TWI395718B - 藉由電磁輻射對玻璃融合之溫度控制 - Google Patents

Description

藉由電磁輻射對玻璃融合之溫度控制

本發明係關於形成玻璃片之系統以及方法。更特別地，該系統及方法提供作為熱學地控制使用於玻璃片成形處理過程中的傳送系統。

近幾年來，有相當多的注意力聚焦在平板玻璃於各種應用中的需求，包括LCD應用。有很多的努力都用來降低玻璃板中的瑕疵和/或缺陷。去玻作用(玻璃中的晶體生長)是影響玻璃板品質的普遍問題。

傳統製造玻璃板的方法包括：向下抽拉融合法(例如使用等靜壓管(isopipe))，浮式法，滾壓法等。在每一個方法中，熔融的玻璃基體材料一般會流過玻璃板製造方法中的耐火主體上方。然而，玻璃基體材料的液相線黏滯係數會限制可由傳統融合法製造之玻璃的組成份範圍。可由傳統融合法製造的LCD玻璃之液相線黏滯係數必須大於大約500,000泊(而對2000-系列的玻璃來說，更接近1,000,000泊)。一般來說，液相線黏滯係數小於500,000泊的玻璃基體材料目前還不能用來製造高品質的玻璃板，因為在製造處理期間會發生去玻作用。

"液相"有兩個部分，就是開始晶核形成以及晶體生長速率。晶核形成可以發生在耐火材表面上，在耐火材-玻 璃介面(非均質成核)，而晶核形成的行為主要由表面粗糙度以及介面處的局部成分改變來支配。均質晶核形成(在大塊玻璃中，而不是在介面處)通常是過冷度，低於液相線△T，高達特定溫度的函數，在該特定溫度下黏滯係數相當高使得原子不會移動而形成晶核。晶體生長速率通常在剛好低於液相線溫度時會最大，而當原子的流動性降低時會逐漸下降。

雖然不完全是玻璃的去玻作用，但是另一個會發生的結晶問題是二次鋯石。使用含鋯石之耐火主體所製造的玻璃板容易產生這個問題。在製造處理的高溫期，溶解在玻璃中的鋯石或鋯土在處理的較低溫度階段會以小鋯石針狀形式沈澱出來加入到玻璃板中成為缺陷。此過程對於任何在較低溫度下，在玻璃中的溶解度會降低的耐火組成份都可能發生，未必局限於鋯石組成份。

因此，在這方面我們需要製造玻璃板的系統和方法，藉由對玻璃運送系統作熱控制以降低製造處理期間玻璃中的去玻作用和二次鋯石效應。

本發明提供製造玻璃板的系統和方法。更具體地說，所提供的系統包含耐火主體，配置成接收玻璃基體材料例如但不局限於熔融玻璃。此系統進一步包含穿過玻璃基體材料發射能量選擇性地加熱至少一部分耐火主體的 手段。在一方面，此發射能量是選定頻率，不完全被玻璃基體材料吸收，而至少部分由耐火主體吸收。

在使用上，此方法包含：提供耐火主體，配置成接收玻璃基體材料，並且穿過玻璃基體材料，將能量傳送到至少一部分耐火本體以加熱此部分的耐火主體。

本發明其他特性及優點揭示於下列說明，以及部分可由說明清楚瞭解，或藉由實施下列說明以及申請專利範圍以及附圖而明瞭。人們瞭解先前一般說明及下列詳細說明只作為範例性及說明性，以及並不作為限制所揭示本發明及/或申請專利範圍。

本發明下列說明以目前已知的實施例提供作為最佳方式揭示本發明。關於此方面，業界熟知此技術者認識以及了解在此所說明各種實施例能夠作許多變化，其仍然受益於本發明。人們一些本發明所需要優點能夠藉由選擇本發明一些特性而並不需要使用其他特性達成。因而，業界熟知此技術者了解本發明許多變化及改變是可能的以及在許多情況下為需要的以及為本發明之部分。因而，提供下列說明作為列舉本發明原理以及並非作為限制用。

必需說明說明書及申請專利範圍中，單數形式之冠詞亦包含複數之含意，除非另有清楚地表示。例如等靜壓 管包含具有兩個或更多個等靜壓管，除非另有清楚地指明。

這裡使用的"鋯石材料"，除非有明確的其他說明，否則代表包含鋯石(鋯矽酸鹽)的鋯石組成份。根據各個方面，鋯石材料適合用來形成耐火陶瓷主體，例如等靜壓管。鋯石材料如果存在的話，可以用任何適當的形式例如固體或粉末來提供。

