TWI387109B - 薄膜電晶體的製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種薄膜電晶體的製造方法，且特別是有關於一種以金屬氧化物為主動層的薄膜電晶體的製造方法。
近年來，由於半導體製程技術的進步，薄膜電晶體的製造越趨容易、快速。薄膜電晶體廣泛應用於諸如電腦晶片、手機晶片或是薄膜電晶體液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal displayer，TFT LCD)等電子產品中。以薄膜電晶體液晶顯示器為例，薄膜電晶體作為儲存電容(storage capacitor)充電或放電的開關。
一般而言，薄膜電晶體依照主動層的材料可分為非晶矽薄膜電晶體(Amorphous Silicon Transistor)以及多晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Polycrystalline Transistor)。然而，為了因應市場對於液晶顯示器的需求遽增，新的薄膜電晶體技術研發也有更多的投入。其中，已研發出一種以諸如氧化鋅(ZnO)等的金屬氧化物為主動層的薄膜電晶體，其電性特性已追上非晶矽薄膜電晶體，且在元件的表現上也已經有相當不錯的成果。
然而，以氧化鋅作為主動層的薄膜電晶體為例，在後續形成源極與汲極的製程中，氧化鋅容易受到諸如電漿、蝕刻液以及去光阻液等物質的損害，而改變主動層的薄膜
性質，進而影響薄膜電晶體的元件特性。
本發明是提供一種薄膜電晶體的製造方法，使金屬氧化物主動層上覆蓋有光阻層，以保護金屬氧化物主動層。
本發明另提供一種薄膜電晶體的製造方法，使金屬氧化物主動層上覆蓋有絕緣層，以保護金屬氧化物主動層。
本發明又提供一種薄膜電晶體的製造方法，使金屬氧化物主動層上覆蓋有保護層，以保護金屬氧化物主動層。
本發明提出一種薄膜電晶體的製造方法，其包括下列步驟。首先，於基材上形成閘極。然後，於基材上形成閘絕緣層，以覆蓋閘極。接著，於閘絕緣層上形成金屬氧化物材料層。而後，於金屬氧化物材料層上形成光阻層，其中閘極上方的光阻層的厚度大於閘極兩側上方的光阻層的厚度。繼之，以光阻層為罩幕，移除部份金屬氧化物材料層，以形成金屬氧化物主動層。然後，移除閘極兩側上方的光阻層，使留下來的光阻層覆蓋部分金屬氧化物主動層。而後，於覆蓋有光阻層的金屬氧化物主動層上形成源極與汲極。
在本發明之一實施例中，上述之形成光阻層的方法包括先於金屬氧化物材料層上形成感光材料層，然後使用半色調(halftone)式光罩對感光材料層進行曝光製程，而後再進行顯影製程。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物材料層的
材料包括II-VI族化合物。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物材料層更摻雜有選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群的一或多個元素。
本發明另提出一種薄膜電晶體的製造方法，其包括下列步驟。首先，於基材上形成閘極。然後，於基材上形成閘絕緣層，以覆蓋閘極。接著，於閘絕緣層上形成金屬氧化物材料層。而後，於金屬氧化物材料層上形成絕緣材料層。接著，於絕緣材料層上形成光阻層，其中閘極上方的光阻層的厚度大於閘極兩側上方的光阻層的厚度。繼之，以光阻層為罩幕，移除部份絕緣材料層以及部份金屬氧化物材料層，以形成絕緣層以及金屬氧化物主動層。然後，移除閘極兩側上方的光阻層。接著，移除閘極兩側上方的絕緣層，使留下來的絕緣層覆蓋部分金屬氧化物主動層。而後，於覆蓋有絕緣層的金屬氧化物主動層上形成源極與汲極。
在本發明之一實施例中，上述之形成光阻層的方法包括先於金屬氧化物材料層上形成感光材料層，然後使用半色調(halftone)式光罩對感光材料層進行曝光製程，而後再進行顯影製程。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物材料層的材料包括II-VI族化合物。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物材料層更摻雜有選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡
金屬所組成之族群的一或多個元素。
在本發明之一實施例中，上述之絕緣材料層的材料包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料。
