TWI387115B - 薄膜型太陽能電池及其製造方法 - Google Patents
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- TWI387115B TWI387115B TW098105554A TW98105554A TWI387115B TW I387115 B TWI387115 B TW I387115B TW 098105554 A TW098105554 A TW 098105554A TW 98105554 A TW98105554 A TW 98105554A TW I387115 B TWI387115 B TW I387115B
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 130
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMSFUHVZHUZHAW-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Mo] Chemical compound [Ag].[Mo] OMSFUHVZHUZHAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
本發明係關於一種薄膜型太陽能電池，特別是關於一種具有複數個串聯的單元電池之薄膜型太陽能電池。
通常，具有半導體特性之太陽能電池可將光能轉化為電能。
下面，將對習知技術中太陽能電池之結構與原理進行簡單地描述。太陽能電池通常於PN接面結構中形成，在PN接面結構中，正極半導體(P型半導體)與負極半導體(N型半導體)形成接面。當太陽光線入射到具有PN接面結構之太陽能電池上時，太陽光線之能量可於此半導體中產生電洞(＋)與電子(-)。透過PN接面區域中所形成之電場的作用，電洞(＋)可向P型半導體漂移，而電子(-)可向N型半導體漂移，進而隨著電位的形成便可產生電能。
大體上，太陽能電池可分為：晶圓型太陽能電池與薄膜型太陽能電池。
其中，晶圓型太陽能電池係使用由半導體材料，如矽所製成之晶圓形成。而薄膜型太陽能電池係透過於玻璃基板上形成薄膜型半導體來製成。
就效能而論，晶圓型太陽能電池優於薄膜型太陽能電池。但是，對於晶圓型太陽能電池而言，由於在其製造進程中存在困難，所以這種晶圓型太陽能電池難以具有較薄的厚度。此外，由於這種晶圓型太陽能電池使用了價格昂貴的半導體基板，因此增加了其製造成本。
儘管薄膜型太陽能電池在效能上低於晶圓型太陽能電池，但薄膜型太陽能電池具有例如可實現較薄的外形以及使用價格低廉的材料等優點。因此，薄膜型太陽能電池更適於進行大量生產。
其中，薄膜型太陽能電池之製造方法依序包含有下列步驟：於玻璃基板上形成前置電極；於此前置電極上形成半導體層；以及於此半導體層上形成後置電極。在此狀況下，由於此前置電極對應於太陽光線之入射面，所以此前置電極係由透明導電材料，如氧化鋅(ZnO)製成。但是對於尺寸較大的基板而言，由於透明導電材層具有較大的電阻，因此增加了功率損耗。
因此，人們已找到可使功率損耗達到最小化的方法，其中可將薄膜型太陽能電池分隔成複數個串聯的單元電池。進而，這種方法能夠最大化地減小因透明導電材料之電阻而引起的功率損耗。
下面，將結合「第1A圖」至「第1F圖」對習知技術之具有複數個相串聯的單元電池之薄膜型太陽能電池的製造方法進行描述。
「第1A圖」至「第1F圖」為用於對具有複數個相串聯的單元電池之薄膜型太陽能電池的習知技術之製造方法進行說明的剖面圖。
首先，如「第1A圖」所示，可於基板10上形成前置電極層20a。
接下來，如「第1B圖」所示，可透過雷射雕繪法去除前置電極層20a之預定部分，進而形成複數個前置電極20，其中複數個前置電極20之間係透過插入各第一分隔部分25而具有固定之間隔。
然後，如「第1C圖」所示，可於基板10之整個表面上依序形成半導體層30a與透明導電層40a。
如「第1D圖」所示，可透過雷射雕繪製程從半導體層30a與透明導電層40a上去除預定部分，進而形成複數個半導體層30與透明導電層40，其中複數個半導體層30及透明導電層40之間係透過插入各接觸部分35而具有固定之間隔。
如「第1E圖」所示，可於基板10之整個表面上形成後置電極層50a。
如「第1F圖」所示，可透過雷射雕繪製程去除半導體層30、透明導電層40及後置電極層50a之預定部分，進而形成第二分隔部分45。由此，可形成複數個後置電極50，且複數個後置電極50之間係透過插入各第二分隔部分45而具有固定之間隔。
但是，上述習知技術之薄膜型太陽能電池之製造方法係存在如下缺陷。
首先，如「第1F圖」中所示，係存在一個與〞A〞區域相對應的死區，即：從第一分隔部分25之一端到第二分隔部分45之一端的區域，其中死區係表示此區域不能作為太陽能電池進行作業。在習知技術中，由於係以固定之間隔形成複數個第一分隔部分25、接觸部分35及第二分隔部分45，因而此死區之尺寸相當地大，進而降低了太陽能電池之效能。
特別是，第二分隔部分45係透過沿「第1F圖」之箭頭方向照射雷射光而形成。當照射雷射光時，半導體層30a與透明導電層40係透過雷射光被分隔開，且由於半導體層30與透明導電層40之分隔所導致的壓緊力，後置電極層50a也將同時被分隔開。因此，如果第二分隔部分45太接近於接觸部分35，那麼與前置電極20相接觸的後置電極50會由於壓緊力的作用而被分隔開，進而導致接觸不良。正因如此，如果第二分隔部分45係透過雷射雕繪製程形成，那麼第二分隔部分45與接觸部分35之間應當形成固定之間隔。
