TWI311240B - Atomic beam to protect a reticle - Google Patents

Description

1311240 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微影術中所使用之光罩保護，特別關於 使用原子束以保護光罩。 【先前技術】 微影係用於半導體的製造。在微影中，稱爲「光阻」 # 的感光材料會塗佈晶圓基底，如矽基底。光阻會曝露到自 遮罩（稱爲光罩（reticle))反射，或經由光罩傳送的光 '，以將來自於光罩的圖案重製於基底上。若光罩受到污染 k (如因爲光罩表面上的有害微粒），則自光罩反射的光之 圖案，以及形成於基底上的圖案不會是希望的圖案。這會 導致形成於基底上的微電子或其他裝置失去作用。 【發明內容及實施方式】 Φ 圖1係根據本發明的一實施例之經由使用自光罩1 1 4 的圖案化表面反射的光，而使標的材料件1 2 0 (如砂基底 )圖案化之微影裝置100的槪圖。微影裝置100可包含微 影會於其中發生之微影室102。在某些實施例中，微影室 102可分成三個容積（第一容積103、第二容積104、以 及第三容積106 )。 第一容積103會涵蓋輻射源108及光源光件112，因 此可稱爲「光源容積」或「光源光件容積」。輻射源1〇8 可產生用於光罩1 1 4的電磁輻射1 1 〇，以使標的材料1 2 〇 -4- (2) 1311240 圖案化。在某些實施例中，輻射源108可產生超紫外 EUV )，如波長低於約15奈米且大於X射線的波長 1.3奈米）之光。在某些實施例中，此光的波長約爲 奈米。在其他實施例中，輻射源1〇8可產生具有不同 之不同型式的輻射或光。光源光件112可包含用以將 輻射源1 〇 8的輻射1 1 0指向光罩1 1 4的圖案化表面1 : 鏡子或其他光學裝置。 第二容積104會涵蓋成像光件118，因此可稱爲 像容積」或「成像光件容積」。成像光件118會接收 罩114的圖案化表面113反射的輻射110，並且使反 輻射1 1 〇指向標的材料1 2 0。 第二容積104也會涵蓋標的材料120。標的材料 可例如是塗佈光阻材料的矽晶圓。光阻材料會回應自 114反射的輻射1〗0而起作用，而使矽晶圓的材料圖 。除了矽晶圓之外的其他材料也可用來當作標的材料 〇 在某些實施例中’第一分離器l〇5a可使第一 103與第三容積106分離，而第二分離器105b可使 容積104與第三容積106分離。在一實施例中，分 105a，】05b其中之一或二者會包含開口（未顯示） 得第一容積103及/或第二容積1〇4不會完全與第三 106隔離。例如在輻射源1〇8產生EUV光時，開口 有用。E U V先幾乎會受到所有材料的阻隔，但分: 105a’ 105b中的開口能使EUV輻射從第—容積1〇3 光（ (約 13.5 波長 來自 13之 「成 自光 射的 120 光罩 案化 120 容積 第二 離器 ，使 容積 會很 難器 中的 (3) 1311240 輻射源1 08傳送到第三容積丨06中之光罩1 14的圖 面1 1 3 ’然後會傳送到第二容積丨04中的標的材料 開口會夠小’使得壓差可保持在第一容積1 〇 3與第 106之間’及/或第二容積104與第三容積106之間 ，在微影裝置100的運作期間，第一容積103與第 104可保持接近真空，而第三容積106可保持在高 介於約10與100毫托耳（milHTorr)之間。在另 Φ 例中，分離器l〇5a，105b可完全使第一容積103 容積〗〇4隔離’與第三容積106隔離。輻射源108 - 的輻射11 0之波長與EUV光的波長不同，並且能 . 離器105a’ l〇5b的窗口，而能在第一容積103、 積104、以及第三容積1〇6之間傳送。在又另一實 ’分離器105a ’ l〇5b的全部可由輻射源108所產 射1 1 〇穿透的材料所組成。 · 第三容積106會涵蓋光罩支架116。在微影裝 Φ 的使用期間’光罩支架116可使光罩114保持在固 移動的位置’使得光罩114的圖案化表面113上之 正確地轉移到標的材料1 2 0。