在這裡範圍可以表示成從"大約"一個特定值，且/或到"大約"另一個特定值。當出現這樣的範圍時，表示有另一個實施例包含從所提的一個特定值，且/或到所提的另一個特定值。同樣的，當使用"大約"來表示一數值的近似值時，要瞭解的是此特定數值也形成另一個實施例。進一步要瞭解的是每個範圍的終點跟另一個終點既有相當關係，但又互相獨立。

如同上面簡要總結的，本發明提供製造玻璃板的系統和方法。為了減少缺陷在玻璃中的發展，例如藉由去玻作用或二次鋯石沈澱，這些系統和方法控制玻璃板製造處理中所使用之玻璃運送系統的熱學特性。如同底下將進一步描述的，藉由維持運送系統在足夠高的溫度，而允許玻璃在運送系統下游流動時快速冷卻。藉由快速冷卻玻璃，可以讓玻璃花費在結晶之高生長速率溫度區的時間減少。同樣的，藉由加熱運送系統而降低整個運送系統的熱梯度可以控制鋯石例如鋯石材料的沉積。

在一方面，此系統包含耐火主體配置成接收玻璃基體 材料。在一方面，此玻璃基體材料可以是熔融玻璃。此耐火主體含有遠端部分位於玻璃基體材料通過的下游。根據幾個方面，耐火主體包含鋯石耐火材料。

參考圖1，此耐火主體在一方面可以用在製造玻璃板的滾壓法中。在這方面，耐火主體107向下傾斜，其中遠端部分比耐火主體相對的近端部分還低。當玻璃基體材料111順流離開遠端部分時至少會由一對滾輪115拉動以形成玻璃板。

或者，耐火主體可以用在製造玻璃板的浮式法中。如圖2所示，至少有一部分的耐火主體207向下傾斜，讓遠端部分低於耐火主體的至少一部分。當熔融玻璃基體材料111順流離開遠端部分時會被運送到液體金屬(例如錫)浴219上。

在另一方面，含有耐火主體307的等靜壓管301可以透過向下抽拉融合法以製造玻璃板，如圖3所示。此等靜壓管可以包含界定出槽305的上方部分透過供應管303以接收熔融玻璃基體材料111。等靜壓管包含相對的較低部分，逐漸變細到等靜壓管的根部309。因此，耐火主體的遠端部分包含根部。熔融玻璃基體材料111被接收到槽中，並溢流過此槽的頂端兩側，如此形成兩個向下流動的玻璃片，然後沿著等靜壓管的外表面向內。這兩薄片在等靜壓管的根部309相遇，在那裡熔融在一起形成單一薄片。然後將此單一薄片餵到拉製裝置中(由流動箭頭313表示)例如滾輪，藉由從根部拉離薄片的速 率以控制薄片的厚度。

在進一步方面，此系統包含穿過玻璃基體材料發射能量選擇性地加熱遠端部分的一部分。例如，圖1和2顯示能量施加區域(分別是117和217))，接近熔融玻璃離開各別耐火本體的點。同樣的，能量傳送方法可以用來加熱等靜壓管的根部附近，如圖4-7所示。在一特定方面，所發射的能量是選定頻率，不完全被熔融玻璃基體材料吸收，而至少一部分由耐火主體的遠端部分吸收。

有幾個方法可以用來發射能量以選擇性地加熱耐火主體的遠端部分。在一方面，可以使用射頻(RF)產生器。傳送系統和控制系統可以結合射頻產生器一起使用，將能量引導到耐火主體的遠端部分。傳送系統可以包含兩個或更多對的平行棒，平行於各別耐火主體的遠端部分運行，穿過熔融玻璃基體材料發射能量。例如，參考圖3，數對平行棒430可以放在等靜壓管301根部的每一側，平行於根部運行，在根部的任一側產生雜散場433。或者，發射系統可以包含沿著至少一部分遠端部分例如等靜壓管301的根部長度運行的平行板535，如圖5所示。如此，射頻可以沿著耐火主體遠端部分的長度相當均勻地傳送。在進一步方面，產生射頻的板或棒可以作為散熱器，從沿著耐火主體流動的玻璃基體材料除去熱量。

