TW518673B - Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma using an internal inductive element - Google Patents

Description

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本發明大致關於利用一電—漿之半導體處理，且特別是有 =於方法，可在其所產生的一電漿中及持續地在感應式耦 5過長中用以改良其電漿分配和製程性能。 景：— 氣體電漿生成係廣泛地使用在各種積體電路（IC)的製程 中，包括電漿蝕刻，電漿化學氣相沉積（PEcVD)，和電漿 濺鍍沉積等應用項目。通常，電漿係在一處理室中而產 生其藉由引導一低壓的製程氣體進入該處理室内並同時 弓I導電能至該處理室中以便在其中產生一電場。該電場即 會在該處理室内產生一電子流，其係可離子化個別的氣體 原子和分子，藉著個別的電子-氣體分子之撞擊而傳輸動 加速在電場中的電子時，即能產生有效率的離子化狀 怨。氣體的電離粒子和自由的電子會聚集在一起並構成一 所謂的氣體電漿，或放電。電漿可存在於各種不同的離子 化位準，從10-6 一直到全離子化的電漿（依據離子化粒子對 粒子總數量之間的比例）。 電漿粒子通常係為正電，而且一般係用來在該處理室進 行蝕刻一基材或將一材料層沉積在一基材上。在一蝕刻程 序中，基材可加上負極偏壓，如此一來正電的電漿粒子即 會吸引到基材表面上並同時轟擊其表面，如此即可藉此而 去除表面粒子或蝕刻該基材。在一濺鍍沉積程序中，有一 目標物可能會配置在該處理室内位於基材對面的位置。接 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4規格(210X297公釐) 518673 A7 B7

