TW409279B - Charged particle beam system with optical microscope - Google Patents

Description

409272 A7 B7 五、發明説明（i ) 發明之範園 本發明係關於例如爲聚焦離子束之一種帶電粒子束裝 置，此種裝置屬於—般用於打磨積體電路（Ic)之裝置， 特別係關於在系統眞空室内具有一光學顯微鏡之系統。 發明之背景 帶電粒子束系統，例如掃描電子顯微鏡（SEM)，電子束 探針及聚焦離子束（FIB)系統，係以各種不同方式使用， 以有助於對ic裝置之診斷及修理。舉例而言，FIB系统係 用以將覆蓋於導體上材料磨掉以將導體露出，以便將導體 截斷或與其他導體連接而從事修改或修理。當有關之導體 由覆蓋層隱藏時，即需要有可以找到其位置之方法，以便 月匕精確決疋其位置以供打磨之用。爲能處理此問題，迄今 已提出有各種不同之方法。 在傳統上’ 1C裝置（晶片）中之結構可由帶電粒子束裝置 自1C裝置之前方表面接達。然而，當有關區域係位於電 源層下方時’使用任何方法均無法看到其結構，即使當將 電源層去掉時，亦無法自FIB或電子束影像中看到柘樸特 點。雖然亦可能看透基體，但矽在紅外線波長情況下係屬 透明’或當電源層去掉時，如欲設計一系統使其中之光學 系統可有一 FIB系統之相同視斧仍屬極端困難之事。同屬 困難並且化費筇貴之事，爲產生一活動載物台以便可使用 目視成像’以確定在一位置之一晶片上之一 FIB位置，然 後此晶片被移至另一位置以供FIB處理之用。 美國專利第4,683,378號中説明4種用於控制FIB打磨操 »斗Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 40927S A7 _ B7 五、發明説明（2 ) 作方式’於此種操作中有關之結構係藏於覆蓋層之下方。 第一種方法係將掃描離子影像與Cad資料相比較以推論有 關FIB之位置。第二種方法爲將一參考晶片置於一光學顯 微鏡下方及使用此參考晶片以確定在SIM影像中之位置。 第三種方法係使晶片於—光學顯微鏡與SIM之間移動及比 較得自二者之影像，以找出有關之位置。第四種方法爲使 在光學，電子束及掃描離子顯微鏡之間移動，以提供不同 可見性或者不同分解度之物體影像。後面之三種方法需使 用高度精確之載物台，以將晶片於顯微鏡間移動以使影像 對齊。其他所提議之於FIB處理中所使用之光學影像，一 般均屬於此等方法中之一種或另一種。 迄今亦提出有試行克服此問題之方法，此方法使用一 FIB以將一標記置於晶片上，將此晶片移至一光學顯微鏡 及尋找此標記’俾便確定此標記相對於晶片中之結構之位 置，及然後將此晶片移回至FIB及使用此標記及光學資訊 於ΠΒ打光操作期間以作爲導引之用β此方法所具有之問 題爲FIB標記需較長時間，需要三個步驟及需要移動晶片 二次使其於光學與FIB位置之間移動。 本發明之一目的爲提供一種使光學技術與帶電粒子技術 合併使用之技術，用以在無上埤問題情況下處理晶片。 發明之簡述 本發明…提供一種帶電粒子束系統，包括_眞空室，一光 學顯微鏡以其於此眞空室之一第一區域中有一視界；一雷 射光以其與光學顯微鏡相對準以便投射—雷射光束進入第 __ __-5- 本紙張域適用中國國家$7^« ) A4^ ( 210X297公釐) _ -- d 裝 : 訂 i 線 1：請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) * 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 409278 a? ----------B7 五、發明説明（3 ) 區域；一帶電粒子束柱以其位於眞空室中及經配置俾使 將~帶電粒子束聚焦使其進入眞空室之一第二區域；及一 樣本支承裝置以其位於眞空室中及可於第一區域中第一位 置與第二區域中之第二位置之間移動。 本發明亦提供一種處理帶電粒子離子束系統中之一樣本 之方法’包括將一樣本置於一眞空室中之一第一位置；於 此第一位置處獲致—光學影像；將一在樣本中爲可見之標 "己置於樣本之上；將樣本移至眞空室中之一第二位置；以 —帶電粒子束掃描此樣本，檢測由此樣本所產生之粒子 (->次帶電粒子，散射之一次粒子，光予等）以便獲致包括 此標記之—對比影像；及使用光學影像反對比影像以控制 帶電粒子束以處理樣本。 