TWI301537B - Oven for controlled heating of compounds at varying temperatures - Google Patents
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Description
1301537 九、發明説明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種用於加熱包含于或設置於電子元件的混合物 (compounds)的硬化爐(curingoven),當此處的硬化爐也適合來用於 回流處理時,術語“硬化爐”應包括回流爐(reflowoven)。 【先前技術】 硬化爐被應用於半導體裝配中以設置被引入到電子元件上的混 合物,例如環氧測旨、封裝模塑膠。這些混合物通常以流體的形式被 弓丨入到電子元件上。它們也適合於回流。基於這些混合物的特性,在 硬化或回流處理的過程中,它們可能不得不按照特定的加熱曲線被加 熱。 尤其,硬化爐的一種應用更具體是在應用於晶粒焊接領域中環氧 樹脂的硬化或者焊料的回流。通常,使用環氧樹脂或焊料作爲粘合劑, 將半導體晶粒焊接鍵合到襯底,如引線框上。首先,在鍵合位置將環 氧樹脂以流體形式引入到襯底上,同時在該鍵合位置處將晶粒放置於 該環氧樹脂上。然後,以加熱的方式將環氧樹脂或焊料硬化或回流, 以固化該鍵合。 使用爐體將環氧樹脂硬化或回流通常根據特定的力卩熱曲線完成, 這樣在該硬化或回流處理過程中該環氧樹脂被暴露到各種不同的溫度 中。圖7所示爲用於環氧樹脂硬化和回流過程的典型力Π熱曲線,其中 該環氧樹脂或焊料應該以可變的溫度可控地被加熱。對於環氧樹脂硬 化,該環氧樹脂可被預熱到一個硬化溫度,以該硬化溫度加熱~段特 定的時間,然後被允許來冷卻。對於焊料回流,該焊料被預熱到一個 焊劑啓動(fluxactivation)溫度,以該焊劑啓動溫度加熱一段特定的時 間,然後被進一步加熱到一個回流溫度,在此該加熱溫度以該回流溫 度保持一段特定的時間。此後,該焊料被允許來冷卻。對於不同類型 6 1301537 的環氧樹脂或焊料,該加熱曲線可能會不同。 現有的硬化爐的/個通用特徵是:如果環氧樹脂或焊料混合物以 不同的溫度將被加熱時,該硬化爐必須具有多個加熱區(thermal zmes) 〇因此,硬化爐通常包含有多個加熱區,其中每個加熱區被保持在單 一溫度下。當襯底移動通過這些不同的加熱區時,根據特定的加熱曲 線加熱該襯底。 需要多個加熱區以進行如此加熱的硬化爐的使用具有幾個不 足。一個不足之處是:由於需要具有多個加熱區導致硬化爐所佔用的 空間相對較大。其結構也相對複雜,因爲不同的溫度區域必須被保持, 而且襯底必須被傳送通過所有不同的溫度區域。因此硬化爐的成本很 高。對於具有小規模生産量和/或空間限制的硬化爐應用而言,這種現 有的硬化爐是不經濟的或成本不是有效的。 而且,由於這種現有的硬化爐的大尺寸和其結構的複雜性,其部 件的封裝密封是困難的。因此,在該爐體中需要氮氣或者合成氣體 (forming gas)以維持低水平的氧氣容量和防止襯底氧化的地方,大量的 這種氣體必須被持續地泵入到該硬化爐以補償滲漏。 另外,硬化處理過程中不同加熱區的介面中的干擾在襯底上引入 了不穩定性。最終的硬化結果可能因此受到相反影響。 【發明内容】 因此,本發明的目的是提供一種適合於根據預定的加熱曲線加熱 待處理的混合物的硬化爐,而避免在上述傳統的硬化爐中存在的使用 多個加熱區段的方法。 相應地,本發明提供一種用於硬化或回流物體上混合物的爐體, 其包括:加熱室;力D熱元件,其以和該力CI熱室進行熱交換的方式安裝’ 藉此提供熱量;以及支撐元件,用於在該加熱室中支撐該物體以進行 加熱;其中,該加熱元件和支撐元件被配置來相互相對移動,以在相 7 1301537 對於該加熱元件距離可變的位置處可控地定位該物體,藉此在相對於 該加熱元件不同的距离ί處以不同的溫度向該物體提供可控的加(熱。 參閱後附的描述本發明實施例的附圖,隨後來詳細描述本發明 是很方便的。附圖和相關的描述不能理解成是對本發明的限制,本發 明的特點限定在申請專利範圍中。 【實施方式】 圖ί所示爲根據本發明較佳實施例一種使用單個區域槪念的硬 化爐10的側視剖面示意圖。該硬化爐10通常包括上力卩熱元件12和下力口 熱元件14。將該上加熱元件12和下加熱元件14以和一加熱室16進行熱 交換的方式安裝,在該加熱室中一個物體,如帶著待硬化混合物的襯 底(圖中未示)’將被力卩熱。較合適地,該上加熱元件12和下力卩熱元件 14相互面對面地被安裝到該加熱室16的內側表面,並被分別設置在該 襯底的上方和下方。