著該目標物即會加上偏壓，以便使得電漿粒子能轟擊該目 標物並會驅趕，或”濺鍍”，該目標物的粒子。被濺鍍的目 標物粒子，接著即可沉積在基材上以便在一曝露的表面上 構成一材料層。在離子化濺鍍沉積程序中，以下簡稱 iPVD，該濺射的粒子在沉積之前本身會離子化。在一電漿 增強CVD的程序中，電中性，會主動在曝露的表面上構成 一沉積層。通常，係有許多種不同的方法可在一處理室中 用以產生一電漿。舉例來說，一對相對的電極係可在該處 理室中加以定向以便能電容耦合能量至該電漿中。有一利 用超高頻的微波場之微波諧振的處理室也是能加以利用 的。電子迴旋加速器諳振源（ECR)裝置，換句話說，使用控 制的磁場並結合微波能量而在一製程氣體中來誘發一循環 式電子流，以便產生並維持一電漿。感應式耦合程序也是 很文歡迎的’特別是激賞它們產生高密度電漿的能力。感 應式輕合電漿（ICPs)通常係利用一感應元件，例如在處理 至中所配置之一種塑造成型的線圈或天線，以便能感應式 輕合能量至處理室内並因此而在其中產生並維持一電漿。 例如，在一感應式耦合電漿（ICP)系統之特別設計中，一 感應線圈或天線係配置到最接近於該處理室頂端部位的位 置，以便在該處理室中產生一電漿。特別是，該天線係配 置在一介質板或該處理室頂端之視窗的側邊上，而且來自 於該天線的電磁能會耦合穿過該介質視窗並進入電漿内。 於美國專利案號5, 556, 521中所揭示之上述設計方式係為本 申請案擁有。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 518673 五、發明説明（3 在一替代性的ICP處理系统中，一碑&二 缠结，4 s A 、 螺線或螺線管的線圈係 纏％在该處理至一側壁部分的外側 /θιί Η* ^ ^ η- > 1尤月匕猎者該處理室的 ❹來感㈣合能量至„中’而不非透過處理室的頂 k。在上述的系統中，該處理室側壁的部分係利用一介質 材料來製成的’其可讓感應式搞合能量通過其間。針對一 視窗或處理室側壁之一適當的介質材料是石英，此係 藝中及各種習知的:iCP系統中所採用的，此係針對各種不同 議題的專射直接對ICP所做的驗證，例如電漿的均勾度， RF匹配，和天線或其他的感應元件之性能特性等。又 ICP系統的幾何性質對於決定電漿密度和均勻度，處理該 基材區域時的均勻度等方面皆是一重要的因數。針對現有/ 的製程，它係需要在一大幅的區域中產生一均句的，高密 度的電漿，以便能適用於大型的基材。舉例來說，當今的 大型積體電路（ULSI)的製造方法，係需要在尺寸係大約為 200 mm或更大的基材上產生一種密集且均勻的電聚。 別 更特別是，在一 ICP系統中，其電漿係藉由加熱或藉由激 勵其處理室電漿區域中的電子等方式而激發的。可供用以 加熱電漿電子之感應電流係來自於振盪的磁場，其會出現 在最接近於該感應式天線或線圈内通過RF電流之介質視窗 或側壁的位置。磁場的空間分配係為在該天線或線圈導體 的每一部分或節段中所產生之個別磁場的總和。因此，感 應天線或線圈的幾何特性係可決定該電漿的空間分配，特 是在處理室中該電漿離子密度的空間分配和均勻度。依 據一範例，一天線係具有一 ‘‘ S”形的形狀，如美國專利案號 6- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 518673 A7 _ B7 五、發明説明（4 ) 5,669, 975所揭示，其在該天線的中央部位係可產生巨大的 離子密度。於較高的RF功率位準時，天線的外部也會大幅 衫響δ玄電漿的離子化私度。利用一 icp系統時的一主要好處 為，上述天線即是該系統對傳輸至天線端的功率以及該處 理至的半徑4之間的直線性關係，而且當利用現有的icp系 統和其中的天線設計，係可提供充份的電漿生成，因而上 述之系統仍具有一特定缺陷。 例如’在現有的ICP系統和天線結構中，針對不打算巨幅 增大该天線或線圈的尺寸只希望依比例來加大該處理室的 尺寸以便進行處理更大的基材，是有困難的。具有較大足 跡的IC Ρ天線係必須搭配以叩責的代價來修改製程系統。此 外，較大的天線及相關的電漿會對該處理室内的製程參數 呈現出較大的靈敏度。舉例來說，電漿製程，例如一蝕刻 法製程或沉積法製程，對於製程參數，諸如在一濺鍍系統 中基材至目標物的距離，一濺鍍系統中目標物材料，該處 理室内的壓力，和該處理室的高度和寬度結構等會比較敏 感。 此外，現有的ICP系統所利用之平面螺旋形天線係呈現出 不對稱的狀況，其中該電漿的分配並不能對準該處理室的 中心軸。該電漿之不對稱狀況，會導致降低電装的一致 性，並會降低沉積作業或蝕刻製程的均勻度，如此一來即 會影響全系統的效率。再者，平面的天線有可能會在一製 程和相對應的參數條件下呈現出一環狀的，或油炸圈餅狀 的電漿，而在另一製程會另一參數條件下卻產生一中央峰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 518673 五、發明説明（5 ) 值的電漿。因此，在上述的ICP系統中，其電漿的形狀和均 勾度皆無法保持一致並且會視製程的條件而定。因此，針 對該積體電路之總體製造程序而言，其每一電漿製程將無 法維持一致性。 、 採用一 “S”形的天線或線圈之平面天線系統的另一缺點 為’線圈外部會些微影響到於該線圈中央部位所產生的電 漿，如此，即會在電漿内產生方位角的依賴性，並會在基 材上的蝕刻或沉積薄膜中產生一對應的方位角依賴二。^ 即是指，在該平面的一軸上所定義的線圈，其電漿的均勻 度和密度將不同於該線圈另一平面軸上的電漿。 針對感應式耦合電漿，另需注意的是必須確保能量顯等 地感應耦合至一電漿内，而非顯著地電容耦合。在感應元 件和電漿之間所出現的電容耦合現象是不受歡迎的。當採 用法拉第屏蔽來降低其電容耦纟時1是需要進行改：在 製矛壬系統中該上述屏蔽之設計方式。 因此，本發明之一目的在克服先前技藝的缺陷並提供一 電聚製程系統’及特別是—1(:1)系統，其係、可產生—密集式 的，一致的電聚。 本發明之另一目的在於提供一種一致的電聚，其可比現 有的電漿製程系統較不依賴處理室的尺寸及形狀。 再一目的即是希望能在處理室中提供_對稱的電聚。 另一目的係為了降低一 ICP系統中的電容耦合。 -ί:::又一目的係在於提供一種均勾的密集式電漿於 積的區域中，例如可供處理其尺寸大小係相當於· -8 - 本紙银尺度適财 S A4^m(2l〇X297^f 五、發明説明（6 ) 緊密的和經濟的 毫米或更大的晶圓之區域，當進行維持一 感應元件或天線之設計方式時。 、 致的電漿生成並藉此提 沉積法製程，其係較不 室的幾何特性或尺寸大 本發明之再一目的係在於提供— 供一致的製程，例如蝕刻法製程和 依賴製程參數，例如壓力及/或處理 小等。 於此將嘗試揭示利用其中納入獨特的感應 統時所能獲得之各衫同的目的。特収胸叫26日= 二請案號_7,526,標題為可用以在感應式 耦口電水中電水分配及性能之製程、裝置和方法 明該上述系統’於此係將該項專利應用項目—併列入 此所揭示之該製程系統和感應元件係可供用以製造和使用 有效的感應式耦合電漿，該系統仍需從事必要的改良及進 -步地優良化，以便能獲得改良式的lcp特性。同樣地，本 發明所所揭示之上述目的和其他的目將詳細說明如下。 發明概诚： -種可供用以處理具有一離子化電漿的一基材之製程系 統力，其包括一處理室，以定義一處理空間，其具有一基材 支木在其中，可用以支撐位在該處理空間内的一基材。一 進氣口係可導入製程氣體至該空間内，並有一可^控的電 漿源係可藉此而產生-離子化電聚於其中。依照本發明的 一概念，該電漿源包括一可操控的感應元件，其係可將電 能耦合至該處理空間之内以便在其中產生一離子化電漿。 該感應元件會纏繞在該處理室内之該一部分的處理空間周 518673 A7 B7 發明説明（ 圍，如此則該感應元件即會納入於其内部。如此一來，該 感應元件即能直接曝露於該處理空間内的電聚，而不需藉 著該處理室的一部分來耦合電磁能。 依照本發明的一實施例，當允許該元件耦合電能至該處 理空間内時，該感應元件即能被裝入於一介質材料中以便 用以物理區隔該元件和該處理空間。在一範例中，一介質 材料總成包括一内部子總成，一外部子總成，和一中央子 總成。感應元件係配置在該中央子總成的周圍，其中該外 部子總成係可隔離該感應元件和接地的處理室，^該^部 子總成則是能分別隔離該感應元件和該處理空間及電漿。 本發明也適合搭配採用不同形狀的感應元件，一適用的 形狀包括-線圈’其具有多重線圈繞組，丨中該、繞組包括 可朝向一處理室之側壁部分的節段和可朝向—處理室之端 :部分的節段’以便藉著該處理室内的側壁部分和端壁部 分而同時地將能量耦合至該處理空間内。 二：發明的另一實施例中’ 一介質封包係配置在該處理 中並可圍繞住一部分的感應元件。該封包係可包住對 :土，！!"利的元件並能藉此隔離該元件和該處理空間， :介質環氧基樹脂或其他適當的絕緣材料係可充填在該封 匕的内部以便進一步地包住該感應元件。 、 依照本發明的再一實施例，係針 ^ ^ ^ ^ τ τ對在該處理室中所配置 、 感應元件，一直流式電能源，复可@ # , /、了電耦合到該感應元 、 位置點處，並有一接地的基進 該咸庙-从 ！準點則是能電耦合到 泫α應兀件上的另一位置點處。可 保控的直流電源係可增 -10- 本紙國家標準(CNS) Α4規格(2胸97公爱） 518673 A7 _____B7 五、發明説明（8~) ' " 強该感應元件的磁化效果並可降低存在於該感應元件和該 電衆之間的電容耦合能量，藉此即可充分保護曝露在該處 理室的電漿和處理空間中的感應元件。電感器係可電耦合 在該感應元件和該直流電源之間並可藉由接地的方式而增 強該感應元件的磁化效果。 · 依照本發明的又一概念，該電漿源係可搭配利用一靜電 屏蔽來增強感應式耦合至該處理空間内的能量。該靜電屏 蔽包括一罩體，其係具有相對的表面端，其中至少有一孔 徑係可構成在該罩體的屏蔽中介於該表面之間的位置。有 一槽孔係可構成在該每一表面上最接近於該孔徑的位置， 其可和該孔徑相通以便構成一可穿過於該屏蔽的通道。該 屏蔽係可增強感應式耦合的效果，而且該獨特的槽孔則是 月b防止穿越其間的一條視線式通道以便能有效地困住可能 會穿透該屏蔽的粒子，一般來說其可防止電漿的粒子穿過 屏蔽而傳輸出去。 本發明之其他概念將可藉由研讀下列的圖式和詳細說明 内容而能更加彰顯。 II式簡單說明： 下列圖式係用以說明本發明的實施例，其不但被納入於 其中並且構成本詳細說明書的一部分，而且於下列内容中 所提供之一本發明的一般性說明，係可供說明本發明的各 項原理。 圖1係本發明一概念中的一製程系統前剖面圖。 圖1A係圖中所示的該製程系統之元件的立體分解圖。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 518673 A7

