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TWI250821B - Solvent mixtures for an organic electronic device - Google Patents

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Publication number
TWI250821B
TWI250821B TW093129246A TW93129246A TWI250821B TW I250821 B TWI250821 B TW I250821B TW 093129246 A TW093129246 A TW 093129246A TW 93129246 A TW93129246 A TW 93129246A TW I250821 B TWI250821 B TW I250821B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solvent
solution
organic polymer
organic
layer
Prior art date
Application number
TW093129246A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200517007A (en
Inventor
Sriram Natarajan
Andrew Ingle
Rahul Gupta
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of TW200517007A publication Critical patent/TW200517007A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI250821B publication Critical patent/TWI250821B/zh

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

1250821 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 發明背景 有機發光二極體(”OLED”)通常係由一或多個薄有機層 (例如,電洞輸送層(”HTL”)與發射性聚合物層)分離其陽極 與陰極所組成。在外加的順向電壓下,當該陰極射出電子進 入該發射性聚合物層時,該陽極射出電洞進入HTL。所射出 之電洞或電子分別移向帶電相反之電極並重新結合而在發 射性聚合物層中形成激子。然後該激子從激態轉移至基態並 在該過程中發出光線。 【先前技術】 藉由選擇性沈積技術(例如,噴墨印刷、膠版印刷或網 版印刷)或非選擇性沈積技術(例如,旋轉塗布、浸漬塗布、 濕式塗布、或噴霧塗布),可形成一或多個有機物層。如果 使用非選擇性沈積技術來形成該層時,則爲了使該層形成圖 案,通常採用微影技術。微影技術具有如複雜步驟、與消耗 及浪費大量材料之缺點。由於該等及其他缺點,所以已試驗 選擇性沈積技術來沈積有機材料。其中以噴墨印刷裝置爲特 佳’其係由於該現今工業印刷機可輕易地在短時間內以高精 度來沈積薄/厚膜圖案於大面積上。 第1圖顯示被使用來沈積溶液之先前技藝的噴墨印刷 系統。於第1圖中,所製造出來之OLE D顯示器包含基板109 與於基板1 09上之陽極1 1 2。堤構造1 1 5位於陽極1 1 2上; 該堤構造具有開口 1 1 8,其中經由該開口來暴露陽極(開口 1250821 1 1 8可爲袋狀或直線狀)。η τ L s 1 2 1係位於陽極1 1 2之暴露部 分上。發射性聚合物層122係位於HTLsl2l上。此處,藉由 排放溶液滴1 24來形成發射性聚合物層i 22,其中包含發射 性聚合物於Η T L s之中,然後使該發射性聚合物溶液乾燥。 該發射性聚合物溶液係經由印刷頭1 30之噴嘴i 27排放出 來。 當發射性聚合物溶液乾燥時,所得之發射性聚合物層具 有不均勻輪廓。第2圖顯示在先前技藝溶液沈積進入堤結構 之開口中之後但在溶劑蒸發之前的輪廓,以及在使先前技藝 溶液乾燥後所得層之輪廓。如第2圖所示,所得之聚合物層 具有凹狀(非均勻狀)且在堤結構之邊緣上具有該聚合物大 量的堆積。在堤結構邊緣之聚合物堆積係由於聚合物在溶液 中擴散至邊緣所致。該擴散係由於因溶劑與發射性聚合物溶 液在開口 118之不同區域蒸發速率不同所引起之表面張力的 差異而造成。該差異導致物質從中間處移向開口 1 1 8之邊 緣,其係因邊緣比中間處具有較快之蒸發速率(較低之表面 張力),致使在邊緣上比在中間處最終有較多之物質沈積。 該現象通常稱爲馬郎哥尼(Mar an go ni)效應。該現象之常見範 例爲在咖啡漬邊緣比在中心顯示較顯著(顏色較深)之咖啡 漬的乾燥。藉由聚合物之擴散速度與溶劑蒸發速率來控制堆 積之程度。如果由於溶劑蒸發導致溶液黏度之增加相對於該 物質從開口 1 1 8中間處擴散至邊緣所花費之時間爲慢時,則 該聚合物具有充足之從中心擴散至邊緣的時間並導致大的 堆積與所沈積之薄膜的厚度非均勻性。 1250821 如果該層不均勻時,則整個該層之電場亦將爲不均勻 (該電場反比於薄膜之厚度)。該不均勻電場導致在接近該層 邊緣之較厚區域以較少電流而在接近該層中間之較薄區域 以較多電流通過該層之不均勻電流。整個該層之不均勻電流 導致在整個層之不均勻光線發射。而且,在較薄區域之較高 電流使該區域較脆弱而造成可導致OLED不可使用之電短 路。故預期較高電流密度會增加裝置劣化速度並導致裝置之 較低整體壽命。 由於前述之理由,有需要形成實質上均勻的聚合物,例 如爲了增進裝置效能與裝置壽命。 【發明內容】 發明槪述 說明一種方法之具體態樣,以便在物件上形成一個實質 上均勻之有機聚合物層。該方法包含混合至少一種有機聚合 物於第一溶劑與第二溶劑中而形成一種有機聚合物溶液。該 第一溶劑具有高溶解度及較第二溶劑快速之蒸發速率,而該 第二種溶劑具有極低之溶解度。該方法亦包含有效地沈積該 溶液於物件上,並使該溶液乾燥而在該物件上形成實質上均 勻之有機聚合物層。 