TWI396292B - 太陽能電池及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種太陽能電池及其製造方法，且特別是有關於一種光電轉換效率較佳的太陽能電池及其製造方法。
隨著環保意識抬頭，以及為了解決石化能源短缺的問題，可再生能源已備受重視，其中太陽能電池為目前發展可再生能源的一大重點。
太陽能電池主要是經由太陽照射P-N二極體，而使光子進入到P-N二極體後產生光電流。光電流再藉由P-N二極體的兩端電極輸出而產生電壓。
一般太陽能電池的製造方法，可以沈積的方式在P型矽基板上形成N型摻雜層，再於P型矽基板兩側形成前電極與背電極，其中前電極定義為靠近光入射面的電極，反之，背電極則是遠離光入射面的電極。由於前電極通常為金屬材質，因此其不透光的特性可能會遮蔽到部分N型摻雜層，而降低了N型摻雜層的光子吸收率。再者，以金屬為材質的前電極與N型摻雜層的接觸所產生的缺陷可能會使得於通過接觸面的電子電洞產生復合現象，而限制了光電流的輸出。
另外，為了改善遮光的問題，目前常將前電極設計為線寬狹小的交趾狀結構，但此結構的設計，亦同時產生了串聯電阻過大的問題，而減少了光電流的輸出。因此，上述的設計並無法有效改善太陽能電池的光電轉換效率。
本發明提供一種太陽能電池，其可提高太陽能電池的光電轉換效率。
本發明另提供一種太陽能電池的製作方法，其具有較為簡易的步驟，而可製作出上述的太陽能電池。
本發明提出一種太陽能電池，其包括一光伏層、一第一電極層、一第二電極層、一絕緣層及一透光導電層。光伏層具有一第一表面與一第二表面。第一電極層配置於光伏層的第一表面上並具有至少一間隙，其中至少一間隙暴露部分光伏層。第二電極層配置於光伏層的第二表面上。絕緣層位於至少一間隙所暴露出的光伏層上並具有多個孔洞，其中這些孔洞暴露部分光伏層。透光導電層覆蓋絕緣層並與第一電極層連接，且透光導電層透過至少部分這些孔洞而與光伏層連接。
在本發明之一實施例中，光伏層包括一P型半導體層以及一N型半導體層。
在本發明之一實施例中，第一電極層與第二電極層的材質包括一金屬。
在本發明之一實施例中，絕緣層為一透光材質。在本發明之一實施例中，絕緣層包括二氧化矽或碳化矽。
在本發明之一實施例中，這些孔洞為不規則形狀。在本發明之一實施例中，這些孔洞的孔徑實質上介於5nm～50nm之間。
在本發明之一實施例中，這些孔洞呈現不規則排列。
在本發明之一實施例中，透光導電層具有多個開口，以暴露出部分絕緣層。
在本發明之一實施例中，透光導電層包括多條奈米線。
本發明另提出一種太陽能電池的製造方法，其包括下列步驟。首先，提供一光伏層，其中光伏層具有一第一表面與一第二表面。接著，形成一電極材料層於光伏層的第一表面上。之後，於電極材料層上形成至少一間隙，且間隙暴露出部分光伏層。繼之，於光伏層的第二表面上形成一電極。然後，於間隙所暴露出的光伏層上形成一絕緣層，並於絕緣層上形成多個暴露部分光伏層的孔洞。而後，於絕緣層上形成一透光導電層，且透光導電層與第一電極層連接，並透過至少部分孔洞與光伏層連接。
在本發明之一實施例中，提供光伏層的方法包括下列步驟。首先，提供一半導體基材。而後，對半導體基材進行一離子摻雜製程或一沈積製程以形成光伏層，其中此光伏層包括一第一型半導體層與一第二型半導體層，且第一型半導體層的表面為光伏層的第一表面，而第二型半導體層的表面為光伏層的第二表面。在本發明之一實施例中，第一型半導體層為P型半導體層時，第二型半導體層可為N型半導體層，而第一型半導體層為N型半導體層時，第二型半導體層可為P型半導體層。
在本發明之一實施例中，形成絕緣層的方法包括物理氣相快速沈積或化學氣相快速沈積。
在本發明之一實施例中，上述形成絕緣層的沈積速率實質上介於30nm/min～100nm/min之間。
在本發明之一實施例中，形成絕緣層的方法包括將一含有氫原子的絕緣層進行一熱處理製程，以使絕緣層中的氫原子釋出而形成上述孔洞。
在本發明之一實施例中，形成絕緣層的方法包括於絕緣層上進行一電漿製程，以於絕緣層上形成上述孔洞。
在本發明之一實施例中，形成透光導電層的方法包括化學氣相沈積法(CVD)、物理氣相沈積法(PVD)或旋轉塗佈法。
在本發明之一實施例中，太陽能電池的製造方法更包括於透光導電層上形成多個暴露出部分絕緣層的開口。
在本發明之一實施例中，當透光導電層為金屬材質時，透光導電層的厚度實質上介於5nm～500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述透光導電層的材質包括一透明導電氧化物。