並且，用以形成第一分隔部分25、接觸部分35及第二分隔部分45之步驟必須三次使用雷射雕繪製程。在這三次雷射雕繪製程中，殘留於基板中的殘餘物會污染基板。因此，需要額外執行一清潔製程藉以防止基板被污染。然而，額外的清潔製程會導致複雜性增加並使產量降低。
因此，鑒於以上的問題，本發明之一目的在於提供一種薄膜型太陽能電池及其製造方法，係能夠避免上述習知技術中的一個或多個問題。
本發明之一目的在於提供一種薄膜型太陽能電池及其製造方法，係能夠透過減小死區之尺寸而提高太陽能電池之效能。
本發明之另一目的在於提供一種薄膜型太陽能電池及其製造方法，係能夠透過減少執行雷射雕繪製程的次數來使基板被污染的可能性最小化，並且由於減少了執行清潔製程之次數因而能夠提高產量。
為了實現本發明的這些目的及其它優點且依照本發明之目的，現對本發明作具體化和概括性地描述，本發明所提供之一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含：於基板上形成複數個前置電極，其中複數個前置電極之間透過插入各第一分隔部分而形成有固定之間隔；在包含前置電極之基板的整個表面之上形成半導體層與透明導電層；透過去除半導體層及透明導電層之預定部分而形成與第一分隔部分相接觸的接觸部分；透過去除透明導電層之預定部分而形成第二分隔部分；以及形成後置電極，此後置電極係透過接觸部分而與前置電極相連接。
本發明之另一方面還在於提供一種薄膜型太陽能電池，係包含：基板；複數個前置電極，係形成於基板之上並且複數個前置電極之間透過插入各第一分隔部分而具有固定之間隔；複數個半導體層，複數個半導體層之間係透過插入各接觸部分而形成有固定之間隔，並且接觸部分係與第一分隔部分相接觸；複數個透明導電層，複數個透明導電層係透過接觸部分及第二分隔部分而形成有固定之間隔；以及後置電極，此後置電極係透過接觸部分而與前置電極相連接。
本發明之一種薄膜型太陽能電池及其製造方法係具有如下優點。
首先，由於接觸部分係與第一分隔部分相接觸，因此其能夠減小死區之尺寸，進而提高太陽能電池之效能。
並且，由於第二分隔部分係與接觸部分相接觸，因此其能夠減小死區之尺寸，進而提高太陽能電池之效能。特別是，由於複數個後置電極係透過以印刷法代替習知技術之方法而形成有固定之間隔，此印刷法依序包含有於基板之整個表面上形成後置電極層之步驟以及透過雷射雕繪製程以固定之間隔形成第二分隔部分之步驟。因此，儘管此第二分隔部分係與接觸部分相接觸，其仍能夠避免於後置電極與前置電極之間發生接觸不良之問題。
並且，其能夠透過減少執行雷射雕繪製程的次數來使基板被污染的可能性降至最小，並且透過減少執行清潔製程之次數而使產量提高。
現在，將結合附圖對本發明之較佳實施例進行詳細描述。其中，在這些圖示部分中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
以下，將結合附圖對本發明之薄膜型太陽能電池及其製造方法進行描述。
「第2A圖」至「第2F圖」為用於對本發明第一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
首先，如「第2A圖」所示，係於基板100之上形成前置電極層200a。
基板100可由玻璃或透明塑料製成。前置電極層200a可透過濺鍍處理或有機金屬化學氣相沈積(MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition)處理而由透明導電材料，例如，氧化鋅、氧化鋅：硼、氧化鋅：鋁、二氧化錫、二氧化錫：氟或氧化錫銦(ITO，Indium Tin Oxide)形成。
前置電極層200a係對應於太陽光線入射面。如此，對於前置電極層200a來說吸收盡可能多的太陽光線而將太陽光線傳送到太陽能電池之內部是很重要的。因此，可對前置電極層200a額外進行一紋理化處理。
透過採用光刻法之蝕刻製程、採用化學溶液之非等向蝕刻製程或機械雕繪製程，此紋理化處理可使材料層之表面成為不平整的表面，即，具有紋理結構。由於對此前置電極層200a進行了紋理化處理，因此太陽光線之散射可降低太陽能電池之上的太陽光線之反射率並提高此太陽能電池之太陽光線吸收率，進而提高太陽能電池之效能。
接下來，如「第2B圖」所示，可透過去除前置電極層200a之預定部分而形成第一分隔部分250。於是，可形成複數個前置電極200，並且複數個前置電極200之間透過插入各第一分隔部分250而具有固定之間隔。
上述用以形成第一分隔部分250之步驟可透過雷射雕繪製程得以進行。
同時，如「第2A圖」及「第2B圖」所示，複數個前置電極200可透過執行一簡單的方法，如網板印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微觸印刷法並藉由於其之間插入各第一分隔部分250而以固定之間隔直接形成於基板100之上，進而取代了對形成於基板100之整個表面上的前置電極層200a進行雷射雕繪製程。
如果透過網板印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微觸印刷法形成前置電極200，則相較於雷射雕繪製程，其不必擔心基板被污染，並且也無需清潔製程來避免基板被污染。