亦說明有機聚合物溶液之具體態樣。該溶液包含至少一 種有機聚合物、一種第一溶劑與一種第二溶劑。該第一溶劑 具有高溶解度及較第二溶劑快速之蒸發速率,而該第二種溶 劑具有極低之溶解度。 【實施方式】 發明之詳細說明 1250821 用於溶解有機聚合物之一或多種溶劑係爲決定所得之 乾燥層均勻性與平坦性的重要因素之一。可藉由用於溶解該 有機聚合物之溶劑來控制所得層之均勻性。藉由混合至少一 種有機聚合物與一種第一溶劑在一起,然後添加一種第二溶 劑於該混合物中來製備一種有機聚合物溶液。另外,可藉由 混合第一溶劑與第二溶劑,然後添加一或多種聚合物於該混 合物中來製備該溶液。該第一溶劑具有高溶解度(例如,該 第一溶劑溶解至少約1重量百分比該有機聚合物)與較該第 二溶劑快速之蒸發速率,而該第二溶劑具有極低之溶解度 (例如,該第二溶劑溶解少於約四分之一重量百分率的該有 機聚合物)。第一溶劑可具有較第二溶劑低之沸點。例如, 第一溶劑可具有低於約1 5(TC之沸點,而第二溶劑具有高於 約2 00 °C之沸點。沈積該溶液於層上並使之乾燥。當溶液乾 燥時,第一溶劑由於較快速的蒸發速率,而開始從溶液蒸發 出來,並在第一溶劑開始蒸發之後不久,有機聚合物由於在 第二溶劑中之較低溶解度而立即從溶液中快速析出並膠 凝。藉由快速膠凝,聚合物溶液之局部黏度增加實質上減低 聚合物之擴散,因而限制聚合物之輸送並產生實質上均勻 (即平坦)之有機聚合物層。當溶液乾燥時,雖然第二溶劑亦 蒸發,但是其以非常緩慢於第一溶劑之速度蒸發。在一種組 態中,一層如果70 %層寬度之厚度變異在±15 %之內、以厚度 變異在±5 %之內爲佳,則被認爲實質上均勻。如果該層實質 上均勻,則改善裝置性能與裝置壽命。 第一溶劑可爲:例如甲苯、氯苯、乙苯、二甲苯、異丙 1250821 苯、茴香醚、或莱。第二溶劑可爲:例如萘烷、四甲基苯、 N-甲基-四氫吡咯酮、戊苯、γ-丁內酯、α-萜品醇、丙烯、碳 酸酯、或甲基萘。有機聚合物之範例則列舉於下述之”實質 上均勻之有機聚合物層320”之部份中。 而且,該溶液可包含一種具有低表面張力之第三溶劑; 添加該第三溶劑於溶液中來改善該聚合物溶液於基板上之 噴霧(於開口 118中)以便溶液中之一或多種聚合物塡滿開口 1 1 8。第三溶劑可爲溶液之約20重量%以下,而以溶液之約 10重量%以下爲佳。第三溶劑具有例如30達因/公分以下之 表面張力。 可使用例如噴墨印刷、旋轉塗布、網版印刷或輥塗之技 術,將有機聚合物溶液沈積於物件上(例如,該物件可爲例 如基板、陽極或電洞輸送層)。乾燥所沈積之有機聚合物溶 液來形成實質上均勻之有機聚合物層。 有機電子裝置之範例爲OLED、有機電晶體或其中所製 成之電路、有機光檢測器、有機太陽能電池或有機雷射。例 如有機電子裝置使用有機聚合物層來轉化電能成爲光能(例 如’其發生於igED中),或轉化光能成爲電能(例如,其發 生在太陽能電池或光檢測器中)。 第3圖顯示根據本發明所得之有機電子裝置3 05之一具 體態樣的截面圖。如第3圖所示,該有機電子裝置3 05包含 第一電極311於基板308之上。如在說明書或所屬範圍之內 所使用’該詞”之上”包含當層爲物理接觸時或當層被一層以 上干涉層分離時。第一電極3 ] 1可形成圖案用於形成畫素或 -10- 1250821 未形成圖案而用於背光。如果電子裝置3〇5爲電 第一電極可爲例如該電晶體之源極和汲極接觸鼠 光阻材料於第一電極311上並形成圖案來形成具 電極3 1 1之開口 3 1 5的堤構造3丨4。該開口 3丨5可彳 如Ο L E D顯不器之畫素)或線狀。該堤構造3】4 造,其電隔離一個袋狀與另一個袋狀或一條線 狀。沈積一或多種有機材料進入開口 3 i 5中來形 有機堆疊3 1 6之有機層。該有機堆疊3〗6係位於負 上。該有機堆疊316包含實質上均勻之有機聚合 任意電洞輸送層(,,HTL,,)317。如果第一電極311 如果HTL 317存在則該實質上均勻之有機聚合物 HTL 317上(如圖示),如果HTL317不存在則層 一電極311上(無圖示)。另外,如果第一電極31】 該實質上均勻之有機聚合物層320則位於第一· 且如果HTL3 17存在則在實質上均勻之有機聚 上。電子裝置305亦包含第二電極323於有機堆 如果電子裝置3 05爲電晶體時,則第二電極323 該電晶體之閘極接觸。亦可添加其他未示於第3 中包含位於第一電極3 1 1與有機堆疊3 1 6之間 有機堆疊3 1 6與第二電極3 2 3之間的絕緣層。某 較詳細地說明於下。 基板3 0 8 : 基板3 0 8可爲任何能支持該層於其上之材弊 可爲透明或不透明的(例如,使用不透明基板於 -1 1 - 晶體時,則 5。沈積一種 有暴露第一 lb爲袋狀(例 爲一*絕緣構 狀與另一線 成一層以上 I 一電極3 1 1 物層3 2 0與 爲陽極時, 層320位於 320位於第 爲陰極時, :極3 1 1上, 合物層 3 2 0 疊3 1 6上。 可能爲例如 圖之層,其 、及/或位於 些該等層則 …基板308 頂部發射裝 1250821 置)。藉由修飾或過濾可通過基板3 0 8之光的波長,可改變 以該裝置所發射之光顏色。基板3 0 8可由玻璃、石英、砂、 塑膠、或不銹鋼所構成;其中基板3 0 8係以薄的、具彈性之 玻璃所構成爲佳。基板3 0 8之較佳厚度係隨所使用之材料與 裝置之應用而定。基板3 0 8可爲片狀或連續膜之型式。例如, 連續膜係使用於特別適用於塑膠、金屬、與金屬化塑膠箔之 輥至輥的製程。該基板亦可使電晶體或其他開關構件建構於 其中來控制該裝置之操作。 第一電極 3 11 ' 在本實例之一組態中,第一電極3 1 1之功能爲當作陽極 (該陽極係用來作爲電洞發射層與包括具有大於約4.5eV功 函數之材料的導電層)。通常之陽極材料包含金屬(如鉑、 金、鈀、銦等);金屬氧化物(如氧化鉛、氧化錫、ITO等); 石墨、摻雜無機半導體(如矽、鍺、鎵、砷等);與摻雜導電 聚合物(如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等)。 在另一種組態中,第一電極層3 1 1之功能爲當作陰極(該 陰極係用來作爲電子發射層並包括具有低功函數之材料的 導電層)。