卡或1C標籤於潔淨之不銹鋼 (SUS304,厚度0. 8mm)上，用烘箱在空氣氛圍下於120°C 加熱保持24小時。目視評估加熱前後之材料外觀（光澤 消失、變色 '霧度、裂痕、變形、熔化、熔黏），加熱 前後不見變化者爲〇，可見差異者依程度爲△或X。 (15) 聚酯樹脂之固有黏度 依JIS K 7367 -5「塑膠-用毛細管型黏度計求出聚合物 稀釋溶液黏度之方法j ，用酚/1, 1，2，2-四氯乙烷 -37 - 1327105 (60/40 :質量份）混合溶劑，於30°C測定。 (16)粒子之平均粒徑 以掃描式電子顯微鏡（日立製作所製’ S2500)觀察’ 隨粒子之大小變化適當倍率，將相片放大。隨機選出至 少200個以上之粒子，描繪各粒子之外周。用圖像分析 裝置由這些描繪粒子圖像測定圓相當直徑，以其平均値 爲平均粒徑。 實施例1 [聚對酞酸乙二酯樹脂之製造] 將酯化反應罐升溫至200°C時，饋入含對酞酸86. 4 質量份及乙二醇64. 4質量份之漿體，攪拌下添加觸媒 三氧化銻0. 017質量份及三乙胺0. 16質量份。其次加 熱升溫，以表壓0. 34 MPa，240°C之條件加壓進行酯化 反應。 之後，使酯化反應罐內回到常懕，添加乙酸鎂4水合 物0. 071質量份，其次，磷酸三甲酯0. 014質量份。更 以15分鐘升溫至2 60 °C後，添加磷酸三甲酯0.012質量 份，其次，乙酸鈉0. 0036質量份。將所得酯化反應產 物移往聚縮合反應罐，減壓下由260 °C慢慢升溫至280°C 後，於28 5 °C進行聚縮合反應。聚縮合反應完後以孔徑 5 β m(初期過濾效率95%)之不銹鋼燒結體濾器過濾。 其次，於空氣中存在之l//m以上雜質經超級濾器減 少之密閉室內，將上述聚縮合反應產物聚對酞酸乙二酯 (PET)九粒化。九粒化之方法係，經過濾處理（孔徑1以m -38 - 1327105 以下）之冷卻水之流動下’於冷卻水槽中由押出機之噴 嘴押出熔融PET’將形成之束狀PET樹脂切粒。所得PET 九粒固有黏度〇. 62 dl/g’ Sb含量144 ppm，Mg含量58 ppm，P含量40 ppm，捲曲L値56. 2，捲曲b値1· 6， 實質上不含惰性粒子及內部析出粒子。 [非晶性聚醋樹脂之製造] 關於上述PET樹脂，乙二醇之15莫耳％改爲新戊二 醇，對酞酸之1 5莫耳％改爲異酞酸而製造，得非晶性聚 酯樹脂A 1。該樹脂以DSC裝置分析無熔點之觀測，玻 璃轉移溫度爲7 8 °C。 關於上述PET樹脂，乙二醇之30莫耳％改爲環己烷 二甲醇而製造，得非晶性聚酯樹脂A2。該樹脂以DSC 裝置分析無熔點之觀測，玻璃轉移溫度爲8 1 °C。 [含空洞形成劑之母料九粒之調製] 熔體流動率1. 5之聚苯乙烯樹脂（日本聚苯乙烯公 司製，NIPPON POLYSTY G797N) 20質量％，熔體流動 率3. 0之氣相法聚合之聚丙稀樹脂（出光石油化學公司 製，IDEMITSU PP F300SP) 20質量％及熔體流動率U〇 之聚甲基戊烯樹脂（三井化學公司製，TPX，DX-820M0 質量％以九粒混合，供給於雙軸押出機充分混練，將條 束冷卻、切成含空洞形成劑之母料九粒。 [含氧化鈦之母料九粒之調製] 如上得之聚對酞酸乙二酯樹脂50質量％，以平均粒 徑0_ 3/im(电顯法）之銳欽礦型一氧化欽（富士纟太公司 -39- 1327105 製，ΤΑ-300) 50質量％混合，供給於排氣式雙軸押出機 預混後，連續供給熔融聚合物於排氣式單軸押出機混練 調製含氧化鈦之母料九粒。 [含有機粒子之母料九粒之調製] 如上得之聚對酞酸乙二酯樹脂70質量％，以平均粒 徑3. 5 " m(型錄値）之三聚氰胺粒子（日產化學工業公 司製，OPTOBEADS 3500M) [30質量％]混合，供給於排 氣式雙軸押出機預混後，連續供給熔融聚合物於排氣式 單軸押出機混練調製含有機粒子之母料九粒。 [熱黏著性雙軸延伸聚酯膜之製造] 上述PET樹脂爲原料Μ，含90質量％之上述非晶性 聚酯樹脂Α1及10質量％之雜排聚苯乙烯樹脂（日本聚 苯乙烯公司製，G797N;玻璃轉移溫度78°C)之混合物 爲原料C。將原料Μ及原料C真空乾燥至水分80ppm , 供給於個別押出機。押出之際，爲調整混合性及積層安 定性，原料Μ於押出機內加熱至280°C熔化混合後，於 樹脂溫度270°C導入入料塊。而原料C於押出機內加熱 至250°C熔化混合後，於樹脂溫度280°C導入入料塊。 將之接合以使原料C構成之熱黏著層積層於原料Μ構 成之中間層（基材）兩面。將之由Τ型模押出於調節爲 20 °C之冷卻鼓上，製造厚度2. 4 mm之3層構造之未延 伸膜。而製造未延伸膜時，冷卻鼓反面以調節爲20°C， 相對濕度30%之冷風吹拂冷卻。 所得未延伸膜用TEFLON(註冊商標）加熱輥均勻加 -40- 1327105 熱成65t，更用相向配置於膜兩面之表面溫度700°C之 備有金反射膜之紅外線加熱器4台加熱至膜溫達95°C ’ —面利用陶瓷輥間之速度差於縱向延伸3. 4倍。縱向延 伸步驟之輥徑爲150mm，採用吸著輥、靜電密著、部分 夾輥之密著裝置使膜密著於輥。如此得之縱向單軸延伸 膜兩端以夾子把持，以乾燥熱風將膜表面溫度預熱至約 l〇〇°C，加熱至約14CTC —面於橫向延伸3. 8倍》之後， 在膜寬固定之狀態下以面紅外線加熱器及乾燥熱風加 熱至約230°C進行熱固定，冷卻至約200°C作橫向5%之 弛緩熱處理。之後以調節爲15 0°C、100°C及室溫之乾燥 熱風階段性慢慢冷卻，於膜表面溫度（充分低於熱黏著 層之玻璃轉移溫度）50°C以下切除膜之端部，捲成膜 輥。以此得厚度190ym之熱黏著性聚酯薄膜。而膜剖 面以掃描式電子顯微鏡觀察時 > 各層厚度（熱黏著層Aa/ 中間層（基材）/熱黏著層Ab)約爲20/1 50/20(單位/zm)。 用如上得之熱黏著性聚酯薄膜製作1C卡，評估卡 之特性（熱黏著性、凹凸吸收性、耐熱性）》亦即由如上 得之膜切出大小100mmX70mm之二片，其間配以1C標 籤用插入物（OMRON公司製，V720S-D13P01)。該二片之 兩外面以透明雙軸延伸聚酯膜（東洋紡績製， COSMOSHINE A4300; 188μ m)疊合，經熱壓（140〇C，〇. 3 MPa ’ 10分鐘）黏著。由該積層體切出含插入物部分之 86mmX54mm，去掉四角得1C卡。膜之構造如表1，膜 及卡之特性如表2，卡之構造如第1圖。 -41- 1327105 該實施例i得之熱黏著性聚酯薄膜兼具適用友 卡芯片之熱黏著性、凹凸吸收性及滑性。耐熱性、 性上亦適用於1C卡。 比較例1 上述實施例1中添加之聚苯乙烯樹脂，改用含 粒徑1. 5 // m之非晶性氧化矽粒子5000ppm之聚對 乙二酯樹脂。其餘如同實施例1得熱黏著性聚酯薄 1C卡。本比較例1得之熱黏著性聚酯薄膜雖具適用1 卡芯片之熱黏著性及凹凸吸收性，但滑性極差而黏 無法測定摩擦係數。因此，於1C卡製作過程，取用 熱膨脹所致之滑移無法緩和，產生縐折。 比較例2 上述實施例1中添加之聚苯乙烯樹脂，改用含 粒徑3 /z m之硫酸鋇粒子50質量％之聚對酞酸乙二 脂。其餘如同實施例1得熱黏著性聚酯薄膜及1C 本比較例2得之熱黏著性聚酯薄膜雖具適用作1C 片之熱黏著性及凹凸吸收性，但滑性極差而黏結， 測定摩擦係數。因此，於1C卡試製過程，取用性 膨脹所致之滑移無法緩和，產生縐折。 實施例2 上述含空洞形成劑之母料九粒6質量％、上述 化鈦之母料九粒14質量％及上述PET樹脂80質量 混合物爲原料Μ。以含9 4質量％之非晶性聚酯樹脂 5質量％之上述聚苯乙烯樹脂及1質量％之聚乙烯 令1C 平面 平均 酞酸 膜及 乍1C 結， 性、 平均 酯樹 卡。 