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TW388053B - Electron beam deflection system for cathode ray tubes - Google Patents

Electron beam deflection system for cathode ray tubes Download PDF

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TW388053B
TW388053B TW086115608A TW86115608A TW388053B TW 388053 B TW388053 B TW 388053B TW 086115608 A TW086115608 A TW 086115608A TW 86115608 A TW86115608 A TW 86115608A TW 388053 B TW388053 B TW 388053B
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Jean Marc Perreaut
Bruno Roussel
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Thomson Tubes & Displays
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Description

經濟部中央梯準局負工消费合作社印裝 五、發明説明( 本發明係關於嘴試針對自陰極射線管之電子槍所產生之 場效應。 中又修正電子束偏轉系統修正散射偏轉_於陰極射線管中,偏鼓接番. 艰得裝置,亦稱爲偏轉器,之用途係 將來自電子槍之電子击& 电丁末偏轉,以使其得以掃瞄整個映像管 榮幕之表面並在其上產生預期之圖形。 /"般熟知在勞幕表面爲料面之場合,或在球面勞幕之 半徑實質上大於自偏轉中心至勞幕之距離之場合,均勻偏 轉場產生,何囷像缺陷在該勞幕之表面更爲平坦時更具實 質性。爲完全或部份地予以修正此等幾何缺陷,一般熟知 係改變支撑材與造成彼等散射之偏轉器之線偏轉場❶ 然而散射偏轉場對聚焦電子束之效應造成撞擊在螢幕上 之點,所謂光點,並非圓形,而係呈扭曲(長度沿著一方向 加長,而光暈輪環繞著光點中心,等等)。 此等扭曲特別困擾影像之配置且在有需要高解析度之應 用品上必需予以修正。 本發明技藝之散射修正裝置之形態係包含可被缠繞在鐵 磁性材料環之線圈對且配置在偏轉器之背部,部份地或完 全地環繞於電子槍 此等裝置所呈現之新限制係由於較高之掃瞄頻率應用於 偏轉器所致,其頻率可能大於64 kHz。實際上,若散射修 正裝置被配置在偏轉器之背部,環繞著電子槍之金屬零 件,此等零件係在高頻率下運作,如同相對於自修正裝置 所產生磁場之障蔽。此造成建立修正磁場之延遲效果,而 -4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐) (請先聞讀背面之注意ί項再填寫本頁) -14 · 裝.
•1T A7 B7 2 五、發明説明( 使其本身在螢幕上呈現相誤差反映出該修正之不足。 問題之解決,在於加長映像管之管頸,如此散射修正裝 置即不會置於電子槍之上β此解決方案無法長存;因爲市 場需求顯示器之深度要減少》 爲提供此等問題之解決方案,根據本發明之偏轉系統包 含: 一偏轉系統,包含一對模製成鞍狀形之水平偏轉線圈, 一對垂直偏轉線圈,至少此等中之一對產生散射偏轉場, 配置介於兩對偏轉線圈之分離器,集中由偏轉線圈所產生 之各場之鐵磁性材料核; 一散射偏^場之散射修正器,包含輻射狀軸配置在映像 管管頸之周圍之多個線圈,以使產生磁場而作用於電子束 之上: 教射修正器之特徵係配置在映像管管頸之周固,其至少 部份相鄰於至少一對偏轉線圈之背部。 本發明之其他徵與優點將由以下描述與圖示之協助呈 現: 圖1Α與1Β比較在藉電子束择瞄陰極射線管之前表面之效 果場合,其中該前表面爲球面之場合係相對於本質上爲平 坦性之前表面,以突顯擬予修正之幾何缺陷。 圖2係一種配置本發明技藝所述之電磁偏轉裝置及散射修 正器之陰極射線管之代表圖示。 囷3係一種配置本發明技藝所述之散射修正器之實用實例 之前視圖》 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---;--.