在例如頂部發射OLED之情況下,該陰極而非陽 極係沈積於基板3 08上。通常之陰極材料係表列於以下用於” 第二電極3 2 3 ”之部分。 第一電極311可對於在裝置之內所產生之光的波長爲透 明、半透明、或不透明。第一電極3 1 1之厚度係在約1 0 n m〜 約lOOOnm ’而以約50nm〜約200nm爲佳,以約1〇〇nm爲較 l25〇821 一般使用任何包含例如真空蒸鍍、噴濺、電子線束沈 _ '或氣相化學沈積之用於薄膜沈積之技藝中已知的技術來 ‘造該第一電極層311。 遂A浩3 1 4 : 堤構造3 1 4係由例如聚醯亞胺類或聚矽烷類之光阻材 料所製成。該光阻材料爲正型光阻材料或負型光阻材料均 可。堤構造3 1 4是一種電隔絕袋狀與袋狀或線狀與線狀的絕 緣構造。堤構造314具有暴露第一電極311之開口 315。該 開口 3 1 5可表現爲袋狀或線狀。藉由應用微影技術於光阻材 料或藉由網版印刷或膠版印刷來沈積堤材料而使堤構造3 i 4 形成圖案成爲所希望之圖案。如第3圖所示,該堤構造可具 有例如梯形外型,其中在堤構造3 i 4之側壁與第一電極3 i j 之間的角度爲鈍角。 HTL317 : Η T L 3 1 7具有遠高於電子移動性之電洞移動性並使用於 有效地從第一電極3 1 1輸送電洞至實質上均勻之有機聚合物 層3 2 0。Η T L 3 1 7係由聚合物或較小分子材料所製成。例如, HTL3 17可由二者均以小分子或其聚合物型式之三級胺或咔 嗤衍生物、傳導聚苯胺(,,ΡΑΝΙ,,)、或聚乙二氧基噻吩-聚苯 乙烯磺酸酯(” P E D Ο T : P S S,,)所製成。 HTL3 17係作用爲:(1)用來提供良好鍵結於基板之緩衝 物;及/或(2)用來提昇電洞射出之電洞射出層;及/或(3)用來 提昇電洞輸送之電洞輸送層。 Η T L 3 ] 7具有約5 n m〜約1 〇 〇 〇 n m之厚度,而以約2 〇 n m〜 1250821 約5 0 0 n m爲佳,以約5 0 n m〜約2 5 0 n m爲較佳。 可使用選擇性沈積技術或非選擇性沈積技術來沈積 HTL 3 1 7 °選擇性沈積技術範例包含例如噴墨印刷、膠版印 刷與網版印刷。非選擇性沈積之範例包含例如旋轉塗布、浸 漬塗布、濕式塗布與噴霧塗布。如果使用印刷技術時,則沈 積fe洞輸送材料於第一電極3 1 1然後使其乾燥。所乾燥之材 料表示爲電洞輸送層。 實質上均勻之有機聚合物層32〇 : 貫質上均勻之有機聚合物層320係由一種包含一或多種 有機聚合物之溶液、一種第一溶劑、與一種第二溶劑所形 成。第一溶劑具有高溶解度(例如,第一溶劑溶解至少約1 重量%之有機聚合物)與較第二溶劑快速之蒸發速率,而第二 溶劑具有極低之溶解度(例如,第二溶劑溶解少於約四分之 一重量百分率的有機聚合物)。第一溶劑可具有較第二溶劑 低之沸點。例如,第一溶劑可具有低於15(TC之沸點而第二 溶劑可具有大於約200 °C之沸點。沈積該溶液於層上(例如, 該層可爲第一電極311或電洞輸送層317)並使其乾燥。當該 溶液乾燥時,第一溶劑由於比第二溶劑快速之蒸發速率,則 第一溶劑開始從溶液蒸發出來,而在第一溶劑開始蒸發之後 不久’由於有機聚合物在第二溶劑之低溶解度,則立即快速 地從溶液中析出並膠凝而造成實質上均勻之有機聚合物層 3 20。藉由快速地膠凝,聚合物溶液之局部黏度的快速增加 來相當地降低聚合物之擴散速度,因此限制聚合物之輸送並 產生實質上均勻(即平坦)之有機聚合物層。當溶液乾燥時, -14- 1250821 雖然第二溶劑亦蒸發,但是其以遠較第一溶劑慢的速度蒸 發。第二溶劑之溶解度應儘可能地低以便聚合物儘可能地膠 凝。 可藉由例如噴墨印刷來沈積該溶液於層上,其中噴墨印 刷頭之噴嘴排放溶液液滴進入堤構造之開口中。另外,可藉 由旋轉塗布來沈積該溶液;在此情況下,沈積過多量之溶液 於基板中央上,然後旋轉該裝置以便離心力均勻地散佈該溶 液於堤構造之開口的整個活性區域上。亦可使用其他如網版 印刷或輥塗之沈積技術來沈積該溶液。 以調整該溶液中之第一溶劑量以致於其爲穩定溶液之 最小量爲佳。換言之,有足夠之第一溶劑量以致於聚合物將 停留於溶液中直到排放出溶液,或者將停留在溶液中直到均 勻地散佈溶液於堤構造之開口的整個活性區域上。其中以具 有足夠之第一溶劑以便該溶液具有對於可靠之製程所需的 儲存壽命爲佳。然而,應不具有過多第一溶劑以致於該聚合 物在溶液中經過一段時間而使該聚合物在溶液中擴散至邊 緣而最終導致該聚合物累積在邊緣上。例如,穩定之溶液使 該溶液在排放期間不阻塞噴嘴的情況下從噴墨印刷頭的噴 嘴排放出來。另外,直到藉由旋轉塗布將該溶液均勻地散佈 在整個堤構造之開口的活性區域上,該溶液均爲穩定的。 弟一'丨谷劑可爲例如;甲苯、氯苯、乙苯、二甲苯、異丙 苯、茴香醚、或莱。第二溶劑可爲例如:萘院、四甲基苯、 N -甲基-四氫吡咯酮、戊苯、γ - 丁內酯、α _萜品醇、丙烯、碳 酸酯、或甲基萘。 1250821 如果該有機電子裝置爲O LED或有機雷射時,則該有機 聚合物爲發射光線之電發光(” E L ”)聚合物。例如,該發射光 線之有機聚合物可爲具有共軛重複單元之EL聚合物,特別 是其中相鄰之重複單元係以共軛方式來鍵結的EL聚合物, 如聚噻吩、聚伸苯或該等之家族、共聚物、衍生物、或其混 合物。較明確地說,該有機聚合物可爲例如:聚苐類;發射 白、紅、藍、黃、或綠光且爲2-、或2,5-取代之聚對伸苯基 亞乙烯之聚對伸苯基亞乙烯類;聚螺結聚體類;由陶式化 學,中土密須根州所製造之發射綠、紅、藍、或白光之 LUMATION聚合物;或該等之家族、共聚物、衍生物、或其 混合物。 如果該有機電子裝置爲有機太陽能電池或有機光線偵 測器時’則該有機聚合物爲對應於該光線之吸收來改變電特 性的光反應材料。該光反應材料係轉化光能成爲電能。 如果該有機電子裝置爲有機電晶體時,則該有機聚合物 可爲例如聚合物及/或寡聚物之半導體。該聚合物之半導體 可包括例如聚噻吩、聚(3 -烷基)噻吩、聚伸噻吩基亞乙烯、 聚(對伸苯基亞乙烯)、或該等之家族、共聚物、衍生物、或 其混合物。 而且,可加入一種具有低表面張力之第三溶劑於溶液中 來提高聚合物溶液在基板上(於開口丨丨8中)之分散,以便溶 液中之聚合物完全充滿開口 1 1 8。 