本發明之特點爲光學顯微鏡，雷射及束射柱均於眞空室 中操作。將光學顯微鏡或雷射置於眞空室中並非必需，但 是如有需要時應可如此設置，惟顯微鏡及電射光束之投射 則必需送入眞空室中。因此即可使用得自顯微鏡之影像以 控制射束。此外使用雷射以於可見之光學及對比影像二者 之表面上提供一標記，可獲致前所未有之精確性控制、且 無需有一具極高精確性之載物台。 此帶電粒子束裝置可爲一 SEM，電子束探針或FIB裝 置’惟以後者爲較佳（於本文中始終使用—詞，但將 可瞭解本發明不受如此限制，其他裝置在情況允許之情沉 下亦可使用）。於需要時，可包括一雷射掃描顯微鏡之光 學顯微鏡之實施之較佳者，係具有儘可能高之在〇25微米 _- - _- 6 - 本紙張用悄ϋ家標準（CNS) A4規格（ 2ί〇Χ297公釐) I--^-IU.---裝--------訂------線 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部中失標準局負工消#合作社印製 40927S A7 _____ B7 五、發明説明（4 ) 範圍之分解度’最大可能之放大一般在2〇〇χ_4〇〇〇χ範 圍。可使用任何適當之裝置以導引FIB裝置至晶片上之正 確位置。如選用CCD裝置時，其他例如光導攝像管，光電 倍增器等裝置，亦可予以使用。雷射一般係在光譜中可見 之紅外線或紫外線範圍操作，例如使用一綠色/紫外線雷

射。如使用—特別適用之裝置，此雷射係經配置沿顯微鏡 之光相投射其光束D 在使用時，本發明係以如下方式操作 (1) 將樣本置於光學顯微鏡之視界中之眞空室内。樣本 之有關特點將爲可見及顯微鏡可藉χ·γ_Ζ載物台設置， 以於光學影像中顯示此等特點。 (2) 然後使用與顯微鏡對準之雷射以於位於相關特點之 區域中之樣本表面上對準標記及將包括此標記之一光學影 像予以儲存。FIB處理位置之確實位置，亦即FIB打磨將 會發生之區域（即「FIB方形區」），係以雷射對準標記爲 準而予以識別。 (3 )然後將樣本移至—活動之載物台上之ΠΒ柱位置，其 精確性爲±10微米等級，移動χ_γ載物台上之FIB束而使 雷射標記位於FIB對比影像中。使用方形區相對於獲自光 學影像之標記之位置，而將FIB方形區置於晶片上。 (4)使用光學資料實施fib操作，直至可於ρ·ΙΒ影像中看 見特點時爲止。 當有電源層存在時，於步驟之前，先於此電源層上 設置一粗糙之窗，然後於使用光學顯微鏡於一影像上作標 _______ ·__- 7 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΙΟΧ2—97公楚) ---~ ----------I----Ν---^------^ / - ♦ (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) . - 40927^ A7 五、發明説明（ B7 記或獲致一影像之前， 圖 圖1顯示根據本發 囷2顯示根據本發 〇 圖3顯示根據本發 以~ FIB裝置將電源層磨掉。 圖式之簡要説明 月之—具體實例之一系統之示意圖β 之第一具體實例之一系統之示意 圖 明之一第三具體實例之一系統之示 意 之方法之操作期間所獲 說明實施根據本發明之方法所使 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印裝 圖4(a)-4(e)顯示在根據本發明力 致之影像〇 圖5顯示一流程圖， 之步驟。 較佳具體實例之説明 現參看圖1，圖中所示之系統以概括方式包括—眞空室 1〇，此眞2室具有位於第一位置之一光學柱20 ,位於第 一位置之一FIB柱30，一梭動裝置4〇於光學柱2〇與？1^ 柱3 0之間移動。—控制系統5 0經予以設置以操作柱2 0， 30及梭動裝置40。光學柱及FIB柱經安裝以供X，γ移 動。此項移動可藉使用—單獨X，γ機架以供二者移動之 用，或使用彼此同步之個別之X，γ機架。 光學柱20包括一光學顯微鏡21，此顯微鏡安裝於一 Z載 物台22上及包括一轉塔23用以裝載各種不同之放大物透 鏡24。