TWI343365B - - Google Patents

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1343365 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 •本發明是關於一種適合以浮式玻璃成形法使粘度爲 1 04泊的溫度（以下，將此溫度稱爲成形溫度）比鹼石灰 " 玻璃高的玻璃成形的玻璃板製造用的浮式玻璃浴槽及該種 * 浮式玻璃成形方法。 【先前技術】 以往，建築物•汽車等的玻璃窗、STN液晶顯示器的 玻璃基板等是廣泛使用一種以浮式玻璃成形法使熔融狀態 的鹼石灰玻璃成形而製造的玻璃板，現在，浮式玻璃成形 法正是鹼石灰玻璃板的主要製造方法（參照非專利文獻1 0)0 浮式玻璃浴槽是巨大的熔融錫浴槽，該熔融錫的上部 空間（由頂蓋所覆蓋的空間）是由頂蓋磚層二分爲上方空 Φ 間及下方空間，在設於該頂蓋磚層的多數個孔貫穿這些孔 • 設置有多數個加熱器（通常爲碳化矽製的加熱器）。這些 加熱器是經由鋁製的帶材，然後藉由電線而連接於配置在 ^ 頂蓋磚層之上方空間的例如匯流母線，並藉由朝頂蓋磚層 ‘之下方空間突出的各加熱器之發熱部的加熱，使熔融錫上 、部的環境受到加熱。 又，近年來，TFT液晶顯示器（TFT-LCD )的玻璃基 板是使用成形溫度比鹼石灰玻璃高1 0 0 °c以上的無鹼玻璃 。以浮式玻璃成形法製造此玻璃基板的情況下，熔融錫浴 -5- (2) Ϊ343365 槽的溫度也必須形成更高溫，因此浴槽內之上部空間的溫 度也必須維持在更高溫。 〔非專利文獻I〕山根正之等編集、「玻璃工學手冊 J '初版、（株）朝倉書店、]999年7月5日、p.358-3 62 【發明內容】 •〔發明所欲解決之課題〕 然而，想要利用在鹼石灰玻璃用途已被確立的浮式玻 璃浴槽或是浮式玻璃成形法，使成形溫度比鹼石灰玻璃.高 1 〇〇°c以上的無鹼玻璃形成玻璃板時，會引起種種的問題 。這些問題之一可舉出如以下所述的前述上方空間（以下 ，亦單稱上方空間。）的環境溫度上升。 在上方空間，如之前也有敘述，存在有例如匯流母線 、電線等的電氣配線構件、加熱器端部（安裝了用來對加 ^ 熱器進行供電之帶材的加熱器供電部及加熱器供電部以外 • 的部分）等。這些當中，溫度會變得最高的是直接被安裝 % 在溫度會因爲來自下方空間之加熱器發熱部的熱傳導等而 . 變高的加熱器供電部的鋁製平網線狀的帶材。 ' 此帶材如果因爲該高溫而損壞，以致無法進行對於安 -裝有該帶材的加熱器之供電時，就無法進行充分的加熱。 —旦發生這種損壞，浮式玻璃浴槽上部空間之設定溫度的 控制就會受損，並且對品質良好的玻璃板之製造帶來不好 的影響，如果此帶材累積多數損壞時，則有可能造成製造 4 6 - (3) 1343365 上重大的麻煩。 爲了防止這種由於帶材損壞所導致的麻煩發生，上方 空間環境溫度Tr通常是被管理在不超過300 °C»上方空間 環境溫度1\的管理上限溫度3 00°C是根據多年來於鹼石灰 玻璃適用浮式玻璃成形法所獲得的實際成效及經驗，已被 確立爲保證帶材損壞在長期間，例如1 〇年間不會發生的 溫度。