圖2係本發明之一替代性實施例之立體分解圖 圖2A，2B，及2C係可供如圖2所示製程系統之實施 用之目標物的立體圖。 圖3係本發明另一替代性實施例前剖面圖。 圖4係本發明另一實施例之部分剖開時的立體圖。 圖4A，4B，及4C係依照本發明的原理所產生之一感應元 圖5係本發明一實施例的感應元件和靜電屏蔽的立體圖。 圖5A，5B，及5C係依本發明原理產生之一靜電屏蔽的孔 徑和槽孔形狀的示意圖。 圖6係本發明的一概念中具有一點火體之一靜電屏蔽區段 的立體圖。 又 圖6A係如圖6中所示的一靜電屏蔽之剖開部分的側視圖。 詳細說明： 圖1係本發明一實施例中一製程系統12的剖面圖。系統u 包括一處理室13，其内部定義一處理空間14。製程系統P 和其中所運用的概念可適用於各種不同的感應元件，例如 在美國專利案號09/277,526中所揭示的那些感應元件。系統 12中所闡述之一種可旎的感應元件僅係為了達到說明的目 的並沒有限制之意圖。空間14内之一基材支架17係配置成 可用以支撐準備加以處理的一基材18。基材支架17可 任何適用的支架並且可結合及可操控而與其他的子系統（圖 中未示）相互耦合，如技藝中所習知的，例如一靜電式卡盤 裝置，一射頻或直流偏壓源，一加熱器，和背面氣體系 -12- 本紙張尺度適;?]巾@时鮮(CNS) A4規格㈣X 297公着y 518673 A7

:二^组的進氣口 2〇係耦合到-製程氣體供應器22， 內而椹Γ乳體供應器，卩導入一製程氣體至該處理空間14 内而構成一電漿。 處理室13係-真空室，可密封來阻隔大氣壓力。因此， 祐广所-不該處理室13耦合到一適當的真空或泵浦系 、，、（圖中未示）。在本發明中，該電漿源係沉浸在真空的處 理工間14中。電漿源，包括一感應元件，及可用以包住該 感應元件的介質材料，而且一或多組的靜電錢，可在該 f理至的内部直接耦合能量至該處理空間内。因此，處理 室係可採用—種全金屬的設計方式。通常該4王里室皆會接 地的。該處理室的内部尺寸和形狀將配合該電漿源的元件 形狀以便消除從該處理空間14和準備處理的基材18中所釋 出之任何逑途的電襞。該處理室13可採用一圓形的形狀， 或任何其他可適用於處理一基材的形狀。此外，電漿可採 用一單一式的結構或能相互耦合在一起的多重式結構。例 如電漿源可耦合至一結構或模組中，然後裝配到該基材支 架17的一主處理室罩殼上。此外，如下所述，針對ipvD製 程’目標物也必須適當地裝配到處理室上，以曝露於處理 空間14内的電漿中。 系統12包括一適當的感應元件24之一實施例，其可同時 延伸至該處理室13内的頂壁26和側壁28的周圍以及至該處 理空間14中。在許多傳統式的系統中，感應元件是配置在 處理室13及空間14的外部。依照本發明的一概念，感應元 件24是配置在處理室13内部並可直接曝露於處理空間14和 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝 場 518673 五、發明説明（η 其中的任何雷>!§ φ , , ^ 穿人* 水肀。在本發明的一實施例中，元件24係封 广將”質材料内部以便能物理區隔該空間14和其中的任何 ^ A而’被封住的元件24仍是可以加以操控以便藉著 ’丨質材料而直接耦合能量至該電漿中，因為該感應元件是 配1在该處理空間14的内部。處理室13可完全利用一適當 的孟屬’例如不錄鋼，來製成而不需設置一介質視窗或其 他的"質部分來作為該處理室的一部分。 請注意，感應元件可採用於此或在美國專利申請案號 〇9/277,526中揭示的任何一感應元件。感應元件鳩藉由一 j田的匹配裝置29a而耦合到一電能源端，例如RFf源供應 ^ ，其可對該感應元件24加偏壓以便能在該處理空間14 内遠離其中所構成之電漿（圖中未示）的區域中順利產生變 動的RF磁場，依據已知的lcp原理。該匹配裝置即是習知技 标中所h用的f路，其可搭配RF電源供應器29b及該感應 疋件24等的阻抗，以便在各種不同的情況下提供最大的輸 ^功率給元件24並輸入到一電漿中。於是電聚即能被用來 處理基材18,例如藉由電㈣刻或沉積，依照在電漿製程 技藝中習於此技者熟知的原理和技術。 由感應元件24中RF電流所產生的感應磁場，可藉著一可 包住該元件24之介質結構30而耦合至該空間^中。胃該纟士構 30係由一種介質材料構成，其係可包住該元件並可 在於空間14中的電漿/在一實施例中，如;_ yl η 1A甲所不， 結構3 0包括能結合在一起的多片式結構。 為了增強感應式搞合至處理空間14的效果， < 不·，可採用一或 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297^^ 518673 A7 B7 發明説明（12 夕組的法拉第屏蔽。一上法拉第屏蔽h係配置到最接近於 該處理至之一上端部位處，而處理空間和一下法拉第屏蔽 36則配置至該處理室中最接近於該空間μ之一下端部位 處。該法拉第屏蔽係可設置在任何感應元件之間，例如元 件24，以及能產生電漿之處理空間14中的任何位置。法拉 第屏蔽疋’名知技術，其可有效地從元件24端提供改良式的 感應式耦合能量，通過介質視窗，而輸入於該處理空間 内。法拉第屏蔽也降低在那些感應元件和電漿之間的不想 要的電容搞合。 通常 在屏蔽 會朝向 回到 係以一 的專門 術原理 的金屬 係可感 時候。 所需之 ’法拉第屏蔽包括一複數的槽孔37，38，其係構^ 中的，如圖1中所示的屏蔽35, 36。槽孔37, 38通4 成並垂直於該感應元件24的繞組端。 圖1 ,該感應元件24，同時也能被視為是一天線，$ 具有複式線圈繞組之線圈的形式呈現。於此該所言丨 術語“感應7L件，，和“天線，，會交互使用。依照習知击 ，該感應元件係一電導體的形式。導體，例如長只 線或金屬管，依照本發明的原理配置成一元件，$ 應式耦合能量至一處理室内，當電流通過該元件合 該導體纏繞或塑造成所需的形狀，例如，全視其^ 處理空間，基體和電漿參數而定。 月&併入一冷卻環4 〇，其係呈有 一内部的冷卻管道42,可供水或其他的冷卻液通過其^。 冷卻環40係可，在製造電漿時，用以冷卻該處理室13。其 他的冷卻裝置亦可使用。值得注意的是，該處理室13亦^