所得之貫質上均勻之有機聚合物層32〇的厚度爲約 5nm〜約50〇nm,而以約20nm〜約1〇〇謂爲佳,以約7〇請〜 1250821 約1 0 0 n m爲較佳。 第4 - 6圖係顯示其中發射性聚合物層係部分由所請溶液 之具體態樣所製造的OLED之某些特徵。以下所述之範例 Ο LED係爲更進一步了解本發明而不應被詮釋受限於所附之 申請專利範圍或其相當者之範圍。 第4圖係顯示根據本發明所得溶液之具體態樣在被沈積 於堤構造之開口中之後但在溶劑蒸發之前的輪廓,以及在使 所請之溶液的具體態樣乾燥後所得之層輪廓。一種部分由沈 積銦錫氧化物ΓΙΤΟ”)(無圖示)於玻璃基板(無圖示)上所製 造之OLED顯示器。然後,形成具有開口之堤構造於該IT Ο 上。形成聚乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT : PS S)層 於該ITO之已暴露之部分上。藉由噴墨印刷來沈積所請溶液 之具體態樣於袋狀(即,堤構造之開口)之中。當所請溶液之 具體態樣乾燥時,第一溶劑開始從該溶液中蒸發,並在之 後,聚合物立即從溶液中析出並迅速膠凝而引起聚合物溶液 之黏度迅速增加並避免聚合物擴散至開口邊緣且避免聚合 物在開口邊緣之累積。如第4圖所示並在其他實驗中所觀察 到,使用所請溶液之具體態樣的效果爲當該溶液乾燥時,所 得之層在僅有極微量累積在堤邊緣的情況下爲實質上均勻 且平坦的。 第5圖係比較由先前技藝溶液與所請溶液之具體態樣所 形成層之輪廓。一種先前技藝0LED顯示器係部分由沈積 IT Ο層於玻璃基板上所製造的。然後’形成具有開口之堤構 造於該ITO上。形成PEDOT : PSS層於該ITO之已暴露之 -17- 1250821 部分上。使用包含二甲苯作爲溶劑與其爲發射綠、紅、或M 光之LUMATION聚合物之有機聚合物的先前技藝溶液來形 成先前技藝電致發光層於PEDOT: PSS上。 而且,藉由沈積IT Ο層於玻璃基板上來部分製造根據本 發明所得OLED顯示器之具體態樣。然後,形成具有開口之 堤構造於該ITO上。形成PEDOT: PSS層於該ITO之已暴 露之部分上。沈積所請溶液之具體態樣於PEDOT : PSS層上 而在PEDOT: PSS層上形成實質上均勻之活性有機發射性聚 合物層。 如第5圖所示,先前技藝溶液形成具有凹形輪廓而在堤 邊緣具有大量物質之層。相反地,在掩護底層之非均勻性之 後’該溶液之具體態樣產生具有實質上均勻及相當平坦的輪 廓’並僅有微量物質累積於堤邊緣。如第5圖所示,在掩護 底層之非均勻性之後,所得之有機發射性聚合物層之7 〇 %寬 度在±5 %厚度變異之內(例如,所得之有機聚合物層爲實質上 均勻的)。 第6圖係顯示藉由先前技藝溶液所形成的層與藉由根據 本發明所得溶液之具體態樣所形成的層之光致發光影像。如 第6圖所示’藉由所請溶液之具體態樣所形成之層較爲均 勻’其係由於該層初步展現單一強度(不同強度表示不同厚 度)°藉由先前技藝溶液所形成之層展現表示非均勻性之多 種強度。而且’由所請溶液之具體態樣所形成之層較少從袋 狀溢出’其係部分由於聚合物溶液之快速膠凝而所得之黏度 增加則避免聚合物從袋狀中溢出。 -18- 1250821 第二電極3 2 3 : 在此具體態樣的組態中,第二電極 陰極。一般該陰極爲包含例如一層具有 出層與厚導電層的多層構造。該電荷射 或其混合物所構成。該導電層可由例如 或其混合物所構成。 在另一組態中,第二電極層3 2 3係 在例如頂部發射OLED之情況下,則沈 於半導體堆疊316上。一般之陽極材31 第一電極3 1 1 ”之部分。 第二電極3 23之厚度爲約i〇nm-5 0 n m〜約5 0 0 n m爲佳,以約1 〇 〇 n m〜約 可使用任何在用於沈積薄膜之技藝中 二電極323,其中包含真空蒸鍍、噴濺 學氣相沈積。 第7圖係顯示根據本發明用來製造 具體態樣流程圖。於4 0 9方塊中,沈積 上。可使用例如真空蒸鍍、噴濺、電子 沈積來沈積該第一電極。可使用例如微 形成圖案。可形成具有開口之堤構造於 微影技術於光阻材料,或使用網版印刷 阻材料成爲所希望之圖案而形成堤構造 在流程方塊4 1 5中,沈積一種有機 極上。該有機聚合物溶液係由有機聚合 層3 2 3的功能爲當作 低功函數之薄電荷射 出層可由例如鈣或鋇 鋁、銀、鎂、金、銅、 :作用作爲陽極。如果 積該陽極而非該陰極 (斗係先前表列於用於” 〜約 lOOOnm,而以約 300nm爲較佳。一般 已知之技術來製造第 、電子線束沈積或化 有機電子裝置之製程 一個第一電極於基板 線束沈積或化學氣相 影技術來使第一電極 第一電極上。可應用 或曲線印刷來沈積光 I ° 聚合物溶液於第一電 t物、第一溶劑、及第 -19- 1250821 二溶劑所構成。該第一溶劑具有高溶解度(例如’第一溶劑 溶解至少約1重量%之有機聚合物)並具有小於1 5 0 °C之沸 點,第二溶劑具有極低溶解度(例如,第二溶劑溶解少於約 四分之一重量百分率的有機聚合物)並具有大於200°C之沸 點。可藉由例如噴墨印刷來沈積該溶液,其中該噴墨印刷頭 之噴嘴排放1滴以上溶液進入堤構造之一開口中。另外,可 藉由旋轉塗布來沈積該溶液;在此情況下,沈積超量溶液於 基板中央上,然後旋轉該裝置以使離心力均勻地將溶液分布 在堤構造之開口的活性區域中。此外,可使用網版印刷或輥 塗法來沈積該溶液。 如果第一電極爲陽極時,則在沈積有機聚合物溶液之 前,可沈積一種電洞輸送材料於該陽極上而形成HTL ;該 HTL改善例如裝置效率。可使用例如旋轉塗布、浸漬塗布、 輥塗法、噴霧塗布、熱蒸鍍、網版印刷或噴墨印刷之技術來 沈積該HTL。如果HTL存在時,則沈積該有機聚合物溶液 於HTL上而非陽極上。 在流程方塊4 1 8中’使該溶液乾燥以便形成實質上均勻 之有機聚合物溶液。第一溶劑由於比第二溶劑有較快速的蒸 發速率,當該溶液乾燥時,第一溶劑開始從溶液中蒸發出 來,並在第一溶劑開始蒸發後不久,由於有機聚合物在第二 溶劑中之較低溶解度’有機聚合物立即快速地從溶液中析出 並膠凝而造成實質上均勻之有機聚合物層。