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TWI384434B - 可撓式顯示面板及其製造方法、光電裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI384434B
TWI384434B TW097132996A TW97132996A TWI384434B TW I384434 B TWI384434 B TW I384434B TW 097132996 A TW097132996 A TW 097132996A TW 97132996 A TW97132996 A TW 97132996A TW I384434 B TWI384434 B TW I384434B
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chao cheng Lin
Jer Yao Wu
Yui Chen Liu
Wei Chieh Yang
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Au Optronics Corp
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Description

可撓式顯示面板及其製造方法、光電裝置及其製造方 法
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法、光電裝置及其製造方法，且特別是有關於一種可撓式顯示面板及其製造方法、光電裝置及其製造方法。
隨著科技的進步，顯示器的技術也不斷地發展。輕、薄、短、小的平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)逐漸取代傳統厚重的陰極映像管顯示器(Cathode Ray Tube,CRT)。在眾多類型的平面顯示器中，例如液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)、電漿顯示器(plasma display panel,PDP)、電致發光顯示器(electroluminescent display,ELD)和真空螢光顯示器(vacuum fluorescent display,VFD)，通常包含玻璃基板。由於平面顯示器的整體重量是由玻璃基板的重量決定，因而不斷減小玻璃基板的重量與厚度，以便獲得具有較輕重量與較薄厚度的平面顯示器。
圖1A至圖1C是習知一種顯示面板的製造方法的剖面示意圖。請先參考圖1A，關於習知顯示面板1的製造方法，首先，提供一第一玻璃基板10與一第二玻璃基板20，並於第一玻璃基板10的內表面10a形成一薄膜電晶體層12，於第二玻璃基板20的內表面20a形成一彩色濾光層22。請參考圖1B，接著，於第一玻璃基板10與第二玻璃基板20之間形成一液晶層30，並將第一玻璃基板10與第 二玻璃基板20組立在一起。請參考圖1C，最後，薄化第一玻璃基板10與第二玻璃基板20，以形成一第一次玻璃基板10’與一第二次玻璃基板20’。
目前玻璃薄化技術是採用研磨且拋光製程，來減輕玻璃基板的重量與厚度，使顯示面板1應用於顯示器(未繪示)時能更加輕薄。習知未薄化前的第一玻璃基板10與第二玻璃基板20，其厚度約為0.5公厘(mm)，因此尺寸較大的第一玻璃基板10與第二玻璃基板20具有足夠的抗壓強度。但是，為了符合顯示器輕薄化的趨勢，將原來的玻璃基板的厚度減少，使第一玻璃基板10與第二玻璃基板20的厚度從原來的0.5公厘(mm)薄化到第一次玻璃基板10’與第二次玻璃基板20’的厚度為0.3公厘(mm)。此時玻璃基板會因為抗壓強度不夠而容易產生破裂。此外，第一玻璃基板10與第二玻璃基板20屬於硬質基板，即使薄化後的第一次玻璃基板10’與第二次玻璃基板20’雖然可以減輕顯示器整體的重量與厚度，但是仍無法使得顯示器具有彎曲特性來容忍特定程度的形變，進而影響顯示器應用的普及度。
本發明提供一種可撓式顯示面板，其採用可撓式基材取代習知的玻璃基材，使得其應用於顯示器時可具有較輕薄的外型並具有可彎曲的特性。
本發明更提供一種可撓式顯示面板的製造方法，其可 製作出上述之可撓式顯示面板。
本發明更提供一種光電裝置，其具有上述之可撓式顯示面板，使得其具有較輕薄之外型。
本發明更提供一種上述之光電裝置的製造方法。
本發明提出一種可撓式顯示面板的製造方法。首先，提供一第一玻璃基板以及一第二玻璃基板。接著，在第一玻璃基板的內表面上依序形成一第一蝕刻終止層以及一主動層。在第二玻璃基板的內表面上依序形成一第二蝕刻終止層以及一覆蓋層。於第一玻璃基板與第二玻璃基板之間形成一顯示介質，並將第一玻璃基板與第二玻璃基板組立在一起。在第二玻璃基板的外表面形成一第一保護層。進行一第一蝕刻程序，以將第一玻璃基板完全移除，而暴露出第一蝕刻終止層。在暴露的第一蝕刻終止層的表面上形成一第一可撓式基材，並且於第一可撓式基材上形成一第二保護層。移除第二玻璃基板的外表面上的第一保護層。進行一第二蝕刻程序，以將第二玻璃基板完全移除，而暴露出第二蝕刻終止層。最後，在暴露的第二蝕刻終止層的表面上形成一第二可撓式基材，並且移除第一可撓式基材上的第二保護層。