然而，想要以浮式玻璃成形法使成形溫度比鹼石灰玻 璃高的玻璃（以下，有時會稱爲高粘性玻璃。）成形時， 比起想要以浮式玻璃成形法使鹼石灰玻璃成形的情況，必 須維持更高的浮式玻璃浴槽的熔融錫溫度，因而上方空間 環境溫度會變高。上方空間環境溫度可能會超過 300 °C的情況下，通常是使周圍氣體（典型爲氮氣與氫氣 的混合氣體）的體積流量Vg增加。亦即，藉由強迫使周 圍氣體對流，由在帶材附近流動的周圍氣體從加熱器端部 的表面吸取熱，使帶材的溫度降低。此外，周圍氣體是從 設在頂蓋外殼上面等的孔被導入至上方空間，並且在使電 氣配線構件等冷卻之後，通過頂蓋磚層的孔流入下方空間 而防止熔融錫的氧化。 但是，這種體積流量V g的增加不僅很可能導致加熱 器加熱的減弱—爲了補償該减弱的加熱器輸出增加―上方 空間環境溫度Tf的再度上升4體積流量Vg的增加這樣的 惡性循環，還會增加使玻璃帶（g】a s s r i b b ο η )上的錫缺點 (頂部斑點）發生或增加的機會。近年來TFT-LCD用玻 (4) 1343365 璃基板不斷邁向大型化，而且其高品質化的要求越來越闻 ，但是如前所述的頂部斑點的增加會使製造效率’尤其是 . 大型的前述玻璃基板之製造效率降低。 而且，對於該基板所使用的玻璃之特性的要求也高度 4 •化，並且開發出可對應於此要求的玻璃’但是這種玻璃的 ，成形溫度一般會變得更高。亦即’上方空間環境溫度Tr 會變得更高。因此’以浮式玻璃成形法使TFT-L CD基板 用玻璃成形時，必須使體積流量v g不會隨著上方空間環 境溫度的上升而增加（換言之，不會帶來頂部斑點的 發生或增加），並抑制帶材的溫度上升。 本發明之目的在於提供一種可解決這種課題的浮式玻 璃浴槽及浮式玻璃成形方法。 (用以解決課題之手段〕 本發明提供一種浮式玻璃浴槽，是具有：裝滿熔融錫 φ 的底槽以及覆蓋該底槽的頂蓋，前述頂蓋內的空間是由頂 • 蓋磚層二分爲上方空間及下方空間，而且貫穿設在前述頂 蓋磚層的孔設置有加熱器的浮式玻璃浴槽，其特徵爲：位 , 於前述上方空間的加熱器端部具有安裝了用來對加熱器進 行供電之帶材的供電部，將前述供電部的表面積假定爲 • S 'k及輻射率爲sk，將前述加熱器端部於前述供電部以外 之部分的表面積假定爲S 'n及輻射率爲εη時，加熱器端部 是以滿足S’k . ek + S’n . εη 2 363 0mm2的方式而構成。 而且’提供一種浮式玻璃浴槽，其中，前述供電部的 8 ~ (5) 1343365 輻射率ek爲0.7以上，前述加熱器端部於前述供電部以外 之部分的輻射率εη爲1 ·〇。 而且，提供一種浮式玻璃浴槽，其中，前述加熱器是 由碳化矽（SiC)所形成，前述供電部的表面是藉由鋁進 行金屬化處理，前述帶材爲鋁製。 而且，提供一種前述浮式玻璃浴槽，其中，前述加熱 器是形成圓筒狀，其外徑爲23〜50 mm。