在本發明之一實施例中，上述之無機絕緣材料包括氧化矽或氮化矽。
在本發明之一實施例中，上述之有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚
在本發明之一實施例中，上述之薄膜電晶體的製造方法更包括移除閘極上方的光阻層。
本發明又提出一種薄膜電晶體的製造方法，其包括下列步驟。首先，於基材上形成閘極。接著，於基材上形成閘絕緣層，以覆蓋閘極。然後，於閘極上方的閘絕緣層上形成金屬氧化物主動層。接著，進行非真空製程，以於金屬氧化物主動層上形成保護層。繼之，於覆蓋有保護層的金屬氧化物主動層上形成源極與汲極。
在本發明之一實施例中，上述之非真空製程包括旋轉塗佈法、噴墨法或網印法。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物主動層的材料包括II-VI族化合物。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物主動層更摻雜有選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群的一或多個元素。
在本發明之一實施例中，上述之保護層的材料包括感光材料或是非感光材料。
在本發明之一實施例中，上述之非感光材料包括無機材料或是有機材料。
在本發明之一實施例中，上述之無機材料包括氧化矽或氮化矽。
在本發明之一實施例中，上述之有機材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚。
以本發明之薄膜電晶體的製造方法所形成的薄膜電晶體包括覆蓋金屬氧化物主動層的光阻層、絕緣層或保護層。因此，可避免金屬氧化物主動層在後續製程中暴露於電漿、蝕刻液以及去光阻液等物質中，以穩定金屬氧化物主動層的薄膜特性，進而提升薄膜電晶體的元件特性。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1A至圖1G是依照本發明第一實施例之薄膜電晶體的製造方法流程剖面示意圖。
請參照圖1A，首先，於基材100上形成閘極102。基材100例如是玻璃基板、石英基板或是其他的基板。閘極102的材料例如是鋁、鉻、鉭或其他金屬材料，其形成方法包括薄膜沈積製程、微影製程以及蝕刻製程。其中，薄膜沈積製程可以是濺鍍(sputtering)、電鍍(electroplating)、旋鍍(spin coating)、印製(printing)、無電電鍍(electroless
plating)或其他合適的方法。
然後，於基材100上形成閘絕緣層104，以覆蓋閘極102。閘絕緣層104的材質例如是二氧化矽、氮化矽或是氮氧化矽等介電材料，其形成方法例如是化學氣相沈積法。
接著，於閘絕緣層104上形成金屬氧化物材料層106。金屬氧化物材料層106的材料包括II-VI族化合物，例如是ZnO，其形成方法例如是非真空製程，其為在非真空室(non-vacuum chamber)內所進行的製程，例如是旋轉塗佈法(Spin-coating)、噴墨法(Inject printing)、滴印法(Drop printing)、滴鑄法(Casting)、微觸法(Micro-stamp)、網印法(Screen printing)、壓印法(Imprinting)等方法。在一實施例中，金屬氧化物材料層的形成方法也可以是真空製程，也就是在真空室(vacuum chamber)內進行的製程，例如是物理氣相沈積製程或化學氣相沈積製程。再者，在一實施例中，上述金屬氧化物材料層106可以是在II-VI族化合物中更摻雜有其他元素，所摻雜的元素選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群。舉例而言，金屬氧化物材料層106的材料可以是InZnO或GaInZnO。
請參照圖1B，然後，於金屬氧化物材料層106上形成厚度均勻的感光材料層108。形成感光材料層108的方法例如是旋轉塗佈法並且搭配後烘烤步驟。
請參照圖1C，而後，對感光材料層108進行曝光製程與顯影製程，以形成具有高度差的光阻層108'，其中閘極102上方的光阻層108a的厚度大於閘極102兩側上方的
光阻層108b的厚度。上述曝光製程例如是使用半色調(halftone)式光罩(未繪示)。
請參照圖1D，繼之，以光阻層108'為罩幕，移除部份金屬氧化物材料層106，以形成金屬氧化物主動層106a。移除部份金屬氧化物材料層106的方法包括濕式蝕刻製程或乾式蝕刻製程。