本發明提出一種可撓式顯示面板，其包括一第一可撓式基材、一第二可撓式基材以及一顯示介質。第一可撓式基材上配置有一第一蝕刻終止層以及一主動層，其中第一蝕刻終止層之材質包括聚醯胺類或富含矽的介電材料。第二可撓式基材上配置有一第二蝕刻終止層以及一覆蓋層， 其中第二蝕刻終止層之材質包括聚醯胺類或富含矽的氮化矽。顯示介質位於第一可撓式基材與第二可撓式基材之間。
本發明提出一種光電裝置之製造方法，包含如上述所述之可撓式顯示面板的製造方法。
本發明提出一種光電裝置，包含如上述所述之可撓式顯示面板。
基於上述，由於本發明採用可撓式基材作為可撓式顯示面板的基板，相較於習知採用硬質的玻璃作為顯示面板的基板而言，本發明之可撓式顯示面板具有可彎曲的特性，可容忍特定程度的形變，且當其應用於顯示器時可具有較輕薄的外型。另外，本發明亦提供上述之可撓式顯示面板的製造方式。採用上述之可撓式顯示面板之光電裝置同樣地具有可彎曲的特性及較為輕薄的優點。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖2為本發明之一實施例之一種可撓式顯示面板的剖面示意圖。請參考圖2，在本實施例中，可撓式顯示面板100包括一第一可撓式基材110、一第二可撓式基材120以及一顯示介質130，其中顯示介質130位於第一可撓式基材110與第二可撓式基材120之間。
詳細而言，第一可撓式基材110上配置有一第一蝕刻終止層112以及一主動層114。第二可撓式基材120上配 置有一第二蝕刻終止層122以及一覆蓋層124。特別是，第一蝕刻終止層112位於主動層114與第一可撓式基材110之間，且第二蝕刻終止層122位於覆蓋層124與第二可撓式基材120之間。另外，顯示介質130位於第一可撓式基材110的主動層114與第二可撓式基材120的覆蓋層124之間。
在本實施例中，第一可撓式基材110與第二可撓式基材120包括塑膠基材、金屬基材、具有曲度的玻璃、或上述之組合，使得可撓式顯示面板100可以容忍特定程度的形變。在此必須說明的是，若是選擇金屬基材作為第一或第二可撓式基材110、120材質，由於金屬基材不透光，因此可撓式顯示面板100在第一可撓式基材110與第二可撓式基材120的材料選擇上，只能有一者為金屬基材。也就是說，第一可撓式基材110與第二可撓式基材120其中之一必須是選擇可透光的基材(如：塑膠基材、具有曲度的玻璃、或上述之組合)，以使光源可穿透可撓式顯示面板100。此外，在其他的實施例中，第一可撓式基材110與第二可撓式基材120其中至少之一可具有極化、相位差、增光、光延遲或是上述至少二者之功能。換言之，第一可撓式基材110與第二可撓式基材120除了可具有透光性與可彎曲的特性外，還可具有一般偏光片、相位差板、光延遲片及/或增光片等功效，而不需要再設置額外的偏光片、相位差板及/或增光片。
另外，位於第一可撓式基材110上的主動層114具有 多條掃描線(未繪示)、多條資料線(未繪示)、多個薄膜電晶體(未繪示)以及多個畫素電極(未繪示)，其中掃描線與資料線交錯配置，薄膜電晶體電性連接對應之掃描線與資料線，且畫素電極與對應的薄膜電晶體電性連接。此外，薄膜電晶體之結構包含底閘型、頂閘型、或其它型態、且薄膜電晶體之摻雜型態包含N型、P型、或上述之組合。
此外，位於主動層114與第一可撓式基材110之間的第一蝕刻終止層112為單層或多層結構，且其材質包括聚醯胺類或富含矽的介電材料，且第一蝕刻終止層112之結構為單層或多層結構。在本實施例中，富含矽的介電材料較佳地以富含矽的氮化矽為例，且其所謂的富含矽的氮化矽(SixNy)，指的是氮化矽的矽原子對氮原子的較佳地比例實質上為1~1.25，但不限於此值，氮化矽的矽原子對氮原子的比例實質上大於或實質上等於1。於其它實施例其它富含矽的介電材料，如：富含矽的氧化矽、富含矽的氮氧化矽、富含矽的碳化矽、富含矽的矽化鍺、富含矽的矽化砷或其它合適的材料，且其富含矽之定義亦實質上如同於富含矽的氮化矽的定義方式。