基於上述，本發明之太陽能電池藉由將具有不規則孔洞的絕緣層形成於透光導電層與光伏層之間，其中透光導電層透過孔洞與光伏層接觸，不但可提高間隙內且離第一電極層較遠的電子或電洞被透光導電層接收而提高光電流的整體輸出外，亦可減少透光導電層與光伏層的接觸面積，而避免過多電子電洞於透光導電層與光伏層的接觸面上產生復合現象，從而避免限制光電流的輸出。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明一實施例之太陽能電池的局部示意圖，圖1B為沿圖1A之AA’線所繪示之太陽能電池的剖面示意圖，而圖1C則為圖1A之太陽能電池的俯視示意圖，其中為了方便說明，圖1C僅繪示出圖1A之第一電極層、絕緣層以及光伏層，而忽略其他可能的膜層。請同時參考參考圖1A、圖1B與圖1C，本實施例之太陽能電池100包括一光伏層110、一第一電極層120、一第二電極層130、一絕緣層140以及一透光導電層150。光伏層110具有一第一表面E1與一第二表面E2，其中第一電極層120配置於光伏層110的第一表面E1上，而第二電極層130配置於光伏層110的第二表面E2上。一般來說，第一電極層120與第二電極層130通常分別作為太陽能電池的前電極(front contact)與背電極(back contact)，其中第一電極層120與第二電極層130的材質可選用導電性良好的金屬，如：金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、或上述合金。另外，第一電極層120與第二電極層130的材質可以是選用相同材質或是不同材質，其中本實施例係以第一電極層120與第二電極層130的材質相同作為舉例說明，但不限於此。
在本實施例中，光伏層110包括一第一型半導體層112以及一第二型半導體層114，其中第一型半導體層112的表面定義為光伏層112的第一表面E1，而第二型半導體層114的表面定義為光伏層112的第二表面E2。在本實施例中，第一型半導體層112可為一P型半導體層，而第二型半導體層114可為一N型半導體層。在另一實施例中，第一型半導體層112可為一N型半導體層，而第二型半導體層114可為一P型半導體層層。換言之，光伏層110即為一種P-N二極體的膜層結構，如此，當光線照射於光伏層110時，光伏層110便可吸收進入其中的光線而產生電子電洞對。
在本實施例中，第一表面E1定義為光入射面，意即光線L1適於從第一表面E1進入太陽能電池100內。詳細而言，當光線L1(如：太陽光)是由上而下照射太陽能電池100時，如圖1A與圖1B所示，光線L1會依序通過透光導電層150及絕緣層140而傳遞至光伏層110，其中光伏層110適於吸收光線L1而產生電子電洞對。而後，受光所形成的電子與電洞會受到P型半導體層與N型半導體所形成的內建電場影響而分別往第一電極層120與第二電極層130移動，進而形成光電流，此時若於第一電極層120與第二電極層130外加負載電路或電子裝置，便可提供電能而使電路或裝置進行驅動。
需要說明的是，由於第一表面E1係定義為光入射面，因此，配置於第一表面E1上的第一電極層120若是採用上述的金、銀、銅、錫、鉛等金屬時，光線便可能無法穿透第一電極層120。因此，第一電極層120需要具有至少一個暴露出部分光伏層110的間隙122。舉例而言，第一電極層120的圖樣可製作成如圖1C所繪示的趾狀電極，但並不限於此。在其他實施例中，第一電極層120可根據使用者的需求而採用具有其他形狀的間隙122之電極圖樣。如此一來，光線L1便可透過上述的間隙122而傳遞至光伏層110上。
另外，形成具有間隙122的第一電極層120可採用傳統的微影蝕刻製程或網版印刷方式來完成。舉例來說，可先全面形成電極材料層(未繪示)於第一表面E1上，而後再對電極材料層進行圖案化製程以形成第一電極層120，其中第一電極層120具有至少一個暴露出部分光伏層110的間隙122。或者可以用網版印刷的方式，直接形成具有至少一個暴露出部分光伏層110之間隙122的第一電極層120。
請繼續參考圖1A～圖1C，絕緣層140配置於間隙122所暴露出的光伏層110上並具有多個孔洞142，其中這些孔洞142暴露出部分光伏層110。在本實施例中，絕緣層140可為一透光材質，如此，當光線L1在傳遞至間隙122時，便可通過絕緣層140而傳遞至光伏層110上。在本實施例中，可透光的絕緣層140可分為有機材質與無機材質，其中無機材質可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鉿、氧化鋁或上述之組合，而有機材質則可以是光阻、苯並環丁烯、環烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚酯類、聚醇類、聚環氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類或上述組合。本實施例係以二氧化矽或是碳化矽為例，但不限於此。
另外，透光導電層150覆蓋絕緣層140並與第一電極層連接120，且透光導電層150透過至少部分孔洞142而與光伏層110連接，如圖1B所示。在本實施例中，由於透光導電層150可透過孔洞142而與光伏層110連接，因此，光伏層110所產生的電子或電洞除了可直接地傳遞至第一電極層120外，位於間隙122內且較不易傳遞至第一電極層120的電子或電洞亦可傳遞至透光導電層150，而後再傳遞至第一電極層120，如此便可提升太陽能電池100的電性表現。