請參照圖1E，然後，移除閘極102兩側上方且厚度較薄的光阻層108b，使留下來的光阻層108a覆蓋部分金屬氧化物主動層106a。其中，移除光阻層108b的方法例如是電漿蝕刻製程。詳言之，包括氧氣、氫氣、氮氣、氨氣或其他氣體的反應氣體會被電漿解離成具有反應性的離子，以對光阻層108'進行非等向性蝕刻。其中，厚度較薄的光阻層108b會完全被移除，而裸露出閘極102兩側上方的金屬氧化物主動層106a；厚度較厚的光阻層108a被移除一部分後，仍會覆蓋閘極102上方的金屬氧化物主動層106a。
請參照圖1F，而後，於覆蓋有光阻層108a的金屬氧化物主動層106a上形成源極110s與汲極110d，以形成薄膜電晶體112。源極110s與汲極110d的材料例如是鋁、鉻、鉭或其他金屬材料，其形成方法包括薄膜沈積製程、微影製程以及蝕刻製程等製程。其中，蝕刻製程例如是使用電漿的乾式蝕刻製程或是使用蝕刻液的濕式蝕刻製程。值得注意的是，由於金屬氧化物主動層106a上覆蓋有光阻層108a，故金屬氧化物主動層106a不會暴露於電漿、蝕
刻液或去光阻液等物質中，以避免受到上述物質的損害。再者，在以電漿蝕刻製程移除厚度較薄的光阻層108b的步驟中，閘極102兩側上方裸露的金屬氧化物主動層106a因與電漿接觸而具有較小的電阻，故能降低其與源極110s與汲極110d之閘的接觸電阻。
請參照圖1G，在本實施例中，薄膜電晶體112例如是作為薄膜電晶體液晶顯示器中的驅動元件。因此，後續製程更包括於基材100上形成具有接觸窗116的介電層114以及於介電層114上形成與汲極110d電性連接的畫素電極118，以形成畫素結構120。其中，介電層114的材料例如是氮化矽，其形成方法例如是電漿化學氣相沈積法。畫素電極118的材料例如是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋅(ZnO)等金屬氧化物或有機材料，其形成方法包括濺鍍(sputtering)、電鍍(electroplating)、旋鍍(spin coating)、印製(printing)、無電電鍍(electroless plating)或其他合適的方法。
在本實施例中，由於金屬氧化物主動層106a上覆蓋有光阻層108a，故在形成源極110s與汲極110d或形成介電層114的製程中，金屬氧化物主動層106a不會暴露於電漿、蝕刻液或去光阻液等物質中，使金屬氧化物主動層106a具有穩定的薄膜特性，進而提升薄膜電晶體112以及畫素結構120的元件特性。再者，移除光阻層108b的方式使得金屬氧化物主動層106a與源極110s與汲極110d之間具有較小的接觸電阻，故能提升薄膜電晶體112的電性表
現。因此，採用此薄膜電晶體作為驅動元件的液晶顯示器具有顯示品質佳以及電性穩定等優點。
圖2A至圖2G是依照本發明第二實施例之薄膜電晶體的製造方法流程剖面示意圖。在本實施例中，薄膜電晶體的前段製程與第一實施例的前段製程相似，可參照圖1A與其對應說明，於此不贅述。
請參照圖2A，基材100上已形成有閘極102、閘絕緣層104以及金屬氧化物材料層106。首先，於金屬氧化物材料層106上形成絕緣材料層107。絕緣材料層107的材料包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，無機絕緣材料例如是氧化矽或氮化矽等材料，有機絕緣材料例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)或聚乙烯酚(polyvinyl phenol, PVP)等材料，其形成方法例如是化學氣相沈積法。
請參照圖2B，然後，於絕緣材料層107上形成光阻層108'，其中閘極102上方的光阻層108a的厚度大於閘極102兩側上方的光阻層108b的厚度。在本實施例中，形成具有高低差的光阻層108'的方法例如是先在基材100上形成厚度均勻的感光材料層(未繪示)，再對感光材料層進行曝光製程與顯影製程。上述曝光製程例如是使用半色調(halftone)式光罩(未繪示)。
請參照圖2C，接著，以光阻層108'為罩幕，移除部
份金屬氧化物材料層106以及部分絕緣材料層107，以形成金屬氧化物主動層106a以及絕緣層107a。其中，移除部份金屬氧化物材料層106以及部分絕緣材料層107的方法包括濕式蝕刻製程或乾式蝕刻製程。
請參照圖2D，而後，移除閘極102兩側上方的光阻層108b，使留下來的光阻層108a覆蓋金屬氧化物主動層106a。其中，移除光阻層108b的方法例如是電漿蝕刻製程，可參照第一實施例所述，於此不贅述。
請參照圖2E，接著，例如是以光阻層108a為罩幕層，移除閘極102兩側上方的絕緣層107a。其中，移除部份絕緣層107a的方法例如是乾式蝕刻製程。