另外，位於第二可撓式基材120上的覆蓋層124之材料，可依照顯示介質130之材料來選用，若顯示介質130為光電偏折材料，例如：液晶材料或其它合適材料，則覆蓋層124之材料可以是一共用電極層(未繪示)、一彩色濾光層(未繪示)、一平坦層(未繪示)、一配向層(未 繪示)或者是上述至少二者之多層覆蓋材料。舉例而言，若，覆蓋層124有四層材料層，如共用電極層、平坦層、配向層及彩色濾光層，則設置方式可以是平坦層配置於彩色濾光層與共用電極層之間，且配向層覆蓋共用電極層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列，或者是平坦層配置於彩色濾光層與共用電極層之間，且配向層覆蓋彩色濾光層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列。若，覆蓋層124有三層材料層，例如：共用電極層、配向層及彩色濾光層，則設置方式可以是共用電極層配置於彩色濾光層與配向層之間，且配向層覆蓋共用電極層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列，或者是彩色濾光層配置於共用電極層與配向層之間，且配向層覆蓋彩色濾光層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列。若，覆蓋層124有另外一種三層材料層，例如：配向層、共用電極層及平坦層，則設置方式為：共用電極層配置於配向層與平坦層之間，且配向層覆蓋共用電極層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列，且此時所需要的顯示彩色畫面之色光可由光源(未繪示)提供或將彩色濾光層(未繪示)配置於第一可撓性式基材110上。若，覆蓋層124有二層材料層，例如：共用電極層及配向層，則設置方式為配向層覆蓋共用電極層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列，且此時所需要的顯示彩色畫面之色光可由光源提供或將彩色濾光層配置於第一可撓式基材110上。若，覆蓋層124有另外一種二層材料層，例 如：共用電極層及彩色濾光層，則設置方式可以是彩色濾光層覆蓋共用電極層或者是共用電極層覆蓋彩色濾光層。若，覆蓋層124有再另外一種二層材料層，例如：平坦層及配向層，則設置方式可以是為配向層覆蓋平坦層，其中配向層可以使液晶分子沿特定的序向排列，且此時所需要的顯示彩色畫面之色光可由光源提供或將彩色濾光層配置於第一可撓式基材110上。若，覆蓋層124有更另外一種二層材料層，例如：平坦層及共用電極層，則設置方式可以是共用電極層覆蓋平坦層，且此時所需要的顯示彩色畫面之色光可由光源提供或彩色濾光層配置於第一可撓式基材上，或者是平坦層覆蓋共用電極層，且此時所需要的顯示彩色畫面之色光可由光源提供或彩色濾光層配置於第一可撓式基材110上。覆蓋層僅有一層材料之配置，如上所述之材料來選用，而不再贅言之。此外，共用電極層的材質例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物或上述之組合，但不限於此。平坦層之材質可以是使用無機材質(如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鉿、氧化鋁、或其它材質、或上述之組合)、有機材質(如：光阻、苯並環丁烯、環烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚酯類、聚醇類、聚環氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。在其他實施例中，若顯示介質130為自發光材料，例如：電激發光材料，則覆蓋層124之材料也可以 是乾燥層、阻氧阻水層或是吸氧吸水層。
類似地，位於覆蓋層124與第二可撓式基材120之間的第二蝕刻終止層122為單層或多層結構，且其材質包括聚醯胺類或富含矽的介電材料。在本實施例中，富含矽的介電材料較佳地以富含矽的氮化矽為例，但不限於此，且其所謂的富含矽的氮化矽(SixNy)，指的是氮化矽的矽原子對氮原子的較佳比例實質上為1~1.25，但不限於此，也就是說，氮化矽的矽原子對氮原子的比例實質上大於或實質上等於1。於其它實施例中其它富含矽的介電材料，如：富含矽的氧化矽、富含矽的氮氧化矽、富含矽的碳化矽、富含矽的矽化鍺、富含矽的矽化砷或其它合適的材料，且其富含矽之定義亦實質上如同於富含矽的氮化矽的定義方式。另外，於本實施例中，較佳地，第一蝕刻終止層112之材質實質上相同於第二蝕刻終止層122之材質，但不限於此，於其它實施例中，第一蝕刻終止層112之材質亦實質上不同於第二蝕刻終止層122之材質。
再者，顯示介質130包括液晶材料、電致發光材料或是上述之組合。當可撓式顯示面板100中的顯示介質130為液晶時，可撓式顯示面板100稱為液晶顯示面板(如：穿透型顯示面板、半穿透型顯示面板、反射型顯示面板、彩色濾光片於主動層上(color filter on array)之顯示面板、主動層於彩色濾光片上(array on color filter)之顯示面板、垂直配向型(VA)顯示面板、水平切換型(IPS)顯示面板、多域垂直配向型(MVA)顯示面板、扭曲向列型(TN) 顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、圖案垂直配向型(PVA)顯示面板、超級圖案垂直配向型(S－PVA)顯示面板、先進大視角型(ASV)顯示面板、邊緣電場切換型(FFS)顯示面板、連續焰火狀排列型(CPA)顯示面板、軸對稱排列微胞型(ASM)顯示面板、光學補償彎曲排列型(OCB)顯示面板、超級水平切換型(S－IPS)顯示面板、先進超級水平切換型(AS－IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型(UFFS)顯示面板、高分子穩定配向型顯示面板、雙視角型(dual－view)顯示面板、雙面(double screen)顯示面板、三面顯示面板、三視角型(triple－view)顯示面板、三維顯示面板(three－dimensional)、電潤濕(electrowetting)顯示器、或其它型面板、或上述之組合)，亦稱為非自發光顯示面板。