裝 訂

518673 A7 B7 五、發明説明（13 _ &到適^的真空系統（圖中未示）。該處理室13則是進 一步地包括適當的輸送管道以便能傳輸該感應元件24的相 對端子25a，25b。該絕緣體27係可隔絕端子及接地的處理 室13。此外，依照已知的原理，製程系統通常係具備控制 及監視系統，其係為一電漿製程系統所必須具備的，例如 一壓力控制系統，一靜電式卡盤溫度控制系統，和其他系 統（圖中未示），此皆是習於此技者習知之技術。 依照本發明的一概念，可包住該感應元件之介質結構3〇 包括可套疊在一起的多片式結構，以便能包住該感應元件 24並能防止迷失的電漿釋出在該主處理空間外面最接近於 基材18的位置。請參考圖1A，其中所示的係為該系統12組 件的爆炸圖。明確地說法為，圖中所示之介質結構3〇的實 施例，包括一外部的介質子總成5〇 , 一中央的子總成52 , 和一内部的子總成54。在說明的實施例中，其中所示的該 感應元件2 4係纏繞在该中央子總成的周圍。為達成此項目 的，可用以包住該感應元件之各種不同的子總成5〇，52 , 及54係必須塑造成適當的形狀，全視其所採用之感應元件 的形狀而定。值得注意的是，該感應元件可採用各種不同 的適當形狀。在圖1及1A中所揭示之感應元件24係利用一系 列的線圈’其係纏繞並從最接近於該處理室13的頂壁26和 側壁28端延伸出去。因此，每一子總成通常包括一頂端或 上端部分和一側端部分。如圖所示，那些部分可採用一單 片或個別的片狀結構。明確地說法為，外部子總成$ 〇包括 部位50a及50b，其可相互搭配以便能包住該元件24的各種 -16- t紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐） 518673

線圈繞組。明確地說法為，該感應元件24包括線圈繞組， 其同時也具有頂端的線圈部位24a和側端線部位24b。為了 獲得該項結果，該子總成50的部位5〇a係可用來包住該頂端 線圈部位24a及部分的側端線圈部位24b，當該將子總成5〇 的部位50b係用來包住該側端線圈部位24b時。因此，該子 總成50之各種不同的部分50a，5〇13的尺寸係配置成能順利 地包住該感應元件24。吾人必須了解，本發明的子總成可 採用其他的形狀，全視其所使用的感應元件而定。於此所 不之子總成52係為一種單片式的結構，其包括一頂端部分 52a及一側端部分52b。以線圈形式存在的感應元件24，在 實際上會纏繞在子總成52的周圍。如圖i中所示，接著該子 總成52的尺寸即會配置成能套疊在該子總成5〇的内部。 同樣地，該内部子總成54包括一頂端部分54a和一側端部 分54b。如圖式中所示，部分54a和54b的結構及尺寸可配置 成得以套疊在該子總成52的内部。若將所有的子總成全都 套疊在一起，則該元件24即會包住並能和處理空間14内的 一電漿互相隔離。 \ 感應元件24和可用以包住電漿處理空間内感應元件之各 種不同的子總成50，52，和54等，其全部的尺寸皆可依據 習知的原理而適當地加以配置，以便能在該處理空間内提 供一密度如你所需的電漿。電漿的流量，利用其形狀類似 於如圖中所示之一感應元件24 ,會受到該感應元件的直徑 和咼度之間的比率而定，並會藉由該線圈繞組的尺寸而反 映出來。因此，係可依據經驗來定出一適當尺寸的感應元 ____- 17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 518673 A7 ___ B7 五、發明説明（15 ) 件24。通常，有一種冷卻液，例如水，可在該感應元件内 循環。為達成此項目的，該感應元件24係可採用一種空心 導管’像導體那樣，並能以所需的形狀來加以纏繞。 如圖1A所示，該内部介質子總成54可配置成非常薄的結 構，若和該子總成5 0相比較的話，而且其可具有厚度範圍 大約為3-6亳米左右的壁面。其中所示的元件24會纏繞在該 子總成5 2的周圍。子總成5 2會隔開位在該處理空間14中的 該感應元件和該電漿。如圖1A中所示，該子總成5 2係可利 用配置於其中的溝槽，無論是外部的或内部的，以便讓導 體得以構成該感應元件24造形。此即是說，導體是可纏繞 在该子總成52内的溝槽周圍，以便能構成形狀如你所需的 感應元件24。該子總成52可對該感應元件提供機械式的支 架。子總成52的厚度可適度地加以規範。例如，具有％1〇 笔米壁面厚度範圍的介質總成52係可適用於機械式地支撐 該感應7C*件。 感應元件24也必須和接地的處理室丨3相互隔開。為達成 此項目的，子總成50通常是比可用以包住該感應元件之其 他的子總成更厚。舉例來說，子總成5〇和特定的部分5〇a和 50b可具有一厚度大於2〇毫来的壁面。各種不同的子總成 50，52，和54，的形狀係可適度地加以塑造以便能妥善地 包住及支撐該感應元件24，當進行防止一電漿受到衝擊並 在該介質結構30中加以維護，如此才不會讓它影響到該感 應元件24。該子總成50的頂端部分5〇a包括適當地構成孔穴 60以便能對正配置在該處理室3〇内的孔穴61故可隔離元件 -18-