詳細而言，由於第一電極層120具有暴露出部分光伏層110的間隙122，因此，當光伏層110因受光而產生電子電洞對時，則位於間隙122內且離第一電極層120較遠的電子或電洞較不易擴散至第一電極層120，因電子與電洞極可能在擴散至第一電極層120的過程中便在光伏層110內復合，從而降低了太陽能電池的電性表現。因此，本實施例之太陽能電池100主要是透過設置具有多個奈米級孔洞142的絕緣層140於光伏層110上，並將透光導電層150配置於絕緣層140上，其中透光導電層150會連接第一電極層120並透過這些孔洞142與光伏層110連接。因此，位於間隙122內且離第一電極層120較遠的電子或電洞便可擴散至透光導電層150，從而提高電子電洞被太陽能電池100的利用率。
另外，透光導電層150若是採用金屬材質時，則透光導電層150的厚度H2可介於5nm～500nm之間，以使光線L1適於通過透光導電層150而傳遞至光伏層110。其中，為了使透光導電層150具有較佳的透光度以使太陽能電池100能具有較佳的光電轉換效率，透光導電層150的厚度H2較佳地可介於5nm~50nm之間。
在一實施例中，為了可進一步提高光線L1傳遞至光伏層110的光強度，透光導電層150更可具有多個開口(未繪示)，其中開口會暴露出部分絕緣層140。如此，光線L1便可透過開口而直接地通過絕緣層110，從而傳遞至光伏層110，如此可避免部分光線L1被透光導電層150吸收或反射。換言之，透光導電層150若是具有多個暴露出部分絕緣層140的開口時，將可提高光線L1進入光伏層110內的機會與光強度，從而可提升太陽能電池100整體的光電轉換效率。
在另一實施形態中，上述的透光導電層150除了可採用金屬材質外，亦可使用透明導電氧化物，其中此透明導電氧化物可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物或上述組合。此時，透明導電氧化物的透光導電層150可不具有上述暴露出部分絕緣層140的開口。
在再一實施形態中，上述的透光導電層150也可採用多條奈米線的設計而形成另一種太陽能電池200的結構，如圖2A與圖2B所示，其中圖2A為本發明另一實施例之太陽能電池的俯視示意圖，而圖2B為沿圖2A之BB’線所繪示之太陽能電池的剖面示意圖，同樣地，為了方便說明，圖2A僅繪示出太陽能電池中的第一電極層、絕緣層、透光導電層以及光伏層，而忽略其他可能的膜層。
請同時參考圖2A與圖2B，在太陽能電池200中，透光導電層250a是由多條奈米線252所構成，其中奈米線252與第一電極層220連接，且這些奈米線252配置於絕緣層240上並透過上述的孔洞242而與光伏層210連接。需要說明的是，圖2A所繪示的奈米線252係以直線作為舉例說明，然而，以實際情況而言，奈米線252通常為不規則的圖樣，圖2A僅是繪示，非用以限定本發明。
以下請同時參考圖圖1B與2B，在太陽能電池100與太陽能電池200中，由於透光導電層150、250a是分別配置於絕緣層140、240上並分別與第一電極層120、220電性連接，且絕緣層140、240的孔洞142、242形狀為不規則形狀，其中這些孔洞140、240的孔徑H1實質上介於5nm～50nm之間，如此，可降低透光導電層、250a分別與光伏層110、210的接觸面積避免過多的電子或電洞於透光導電層150、250a與光伏層110、210的接面處被吸收。詳細而言，由於透光導電層150、250a與光伏層110、210的材質分別為導體與半導體，因此其接面處會產生缺陷(defect)，而電子或電洞在經過接面處時可能會被缺陷所復合，從而降低太陽能電池整體的電性表現。因此，本實施例主要是透過絕緣層140、240的設置，並使絕緣層140、240分別具有多個奈米級的孔洞142、242，而分別配置於絕緣層140、240上的透光導電層150、250a便可分別透過孔洞142、242而與光伏層110、210連接。在本實施例中，這些孔洞142、242呈現不規則排列，如圖1C與圖2A所示。
在一實施例中，上述的絕緣層140、240可在成形時即同時形成上述的孔洞142、242，其中孔洞142、242暴露出部分的光伏層110、210。如此一來，透光導電層150、250a覆蓋於絕緣層140、242並與第一電極層120、220連接後，透光導電層150、250a便可經由滲入絕緣層140、240的孔洞142、242中，而使孔洞142、242中所暴露出的光伏層110、210與透光導電層150、250a電性連接。因此，光伏層110、210所產生的電子及電洞亦可由透光導電層150、250a輸出，而增加電子及電洞的輸出途徑，並使電子及電洞在未被復合前就被透光導電層150、250a所吸收，從而提高太陽能電池100、200的電性表現。另外，由於絕緣層140、240分別隔開部分的透光導電層150、250與光伏層110、210，因此，可減少電子電洞在透光導電層150、250與光伏層110、210的介面間產生復合的現象。
另外，本實施例亦提出一種製作上述太陽能電池的製作方法，如圖3A～圖3E所示，其中圖3A～圖3E為圖1B所繪示之太陽能電池的製作流程圖。
請先參考圖3A，首先，提供一半導體基材A。在本實施例中，半導體基材A例如是一P型摻雜的矽晶片，但不限於此。