由於快速膠凝, 在該聚合物溶液之局部黏度的快速增高實質上降低聚合物 之擴散,因此限制聚合物之輸送並產生實質上均勻(即平j:曰) -20- 1250821 之有機聚合物層。當該溶液乾燥時,第二溶劑雖亦從溶液中 蒸發出來,但是其以遠低於第一溶劑之速度蒸發。 使該溶液乾燥之步驟可包含藉由例如加熱底層基板來 提高溶液溫度及/或使用真空加熱方法。藉由提高溶液溫度 或使用真空加熱方法(或二者之組合),來提高第一溶劑及/ 或第二溶劑之蒸發速率。藉由提高溫度及/或利用真空,第 一溶劑較快開始蒸發,而在第一溶劑開始蒸發後不久,有機 聚合物立即快速地使溶液膠凝而造成實質上均勻之有機聚 合物層。藉由以例如加熱底層基板來提高溶劑溫度,及/或 藉由使用真空乾燥方法,溶劑較快從溶液中蒸發出來,因此 較早形成實質上均勻之有機聚合物層,因而降低總累積週期 (” T A C ”)時間。 在流程方塊421中,沈積第二電極於實質上均勻之有機 聚合物層上。可使用例如真空蒸鍍、噴濺、電子線束沈積、 或化學氣相沈積來沈積該第二電極。 可使用較早所述之OLED於例如電腦顯示器、汽車之資 訊顯示器、電視監視器、電話、印表機、與照明訊號之應用 的顯示器。 任何精通於有機電子裝置製造之技藝者將從說明、圖式 及實施例了解,而在不脫離以下發明申請專利範圍之下,可 對於本發明之範例進行修飾與修改。 【’圖式簡單說明】 第1圖顯示一種用來沈積溶液之先前技藝噴墨印刷系 統。 -2 1- 1250821 第2圖顯示先前技藝溶液在其被沈積進入堤構造之開 口後但在溶劑蒸發之前的輪廓,以及在使先前技藝溶液乾燥 後所得層之輪廓。 第3圖顯示根據本發明所得之有機電子裝置之具體態 樣的截面圖。 第4圖顯示根據本發明所得之溶液在其被沈積進入堤 構造之開口後但在溶劑蒸發之前的輪廓,以及在使所請溶液 的具體態樣乾燥後所得層之輪廓。 第5圖係比較由先前技藝溶液與所請溶液之具體態樣 所得層之輪廓。 第6圖顯示由先前技藝溶亦形成所得之層與由根據本 發明所得之溶液的具體態樣所形成之層的光致發光影像。 第7圖顯示根據本發明用來製造一種有機電子裝置之 製程具體態樣的流程圖。 【元件符號說明】 109 基板 1 12 陽極 115 堤構造 118 開口 12 1 Η T L s ;電洞輸送層 122 發射性聚合物層 124 液滴 127 噴嘴 1 30 印刷頭 -22 - 1250821 3 05 電子裝置 3 0 8 基板 3 11 第一*電極 314 堤構造 3 15 開口 3 16 有機堆疊 3 17 HTL;電洞輸送層 3 20 勻之有機聚合物層
3 2 3 第二電極
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Claims (1)

1250821 十、申請專利範圍: .. 1 . 一種製造有機電子裝置之方法,包括: ~ _ 將第一電極沈積在基板上; 將有機聚合物溶液沈積在該第一電極上; 其中該溶液包含第一溶劑、至少一種有機聚合物、及 第二溶劑; · 其中該第一溶劑具有高溶解度與較該第二溶劑快速 · 之蒸發速率’而且該第二溶劑具有極低之溶解度;及 讓該溶液乾燥而形成實質上均勻之有機聚合物層。 · 2 ·如申I靑專利範圍第1項之方法,其中該第一溶劑溶解至少 約1重墓%之該數種有機聚合物;且該第二溶劑溶解小於 約四分之一重量百分率的之該數種有機聚合物。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一溶劑具有較第 二溶劑低之沸點。 4 .如申請專利範圍第3項之方法,其中該第一溶劑具有低於 約15CTC之沸點,且該第二溶劑具有大於200t之沸點。 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其中讓該溶液乾燥係包 ® 括:由該溶液中蒸發出該第一溶劑,及在該第一溶劑開始 蒸發後不久,該溶液立即迅速地膠凝,而產生該實暂上均 勻之有機聚合物層。 6.如申請專利範圍第1項之方法,其中讓該溶液乾燥係包 · 括·藉由至少(1)提局該彳谷液之溫度與(2)施加真空於該溶 · 液之一來提高:(1)該第一溶劑與(2 )該第二溶劑至少之一 的蒸發速率。 -24- 1250821 7 ·如申請專利範圍第1項之方法,其更包括在沈積該 合物溶液之前,於該第一電極上形成一具有開口之 中該有機聚合物溶液沈積於該開口內,且該堤容納 積之有機聚合物溶液。 8.如申請專利範圍第1項之方法,其更包括將第二電 在該實質上均勻之有機聚合物層上。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中沈積該有機聚 液係包括噴墨印刷或旋轉塗布該有機聚合物溶液。 1 〇.如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一溶劑爲: 氯苯、乙苯、二甲苯、異丙苯、茴香醚、或茱;而 劑爲:萘烷、四甲基苯、N -甲基-四氫吡咯酮、戊 丁內酯、α -萜品醇、丙烯、碳酸酯或甲基萘。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中該有機聚合 莠或其共聚物、衍生物或組合物。 1 2 .如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中該有機聚合 對伸苯基亞乙烯或其共聚物、衍生物或組合物。 1 3 .如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中該有機聚合 螺結聚體或其共聚物、衍生物或組合物。 i 4 .如申請專利範圍第7項之方法,其中該溶液更包括 劑,其中該第三溶劑具有低的表面張力以便於該溶 該至少一^種有機聚合物完全地塡滿該開口。 i 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其中該實質上均勻 聚合物層在跨越該層之7 0 %寬度係具有± 1 5 %內的 異。 -2 5 - 有機聚 堤,其 該所沈 極沈積 合物溶 I甲苯、 第二溶 苯、γ- 物爲聚 物爲聚 物爲聚 第三溶 液中之 之有機 厚度變 1250821 1 6 .