而且，提供一種浮式玻璃成形方法，其特徵爲：從前 述浮式玻璃浴槽的一端，在其熔融錫上連續注入熔融狀態 的前述玻璃，在熔融錫上使該玻璃形成玻璃帶，並且將該 玻璃帶從該浮式玻璃洛槽的一端連續拉出。 本發明是經由如下的過程而完成了本發明。無鹸玻璃 AN635 (旭硝子公司商品名《成形溫度：1210°C )長久以 來被用來作爲TFT-LCD用玻璃，但是就對於如前所述的 玻璃特性可對應更高度之要求的無鹼玻璃而言，開發了 AN 1 0 0 (旭硝子公司商品名。成形溫度：1 2 6 8 °C )。然而 ，想要利用藉由浮式玻璃成形法使AN 6 3 5成形的浮式玻 璃浴槽’使AN 1 00藉由浮式玻璃成形法成形時，顯然加 熱器的每單位面積的負荷會變得過大，在長期間的穩定性 之製造方面有其困難。而且’爲了使加熱器的該負荷降低 ，即使在不會明顯增加頂部斑點增加之可能性的範圍使體 積流量V g增大，上方空間環境溫度也只會降低至 320°C，顯然使用此浮式玻璃浴槽長期間製造ΑΝ100並不 見得理想。 -9- (6) 1343365 相對於此，本案發明人著眼於加熱器的散熱性能’即 使在藉由使其有效從加熱器端部的表面散熱，使上方空間 . 環境溫度上升時，也可防止帶材的過熱。亦即’檢討 了可藉由改善加熱器端部的表面積及加熱器端部之表面的 -· •輻射率，使上方空間環境溫度Tr上升了 20°c的狀態（例 •如從3 0 0 °c上升至3 2 0 °c的狀態）下的加熱器端部溫度T s ，降低至上方空間環境溫度Tr上升前之狀態（例如3 001 ξβ )下的加熱器端部溫度Ts的條件。 首先，在以往的浮式玻璃浴槽當中，加熱器是使碳化 矽（S i C )形成大致圓筒狀者，位於上方空間的加熱器端 部的長度爲46mm。而且，供電部是藉由從加熱器端部的 突端以40mm的長度使SiC含浸鋁等，使表面藉由鋁進行 金屬化處理而設置，在供電部安裝有鋁製的平網線狀的帶 材，而且在加熱器端部當中，前述供電部以外的部分（以 下稱爲非供電部。）是以6mm的長度使SiC露出而設置

又’關於加熱器的前述供電部（安裝有帶材的狀態。 在計算上’以下相同）及非供電部之表面的輻射率，在將 表示非常接近黑體之特性的碳膏的輻射率假設爲1.〇的情 況下’前述供電部爲0.7，使SiC露出的非供電部爲1.0。 在此’加熱器的前述供電部及非供電部之表面的輻射率是 以如下方式算出。 首先’在碳化矽製的大致圓筒形狀構件當中，分別準 備在表面塗布有碳膏（日清紡（股）製碳接著劑ST-20] -10- (7) (7)

1343365 )的試驗片a、表面經過金屬化處理的試驗片b、 述金屬化處理，並且安裝有帶材的試驗片c、以及 矽在表面露出的試驗片d’將各試驗片收容在環境 持在3 0 0。(：的電氣加熱爐內，並且加熱預定時間（ * 時以上）直到各試驗片的溫度成爲300 °C爲止。 . 接下來，將被加熱至3 00°C的各試驗片從電氣 取出，並且立刻（3 0秒以內）使用紅外線熱畫像 NEC三榮（股）製熱追蹤裝置TH3丨04MR)測定 片的表面溫度。 將塗布有碳膏的試驗片3的輻射率假定爲】·( 藉由以下式子（A)算出經過金屬化處理的試驗片 裝有帶材的試驗片c、以及使碳化砂露出的試驗片 射率。 1 . Ο X ( Tc + 2 73 ) 4= 1 /ε X ( T + 2 7 3 ) 4 …（A ) 在此，Τε是塗布有碳膏的試驗片的表面溫度（ Τ是經過金屬化處理的試驗片b、安裝有帶材的試 、或是使碳化矽露出的試驗片d的表面溫度’ ε是 屬化處理的試驗片b、安裝有帶材的試驗片c、或 化矽露出的試驗片d的輻射率，從式子（A )’試 、c、d的輻射率ε會分別成爲0.7' 0.7、1.0。 而且，本案發明人針對此浮式玻璃浴槽進行了 定及計算，並且根據該結果構築了如下的計算模型 經過前 使碳化 溫度保 5個小 加熱爐 裝置（ 各試驗 ，然後 b、安 d的輪 °C )， 驗片c 經過金 是使碳 驗片b 各種測 。第1 -11 - (8) 1343365 圖是此計算模型的說明圖。 此ri"算模型是上方空間20的熱收支模型。至上方空 間20的入熱Qin是所有來自加熱器端部之輻射熱所產生的 熱’來自加熱器之前述供電部的入熱Qink可由式子（1 ) 表示。