其後，對半導體基材A進行一離子摻雜製程或一沈積製程以形成上述的光伏層310，如圖3B所示，其中光伏層310由第一型半導體層312與第二型半導體層314所組成。在本實施例中，第一型半導體層312為N型半導體層時，第二型半導體層314為P型半導體層。在另一實施例中，若半導體基材A為一N型摻雜的矽晶片時，則第一型半導體層312為P型半導體層時，第二型半導體層314為N型半導體層。
接著，形成一電極材料層310a於光伏層310的第一表面E1上，並於電極材料層310a上形成上述的間隙322，其中間隙322暴露出部分的光伏層310，如圖3C所示。在本實施例中，形成電極材料層310a例如是使用化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)法、物理氣相沈積法(physical vapor deposition,PVD)或旋轉塗佈法，其中物理氣相沈積法例如濺鍍(sputtering)或蒸鍍(evaporation)。另外，形成上述間隙322的方式例如採用傳統的微影蝕刻製程將電極材料層310a圖案化，以形成如圖3C所繪示的間隙322。或者可以採用網版印刷的方式，直接形成具有至少一個暴露出部分光伏層310之間隙322的第一電極層320(310a)。
請繼續參考圖3C，接著，在光伏層310的第二表面E2形成上述的第二電極層330。在本實施例中，形成第二電極層330(310a)的方式例如是與上述的形成電極材料層130的方式相同，且二者的材質可以相同或不同。
而後，於間隙322所暴露出的光伏層310上形成上述的絕緣層340，並在絕緣層340上形成上述的孔洞342，如圖3D所示。在本實施例中，形成絕緣層340的方式例如是使用物理氣相快速沈積的方法或化學氣相快速沈積的方法形成，以使絕緣層340在成形時，因沈積速度過快，而產生不規則排列以及不規則形狀的孔洞，其中形成絕緣層340的沈積速率實質上可介於30nm/min～100nm/min之間。在一實施例中，形成絕緣層340的方式也可以是將一塗佈有含氫原子的絕緣層340做快速烤乾，以使絕緣層140中的氫原子釋出而使絕緣層340產生龜裂，進而在絕緣層340中形成上述不規則排列且不規則形狀的孔洞342。
在再一實施例中，形成絕緣層340的方式也可以是使用離子撞擊絕緣層340表面的方法，以上述形成不規則排列且不規則形狀的孔洞342。又或者，在又一實施例中，形成絕緣層340的方式亦可使用快速塗佈的方法形成絕緣層340，以使絕緣層340在成形時因塗佈速度過快而產生上述不規則排列且不規則形狀的孔洞342。
在完成上述具有孔洞的絕緣層340後，接著，在絕緣層340上形成上述的透光導電層350，其中透光導電層350與上述的電極材料層310a電性連接，並透過至少上述的部分孔洞342而與光伏層310連接，如圖3E所示。在本實施例中，形成透光導電層350的方式例如是使用化學氣相沈積法、物理氣相沈積法或旋轉塗佈法，其中物理氣相沈積法例如濺鍍或蒸鍍，其中透光導電層350若是金屬材質時，則形成透光導電層350的厚度需控制在50nm～500nm之間，以使以金屬做為材料的透光導電層350可透光。在一實施例中，形成透光導電層350的材質也可以是選用上述的透明導電氧化物材質。至此則大致完成一種太陽能電池300的製作方法。
綜上所述，本發明的太陽能電池及其製作方法至少具有下列優點。首先，藉由將具有不規則孔洞的絕緣層形成於透光導電層與光伏層之間，其中透光導電層透過孔洞與光伏層接觸，不但可提高間隙內且離第一電極層較遠的電子或電洞被透光導電層接收，而提高光電流的整體輸出外，亦可減少透光導電層與光伏層的接觸面積，而避免過多電子電洞於透光導電層與光伏層的接觸面上產生復合現象，從而避免限制光電流的輸出。另外，透光導電層若是採用金屬材質時，則適當地控制透光導電層的厚度使其可透光，如此一來，可使得光線進入光伏層中，從而可使太陽能電池提供光電流。再者，上述的絕緣層可透過沈積的快慢或旋轉塗佈的快慢使其形成的同時即自然地形成上述的孔洞，或是可對絕緣層進行離子轟擊或熱處理製程而形成上述的孔洞。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300．．．太陽能電池
110、210、310．．．光伏層
112、212、312．．．第一型半導體層
114、214、314．．．第二型半導體層
120、220、330．．．第一電極層
122、222、322．．．間隙
130、230、330．．．第二電極層
140、240、340．．．絕緣層
142、242、342．．．孔洞
150、250、350．．．透光導電層
A．．．半導體基材
E1．．．第一表面
E2．．．第二表面
H1．．．孔徑
H2．．．厚度
圖1A為本發明一實施例之太陽能電池的局部示意圖。
圖1B為沿圖1A之AA’線所繪示之太陽能電池的剖面示意圖。
圖1C則為圖1A之太陽能電池的俯視示意圖。
圖2A為本發明另一實施例之太陽能電池的俯視示意圖。
圖2B為沿圖2A之BB’線所繪示之太陽能電池的剖面示意圖。
圖3A～圖3E為圖1B所繪示之太陽能電池的製作流程圖。
110．．．光伏層
112．．．第一型半導體層
114．．．第二型半導體層