隨後，如「第2C圖」所示，可於基板100的整個表面之上依序形成半導體層300a與透明導電層400a。
此半導體層300a可透過電漿化學氣相沈積法以矽基半導體材料製程。
此半導體層300a可形成正本負(PIN)結構，在此正本負結構中係依序沈積P型半導體層、I型半導體層(本質半導體層)及N型半導體層。
在具有正本負(PIN)結構的半導體層300a中，可透過P型半導體層與N型半導體層使I型半導體層中出現耗盡現象，進而可於此正本負結構中產生電場。進而，可使透過太陽光線所產生的電子與電洞在電場之作用下發生漂移，並使漂移的電子與電洞分別被收集於N型半導體層與P型半導體層中。若形成具有正本負結構之半導體層300a，則最好先形成P型半導體層，而後再於其上形成I型半導體層與N型半導體層。這是因為，電洞之漂移遷移率係小於電子之漂移遷移率。所以，為了使收集入射光線之效率達到最大，因而需要使P型半導體層接近於光線入射面。
透明導電層400a可透過濺鍍處理或有機金屬化學氣相沈積處理而由透明導電材料，如氧化鋅、氧化鋅：硼、氧化鋅：鋁或銀形成。透明導電層400a可使太陽光線沿各個角度發生散射，藉以使太陽光線於將要描述的後置電極上發生反射，進而增大太陽光線再次入射到半導體層300a上的機率。
如「第2D圖」所示，可透過去除半導體層300a與透明導電層400a之預定部分而形成接觸部分350。因此，可透過於之間插入各接觸部分350而以固定之間隔形成複數個具有依序沈積的半導體層300及透明導電層400b之型樣。
與此同時，接觸部分350係與第一分隔部分250相接觸。特別是，可去除位於前置電極200之上的半導體層300a及透明導電層400a之預定部分，藉以使第一分隔部分250之一端與接觸部分350之一端相接觸。由於第一分隔部分250之一端與接觸部分350之一端相接觸，因此其能夠使太陽能電池中的死區最小化。
上述用以形成接觸部分350之步驟可透過雷射雕繪製程得以進行。
如「第2E圖」所示，可透過去除透明導電層400b之預定部分而形成第二分隔部分450。由此可透過接觸部分350與第二分隔部分450以固定之間隔型樣加工出複數個透明導電層400。
與此同時，可去除透明導電層400b之預定部分以使得第二分隔部分450與接觸部分350相接觸。由於第二分隔部分450與接觸部分350相接觸，因此其能夠使太陽能電池中的死區最小化。
上述用以形成第二分隔部分450之步驟可透過雷射雕繪製程得以進行。儘管第二分隔部分450與接觸部分350相接觸，但在後置電極與前置電極之間不會發生接觸不良。這是因為用以形成第二分隔部分450之步驟係於形成後置電極之步驟前進行。
如「第2F圖」所示，後置電極500係透過接觸部分350而與前置電極200相連接。
複數個後置電極500之間係透過插入各第二分隔部分450而形成有固定之間隔。
後置電極500可透過網板印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微觸印刷法而由金屬材料，例如：銀、鋁、銀鉬合金、銀鎳合金或銀銅合金形成。
「第3A圖」至「第3F圖」為用於對本發明第二實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。除了用以形成接觸部分350之步驟外，本發明第二實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法係與本發明第一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法相同。因此，只要可能的話，在「第3A圖」至「第3F圖」中所有使用的與前述實施例相同之參考標號係代表相同或同類部件，並且將省略對這些相同或同類部件之詳細描述。
首先，如「第3A圖」所示，係於基板100之上形成前置電極層200a。
接下來，如「第3B圖」所示，係可透過去除前置電極層200a之預定部分而形成第一分隔部分250。於是，可形成複數個前置電極200，並且複數個前置電極200之間透過插入各第一分隔部分250而具有固定之間隔。
隨後，如「第3C圖」所示，可於基板100的整個表面之上依序形成半導體層300a與透明導電層400a。
如「第3D圖」所示，可透過去除半導體層300a與透明導電層400a之預定部分而形成接觸部分350。因此，可透過於之間插入各接觸部分350而以固定之間隔形成複數個具有依序沈積的半導體層300及透明導電層400b之型樣。
為了使接觸部分350與第一分隔部分250在它們的預定部分部分地重疊，其需要去除配置於前置電極200之上的半導體層300a及透明導電層400a之預定部分，並且要去除位於第一分隔部分250之內部的半導體層300a及透明導電層400a之預定部分。由於接觸部分350與第一分隔部分250在它們的預定部分部分地重疊，因此其能夠使太陽能電池中的死區最小化。並且，由於接觸部分350與第一分隔部分250在它們的預定部分部分地重疊，前置電極200的上表面及側面可透過接觸部分350曝露出來。因此，將要描述的後置電極可與前置電極200的側面以及前置電極200的上表面相接觸。
如「第3E圖」所示，可透過去除透明導電層400b之預定部分而形成第二分隔部分450。由此可透過接觸部分350與第二分隔部分450以固定之間隔形成複數個透明導電層400。