如申請專利範圍第1項之方法,其中該有機電子裝置爲 OLED 〇 1 7 . —種有機電子裝置,包括: 於基板上之第一電極; 在該第一電極上之實質上均勻之有機聚合物層;及 在該實質上均勻之有機聚合物層上之第二電極, 其中該實質上均勻之有機聚合物層係由一種包含第 一溶劑、至少一種有機聚合物及第二溶劑之溶液所形成, 其中該第一溶劑具有高溶解度與較該第二溶劑快速之蒸 發速率,且該第二溶劑具有極低之溶解度。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之裝置,其中該第一溶劑溶解至 少約1重量%之該數種有機聚合物;且該第二溶劑溶解少 於約四分之一重量百分率的該數種有機聚合物。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之裝置,其中該第一溶劑具有較 該第二溶劑低之沸點。 2〇·如申請專利範圍第19項之裝置,其中該第一溶劑具有低 於約150°C之沸點,且第二溶劑具有大於約200 °C之沸點。 2 1 ·如申請專利範圍第1 7項之裝置,其更包括在該第一電極 上之堤,其中該堤包含一內沈積有該溶液的開口。 22·如申請專利範圍第17項之裝置,其中該第一溶劑爲:甲 苯、氯苯、乙苯、二甲苯、異丙苯、茴香醚或采;且該第 二溶劑爲:萘烷、四甲基苯、N -甲基-四氫吡咯酮、戊苯、 γ-丁內酯、α-萜品醇、丙烯、碳酸酯或甲基萘。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之裝置,其中該有機聚合物爲聚 -26- 1250821 荞、或其共聚物、衍生物或組合物。 24. 如申請專利範圍第22項之裝置,其中該有機聚合物爲聚 對伸苯基亞乙烯或其共聚物、衍生物或組合物。 25. 如申請專利範圍第22項之裝置,其中該有機聚合物爲聚 螺結聚體或其共聚物、衍生物、或其中之組合。 26. 如申請專利範圍第17項之裝置,其中該實質上均勻之有 機聚合物層在跨越該層之70%寬度係具有±15%內的厚度 〇 27 .如申請專利範圍第1 7項之裝置,其中該有機電子裝置爲 OLED。 2 8.—種於物件上形成實質上均勻之有機聚合物層之方法,包 括: 於第一溶劑與一種第二溶劑中混合至少一種有機聚 合物以形成一種有機聚合物溶液,其中該第一溶劑具有高 的溶解度與較該第二溶劑快速之蒸發速率,且該第二溶劑 具有極低之溶解度; 有效地在該物件上沈積該溶液;及 讓該溶液乾燥而在該物件上形成實質上均勻之有機 聚合物層。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之方法,其中該第一溶劑溶解至 少約1重量%之該數種有機聚合物;且該第二溶劑溶解少 於約四分之一重量百分率的該數種有機聚合物。 3 〇 .如申請專利範圍第2 8項之方法,其中該第一溶劑具有較 該第二溶劑低之沸點。 -27- 1250821 3 1 .如申請專利範圍第3 〇項之方法,其中該第一溶劑具有低 ·、 於約150t之沸點,且第二溶劑具有大於約20CTC之沸點。 - 3 2 ·如申請專利範圍第2 8項之方法,其中有效地沈積該溶液 係包括經由噴墨印刷頭之噴嘴排放該溶液以致於該至少 一種有機聚合物在排放期間停留在溶液中。 3 3 ·如申請專利範圍第2 8項之方法,其中讓該溶液乾燥係包 括:由該溶液中蒸發出該第一溶劑,及在該第一溶劑開始 · 蒸發後不久,該溶液立即迅速地膠凝,而產生該實質上均 勻之有機聚合物層。 φ 3 4 ·如申請專利範圍第2 8項之方法,其中該第一溶劑爲:甲 本、氯苯、乙苯、二甲苯、異丙苯、茴香醚或茱;且該第 一彳谷劑爲:萘院、四甲基苯、N -甲基-四氫卩比略酮、戊苯、 Ύ - 丁內酯、α -萜品醇、丙烯、碳酸酯或甲基萘。 3 5 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該有機聚合物爲聚 莽或其共聚物、衍生物或組合物。 3 6 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該有機聚合物爲聚 對伸苯基亞乙烯或其共聚物、衍生物或組合物。 · 37·如申請專利範圍第32項之方法,其中該有機聚合物爲聚 螺結聚體或其共聚物、衍生物或組合物。 3 8 .如申請專利範圍第2 8項之方法,其中該物件爲:基板、 電極或電洞輸送層。 ‘ 3 9 .如申請專利範圍第2 8項之方法,其中該實質上均勻之有 — 機聚合物層在跨越該層之7 〇 %寬度係具有±丨5 %內的厚度 變異。 -28- 1250821 4 0 ·—種有機聚合物溶液,包括·· 至少一種有機聚合物; · 第一溶齊彳;及 第二溶劑, 其中該第一溶劑具有高的溶解度與較該第二溶劑快 速之蒸發速率,而該第二溶劑具有極低之溶解度。 4 1 ·如申請專利範圍第4 〇項之溶液,其中該第一溶劑溶解至 , 少約1重量%之該數種有機聚合物;且該第二溶劑溶解少 於約四分之一重量百分率的該數種有機聚合物。 馨 42.如申請專利範圍第40項之溶液,其中該第一溶劑具有較 該第二溶劑低之沸點。 43·如申請專利範圍第40項之溶液,其中該第一溶劑具有低 於約15(TC之沸點,而第二溶劑具有大於約200°C之沸點。 44·如申請專利範圍第40項之溶液,其中該溶液係沈積在物 件上並讓其乾燥而在該物件上形成實質上均勻之有機聚 合物層,其中該物件爲基板、電極或電洞輸送層。 4 5 ·如申請專利範圍第4 0項之溶液,其中當該溶液乾燥時, ® 由該溶液中蒸發出該第一溶劑,及在該第一溶劑開始蒸發 後不久,該溶液立即迅速地膠凝而產生該實質上均勻之有 機聚合物層。 4 6 ·如申請專利範圍第4 0項之溶液,其中該第一溶劑爲:甲 苯、氯苯、乙苯、二甲苯、異丙苯、茴香醚或莱;且該第 — 二溶劑爲:萘烷、四甲基苯、N-甲基-四氫吡咯酮' 戊苯、 γ-丁內酯、α-萜品醇、丙烯、碳酸酯或甲基萘。 -29- 1250821 4 7 .如申請專利範圍第4 6項之溶液,其中該有機聚合物爲聚 r 荞、或其共聚物、衍生物或組合物。 · 4 8 .如申請專利範圍第4 6項之溶液,其中該有機聚合物爲聚 對伸苯基亞乙烯或其共聚物、衍生物或組合物。 4 9 .如申請專利範圍第4 6項之溶液,其中該有機聚合物爲聚 螺結聚體或其共聚物、衍生物或組合物。 _ 5 〇 .如申請專利範圍第4 0項之溶液,其中該實質上均勻之有 - 機聚合物層在跨越該層之70 %寬度係具有±15%內的厚度 變異。 _
