TWI321353B - Electronic device, manufacturing method therefor, and semiconductor device - Google Patents

Description

JJJ 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於由金屬辦3 田立屬肢形成圖案的電路透過黏著 而固定於絕緣性基材上的雷；知处 ^ 〜 一 幻电子組件、及其製造方法、以為 採用該電子組件所獲得之半導體裝置。 【先前技術】 習知乃廣泛採用在絕緣性基材表面上具電路的電子 組件5以貫施半導體妒署 从 裝置之製造。以下，茲就習知電子紐 件之構造例進行簡單說明。 蝴第4圖所示電子組件1〇〇係在絕緣性基材ιι〇單面整 肢上形成黏著劑層丨2〇， μ 隹具表面上形成電路130。電踗 130乃由銅等所構成 屬胆13 1形成圖案者，譬如利用 夺占貼金屬箔並施以圖案化處理而形成。 右使用此種構成的雷；έΒ 再肷扪电子組件、或採用該電子組件所 造之半導體裝置，則椹占布 'I構成毛路的金屬即離子化，而逐漸净* 移至黏著劑層内，；止忐4 —十丨a ^ 4成黏者劑層絕緣性降低，導致構成電 路的複數個金屬魏凌# μ ^ 一 透過站考劑層而導通的現象發生。此問 邊特別以在高溫乾燥下、 田古 _ 4问/皿同濕下使用的情況最為顯 者。 疋13提出一種藉由即使構成電路的金屬產生離子 =難直以轉移的特殊樹脂組成物來構成點著劑層(譬如參 八利捋開平8-23 87 13號公報 '特開平1 1 -1 8 1233號 t二構想。但是，當在高溫乾燥下或高溫高濕下使用 …僅隻更點著劑層配方，仍無法完全避免上述問題。 315186 5 【發明内容】 本發明乃有鑑於上述問 -% BP ^ 1碭而研創者，其目的在於提供 裡即便南溫乾燥下、或吝、、θ古 成電路Μ $ k , 内，撒冋濕下使用，仍不致擔心構 乂电路的複數個金屬體會透 而採用π β户± < 4者劑層而形成導通狀態， 叩妹用％緣信賴性較高的電 該電子έ # θ ，，牛、及其製造方法、以及 千組件所獲得之半導體裝置。 因此’本發明所提供 案的電路，透過黏著劑層而固於由金屬體形成圖 件中，與相鄰之上厘 邑緣性基材上的電子組 者。 处、屬體相接的黏著劑層為相互分隔 以典型情況而言， 命 捲帶#连@ Λ 上述电子組件係如附有導線架固定 死 Τ的導線架、tar接册 1 1± ^ h ⑽捲^可撓印刷電路板中任-者。 本I明尚提供電子組件 圖案的電路，透過4，口 方法’係由金屬體形成 透k 4者背j層而固定於 組件之製造方法，包含有·· ’生基材上的電子 =在絕緣性基材表面上，依序具有未形成圖案之點 及…與由金屬體形成圖案之電路的疊層體的步驟·以 •I2疊層體照射可從上述電路側選擇性去除勒著 射光’俾將與相鄰之上述金屬體相接的黏著劍； 予以分隔的步驟。 $ Μ層 以典型例而言，上述雷射光係準分子雷射光。 本發明尚提供電子έ # 掌〗 圖案的電路’透過金屬體形成 遣I姑者劑層而固疋於絕緣性基材上的電 315]86 6 組件之製造方法，包含有： “製備在絕緣性基材表面上，依序具有未形成圖案Μ :劑層、肖由金屬體形成圖案之電路的疊層體的步驟；以 及 在上述疊層體中，對位於相鄰之上述金屬體間的黏著

d層，選擇性的昭為+命A ^ ‘、，、射由射先，俾將與相鄰之上述金屬體相 接的黏著劑層予以分隔的步驟。