與此同時，可去除透明導電層400b之預定部分以使得第二分隔部分450與接觸部分350相接觸。由於第二分隔部分450與接觸部分350相接觸，因此其能夠使太陽能電池中的死區最小化。
如「第3F圖」所示，後置電極500係透過接觸部分350而與前置電極200相連接。
複數個後置電極500之間係透過插入各第二分隔部分450而形成有固定之間隔。
「第4A圖」至「第4F圖」為用於對本發明第三實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
除了用以形成第二分隔部分450之步驟外，本發明第三實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法係與本發明第一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法相同。因此，只要可能的話，在「第4A圖」至「第4F圖」中所有使用的與前述實施例相同之參考標號係代表相同或同類部件，並且將省略對這些相同或同類部件之詳細描述。
首先，如「第4A圖」所示，係於基板100之上形成前置電極層200a。
接下來，如「第4B圖」所示，係可透過去除前置電極層200a之預定部分而形成第一分隔部分250。於是，可形成複數個前置電極200，並且複數個前置電極200之間透過插入各第一分隔部分250而具有固定之間隔。
隨後，如「第4C圖」所示，可於基板100的整個表面之上依序形成半導體層300a與透明導電層400a。
如「第4D圖」所示，可透過去除半導體層300a與透明導電層400a之預定部分而形成接觸部分350。因此，可透過於之間插入各接觸部分350而以固定之間隔形成複數個具有依序沈積的半導體層300及透明導電層400b之型樣。
與此同時，接觸部分350係與第一分隔部分250相接觸。特別是，可去除位於前置電極200之上的半導體層300a及透明導電層400a之預定部分，藉以使第一分隔部分250之一端與接觸部分350之一端相接觸。由於第一分隔部分250之一端與接觸部分350之一端相接觸，因此其能夠使太陽能電池中的死區最小化。
與本發明第二實施例之方法中的方式(如「第3D圖」所示)相同，為了使接觸部分350與第一分隔部分250在它們的預定部分部分地重疊，其需要去除配置於前置電極200之上的半導體層300a及透明導電層400a之預定部分，並且要去除位於第一分隔部分250之內部的半導體層300a及透明導電層400a之預定部分。
如「第4E圖」所示，可透過去除透明導電層400b之預定部分而形成第二分隔部分450。由此可透過接觸部分350與第二分隔部分450以固定之間隔形成複數個透明導電層400。
與此同時，可去除透明導電層400b之預定部分以使得第二分隔部分450不與接觸部分350相接觸。
參照本發明之第一實施例，當形成與接觸部分350相接觸的第二分隔部分450(如「第2E圖」所示)之後透過印刷製程形成後置電極500(如「第2F圖」所示)之時，其可能會由於印刷製程發生錯誤而使後置電極500配置於第二分隔部分450之上方。如此，必須藉由各單元電池電性分隔之後置電極500係將彼此電性連接，進而導致發生短路。
在本發明之第三實施例中，由於第二分隔部分450不與接觸部分350相接觸。因此，儘管可能會由於印刷製程發生錯誤而使後置電極500配置於第二分隔部分450之上方，但其仍能夠使介於後置電極500之間的短路發生率降至最低。為了使短路發生率降至最低，複數個第二分隔部分450係可形成於各後置電極500之間。
如「第4F圖」所示，後置電極500係透過接觸部分350而與前置電極200相連接。
複數個後置電極500之間係透過插入各第二分隔部分450及緊鄰於第二分隔部分450之透明導電層400而形成有固定之間隔。
「第5A圖」至「第5F圖」為用於對本發明第四實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
除了用以形成第一分隔部分250之步驟外，本發明第四實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法係與本發明第一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法相同。因此，只要可能的話，在「第5A圖」至「第5F圖」中所有使用的與前述實施例相同之參考標號係代表相同或同類部件，並且將省略對這些相同或同類部件之詳細描述。
首先，如「第5A圖」所示，係於基板100之上形成前置電極層200a。
接下來，如「第5B圖」所示，係可透過去除前置電極層200a之預定部分而形成第一分隔部分250。於是，可形成複數個前置電極200，並且複數個前置電極200之間透過插入各第一分隔部分250而具有固定之間隔。
與此同時，第一分隔部分250之寬度係沿著從其底部至其頂部的方向被逐漸地增大，進而使第一分隔部分250之每一側面如剖面圖中所示的那樣發生傾斜。
此第一分隔部分250之傾斜的側面能夠增大介於前置電極200與將要描述的後置電極之間的接觸表面。
隨後，如「第5C圖」所示，可於基板100的整個表面之上依序形成半導體層300a與透明導電層400a。
如「第5D圖」所示，可透過去除半導體層300a與透明導電層400a之預定部分而形成接觸部分350。因此，可透過於之間插入各接觸部分350而以固定之間隔形成複數個具有依序沈積的半導體層300及透明導電層400b之型樣。
