[go: up one dir, main page]

TWI311361B - Semiconductor chip package and heat slug - Google Patents

Semiconductor chip package and heat slug Download PDF

Info

Publication number
TWI311361B
TWI311361B TW095109730A TW95109730A TWI311361B TW I311361 B TWI311361 B TW I311361B TW 095109730 A TW095109730 A TW 095109730A TW 95109730 A TW95109730 A TW 95109730A TW I311361 B TWI311361 B TW I311361B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
opening
recesses
heat sink
recess
substrate
Prior art date
Application number
TW095109730A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200737449A (en
Inventor
Juncheng Liu
Pinhong Chiu
Original Assignee
Advanced Semiconductor Eng
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Eng filed Critical Advanced Semiconductor Eng
Priority to TW095109730A priority Critical patent/TWI311361B/zh
Publication of TW200737449A publication Critical patent/TW200737449A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI311361B publication Critical patent/TWI311361B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

1311361 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 '本發明係有關於一種半導體晶片封裝構造,特別是有關 於種具有散熱片(heat slug)之半導體晶片封裝構造。 【先前技術】 積體電路(或稱晶片)封裝技術逐漸成為發展更高效能 之封裝積體電路的限制因素。封裝構造的設計者一直掙扎於 追趕接腳數(pin e〇unt)的增加、尺寸限制、低側面接著限 制(profUe mounting constraint)以及其他對於封裝以及接著 積體電路逐漸發展㈣要求。目前常料—種封裝以及封裝 構造接著的方式,係為球格陣列封裝構造, 此外,隨著晶片功能的增加,其會耗更多的能量而產生 必須移除之廢熱(避免積體電路或晶片因過熱而損壞)。因 此,在大部分的情況下,大都雷 “要利用散熱件來消散晶片所 產生之廢熱。 第1A圖與第1B圖所示為一種 裡 > 用之散熱片球格陣列 (Heat Slug BGA)封裝構造 1〇〇,里 共王要包含一設於基板11〇 上的半導體晶片120、一散埶片ηη ιν ^ 土板11ϋ 月文熟片130以及一封膠體14〇。該 半導體晶片12 0係電性連接於兮其此# 思操於該基板。該散熱片130传用以 減少降低該習用封裝構造1〇〇 糸用 resistance) 〇 〇〇 之熱阻抗(thermal 該散熱片13 0 —般係以導埶雷 …、電佳的材料(例如金屬) 製成,但封膠體14〇 —般是以絕 金屬 貝I例如裱氧化合物塑 1311361 料)製成。因此,該散熱片130與封膠體140間的結合力相 當弱,並且其間的熱膨脹係數差異很大。當該習用封裝構造 1〇〇受到溫度變化時,在散熱片與封膠體間的介面就會因熱 膨脹係數不一致(CTE mismatch)而有應力產生。該應力會’導 致該金屬/塑膠介面層裂(delaminati〇n)(j而當該金屬/塑膠介 面產生層裂時,週遭的水分就會經由該封膠體渗透積聚到該 、裂之區域,而一旦水分積聚在封膠體中,則遇到溫度快速 增加時,積聚的水分會瞬間蒸發並且膨脹,因而在該層裂之 區域產生-内部壓力而導致附近之封膠體破裂(⑽⑻。該封 膠體破裂常見於當前述之習用裝置藉由紅外線