本發明尚提供電子組件 .,.H 圖案的雷故，ϋ 千之Ik方法，係由金屬體形成 透k黏著劑層而固定 組件之製造方法，包含有：隸基材上的電子 :由金屬體形成圖案的電路表面h 者劑層形成圖案的步驟；以及 沁狀將黏 在上述點著劑芦 曰上貼附絕緣性基材的步驟。 以典型例而言 μ -.· ^ ’丁、J 用印刷法或分配（dispense Vi* ^ 上述黏著劑層形成圖案。 V P we)法，將 本發明尚提供電+ 圖案的電路，透過點:U造方法’係由金屬體形成 件之製造方法，包含；層而固定於絕緣性基材之電子組 為使與構成應固 著劑層柄互分隔，而： 相鄰之金屬體相接之點 圖案的步驟；，及於絕緣性基材表面上將點著劑層形成 基材路透過上述1U劑層而形成於上述絕緣性 ，、主例而έ ，係利用印刷法或分配法，將上述黏 315186 丄似353 劑層形成圖案。 子組件而製得的半導體 本發明尚提供採用如上述電 裝置。 依照本發明，即使在高溫乾燥下、或高溫高渴下使 用，仍不致擔心構成電路的複數個金屬體會透過點著劑声 而形成導通狀態，巾能提供一種絕緣信賴性較高的電子組 件、及其製造方法。此外，藉由採用本發明的電子組件， 即可提供絕緣信賴性較高的半導體裝置。 【實施方式】 以下，茲參照圖示詳細說明本發明實施形態。 羞_子組件之構造 首先，根據第1圖所示，針對本發明實施形態的電子 組件構造進行說明。第1圖所示係朝絕緣性基材面之垂直 方向切斷為例之剖視圖。 本實施形態的電子組件1係由金.屬體3 i形成圖案的 電路30,透過黏著劑層20固定於絕緣性基材1〇者不同 方；s知電子組件之點乃在於：僅在電路3 〇與絕緣性基材 ]〇之間形成黏著劑層20，而與相鄰之金屬體3丨相接的黏 著劑層20為互相分隔。 以電子組件1而言，具體而言可舉例如··附有導線架 固定捲帶的導線架' TAB(Tape Automated Bonding)捲帶、 可挽印刷電路板等。 以絕緣性基材1 〇而言雖無特別限制，但以採用例如： 由水 1 亞胺（pojyimide)、聚 4 乙酷（p〇lyethylenenaphthalate)、 8 315186 1321353 聚對本二曱酸乙二 g旨（polyethyleneterephthalate)、聚謎楓 (polyether sulfone)、聚鍵鍵酮（p〇iyetheretherketone)、聚 苯硫 _ 樹脂（polyphenylene sulfide)、氟化乙烯丙稀（fiuoro ethylene propylene)、液晶聚合物等所構成之耐熱薄膜或耐 熱捲帶，含浸苯盼樹脂等不織布或紙；含浸環氧樹脂或 BT(biSmaleimide triazine)樹脂等的玻璃布（glass cl〇th)等 為較佳。 其中，從耐熱 薄膜或捲帶較佳。 如：宇部興產公司 麗杜邦公司製之卡 學公司製之亞畢佳 以構成黏著劑 只要具絕緣性，並 者便可，但以採用 等硬質樹脂為主成 等者為較佳。 性觀點而言，係以由聚酿亞胺所構成之 而以市售的聚醯亞胺薄膜而言則有例 製之猶畢雷克斯S(商品名，音譯）、東 '曰’頓（商品名’音譯）Η、V、EN '鐘淵化 爾（商品名，音譯）NPI ' HP、ΑΗ等。 層20的黏著劑而言，並無特別限制， 可將絕緣性基材1 〇與電路3 0予以黏著 以聚酿胺樹脂等可撓樹脂、與苯酚樹脂 刀’含有環氧樹脂、咪唑類（imidaz〇iy 其中，係以將c 3 6 溫固體苯紛樹脂、常_、ra 屮✓皿 理想。 二聚（dimer)酸基的聚醯胺樹脂、常 液狀環氧樹脂等予以適度混合者為 以聚醞胺樹脂而t， 1 00000者為佳。此外， (carboxy丨ic acid)與氨而使 此以適當選擇笨酚樹脂或 尤以質罝平均分子量為5000至 因為聚醯胺樹脂原料的羧酸 醒胺樹脂凝聚力亦產生變化，因 環氧樹脂的分子量 '軟化點等為 9 315186 1321353 理想。 再者，亦可取代聚醯胺樹脂，而改為 入兮刼用聚酯樹脂、 丙烯睛丁二烯樹脂（acryloniiriie butad].ene)、聚醯亞胺樹 脂、丁醛(bUtyral)樹脂、或該等經矽膠改質的樹脂等。此 外，亦可取A苯醅樹脂或環氧樹月旨，而改為採用順丁稀二 醯亞胺（maleimide)樹脂、酚醛（res〇】）樹脂、： — ^ SL雜本 (triazine)樹脂等。 