與此同時，接觸部分350之一個側面係位於第一分隔部分250之底部的一個端部，即，接觸部分350之一個側面係與第一分隔部分250之底部的一個端部相接觸，其中第一分隔部分250之底部相對地窄於第一分隔部分250之頂部。因而，此結構能夠增大介於前置電極200與後置電極500之間的接觸表面。
如「第3E圖」所示，可透過去除透明導電層400b之預定部分而形成第二分隔部分450。由此可透過接觸部分350與第二分隔部分450以固定之間隔形成複數個透明導電層400。
與此同時，如圖示中所示，第二分隔部分450可與接觸部分350相接觸。此外，與本發明第三實施例之方法中的方式(如「第4E圖」所示)相同，第二分隔部分450也可不與接觸部分350相接觸。
如「第5F圖」所示，後置電極500係透過接觸部分350而與前置電極200相連接。
複數個後置電極500之間係透過插入各第二分隔部分450而形成有固定之間隔。
同時，第一分隔部分250之一個側面係透過「第5B圖」所示之方法發生傾斜，並且接觸部分350之一個側面係透過「第5D圖」所示之方法位於第一分隔部分250之底部的一個端部，進而使介於前置電極200與後置電極500之間的接觸表面增大。
「第6圖」為透過本發明第一實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。「第7圖」為透過本發明第二實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。「第8圖」為透過本發明第三實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。「第9圖」為透過本發明第四實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。
如「第6圖」至「第9圖」中所示，本發明之薄膜型太陽能電池係包含：基板100、前置電極200、半導體層300、透明導電層400及後置電極500。
複數個前置電極200係形成於基板100之上，其中複數個前置電極200之間係透過插入各第一分隔部分250而形成有固定之間隔。在「第9圖」中，第一分隔部分250之寬度係可沿著從其底部至其頂部的方向被逐漸地增大，進而使第一分隔部分250之側面能夠如垂直剖面圖中所示的那樣發生傾斜。前置電極200可具有不平整的表面。
複數個半導體層300之間係透過插入各接觸部分350而形成有固定之間隔。如「第6圖」及「第8圖」中所示，接觸部分350之一端可與第一分隔部分250之一端相接觸。如「第7圖」中所示，接觸部分350與第一分隔部分250可在它們的預定部分被部分地重疊。如「第9圖」中所示，接觸部分350之一個側面可位於第一分隔部分250之底部的一個端部。
複數個透明導電400層係透過接觸部分350及第二分隔部分450而形成有固定之間隔。同時，如「第6圖」、「第7圖」及「第9圖」中所示，第二分隔部分450可與接觸部分350相接觸，或者如「第8圖」中所示，第二分隔部分450也可不與接觸部分350相接觸。如果第二分隔部分450不與接觸部分350相接觸，則複數個第二分隔部分450可配置於各後置電極500之間。
後置電極500係透過接觸部分350而與前置電極200相連接。如「第6圖」及「第8圖」中所示，後置電極500可與前置電極200之上表面相接觸，或者如「第7圖」及「第9圖」中所示，後置電極500可與前置電極200之上表面及側面相接觸。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
10．．．基板
20．．．前置電極
20a．．．前置電極層
25．．．第一分隔部分
30．．．半導體層
30a．．．半導體層
35．．．接觸部分
40．．．透明導電層
40a．．．透明導電層
45．．．第二分隔部分
50．．．後置電極
50a．．．後置電極層
100．．．基板
200．．．前置電極
200a．．．前置電極層
250．．．第一分隔部分
300．．．半導體層
300a．．．半導體層
350．．．接觸部分
400．．．透明導電層
400a．．．透明導電層
400b．．．透明導電層
450．．．第二分隔部分
500．．．後置電極
第1A圖至第1F圖為用於對習知技術之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
第2A圖至第2F圖為用於對本發明第一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
第3A圖至第3F圖為用於對本發明第二實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
第4A圖至第4F圖為用於對本發明第三實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
第5A圖至第5F圖為用於對本發明第四實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
第6圖為透過本發明第一實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。
第7圖為透過本發明第二實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。