在另一方面，可以使用微波產生器來加熱耐火主體的遠端部分。微波產生器可以使用適當的控制系統聯結到 波導，例如漏槽波導，或號角天線。此波導的放置可以將微波能量引導到耐火主體的遠端部分。例如，如圖6所示，跟波導639聯結的微波產生器637可以放在等靜壓管301之根部的每一側。微波產生器可以將微波能量引導到等靜壓管根部附近的負向傾斜部分。在進一步方面，波導可以至少部分是含金屬的(例如，但不局限於箔-塗層陶瓷)作為散熱器，從沿著耐火主體流動的玻璃基體材料除去熱量。

選擇性地，可以將一個或多個散熱器661放在微波產生器的下游，用來從玻璃基體材料除去熱量。

雷射也可以用來選擇性地加熱耐火主體的遠端部分。例如，至少有一個雷射光束可以被引導到遠端部分。此雷射光束的波長頻帶可以在近紅外光範圍例如780-11000奈米。或者，此雷射光束的波長頻帶可以在可見光範圍，例如380-780奈米。在一方面，可以將雷射陣列沿著遠端部分的長度放置。例如，參考圖7，雷射陣列721包含多個雷射723可以放在等靜壓管301根部的附近大體上平行於根部。由每個雷射所產生的雷射光束725可以引導到等靜壓管的遠端部分。雖然圖中只顯示根部的一側，但是可以想像在根部的另一側也可以放置類似的雷射陣列。

如圖8所示，掃瞄雷射823也可以用來選擇性地加熱耐火主體例如等靜壓管301的遠端部分。光束可以沿著遠端部分的長度來掃瞄。在一方面，此雷射將雷射光束 825a導向反射表面827例如鏡子，此鏡子可以選擇性地移動或放置以改變反射光束825b的方向性。光束在耐火主體任何一點的滯留時間會決定局部的溫度上升。在一個特定方面，可以使用脈衝式近紅外線雷射例如Nd：YAG或Nd：YVO₄ 作為掃瞄雷射。如圖8所示，此雷射可以經過配置以掃瞄等靜壓管301遠端部分長度的至少一部分(由α表示)。如參考圖8所描述的，雖然圖4顯示的掃瞄雷射機構只沿著等靜壓管根部的一側，但是可以想像在根部的相對一側也可以放置類似的掃瞄雷射機制。

在一方面，所發射的能量在大約300到大約200,000MHz的範圍，例如微波範圍。或者，所發射的能量可以在3到大約300MHz的範圍，例如在射頻範圍。在又另一方面，能量發射方式的配置要讓發射能量的頻率足以將一部分遠端區域的溫度，加熱到高於流過此遠端部分之玻璃基體材料的液相線溫度。

根據幾方面，此系統進一步包含散熱器用來從玻璃基體材料吸取熱。此散熱器可以放置在遠端部分的下游，不過也可以考慮將散熱器放在沿著流體流道的任何地方，以便選擇性地從玻璃基體材料吸取熱。在一特定方面，此散熱器放在下游，但是接近遠端部分。例如，如圖6所示，可以將一個或多個散熱器661放在等靜壓管根部的下游，以便在玻璃基體材料流動離開或拉離根部時從中吸取熱。如這裡所描述的，可以考慮將各種系統元件同時作為散熱器，例如但不局限於射頻板或棒，波 導，或其他系統元件。

在使用上，提供方法來製造玻璃板。此方法在一方面包含：提供耐火主體配置成接收玻璃基體材料，並發射能量來加熱至少一部分的耐火主體。如上面所描述的，耐火主體可以包含遠端部分，位於玻璃基體材料通過的下游。這類耐火主體可以包含在滾壓法，浮式法，向下抽拉融合法(例如含有逐漸變細之根部的等靜壓管)，和其他已知之玻璃板製造方法中所使用的那些。選擇性地，這裡所描述的方法可以用在玻璃-成形處理中，包括玻璃的充填處理或連續流動(管狀或棒狀拉製等)。在一方面，耐火主體進一步包含鋯石耐火材料。

在一方面，此方法包含穿過玻璃基體材料，將能量傳送到耐火主體遠端部分的至少一部分以加熱此部分。所發射的能量可以是選定頻率不完全被玻璃基體材料吸收，而至少部分由遠端部分吸收。如上面所描述的，玻璃基體材料有液相線溫度。發射能量到耐火主體意指傳送足夠的能量，將耐火主體一部分的溫度加熱到高於玻璃基體材料的液相線溫度。藉由至少將耐火主體的遠端部分維持在高於液相線溫度可以讓玻璃在遠端部分的下游處快速冷卻到低於液相線溫度，因而控制去玻作用。