請參照圖2F，然後，於覆蓋有絕緣層107a與光阻層108a的金屬氧化物主動層106a上形成源極110s與汲極110d，以形成薄膜電晶體112a。源極110s與汲極110d的材料例如是鋁、鉻、鉭或其他金屬材料，其形成方法包括薄膜沈積製程、微影製程以及蝕刻製程等製程。其中，蝕刻製程例如是使用電漿的乾式蝕刻製程或是使用蝕刻液的濕式蝕刻製程。
請參照圖2G，在本實施例中，薄膜電晶體112a例如是作為薄膜電晶體液晶顯示器中的驅動元件。因此，後續製程更包括於基材100上形成具有接觸窗116的介電層114以及於介電層114上形成與汲極110d電性連接的畫素電極118，以形成畫素結構120a。介電層114與畫素電極118的材質與形成方法可參照第一實施例所述，於此不贅
述。
在本實施例中，是以光阻層108a與絕緣層107a一起保護金屬氧化物主動層106a為例。然而，請同時參照圖3A與圖3B，在另一實施例中，薄膜電晶體112b與畫素結構120b僅包括絕緣層107a以保護金屬氧化物主動層106a。換句話說，在上述移除閘極102兩側上方的絕緣層107a的步驟後，更包括移除光阻層108a的步驟，使金屬氧化物主動層106a上僅覆蓋有絕緣層107a。而後，再於覆蓋有絕緣層107a的金屬氧化物主動層106a上形成源極110s與汲極110d，以形成薄膜電晶體112b。繼之，再於基材100上形成具有接觸窗116的介電層114以及於介電層114上形成與汲極110d電性連接的畫素電極118，以形成畫素結構120b。
在上述的實施例中，薄膜電晶體具有保護金屬氧化物主動層的光阻層或絕緣層，以避免金屬氧化物主動層暴露於電漿、蝕刻液以及去光阻液等物質中，使金屬氧化物主動層具有穩定的薄膜特性，以提升薄膜電晶體以及畫素結構的元件特性。因此，採用此薄膜電晶體作為驅動元件的液晶顯示器具有顯示品質佳以及電性穩定等優點。
圖4A至圖4D是依照本發明第三實施例之薄膜電晶體的製造方法流程剖面示意圖。
請參照圖4A，首先，於基材200上依序形成閘極202
以及閘絕緣層204。閘極202以及閘絕緣層204的材質與形成方法可以參照第一實施例所述，於此不贅述。
然後，於閘極202上方的閘絕緣層204上形成金屬氧化物主動層206。金屬氧化物主動層206的材料包括II-VI族化合物，例如是ZnO，其形成方法例如是非真空製程，其為在非真空室內所進行的製程，例如是旋轉塗佈法(Spin-coating)、噴墨法(Inject printing)、滴印法(Drop printing)、滴鑄法(Casting)、微觸法(Micro-stamp)、網印法(Screen printing)、壓印(Imprinting)等方法。在一實施例中，金屬氧化物材料層的形成方法也可以是真空製程，也就是在真空室(vacuum chamber)內進行的製程，例如是物理氣相沈積製程或化學氣相沈積製程。再者，在一實施例中，上述金屬氧化物主動層206可以是在II-VI族化合物中更摻雜有其他元素，所摻雜的元素選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群。舉例而言，金屬氧化物主動層206的材料可以是InZnO或GaInZnO。
請參照圖4B，接著，進行非真空製程，以於金屬氧化物主動層206上形成保護層208。其中，非真空製程為在非真空室(non-vacuum chamber)內所進行的製程，例如是旋轉塗佈法、噴墨法、網印法或其他方法。保護層208的材料包括感光材料或是非感光材料。非感光材料包括無機材料或是有機材料，無機材料例如是氧化矽或氮化矽等材料，有機材料例如是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚乙烯酚(PVP)等材料。
請參照圖4C，繼之，於覆蓋有保護層208的金屬氧化物主動層206上形成源極210s與汲極210d，以形成薄膜電晶體212。源極210s與汲極210d的材料例如是鋁、鉻、鉭或其他金屬材料，其形成方法包括薄膜沈積製程、微影製程以及蝕刻製程等製程。其中，蝕刻製程例如是使用電漿的乾式蝕刻製程或是使用蝕刻液的濕式蝕刻製程。
請參照圖4D，在本實施例中，薄膜電晶體212例如是作為薄膜電晶體液晶顯示器中的驅動元件。因此，後續製程更包括於基材200上形成具有接觸窗216的介電層214以及於介電層214上形成與汲極210d電性連接的畫素電極218，以形成畫素結構220。介電層214與畫素電極218的材質與形成方法可參照第一實施例所述，於此不贅述。