第8圖為透過本發明第三實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。
第9圖為透過本發明第四實施例所製造之薄膜型太陽能電池之剖面圖。
100．．．基板
200．．．前置電極
250．．．第一分隔部分
300．．．半導體層
350．．．接觸部分
400．．．透明導電層
450．．．第二分隔部分
500．．．後置電極
Claims (19)
- 一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含：於一基板上形成複數個前置電極，其中複數個前置電極之間透過插入各第一分隔部分而形成有固定之間隔；在包含該前置電極之該基板的整個表面之上形成一半導體層與透明導電層；透過去除該半導體層及透明導電層之多個預定部分而形成與該第一分隔部分相接觸的一接觸部分；透過去除該透明導電層之一預定部分而形成一第二分隔部分，而並不在形成該第二分隔部分時去除該半導體層；以及形成一後置電極，該後置電極係透過該接觸部分而與該前置電極相連接，其中在形成該第二分隔部分之後，透過印刷法形成該後置電極。
- 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該接觸部分之製程係包含去除位於該前置電極之上的該半導體層及透明導電層之預定部分藉以使該第一分隔部分之一端與該接觸部分之一端相接觸之步驟。
- 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該接觸部分之製程係包含去除配置於該前置電極之上的該半導體層及透明導電層之預定部分，並且去除位於該第一分隔部分之中的該半導體層及透明導電層之預定部分，藉以使該第一分隔部分與 該接觸部分在它們的預定部分部分地重疊之步驟。
- 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該前置電極之製程係包含如下步驟：於該基板之上形成一前置電極層；以及透過去除該前置電極層之一預定部分而形成該第一分隔部分。
- 如請求項第4項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該第一分隔部分之製程係包含透過使該第一分隔部分之寬度沿著從其底部至其頂部的方向逐漸地增大進而形成該第一分隔部分之一傾斜側面之步驟。
- 如請求項第5項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該接觸部分之製程係包含使該接觸部分之一個側面位於該第一分隔部分之底部的一個端部之步驟，其中該第一分隔部分之底部係相對地窄於該第一分隔部分之頂部。
- 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該第二分隔部分之製程係包含去除該透明導電層之預定部分以使得該第二分隔部分與該接觸部分相接觸之步驟。
- 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，用以形成該第二分隔部分之製程係包含去除該透明導電層之預定部分以使得該第二分隔部分不與該接觸部分相接觸之步驟。
- 如請求項第8項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中複數個第二分隔部分係形成於各後置電極之間。
- 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中用以形成該後置電極之製程係包含用於形成與該前置電極之上表面及側面相接觸的後置電極之步驟。
- 一種薄膜型太陽能電池，係包含：一基板；複數個前置電極，係形成於該基板之上並且該等前置電極之間透過插入各第一分隔部分而具有固定之間隔；複數個半導體層，該等半導體層之間係透過插入各接觸部分而形成有固定之間隔，並且該接觸部分係與該第一分隔部分相接觸；複數個透明導電層，該等透明導電層係透過該接觸部分及第二分隔部分而形成有固定之間隔；以及一後置電極，該後置電極係透過該接觸部分而與該前置電極相連接。
- 如請求項第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該接觸部分之一端係與該第一分隔部分之一端相接觸。
- 如請求項第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該第一分隔部分與該接觸部分在它們的預定部分部分地重疊。
- 如請求項第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該第一分隔部分之一個側面係透過使該第一分隔部分之寬度沿著從其底部至其頂部的方向逐漸地增大而發生傾斜。
- 如請求項第14項所述之薄膜型太陽能電池，其中該接觸部分之一個側面係位於該第一分隔部分之底部的一個端部，其中該第一分隔部分之底部係相對地窄於該第一分隔部分之頂部。
- 如請求項第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該第二分隔部分係與該接觸部分相接觸。
- 如請求項第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該第二分隔部分係不與該接觸部分相接觸。