該上加熱元件12的周圍區域被上部絕熱壁18所圍 繞,而該下加熱元件14的周圍區域被下部絕熱壁20所圍繞,這樣以致 於該力口熱室16的側邊基本完全被封閉。在現有技術中,需要設置開口 來和其他的加熱區進行交換,這樣以致於該加熱室完全沒有被封閉。 當襯底在該ίίΠ熱室16中被加熱時,爲了防止襯底被氧化,相對 的惰性氣體,如氮氣或其他的合成氣體(forminggas)通過氮氣輸入 通道22被引入到硬化爐10中。使用後的氮氣被允許來通過排出系統 (exhaust system)從該硬化爐退出,該排出系統可能是內置於該硬化 爐10的上部絕熱層25中的氮氣排出通道24的形式。該上加熱元件12中 的上部加熱器塊(heater block)26用來提供熱量給加熱室16 〇氣體釋放 通道,如安裝到上部加熱器塊26的氮氣排出板28使得通過從氮氣輸入 通道22引導氣體導入到加熱室16中變得容易。 在所描述的本實施例中,在氮氣被散佈進入形成於上部加熱器塊 26中的氮氣通道54以前,氮氣通過氮氣輸入通道22被引入到硬化爐 1〇,同時被引導通過氮氣輸入管(inletduct) 50 〇裝配於上部加熱器 塊26的氮氣排出板28具有多個氮氣排出孔52 °氮氣從氮氣通道54移動 1301537 • 通過氮氣排出孔52進入加熱室16。 然後,使用後的氮氣通過多個排出通道56流入排泄板27。自該排 泄板27,氮氣通過氮氣排出通道24從硬化爐1〇中退出。 、 氮氣同樣也通過和下加熱元件14相連的氮氣輸入噴嘴30被引入進 入該硬化爐1〇中。冷卻板36被安裝於該下部加熱器塊34上,以便於通 ' 過將襯底暴露於該下加熱元件14附近而使該襯底的溫度更加可控。加 熱裝置,如該下加熱元件14中的下部加熱器塊34,提供熱量給冷卻板 36和加熱室16 〇正如下面更詳細的描述,冷卻板36包含有大量的支撐 導線槽73,以用於接收容納位於該冷卻板36上表面下方能被降低的支 撐線。 Φ 同時,和下加I熱元件14相連有冷卻裝置,例如壓縮氣體輸入噴嘴 32,其可用來引入冷卻壓縮氣體到該下加熱元件14上,以便於降低該 冷卻板36和該下加熱元件14周圍區域中的溫度。如有必要,內置於 下部加熱器塊34的壓縮氣體通道76有助於冷卻該加熱器塊34和冷卻 ’ 板36,以便於迅速地抵消來自下加熱器塊34的加熱影響。安裝板40 - 將該下加熱元件14裝配於該硬化爐10,並且其還封蓋有底部絕熱層 42。加熱器導線架74設置於該下部加熱器塊34的側邊,以防護用來 操作該下部加熱器塊34的線纜。 當襯底在加熱室16中被加熱時,同樣存在一個襯底支撐元件以用 φ 於支撐襯底,該襯底支撐元件包括安裝於支撐座體46上的支撐杆44。 該襯底支撐元件被配置來相對於上加熱元件和下加熱元件14移動,以 便於在相對於該上力口熱元件和下加熱元件12、14距離可變的位置處可 控地定位該物體。這將使得在相對於該上加熱元件和下加熱元件12、 14不同距離的位置處以不同的溫度加熱襯底成爲可能。 圖2是沿著圖1剖面線A-A所視,圖1中硬化爐10的側視剖面示 意圖。通過氮氣輸入噴嘴30,氮氣被引入下加熱元件14進入形成於下 - 部加熱器塊34中的氮氣室70。從該氮氣室70,該氮氣進入一系列剛 . 好設置於該冷卻板36下方的氮氣腔72( nitrogen gas pockets )中。然後, 氮氣從該氮氣腔72通過冷卻板36被送至加熱室16 〇 1301537 通過壓縮氣體噴嘴32將壓縮氣體引入到下加熱元件14,其進入了 形成於下加熱器塊34中壓縮氣體通道76的網路。該壓縮氣體能被用 來冷卻該下加熱元件14,並通過下部加熱器塊34抵消加熱。壓縮氣體 通道76最好是分佈於整個下部加熱器塊34以在該下加熱元件14中散 佈氣體,其可包括一層或多層相連的通道。 圖3是排泄板27的平面示意圖,其貼附於圖1中的上力口熱元件。 該排泄板27具有多個排出通道58,其通過設置於排出通道58末端的 排出通道輸入孔60從加熱室16中接收使用後的氮氣。氮氣被引導通 過排出通道58進入氮氣室62 〇設置有一個氣體管道64以接收氮氣輸 入管50和其他供給硬化爐10的管形材料以及電纜。—系列安裝孔66 被提供來將排泄板27安裝到上加熱元件12。 圖4是下加熱元件14的冷卻板36的平面示意圖。該冷卻板36具 有一系列支撐線槽73的平行線,其佈置於通長的冷卻板36。這些支撐 線槽73的位置和包含於襯底支撐元件中的支援線的位置相對應。當襯 底有必要和冷卻板36相接觸時,這允許支撐線縮回到該冷卻板36上 表面的下方。一系列平行的氮氣排泄縫80較佳地是和支撐線槽73垂 直設置。這些氮氣排泄縫80和設置於冷卻板36下方的氮氣腔72相連 通,以便於氮氣從此流入加熱室16。多個安裝螺孔82被提供來將冷卻 板安裝到下加熱元件14 〇 圖5是適合來和下加熱元件14相連的襯底支撐元件的側視示意 圖。