卡芯 無法 、熱 含氧 %之 A 1、 樹脂 -42 - 1327105 (三井化學公司製，HYWAX NL500)之混合物爲原料C。 並調節各押出機之樹脂吐出量使熱黏著層及中間層（基 材）之積層厚度在雙軸延伸後達30/240/30(單位： 其餘如同實施例1得熱黏著性聚酯薄膜。並取代雙軸延 伸聚酯膜（A4 300)，改用含空洞之白色聚酯膜（東洋紡績 製 ’ CRYSPER K1212，厚 188" m，表觀密度 1. 1 g/cm3) 得1C卡。本實施例2得之熱黏著性聚酯薄膜兼具適用 作1C卡芯片之熱黏著性、凹凸吸收性及滑性。耐熱性、 平面性、隱蔽性、輕量性上亦適用作1C卡材料。且所 得IC卡輕量性、隱蔽性優良。 實施例3 上述含空洞形成劑之母料九粒8質量％ '上述含氧化 鈦之母料九粒6質量％及上述PET樹脂86質量％之混合 物爲原料M。並使原料c中聚苯乙烯樹脂之添加量爲20 質量％。其餘如同實施例1得熱黏著性聚酯薄膜。並取 代經施以砂毯加工之雙軸延伸聚醋膜，改用含空洞之白 色聚酯膜（東洋紡績製，CRYSPER K2323，厚188；um， 表觀密度1. 1 g/cm3)得1C卡。本實施例3得之熱黏著性 聚酯薄膜兼具適用作1C卡芯片之熱黏著性、凹凸吸收 性及滑性。耐熱性 '平面性、隱蔽性、輕量性上亦適用 作1C卡材料。且所得ic卡輕量性、隱蔽性優良。 實施例4 以含氧化鈦之母料九粒30質量％及PET樹脂70質 量％之混合物爲原料Μ。並以9 5質量％之非晶性聚酯樹 -43 - 1327105 脂A1及5質量％之聚碳酸酯樹脂（出光石油化學公司 製，玻璃轉移溫度148°C )之混合物爲原料C。調節各押 出機之樹脂吐出量使熱黏著層及中間層（基材）之積層厚 度在雙軸延伸後達14/47/14 (單位：从m)。用含空洞之 白色聚酯膜（東洋紡績製，CRYSPER K2323,厚250/z m， 表觀密度1. 1 g/cm3)得1C卡。其餘如同實施例1得厚度 75/tzm之熱黏著性聚酯薄膜及1C卡。本實施例得之熱黏 著性聚酯薄膜兼具適用作1C卡芯片之熱黏著性、凹凸 吸收性及滑性。耐熱性、隱蔽性、輕量性上亦適用於1C 卡。 實施例5 以含空涧形成劑之母料九粒30質量％及PET樹脂 7 0質量％之混合物爲原料Μ。以7 0質量％之非晶性聚酯 樹脂Α2及30質量％之共聚環烯烴樹脂（三井化學公司 製’ APL8008T，玻璃轉移溫度70°C )之混合物爲原料c。 並用3台押出機製造兩面熱黏著層厚度不同之三層未延 伸膜。此時，調節各押出機之樹脂吐出量使雙軸延伸後 各層厚度（熱黏著層Aa/中間層（基材）/熱黏著層Ab)爲 26/1 50/44(單位：/zm)。熱黏著層A接觸冷卻鼓表面。 所得未延伸膜如同實施例1延伸，微調紅外線加熱器使 膜表裡有溫差，使延伸後縱向捲曲爲最小。其餘如同實 施例1得厚度190 之熱黏著性聚酯薄膜。並取代雙 軸延伸聚酯膜（A4300)，改用含空洞之白色聚酯膜 (TORAY 公司製，E60L，厚 188// in，表觀密度 〇. 9 g/cm3) -44- 1327105 得1C卡如同實施例1得1C卡。本實施例5得之熱黏著 性聚酯薄膜兼具適用作1C卡芯片之熱黏著性、凹凸吸 收性及滑性。耐熱性、隱蔽性上亦適用作1C卡材料。 平面性則於縱向稍有捲曲發生，但實用上無礙於膜之取 用性。 比較例3 調節各押出機之樹脂吐出量使雙軸延伸後熱黏著層 及中間層（基材）之積層厚度爲47/50/3(單位：// m)。而 縱向延伸時之紅外線加熱器加熱，使膜表裡有溫差，以 減少膜捲曲之手段不予採用。其餘如同實施例5得熱黏 著性聚酯薄膜。於該膜之熱黏著層B之面配置插入物使 天線電路相向，如同實施例5製成IC卡。本比較例3 得之積層雙軸延伸聚酯膜，熱黏著性、凹凸吸收性皆不 足。又因不能平面靜置，無法測定捲曲値。故1C卡製 作過程中取用亦困難，將插入物貼合於熱黏著性膜之熱 黏著層時無法正確定位。 