一雷射裝置25將一光束26投入顯微鏡21及沿其光 軸投射至物鏡24。一 CCD裝置27置於顯微鏡21之頂部。 顯微鏡21屬於例如由TIC或Zeiss公司現今可供應之類 8 _ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（21 〇 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 40927S A7 B7 一 Ί .一” —— 五、發明説明（6 ) 型’包括一光學可見光顯微鏡，具有長工作距離（於2〇〇χ 放大時爲長達1〇毫米），眞空相容之透鏡（Mitutoyo)。一 適當顯微鏡之物透鏡需於約0.25微米分解度時提供最大可 能之放大及其視界在低放大時爲500微米X 500微米範 固，但在最大放大時爲5〇微米X 50微米範圍代替性 之配置（未示於圖中）爲使顯微鏡置於眞空室之外部及經由 室壁上之—窗觀看室内部之視界。此種配置可有之優點爲 無需眞空相容之透鏡及避免於FIB處理期間因所射出之物 質所造成之污染。 此顯微鏡需使之適合使一雷射裝置沿顯微鏡之軸投射一 光束。此種修改可自例如加州Sunnyvale城之New Wave

Research公司具有QuikLaze標記之產品提供。此種系統具 . -12 有532 X 10 米操作之一綠色/紫外線雷射，可提供能量 爲0,6毫焦耳之6 X 10 12秒脈波。CCD裝置2 7提供一般作 爲TIFF影像之數位影像輸出。 FIB柱30屬於供半導體裝置之FIB處理之傳統型式。一 特別適於選用之實例爲具有二透鏡聚焦柱之一 LMIS鍺離 子源，此離子源提供直徑爲10 X 10 12米至1〇〇〇 X 1〇_12米 直徑之一探針，能量爲5 keV至30 keV之一束射及此射束 電流爲2 X 10安培至12 X 10 安培。此種FIB柱可見於 Schlumberger IDS P2X系統中，此系統於加州聖荷西城之 Schlumbqrger, Inc.公司有售。 梭裝置40包括一典型之封裝式零件承座41，例如用於 FIB或電子束系統中用以承載一 IC DUT 42者。承座41 -9- 本紙張尺度逋用中國國家棣準（CNS > Α4規格（210X297公嫠〉 I.---II-------裝-------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 409278 A7 B7 五、發明説明（7 ) 本身安裝於一傳送梭動裝置43之上，此裝置使承座41位 於FIB柱30之上方（如圖示之位置a處）或位於光學柱20之 上方（位置B)。鑒於本發明可提供之優點，遂無需使梭動 裝置以大於±10微米之精確性定位。此種梭動裝置可使 用傳統技術而以便利方式製成。 控制系統50包括備有一適當顯示装置52之一工作站 5 1。供DUT 4 2用之CAD資料係儲存於控制系統中（此系 統可設置於同一工作站中或設置於另一電腦中，此電腦可 由控制系統存取）’此系統提供控制信號（M c，L C， FC ’ SC)供顯微鏡21，雷射25，FIB柱30，及梭動裝置 40之操作之用。控制系統亦自光學柱2〇接收光學影像資 料（OID)及自FIB柱30接收FIB影像資料（FIBID)。此影像 可按照系統操作之要求顯示於顯示裝置5 2之上。 圖2及3顯示上述系統之變化情形，爲簡明計共同之零 件及（或）編號經予以省略。於圖2中，梭動裝置40由一負 載模組60取代，此模组中設置有DUT 6 2與一測試器6 3 之間之連接裝置6 1 此種配置可使DUT於眞空室1 〇中得 以操作而用於配合電子束，FIB或光學探測或任何其他適 合之探測技術。定位孔64A及64B分別置於FIB柱30及光 學柱20上方’負載模組60係置於此二柱中之一中及一樓 板65則位於未由模组60所佔有之孔中。負載模組在此種 情ί兄下係:,.位，.於Schlumberger Ρ2Χ系統中之運動機架中。 於圖3中’梭動裝置40係以一圓形晶片承載台7〇取代， 此承載台能支承用於製造1C裝置之8吋圓形晶片71。