該襯底支撐元件包含有安裝於支撐座體46上的支撐杆44。通過該 支撐杆44運載一支撐平臺,其可能是多根支撐線86的形式,每根支 撐線被安裝到一對支撐杆44上。驅動該支撐座體46和支撐杆44 一起 相對於下加熱元件14上下移動,以便於由支撐杆44所支撐的襯底實 現相應的移動。在根據加熱曲線加熱襯底的過程中,支撐線86上所支 撐的襯底朝向或者背離上加熱元件12移動。較合適地講,該支撐線86 設置在加熱室16的內部,而支撐座體46設置於加熱室16的外側。支 撐杆44從支撐座體46延伸通過加熱室16的外殻,如圖1所示的底部 絕熱層42,進入加熱室16 〇 1301537 圖6是從圓ί 5的C方向所視,襯底支撐元件的側視示意圖。其表 明了多個安裝於支撐座體恥上的支撐杆44。在每個支撐杆44的最上 端,具有支撐線安裝孔S8以安裝支撐線86 〇該安裝於支撐杆44上的 支撐線86延伸並安裝到相對的支撐杆44上,如圖5所示。在每個支 撐杆44中形成有多個絕熱孔.90,以便於減少通過支撐杆44傳遞到支 撐座體46上的熱量傳遞。這些絕熱孔90可能塡充或者沒有塡充絕熱 材料。 對襯底而言,該上加熱元件12是主要的熱源。該下加熱元件14 可能是一種被配置用作恒溫塊的工具,並且其溫度最好是低於該上加 熱元件12的溫度。在本實施例中,在通過向襯底傳遞熱量或者從襯底 吸取熱量而對襯底進行加熱和域冷卻的時候,該下加熱元件14被用來 提供溫度控制。這能通過熱量傳導來完成,例如通過使用安裝於該下 加熱元件14上的冷卻板36 〇 相應地,値得注意的是,在本實施例中,該上加熱元件12周圍區 域的溫度被設定高於該下加熱元件14周圍區域的溫度,加熱裝置和冷 卻裝置均包含於該下加熱元件中,以如有必要相對迅速地保持、提高 或降低冷卻板36和/或加熱室16下部區域的溫度。 加熱室16被如此設置,以致於該上加熱元件12在力P熱室16中可 有效地産生不同的等溫線,該溫度線位於自該上加熱元件12距離不同 的位置處。因此,在力卩熱室中建立了多個等溫線,雖然其必不可少的 僅僅包含有一個加熱區。不同的等溫線具有不同的等溫線値。因此, 襯底通過將其定位在不同的等溫線位置能以不同的溫度被加熱。 主要通過調整該上加熱元件12和襯底之間的相對距離,加熱曲線 被産生。較不重要的是,該力卩熱曲線能通過調整該下加熱元件14和襯 底之間的相對距離來獲得。該上加熱元件12向襯底提供對流和輻射 熱。由於傳遞給襯底的總熱量隨著該襯底和該上加熱元件12之間的分 隔距離而變化,因此分隔距離越大,傳遞給襯底的總熱量越低。 該硬化爐10應該具有足夠的區間深度,以便於在加熱室16中提 供充分的溫度變化,以根據特定的加熱曲線加熱襯底。襯底支撐 1301537 元件應該具有最小的在加熱室16中提升或降低襯底到特定位置的 熱質量(thermal mass),以便於在硬化處理過程中以特定的次數設 置期望的等溫線,而不影響其溫度。根據所需的加熱曲線,該襯 底支撐元件被編程以在自上加熱元件12特定的距離處定位該襯底 一段確定的時間。 使用中,該系統應該明確自上加熱元件12距離不同的位置處的 加熱溫度,以便於根據所需的加熱曲線精確地控制襯底的加熱。 用於完成它的較佳方法是根據上加熱元件12、下加熱元件14的預 定溫度和預定的氮氣流速速率,預測定硬化爐10以得到表示加熱 室I6中自上加熱元件12分隔距離不同的位置處的溫度曲線圖。 在加熱期間,通過參考測定期間産生的所述曲線圖,該襯底能以 不同的溫度進行定位加熱。而且,更可取的是,溫度感測器(圖 中未示)在相鄰於襯底、且和襯底自上加熱元件12距離相同或類 似的位置處被安裝到襯底支撐部件,以即時確定襯底所曝露的溫 度。這樣得到了更精確的加熱溫度的在線確定。 在上面所描述的本發明較佳實施例中,從而該硬化爐10包 括:位於頂部的基本溫度控制加熱部件12,和位於底部的溫度控 制加熱部件14、由於在上加熱元件和下加熱元件上的特定溫度控 制,和在加熱曲線的每個區段提供獨立的時間間隔的能力,如圖7 所示這樣的不同加熱曲線能夠實現。由於該硬化爐能夠提供任意 的加熱曲線,所以硬化爐能被用作其他的加熱處理,如用於焊料 回流。値得注意的是,在底部沒有溫度控制加熱部件14的情形下, 硬化爐同樣也起作用。而且,具有下加熱元件14的優點是穩定加 熱室內部的環境溫度,以提供強大的加熱處理。除了頂部的熱源 之外,其同樣也提供了在使用熱傳導加熱和冷卻處理方面的靈活 性。 同樣値得注意的是,熱源其他的位置也是可能的,例如在硬 化爐1〇的底部而不是頂部設置基本加熱元件。而且,使用合適的 傳送機構,將溫度控制加熱元件放置於加熱室16的邊側和控制通 12 1301537 ’ 過改變襯底相對於加熱元件的距離來實現加熱襯底的溫度同樣也 是可行的。