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27並可讓感應元件綠 . 、 25及25b順利通過該子總成50和該 處理室13。為達成此jgg & ^ 、目的，*執行電漿製程時，可包住 該感應兀件24之介皙纟士姓 〇 1貝結構30亦可防止感應元件發生濺射或 塗佈。 介質子總成係可利用 子總成54可採用石英。 供最適宜的結果。 一適當的陶器材料來構成。該内部 石英對於耦合到元件24之RF場可提 一靜電屏蔽總成62包括—頂端靜電屏蔽62a和-側端屏蔽 62b。如上所述，該屏蔽係適當地切割成槽孔37和38。屏蔽 62a，62b係加以建構及配置尺寸，以便進一步套疊在内部 子w成54的内，其係配置在該感應元件和該處理空間 14之間的位置。若該屏蔽仏和㈣係配置成個別的片狀結 構時，其亦可製成為_單一式，或—整片式的片狀結構。 在-iPVD系統中，材料會從一目標物端濺射出去並且在 開始/儿積到基材18之前，其係可進一步地離子化。為達 成此項目的，依照本發明之再一實施例，該處理室13係可 適田地建構成為能罩住一或多個的欲加以濺鍍之材料的目 標物。請參考圖2，該處理室13可配置成能具有開口或孔穴 66在其中，以便能接納一或多個的目標物總成。每一子總 成5〇，52，54及屏蔽總成62係可適當地建構成能讓該目標 物總成68曝露在電漿處理空間14中以便能順利地濺鍍電 漿。為達成此項目的，該總成之頂端部分或區域係處於開 啟狀態的，以便耦合目標物及處理空間14。舉例來說，在 子總成50中，該頂端部分5〇a的任一側係具有一切開的區域 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 518673 A7 B7 五、發明説明（17 ) 5 1，以便讓該目標物總成68得以延伸到該處理空間内。其 他的子總成和靜電屏蔽總成係具有類似的切開區域以便能 在處理空間14和目標物總成68之間提供進出的管道，如圖2 所示。 參照圖2,並同時參考圖2A，2B，和2(：，該每一目標物 總成係可包括一適當的材料目標物68a，其可順利地被濺鍍 到基材118上。該目標物68a可適當地附著在一冷卻板6化 上，以便能讓冷卻液得以經由一循環系統69而循環其間。 冷部板68b可被固定至一背板68c上。通常，該目標物材料 68a係以直流偏壓處理的。因此，即必須將一適當的直流連 結70耦合到目標物68a端，藉由板狀結構6此，,並且耦 δ到適田的直流電源端（圖中未示）。圖2Α，2Β，及2C係 說明不同形狀的目標物，其可配置在系統中12&中，而在圖 2中所示的則是必要的沉積參數。舉例來說，目標物可採用 一種扁平的目標物72，如圖2B中所示的。亦可選擇，目標 物亦可採用-種凹面的形狀，如圖2八和％中所示的。圖Μ 中所示之目標物74係具有一凹形表面74a，其係不同於末端 表面74b。如此這般的設計方式係可加以利用，若該系統中 目標物末端的磨損程度會大於其中央部位時。同樣地，如 圖2C中所示，目標物76係可藉由表面76a和有角度的表面 76b來構成一凹面形的表面。該目標物的凹形表面係可修正 及改良從該目標物流向中央處理（電離）區之濺錢流通量的 f向性。因此’凹面形目標物係可提供濺鍍的粒子較佳的 -20- 518673 A7 B7 五、發明説明（18 介又一實施例，其中該感應元件係裝入在 ^ ’以便能物理區隔該處理空間的元件，當 ΐ =件輕合電能至處理空間内時。感應元件係配置在 祕至的内部而且係藉此而直接曝露於電聚環境中。明確 也二照圖3’製程系統㈣納人_處理室82。而系統齡處 至82可納入類似於如上所述之圖所示之系統η中各種 ，件以便能順利完成電漿製程，例如蝕刻或沉積。 為達成此項目的’像是元件，如先前於圖i，ια，及2中已 經討論過的，在圖3中將賦予相似的參考編號，即使該一或 f個形狀的元件可能有些微不同，如圖3中所示之替代性的 實施例。 於圖3中，可包住感應元件之該介質材料包括一介質封包 84 ’其會沿著該處理室82的頂壁及側壁而配置在感應元件 24周圍。封包84係可利用石英或其他適當的陶器材料來製 成的。封包84可依照該處理室82内部的形狀以及該感應元 件的形狀而建構。為達成此項目的，封包料係可依照本發 明的原理並視該感應元件的形狀而採取不同的適當形狀。 封包8 4係可搭配處ί里室8 2而提供一容積來裝人該感應元件 24。依照本發明的另一概念，該容積内會充填一種環氧基 樹脂86，其會圍繞在感應元件24四周並且進一步地將該感 應元件裝入-介質材料中。最好是，充填到封包84中的環 氧基樹脂係為液態的或半液態的，並能在該處理室内加以 乾燥以便能降低其中的壓力。當其固化時，粗略的真空狀 況亦能讓環氧基樹脂順利地釋出氣體。可採用其他適=的

518673 A7 B7 五、發明説明（19 ) -----~--- 、邑緣材料來充填封包84内部的空間。 擇接：：^理Ϊ 82係可利用-側來包住感應元件。亦可選 ^处理室頂壁及側壁上配置額外的接地屏蔽（圖中未 以便能進一步地將感應元件包入環氧基樹脂中。如上 斤迹，有-接地的靜電屏蔽88係配置在該封包討的内部。 …1Α和2係說明針對沿著該處理室的側壁及頂壁 出去的感應元件部分搭配採用個別的屏蔽。亦可選擇，如 ^ 3中所示，屏蔽88亦可採用一單片式的槽孔89以便容納沿 者該處理室82的頂壁和部分的側壁端延伸出去的線圈繞組 91，以及槽孔90，其係可容納沿著該處理室的側壁端延伸 出去的繞組93。有一密封94係可配置在封包以和該處理室 、/、他α卩位處，例如冷卻環。有一類似的密封3 1係呈現 在圖1的系統12中。 圖4係說明本發明另一實施例，其係利用一種能自動磁化 的感應元件24，其並未被裝入一介質材料中，然而其係配 置在該處理室内部並且會曝露於處理空間中。有一直流電 能源係可電耦合至該感應元件24上一位置點處並且一接地 基準點則是能電耦合至該感應元件上另一位置點處。可操 控的直流電源係可用以增強該感應元件的磁化效果，以便 月b藉此降低在該感應元件和該電漿之間的電容耦合能量。 因此’即可降低局部化電容耦合的效應並可減少該感應元 件的濺射狀況。該感應元件可直接曝露到處理室内未裝入 介質材料中的電漿。 請參考圖4，其中相同的編號係代表相類似的元件，如先 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 518673