能量可以透過幾個方式來發射，包括微波產生器，射頻產生器，雷射陣列，掃瞄雷射，或其他這裡所描述的方法。傳送的能量可以在大約300到大約200,000MHz的頻率範圍(也就是微波能量)，或者在大約3到大約 300MHz的頻率範圍(也就是射頻能量)。選擇性地，在任何波長下運作的雷射都可以用來產生能量，包含具有離散波長，或波長頻帶在可見光或近紅外光範圍的那些。

此方法可以進一步包含在沿著流體流道的一個或多個預定位置提供散熱器。在一方面，此方法包括在遠端部分的下游提供散熱器。此散熱器可以用來從玻璃基體材料吸取熱。在一方面，這可以在玻璃基體材料從遠端部分附近離開耐火本體時協助它快速冷卻。也可以提供方法，將玻璃基體材料拉離耐火主體的遠端部分。如上面所描述的，可以考慮將散熱器放在沿著流體流道的任何地方包括遠端部分的上游。

人們了解本發明在此已對特定列舉以及特定實施例作說明，人們瞭解本發明並不受限於這些，因為可能作許多變化而並不會脫離下列申請專利範圍界定出本發明精神及原理。

範例：

為了更進一步顯示出本發明原理，揭示出下列範例以提供業界熟知此技術者完全揭示以及說明物品以及方法如何達成以及加以評估。這些範例預期單純地作為本發明之範例以及並不預期限制本發明之範圍。已作嘗試以確保數目精確性(例如數量，溫度等)，不過其會產生一些誤差以及偏差。除非另有說明，溫度以℃為單位或在室溫下，以及壓力為或接近大氣溫度。

我們進行了一個試驗以測定相似體積之EAGLE²⁰⁰⁰ F 玻璃，和鋯石材料的各種特性。試驗的設置顯示在圖9中。從圖中可以看出，鋯石材料樣品955放在混合烘爐941中使用MoSi₂ 電阻加熱元件949和微波或射頻產生器951以產生各種頻率的能量。同時提供微波或射頻模態混合器953在模態移動時用來調製它們的共振頻率，產生在頻譜外邊緣的有效模態。此模態混合器也可以作為烘爐內的次要天線不斷地耦合到現有場中，並重新-輻射隨著旋轉改變的次生模式。模態混合器用來更加均勻地加熱材料。MoSi₂ 電阻加熱元件用來將樣品提升到900℃。環境熱電耦947，玻璃樣品熱電耦943和鋯石材料樣品熱電耦945也提供來作為溫度感測器。然後將MoSi₂ 電阻加熱元件949設定在手動(固定的百分比輸出)模態，使得樣品中任何溫度的上升，都來自微波或射頻加熱。玻璃樣品957和鋯石材料樣品955是在分開的相繼試驗中進行。圖10顯示此試驗的結果說明了鋯石材料(10.3,10.7)隨著能量輸入所增加的溫度，比玻璃(10.1,10.5)還大，但是兩種材料都會被加溫。

我們還進行了其他試驗，用來測定隨著頻率和溫度的變動，鋯石材料相對於EAGLE²⁰⁰⁰ F玻璃的各種特性。圖11顯示隨著頻率和溫度的變動，鋯石材料相對於EAGLE²⁰⁰⁰ F玻璃的差異介電常數(ε’)。從圖中可以看出，在54MHz時此差異增加最大。圖12顯示隨著頻率和溫度的變動，鋯石材料相對於EAGLE²⁰⁰⁰ F玻璃的差異介電損耗(ε")。此差異在912MHz和2460MHz時相當固 定，當溫度增加時只有微小的增加。然而，在54MHz時，此差異會隨著溫度增加超過大約400℃時穩定地增加。

圖13顯示隨著頻率和溫度的變動，鋯石材料相對於EAGLE²⁰⁰⁰ F玻璃(13.7)的半功率穿透深度，單位公分。測試的頻率是54MHz(鋯石材料：13.1，玻璃：13.2)，912MHz(鋯石材料：13.3，玻璃：13.4)，以及2460MHz(鋯石材料：13.5，玻璃：13.6)。兩種材料都相當透明，因此能量可以穿透鄰接耐火主體的玻璃，而進入耐火主體。圖13顯示，射頻頻率在54MHz的穿透深度比兩個微波頻率(912MHz和2460MHz)還大。