實施例6 以市售之非晶性聚酯樹脂 A3(東洋紡績製， BYLON240;玻璃轉移溫度60°C)95質量％及低密度聚乙 烯樹脂（出光石油化學工業公司製，玻璃轉移溫度-36°C ) 之混合物爲原料C»並調節各押出機之樹脂吐出量使雙 軸延伸後各層厚度（熱黏著層Aa/中間層（基材）/熱黏著 層Ab)爲25/250/25(單位：/z m)。其餘如同實施例1得 厚度3 00 //m之熱黏著性聚酯薄膜。 -45- 1327105 並取代透明雙軸延伸聚酯膜（東洋紡續製， COSMOSHINE A4300)，改用經砂毡加工之聚酯膜（表面 粗度0. l//m，厚188；c/m，表觀密度1.4g/cm3)製作1C 標籤。本實施例6得之熱黏著性聚酯薄膜兼具適用作ic 標籤芯片之熱黏著性、凹凸吸收性及滑性。酎熱性、平 面性上亦適用於1C標籤。 比較例4 原料C之非晶性聚酯樹脂改爲結晶性PET聚酯樹脂 以外如同實施例6得積層雙軸延伸聚酯膜。然而該膜無 熱黏著性，不能製成1C標籤。 比較例5 原料Μ採用實施例5之原料C。爲調整混合性及積 層安定性，原料Μ於押出機內加熱至250 °C熔融混合後 於樹脂溫度280°C導入入料塊。調節未延伸膜之厚度爲 0· 25mm。其餘如同實施例5得未延伸片。用該未延伸 片取代熱黏著性聚酯薄膜如同實施例6製作1C標籤。 本比較例5得之未延伸片雖呈良好熱黏著性 '凹凸吸收 性，但滑性差，難以取用。又，耐熱性上亦不足以用於 1C標籤。 -46 - 1327105

熱黏著層 中間層(基 材） 非晶性聚酯樹 脂A 非晶性熱塑性樹月旨 B 無機粒子 空洞 化劑 白色 顏料 積層厚度Wm) Tg( °〇 含量 含量 jm. 百里 含量 m 中間 熱黏 種類 獅' TgCC) (麵 麵 (質量 (質量 (質量 著層 驅 著層 %) %) %) %) A 材 B 實施 非晶性聚 78 PS 97 10 - - - - 20 150 20 例1 酯樹脂A1 比較 非晶性聚 78 - - - 觸性 0.05 - - 20 150 20 例1 酯樹脂A1 mm 比較 非晶性聚 78 - - - 硫酸 5 - - 20 150 20 例2 酯樹脂A1 鋇 實施 非晶性聚 78 PS 97 5 - - 6 7 30 240 30 例2 酯樹脂A1 實施 非晶性聚 78 PS 97 20 - - 8 3 20 150 20 例3 酯樹脂A1 實施 非晶性聚 78 PC 148 5 - * - 15 14 47 14 例4 酯樹脂A1 實施 非晶性聚 81 COC 70 30 • - 15 - 26 150 14 例5 酯樹脂A2 比較 非晶性聚 81 COC 70 30 - - 15 - 47 50 3 例3 酯樹脂A2 實施 非晶性聚 60 LDPE -36 5 - - - * 25 250 25 例6 酯樹脂A3 比較 PE爛旨 77 LDPE -36 5 - - - • 25 250 25 例4 (結晶性） 比較 例5 非晶性聚酯樹脂A2之未延伸片 -47 - 1327105 表2 膜之特性 卡或- 賦形 賦形 靜摩 表 透 捲曲 膜厚 凹 熱 率 部外 擦係 觀 光 (mm) (//m) 凸 黏 (%) 緣梯 數 密 率 吸 著 度 度 (%) 收 性 (%) (g/c 性 m3) 實施例1 98 270 0.47 1.4 86 0.4 190 ◎ 比較例1 103 220 NG 1.4 97 0.4 190 〇 ◎ 比較例2 100 190 NG 1.4 91 0.3 190 〇 ◎ 實施例2 104 350 0.68 1.1 4 0.6 300 ◎ ◎ 實施例3 99 250 0.42 1.0 8 0.4 190 ◎ ◎ 實施例4 86 160 0.22 1.4 29 0.2 75 〇 ◎ 實施例5 100 120 0.27 0.8 19 3.9 150 〇 〇' 比較例3 39 90 0.31 0.8 21 NG 100 X △ 實施例6 105 320 0.35 1.4 79 1.1 300 ◎ 〇 比較例4 25 11 0.21 1.4 66 0.9 300 - X 比較例5 103 300 NG 1.3 98 0.4 250 ◎ ◎