刖所闡述的，感應元件24則是配置在該處理室ι3内，而且 會曝露於沒有裝入於介質材料中的該處理空間14。因此， 在電桌的製程期間，該感應元件24會曝露於電漿中。該感 應元件會配置成絕緣的狀態而非採取物理性的覆蓋方式。 圖4A，4B，及4C係說明本發明各種不同的實施例，其中該 感應元件是藉由不同方式的直流偏壓來操控一推拉式的結 ，體。士述的結構體可產生數種情況，其中該感應元件可 田作半波諧振器。為達到此項目的，電感器和電容器即 必須耦合在該直流電源供應器及該感應元件端子之間，以 及在该元件上並不是耦合到該直流電源供應器或一接地基 準點之外的位置點處。 特別參考圖4A，一 DC電源98會耦合到該感應元件上一位 置點處，例如端子25a。而該感應元件上的另一位置點處， 例如端子25b則是被接地到一接地基準點1〇〇端。該感應元 件24會藉著一 電源供應器（在圖4A中並圖中未示）而承受 RF偏壓，其可藉由一適當的匹配網路1〇2而耦合到該元件以 端。匹配網路1 〇2，或MNU，通常係含有各種不同的電容的 疋件103，以獲得所需的頻率匹配。該直流電源供應器98會 藉著電感為104而耦合到端子25a，而端子25b則是會透過一 電感器105而接地。一電容器106延伸在直流電源端98和接 地的基準點1 〇〇之間。該處理室丨3也能接地。利用如圖4a中 所闡述之電路結構，在感應式耦合電漿中的該電容性電流 係可在該感應元件24的内部來加以補償。最好是，該電衆 不會有任何巨大的電容耦合至該接地基準點，當激發頻率 __ - 23 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 518673

係用來激勵該感應元件時。因此，即可維持低的電萝電 位。圖4A，4B和4C中所揭示的結構，係可增強該感應^件 24的磁化效果並可藉此提供一種電漿電子的抑制效果。此 即是，能降低該電漿的電子損耗。如此一來，即可降低出 現在該感應元件24和一電漿之間的局部化電容耦合效應， 同時亦可藉此減低該感應元件24出現電漿濺射的機率:同 時亦可預期在圖4，4A，4B ,及4C中所揭示的實施例，也 能增強配置在該處理室u内電漿的密度，當該感應元件24 中藉由直流電流偏壓所產生的磁場於達到一適當的數值時 即可產生如該技藝中所提及之“whistler波，，。發明者預期該 感應元件24會具有一大約為5〇南斯的直流磁場來感應上述 之whistler波的增強效應。 圖4B係說明本發明的另一實施例，其中該直流電源係藉 者電感器104’ 108而同時_合到端子25a，25b。此即是， 該感應元件24的二組相對的端子都會電耦合到該直流電源 98端。位在該感應元件24上介於相對的端子24a , 24b之間 的一位置點即會藉著該電感器10 5而輕合到一接地基準點， 如圖4B所示。舉例來說，該接地點n〇係可能會位在該感應 元件24的相對端子25a，25b間的中間位置。圖4C係說明另 一實施例，其中該直流電源係耦合至介於端子之間的位置 點110’然而端子25a，25b是透過電感器i〇5a，105b而接 地0 圖5，5A，5B，和5C中係說明本發明的另一概念，該靜 電屏蔽可減低耦合在一處理室的感應元件和一電漿之間的 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 518673 五、發明説明（a 電容。 狀況之^胜本毛明的靜電屏蔽係利用一種能改良電漿點火 而且不/ 造’其可允許維持—低功率的電容電漿， 仰賴特別複雜的製造方法即能充分地加以冷卻。 二瓦V、需ΐ將一電容電漿維持於非常低灯功率位準(低於 述的電將Π 處理室載人及卸載晶圓的時候。維持上 同時也能降低粒子污染的狀況，故可提供一種很 二易再：動的《，以及亦可提供一種能快速變形成一感 模態中的電容，如此即能去除通常必須賴以點燃 電水之額外的電極，如在ipvDt一般。 圖5中所示的係為依照本發明的原理而構成二組靜電屏蔽 ,貫施例。屏蔽120可搭配一感應元件122一起使用，其係 利用-種重複式元件節段124之環狀的結構。該類似的替代 !生感應7L件則疋揭不於美國專利案號Q9/ 277, 526中。依，昭本 :明所揭示的内容，屏蔽120通常會配置在最接近於一處理 至頂壁的位置，並可適當地裝入一介質材料中。 口屏敝126可延伸至該處理室的側壁周圍以便能搭配利用一 圓柱幵/或螺旋狀的感應元件，例士口 一種螺旋狀的線圈（圖中 未不）。在上述兩種情況下，藉由屏蔽12〇和126，在該屏蔽 中斤構成之各種不同的槽孔通常會垂直於該感應元件的導 體節段端，例如感應元件丨22。 在屏蔽120, 126中，一金屬的屏蔽係利用一種非磁性的 電導性材料所製成的，例如銅或鍍銀的銅，其係鑽孔，以 便在其中構成電洞。其他的材料例如鋁或鉬，亦可採用。 -25 518673

通书，4屏蔽絕對不能在該處理室中造成污染，由於減鑛 材料從該屏蔽端剝落之故，目此它必須具有良好的黏著性 並且應該能相容於任何的化學製程。在該屏蔽12()上係鑽出 各種不同的孔徑130並且其係從邊屏蔽12〇平面上一中心點 端呈放射狀地向外延伸。裂縫132即會構成在該屏蔽中相對 的表面120a，12〇b端。裂縫會搭配那些孔徑13〇 一起構成。 在相對表面上的那些裂縫係配置在該孔徑中相對的側邊 上，所以不會有視線通道穿過該屏蔽，（參考圖式5A, 5B， 和5C)。圖5A ’ 5B ’和5C中所示的係為不同方向的槽孔及 其4接的孔彳工。舉例來說，在圖5A巾，該槽孔i 32係配置在 一孔徑130的侧邊之表面12(^上，該孔徑13〇係位於該表面 120b上所構成之槽孔134的對面端位置。圖5八係說明一實施 例其中孩母的槽孔係以相同的方式朝向鄰接的孔徑。 圖5B和5C係說明該屏蔽之一替代性的設計方式，其中該鄰 接於孔徑的槽孔會相互排列在該屏蔽中各種不同的表面 上。此即是說，該每一孔徑在係相互傾斜丨8〇。，以致於該 鄰接孔徑的槽孔會相互排列在其中一表面上，並和另一表 面端隔的更遠。若參考圖5]5和5(：，在該屏蔽136中，配置在 表面136b上的那些槽孔138係直接鄰接在孔徑137，139之 間，然而配置在表面13以上的槽孔14〇則是隔得比較開。而 如圖5C中所示，若觀察下一鄰接的孔徑14〇 ,則配置在孔徑 139和140之間的槽孔14〇會直接相互鄰接於表面15以上，然 而此時配置在表面136b上的該槽孔138則會隔得比較開。如 圖5B和5C中所示，該配置模式會持續地出現在該屏蔽的周