120．．．第一電極層
122．．．間隙
130．．．第二電極層
140．．．絕緣層
142．．．孔洞
150．．．透光導電層
H1．．．孔徑
H2．．．厚度
AA’．．．剖線
Claims (23)
- 一種太陽能電池，包括：一光伏層，具有一第一表面與一第二表面；一第一電極層，配置於該光伏層的該第一表面上並具有至少一間隙，其中該至少一間隙暴露部分該光伏層；一第二電極層，配置於該光伏層的該第二表面上；一絕緣層，位於該至少一間隙所暴露出的該光伏層上並具有多個孔洞，其中該些孔洞暴露部分該光伏層；以及一透光導電層，覆蓋該絕緣層並與該第一電極層連接，且該透光導電層透過至少部分該些孔洞而與該光伏層連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該光伏層包括一P型半導體層以及一N型半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一電極層與該第二電極層的材質包括一金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該絕緣層為一透光材質。
- 如申請專利範圍第4項所述之太陽能電池，其中該絕緣層包括二氧化矽或碳化矽。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該些孔洞為不規則形狀。
- 如申請專利範圍第6項所述之太陽能電池，其中該些孔洞的孔徑實質上介於5nm～50nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該些孔洞呈現不規則排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該透光導電層為金屬材質時，該透光導電層的厚度實質上介於5nm～500nm之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中該透光導電層具有多個開口，以暴露出部分該絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該透光導電層的材質包括一透明導電氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該透光導電層包括多條奈米線。
- 一種太陽能電池的製造方法，包括：提供一光伏層，其中該光伏層具有一第一表面與一第二表面；形成一電極材料層於該光伏層的該第一表面上；於該電極材料層上形成至少一間隙，其中該至少一間隙暴露部分該光伏層；於該光伏層的該第二表面上形成一電極；於該些間隙所暴露出的該光伏層上形成一絕緣層並於該絕緣層上形成多個暴露部分該光伏層的孔洞；以及於該絕緣層上形成一透光導電層，且該透光導電層與該第一電極層連接並透過至少部分該些孔洞而與該光伏層連接。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中提供該光伏層的方法包括：提供一半導體基材；對該半導體基材進行一離子摻雜製程或一沈積製程以形成該光伏層，其中該光伏層包括一第一型半導體層與一第二型半導體層，且該第一型半導體層的表面為該光伏層的該第一表面，而該第二型半導體層的表面為該光伏層的該第二表面。
- 如申請專利範圍第14項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第一型半導體層為P型半導體層時，該第二型半導體層為N型半導體層，而該第一型半導體層為N型半導體層時，該第二型半導體層為P型半導體層。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該絕緣層的方法包括物理氣相快速沈積或化學氣相快速沈積。
- 如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該絕緣層的沈積速率實質上介於30nm/min～100nm/min之間。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該絕緣層的方法包括將一含有氫原子的該絕緣層進行一熱處理製程，以使該絕緣層中的氫原子釋出而形成該些孔洞。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該絕緣層的方法包括於該絕緣層上進行一電漿製程，以於該絕緣層上形成該些孔洞。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該透光導電層的方法包括有化學氣相沈積法(CVD)或物理氣相沈積法(PVD)。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中該透光導電層為金屬材質時，該透光導電層的厚度實質上介於5nm～500nm之間。
- 如申請專利範圍第21項所述之太陽能電池的製造方法，更包括於該透光導電層上形成多個暴露出部分該絕緣層的開口。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製造方法，其中該透光導電層的材質包括一透明導電氧化物。