在本實施例中，是以非真空製程來形成保護層208。相較於沈積等真空製程而言，非真空製程能降低對金屬氧化物主動層造成的損害，以進一步穩定金屬氧化物主動層的薄膜特性。此外，由於保護層能避免金屬氧化物主動層與電漿、蝕刻液以及去光阻液等物質接觸，故能提升薄膜電晶體與畫素結構的元件特性。因此，採用此薄膜電晶體作為驅動元件的液晶顯示器具有顯示品質佳以及電性穩定等優點。
綜上所述，薄膜電晶體採用金屬氧化物作為金屬氧化物主動層，且具有保護金屬氧化物主動層的光阻層、絕緣層或保護層，因此，能避免金屬氧化物主動層暴露於電漿、蝕刻液或去光阻液等物質中而受損害。故，薄膜電晶體的製造方法可提升薄膜電晶體以及採用此薄膜電晶體的畫素
結構的元件特性。此外，薄膜電晶體的製造方法使得源極與汲極以及金屬氧化物主動層之間具有較小的接觸電阻，故能提升薄膜電晶體的電性表現。再者，使用半色調(halftone)式光罩形成具有不同高度的光阻層，再以此光阻層作為形成金屬氧化物主動層的光罩，能減少薄膜電晶體製造過程中所需的光罩數目，故能降低薄膜電晶體的生產成本。因此，採用此薄膜電晶體作為驅動元件的液晶顯示器具有顯示品質佳、電性穩定以及生產成本較低等優點。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200‧‧‧基材
102、202‧‧‧閘極
104、204‧‧‧閘絕緣層
106‧‧‧金屬氧化物材料層
106a、206‧‧‧金屬氧化物主動層
107‧‧‧絕緣材料層
107a‧‧‧絕緣層
108‧‧‧感光材料層
108'、108a、108b‧‧‧光阻層
110d、210d‧‧‧汲極
110s、210s‧‧‧源極
112、112a、112b、212‧‧‧薄膜電晶體
114‧‧‧介電層
116‧‧‧接觸窗
118‧‧‧畫素電極
120、120a、120b、220‧‧‧畫素結構
208‧‧‧保護層
圖1A至圖1G是依照本發明第一實施例之薄膜電晶體的製造方法流程剖面示意圖。
圖2A至圖2G是依照本發明第二實施例之薄膜電晶體的製造方法流程剖面示意圖。
圖3A是依照本發明另一實施例之薄膜電晶體的剖面示意圖。
圖3B是包括圖3A所繪示之薄膜電晶體的畫素結構的剖面示意圖。
圖4A至圖4D是依照本發明第三實施例之薄膜電晶體的製造方法流程剖面示意圖。
100‧‧‧基材
102‧‧‧閘極
104‧‧‧閘絕緣層
106a‧‧‧金屬氧化物主動層
108a‧‧‧光阻層
110d‧‧‧汲極
110s‧‧‧源極
112‧‧‧薄膜電晶體
Claims (20)
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基材上形成一閘極；於該基材上形成一閘絕緣層，以覆蓋該閘極；於該閘絕緣層上形成一金屬氧化物材料層；於該金屬氧化物材料層上形成一光阻層，其中該閘極上方的該光阻層的厚度大於該閘極兩側上方的該光阻層的厚度；以該光阻層為罩幕，移除部份該金屬氧化物材料層，以形成一金屬氧化物主動層；移除該閘極兩側上方的該光阻層，使留下來的該光阻層覆蓋部分該金屬氧化物主動層；以及於覆蓋有該光阻層的該金屬氧化物主動層上形成一源極與一汲極。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中形成該光阻層的方法包括：於該金屬氧化物材料層上形成一感光材料層；使用一半色調(halftone)式光罩對該感光材料層進行一曝光製程；以及進行一顯影製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該金屬氧化物材料層的材料包括II-VI族化合物。
- 如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體的製造 方法，其中該金屬氧化物材料層更摻雜有選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群的一或多個元素。
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基材上形成一閘極；於該基材上形成一閘絕緣層，以覆蓋該閘極；於該閘絕緣層上形成一金屬氧化物材料層；於該金屬氧化物材料層上形成一絕緣材料層；於該絕緣材料層上形成一光阻層，其中該閘極上方的該光阻層的厚度大於該閘極兩側上方的該光阻層的厚度；以該光阻層為罩幕，移除部份該絕緣材料層以及部份該金屬氧化物材料層，以形成一絕緣層以及一金屬氧化物主動層；移除該閘極兩側上方的該光阻層；移除該閘極兩側上方的該絕緣層，使留下來的該絕緣層覆蓋部分該金屬氧化物主動層；以及於覆蓋有該絕緣層的該金屬氧化物主動層上形成一源極與一汲極。