在使用期間，光罩支 會移動，導致光罩Π4也會移動，而使輻射110能 114的整個圖案化表面113反射。可使用各種實施 罩支架116，如藉由電磁能而使光罩114固定在適 之支架116、藉由機械裝置而使光罩114固定之支 、位於光罩Π 4之下而使得重力可使光罩π 4保持 位置之支架Π6、或其他的光罩支架116。 案化表 120 ° 三容積 。例如 二容積 壓，如 一實施 及第二 所產生 通過分 第二容 施例中 生的輻 置100 定或可 圖案可 架116 自光罩 例的光 當位置 架116 在適當 -6- (4) 1311240 第三容積106也會涵蓋光罩114。在某些實施例中， 光罩114可爲具有會反射輻射110的圖案化表面113，而 使標的材料1 2 0圖案化之反射性光罩1 1 4。在其他實施例 中，光罩114可爲傳輸性光罩〗14，其中在其他實施例中 ，輻射U0會通過光罩114，而使來自圖案化表面113的 圖案轉移到標的材料120。適合用於微影裝置100的任何 光罩1 1 4均可使用。 # 第三容積106也會涵蓋光束產生器122及光束阱126 。在微影裝置100的運作期間，光束產生器122會產生原 ' 子束124，並且導引光束124越過光罩114的圖案化表面 . 113。在某些實施例中，原子束124可爲充電離子的光束 或中性原子的光束。光束124會與第三容積106內的粒子 交互作用，以防止粒子碰觸及污染光罩114的圖案化表面 113。光束124可使粒子沿著光束124的方向傳送。光束 124及與光束124已交互作用的粒子會進入光束阱126。 φ 光束阱126會捕捉光束124及與光束124已交互作用的粒 子之充電離子或中性原子，以防止其再進入第三容積1〇6 。真空線128或另一裝置可自阱126及微影室1〇2移除光 束1 24及粒子的充電離子或中性原子，以防止其污染光罩 114的圖案化表面113。 在本發明的不同實施例中，微影裝置100會有所差異 。例如，微影室102可不分成多個容積，或可分成多於或 少於三個容積。微影裝置1 〇 〇的各種組件可進行不同地配 置。例如’輻射源1 0 8可置於第三容積1 0 6中。各種組件 (5) 1311240 可置於微影室1 02的外部，而不是由微影室1 02所涵蓋。 例如，光束產生器1 22可置於微影室1 02的外部，並且導 引光束124進入微影室102。在某些實施例中，各種其他 的組件可加入微影裝置1〇〇，或微影裝置1〇〇可缺少某些 所顯示及所述的組件。 圖2a係繪示根據本發明的一實施例之會污染光罩 1 14的圖案化表面〗13之粒子202的微影裝置100之槪圖 # 。在微影室102內，會有許多粒子202，如灰塵。這些粒 子2 02具有將導致粒子202落於光罩114的圖案化表面 • 113上之速度。例如，圖2a的粒子2 02’具有會導致粒子 . 202’落於圖案化表面113上的速度204。萬--個或多個 粒子202落於光罩114的圖案化表面113上且留在此處， 而污染光罩114，則轉移到標的材料120之來自光罩114 的圖案會不正確地。實際上，自污染的光罩114上反射之 輻射110會與自未污染的光罩114上反射之輻射11〇不同 Φ 。粒子202會妨礙標的材料1 20正確地圖案化。 圖2b係繪示原子束124如何可防止粒子202污染光 罩114之微影裝置100的槪圖。光束產生器122會產生原 子束124。在某些實施例中’原子束124可爲充電離子束 或中性原子束。在某些實施例中，原子束124可爲氬光束 、氙光束、另一種不反應光束、或任一種類型的光束。光 束124實際上爲準直的。在某些實施例中，光束124會沿 著一路徑而傳經光罩Π 4的圖案化表面1 1 3。在某些實施 例中，此路徑實質上會與圖案化表面1 1 3平行。在其他實 (6) 1311240 施例中，路徑會與圖案化表面113夾某一角度，而且光束 124路徑的一部分會比光束124路徑的另—部分更靠近表 面113。在更其他的實施例中，光束124會遵循不同路徑 而通過光罩Π4的圖案化表面113之全部或部分。