若顯示介質130為電致發光材料，可撓式顯示面板100則稱為電致發光顯示面板(如：磷光電致發光顯示面板、螢光電致發光顯示面板、或上述之組合)，亦稱為自發光顯示面板，且其電致發光材料可為有機材料、有機材料、無機材料、或上述之組合。再者，上述材料之分子大小包含小分子、高分子、或上述之組合。若，顯示介質130同時包含液晶及電致發光材料，則可撓式顯示面板100稱為混合式(hybrid)顯示面板或半自發光顯示面板。
此外，在本實施例中，可撓式顯示面板100，較佳地，於第一蝕刻終止層112與主動層114之間與第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間分別配置一黏著層140a、140b， 用以增加第一蝕刻終止層112與主動層114之間的附著力以及第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間的附著力。更甚者，可以降低主動層114與第一蝕刻終止層112之間的應力。黏著層140a、140b的材質為單層或多層之介電材料，本發明之實施例以無機介電材料之氧化矽及/或氮氧化矽為例，但不限於此，其它無機材料，如，平坦層所使用之材料，且亦可使用有機介電材料，如平坦層所使用之材料，或上述之無機或有機材料之組合。在此必須說明的是，在其他未繪示的實施例中，可撓式顯示面板100可選擇性地於第一蝕刻終止層112與主動層114之間及第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間其中至少一者配置一黏著層或是不配置黏著層於第一蝕刻終止層112與主動層114之間及第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
簡言之，本實施例是採用第一可撓式基材110與第二可撓式基材120作為可撓式顯示面板100的基板，由於可撓式基材具有可彎曲的特性，因此可撓式顯示面板100可以容忍特定程度的形變。相較於習知採用硬質的玻璃作為顯示面板1(請參考圖1C)的基板而言，本實施例之可撓式顯示面板100可以避免因受壓而產生破裂的情形，且當其應用於顯示器(未繪示)時可具有較輕薄的外型。
以上所介紹的可撓式顯示面板100可以下述的製造方法製出。以下將以圖2中的可撓式顯示面板100的結構作為舉例說明，並配合圖3A至圖3J對本發明的可撓式顯示 面板100的製造方法進行詳細的說明。
圖3A至圖3J繪示為圖2之可撓式顯示面板的製造方法的剖面示意圖。請先參考圖3A，關於本實施例的可撓式顯示面板100的製造方法，首先，提供一第一玻璃基板110’以及一第二玻璃基板120’，其中第一玻璃基板110’具有一內表面110a與一外表面110b，第二玻璃基板120’具有一內表面120a與一外表面120b。
請參考圖3B，接著，在第一玻璃基板110’的內表面110a上依序形成一第一蝕刻終止層112、一黏著層140a以及一主動層114，在第二玻璃基板120’的內表面120a上依序形成一第二蝕刻終止層122、一黏著層140b以及一覆蓋層124，其中黏著層140a、140b可以增加第一蝕刻終止層112與主動層114之間與第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間的附著力。更甚者，可以分別降低主動層114與第一蝕刻終止層112之間的應力與第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間的應力。特別值得一提的是，在其他的實施例中，是可以省略形成黏著層140a、140b其中至少一者的步驟。也就是說，於其它實施例，可完全不存在黏著層於第一蝕刻終止層112與主動層114之間及第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間或是可選擇性地於第一蝕刻終止層112與主動層114之間及第二蝕刻終止層122與覆蓋層124之間其中至少一者配置一黏著層。