- 如請求項第17項所述之薄膜型太陽能電池，其中複數個第二分隔部分係形成於各後置電極之間。
- 如請求項第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該後置電極係與該前置電極之上表面及側面相接觸。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080015125A KR101460580B1 (ko) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200937652A TW200937652A (en) | 2009-09-01 |
| TWI387115B true TWI387115B (zh) | 2013-02-21 |
Family
ID=40953994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098105554A TWI387115B (zh) | 2008-02-20 | 2009-02-20 | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090205710A1 (zh) |
| KR (1) | KR101460580B1 (zh) |
| CN (2) | CN102201500B (zh) |
| TW (1) | TWI387115B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102449780B (zh) * | 2009-03-31 | 2015-08-05 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池装置及其制造方法 |
| US20120111405A1 (en) * | 2009-06-30 | 2012-05-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell apparatus and method of fabricating the same |
| DE102009056572B4 (de) * | 2009-12-01 | 2014-10-23 | Manz Automation Ag | Verfahren zum zumindest bereichsweisen Entfernen einer Schicht eines Schichtenstapels |
| KR20110130191A (ko) * | 2010-05-27 | 2011-12-05 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지 및 그 제조방법 |
| WO2012012502A1 (en) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | First Solar, Inc. | Connection assembly protection |
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| KR101262455B1 (ko) * | 2010-09-10 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
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2008
- 2008-02-20 KR KR1020080015125A patent/KR101460580B1/ko active Active
-
2009
- 2009-02-20 TW TW098105554A patent/TWI387115B/zh active
- 2009-02-20 US US12/378,891 patent/US20090205710A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-20 CN CN201110129057.8A patent/CN102201500B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-20 CN CN2009100091372A patent/CN101515609B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101515609B (zh) | 2011-07-13 |
| TW200937652A (en) | 2009-09-01 |
| US20090205710A1 (en) | 2009-08-20 |
| KR101460580B1 (ko) | 2014-11-12 |
| CN101515609A (zh) | 2009-08-26 |
| CN102201500A (zh) | 2011-09-28 |
| KR20090089945A (ko) | 2009-08-25 |
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