Qink = skh . Sk . N ( Ts-Tr)…（1 )

又’來自加熱器之前述非供電部的入熱Qinn可由式子 (2 )表示。

Qinn = snh · Sn ♦ N ( Ts-Tr) .♦. ( 2) 在此’ Sk是加熱器之前述供電部的表面積，sn是加熱 器之前述非供電部的表面積，ek是加熱器之前述供電部的 ^ 輻射率，εη是加熱器之前述非供電部的輻射率，N是頂蓋 • 磚層16之水平面上每單位面積的加熱器的條數，h是輻射 所產生的熱傳達係數，Ts是加熱器端部的溫度° . 因此，至上方空間20的入熱Qin可由式子（3 )表示

Qin = Qink + Qinn …（3 ) 另一方面，來自上方空間20的出熱Q°ul是從頂蓋外 •12- !343365 Ο) 殼]9當中與上方空間20相接的部分（以下稱爲壁面部分 ° )到外界的散熱Qc)ula、及被供應至上方空間2〇的周圍 氣體之溫度上升所需的熱量Qc)u,g ’ 可使用外界溫度 T a、前述壁面部分的面積A w、總括熱傳達係數h ε，然後 由式子（4 )表示。 Q〇ma = hcAw ( Tr-Ta)…(4 ) Φ 另外’ Q〇utg可使用、Ta、周圍氣體的體積流量Vg '密度pg '比熱cg，然後由式子（5 )表示。 Q〇u«g = VgPeCg ( Tr-Ta )…(5 ) 因此’來自上方空間20的出熱（^。^可由式子（6)表 不 °

Qout-Qouta + Qoutg*·' ( 6) 從熱平衡狀態的QifQu,，式子（7 )將會成立。

Qink+Qinn = Q〇uta + Qoutg ·" ( 7) 以上方空間環境溫度T\ = 320°C時爲下標]，以上方空 間環境溫度T, = 300°C時爲下標2，式子（7 )可分別被改寫 -13- (11) 1343365 加熱器之前述供電部、非供電部的表面積sk、sn是指加 熱器的外表面（外圍面及突端面）的表面積。 接下來，藉由適當設定加熱器之前述供電部的表面積 及加熱器之前述非供電部的表面積（分別爲s'k、S、）， 即使是上方空間環境溫度TM ( =3 20 °C )，也可使加熱器 端部溫度Ts從TS1降低至Ts2。 式子（9 )當中，將Tr2代換成Trl可獲得式子（1 1 ) “h. S、· N(Ts2-Trl) +£：nh· S，n. N(Ts2-Trl) =hc Aw ( Trl -Ta ) +v gpgCg ( Tri -Ta )…（11) 從式子（8 )及式子（1 1 )可獲得式子（1 2 )。 { ( ε k S k + ε n S n ) ( T s 1 - T r 1 ) } /

{ ( ekS'k + enS'n ) ( Ts2-Trl ) } =1 - ( 12 ) 在式子（12 )當中，代入 Tu=32〇t：、Tsl = 5 2 0°c、 Ts2 = 4 8 6 °C可獲得式子（13 )。 ει^、+ εη5’η=1·2 04 8 ( ekSk + enSn)…（13) 在式子（13)當中，代入 Sk = 3632mm2、sk = 0.7、 Sn = 47]mm2' εη=】·0可獲得以下式子。 -15- (12) 1343365