,焊接至一外部印刷電路板時。 (R 、因此,習用之散熱片130 一般設有小凹部(⑴呵⑼、 用以增加散熱片與封膠體間的接觸面積,藉此增加該散熱片 130與封膠體14G間的結合力1而,由於該些小凹部130a :ί I 口寬底部窄的剖面,因此其無法穩固地將散熱片固定 在封膠體上。 【發明内容】 、生 纟發明之主要目的係提供__種半導體晶片封裝構 U克服或至少改善前述先前技術之問題。 ^用於本發明之半導體晶片封裝構造主要包含設於一 : I導體曰曰片與散熱片以及一封膠體。該封膠體係利 用::的塑膠模塑法(例如傳遞模 一 形成在該半導體晶片、該散熱片以及至少該基板之一二 1311361 上,使得該散熱片之上表面至少 藉此獲得較佳之散熱效能。 以暴露於該封膠體’ 且有:述以及其他目的,根據本發明之散熱片之下表面 八複數個凹部,每一該些凹部具有口、 =該:部與該開口。值得注意的是,該側壁 =面之夾角係小於90。,使得該些凹部具有開口窄底; =的箱。較佳地,該些凹部之開口之寬度係小於底部之 度。由於該些凹部具有開口窄底部寬的剖面,因此,在硬化 (curing)製程中塑料(mGlding eQmpQund)會收縮並且會__ 些凹部之側壁施以一端緊張力,藉此該散熱片會被硬^ 塑料固定在位置上。 在另實施例中,該散熱片之下表面具有複數個延伸方 向不同之第-凹部與第二凹部(取代前述之凹部),使得該 封膠體具有複數個第一突出部分與第二突出部分別形成在 該些第一凹部與第二凹部之内,且該些第一突出部之延伸方 向係與該些第二突出部之延伸方向不同,藉此,在硬化 _ (cunng)製程中,塑料(molding compound)會收縮而使得該第 一突出部分與第二突出部分一起夾持住該散熱片。較佳地, 該些第一凹部之延伸方向與該些第二凹部之延伸方向之間 的夾角Θ2 (亦即該些第一突出部之延伸方向與該些第二突 出部之延伸方向之間的夾角)係小於90。,藉此提供更佳的 夾持效果。 【實施方式】 8 1311361 、雖然本發明可表現為不同形式之實施例,但附圖所示者 ’ 及於中說明者係為本發明之較佳實施f列,並言青了解本文 日尋示者係考1為本發明之一範例,且並非意圖用以將本發 月限制於圖示及/或所描述之特定實施例中。本發明之圖示 1用以楚繪示實施例的相關特冑,而並不—定按比例繪 ^某些尺度與其他相關尺度相比已經被誇張或是簡化,以 ^供更清楚的描述和本發明的理解。 第2 A-2B圖所示為根據本發明一實施例之半導體晶片 籲封裝構造200,其主要包含設於一基板21〇上之半導體晶片 22〇與散熱片230以及一封膠體24〇。該散熱片23〇可以是 金屬片,用於幫助半導體晶片散熱至封裝構造外部。該散 熱片係被彎折而形成一設於該半導體晶片22〇上方之中間 部分以及一固設於該基板21〇上之周邊部分。 值得注意的是,該散熱片230之下表面具有複數個凹部 232(參見第2B圖)’每一該些凹部232具有一開口 232a、 一底部23 2b以及一側壁23 2c連接該底部232b與該開口 • 232a。值得注意的是,該側壁232c與該散熱片下表面之夾 角Θ i係小於90。,使得該些凹部232具有開口窄底部寬的 刮面。較佳地,該些凹部232之開口 232a之寬度di係大於 ‘底部232b之寬度d2。 該封膠體240係利用習知的塑膠模塑法(例如傳遞模塑 法(transfer molding))形成在該半導體晶片22〇、該散熱片 230以及至少該基板210之一部分上,使得該散熱片2^之 上表面至少有部分係暴露於該封膠體240,藉此獲彳寻較彳圭< 1311361 散熱效能。為了更進一步提高該半導體封裝構造2〇〇的散熱 效率,亦可在該散熱片2 3 〇裸露之上表面加設背鰭式散熱件 或是風扇。 值得注意的是,由於該些凹部232具有開口窄底部寬的 剖面,因此,在硬化(CUring)製程中塑料(m〇Ming c〇mp〇und) 會收縮並且會對該些凹部232之側壁232c施以—繃緊張 力,藉此S亥散熱片23 0會被硬化後之塑料固定在位置上。
