TWI342043B - A pipelined inspection system and method for inspecting a diced wafer - Google Patents

Description

1342043 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 交叉參考相關申請 本發明要求下述美國臨時專利的優先權：u.s. 5 provisional patents serial number 60/712,144，標題爲”Wafer

Mapping and Die Alignment for Post Diced Wafer with Non Linear Distortion of Dice” ； U.S. provisional patents serial number 60/712,143，標題爲”Automatic die-model creation and wafer mapping for on-line wafer inspection and random 10 retrieval of die-model data” ；和 U.S. provisional patents serial number 60/712,142，標題爲”Automatic Visual Inspection of Post Diced Wafer Placed on a Grid”，全部都在2005年8月 30 曰申請。 技術領域 15 本發明涉及檢查切割晶片的檢查方法和流水線式檢查 系統。

【先前技術：J 發明背景 積體電路是用南度複雜和昂貴的製作過程製造的。在 20該過程的第一階段，是形成晶片。晶片包括許多晶粒，這 些晶粒排列成晶粒的有序陣列，其中的晶粒彼此平行，如 第1圖所示。矩形形狀的晶粒排列成行和列，並以劃線分 開。這些晶粒以晶粒的X轴節距26和晶粒γ軸節距28表徵。 參考第1圖，晶片11包括許多晶粒12(〇，〇)_ 12(k ,』），總體 5 、表不圊還畫出全局座標系統2〇，它包括乂轴22和 轴24曰曰粒與化些想象的轴平行排列，並與全局座標系統 20對準。 在晶片的最後製造階段U被_ (或鑛） ’以便使不 5同晶粒之間分開。晶片通常置於帶子上，並在切割處理之 後，把晶片彼此拉開，方便的是用理想的徑向力 。第2圖畫 出切割晶片13、帶子37、和力（以箭頭35畫出），該力使切割 晶片擴張。 鑛和晶片分開過程，在切割晶片的晶粒之間産生非線 10 f生工間關係。每-晶粒被位移、旋轉、相對於它以前(切割 刖）的位置和相對於相鄰晶粒發生轉向和伸延。 第3圖畫出示例性的切割晶片丨3。切割晶片丨3的晶粒 (總體以14表不)彼此不平行，且㈣晶片丨3也相對於全局座 標系統20未對準。後者的旋轉能夠起因於角度的未對準性 15 和機械的不精密性。 晶片和切割晶片需要檢查缺陷。檢查可以包括晶粒與 基準晶粒之間的比較。下面的專利表明各種晶片檢查裝置 和方法及對齊和對準方法：Gardopee等人的U.S. patem 5,610，102 ; Fredriksen等人的U.S. patent 6,021，380 ; 〇,〇ell 20 等人的 U.S. patent 6,937,753 與 CKDell 等人的 U.S. patent 6,324,298 ;和Tsujita的U‘S. patent 4,981,529，這襄引用所有 這些專利，供參考。 各種現有技術的切割晶片檢查方法，包括對唯一特徵 進行定位、把它的定位與預料的定位比較、根據唯一特微 1342043 的實際定位到預料定位和再到下一個預料定位之間的差 別，改變掃描模式。 有必要提供一種能檢查切割晶片的檢查系統和檢查切 割晶片的方法。 5 【發明内容】 發明概要

一種檢查包括多個晶粒的切割晶片的方法，本方法包 括：按照預定的像獲取方案，獲取切割晶片多個部分的多 幅像；至少部分地在獲取的過程中，對多幅像内各唯一特 10 徵進行定位；至少部分地在進行定位的過程中，使多種唯 一特徵與多個晶粒關聯；至少部分地在關聯的過程中，根 據唯一特徵的定位和它們與多個晶粒的關聯，確定多個晶 粒座標系統和全局座標系統之間的多個變換；和至少部分 地在確定的過程中，根據晶粒與對應基準晶粒之間的比 15 較，根據這些變換，對缺陷進行檢測。