SkS,k + £nS,n = 3630mm2 . 亦即，藉由如此設定， €|(S i； + snS’n2363〇inni2..· ( 14) 可使上方空間環境溫度TM = 320°C的加熱器端部溫度 ^0 Τ“形成上方空間環境溫度1\2 = 300。(：的加熱器端部溫度 Ts2以下。 〔發明之效果〕 根據本發明，可藉由浮式玻璃成形法，使以往想要使 用浮式玻璃浴槽進行浮式玻璃成形時，其設備壽命就會明 顯變短'或是頂部斑點發生或增加的可能性變得明顯的高 粘性玻璃成形，而不會導致這些可能性的增加。 【實施方式】 以下，根據圖面來詳細說明本發明之較佳實施形態。 第2圖是本發明之一實施形態的浮式玻璃浴槽的剖面 (部分）槪念圖。浮式玻璃浴槽10具有：裝滿熔融錫II 的底槽12;以及覆蓋底槽12的頂蓋14。熔融錫11之寬 度的最大値典型爲1〜l〇m。 頂蓋1 4具有：從設置有浮式玻璃浴槽1 0的建築物之 樑等的上部構造（未圖示）垂下的鋼製頂蓋外殼19;爲頂 4 -16- (13) 1343365 蓋外殼1 9之下方部分之內側鑲板的保溫磚製的側壁]5 ; 以及載置於底槽1 2之緣部的鋼製箱狀側部密封件I 3。頂 . 蓋14內的空間是由頂蓋磚層16二分爲上方空間2〇及下 方空間2 1。 " 頂蓋磚層16是在多數個矽線石製的支持磚（未圖示 . )以及使軌磚（未圖示）在其上方正交而組裝的格子狀骨 架上，載置了大槪立方體形狀的組合磚塊的磚層。支持磚 ||| 是藉由被稱爲吊鉤（hunger )的構件（未圖示）從頂蓋外 殼19的頂板部分等垂下。亦即，頂蓋磚層16是藉由吊鉤 水平保持在熔融錫11上方的所希望高度。此外，頂蓋磚 層1 6的側面是與側壁1 5的側面上方部分接觸，頂蓋磚層 1 6的上面是形成與側壁1 5之上面大槪相同的高度。而且 ’在頂蓋磚層〗6形成有爲了使加熱器18貫穿而設置的孔 17。頂蓋磚層16的厚度在過去約爲292mm。 在上方空間2 0平行配置有三條匯流母線2 2，而且是 φ 經由電線23及鋁製的平網線狀帶材24連接於加熱器丨8。 加熱器I 8通常是碳化矽製，並且以三條爲一組，然後使 該等的下端藉由連結構件25連結而單元化。 - 如第3圖所示’這些加熱器]8的端部具有：藉由使 .其含浸鋁’使表面進行金屬化處理，且可藉由鉚釘4]安 •裝帶材24的供電部〗8 a ;以及位於供電部丨8A的下方， 表面並未經過金屬化處理，而是使碳化矽露出的非供電部 1 8 B ’供電部1 8 a及非供電部丨8 b是朝頂蓋磚層I 6的上 方突出（亦即，在上方空間2 0內）來配置。又，加熱器 -17- (14) 1343365 1 8具有：位於符號1 8B的下方，並且位於孔1 7內的I 8C (1 8A、1 8B、1 8C爲非發熱部）；以及位於符號18C的下 . 方，並且朝下方空間21突出的發熱部18D。在加熱器18 是於符號〗8B與18C的交界附近形成有貫穿孔，加熱器 争 〗8是藉由被插入在該貫穿孔的安裝插銷5]從頂蓋磚層16 , 垂下。加熱器18的外徑L3較佳爲23mm〜50mm，更佳爲 2 3 m m〜3 0 m m ’尤佳爲大約2 5 m m，本實施形態當中，加熱 器]8是形成外徑L3 = 25mni的大致圓筒形狀。 而且，在外徑L3 (本實施形態當中爲25mm )的加熱 器】8當中，將供電部18A的表面積假定爲S、及輻射率 爲sk，將非供電部1 8B的表面積假定爲S、及輻射率爲εη 時，從式子（14)爲 了滿足 S、· sk + S'n· εη 23630 mm2， 供電部18A及非供電部18B分別是以L,及L2的長度形成 〇 此外，本實施形態當中，加熱器】8的供電部】8A若 φ 考慮降低與可安裝於供電部之帶材的接觸阻抗，較佳爲使 其含浸鋁等，對表面進行金屬化處理，而且’帶材以鋁製 爲佳，又以平網線狀爲佳。但是，並不僅限於平網線。因 . 此，安裝有帶材的供電部1 8A的輻射率ek如上所述爲0.7 '，但是在加熱器供電部表面及帶材爲其他金屬的情況下’ •供電部18A的輻射率εΐί爲該其他金屬的輻射率。 而且’本實施形態當中，加熱器1 8的非供電部1 8 Β 是使碳化矽露出，因此非供電部1 8Β的輻射率επ是如上 所述爲1 · 0，但是在未滿1 .0的情況下，例如加熱器]8爲 -18- (15) 1343365 碳化矽，但由於製法等的不同而未滿1 .