實施例7 上述含空洞形成劑之母料九粒[8質量％]'上述含氧 化鈦之母料九粒[6質量及上述PET樹脂[86質量％]之 混合物爲原料Μ。非晶性聚酯樹脂A1 [90質量％]及與上 述樹脂Α1不相溶之熱塑性樹脂Β，直鏈低密度聚乙烯 樹脂（宇部興產公司製，YUMELIT2040F:熔點 H6°C， 密度0· 9l8g/cm3)[10質量％]之混合物爲原料c。並調節 各押出機之樹脂吐出量使雙軸延伸後熱黏著層及中間 層（基材）之積層厚度爲20/1 50/20(單位：M m)。其餘如 -48 - 1327105 同實施例1得熱黏著性聚酯薄膜。用該熱黏著性聚 膜製成1C卡，評估適性（熱黏著性、凹凸吸收性、 性）。亦即，將如上得之膜切出100mmX70mm大小 片，其間配以1C標籤用插入物（OMRON公司 V720S-D13P01)。該二片之兩外面以含空洞之白色 膜（東洋紡績製，CRYSPER K2323; 100/zm)疊合， 壓（140 °C，0. 3 MPa ’ 10分鐘）黏著。由該積層體切 插入物部分之86mmX54mm，去掉四角得1C卡。膜 造如表3，膜及卡之特性如表4。本實施例7得之 著性聚酯薄膜兼具適用作1C卡芯片之熱黏著性、 吸收性及滑性。耐熱性、平面性、隱蔽性、輕量性 適用於1C卡。 比較例6 實施例7中取代直鏈聚乙烯樹脂，改用含平均 1. 5 /Z m(SEM法）之非晶性氧化矽粒子5000ppm之聚 酸乙二酯樹脂以外，如同實施例7得熱黏著性聚酯 及1C卡。本比較例6得之熱黏著性聚酯薄膜雖具 於1C卡之熱黏著性及凹凸吸收性，但滑性極差而裂 無法測定摩擦係數。因此，於1C卡製作過程，取用 熱膨脹所致之滑移無法緩和，產生縐折。 比較例7 施例7中取代直鏈聚乙烯樹脂，改用含平均 3# m(SEM法）之硫酸鋇粒子[50質量％ ]之聚對酞酸 酯樹脂以外，如同實施例7得熱黏著性聚酯薄膜〕 酯薄 耐熱 之二 製， 聚酯 經熱 出含 之構 熱黏 凹凸 上亦

粒徑 對酞 薄膜 適用 i結， 性、 粒徑 乙二 I 1C -49 - 1327105 卡。本比較例7得之熱黏著性聚酯薄膜雖具適用作IC 卡材料之熱黏著性及凹凸吸收性，但滑性極差而黏結， 無法測定摩擦係數。因此，於1C卡製作過程，取用性、 熱膨脹所致之滑移無法緩和，產生縐折。 比較例8 實施例7中以PET樹脂[100質量％]用作原料M，非 晶性聚酯樹脂A [60質量與直鏈低密度聚乙烯樹脂 [40質量％]之混合物用作原料C以外，如同實施例7得 積層雙軸延伸熱黏著性聚酯薄膜及1C卡。本比較例8 得之積層雙軸延伸熱黏著性聚酯薄膜，用於1C卡之必 要熱黏著性不足，不適於該用途。 實施例8 實施例7中以含空洞形成劑之母料九粒[6質量％]、 含氧化鈦之母料九粒[20質量％]及上述PET樹脂[74質量 %]之混合物爲原料M。非晶性聚酯樹脂A2 [69質量％]、 含有機粒子之母料九粒[30質量％]及聚乙烯樹脂（三井 化學公司製，HYWAX400P) [1質量％]之混合物爲原料 C»其餘如同實施例7得熱黏著性聚酯薄膜及ic卡。本 實施例8得之熱黏著性聚酯薄膜兼具用作ic卡芯片之 熱黏著性、凹凸吸收性及滑性。而耐熱性' 平面性、隱 蔽性、輕量性上亦適用於1C卡。 實施例9 實施例7中以含空洞形成劑之母料九粒[15質量％] 及PET樹脂[85質量％]之混合物爲原料M。非晶性聚酯 -50- 1327105 樹脂A2 [85質量％]及高密度聚乙烯樹脂（出光石油化學 公司製 ’ IDEMITSU HD 640UF;溶點 131。