圓形 本紙張尺度適用t國國家梯準（CNS > Α4規格（210X297公嫠） ----^---1---^--------訂------^ (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) - Α7 40927δ ___- _ Β7 五、發明説明（8 ) 晶片承載台70不但能於眞空室中之a與b位置間移動，亦 可包括X，Y ’ Z及β之移動，以使相關圓晶片之部分進 入二柱間中之任一柱之視界。此種方法之進一步之修改爲 具有可設於圓形晶片載物台70上之一承座41，如此可根 據需要於此同一系統中處理封裝之零件或圓形晶片β 現將參考圖1所示之系統及圖4(a)_4(e)之影像説明根 據本發明之一種方法。 (1 )將DUT 42載於室1〇中之傳送梭動裝置4〇上之承座 41之上。將室用泵抽成〜5 X 10·6 Torr之眞空。將DUT 42置於光學柱2〇上方之位置β處。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 (2)使有關之區域1〇0位於顯微鏡21之光學影像中，有 如於工作站顯示器52所看見者，增加放大倍數直至可看 到光學影像中之有關特點11 〇爲止。可使用Cad資料及 (或）影像以識別在光學影像中之此等特點（圖4(a)) β (3 )操作雷射2 5以於光學顯微鏡2 1之視界中之DUT 4 2 之表面中割切校準標記12〇 ^此雷射標記一般爲一十字 形’割切線之寬度在0.2微米等級及可於光學影像中看 到。FIB方塊丨30 (即fib處理於其中產生之區域）之位 置，係決定於此影像及其相對於經示出之校準標記之位 置。CAD資料與影像之間之任何不符合處，均可於此時解 決。 (4) 將.包括此校準標記之光學影像儲存於工作站51中^ (5) 操作傳送棱動裝置以移至FIB柱3〇之視界中位置a 處。 本紙張纽適财gs家料（⑽）Α4· (21GX297公楚） 40927δ Α7 Β7 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 五、發明説明（9 ) (6) 自DUT 42之表面取出一粗糙之FIB影像以確定校準 標記之位置，及操作X，γ載物台以將此等校準標記送入 高分解度之視界中（圖4(b)) 〇 (7) 將光學影像覆於FIB影像之上（依需要連同有定標處 理）及使在二影像中之雷射標記成校準。於獲自步驟3中 之光學影像之FIB方塊位置處（圖4 (c))開始F IB打磨。 圖2中所示之系統操作實質上爲相同，但是無可移動之 載物台。當光學影像經獲致後，眞空室即使之升高至大氣 壓力及負載模組之位置使之改變，隨後再度將眞空室抽成 眞空。 圖3系統之操作與圖！中之系統之操作實質上相同，但 對於圓形晶片而非一般晶片上之導引作適當修改。 對於具有位於電源層下方之需予以修改之結構之裝置 言’在將此裝置置於光學柱下方之前，載物台置於FIB柱 下方，此FIB柱係予以操作以將有關之一般區域上之電源 層去掉。此一般區域由CAD資料以較低分解度識別〇此程 序可如上述予以識別。對於相關區域上方置有聚醯亞胺層 之裝置言，載物台係置於光學柱之下方並.且使用雷射去掉 聚醯亞胺材料，隨後即可發生上述程序。在此種情況下， 雷射之波長係根據需予以打磨f材料而予以選擇。此外， 可對裝置依需要施加化學藥劑以增強或阻滯雷射打磨效應 或材料之沉積。 上述之步驟可於晶片上之多於一個之位置及依需要使用 任何一選擇而予以重覆。此等選擇於圖5之流程圖中予以 -12- 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) Α4ϋ格（210X297公釐> I---\------裝-------1Τ------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} - 409278 A7 _____B7 五、發明説明（10 ) 簡要説明。 本發明顯示若干優點。使用局部校準標記可避免位置誤 差問題’此等位置誤差係由於機械性載物台，熱漂移， FIB影像中注射器謗導之場偏移，集束孔改變之偏移，包 裝謗導之電場，方形或圓形晶片之機械變形或晶片中層與 層之間相對於CAD資料之錯誤校準所產生。