- 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中形成該光阻層的方法包括：於該金屬氧化物材料層上形成一感光材料層；使用一半色調(halftone)式光罩對該感光材料層進行一曝光製程；以及進行一顯影製程。
- 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該金屬氧化物材料層的材料包括II-VI族化合物。
- 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該金屬氧化物材料層更摻雜有選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群的一或多個元素。
- 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該絕緣材料層的材料包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料。
- 如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該無機絕緣材料包括氧化矽或氮化矽。
- 如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚。
- 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體的製造方法，更包括移除該閘極上方的該光阻層。
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基材上形成一閘極；於該基材上形成一閘絕緣層，以覆蓋該閘極；於該閘極上方與該閘極兩側上方的該閘絕緣層上形成一金屬氧化物主動層；進行一非真空製程，以於該金屬氧化物主動層上形成一保護層；以及 於該保護層上形成一源極與一汲極，其中該保護層位於該金屬氧化物主動層以及該源極與該汲極之間。
- 如申請專利範圍第13項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該非真空製程包括旋轉塗佈法、噴墨法或網印法。
- 如申請專利範圍第13項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該金屬氧化物主動層的材料包括II-VI族化合物。
- 如申請專利範圍第15項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該金屬氧化物主動層更摻雜有選自由鹼土金屬、IIIA族、VA族、VIA族或過渡金屬所組成之族群的一或多個元素。
- 如申請專利範圍第13項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該保護層的材料包括感光材料或是非感光材料。
- 如申請專利範圍第17項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該非感光材料包括無機材料或是有機材料。
- 如申請專利範圍第18項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該無機材料包括氧化矽或氮化矽。
- 如申請專利範圍第18項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該有機材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯酚。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9543330B1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-10 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor and a pixel structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200952178A (en) | 2009-12-16 |
| US20090305473A1 (en) | 2009-12-10 |
| US8222095B2 (en) | 2012-07-17 |
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