(：，密度 0· 95 g/cm3) [15質量％ ]之混合物爲原料c。並使用三台押出 機製造兩面熱黏著層厚度不同，總厚度2. 1mm之3層 構造未延伸膜。此時調節各押出機之樹脂吐出量使雙軸 延伸後各層厚度（熱黏著層a/中間層（基材）/熱黏著層b) 爲1 3 /2 30/7 (單位：Ad m)。而熱黏著層a係接觸冷卻鼓之 表面。所得未延伸膜如同實施例7延伸，微調紅外線加 熱器之溫度使膜表裡有溫差，而雙軸延伸後縱向捲曲爲 最小。其餘如同實施例7得厚度250 # m之熱黏著性聚 酯薄膜及1C卡。本實施例9得之熱黏著性聚酯薄膜兼 具適用作1C卡芯片之熱黏著性、凹凸吸收性及滑性》 而耐熱性、隱蔽性、輕量性上亦適用於1C卡。膜之平 面性上，縱向雖稍有捲曲發生，但無妨於膜之取用。 比較例9 實施例9中調節各押出機之樹脂吐出量使雙軸延伸 後熱黏著層a/中間層（基材）/熱黏著層b之積層厚度爲 37/5/3(單位：/z m)。而縱向延伸步驟中以紅外線加熱器 加熱使膜表裡有溫差減少捲曲之手段不予採用。其餘如 同實施例9得熱黏著性聚酯薄膜。於該膜之熱黏著層b 面配置插入物使天線電路相向，如同實施例7製作1C 卡。本比較例9得之熱黏著性聚酯薄熱黏著性及凹凸吸 收性皆不足。且發生難以取用之捲曲。因不能靜置於平 面無法測定捲曲値。因此，1C卡製作過程中難以取用， -51 - 1327105 將插入物貼合於熱黏著性聚酯薄膜之熱黏著層時無法 正確定位。 實施例1 〇 實施例9中以含氧化鈦之母料九粒[3〇質量％]及pet 樹脂[70質量％]之混合物爲原料μ »以市售非晶性聚醋 樹脂Α3(東洋紡績製，BYLON240;玻璃轉移溫度6(TC)[95 質量％ ]及氣相法聚丙烯樹脂（出光石油化學工業公司 製，IDEMITSU PP F300SP ;熔點 160°C ，密度 0. 90 g/cm3)[5質量％]之混合物爲原料C，製造總厚度1. 3mm 之3層構造未延伸膜。此時調節各押出機之樹脂吐出量 使雙軸延伸後各層厚度（熱黏著層a /白色聚酯層（基材）/ 熱黏著層b)爲14/72/14 (單位：ym)。其餘如同實施例 7得厚度lOOym之熱黏著性聚酯薄膜及1C卡。本實施 例10得之熱黏著性聚酯薄膜兼具適用作1C卡芯片之熱 黏著性 '凹凸吸收性及滑性。耐熱性、隱蔽性、平面性 上亦適用於1C卡。 實施例1 1 實施例10中以非晶性聚酯樹脂A3 [90質量及聚丁 二烯樹脂（NIPPON ΖΕΟΝ 公司製，Nipol BR1220;熔點 95〇C，密度0· 90 g/cm3)[10質量％]之混合物爲原料C。 其餘如同實施例10得熱黏著性聚酯薄膜及1C卡。本實 施例11得之熱黏著性聚酯薄膜兼具適用作1C卡芯片之 熱黏著性、凹凸吸收性及滑性。耐熱性、平面性、隱蔽 性、輕量性上亦適用於1C卡》 -52 - 1327105 比較例i ο 實施例10中以非晶性聚酯樹脂Α3 [90質量％]及聚甲 基戊烯樹脂（三井化學公司製，Τρχ DX82〇;熔點234<t， 密度0· 82 g/cm3)[l〇質量％]之混合物爲原料^其餘如

同實施例10得積層雙軸延伸白色聚酯膜及1C七 _ UL t卞。本比 較例10得之積層雙軸延伸白色聚酯膜，用作Ic卡艺片 之必要熱黏著性不足，不適於該用途。 比較例1 1 實施例1 0中原料C之以非晶性聚酯樹脂A s ^ 乂爲結晶 性聚酯樹脂PET樹脂以外，如同實施例1 〇得 Ί貝增雙軸 延伸白色聚酯膜及1C卡。本比較例1 1得之積 丨两增雙軸延 伸白色聚酯膜，用作1C卡芯片之必要熱黏著怖 ^丨王及凹凸 吸收性不足，不適於該用途。 -53- 1327105 表3 熱黏著層 基材（白 色聚酯 層） 積層厚度(# m) 非晶性聚酯 測旨A 低熔點熱塑性樹 脂 粒子 空 洞 化 劑 白 色 顏 料 mm Tg CC ) 讎 熔 點 (°C ) 含 量 (質 量 %) mm 含量 (質 量％) 含 量 (質 量 %) 含 量 (質 量 %) 熱 黏 著 層a 中 間 層 (基 材） 熱 黏 著 層b 實施例7 A1 78 LLDP E 116 10 - - 8 3 20 150 20 比較例6 A1 78 非晶 性氧 化矽 0.05 8 3 20 150 20 比較例7 A1 78 _ - - 硫酸 鋇 5 8 3 20 150 20 比較例8 A1 78 LLDP E 116 40 - - - - 20 150 20 實施例8 A2 81 HDPE 130 1 三聚 氰胺 9 6 10 20 150 20 實施例9 A2 81 HDPE 127 15 - - 15 - 12 230 7 比較例9 A2 81 HDPE 127 15 - - 15- - 37 5 3 實施例1 10 A3 60 PP 162 5 - - - 15 14 72 14 實施例11 A3 60 PBR 95 10 - - - 15 14 72 14 比較例10 A3 60 PMP 234 10 - - - 15 14 72 14 比較例11 (PET 觀旨） 77 PP 162 5 15 14 72 14 比較例5 非晶性聚酯樹脂A2之未延伸片 -54 - 1327105 表4

表面特性 膜特性 卡之特性 Stl Sal Stl/S St2 靜摩 表 光 膜厚 捲曲 凹 熱 耐 ("m ("m al ("m 擦係 觀 學 ("m (mm) 凸 黏 熱 ) ) ) 數 密 濃 ) 吸 著 性 度 度 收 性 (g/c 性 m3) 實施例7 1.77 0.19 9.32 0.21 0.48 u 1.1 190 0.3 ◎ ◎ 〇 比較例6 0.81 0.10 8.10 0.20 NG 1.1 1.0 190 0.2 ◎ ◎ 〇 比較例7 0.98 0.13 7.54 0.31 NG 1.1 1.3 190 0.2 ◎ ◎ 〇 比較例8 26.4 3.0 8.86 13 0.29 1.4 0.2 190 0.3 〇 Δ 〇 實施例8 3.40 0.37 9.19 1.0 0.70 1.2 1.3 190 0.3 ◎ ◎ 〇 實施例9 3.53 0.40 8.89 0.26 0.35 0.9 1.2 250 4.6 〇 〇 〇 比較例9 2.98 0.39 7.64 0.39 0.39 1.0 0.4 45 NG X △ Δ 實施例10 1.21 0.13 9.31 0.45 0.57 1.4 0.8 100 0.5 〇 〇 〇 實施例11 1.56 0.20 7.80 0.40 0.53 1.4 0.9 100 0.4 ◎ ◎ 〇 比較例10 2.25 0.28 8.04 1.50 0.51 1.4 0.8 100 0.5 - X - 比較例11 5.07 0.20 25.3 5 4.38 0.31 1.4 0.8 100 0.2 - X - 比較例5 250 - ◎ ◎ X

產業上之利用可能性 本發明之熱黏著性聚酯薄膜，係耐熱性、耐藥物性、 環境適性優良之雙軸延伸聚酯膜，兼具目前難得之熱黏 著性、凹凸吸收性及滑性。藉此可得，向來用於1C卡 或1C標籤之無配向PVC片、PET G片或其貼合仍難得之 上述特性。本發明不只提升1C卡或1C標籤之性能，並 能省略貼合步驟，大有助於經濟效益。 【圖式簡單說明】 第1圖 本發明之實施例1得之用於1C卡之芯片剖面示 意圖。 -55 - 1327105 第2圖 本發明之另一實施樣態之用於1C卡或1C標籤 之芯片剖面示意圖。 第3圖 本發明之1C卡或1C標籤之剖面示意圖。 第4圖 本發明之另一實施樣態之1C卡或1C標籤之剖 面示意圖。 【符號說明】 1 熱 黏 著 層 2 雙 軸 延 伸聚酯膜 3 插 入 物 (3A+3B+3C) 3A 塑 膠 膜 (基材） 3B 天 線 電 路 3C 1C 晶 片 4 Μ J 1 配 向 聚酯片或雙軸延伸聚酯膜 -56 -