一種檢查系統，本系統包括：像獲取單元，適合按照 預定的像獲取方案，獲取包括多個晶粒的切割晶片多個部 分的多幅像；和處理器，適合至少部分地在像獲取的過程 中，對該多幅像内多種唯一特徵進行定位；至少部分地在 20 多種唯一特徵進行定位的過程中，使多種唯一特徵與多個 晶粒關聯；至少部分地在多種唯一特徵與多個晶粒之間的 關聯過程中，根據唯一特徵的定位和它們與多個晶粒的關 聯，確定多個晶粒座標系統和全局座標系統之間的多個變 換；和至少部分地在多個變換的確定過程中，根據晶粒與 7 U42043 對應基準晶粒之間的比較，根據這些變換，對缺陷進行檢 測。 圖式簡單說明 攸下面結合附圖的詳細說明，將對本發明有更充分的 5瞭解和賞識，附圖有： 第1圖畫出現有技術的晶片； 第2圖畫出現有技術的切割晶片和使切割晶片擴張的 力； 第3圖畫出現有技術的切割晶片； 10 第4圖畫出包括多種唯一特徵的晶粒： 第5圖按照本發明的實施例，畫出多幅像、晶粒、和三 個座標系統； 第6圖按照本發明的實施例，畫出一幅獲取的像和晶粒 的多幅像； 15 第7圖按照本發明的實施例，畫出一種檢查晶片的方 法； 第8圖按照本發明的實施例，畫出步驟的流程；和 第9圖按照本發明的實施例，表明一種流水線式檢查系 統。 2〇 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 這裏僅以舉例方式，參照附圖，說明本發明的各個實 施例。現在詳細地具體參考附圖，但要著重指出，出示的 各種具體細節’僅僅是作爲例子和爲了本發明優選實施例 1342043 示例性討論的目的，且出示的各種具體細節，是在提供過 程中給出的，所提供的内容，相信對本發明原理和概念方 面是最有用和容易理解的。就此而言，除了對本發明的基 本瞭解必需以外，不試圖更詳細地表明本發明的結構細 5 節，結合附圖的說明，可使本領域熟練人員清楚本發明的 若干形式是如何實施的。

適宜的做法是，提供一種流水線式檢查系統和一種流 水線式方法。該系統和方法的通過量，可以按流水線方式， 借助執行多種處理步驟而增加。 10 適宜的做法是，按照預定的像獲取方案，獲取多幅像， 該像獲取方案，定義切割晶片的掃描模式。在獲取的過程 中，至少執行一個處理步驟。該方法在根據唯一特徵的實 際的定位與該特徵預料的定位之間的差別，調整掃描模式 時，不要求停止掃描過程。 15 此外，掃描模式可以在切割晶片的任何定位開始，不

一定從預定的定位，諸如切割晶片的上左端開始。 按照本發明的實施例，預定的像獲取方案，包括定義 某種掃描模式，該掃描模式。對唯一特徵的檢測，或甚至 在缺陷檢測過程中，是不變化的。掃描模式可以，但不一 20 定必須包括光柵掃描模式。 第4圖畫出包括四種唯一特徵34(0，0，1)-34(0，0，4) 的晶粒14(0，0)。這些唯一特徵不因切割過程而消失。一旦 兩種或多種唯一特徵被識別，晶粒14(0, 0)的取向連同它的 位置即被確定。 9 1342043 第5圖按照本發明的實施例，畫出多幅像30(n-l，m)、 30(n+l，m+2)、晶粒14(0，〇)、和三個座標系統。 晶粒14(0，0)定義晶粒座標系統60(0，0)。切割晶片13 的每一晶粒，定義它自身的座標系統。這些晶粒座標系統 5 通常不與全局座標系統20對準。 第5圖還畫出多幅像（亦稱畫面），這些像代表由像獲取 單元獲取的像。這些像與畫面座標系統70對準。適宜的是， 不同的晶粒座標系統不與畫面座標系統70對準。畫面座標 系統70可以與全局座標系統20對準，但不一定必須這樣， 10 如第5圖中所示。這種未對準可以從檢查系統的機械不精密 和從其他原因産生。通常的情形是，全局座標系統20與畫 面座標系統70之間的空間關係，可以在檢查系統的校準流 程中確定。 第5圖畫出覆蓋晶粒14(0，0)及其鄰域的一組3x3幅像 15 30(n-l，m-1)· 30(n+l，m+1)。第5圖表明，像30(n-l，m-1) 包括唯一特徵34(0，0，1)、像30(n+l，m-1)包括唯一特徵 34(0 ’ 0，2)、像 30(n-l, m+Ι)包括唯一特徵 34(0 ’ 0，3)、 和像30(n+l，m+1)包括唯一特徵34(0，0，4)。像(n-1，m)包 括唯一特徵34(3，3，1)的一部分，而像30(n+l，m)包括唯一 20 特徵34(0，0，4)的一部分。 第6圖畫出包括多個晶粒14(0，〇)- 14(2，1)像的像 3〇’(s’ t)。晶粒 14(0,0)- 14(2, 1)與多個以DCS1-DCS6 60(0， 0)- 60(2，1)標記的晶粒座標系統關聯。這些晶粒座標系統 彼此不對準。每一晶粒座標系統以自身與全局座標系統之 10 1342043 間的變換表徵。在對屬於同一晶粒的兩種或多種唯一特徵 進行定位之後，可以計算這種變換。計算包括：⑴確定畫 面座標系統70到每一晶粒座標系統之間的關係，和（ii)根 據：（a)畫面座標系統與全局座標系統之間的空間關係，和 5 (b)畫面座標系統與每一晶粒座標系統之間的關係，計算每 一晶粒座標系統與全局座標系統之間的變換。 第7圖按照本發明的實施例，畫出檢查晶片的方法200。