以構成電路30(金屬！ί 31)的金屬而言，並無特別限 制，只要具有良好導電性者即可，可採用如：銅、鋁 '金' 銀、白金'鉻、鏡、鎢等、或該等之合金等。 本實施形態的電子組件！，係採用與相鄰之金屬體Η 相接的黏著劑層20相互分隔的構造。所以，即便在構成電 路30的金屬產生離子化並轉移至黏著劑層2〇内的情2 構成電路30的複數個金屬體31亦完全不會有透二黏 者劑層20而導通的顧慮，具有極優越的絕緣信賴性。再 者，藉由採用此種絕緣信賴性優越的本實施形態之電子組 件】而製造半導體裝置，便可提供絕緣信賴性較 體裝置。 再者，構成電路的金屬發生離子化並轉移至黏著劑層 内的問題，由於以在高溫乾燥下、或高溫高濕下使用的情 況特別突顯，因而本實施形態的電子組件1、或採用該； 子組件所後得之半導體裝置，特別適用於在此種環境下 用的情況。 再者，本實施形態雖僅針對在相鄰金屬體31間完全 ]〇 315186 未形成黏著劑層2〇的情 屬體3】相# 0 , , § ，但是只要與相鄰之金 接的黏者劑層2〇為互相 所示，在相鄰之金屬體3ί門…广則亦可如第2圖 # ^ ζ 蜀m 間形成黏著劑層2η。 八-人，針對本發明實施形 行說明。本奋 电子組件之製造方法進 本Λ細形磕乃採取第！圖所示# 2 方法為例進行說明。 包子組件1之製造 -上=第劑3::所二，在_基材_整 4〇^^^^^^^^# < 巴川製紙所公司所萝#乃知用市售品，譬如： A j所裏作的黏著捲帶厂 名，音譯）、：巴川萝 亞田玢R722」（商品 衣、·氏所公司所製 雷纷FCX」（商品名 表作的Μ用捲帶「亞 曰年j等。另外 ★ 而改為採用在絕緣性，亦可取代市售品， 調製成者。 材上塗布點著劑並予以半硬化等而 其次，如同圖所示，在 ▲ 之黏著劑層20A側的面上，y 4著劑層之絕緣性基材40 電路30。電路30係可/ 成由孟屬體31形成圖案的馨 寸有勒著劑岸之竭多 貼附銅箔等金屬箔，足射# β之...巴...彖性基材4〇上 ί ✓、苑（行圖安y 士 箔的圖案化處理，可利 水化處理而形成。金屬 影、金屬㈣刻、光阻：序施行形成光阻膜、曝光 '顯 J 元阻膜之备丨〜 施。此外，亦可取代金屬箔：·洛寺步驟的光微影法而實 圖案之電路的導線牟耸蜀治，而改為貼附預先形成既定之 〇寺’而在附有 40表面上形成電路3〇。 +者W層之絕緣性基材 】] 3]5】86 如上述之方 依序具有未形成;^可調製出在絕緣性基材⑺表面上， 41。 #的黏著劑I 20Α、與電路3〇之疊層體 再者，在本發明+ 狀 '大I青 中，由金屬體形成圖案之電路的拟 狀大小、黏著劑的形 冤路的形 大小等，均i 以及絕緣性基材的形狀、 9無特別限制❶ 其次，如望 1 ·ρ 側照射可將二/所示’對疊層體41整面從電路30 對於由金屬i=r〇Ait擇性㈣（去除）的雷射光卜 屬所構成之電路3〇不予蝕 有機物所構成之黏菩…Λ 僅選擇性對由 如有準八j 4㈣刻的雷射光而言，例 戈0有準分子雷射光等。 此可Iφ射光L❾1次的照射面積可予以適當設計，因 具。且層肢41分割為複數個區域後再施行照射，亦可將 =層體4、整面統籌—次施行照射。特別就作業簡單化的觀 .·而β ，最好統籌—次照射層積體*丨整面較理想。 藉由對疊層體41整面照射特定雷射光L，並使電路3〇 具罩幕功能，而如第3C圖所示’將未形成電路3〇:部分 的點著劑層20A選擇性的去除，僅殘留位於電路3〇與絕 緣性基材10之間的黏著劑層20A。結果，僅在電路/〇與 絕緣性基材10之間形成黏著劑層2〇，而完成與相鄰之金 屬體3 1相接的黏著劑層2 0相互被分隔的電子组件工。 再者’亦可取代一次便廣範圍地施行雷射光照射，而 改為掃描照射光束狀之雷射光。此情況下，尉位於相鄰之 金屬體31間的黏著劑層2 0 A =選擇性的照射雷射光，便方 315186 12 ^21353 將與相鄰之金屬體31相接的點著劑層鳩予以分隔。