通過保持襯底靜止而移動溫度控制加熱源來取代移動 襯底,或者相互相對移動二者也是可能的。 , 本發明較佳實施例的優點是:其採用單一區域的槪念,其中 在該單獨的加熱區域中産生襯底的加熱曲線。因此,該硬化爐的 • 大小和構造的複雜性得以完全減小。這對於小規模的生産裝置而 言尤其是有益的,在那裏存在空間限制來阻止傳統的多區域硬化 爐的安裝使用。 而且,當硬化爐的尺寸相對小時,密封變得較爲容易,並且 因此用來維持防止氧化的低水平的氧氣含量的氮氣或者合成氣體 • 的消耗也相應地降低。單一區域的槪念也消除了區間的相互作用 和其弓丨起的不穩定性的需要。藉此,在硬化處理中一個熱量更力口 穩定的環境被提供給襯底。 另外,不同于多區段的爐體,該多區段的爐體在不同的區段 中襯底和加熱設備之間分隔距離不同,該差別可能導致不均勻的 . 加熱,而根據本發明較佳實施例的硬化爐由於襯底離該加熱設備 的距離是可控的,所以其能夠提供一個持續均勻的溫度變化和區 間深度。 , 此處描述的本發明在所具體描述的內容基礎上很容易産生變 φ 化、修正和/或補充,可以理解的是所有這些變化、修正和/或補充 都包括在本發明的上述描述的精神和範圍內。 13 1301537 【圖式簡單說明】 根據本發明硬化爐的實例將參考附圖加以描述,其中: 圖1所示爲根據本發明較佳實施例一種使用單個區域槪念的硬化 爐10的側視剖面示意圖; 圖2是沿著圖1剖面線A-A所視,圖1中硬化爐的側視剖面示意圖; 圖3是排出板的平面示意圖,其貼附於上加熱元件; 圖4是下加熱元件的冷卻板的平面示意圖; 圖5是適合來和下加熱元件相連的襯底支撐元件的側視示意圖; 圖6是從圖5的C方向所視,襯底支撐元件的側視示意圖; 圖7表明了用於環氧樹脂硬化和回流處理的典型加熱曲線示意圖。
【主要元件符號說明】 10 硬化爐 12 上加熱元件 14 下加熱元件 16 加熱室 18 上部絕熱壁 20 下部絕熱壁 22 氮氣輸入通道 24 氮氣排出通道 25 上部絕熱層 26 上部加熱器塊 27 排泄板 28 氮氣排出板 30 氮氣輸入噴嘴 14 1301537 32壓縮氣體輸入噴嘴 34下部加熱器塊 36冷卻板 40安裝板 42底部絕熱層 44支撐杆 46支撐座體 50氮氣輸入管 52氮氣排出孔 54氮氣通道 56排出通道 2 排出通道輸入孔 62氮氣室 s 64氣體管道 66安裝孔 70氮氣室 72下方的氮氣腔 73支撐線槽 74加熱器導線架 76壓縮氣體通道 80氮氣排泄縫 1301537 82安裝螺孔 86支撐線 88支撐線安裝孔 90絕熱孔
Claims (1)
1301537 十、申請專利範圍: 1、 一種用於硬化或回流物體上混合物的爐體,其包括: 加熱室; . 加熱元件,其以和該加熱室進行熱交換的方式安裝,藉此提供熱量; 以及 , 支撐元件,用於在該加熱室中支撐該物體以進行加熱; 其中,該加熱元件和支撐元件被配置來相互相對移動,以在相對於該 加熱元件距離可變的位置處可控地定位該物體,藉此在相對於該加熱元件 不同的距離處以不同的溫度向該物體提供可控的加熱。 2、 如申請專利範圍第1項所述的爐體,其中該加熱元件在該加熱室中 β! 有效地産生不同的等溫線,該等溫線位於自該加熱元件距離不同的位置處。 3、 如申請專利範圍第1項所述的爐體,其中該加熱元件被安裝到該力口 熱室的內側表面上。 4、 如申請專利範圍第1項所述的爐體,其還包含有絕熱壁,以基本封 ’ 閉該加熱室的側邊。 .· 5、如申請專利範圍第1項所述的爐體,其中該加熱元件還包含有·· 氣體輸入通道和氣體釋放通道,以引導惰性氣體進入該加熱室; 排出系統,以從該加熱室移除該惰性氣體。 6、 如申請專利範圍第5項所述的爐體,其中該氣體輸入通道包括形成 φ 於該加熱元件中的氣體通道,該氣體通道和包含於裝配到該加熱元件上的 該氣體釋放通道的氣體釋放孔進行交換,以釋放惰性氣體進入該加熱室。 7、 如申請專利範圍第1項所述的爐體,其中該支撐元件可被驅動來相 對於該加熱元件移動該物體。 8、 如申請專利範圍第7項所述的爐體,其中該支撐元件包含有在其一 端承載支撐平臺的支撐杆,以支撐該物體,而該支撐杆在其另一端被安裝 到可被驅動的支撐座體上。 ^ 9、如申請專利範圍第8項所述的爐體,其中該支撐平臺設置在該加熱 室內部,該支撐座體設置於該加1熱室外部,並且該支撐杆自該支撐座體延 伸通過該加熱室的封蓋進入該加熱室中。 17 1301537 1(Γ、如申請專利範圍第9項所述的爐體,該支撐平臺包含有安裝在該 支撐杆末端的支撐線。 / 11、如申請專利範圍第1項所述的爐體,其還包括:第二加熱元件, • 其以和該加熱室進行熱交換的方式安裝,以致於該物體能在該第一加熱元 件和第二加熱元件之間移動而進行該物體的可控加熱。 ’ 12、如申請專利範圍第11項所述的爐體,其中該第一和第二加熱元件 相互面對面安裝,並且該物體在隨著該第一和第二加熱元件位於該物體相 對兩側的使用中被定位。 13、如申請專利範圍第11項所述的爐體,其中該第二加熱元件被設置 來保持一個恒定的溫度。 ϋ 14、如申請專利範圍第11項所述的爐體,其中該第二加熱元件保持的 溫度低於該第一加熱元件。 15、如申請專利範圍第11項所述的爐體,其中該第二加熱元件包含有 加熱裝置和與之相連的冷卻裝置。 ’ 16、如申請專利範圍第15項所述的爐體,其中該冷卻裝置包含有引入 • 到該第二加熱元件的壓縮氣體。 17、 如申請專利範圍第16項所述的爐體,其包含有形成於該第二加熱 元件的壓縮氣體通道網路,以在該第二加熱元件中散佈壓縮氣體。 18、 如申請專利範圍第15項所述的爐體,其還包含有安裝於第二加熱 φ 元件上的傳導板,該傳導板和該加熱裝置、冷卻裝置進行熱交換,並當放 置該物體接近那裏時該傳導板被設置來向該物體傳導熱量或者從該物體帶 走熱量。
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|---|---|---|---|---|
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| DE102009003495C5 (de) * | 2009-02-17 | 2015-11-19 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Lötverfahren und Lötvorrichtung |
| JP3170508U (ja) * | 2011-05-19 | 2011-09-22 | 勝美 釣賀 | リフロー炉用保温体 |
| US20130067761A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Drying apparatus |
| CN102581417A (zh) * | 2012-03-09 | 2012-07-18 | 北京元陆鸿远电子技术有限公司 | 可提高热源利用率的微型回流焊台 |
| KR101459101B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2014-11-20 | 비전세미콘 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 가압오븐 |
| CN104567365A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 钟罩炉及其承烧平台 |
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Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278523A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-10 | Nec Corp | 半導体ウェーハのランプ式熱処理装置 |
| US5662469A (en) * | 1991-12-13 | 1997-09-02 | Tokyo Electron Tohoku Kabushiki Kaisha | Heat treatment method |
| US5268989A (en) * | 1992-04-16 | 1993-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Multi zone illuminator with embeded process control sensors and light interference elimination circuit |
| US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
| JPH08236920A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Nippon Bunka Seiko Kk | プリント基板のはんだリフロー装置 |
| KR0165484B1 (ko) * | 1995-11-28 | 1999-02-01 | 김광호 | 탄탈륨산화막 증착 형성방법 및 그 장치 |
| US5892886A (en) * | 1996-02-02 | 1999-04-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes |