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10025561A1 (de) * 2000-05-24 2001-12-06 Siemens Ag Energieautarker Hochfrequenzsender
CN102594329A (zh) 2001-07-03 2012-07-18 布拉德伯里·R·法塞 自供电开关启动系统
DE10150128C2 (de) * 2001-10-11 2003-10-02 Enocean Gmbh Drahtloses Sensorsystem
WO2005060012A1 (ja) * 2003-12-17 2005-06-30 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機光‐光変換デバイス
JP4195411B2 (ja) * 2004-04-12 2008-12-10 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4225238B2 (ja) * 2004-04-21 2009-02-18 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器
JP4431461B2 (ja) * 2004-08-09 2010-03-17 オプトレックス株式会社 表示装置の製造方法
JP4616596B2 (ja) * 2004-08-27 2011-01-19 株式会社 日立ディスプレイズ 電子装置の製造方法
JP4168999B2 (ja) * 2004-11-30 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 発光材料及び有機el装置の製造方法
JP4682701B2 (ja) * 2005-05-27 2011-05-11 凸版印刷株式会社 有機el素子用インキおよび有機el素子の製造方法
DE102005039528A1 (de) * 2005-08-18 2007-02-22 Merck Patent Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
KR100661642B1 (ko) * 2005-11-28 2006-12-26 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 의한 표시장치
JP4888043B2 (ja) * 2005-12-27 2012-02-29 セイコーエプソン株式会社 有機半導体用組成物、トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法
US20070153371A1 (en) 2005-12-30 2007-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, method of manufacturing the same, and composition for use in manufacturing the same
DE102006021410B4 (de) * 2006-05-09 2009-07-16 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtgebildes und Verwendung des Verfahrens
US20080067473A1 (en) * 2006-06-05 2008-03-20 Walker Dennis D Liquid composition for deposition of organic active materials
KR20080013297A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
JP4380709B2 (ja) * 2007-01-31 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US8183319B2 (en) * 2007-10-31 2012-05-22 Air Products And Chemicals, Inc. Film forming additive formulations of conductive polymers
CN101960633B (zh) 2008-03-06 2014-12-10 默克专利股份有限公司 有机半导体组合物
US8052895B2 (en) * 2008-10-09 2011-11-08 Xerox Corporation Semiconducting ink formulation
GB2466842B (en) * 2009-01-12 2011-10-26 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
GB2466843A (en) * 2009-01-12 2010-07-14 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
US9379323B2 (en) 2010-04-12 2016-06-28 Merck Patent Gmbh Composition having improved performance
US9059407B2 (en) * 2010-08-18 2015-06-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Method for manufacturing organic semiconductor thin film and monocryastalline organic semiconductor thin film