集體而言，此 等誤差於FIB成像之解析及處理時可爲相當大，且經常爲 非線性。在另一方面對於此等誤差之補償可能極爲困難並 且不可靠。本發明所使用之校準標記可在光學及FIB影像 二者中均可看到，此等影像之位置可由相關之解析而得精 確方式決定’因而可避免位置誤差之問題β 使用二種影像以導引fib處理需要定標及校正，以使樣 本區域中之CAD資料有局部改正。使用取自樣本中不同位 置之若干影像重複此處理步驟可以使CAD資料有通盤之改 正以與樣本之眞正實際組態相對應a 經濟部中央標準局—工消费合作社中褽 本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央榡準局员工消费合作社印製 六、申請專利範圍 ~· l.—種帶電粒子束系統，包括： U) —真空室； (b)—光學顯微鏡，連同有在真空室之第—區域中之一 視界’及用以從第一區域獲致光學影像之裝置； (Ο—雷射，與該光學顯微鏡相校準以便將—雷射光束 投射於該第一區域中； (d) —帶電粒子束柱，其係設置以投影一帶電粒予束於 真空室内且經配置以便將帶電粒子束聚焦於真空室之第 二區域中；及 (〇樣本支承裝置’位於該真空室中且可於第一區域之 第一位置與第二區域之第二位置之間移動，使得當樣本 位於第一位置内之支承裝置上時，該雷射經配置以對樣 本作標記’以提供於光學影像中可見之一標記。 2·如申請專利範圍第I項之系統，另外包括有裝置用以使用 此光學影像以導引帶電粒子束之操作。 3.如申請專利範圍第2項之系統，另外包括有裝置用以檢測 來自第二位置中樣本之二次帶電粒子及自此等粒子構造 —對比影像，其中該雷射係經配置以對位於第—位置之 一樣本作標記，以便提供可見於光學影像中及對比影像 中之一標記。 4·如申請專利範圍第3項之系統，另外包括有裝置用以將光 學影像重疊於對比影像上，以便在每一影像中之標記位 置能重合，及包括有裴置用以控制離子束以便產生僅可 於光學影像中看見之特點。 --------.--^------訂-------4 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局员工消费合作社印製 六、申請專利範圍 ~· l.—種帶電粒子束系統，包括： U) —真空室； (b)—光學顯微鏡，連同有在真空室之第—區域中之一 視界’及用以從第一區域獲致光學影像之裝置； (Ο—雷射，與該光學顯微鏡相校準以便將—雷射光束 投射於該第一區域中； (d) —帶電粒子束柱，其係設置以投影一帶電粒予束於 真空室内且經配置以便將帶電粒子束聚焦於真空室之第 二區域中；及 (〇樣本支承裝置’位於該真空室中且可於第一區域之 第一位置與第二區域之第二位置之間移動，使得當樣本 位於第一位置内之支承裝置上時，該雷射經配置以對樣 本作標記’以提供於光學影像中可見之一標記。 2·如申請專利範圍第I項之系統，另外包括有裝置用以使用 此光學影像以導引帶電粒子束之操作。 3.如申請專利範圍第2項之系統，另外包括有裝置用以檢測 來自第二位置中樣本之二次帶電粒子及自此等粒子構造 —對比影像，其中該雷射係經配置以對位於第—位置之 一樣本作標記，以便提供可見於光學影像中及對比影像 中之一標記。 4·如申請專利範圍第3項之系統，另外包括有裝置用以將光 學影像重疊於對比影像上，以便在每一影像中之標記位 置能重合，及包括有裴置用以控制離子束以便產生僅可 於光學影像中看見之特點。 --------.--^------訂-------4 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 40927S A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 '申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第3項之系統，其中該樣本支持裝置可於 第~與第二位置之間以約為土 1 〇微米之精確性移動。 6. 如申請專利範圍第1項之系統，另外包括有裝置用以檢測 當帶電粒子束在第二位置時自輻射樣本所射出之粒子及 自此輻射構造對比影像。 7·如申請專利範圍第6項之系統，其中該雷射係經配置以對 位於第一位置之樣本作標記，此標記可見於獲自第二位 置中之樣本之對比影像中。 