方法200包括步驟220 —280。爲便於解釋，第7圖畫出 的步驟220-280是按相繼順序排列的。應當指出，至少每 10 兩個相鄰步驟至少部分地重疊。還應當指出，第7圖畫出的 流水線式過程，允許多個任務並行地執行。 方法200以步驟220開始，步驟220按照預定的像獲取方 案，獲取切割晶片多個部分的多幅像。

應當指出，步驟220可以包括用連續光源、用脈衝光源 15 照明切割晶片，和用點光源、用亮場檢測、用暗場檢測等 等實現區域照明。 適宜的做法是，步驟220包括獲取部分地重疊的像。 適宜的做法是，步驟220包括至少獲取一幅已獲取的包 括多個晶粒像的像。 20 適宜的做法是，步驟220包括至少獲取一幅已獲取的僅 包括一個晶粒一部分的像。在這種情形中，單個晶粒的像 能夠從多幅獲取的像重構。 步驟240包括對多幅像内各唯一特徵進行定位。步驟 240至少部分地在步驟220的執行過程中執行。換句話說， 11 丄342043 在獲取新的像的同時，本方法還對已經獲取的像進行定位。 適宜的做法是，步驟240包括應用規格化相關或幾何散 列法。幾何散列法在下面的論文和專利中說明：’’Rehashing for Bayesian Geometric Hashing”，M，Lifshits，I· Blayvas, R. 5 Goldenberg and E. Rivlin, Proceedings of the 17lh international conference on pattern recognition (ICPR’04);”Geometric Hashing: An Overview”，H.J. Wolfson and I. Rigoutsos, IEEE Computational Science & Engineering, 1997 IEEE ; Wagman等人的U.S. patent serial 10 number 6,941，016 ; Simon等人的U,S· patent serial number 7,027,651 ;和 Silver的U.S. patent serial number 6,993,192， 這裏引用所有以上論文和專利，供參考。 適宜的做法是，步驟240包括應用多種像識別技術。 步驟260包括使多種唯一特徵與多個晶粒關聯。步驟 15 260至少部分地在步驟240的執行過程令執行。換句話說， 在對新的唯一特徵進行定位的同時’本方法還使晶粒與已 經定位的唯一特徵關聯。 適宜的做法是，步驟260的執行至少部分地與步驟220 的執行重叠。 20 適宜的做法是，步驟260包括’根據多種唯一特徵的定 位和根據至少一個晶粒不確定性參數，確定多個晶粒的位 置。 適宜的做法是，步驟240包括對獲取的像内每一唯一特 徵進行定位，而步驟260至少部分地在進行定位和儲存的過 12 1342043 程中，包括檢索已經定位的唯一特徵的資訊，並處理該檢 索的唯一特徵資訊。 步驟270包括根據唯一特徵的定位和它們與多個晶粒 的關聯，確定多個晶粒座標系統和全局座標系統之間的多 5 個變換。步驟270至少部分地在步驟260的執行過程中執 行。換句話說，在使新的唯一特徵與新的已經定位晶粒關 聯的同時，本方法還確定已經與已經定位唯一特徵關聯的 晶粒之間的變換。