詳細而言，第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122之材質其中至少一者包括氮化矽或是聚醯胺類，而且第一 蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122可為單層或多層結構。舉例而言，在本實施例中，第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122之材質皆以富含矽的介電材料，較佳地以富含矽的氮化矽(SixNy)為範例，但不限於此，其中氮化矽的矽原子對氮原子的較佳地比例實質上為1~1.25，但不限於此值，也就是說，氮化矽的矽原子對氮原子的比例實質上大於或實質上等於1。於其它實施例中其它富含矽的介電材料，如：富含矽的氧化矽、富含矽的氮氧化矽、富含矽的碳化矽、富含矽的矽化鍺、富含矽的矽化砷或其它合適的材料，且其富含矽之定義亦實質上如同於富含矽的氮化矽的定義方式。此外，黏著層140a、140b、主動層114以及覆蓋層124的材質與設置模式如上述圖2所述之材質與設置模式，主動層114以及覆蓋層124的結構與設置模式如上述圖2所述之結構與設置模式，故在此不再贅述。
請參考圖3C，接著，於第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’之間形成一顯示介質130，並將第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’組立在一起。在本實施例中，顯示介質130包括非自發光材料或是電致發光材料，因此本實施例並不限定顯示介質130的材質，端視可撓式顯示面板100(請參考圖2)之類型而作選擇。有關顯示介質130的部分已經說明如先前段落，因此在此不再贅述。
請參考圖3D，接著，在第二玻璃基板120’的外表面120b形成一第一保護層126，其中第一保護層126為單層 結構或多層結構，且其材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸二乙酯、聚醚、或是其它合適的材料、或上述之組合。接著，請參考圖3E，進行一第一蝕刻程序，以將第一玻璃基板110’完全移除，而暴露出第一蝕刻終止層112。
詳細而言，在本實施例中，第一蝕刻程序較佳地以在室溫26℃下為範例進行，且第一蝕刻程序的蝕刻速率實質上為15~50 um/min當作範例，但不限於上述之溫度及/或蝕刻速率。當進行第一蝕刻程序時，由於第二玻璃基板120’的外表面120b具有第一保護層126，因此第二玻璃基板120’不會直接接觸到蝕刻液，可以避免蝕刻液的侵蝕。而第一玻璃基板110’無保護層的保護，因此第一玻璃基板110’會受到蝕刻液的侵蝕。當蝕刻液侵蝕到第一蝕刻終止層112時，蝕刻液即會被第一蝕刻終止層112給阻檔下來，此時，蝕刻液已將第一玻璃基板110’完全移除。也就是說，第一玻璃基板110’是被溶解於蝕刻液中，而不是第一蝕刻終止層112被蝕刻液移除並讓第一玻璃基板110’脫落。
此外，在本實施例中，較佳地，第一蝕刻程序為多次蝕刻步驟，可包含第一次蝕刻步驟及第二次蝕刻步驟，且第一次蝕刻步驟之蝕刻速率實質上大於第二次蝕刻步驟之蝕刻速率，也就是說，可以藉由蝕刻速率較快的第一次蝕刻步驟將大部分的第一玻璃基材110’移除，接著，再藉由蝕刻速率較慢的第二次蝕刻步驟將剩餘的第一玻璃基材 110’移除，以防止蝕刻液過度蝕刻至蝕刻終止層112，換言之，藉由兩次不同蝕刻速率的蝕刻步驟，可以較為精準的控制蝕刻深度。於其它實施例中，亦可使用僅有一次蝕刻步驟或再加入另外的次蝕刻步驟於第一次蝕刻步驟與第二次蝕刻步驟之間與第二次蝕刻步驟之後其中至少一者，且另外的次蝕刻步驟之蝕刻速率依情況所需，較佳地，若另外的次蝕刻步驟配置於第一次蝕刻步驟與第二次蝕刻步驟之間，則另外的次蝕刻步驟之蝕刻速率為第一次蝕刻步驟之蝕刻速率與第二次蝕刻步驟之蝕刻速率之間。或者是，若另外的次蝕刻步驟配置於第二次蝕刻步驟之後，則另外的次蝕刻步驟之蝕刻速率實質上小於第二次蝕刻步驟之蝕刻速率，但不限於此。此外，另外的次蝕刻步驟亦可選擇為分為多次次蝕刻步驟。
另外，第一蝕刻終止層112對第一玻璃基板110’較佳地蝕刻選擇比實質上為20~25，但不限於此，第一蝕刻終止層112對第一玻璃基板110’的蝕刻選擇比實質上大於或實質上等於20。舉例而言，當第一蝕刻終止層112之材質較佳地以富含矽的介電材料中的富含矽的氮化矽為例時，蝕刻第一玻璃基材110’約20微米(μ m)時只會蝕刻第一蝕刻終止層112約1微米(μ m)。當第一蝕刻終止層112之材質以聚醯胺類為例時，蝕刻第一玻璃基材110’約25微米(μ m)時只會蝕刻第一蝕刻終止層112約1微米(μ m)。
請參考圖3F與圖3G，接著，在暴露的第一蝕刻終止 層112的表面上形成一第一可撓式基材110，並且於第一可撓式基材110上形成一第二保護層116，其中第二保護層116為單層結構或多層結構，且其材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸二乙酯、聚醚或是其它合適之材料。此外，第一可撓式基材110的材質如先前段落描述(對應圖2的段落)，故在此不再贅述。