Claims (1)

1. 82號「熱黏著性聚酯薄膜、用它之ic卡或1C標籤 之製法、及1C卡或1C標籤」專利案 (2010年3月31日修正） 十、申請專利範圍： 1·—種ic薄片用熱黏著性聚酯薄膜，係於雙軸延伸聚酯 膜之一面或兩面積層熱黏著層之熱黏著性聚酯薄膜，其 特徵爲熱黏著層之厚度在5〜30μιη，由玻璃轉移溫度 50〜95 °C之非晶性聚酯樹脂a及與其不相溶之熱塑性樹 脂B之混合物構成’熱塑性樹脂B係（a)熔點5 04 8(rc 之結晶性樹脂’（b)玻璃轉移溫度-50〜150。(：之非晶性樹 脂’（c)或該等之混合物之任一，以1〜3〇質量％含於熱 黏著層中。 2. 如申請專利範圍第1項之1C薄片用熱黏著性聚酯薄 膜’其中雙軸延伸聚酯膜係於其內部含白色顏料及微細 空洞之一或二者的白色聚酯膜。 3. 如申請專利範圍第1項之1C薄片用熱黏著性聚酯薄 膜’係於雙軸延伸聚酯膜之兩面積層熱黏著層，以其一 之熱黏著層爲熱黏著層a，另一爲熱黏著層b(厚度同熱 黏著層a或比熱黏著層a薄）時，上述熱黏著層之厚度 比（熱黏著層a厚度/熱黏著層b厚度）在1. 0〜2. 0，且 膜加熱處理後（110 °C，無荷重下 30分鐘）之捲曲値在 5 m m以下。 4. 如申請專利範圍第1或2項之1C薄片用熱黏著性聚酯 薄膜，其中薄膜內部含多數微細空洞，且（a)膜表觀密 1327105 度爲 0.7〜1.3 g/cm3，（b)厚度爲 50~350μηι，（c)光學濃 度爲0.5〜3.0或透光率爲25~98%。 5. 如申請專利範圍第1項之1C薄片用熱黏著性聚酯薄 膜，其中熱黏著層表面滿足下述式（1)~ (3): 1.0^ Stl ^ 10.0 . · . (1) 3·0 S St 1/Sal S 20 · . . .(2) 0.001 ^ St2 ^ 3.000 · · · (3) 上述式（1)〜（3)中，Sal指熱黏著層表面之算數平均表面 粗度，Stl指最大高度；St2指以算數平均表面粗度〇. 001 μηι以下之2片潔淨玻璃板夾住薄膜，於溫度100 °C 壓力1 MPa之條件下熱壓處理1分鐘後熱黏著層表面之 算數平均表面粗度；而Sal、Stl、St2之單位皆係μιη。 6. 如申請專利範圍第1項之1C薄片用熱黏著性聚酯薄 膜，其中熱黏著性聚酯薄膜正面與反面間之靜摩擦係數 在0_1〜0.8，熱壓賦形性滿足（4)及（5): (4) 賦形率:4 0-1 05% (5) 賦形部外緣梯度：20~1 000% 賦形率係將天線電路或銅箔片載置於熱黏著層表面熱 壓後，常溫常壓下去除天線電路或銅箔片時，天線電 路或銅箔片造成之熱黏著層凹陷深度，賦形部外緣梯 度係該凹陷外緣壁面之梯度。 7·—種1C薄片之製法，其爲用於1C卡或1C標籤之1C薄 片之製法，其特徵爲於塑膠膜設有天線電路及1C晶片 之插入物的一面或兩面配置如申請專利範圍第1項之 1327105 ic用薄片熱黏著性聚酯薄膜，介著熱黏著性聚酯薄膜 之熱黏著層將插入物熱壓黏著成芯片用作構成要素。 8. —種1C薄片，其爲用於1C卡或1C標籤之ic薄片，其 特徵爲含有於塑膠膜設有天線電路及1C晶片之插入物 的一面或兩面積層如申請專利範圍第1項之1C薄片用 熱黏著性聚酯薄膜，介著熱黏著性聚酯薄膜之熱黏著 層將插入物黏著成之芯片作爲構成要素。 9. 如申請專利範圍第8項之1C薄片，其中於芯片兩面積 層聚酯片或雙軸延伸聚酯膜。 10. 如申請專利範圍第8或9項之1C薄片，其中表觀密度 爲 0.7 g/cm3 以上未達 1.3 g/cm3。 11. 如申請專利範圍第8或9項之IC薄片，其中透光率爲 10%以上98%以下》 12. 如申請專利範圍第8或9項之1C薄片，其中透光率爲 0.01%以上5%以下》