裝 訂

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518673 A7 B7

圍。 參照圖5，屏蔽126係以類似於上所述之模式來構成孔徑 和槽孔。然而，不同的孔徑14〇和槽孔！ 42大致平行地朝向 該圓柱形屏蔽126的主軸端。 σ亥屏敝12 0，12 6係具有強固的機械性並且不會藉著該屏 敗而提供視線通道。如此一來，該屏蔽即能有效地困住可 能會穿透屏蔽的粒子，而且屏蔽係證明其係特別有效於一 般的防護作用以及減低電漿的粒子從其間傳輸出去的機 率。 依照本發明的另一概念，該屏蔽係採用獨特的孔徑和槽 孔配置，如圖5Α’ 5Β，及5〇：中所示，同時亦可加以修飾二 便在低功率位準時能提供一點火體來點燃一電漿。參照圖6 和6Α，-或多個開口空間可在一屏蔽16〇中構成，以便能分 別耦合構成於其中的一或多個槽孔152。屏蔽16〇係利用類 似於上述的方式來製造的，而且包括能在該屏蔽的相對表 面16〇a，160b上構成孔徑156和一複數的槽孔丨^，154。開 口空間150，通常呈矩形，例如，如圖6中所述的，可在該 屏蔽160中產生一點火體以便提供做為電容電漿的點火= 能。該開口空間15G係構成在該屏蔽16时面對於該感應元 件如上所述之元件24的側邊上。（如圖从所示）該開口空間 係可提供一較大的開口區域，其可鄰接於一或多個槽孔M2 以便能進行電t點火。在低功率位準，例如低於％瓦特 時’有-電容電漿即會在該點火體或開口空間15〇中點燃， 該電容電漿之高機動性荷電粒子，大多假定是電子，將會 -27- 518673 A7 --- —__B7 五、發明説明（25 ) 從該點火體150端通過該鄰接的槽孔152而散播，並進入該 處理室的主處理空間中。接著來自於點火體〗5〇的電漿即撞 擊並離子化該處理空間中的氣體。如圖6所示，一適當的屏 蔽可利用一或多個特定的點火體。 此外，依照發明的一替代性實施例，該感應元件中的導 體希段170 ’通常可垂直延伸至不同的槽孔152，154，其尺 寸係大於最接近的點火體1 5〇，以便能進一步地協助產生一 電谷電漿。圖6A中所闡述之一感應元件24係具有一放大的 區段172 ’其係直接鄰接於該點火體丨5〇。依照本發明的原 理’該靜電屏蔽通常皆是可以接地的。然而，在某些應用 項目中亦可使用一種電浮動式的屏蔽。此外，亦能利用沒 有配置屏蔽的那些感應元件。 儘管本發明的揭示内容係已經藉由數項實施例來加以說 明’惟以上所揭示者，僅為其中數項較佳可行之實施例而 已’不能以此限定本發明之實施範圍或以任何形式來限制 該上述内容所闡述之申請專利範圍之精神與範疇。額外的 效益和修飾將可立即彰顯在該技藝中各項熟練的技術上。 然而，本發明之較廣博的概念並非僅限於適用特定的代表 性裝置和方法，及詳細說明内容中所闡述的範例。因此， 針對本發明所作的特殊變異必然不應被視為是脫離本發明 所提及之各項觀點的範圍。 -28 -

Claims (1)

1. ；673 $ 090121359號專利申請案 請專利範圍修正本（91年U月) 申請專利範圍

   離子化電漿的一基材之處理系 一種用以處理具有一 統’該系統包括： 處理▲，係定義一處理空間，且包括一基材支架 在其中以便用以支撐在該處理空間中的一基材； 進軋口，係可用以導入一製程氣體至該處理空間 内；· 一可操控的電漿源，係可藉由導入於其中的製程氣 體而在該處理空間内產生一離子化電漿，該電漿源包 括： 一可操控的感應元件，係耦合電能至一處理空間 内，以便在其中產生一離子化電漿； 該感應元件係纏繞在該處理室内之一部分處理空間 周圍，而該感應元件即裝入於一介質材料内部，以利 實質區隔該元件及該處理空間，當允許該元件耦合電 能至該處理空間内時。 2. 如申请專利範圍第1項之處理系統，進一步包括配置在 該感應元件周圍的一介質材料總成，該總成包括一外 部介質子總成和一内部介質子總成，而該内部子總成 的配置方式不但能嚙合於該外部子總成並可擷取其間 的感應元件，以便將該感應元件裝入於介質材料中。 3. 如申請專利範圍第2項之處理系統，其中該内部子總成 係配置成可部份套疊在該外部子總成的内侧。 4. 如申請專利範圍第.2項之處理系統，其中該介質材料總 成進一步包括一中央子總成，該感應元件係配置在該 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公釐) 518673 A8 B8 C8 -------D8 六、申請專利範圍 中央子總成的周圍而該中央子總成則是位在該内部及 外邵子總成之間的位置，以便藉此包住該感應元件。 5.如申請專利範圍第2項之處理系統，其中該感應元件包 括-具有多重的線圈繞组之線圈，該每一繞组包括一 能朝向-處理室侧壁部分的節段，以及一能朝向一處 理室端壁部分的節段，以便藉著該處理室内的侧壁部 分和端壁部分而同時地將能量耦合至該處理空間内， 於該内部和外部子總成中至少有—包含一可和朝向於 該侧壁部分的節段相互耦合之第一區段，以及一可和 朝向於該端壁部分的節段相互耦合之第二區段。 6·如申請專利範圍第i項之處理系統，其中該感應元件包 括—具有多重的線圈繞组之線圈，其可沿著該線圈的 長度方向連續式地配置下去，該線圈繞组中至少有一 朝向一第一平面，該線圈繞組中至少有一朝向一第二 平面，其係和該第一平面形成傾斜式的配置方式。 7·如申請專利範圍第1項之處理系統，其中該感應元件包 括複數的重複導體節段，其概呈環狀配置在該處理室 中心軸的四周。 8·如申請專利範圍第i項之處理系統，進一步包括一法拉 第屏蔽’其可耦合該介質材料總成，以便能藉此影響 遠感應元件的操控方式。 9.如申請專利範圍第丨項之處理系統，進一步地在該處理 主中包括一開口，其至少可設置在該感應元件下方的 一部位處，一目標物係設置在該開口内並會曝露於該 -2-