請參考圖3H，移除第二玻璃基板120’的外表面120b上的第一保護層126，以暴露出第二玻璃基板120’。接著，請參照圖3I，進行一第二蝕刻程序，以將第二玻璃基板120’完全移除，而暴露出第二蝕刻終止層122。
詳細而言，第二蝕刻程序較佳地以在室溫26℃下為範例進行，且第二蝕刻程序的蝕刻速率實質上為15~50 um/min當作範例，但不限於上述之溫度及/或蝕刻速率。當進行第二蝕刻程序時，由於第一可撓式基材110的表面具有第二保護層116，因此第一可撓式基材110不會直接接觸到蝕刻液，可以避免蝕刻液的侵蝕。而第二玻璃基板120’的外表面120b無保護層的保護，因此第二玻璃基板120’會受到蝕刻液的侵蝕。當蝕刻液侵蝕到第二蝕刻終止層122時，蝕刻液即會被第二蝕刻終止層122給阻擋下來，此時，蝕刻液已將第二玻璃基板120’完全移除。也就是說，第二玻璃基板120’是被溶解於蝕刻液中，而不是第二蝕刻終止層122被蝕刻液移除並讓第二玻璃基板120’脫落。
此外，在本實施例中，較佳地，第二蝕刻程序為多次 蝕刻步驟，可包含第一次蝕刻步驟及第二次蝕刻步驟，且第一次蝕刻步驟之蝕刻速率實質上大於第二次蝕刻步驟之蝕刻速率，也就是說，可以藉由蝕刻速率較快的第一次蝕刻步驟將大部分的第二玻璃基材120’移除，接著，再藉由蝕刻速率較慢的第二次蝕刻步驟將剩餘的第二玻璃基材120’移除，以防止蝕刻液蝕刻至過多的蝕刻終止層112，換言之，藉由兩次不同蝕刻速率的蝕刻步驟，可以較為精準的控制蝕刻深度。於其它實施例中，亦可使用僅有一次蝕刻步驟或再加入另外的次蝕刻步驟於第一次蝕刻步驟與第二次蝕刻步驟之間與第二次蝕刻步驟之後其中至少一者，且另外的次蝕刻步驟之蝕刻速率依情況所需，較佳地，若另外的次蝕刻步驟配置於第一次蝕刻步驟與第二次蝕刻步驟之間，則另外的次蝕刻步驟之蝕刻速率為第一次蝕刻步驟之蝕刻速率與第二次蝕刻步驟之蝕刻速率之間。或者是，若另外的次蝕刻步驟配置於第二次蝕刻步驟之後，則另外的次蝕刻步驟之蝕刻速率實質上小於第二次蝕刻步驟之蝕刻速率，但不限於此。此外，另外的次蝕刻步驟亦可選擇為分為多次次蝕刻步驟。
另外，第二蝕刻終止層122對第二玻璃基板120’較佳地蝕刻選擇比實質上為20~25，但不限於此，第二蝕刻終止層122對第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比實質上大於或實質上等於20。舉例而言，當第二蝕刻終止層122之材質較佳地以富含矽的介電材料中的富含矽的氮化矽為例時，蝕刻第二玻璃基材120’約20微米(μ m)時只會蝕刻第二 蝕刻終止層122約1微米(μ m)。當第二蝕刻終止層122之材質以聚醯胺類為例時，蝕刻第二玻璃基材120’約25微米(μ m)時只會蝕刻第二蝕刻終止層122約1微米(μ m)。另外，本發明實施例所述之第一蝕刻終止層112對第一玻璃基板110’的蝕刻選擇比以實質上相同於第二蝕刻終止層122對第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比為範例，但不限於此，第一蝕刻終止層112對第一玻璃基板110’的蝕刻選擇比以實質上不同於第二蝕刻終止層122對第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比。另外，對第一玻璃基板110’的蝕刻步驟次數可相同或不同於對第二玻璃基板120’的蝕刻步驟次數。
值得一提的是，在本實施例中，第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122之材質較佳地以富含矽的介電材料中的富含矽的氮化矽(SixNy)為範例，但不限於此。其中氮化矽的矽原子對氮原子較佳地的比例實質上為1~1.25，但不限於此值，氮化矽的矽原子對氮原子的比例實質上大於或實質上等於1，且第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122分別對第一玻璃基板110’(請參考圖3D)與第二玻璃基板120’的較佳的蝕刻選擇比實質上為20~25，但不限於此，第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122分別對第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比實質上大於或實質上等於20。
表一