此 情況下，因為僅對點著劑層20A施行雷射光照射，因此便 :採用不僅對有機物進行蝕刻，就連對金屬亦進行蝕刻的 雷射光。此時，亦可將位於相鄰之金屬體31間的黏著劑層 20A予以部分去除’製造出如第2圖所示之電子組件卜 依照本實施开）態的電子组件之製造方&，在採用現有 的附有黏著劑層之絕緣性基材，％如同習知同樣形成電路 之後’便可依僅照射雷射光的簡單操#，製造出使與構成 電路之相郧之金屬體相接的黏著劑層相互分隔的本發明之 電子組件。所以，在對現有製程不致有太大改變的情況下， 便可簡單的製造本發明電子組件，故極為理想。 重·其他製违方法 本發明的電子組件亦可依上述實施形態以外的製造 方法進行製造。 譬如準備預先形成既定之圖案之電路的導線架等，再 對電路表面’沿電路形狀將黏著劑層形成圖案之後，於黏 者劑層上貼附絕緣性基材，亦可製造本發明的電子組件。 此卜在絕緣性基材表面上，使與構成電路的相鄰之金屬 體相接之黏著劑層相互分隔而將黏著劑層形成圖案之後， 再形成電路之方式’亦可製得本發明的電子組件。 另外’以將黏著劑層形成圖案的方法而言，例如有印 刷法或分配法等。 采用°玄荨‘造方法，由於不需要對在絕緣性基材整面 所形成的黏著劑層施行圖案化處理，因此具有可削減黏著 13 315186 1321353 劑使用量等優點。 以下’針對本發明實施例與比較例進行說明。 實施例1 一〜，比垂柯之早面整體上形玖黏者劑層的黏著 捲可（巴川製紙所公司所製作之「亞雷玢R722」（商品名， 曰晕））予以貝牙’而加工呈外觀尺寸2 0 mmx 2 0 mm '内部 尺寸lOmmx i〇mm、寬度5mm的框狀，而獲得導線架固定 册 〇 並 卜 ^八夂，在此捲帶的黏著劑層側，載置208接腳導綠 木之後再於1 6〇°C下施行1秒鐘加熱而予以壓接並固定。 準八’對所獲得之疊層體整面’從導線架側統籌照射 ^ 运射光’而將未存在導碑举夕八/日n 分）的點著劑層予以“ Μ即接腳之間的部 HC下加執】士矛'。取後，利用熱風循環型乾燥機在 口，、，、1小時俾使黏著 :組件(附有導線架固定捲=:)’而㈣本發明的電 將在絕緣性基材之單面整體形 捲▼(巴川製紙所公司所 者丁 AB用 音擇））、與3M盘司電解鋼产，·#亞/场F«」（商品名， 其次，利用埶風彳盾琿φ ° '白、過黏著劑層進行貼附。 h 風循銥型乾燥機依序在7Κ :6小時、在16吖下6小時的加奴下6小時、在U0 再灰銅箔上形成光阻膜铁 …使黏者劑層硬化。

蝕刻、光阻膜4,丨-# …、'後依序施行曝光、IIP Μ制洛’俾對鋼落施行 心、銅落 ，、次’對所獲得叠層體之 π處理而形成電路。 卜刀子雷射光，而將未形成電路之部^路側予以統霉照射 々的黏著劑層予以去

U 3J5J86 1321353 除，以獲得本發明的電子組件（TAB捲帶）。 實施例3 在2〇8接腳導線架上，沿其形狀將黏著劑清漆（巴川f 紙所公司戶斤製作之「亞雷Μ%(商品名，音譯）用清漆），、 利用为配法進行塗布之後’再利用熱風循環型乾燥機在 150。。下施行3分鐘加熱乾燥，而形成黏著劑層。其次，將 聚I亞胺薄膜（東麗杜#公司冑、卡普頓2〇〇取商品名音 譯））予以貫f ’而加工呈外觀尺寸2〇_ 2〇匪、内部尺 寸1 Ommx l〇mm、寬度5mm之框狀的導線架固定捲帶載 置於黏著劑層上之後’再於i 6()。〇下施行i秒鐘加熱而壓 接並固定。最後，利用熱風循環型乾燥機在1 501下加熱】 小時俾使黏著劑層硬化，而獲得本發明的電子組件（附有導 線架固定捲帶之導線架）。 貫施例4 在208接腳導線架上，沿其形狀將黏著劑清漆（巴川製 紙所公司所製作之「亞雷玢R722」（商品名，音譯）用清漆）， 利用網版印刷法進行塗布之後，再利用熱風循環型乾燥機 在1 50 C下施行3分鐘加熱乾燥，而形成黏著劑層。