圖14顯示隨著頻率和溫度的變動，鋯石材料相對於EAGLE²⁰⁰⁰ FF玻璃的損耗正切。測試頻率是54MHz(鋯石材料：14.1，玻璃：14.2)、912MHz(鋯石材料：14.3，玻璃：14.4)以及2460MHz(鋯石材料：14.5，玻璃：14.6)。在0.01以上，有可能加熱這些材料，而在0.1以上這些材料就有相當大的可能會被加溫。

我們測定出，等靜壓管之鋯石材料的能量吸收會隨著頻率降低而增加，如圖中可以看出。鋯石材料的能量吸收會隨著溫度的增加而降低。我們也觀察到，當玻璃和鋯石材料的吸收相等時，玻璃會移動而運走一部分的能量，同時鋯石材料會由於熱傳導到玻璃層以及從跟玻璃之介面的輻射而損失所吸收的能量。跟玻璃層作比較，這通常會造成等靜壓管受熱增加。因此，可以使用具有相當小波導的較低成本，且較小的2450MHz微波設備， 而不是在玻璃和等靜壓管之間的差異特性較大的較低頻設備。這些波導可以是水冷式金屬，如此可以作為散熱器用來從玻璃除去額外的熱。

整體來說，我們發現EAGLE²⁰⁰⁰ F玻璃和鋯石材料在典型根部溫度下的特性足夠不同，使得鋯石材料比玻璃吸收更多的能量。以這種方式，可以將等靜壓管特別是在等靜壓管-玻璃介面處的溫度維持在高於玻璃去玻作用的溫度，讓整塊玻璃在等靜壓管的下游處可以冷卻到低於液相線溫度。

107、207、307‧‧‧耐火主體

111‧‧‧玻璃基體材料

115‧‧‧滾輪

117、217‧‧‧能量施加區域

219‧‧‧液體金屬浴

301‧‧‧等靜壓管

303‧‧‧供應管

305‧‧‧槽

309‧‧‧等靜壓管根部

313‧‧‧流動箭頭

430‧‧‧平行棒

433‧‧‧雜散場

535‧‧‧平行板

637‧‧‧微波產生器

639‧‧‧波導

661‧‧‧散熱器

721‧‧‧雷射陣列

723‧‧‧雷射

725‧‧‧雷射光束

823‧‧‧掃瞄雷射

825a‧‧‧雷射光束

825b‧‧‧反射光束

827‧‧‧反射表面

941‧‧‧混合烘爐

943‧‧‧玻璃樣品熱電耦

945‧‧‧鋯石材料樣品熱電耦

947‧‧‧環境熱電耦

949‧‧‧電阻加熱元件

951‧‧‧微波或射頻產生器

953‧‧‧模態混合器

955‧‧‧鋯石材料試樣

957‧‧‧玻璃試樣

圖1顯示出滾壓玻璃片之範例性系統。

圖2顯示出使用浮式處理過程形成玻璃片之範例性系統。

圖3顯示出使用向下抽拉融合處理過程形成玻璃片之具有等靜壓管的範例性系統。

圖4顯示出依據本發明一項之範例性系統，其包含40MHz之RF雜散場，配置成經由熔融玻璃流經等靜壓管之壁板加熱等靜壓管根部耐火材料。

圖5顯示出依據本發明另一項之範例性系統，其包含40MHz平行板RF，配置成經由熔融玻璃流經等靜壓管之壁板加熱等靜壓管根部耐火材料。

圖6顯示出依據本發明一項之範例性系統，其包含微 波產生器，配置成經由熔融玻璃流經等靜壓管之壁板加熱等靜壓管根部耐火材料。

圖7顯示出形成玻璃片之範例性溢流向下抽拉融合系統，其包含具有根部之等靜壓管以及雷射陣列以經由熔融玻璃(並未顯示出)流經等靜壓管兩側之加熱根部耐火材料。

圖8顯示出形成玻璃片之範例性溢流向下抽拉融合系統，其包含具有根部之等靜壓管以及掃瞄雷射以經由熔融玻璃(並未顯示出)流經等靜壓管兩側之加熱根部耐火材料。

圖9顯示出依據本發明在2450MHz及900℃試驗設備之示意圖，其包含類似體積Eagle²⁰⁰⁰ F玻璃以及鋯石材料於使用MoSi2電阻加熱元件以及微波RF能量之混合式高溫爐中。