在某些 實施例中’光束124路徑的全部或某些會離圖案化表面 113約10公分或低於1〇公分的距離208。在某些實施例 中’靠近光束124及光罩114的壓力（例如是圖1中所繪 # 示的微影裝置1〇〇之第三容積1〇6中的壓力）會比接近真 空爲高。在某些實施例中，雖然也會使用其他壓力，但是 •壓力會在約10毫托耳到100毫托耳的範圍內。 t 原子束124會與粒子202相互作用，以防止粒子202 污染光罩114。光束124的充電離子或中性原子會與粒子 202相互作用’以使粒子202以光束124的方向傳送。然 後，粒子202會進入光束阱丨26且會自此室移除，使得可 防止粒子202污染光罩1〗4。例如，所繪示的粒子202’最 Φ 初會具有將使粒子202’落於光罩114尙且會污染光罩114 的速度。原子束124的原子或離子會與粒子202’相互作 用，並且會將衝量傳給粒子202’，而改變粒子202’的速 度’使得粒子202’至少部分會以光束124的方向206傳 送，並且會傳送到光束阱1 2 6，而不會傳送到光罩1 1 4的 表面1 13。例如，光束124已以光束124的方向206，將 衝量傳給圖2b的粒子202”，而使將會導致粒子污染光罩 1 1 4的速度之粒子2 0 2 ”的速度2 0 4，，改變爲將導致粒子 202”進入光束阱126且會自微影室1〇2移除之速度204” (7) 1311240 。雖然在其他實施例中，光束124會具有不同能 在某些實施例中，光束124會具有約IkeV到乾 的範圍內之能量。在某些實施例中，光束1 24的 高，以使希望數目的粒子202進入光束阱126， 染光罩124的表面。 圖3係繪示微影裝置1 00的變化實施例之槪 簡化及清楚起見，圖3已省略可包含於微影裝置 # 多組件。在圖3中所繪示的微影裝置1 00之實施 力系統3 02會產生光束產生器122與光束阱126 ； 壓差。此電壓差會提供進一步的力，以使原子束 .子或離子從光束產生器122傳送到光束阱126。 圖4係繪示微影裝置1〇〇的另一變化實施例 爲了簡化及清楚起見，圖4已省略可包含於微影 的許多組件。在圖4中所繪示的微影裝置1 00之 ，準直器402會使光束產生器122所產生的光束 # 。在某些實施例中，光束產生器〗22會產生充電 124。中和器404可自光束124移除電荷，使得 114的圖案化表面113之光束爲中性光束124 402及中和器404中的任一或二者會包含於微影 的某些實施例中。準直器4〇2及中和器404中的 者可爲光束產生器122或另一組件的一部分。另 在某些實施例中，準直器402及中和器404中的 者可爲微影裝置1 00的的分離組件。 上述本發明之實施例的說明已顯示用於例示 量，但是 I lOOkeV 能量會夠 而不會污 圖。爲了 1 0 0的許 例中，電 之間的電 124的原 之槪圖。 裝置1 00 實施例中 1 24準直 的原子束 通過光罩 。準直器 裝置100 任一或二 一種是， 任一或二 及說明之 -10- (8) 1311240 目的。其非意謂需詳盡或限制本發明符合所揭示的精確形 式。此說明及包含項目（如左、右、頂端、底部、之上、 之下、上、下、第一、第二等）之接下來的申請專利範圍 僅用於說明之用，而不能解釋爲限制。在此所述的裝置或 物品之實施例可製造、使用、或以一些位置或方向傳送。 熟習此相關技術者會了解到的是’按照以上所教導的，可 進行許多修改及變化。熟習此項技術者將會了解到圖式中 φ 所顯示的各種組件可有各種組合及替代物。因此，其意謂 本發明的範圍不是藉由此詳細說明來作限制，而是以在此 •後附的申請專利範圍作爲限制。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明的一實施例之微影裝置的截面槪圖 〇 圖2a係繪示會污染光罩的圖案化表面之粒子的微影 •裝置之截面槪圖。 圖2b係繪示原子束如何可防止粒子污染光罩之微影 裝置的截面槪圖。 圖3係繪示微影裝置的變化實施例之截面槪圖。 圖4係繪示微影裝置的另一變化實施例之截面槪圖。 【主要元件符號說明】 10 0 微影裝置 102 微影室 -11 - 1311240