詳細而言，表一分別為第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122分別對第一玻璃基板110’(請參考圖3D)與第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比與產生第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122以富含矽的介電材料中的富含矽的氮化矽為例的含矽氣體流量/含氮氣體流量之實驗數據，其中本發明含矽氣體包含矽甲烷(silane)、矽乙烷、二矽甲烷(di－silane)、二矽乙烷、四甲基矽烷(tetramethylsilane)、或其它合適的氣體、或上述之組合。本發明含氮氣體包含氮氣、氨氣、笑氣、氧化二氮、氧化氮、二氧化氮、或其它合適的氣體、或上述之組合。本發明實施例之含矽氣體與含氮氣體分別以矽甲烷與氨氣為例，但不限於此。根據表一之數據可得知：當產生第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122的氮化矽的含矽氣體流量/含氮氣體流量之值分別約為1、0.5、0.33、0.15時，其分別對第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比約為25、16、9、5，也就是說，當產生第一蝕刻終止層112與第二蝕刻終止層122的氮化矽的含矽氣體流量/含氮氣體流量之值越小時，其對第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’的蝕刻選擇比也越小，其對於阻擋蝕刻液的能力越弱。再者，本發明上述實施例所述之蝕刻液包含氫 氟酸、醋酸、鹽酸、磷酸、硝酸、硫酸、或其它合適的蝕刻液、或上述至少二種之混酸。本發明上述實施例所述之蝕刻液以氫氟酸為例，但不限於此。
請參考圖3J，最後，在暴露的第二蝕刻終止層122的表面上形成一第二可撓式基材120，並且移除第一可撓式基材110上的第二保護層116，其中第二可撓式基板110的材質如上述圖2所述之材質，在此不再贅述。至此，可撓式顯示面板100已大致完成。
簡言之，本實施之可撓式顯示面板100的製造方法，其先將第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’藉由顯示介質130組立在一起後，再利用第一蝕刻程序與第二蝕刻程序來移除第一玻璃基板110’與第二玻璃基板120’，以形成第一可撓式基材110與第二可撓式基材120。由於玻璃基板屬於硬質基板，因此此種製造方式可以避免可撓式顯示面板100各層間對位精準度不良的問題。此外，由於可撓式基材具有可彎曲的特性，因此製作出的可撓式顯示面板100可以容忍特定程度的形變。相較於習知採用硬質的玻璃作為顯示面板1的基板而言，本實施例之可撓式顯示面板100可以避免因受壓而產生破裂的情形，且當其應用於顯示器(未繪示)時可具有較輕薄的外型。
圖4為本發明之一實施例之一種光電裝置的示意圖。請參考圖4，由上述實施例所述之的可撓式顯示面板100可以跟電子元件210電連接而組合成一光電裝置200。而光電裝置200之製造方法，包含如上所述之可撓式顯示器 100之製造方法，再依照各種光電裝置200的製造程序並組裝所得顯示器，以獲得光電裝置200。由於，在本實施例中，可撓式顯示面板100是採用可撓式基材作為基板，因此採用上述之可撓式顯示面板100之光電裝置200除了可具有可彎曲的特性外，同時兼具有較為輕薄的優點。
另外，電子元件210包括如：控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、記憶元件、驅動元件、發光元件、保護元件、感測元件、偵測元件、或其它功能元件、或前述之組合。而光電裝置200之類型包括可攜式產品(如手機、攝影機、照相機、筆記型電腦、遊戲機、手錶、音樂播放器、電子信件收發器、地圖導航器、數位相片、或類似之產品)、影音產品(如影音放映器或類似之產品)、螢幕、電視、看板、投影機內之面板、或合適的產品。
綜上所述，由於本發明採用可撓式基材作為可撓式顯示面板的基板，因此本發明之可撓式顯示面板可以容忍特定程度的形變。相較於習知採用硬質的玻璃作為顯示面板的基板而言，本發明之可撓式顯示面板可以避免因受壓而產生破裂的情形，且當其應用於顯示器時可具有較輕薄的外型。另外，本發明亦提供上述之可撓式顯示面板的製作方式，其先藉由顯示介質將玻璃基板組立在一起，之後，再利用蝕刻程序來移除玻璃基板，以形成可撓式基材，此方式可以避免對位精準度不良的問題。除此之外，將上述之可撓式顯示面板應用於光電裝置中，同樣地，也可使光電裝置具有可彎曲的特性以及較為輕薄外型之優點。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧顯示面板
10‧‧‧第一玻璃基板
10’‧‧‧第一次玻璃基板
10a‧‧‧內表面
12‧‧‧薄膜電晶體層
20‧‧‧第二玻璃基板
20’‧‧‧第二次玻璃基板
20a‧‧‧內表面
22‧‧‧彩色濾光層
30‧‧‧液晶層
100‧‧‧可撓式顯示面板
110‧‧‧第一可撓式基材
110’‧‧‧第一玻璃基板
110a‧‧‧內表面
110b‧‧‧外表面
112‧‧‧第一蝕刻終止層
114‧‧‧主動層
116‧‧‧第二保護層
120‧‧‧第二可撓式基材