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| US9281436B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-03-08 | Solarcity Corporation | Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells |
| US10074755B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-09-11 | Tesla, Inc. | High efficiency solar panel |
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| US9412884B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-08-09 | Solarcity Corporation | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes |
| US9624595B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-04-18 | Solarcity Corporation | Electroplating apparatus with improved throughput |
| US9653296B2 (en) * | 2014-05-22 | 2017-05-16 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor device and semiconductor device |
| US10309012B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-06-04 | Tesla, Inc. | Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing |
| US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
| US9947822B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-04-17 | Tesla, Inc. | Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells |
| US9761744B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-12 | Tesla, Inc. | System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer |
| US9842956B2 (en) | 2015-12-21 | 2017-12-12 | Tesla, Inc. | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures |
| US9496429B1 (en) | 2015-12-30 | 2016-11-15 | Solarcity Corporation | System and method for tin plating metal electrodes |
| US10115838B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | Photovoltaic structures with interlocking busbars |
| AU2017343630B2 (en) * | 2016-10-12 | 2021-08-05 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device with transparent tunnel junction |
| US10672919B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-06-02 | Tesla, Inc. | Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles |
| US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331208B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
| US7019209B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-03-28 | General Electric Company | Structured dye sensitized solar cell |
| TW200638555A (en) * | 2005-01-14 | 2006-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| TW200733441A (en) * | 2005-10-31 | 2007-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structured luminescence conversion layer |
| US20080245410A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-10-09 | Sony Deutschland Gmbh | Photovoltaic cell |
| TW200910614A (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-01 | Sanyo Electric Co | Solar cell and solar cell module |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005019225B4 (de) | 2005-04-20 | 2009-12-31 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Heterokontaktsolarzelle mit invertierter Schichtstrukturgeometrie |
| TWI401810B (zh) | 2006-10-04 | 2013-07-11 | Gigastorage Corp | 太陽能電池 |
| KR100976454B1 (ko) * | 2008-03-04 | 2010-08-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| US20110220191A1 (en) * | 2008-09-09 | 2011-09-15 | Vanguard Solar, Inc. | Solar cells and photodetectors with semiconducting nanostructures |
-
2010
- 2010-01-11 TW TW099100545A patent/TWI396292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-03-09 US US12/719,870 patent/US8299353B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-25 US US13/531,604 patent/US8535969B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331208B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
| US7019209B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-03-28 | General Electric Company | Structured dye sensitized solar cell |
| TW200638555A (en) * | 2005-01-14 | 2006-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| TW200733441A (en) * | 2005-10-31 | 2007-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structured luminescence conversion layer |
| US20080245410A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-10-09 | Sony Deutschland Gmbh | Photovoltaic cell |
| TW200910614A (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-01 | Sanyo Electric Co | Solar cell and solar cell module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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