| JP3451166B2 (ja) * | 1996-07-08 | 2003-09-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
| KR100203780B1 (ko) | 1996-09-23 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 열처리 장치 |
| JPH1197448A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Kemitoronikusu:Kk | 熱処理装置とこれを用いた半導体結晶の熱処理法 |
| US6073576A (en) * | 1997-11-25 | 2000-06-13 | Cvc Products, Inc. | Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment |
| JPH11272342A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置および基板熱処理方法 |
| US6300600B1 (en) * | 1998-08-12 | 2001-10-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Hot wall rapid thermal processor |
| US6610968B1 (en) * | 2000-09-27 | 2003-08-26 | Axcelis Technologies | System and method for controlling movement of a workpiece in a thermal processing system |
| US6998580B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Thermal processing apparatus and thermal processing method |
| JP2005538566A (ja) * | 2002-09-10 | 2005-12-15 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 温度固定されたチャックを用いた温度可変プロセスにおける基板の加熱方法 |
| US6768084B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-07-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Advanced rapid thermal processing (RTP) using a linearly-moving heating assembly with an axisymmetric and radially-tunable thermal radiation profile |
| JP4257576B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2009-04-22 | ローム株式会社 | 成膜装置 |
| JP4250469B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2009-04-08 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| KR100539240B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 복수의 백사이드 가스 유로를 가지는 cvd 장치 및 이를이용한 박막 형성 방법 |
-
2005
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI635247B (zh) * | 2017-10-02 | 2018-09-11 | 財團法人工業技術研究院 | 固化設備 |
| US10591216B2 (en) | 2017-10-02 | 2020-03-17 | Industrial Technology Research Institute | Solidifying device |
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