適宜的做法是，步驟270的執行至少部分地與步驟240 10 的執行重疊。適宜的做法是，步驟270的執行至少部分地與 步驟220的執行重疊。

步驟280包括根據晶粒與對應基準晶粒之間的比較，根 據這些變換，對缺陷進行檢測。步驟280至少部分地在步驟 270執行的過程中執行。換句話說，在確定新的變換的同 15 時，本方法還檢測晶粒中的缺陷，這些晶粒以它們的座標 系統與全局座標系統之間計算的變換表徵。 適宜的做法是，步驟280的執行至少部分地與步驟260 的執行重疊。適宜的做法是，步驟280的執行至少部分地與 步驟240的執行重疊。適宜的做法是，步驟280的執行至少 20 部分地與步驟220的執行重疊。 適宜的做法是，如果能夠借助代表至少一種已經定位 的唯一特徵的已經定位唯一特徵資訊，定義晶粒座標系統 的話，方法200至少部分地在關聯的過程中，包括借助已經 定位的唯一特徵資訊，定義晶粒座標系統。 13 1342043 第8圖按照本發明的實施例，畫出步驟的流程300。 流程300以步驟220開始，步驟220按照預定的像獲取方 案，獲取切割晶片多個部分的多幅像。 在獲取至少一幅像之後，執行步驟310。步驟310包括 5 取出一幅獲取的像。 步驟310之後，接著的步驟312是處理取出的獲取的 像，直至找到第一唯一特徵，或直至確定獲取的像不包括 任何唯一特徵。

如果找到了唯一特徵，那麼步驟312之後，接著的步驟 10 314是儲存唯一特徵資訊。否則，步驟312之後，接著是步 驟 340。 步驟314之後，接著的步驟318是處理獲取的像，直至 找到另一種唯一特徵，或直至確定獲取的像不包括另一種 唯一特徵。 15 如果找到了另一種唯一特徵，步驟318之後，接著是步

驟314。否則，步驟318之後，接著是步驟340。 步驟340包括取出另一幅獲取的像，直到滿足控制判據 (例如，已獲取切割晶片所有獲取的像）。 步驟314之後，接著還有步驟350，步驟350是檢索唯一 20 特徵資訊。步驟350之後，接著的步驟354，是在至少一種 由檢索的唯一特徵資訊表示的唯一特徵與一個晶粒之間， 建立關聯。關聯可以包括檢驗新的被定位的唯一特徵，是 屬於已經找到的晶粒，還是屬於尚未找到的晶粒。這一確 定’對先前被定位的晶粒的定位、對晶粒尺寸（或晶粒卵 14 1342043 距）、和對與切割並擴張關聯的不確定性，都是關鍵的。 步驟354之後，如果能夠借助代表至少一種已經定位的 唯一特徵的已經定位唯一特徵資訊，定義晶粒座標系統的 話，接著的步驟370是借助代表至少一種已經定位的唯一特 5 徵的已經定位的唯一特徵資訊，定義晶粒座標系統。

步驟370之後，接著是步驟380和390。步驟380包括， 確定是否可以定義另一個晶粒座標系統。如果回答是肯定 的，步驟380之後是步驟370，否則步驟380之後，接著可以 是下述步驟312、318、或340的任何一個。 10 步驟390包括，通過至少一個晶粒與至少一個基準晶粒 之間的比較，檢測缺陷。步驟390包括在一幅獲取的像的多 個像素與多個基準像素之間的比較，該多個基準像素對應 於該晶粒及基準晶粒的相同的定位。