   處里二間中，以便以—離子化電漿測錢。 請專利範圍第i項之處理系統，進—步包括一介賀 的二其係配置在該處理空間内並可環繞住該-部分 封包係可包住對該處理室不利的元: 、把藉此隔離凌元件和該處理空間。 專利範圍第ι〇項之處理系統，進-步包括-介 %讀樹脂’其係可充填在該封包的内部以便進— 步包住該感應元件。 12·如申請專利範圍第1G項之處理系統，其中該介質封 係利用石英製成。 13· 一種用以處理具有一離子化電漿的一基材之處理系 統，該系統包括： ’' -處理室，係定義一處理空間並可包括一基材支架 在其中，用以支撐在該處理空間中的一基材； 進氣口，用以導入一製程氣體至該處理空間中； 一可操控的電漿源，係藉由導入於其間的製程氣體 而在該處理空間中產生一離子化電漿，該電漿源包 括： 可操控的感應元件’係將電能麵合至該處理空間 内，以利於其間產生一離子化電漿； 一直流式電能源，係電耦合到該感應元件上的一位 置點處，並有一接地的基準點可電耦合到該感應元件 上’和該直流源所耦合的位置點相互隔開之另一位置 點處，該可操控的直流源係可增強該感應元件的磁 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   裝 t 518673 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 化，並可降低存在於該感應元件和該電漿之間的電容 搞合能量。 14·如申請專利範圍第13項之處理系統，進一步包括一電 感器’可電耦合在該感應元件和該至少一的直流源和 該接地基準點等之間的位置。 15.如申請專利範圍第13項之處理系統，其中該感應元件 包括在該元件相對端的相對的端子，該直流源係可電 搞合到該其中之一的端子，而另一端子則是能電耦合 到該接地基準點端。 16·如申請專利範圍第13項之處理系統，其中該感應元件 包括相對的端子，其係配置在最接近於該元件相對端 的位置，該直流源可電耦合到該感應元件上能同時最 接近於該二端子的位置，該接地基準點則可電耦合到 該感應元件上介於該端子之間的一位置點。 17·如申請專利範圍第13項之處理系統，其中該感應元件 包括相對的端子，其係配置在最接近於該元件相對端 的位置，該接地基準點可電耦合到該感應元件上能同 時最接近於該二端子的位置，該直流源則可電镇合到 該感應元件上介於該二端子之間的一位置點。 18. 如申請專利範圍第13項之處理系統，進一步包括一電 容器，其係耦合在該直流源和該接地的基準點之間的 位置。 19. 一種用以處理具有一離子化電漿的一基材之處理系 統，該系統包括： -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公爱) 518673 A8 B8

   處理室，係定義一處理空間並可包括_ 在其中，用以支撐在該處理空間中的一基材 基材支架 一進氣口 中； 係用以導入一製程氣體至該處理空間 一可操控的電漿源，係可藉由導入於其間的製程氣 體而在該處理空間中產生一離子化電漿，其並可 一可操控的感應元件以便將電能耦合至該處理空間 内，以便能在其間產生一離子化電漿，該感應元件係 可環繞住位在該處理室内部之該一部分的處理空間； 一靜電屏蔽，係配置在最接近於該感應元件的位 置’以便增強感應式耦合至該處理空間内的能量； 孩靜電屏蔽包括一罩體，其係具有相對的表面端， 至少有一孔徑可構成在該屏蔽中沿著該罩體的方向及 介於表面端之間的位置，有一槽孔可構成在每一表面 上最接近於該孔徑的位置，且亦能和該孔徑相通以便 構成一能穿過該屏蔽的通道。 20·如申請專利範圍第19項之處理系統，其中該孔徑的形 狀係概呈圓柱形。 21·如申請專利範圍第19項之處理系統，其中該槽孔的形 狀係概呈矩形。 22·如申請專利範圍第19項之處理系統，其中該屏蔽之一 第一表面大致面向該感應元件，該屏蔽則進一步包括 可在該第一表面上形成一開口空間，該可操控的開口 空間可提供一點火體，以便能點燃其中的離子化電 -5-

   裝 訂 f 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 518673 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 漿，該開口空間會.耦合到形成於該第一表面上的槽 孔，以便藉著該孔徑及槽孔來分配已點燃的電漿並送 入該處理空間内。 23. —種用以處理具有一離子化電漿的一基材之方法，該 方法包括： 將一基材配置在一處理室的一處理空間中； 將一製程氣體導入於該處理空間内； 將一感應元件配置在該處理室的處理空間内並耦合 電能至該感應元件端，以便藉由該製程氣體而產生一 電漿； 將該感應元件裝入一介質材料内並且實際區隔該元 件和該處理空間，當允許該元件耦合電能至該處理空 間内時。 24. 如申請專利範圍第23項之方法，進一步包括將感應元 件裝入一介質材料總成内，其係包含一外部介質子總 成和一内部介質子總成，該内部子總成係配置成能嚙 合該外部子總成並可擷取存在於其間的感應元件並因 而能就此包住該感應元件。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該介質材料總成 進一步包括一中央子總成；該方法進一步包括能將感 應元件配置在該中央子總成的周圍並將該中央子總成 配置在該内部和該外部子總成之間的位置，以便藉此 而包住該感應元件。 26. 如申請專利範圍第23項之方法，進一步包括在該處理 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A B c D 518673 六、申請專利範圍 空間内，將一介質封包配置在該一部分感應元件的周 圍並可包住不利於該處理室的元件。 27. 如申請專利範圍第26項之方法，進一步包括以一介質 環氧基樹脂充填該封包的内部，以便進一步地包住該 感應元件。 28. —種用以處理具有一離子化電漿的一基材之方法，該 方法包括： 將一基材配置在一處理室内的一處理空間中； 將一製程氣體導入於該處理空間中； 將一感應元件配置在該處理室的該處理空間内並可 耦合一電能至該感應元件端，以便藉由該製程氣體而 產生一電漿； 將一直流源電耦合到該感應元件上的一位置點處， 並將一接地的基準點電耦合到該感應元件上和該直流 源所耦合的位置點相互隔開之另一位置點處，該可操 控的直流源係可增強該感應元件的磁化，並可降低存 在於該感應元件和該電漿之間的電容耦合能量。 29. 如申請專利範圍第28項之方法，進一步包括電耦合一 電感器，其係配置在該感應元件和該直流源和該接地 基準點中之至少一個之間的位置。 30. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該感應元件包括 位在該元件的相對端之相對端子，該方法包括耦合該 直流源至其中之一的端子處，且將另一的端子耦合到 該接地基準點。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A B c D 518673 々、申請專利範圍 31. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該感應元件包括 相對的端子，其係位於最接近於該元件相對二端的位 置，該方法包括將直流源耦合至該感應元件上同時最 接近於該二端子的位置，且將該接地基準點耦合至該 感應元件上介於該二端子之間的一位置點。 32. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該感應元件包括 相對的端子，其係最接近於該元件上相對二端的位 置，該方法包括將該接地基準點耦合至該感應元件上 能同時最接近於該二端子的一位置點處，並且包括將 該直流源耦合至該感應元件上介於該二端子之間的一 位置點處。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)