第3圖所示為根據本發明另一實施例之半導體晶片封 震構造300。除了該散熱片23〇之下表面具有複數個第一凹 部234與第二凹部236(參見第3圖)每一該些第一凹部叫 與該些第二凹部236之剖面輪廓具有一開口、兩側邊以及連 接該兩側邊之底面,該第一凹部234具有一由底面中心點延 申至開口中〜之第一延伸方向,該第二凹部具有一由底 面中心點延伸至開口中心之第二延伸方向,其中第-延伸方 向係與第二延伸方向不同’該封膠體240具有複數個第 =24:與第二突出部分-別形成在該些第一凹部234 ” 凹°卩236之内,其中每一該些第一凹部與該些第二凹 兩側邊以及連接該兩側邊之底面;開:與 係與該些第二突㈣2:6=一突出部244之延伸方向 (―胸中,峨缚 向不同,藉此,在硬化 一突出P / 。啊咖)會收縮而使得該第 犬出h 244與第二突出部分24 弟 230。較佳地,該 起㈣住錢熱片 部236之延伸方向―二:/ 34之延伸方向與該些第二凹 向之間的夾角Θ 2(亦即該些第一突出部244 10 1311361 之延伸方向與該歧第-穿屮却> J丹χ —乐一犬出邛246之延伸方向之間的夾角) 係小於90。,藉此提供更佳的夾持效果。 請再參見第,該基板21{)可以1有機基板,其 係由一玻璃纖維強化型BT ( bi_leimide七)樹脂或 FR-4玻璃纖維強化型環氧樹脂之蕊層所製成。該基板21〇 亦可以是複數層的陶瓷基板。 該半導體晶片220可藉由—膠層222(例如含銀之環氧 樹月曰旨或非導電膠層)貼附於基板21()上。如圖所示,該半導 片220係藉由複數條銲線(例如金線)連接於基板 上,該些金線224係作為電輸入輸出連結至基板21〇上 導電線路或接墊(未示於圖中)。或者,該半導體晶片, 亦可藉由複數個錫球(SGlderBall)以覆晶接合的方式連接 21〇。該些錫球可利用任何已知的凸塊(Bu叫㈣製 程形成在該半導體晶片220之正面(aetive surfaee)上。 β可以理解的是,根據本發明之半㈣晶片封裝構造可以 :球格陣列封裝構造。在此實施例中,前述之基板⑴ 表面可設有複數㈣列排列之錫球銲墊(未示於圖中)。 球料係藉由設於該練2iq上的導電線路以及 形:於:線(或錫球)與晶片連接。在將複數個錫球250 ^藉由:錫^銲墊上之後,本發明之半導體晶片封裝構造可 , 仃一加熱步驟融化(回銲)該錫球而安裝於_外1 印刷電路板上。 於外邛 以限月已以數個較佳實施例揭露如上,然、其並非用 .^ ,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神 〇祀内,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範 1311361 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述和其他 易懂,下文特舉一較佳實施例 明如下: 目的、特徵、和優點能更明顯 並配合所附圖式,作詳細說 第1A圖係繪示習用散埶 .,^ ^ Λ 用政熟片球格陣列(Heat Slug B(JA) 封裝構造的部分剖面示意圖;
示意:;1B圖係繪示第1A圖習用封裝構造的部分放大剖面 m㈣根據本發明一實施例之 構造的剖面示意圖; 第2B圖係缯·示第2a菌^ ^ Α Λι| ^ * 之半導體晶片封裝構造的部分 孜大剖面不意圖;以及 刀 第3圖係繪示根據.
裝構造的部分放大剖面示f圖月另一實施例之半導體晶片封 【主要元件符號說明 100 封裝構造 120 晶片 140 封膠體 200 封裝構造 220 晶片 224 金線 110 基板 130 散熱片 130a 小凹部 210 基板 222 膠層 230 散熱片 12 1311361 232 凹部 232a 開口 232b 底部 232c 側壁 234 凹部 236 凹部 240 封膠體 244 突出部分 246 突出部分 250 錫球 300 封裝構造 θ 1 夾角 θ 2 夾角 di 寬度 d2 寬度 13