第9圖按照本發明的實施例，畫出系統100。系統100 15 包括：像獲取單元111、處理器115、照明器112、光學裝置 113、機械工作臺諸如X-Y台114、和儲存單元116。 系統100可以定義或接收預定的像獲取方案，並據此掃 描切割的晶片，同時獲取像。 X-Y台114適合在切割晶片與像獲取單元之間引入連續 20 的機械平移。 像獲取單元111可以包括一個或多個檢測器，這種檢測 器能夠獲取被照明器112照明的區域的像。光學裝置13可以 用作切割晶片（置於X-Y台114上）的照明和用作收集光並把 光引向像獲取單元111。儲存單元116儲存獲取的像，並可 15 =理器職入。應當指出’來自像獲取單元"晴測 4唬，能夠被處理器115處理，以便給出像(或 的像切割晶片可被光的重疊選通脈衝照a心畫面重疊 X-Y台m的運動，受高精度控制 f掃描物體(像)中每-像素的精確二1: 全局座標系統20相關。 π疋m ” 適宜的做法是，像獲取單元u 的切割晶片多個部分的多幅像，同；；獲取包括多個晶粒 分地在獲取像的過程中，對多幅像内的多種唯-、徵進行定位；（ii)至少部分地衫 r中’使多種唯-特徵與多個_聯 ;夕種唯-特徵與多個晶粒之間的關聯過程中，㈣: 特徵的定位和它們與多個㈣ + _唯一 系統和全届；確疋多個晶粒座標 ^ 系統之間的多個變換;和(iv)至少呷八地/ 多個變換的確定過程中，根據晶粒與對庫刀地在 比較’根據這些變換，對缺陷進行檢測：立之間的 適宜的做法是，處理器出適合執行 作或其組合：（i)根據多㈣ ―種下面的操 晶粒不確定性參數，確定多個晶二：根據至少-個 每一唯-特徵進行定位和已蚊位二11)至少部分地在 則呈中，對獲取的像内每H徵，存 疋位的唯一特徵資訊，和檢 錢存已經 處理該檢索的唯一特 、唯一特徵資訊並 貝況，〇11)如果能夠借助代表至少— 1342043 種已經定位的唯一特徵的已經定位唯一特徵資訊，定義晶 粒座標系統的話，至少部分地在多種唯一特徵與多個晶粒 之間關聯的過程中，借助已經定位的唯一特徵資訊，定義 晶粒座標系統；（iv)通過應用規格化相關或幾何散列法，對 5 至少一種唯一特徵進行定位；和（v)通過應用多種像識別技 術，對至少一種唯一特徵進行定位。

應當指出，儲存器單元116還能儲存基準晶粒的像和有 關切割晶片晶粒已獲取的像的資訊。儲存器單元116能儲存 基準晶片圖，另外或此外，還能儲存切割晶片圖。 10 像獲取單元111可以包括一個或多個線感測器、點感測 器、兩維感測器陣列等等。照明器112可以包括鐳射光源、 燈，能夠提供光脈衝或連續的照明，能夠照明一點或一個 區域。照明器112是作爲亮場照明器畫出的，但此外或另 外，系統100可以應用暗場照明。 15 處理器115還可以控制系統100中各種部件的運行，但

不一定必須如此，且系統100可以包括一個或其他控制器， 以控制系統100的運行。 適宜的做法是，儲存單元116可以包括一個或多個儲存 部件，這些部件能夠按串列或並行方式接入，以加速系統 20 100的處理速度。不同的儲存單元部件，可以儲存不同類型 資訊或相同類型資訊。 雖然已經結合具體實施例說明本發明，顯而易見，對 本領域的熟練人員，許多替代、修改、和變化是輕而易舉 的，因此，應當涵蓋所有這些在附於後面的申請專利範圍 17 于 342043 的精神和廣泛範圍内的替代、修改、和變化。 I：圖式簡單說明3 第1圖畫出現有技術的晶片； 第2圖畫出現有技術的切割晶片和使切割晶片擴張的 5 力； 第3圖畫出現有技術的切割晶片， 第4圖畫出包括多種唯一特徵的晶粒；

第5圖按照本發明的實施例，畫出多幅像、晶粒、和三 個座標系統； 10 第6圖按照本發明的實施例，畫出一幅獲取的像和晶粒 的多幅像； 第7圖按照本發明的實施例，畫出一種檢查晶片的方 法； 第8圖按照本發明的實施例，畫出步驟的流程；和 15 第9圖按照本發明的實施例，表明一種流水線式檢查系

統。 【主要元件符號說明】 Π…晶粒 13…切割晶片 14…覆蓋晶粒 20…全局座標系統 22…X轴 24". Y 轴 26…X袖節距 28…晶粒Y轴節距 30…像 34…唯一特徵 35…箭頭 37…帶子 18 1342043

70…畫面座標系統 115···處理器 60…晶粒座標系統 116··.儲存單元 100···控制系統 200···方法 111···獲取單元 220'240'260'270'280·.·步驟 112···照明器 310、312、314、318、340、350、 112···獲取單元 354、370'380、390…步驟 113···光學裝置 300."流程 114...X-Y 台

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Claims (1)

1342043 竹年气月丨「/曰修正本 十、申請專利範圍： 的方法，本方法包 1. 一種檢查包括多個晶粒的切割晶片 括： 按照預定的像獲取方案，獲取切割晶片的多個部分 5 的多幅像； 至少部分地在獲取的過程中，對多幅像内的唯 徵進行定位；