其次， 將聚醯亞胺薄膜（東麗杜邦公司製、卡普頓2〇〇H(商品名， 音譯））予以貫穿，而加工呈外觀尺寸2〇mmx 2〇mm、内部 尺寸1 Ommx 1 〇mm '寬度5mm之框狀的導線架固定捲帶， 載置於黏著劑層上之後，再於} 6(rc下施行丨秒鐘加熱而 壓接並固疋。最後，利用熱風循環型乾燥機在]5 〇它下加 熱]小％俾使黏著劑層硬化，而獲得本發明的電子組件（附 315186 有導線架固定捲帶之導線架）。 比較例 隊禾施行準分 例1之方式，獲得比較用之電子組件。 估結果 針對在各實施例、比較例中所獲得之電子組件，實施 下述電氣絕緣信賴性之試驗。 在n〇°C、相對澄度85%、2氣壓（約2〇2611匕）環境下， 對電路施加電舞之接，：目丨丨旦进κ 的金屬麵之門土 ，"里哉至絕緣遭破壞而在構成電路 1〇ν。祖β開始流通電流為止的時間。施加電壓設定為 ”使與構成電路之相鄰之金屬體相接的黏著劑層 刀隔而將黏著劑層施行圖案化處理的實施例1至4 的入即便經過2〇00小時後’電阻值仍無變化，而構成電路 '屬肚間並未流通電流，顯現出良好的絕緣信賴性。相 對於此，名：车收# ^ 將4者劑層形成圖案的比較例中，則係經過 3 3 6小時之接 — 使在構成電路的金屬體間產生短路現象，顯 不出不良的絕緣信賴性。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施形態的電子組件構造例圖。 第2圖係本發明實施形態的電子組件另一構造例圖。 至3 c圖係本發明實施形態的電子組件之製造方 法步驟圖。 弟4圖係習知電子組件構造例圖。 16 315186 1321353 1 電子組件 10 絕緣性基材 20 黏著劑層 30 電路 3 1 金屬體 40 附有黏著劑層之絕緣性基材 41 疊層體 100 電子組件 110 絕緣性基材 120 黏著劑層 130 電路 13 1 金屬體 20A 黏著劑層 L 雷射光 17 315186

Claims (1)

1. 第92129340號專利申請案 (98年9月29曰 2 9 拾、申請專利範圍·· ~~種電子組件之製造方、土 路，透a ，係由金屬體形成圖案的電 劁、& 士、+ 疋於、、·^•緣性基材上的電子組件之 展化方法.，包含有： 調製在絕緣性基材 黏著劑層、與由金屬體 驟；以及 表面上，依序具有未形成圖案之 形成圖案之電路的疊層體的步 對剛述豐層體照射可從前述電路 才著劑層的雷射光，俾將與相鄰之前述金屬體相接的= 砌層予以分隔的步驟。 2. ^申請專利範圍第i項之電子組件之製造方法，其中， 刖述雷射光係準分子雷射光。 3 ·種電子組件之製造方法，係由金屬體形成圖案的電 路，透過黏著劑層而固定於絕緣性基材上的電子組件之 衣造方法’包含有: 凋製在絕緣性基材表面上.，依序具有未形成圖案之 黏著劑層，、與由金屬體形成圖案之電路的疊層體的步 驟；以及 在前述疊層體中，對位於相鄰之前述金屬體間的黏 著劑層’選擇性的照射雷射光，俾將與相鄰之前述金屬 體相接的黏著劑層予以分隔的步驟。 4· 一種電子組件之製造方法，係由金屬體形成圖案的電 路’透過黏著劑層而固定於絕緣性基材上的電子組件之 製造方法，包含有： 18 315186(修正版) *. ___1 在由金屬體形成圖案的電路表面上 黏著劑層形成圖案的步驟；以& &㈣狀將 在前述黏著劑層上貼附絕緣性基材的步驟。 6. t申請專利範圍第4項之電子組件之製造方法，传利用 二刷法或分配法，將前述黏著劑層形成圖案。 種電子组件之製造方法，係由金屬體形成圖 :，透過黏著劑層而固定於絕緣 製造方法，包含有：. ]冤子組件之 為：與構成應固定電路之相鄰之金 者劑層相互分隔，而在铒 按之黏 成圖案的步驟；以及基材表面上將黏著劑層形 :前述電路透過前述黏著劑層緣 性基材上的步驟》 ⑴、、、、巴緣 7.如申請專利範圍第6項之電子組件之製造方法，係利用 印刷法或分配法，將前述黏著劑層形成圖V!係利用 315.186(修正版) 19