US8906752B2 (en) 2011-09-16 2014-12-09 Kateeva, Inc. Polythiophene-containing ink compositions for inkjet printing
US20130252351A1 (en) * 2011-09-16 2013-09-26 Kateeva, Inc Film-forming formulations for substrate printing
TWI462642B (zh) 2011-11-23 2014-11-21 Au Optronics Corp 發光裝置的製作方法及有機層的形成方法
JP5500158B2 (ja) * 2011-12-05 2014-05-21 トヨタ自動車株式会社 固体電池用電極の製造方法
JPWO2013088745A1 (ja) * 2011-12-15 2015-04-27 パナソニック株式会社 有機el表示パネルの製造方法
WO2013088744A1 (ja) * 2011-12-15 2013-06-20 パナソニック株式会社 有機el表示パネルの製造方法
JP6015073B2 (ja) * 2012-04-02 2016-10-26 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、発光素子の製造方法
GB201210858D0 (en) 2012-06-19 2012-08-01 Cambridge Display Tech Ltd Method
KR101997568B1 (ko) * 2013-04-19 2019-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기층의 형성방법 및 이를 포함한 유기발광소자의 제조 방법
US10461269B2 (en) * 2013-12-20 2019-10-29 Molecular Glasses, Inc. Crosslinkable, /polymerizable and combinations thereof charge-transporting molecular glass mixtures, luminescent molecular glass mixtures, or combinations thereof for organic light emitting diodes and other organic electronics and photonics applications and method of making same
US10593886B2 (en) 2013-08-25 2020-03-17 Molecular Glasses, Inc. OLED devices with improved lifetime using non-crystallizable molecular glass mixture hosts
CN105070685B (zh) * 2015-08-14 2019-05-24 Tcl集团股份有限公司 梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法
CN108701765A (zh) * 2015-10-16 2018-10-23 陶氏环球技术有限责任公司 用于制备有机电荷传输膜的方法
CN105334697B (zh) * 2015-12-08 2019-10-11 深圳市华星光电技术有限公司 光刻胶组合物及彩色滤光片的制作方法
WO2018095380A1 (zh) * 2016-11-23 2018-05-31 广州华睿光电材料有限公司 用于印刷电子器件的组合物及其制备方法和用途
US11248138B2 (en) 2016-11-23 2022-02-15 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Printing ink formulations, preparation methods and uses thereof
KR20230096137A (ko) * 2017-03-21 2023-06-29 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 유기 반도체 조성물, 유기 박막 및 유기 박막 트랜지스터
CN112094535B (zh) * 2019-06-18 2022-09-09 纳晶科技股份有限公司 墨水配方、光电器件及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100483774C (zh) * 1999-12-21 2009-04-29 造型逻辑有限公司 半导体器件及其形成方法
WO2002069119A1 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Cambridge Display Tech Ltd Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing
US6994893B2 (en) * 2001-03-10 2006-02-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Solutions and dispersions of organic semiconductors
US6916902B2 (en) * 2002-12-19 2005-07-12 Dow Global Technologies Inc. Tricyclic arylamine containing polymers and electronic devices therefrom

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