〇的情況、或是由 碳化矽以外的材料所形成的情況下，最好在非供電部】8 B , 的表面塗布碳膏等’使非供電部〗8B的輻射率εη相當於 1 . 〇。另外，亦可在不對供電構造造成妨礙的範圍，於供 " 電部18Α及帶材塗布碳膏，使安裝有帶材的供電部的輻射 • 率形成0.7以上。 如上所述，在加熱器18爲外徑L3 = 25mm (帶材的厚 度假定爲0)，供電部18Α及帶材24的輻射率£k = 0.7、 非供電部18B的輻射率εη= 1.0的情況下’例如，假設供 電部 1 8Α 的長度 LiMOmm，表面積 S ’ k = 3 6 3 2 m ιη 2 ( ( 25/2 )2χπ + 2 5πχ40 )時，如果想要藉由增加非供電部1 8B的表 面積S'n來對應，則只要從式子（14 )形成Singl〇89mm2 即可。在此情況下.，非供電部只要使符號1 8 B的長度 L2gl3.9mm ( 1 089/2 5π)即可。 頂蓋磚層16之孔17的內面與位於該孔17的符號 ^ 】8C之間隙的圓周方向平均距離一般在20mm以下，較佳 • 爲I 以下，前述圓周方向平均距離爲20mm以下的部 分最好是孔17之深度的8 0 %以上，更佳爲1 〇〇%。 . 再回到第2圖，在上方空間20會從頂蓋外殼1 9的供 應口 26如箭頭所示供應周圍氣體（氮氣與氫氣的混合氣 •體）’並且通過孔1 7與符號1 8 C的前述間隙而流入下方 空間2 1，並抑制熔融錫n的氧化。藉此也會抑制上方空 間20之環境溫度八的上升。而且，在此情況下所使用的 周圍氣體的流量可爲不會特別導致頂部斑點之增加的量。 -19- (16) 1343365 本發明之浮式玻璃成形方法當中，可利用這種浮式玻 璃浴槽1 Q ’並藉由浮式玻璃成形使成形溫度（粘度爲〗〇4 . 泊的溫度）爲1 I 〇 〇 °c以上的玻璃成形。亦即，將藉由玻璃 溶融窯等而熔融的玻璃，從位於浮式玻璃浴槽1 〇之一端 P (上游端）的眾所週知的出料口（sp0ut lip)(未圖示。 - 第2圖中之例如位於內側。）連續注入在熔融錫1 1上。 被連續注入在熔融錫1 1上的熔融玻璃可藉由眾所週知的 方法形成所希望之形狀的玻璃帶27。玻璃帶27可藉由與 浮式玻璃浴槽1 0之另一端（下游端）相鄰的頂出滾子（ 上提滾子）從浮式玻璃浴槽10連續被.拉出。此外，玻璃 帶27典型是以1〜2 00噸/曰的速度連續被拉出。 藉由頂出滾子而被拉出的玻璃帶會由玻璃退火爐（徐 冷窯）進行徐冷，之後被切成所希望的尺寸而形成玻璃板 。藉由使用上述浮式玻璃浴槽1 〇，並不會使頂部斑點的數 量特別增加，而且，短期間內也不會使發生不得不中止製 φ 造之情況的疑慮增加，而可藉由浮式玻璃成形使高粘性玻 • 璃成形。 此外，在上方空間不超過3 0 0 °C的部位（例如浮式玻 . 璃浴槽的玻璃退火爐側）亦可使用以往的加熱器。 ^ 本發明並不限定於上述實施形態，而可進行適當的變 •形、改良等，上述實施形態當中所例示的底槽、頂蓋、頂 蓋磚層、上方空間 '下方空間、加熱器、周圍氣體、溫度 、拉出量、浮式玻璃浴槽之構件的材質、形狀、尺寸、形 態、數量、配置部位' 厚度等，在不破壞本發明之目的的 -20- (17) 1343365 範圍皆得以任意設定。 而且，高粘性玻璃並不限定於TFT-LCD基板用玻璃 • ’例如亦可爲電獎顯示器面板基板用玻璃。而且，本發明 之浮式玻璃浴槽不僅可使用於高粘性玻璃，亦可使用於例 " 如鹼石灰玻璃的浮式玻璃成形。 . 以上已詳細參照特定的實施樣態說明了本發明，但是 同業者都明白，可不脫離本發明之精神及範圍而施以各種 0 變更及修正。 本申請案是根據2〇〇5年2月10曰申請的日本專利申 請案（特願2005-34669 )，其內容是以此爲參照而摘入。 〔產業上的利用可能性〕 根據本發明，可藉由浮式玻璃成形法，使以往想要利 用浮式玻璃浴槽來進行浮式玻璃成形時’其設備壽命就會 明顯變短、或是頂部斑點發生或增加的可能性變得明顯的 φ 高粘性玻璃成形，而不會導致這些可能性的增加。 ' 【圖式簡單說明】 • 第1圖是上方空間之熱收支的計算模型。 w • 第2圖是本發明之一實施形態的浮式玻璃浴槽的槪念 •剖面圖。 第3圖是第2圖之浮式玻璃浴槽的要部放大剖面圖。 [主要元件符號說明】 -21 - (18)1343365