至少部分地在進行定位的過程中，使多種唯一特徵 與多個晶粒關聯； 1〇 至少部分地在關聯的過财，㈣唯-特徵的定位 和它們與多個晶粒的關聯’確定多個晶粒座標系統與全 局座標系統之間的多個變換；和 至少部分地在確定的過程中，根據晶粒與對應基準 晶粒的比較，根據變換，檢測缺陷。 15 2·如巾請專利範圍第！項的方法，其中的進行定位，包括

根據夕種唯-特徵的定位和根據至少一個晶粒不喊定 性參數，確定多個晶粒的位置。 如申。月專利範圍第1項的方法，其中的進行定位，包括 )〇 對獲取的像内每—唯—特徵進行定位，和儲存已經定位 *〇 :唯-特徵資訊:其中的關聯步驟，至少部分地在進行 疋位和儲存的過程中，包括檢索已經定位的唯一特徵資 訊和處理該檢索的唯—特徵資訊。 4·如申請專利範圍第1項的方法，其中，如果能夠借助代 表至^ 一種已經定位的唯一特徵的已經定位唯一特徵 20 1342043 、 資訊，定義晶粒座標系統的話，本方法至少部分地在關 、 聯的過程中，包括借助已經定位的唯i徵資訊，定義 晶粒座標系統。 5·如申請專利範圍第！項的方法，其中的獲取，包括在切 5 割晶片和像獲取單元之間，狀連續的機械平移。 6.如申請專利範圍第旧的方法，其中的進狀位包括 應用規格化相關或幾何散列法。 φ 7·如申清專利1&圍第1項的方法，其中的進行定位，包括 應用多種像識別技術。 10 8.如申請專利範圍第旧的方法，其中單個獲取的像，包 括多個晶粒的像。 9.如申請專利範圍第！項的方法，還包單個獲取的像，包 括一個晶粒的像的一部分。 10·—種檢查系統，本系統包括： 15 倾取單元’適合按照狀的像觀方案，獲取包 • 括多個晶粒的切割晶片的多個部分的多幅像；和 々處理器’適合至少部分地在像的獲取過程中，對該 多幅像内的多種唯-特徵進行定位；至少部分地在多種 20 唯—特徵進行定位的過程中，使多種唯-特徵與多個晶 极關聯’·至少部分地在多種唯一特徵與多個晶粒之間的 _過程巾，根據唯-龍的定位和它們與多個晶粒的 關聯’確定多個晶粒座標系統與全局座標系統之間的多 2變換；和至少部分地在多個變換的過程中，根據晶粒 與對應基準晶粒的比較，根據變換，檢測缺陷。 21 5 申明專利範圍第1G項的系統’其中的處理器，適合推 據夕種唯一特徵的定位和根據至少一個晶粒艮 參數’確定多個晶粒的位置。 弋’生 申π專利範圍第1Q項的系統，其中的處理器，適合重 獲取的像内每—唯—特徵進行^位，和儲存已經定仇: 唯特徵貢訊，並適合至少部分地在對每一唯—特徵進 仃疋位和已經定位的唯一特徵資訊的儲存過程中，檢索 已經定位的唯—特徵資訊和處理該檢索的唯_特微^ 訊0 、 1 3.如申4專利範圍第1 Q項的系統，其中，如果能夠借助代 表至少一種已經定位的唯一特徵的已經定位唯—特徵 ΐ矾，定義晶粒座標系統的話，該處理器適合至少部分 地在多種唯一特徵與多個晶粒之間的關聯過程十，借助 已經定位的唯一特徵資訊，定義晶粒座標系統。 15 14·如申請專利範圍第10項的系統，其中，本系統適合在獲 取像的同時，在切割晶片和像獲取單元之間，引入連續 的機械平移。 15.如申請專利範圍第1〇項的系統，其中的處理器，適合應 用規格化相關或幾何散列法，對至少一種唯一特微進行 20 定位。 16·如申請專利範圍第1 〇項的系統，其中的處理器，適合應 用多種像識別技術，對至少一種唯一特徵進行定位。 17.如申請專利範圍第1 〇項的系統，其中的像獲取單元’適 合獲取包括多個晶粒像的像。 22 1342043 18.如申請專利範圍第10項的系統，其中的像獲取單元，適 合獲取包括一個晶粒的像一部分的像。

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