8.—聚焦之離子束系統，包括： (a) —真空室； 、 (b) 用以獲致真空室中之一第一區域中之光學影像之裝 置； (c) 一離子束柱，經配置以便將—離子束聚焦於真空室 之第二區域中； (d) 樣本支承裝置，位於真空室内及於第一區域之第一 位置與第二區域之第二位置之間移動； (e )用以檢測來自第二位置中支承裝置上之樣本之二次 帶電粒子及自該等粒子構造一對比影像之裝置； (f)用以將一標記置於樣本上之裝置，此標記可見於光 學及對比影像二者之中； (g )用以將光學影像重疊於對比影像之上以便識別不見 於對比影像中之樣本之特點之位置；及 (h)根據僅於光學影像中可見之特點之位置控制離子束 之裝置。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 I 裝 訂 線 2 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2丨〇 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 409279 申請專利範圍 9-如申請專利範圍第8項之系統，其中用以使影像重疊之裝 置可致使每—影像中之標記位置重合，以便使不見於對 比影像中之特點之位置由光學影像決定。 申清專利範圍第8項之系統，其中用以控制離子束之裝 置可界定對比影像中之一區域，此區域中之材料根據可 後自光學影像之資訊而予以打磨。 —種處理位於聚焦離子束系統中樣本之方法，包括： (a) 將此樣本置於一真空室中之一第—位置； (b) 獲致於此第一位置處之樣本之一光學影像； (c )將一標記置於該樣本上’此標記可見於使用一雷射 之光學影像中； (d) 將該樣本移至真空室中之一第二位置； (e) 以一帶電粒子束掃描該樣本及檢測由此樣本所產生 之粒子’以獲致包括該標記之一對比影像；及 (f) 使用該光學影像及對比影像以控制聚焦離子束之操 作以處理該樣本。 12‘如申請專利範圍第1 1項之方法，其中以一帶電粒子束掃 描該樣本之步驟包括以該聚焦之離子束掃描該樣本以獲 致對比影像。 13·如申請專利範圍第1 1項之方法，包括藉將光學影像重昼 於對比影像以形成一合併之影像，及使用此合併之影像 以控制對樣本之處理。 14.如申請專利範圍第！ 3項之方法，另外包括對光學影像定 標以與對比影像相校準。 -3 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（210X297公釐） I ^ — 訂 -終 - - (請先閲讀背面之注^h項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 經濟部中央標车局員工消費合作社印製 40927S 、申請專利範圍 15‘如申請專利範園第1 3項之方法，並 =學影像與對比影像重叠以便使括有步驟用以梢 置重合。 寺影像中之標記之伯 16‘如申請專利範圍第1 5項之方法’ 見於對比影像中之特 ，、中該光學影像包括走 用以控制對樣本之處理。此等特點相對於標記之位置% 17·如申請專利範園第16項之方法， 包括根據僅可見於光學#處理該樣本之步苟 對比影像中之一區β 中（特占 < 位置而界定位與 中之經界定之區域中之材^ 子束讀去樣本 18·如申請專利範固第1 1項之古法s , 以控制樣本之處理。'卜包括使用設計資剩 19=申請專利範圍第18項之方法，其中該光學影像係予以 用以改正设計資料以反映樣本之真實组態。 20. ”請專利範圍第19項之方法，其中該樣本之不同部分 (光學影像’係用以改正用於樣本之設計資料。 21. 如申凊專利範圍第丨1項之方法’其中另外之對比影像係 於處理期間獲得’此對比影像係藉使用聚焦之離子束控 制樣本之處理。 22. 如申請專利範圍第n項之方法，另外包括使用帶電之粒 子束以探測樣本之結構。 4. 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） <請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 訂 紙