1 〇 :浮式玻璃浴槽 】1 :熔融錫 12 :底槽 1 4 :頂蓋 】6 :頂蓋磚層 17 :孔 1 8 :加熱器 1 8 A :供電部 1 8 B :非供電部 20 :上方空間 21 :下方空間 24 :帶材

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Claims (1)

1343365 十、申請專利範圍 ’一 '.......................................... 中文申請專利範圍修正本 民國9 9年8月3日修正

1. 一種浮式玻璃浴槽，爲具有裝滿熔融錫的底槽以 及覆蓋該底槽的頂蓋，前述頂蓋內的空間是由頂蓋磚層二 分爲上方空間及下方空間，而且貫穿設在前述頂蓋磚層的 孔設置有加熱器的浮式玻璃浴槽，其特徵爲： 位於前述上方空間的加熱器端部具有安裝了用來對加 熱器進行供電之帶材的供電部； 將前述供電部的表面積假定爲及輻射率爲ει; ’將 前述加熱器端部於前述供電部以外之部分的表面積假定爲 S、及輻射率爲εη時’加熱器端部是以滿足S、· ek + S、· εη23630πιηι2的方式而構成。

第95 1 04429號專利申請案 2. 如申請專利範圍第1項所記載的浮式玻璃浴槽， 其中’前述供電部的輻射率ε k爲〇. 7以上’前述加熱器端 部於前述供電部以外之部分的輻射率εη爲1.〇。 3. 如申請專利範圍第1或第2項所記載的浮式玻璃 浴槽，其中，前述加熱器是由碳化矽（SiC )所形成，前 述供電部的表面是藉由鋁進行金屬化處理，前述帶材爲鋁 製。 4.如申請專利範圍第1或第2項所記載的浮式玻璃 浴槽，其中，前述加熱器是形成圓筒狀，其外徑爲 m3365 -1 ΐί年<?月 > 日修(更)正替接g 2 3 〜5 0 m m 〇 —— _____* 5 ·如申請專利範圍第3項所記載的浮式玻璃浴槽， 其中’前述加熱器是形成圓筒狀，其外徑爲23〜50mm。 6. 一種浮式玻璃成形方法，其特徵爲：從申請專利 範圍第1、2、3、4 ' 5項任一項所記載的浮式玻璃浴槽的 一端，在其熔融錫上連續注入熔融狀態的前述坡璃，在熔 融錫上使該玻璃形成玻璃帶（glass ribbon )，並且將該玻 璃帶從該浮式玻璃浴槽的一端連續拉出。