120’‧‧‧第二玻璃基板
120a‧‧‧內表面
120b‧‧‧外表面
122‧‧‧第二蝕刻終止層
124‧‧‧覆蓋層
126‧‧‧第一保護層
130‧‧‧顯示介質
140a、140b‧‧‧黏著層
200‧‧‧光電裝置
210‧‧‧電子元件
圖1A至圖1C是習知一種顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖2為本發明之一實施例之一種可撓式顯示面板的剖面示意圖。
圖3A至圖3J繪示為圖2之可撓式顯示面板的製造方法的剖面示意圖。
圖4為本發明之一實施例之一種光電裝置的示意圖。
100‧‧‧可撓式顯示面板
110‧‧‧第一可撓式基材
112‧‧‧第一蝕刻終止層
114‧‧‧主動層
120‧‧‧第二可撓式基材
122‧‧‧第二蝕刻終止層
124‧‧‧覆蓋層
130‧‧‧顯示介質
140a、140b‧‧‧黏著層

Claims (13)

  1. 一種可撓式顯示面板的製造方法，包括：提供一第一玻璃基板以及一第二玻璃基板；在該第一玻璃基板的內表面上依序形成一第一蝕刻終止層以及一主動層；在該第二玻璃基板的內表面上依序形成一第二蝕刻終止層以及一覆蓋層；於該第一蝕刻終止層與該主動層之間與該第二蝕刻終止層與該覆蓋層之間其中至少一者形成一黏著層；於該第一與該第二玻璃基板之間形成一顯示介質，並將該第一與該第二玻璃基板組立在一起；在該第二玻璃基板的外表面形成一第一保護層；進行一第一蝕刻程序，以將該第一玻璃基板完全移除，而暴露出該第一蝕刻終止層；在暴露的該第一蝕刻終止層的表面上形成一第一可撓式基材，並且於該第一可撓式基材上形成一第二保護層；移除該第二玻璃基板的外表面上的該第一保護層；進行一第二蝕刻程序，以將該第二玻璃基板完全移除，而暴露出該第二蝕刻終止層；以及在暴露的該第二蝕刻終止層的表面上形成一第二可撓式基材，並且移除該第一可撓式基材上的該第二保護層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中該第一與第二蝕刻終止層之材質其中至少一者包括介電材料或是聚醯胺類。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中該介電材料為富含矽的介電材料。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中富含矽的介電材料為富含矽的氮化矽時，該富含矽的氮化矽的矽原子對氮原子的比例為實質上大於或實質上等於1。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中該第一與第二蝕刻終止層對該第一與該第二玻璃基板的蝕刻選擇比實質上大於或實質上等於20。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中該第一與第二蝕刻程序其中至少一者包含第一次蝕刻步驟及第二次蝕刻步驟，且該第一次蝕刻步驟之蝕刻速率實質上大於該第二次蝕刻步驟之蝕刻速率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中該第一與該第二可撓式基材包括塑膠基材、金屬基材、具有曲度的玻璃、或上述至少二者之組合。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示面板的製造方法，其中該第一與該第二可撓式基材其中至少一者具有極化、相位差、增光、或是上述至少二者之功能。
  9. 一種可撓式顯示面板，包括：一第一可撓式基材，且該第一可撓式基材上配置有一第一蝕刻終止層以及一主動層，其中該第一蝕刻終止層之材質包括聚醯胺類或富含矽的氮化矽；一第二可撓式基材，且該第二可撓式基材上配置有一 第二蝕刻終止層以及一覆蓋層，其中該第二蝕刻終止層之材質包括聚醯胺類或富含矽的介電材料；以及一黏著層，配置於該第一蝕刻終止層與該主動層之間與該第二蝕刻終止層與該覆蓋層之間其中至少一者中；一顯示介質，位於該第一可撓式基材與該第二可撓式基材之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之可撓式顯示面板，其中該第一與該第二可撓式基材包括塑膠基材、金屬基材、具有曲度的玻璃、或上述之組合。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之可撓式顯示面板，其中該第一與該第二可撓式基材具有極化、相位差、增光、或是上述至少二者之功能。
  12. 一種光電裝置之製造方法，包含如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示面板的製造方法。
  13. 一種光電裝置，包含：如申請專利範圍第11項所述之可撓式顯示面板；以及組裝該可撓式顯示面板與一電子元件。
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