圖10顯示出在2450MHz及900℃試驗結果，其使用類似體積Eagle²⁰⁰⁰ F玻璃以及鋯石材料於圖8試驗設備中。

圖11為鋯石材料相對於Eagle²⁰⁰⁰ F玻璃之差異介電質常數(ε’)之曲線圖，為頻率及溫度之函數。

圖12為鋯石材料相對於Eagle²⁰⁰⁰ F玻璃之差異介電質損耗(ε")之曲線圖，為頻率及溫度之函數。

圖13為鋯石材料相對於Eagle²⁰⁰⁰ F玻璃之一半功率滲透深度，為頻率及溫度之函數。

圖14為鋯石材料以及Eagle²⁰⁰⁰ F玻璃之損耗正切值，為頻率及溫度之函數。

107‧‧‧耐火主體

111‧‧‧玻璃基體材料

115‧‧‧滾輪

117‧‧‧能量施加區域

Claims (18)

1. 一種形成數個玻璃片之系統，該系統包含：一耐火主體，該耐火主體配置成接收熔融的玻璃基體材料，且該耐火主體包含一遠端部分，該玻璃基體材料通過該遠端部分至下游；發射能量之手段，用以經由該玻璃基體材料選擇性地加熱該遠端部分的數個部分，其中該發射之能量是一選定頻率，該選定頻率之能量不被該熔融的玻璃基體材料完全吸收且至少部分由該耐火主體所吸收，其中該玻璃基體材料具有一液相線溫度，且其中該發射能量之手段配置成加熱該遠端部分的數個部分至一高於該玻璃基體材料之該液相線溫度的溫度。
2. 依據申請專利範圍第1項之系統，其中該發射能量之手段選自於包含一雷射光束陣列、一掃瞄雷射光束、一微波產生器以及一射頻產生器之群組。
3. 依據申請專利範圍第1項之系統，其中該發射之能量在300至200,000MHz範圍內。
4. 依據申請專利範圍第1項之系統，其中該發射之能量在3至300MHz範圍內。
5. 依據申請專利範圍第1項之系統，其中該耐火主體包含一等靜壓管，以及其中該耐火主體之該遠端部分包含一逐漸變細之根部。
6. 依據申請專利範圍第1項之系統，進一步包含一散熱器，該散熱器配置成由該玻璃基體材料移出熱量。
7. 依據申請專利範圍第6項之系統，其中該散熱器位於該遠端部分之下游。
8. 依據申請專利範圍第1項之系統，進一步包含抽拉該玻璃基體材料離開該遠端部分的手段。
9. 依據申請專利範圍第1項之系統，其中該耐火主體包含一鋯石耐火性材料。
10. 一種形成數個玻璃片之方法，該方法包含：提供一耐火主體，該耐火主體配置成接收熔融的玻璃基體材料，且該耐火主體包含一遠端部分，該玻璃基體材料通過該遠端部分至下游；發射能量以經由該玻璃基體材料到該遠端部分的至少一第一部分以至少加熱該遠端部分的該第一部分，其中該發射之能量是一選定頻率，該選定頻率之能量不被該熔融的玻璃基體材料完全吸收且至少部分由該耐火主 體吸收，其中該玻璃基體材料具有一液相線溫度，且其中該發射能量至該至少第一部分之步驟包括發射一數量的能量，該數量的能量足以加熱該第一部分至一高於該玻璃基體材料之該液相線溫度的溫度。
11. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中該耐火主體包含一等靜壓管，其中該耐火主體之該遠端部分包含一逐漸變細之根部。
12. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中該發射能量之步驟包含發射頻率在300至200,000MHz範圍內之微波能量。
13. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中該發射能量之步驟包含發射頻率在3至300MHz範圍內之射頻能量。
14. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中該發射能量之步驟包含導引至少一個雷射光束於該遠端部分之該第一部分，其中該雷射光束之波長頻帶在近紅外線範圍內。
15. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中該發射能量之步驟包含導引至少一個雷射光束於該遠端部分之該第一部分，其中該雷射光束之波長頻帶在可見光範圍內。
16. 依據申請專利範圍第10項之方法，進一步包含提供一散熱器於該遠端部分之下游，其中該散熱器配置成由該玻璃基體材料移出熱量。
17. 依據申請專利範圍第10項之方法，進一步包含提供抽拉該玻璃基體材料離開該遠端部分之手段。
18. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中該耐火主體包括一鋯石耐火性材料。