(9) 103 第一容積 104 第二容積 10 5a 第一分離器 105b 第二分離器 106 第三容積 108 輻射源 110 輻射 112 光源光件 114 光罩 116 光罩支架 118 成像光件 120 標的材料件 122 光束產生器 124 原子束 126 光束阱 128 真空線 202 粒子 202 5 粒子 202，， 粒子 204 速度 2 04，， 速度 206 方向 208 距離 3 02 電力系統 1311240 do) 402 準直器 404 中和器

Claims (1)

1. 1311240 十、申請專利範圍 附件3 A : 第94 1 1 1 5 5 8號專利申請案 中文申請專利範圍替換本： 民國9 8年3月3〇 1. 一種保護光罩免於污染之裝置，包括： 光束產生器，用以產生原子束，該原子束受導 過光罩的圖案化表面；以及 光束阱，在該原子束越過該光罩之後，捕捉至 該原子/束， 其中該原子束實質上並未與該光罩接觸。 2.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該原子 生用來與粒子互動，以防止該些粒子污染該光罩的 化表面。 3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該光束 會產生氬離子束或氙離子束中的至少之一。 4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該光束 係產生能量在約IkeV至約lOOkeV的範圍內之原子 5 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該光束 係產生實質上與該光罩的該圖案化表面平行之原子 6 .如申請專利範圍第5項之裝置，其中該原子 著一路徑而越過該光罩的該圖案化表面，該路徑的 部分係在離該光罩的該圖案化表面約1 0公分或更 離之內。 修正

   引而越 少一些 束係產 該圖案 產生器 產生器 束。 產生器 束。 束係沿 至少一 少的距 1311240 7.如申請專利範圍第！項之裝置，其中該原子束包括 充電離子。 8·如申請專利範圍第1項之裝置’其中該原子束包括 中性原子。 9. 如申請專利範圍第8項之裝置，更包括中和器，用 以中和由該光束產生器所產生的離子。 10. 如申請專利範圍第〗項之裝置，更包括： 微影室，包括； 第一谷積’包含要由來自該光罩反射的電磁輻射圖案 化之標的材料件，在該標的材料的圖案化期間，該第一容 積係處於第一壓力；以及 第一容積’包含該光罩’在該標的材料的圖案化期間 ，該第一容積係處於比該第一壓力高之第二壓力；以及 真i線’連接至該光束讲，以自該微影室中，移除粒 子。 如申sf專利範圍第ίο項之裝置，其中該光束產生 器及該光束阱係位於該微影室中。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之裝置，更包括： 超紫外線輻射源； 光源光件，用以自該超紫外線_射源中，接收超紫外 線幅射’並且用以將接收到的超紫外線輻射導引至該光罩 的該圖案化表面；以及 成像光件’用以接收自該光罩的該圖案化表面反射到 才示的材料件之超紫外線幅射’其中來自該成像光件的超紫 -2- 1311240 外線輻射會與至少一部分標的材料反應，而使該標的材料 圖案化。 13. 如申請專利範圍第10項之裝置，其中該第二壓力 係在約o.o1托爾至約〇·ι托爾的範圍內。 14. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包括電氣系統 ，用以在該光束產生器與該光束阱之間，產生電壓差。 15. —種微影裝置，包括：

   微影室； 光罩支架，位於該微影室內，用以支撐具有圖案化表 面的光罩； 光源，用以產生原子束，以及將該原子束導引越過該 微影室的一部分；以及 光束阱，用以自該微影室中，移除該原子束中的原子 其中該原子束以一未與該光罩之表面相交之路徑，導 引越過該微影室的一部份。 16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該原子束中 的原子會與該微影室中的粒子互動，並且會使該些粒子以 朝向該光束阱的方向行進，以防止該些粒子污染該光罩的 該圖案化表面。 17. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該原子束中 的原子係位於該光罩的該圖案化表面之約1 〇公分或更/少 的距離之內。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之裝置，其中與該光罩相 -3 1311240 鄰之該微影室的壓力係在約0.01托爾至約托爾的範 圍內。 19. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該原子束中 的原子之能量係在約IkeV至約lOOkeV的範圍內。 20. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該原子束中 的原子包括充電離子。 21. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該原子束中 的原子包括中性原子。

   22. —種保護光罩免於污染之方法，包括： 產生原子束； 導引該原子束越過置於微影室中之光罩的圖案化表面 f 捕捉該原子束及複數個粒子；以及 自該微影室中，移除該些粒子， 其中該原子束實質上並未與該光罩接觸。

   2 3.如申請專利範圍第22項之方法，其中該原子束的 能量係在約IkeV至約lOOkeV的範圍內。 2 4.如申請專利範圍第22項之方法，更包括使與該光 罩相鄰之該微影室的一部分壓力降低爲在約〇.〇1托爾至 約0.1托爾的範圍內。 2 5.如申請專利範圍第22項之方法，更包括使該原子 束準直。 2 6.如申請專利範圍第22項之方法，其中該原子束包 括充電離子或中性原子中的至少之一。