Claims (1)

  1. Ϊ311361 、申請專利範 h —種半導體晶片封裝構造,至少包括: "'基板; ‘ -散孰Π ’、°又於該基板且電性連接於該基板; 上,該散熱片之下表面具有複數:第片—上固設於該基板 此笛 弟與第二凹部,每一兮 二第—凹部與該些第二p每該 •以及連接該兩侧邊之底面,該第一邪且、有-開口、兩側邊 延伸至開口中心之第—延伸方向,;;有-由底面中心點 中心點延伸至開口中心之第二延伸:凹部具有-由底面 係與第二延伸方向不同;以及 α,其t第一延伸方向 —封膠體包覆該半導體晶片、該 之一部分’使得該散熱片之上表面至丨,、、、片以及至少該基板 膠體外,其中該封膠體具有複數個::有部分係暴露於該封 成在該些第—與第二凹 與第二突出部分別形 ·, °丨< α ’且該此哲 向係與該些第二突出部之延伸方向不^第一突出部之延伸方 2·如申凊專利範園第】 造,其中該些第—突出部之 1之半導體晶片封裝構 伸方向之間的夹角係小於9〇。。 ° 、該些第二突出部之延 ”請專利範圍第!項 &其甲母-該些第—凹部與該 之+導體晶片封裝構 〜凹部具有一開口、兩 14 1311361 側邊以及連接該兩側邊之底面’該開口與該底面係大小面積 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體晶片封裝結 構’其中每一該些第一凹部與該些第二凹部之剖面輪廓具有 一開口、兩側邊以及連接該兩側邊之底邊,該兩側邊大致平 行。 5. 一種散熱片,該散熱片具有複數個第一與第二凹 部’每一該些第一凹部與該些第二凹部之剖面輪廓具有一開 口、兩側邊以及連接該兩側邊之底面,該第一凹部具有一由 底面中心點延伸至開口中笛 〜丨T王併Ί u T、之第一延伸方向,該第二凹部具 有-由底邊中心點延伸至開口中心之第二延伸方向,其中; 一延伸方向係與第二延伸方向不同。 6·如申晴專利範圍第5 ♦-凹部之延伸方向與該些第 項所述之散熱片,其中該些第 凹部之延伸方向之間的夾角
    項所述之散熱片,其中每一該 有一開口、兩側邊以及連接該 面係大小面積相同。 8.如申請專利範圍第 項所述之散熱片,其中每一該些 15 1311361 第一凹部與該些第二凹部之剖面輪廓具有一開口、兩側邊以 及連接該兩側邊之底邊,該兩側邊大致平行。
    16 1311361 七、(一)、本案指定代表圖為:第 2A 圖 (二)、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 200 封裝構造 210 基板 220 晶片 222 膠層 224 金線 230 散熱片 232 凹部 232a 開口 232b 底部 232c 側壁 Θ 1 夾角 di 寬度 寬度 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特 徵的化學式:
TW095109730A 2006-03-21 2006-03-21 Semiconductor chip package and heat slug TWI311361B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095109730A TWI311361B (en) 2006-03-21 2006-03-21 Semiconductor chip package and heat slug

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095109730A TWI311361B (en) 2006-03-21 2006-03-21 Semiconductor chip package and heat slug

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200737449A TW200737449A (en) 2007-10-01
TWI311361B true TWI311361B (en) 2009-06-21

Family

ID=45072412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095109730A TWI311361B (en) 2006-03-21 2006-03-21 Semiconductor chip package and heat slug

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI311361B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI587550B (zh) * 2014-02-10 2017-06-11 旭宏科技有限公司 散熱片及使用該散熱片的封裝結構
CN110957286A (zh) * 2019-12-04 2020-04-03 矽品科技(苏州)有限公司 一种片状分离式散热片组件

Also Published As

Publication number Publication date
TW200737449A (en) 2007-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100429775C (zh) 集成电路封装装置及其制造方法
US7518219B2 (en) Integrated heat spreader lid
JP5081578B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
CN103426839B (zh) 半导体封装
TWI234860B (en) Chip package and process thereof
CN102110660A (zh) 半导体倒装芯片封装及半导体倒装芯片封装的形成方法
CN100378971C (zh) 覆晶球形矩阵封装组件及具散热功能的电子装置
CN109637983B (zh) 芯片封装
EP3792969B1 (en) Semiconductor package having liquid-cooling lid
CN101752327A (zh) 具有散热结构的半导体封装件
CN218957731U (zh) 用于集成电路的封装
US20120205792A1 (en) Semiconductor device
TWI660471B (zh) 晶片封裝
TWI536515B (zh) 具有散熱結構之半導體封裝元件及其封裝方法
CN107591378A (zh) 散热型封装结构
TWI311361B (en) Semiconductor chip package and heat slug
CN101308827A (zh) 散热型半导体封装件
CN101656247A (zh) 半导体封装结构
CN110112263A (zh) 一种大功率led封装用基板、基板制作方法及其封装结构
CN101556940B (zh) 具有散热片的半导体封装结构
JP4237116B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN200976345Y (zh) 芯片封装结构
CN114695336A (zh) 芯片封装结构
CN106158782B (zh) 电子封装件及其制法
CN210984717U (zh) 散热封装结构