------ (請先閲讀背面之注項苒填寫本頁) 訂 經濟部中央捸準局貝工消費合作社印装 五、發明説明( 應 囷 圏以’…❹…’顯示依電子束外形之四極電磁效 圖5係本發明之實用較佳模式之囷例説明。 圈6表示根據本發明之實用模式之電磁偏轉㈣之剖視 經濟部中央標準局月工消費合作社印製 在均勻之垂直與水平偏轉磁場作用之下由來自陰極射線 管電子搶之電子束所择瞄出之體積係由錐形表面所定義 出,該表面具有作爲偏轉器之偏轉中心之頂點。 圖1 A顯示頂點〇之錐形表面1〇之截面,其係在垂直與水 平偏轉磁場與陰極射線管之螢幕9之前表系作用之下由電子 束所產生,該前表面具有一中心與偏轉中心〇 一致之球面 表面。於此場合,由垂直與水平偏轉磁場所產生之磁場具 均勻性。 於此場合中截面之定義爲曲直線矩形Ab CD» 圖1B顯示在相同之條件下前表面9本質上係平坦性之相 同錐形表面之截面。此截面定義出由兩個雙曲線交錯產生 之A'B’C’D’圖以與理想圖babcd作比較下,稱爲"枕頭" 或’•針墊’’(pincushion)之幾何缺陷,其最大振幅係由沿著 垂直Y轴之JΗ與藉沿著水平X軸之所表示,Η與L·分 別代表可觀察螢幕之高度與寬度。 使用散射或不均勻之偏轉場使其足以補償在其上.形成圖 像之前表面或螢幕平坦化之效應。然而,此等不均勻場將 改善電子束之聚焦,該聚焦係在電子槍之末端部份程度實 施。聚焦之修正,結果造成沿著一偏差方向加寬了在螢幕 {請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 -6- 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS > A4規格(210X297公楚) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 上之光點及/或稀釋了電子束而引起光點呈現暈輪。 於圖2中係映像管6之剖面囷之代表性囷示,其具有在縱 軸Z上沿著垂直對稱平面配置有偏轉器1。 偏轉1係一熟知型式且具有一對垂直偏轉線圈4與一對水 平偏轉線圈3,至少線圈中之一對產生一散射偏轉磁場。線 圈對藉一般而言係硬質塑膠材料之分離器2予以電氣絕緣, 且由鐵磁性材料之環核5予以圍繞。水平偏轉線圈係呈鞍狀 外形且係由簡易可付諸實施又具經濟效益之熱模製技術所 製成’而使其更可能導入簡單之方法,修改纏繞束之量以 改善偏轉場之外形。在映像管之管頸8配置有設計供補償由 ν 散射偏轉磁場所產生之電子束12之變形之散射修正器"以 使該電子束形成預定尺寸之圓形光點落於映像管之螢幕9之 整體表面。此修正器被配置於偏轉器之後且因此可與電子 槍7之某些金屬零件重疊。 一般熟知,如圓2與3所示,使用線圈組合以形成四極组 合以修正偏轉場之散射效應。四極組合之每一磁場可修正 一方向之散射場;以修正螢幕上所有點之效應,因此其必 需足以沿著X與Υ軸同時沿著對角線或由此等軸所形成之 一等分線予以修正。 此等形成四極磁場之線圈,被配置在映像管之管頸周 圍。至少需要兩組線圈20及21 :四組線圈中之一組20形成 連續性地北極和南極,以修正沿著X與γ軸之散射效應且 四組線圈中之一組2 1同樣地形成連續性地北極和南極,以 修正沿著對角線之散射效應,兩組線圏之各極相互間相差 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁)
7- A7 B7 五、發明説明( 45度。 圖4A,4Α·,4B及4B·顯示四極20與21對電子束30之效 應。根據分別環繞在線圈21與20之電流1及1·之極性,電 子束可在X或Y方向藉線圈20及在對角線方向D1或D2藉 線圈21予變形和加長,以補償因至少一種偏轉磁場之散射 所致之不當效應,而此狀況係存在於螢幕之每一點。 圖3舉例説明拫據本發明技藝描述之修正器之實施模式。 修正器之線圈20與2環繞著本質上爲圓柱環狀之鐵磁性材 料2 3而製得,四個X轴向組之散射修正線圈相對於對角線 組之散射修正線圈偏移4 5度。 然後散射^正器被配置在圖2所示之偏轉器後之管頸上。 一般而言進入散射修正器線圈之電流與施加於水平偏轉 線圈之掃瞄信號具有相同頻率。在傳統方法中進入散射修 正器線圈以供嚐試修正散射軸之電流係一者具垂直掃描頻 率,及另一者具水平掃描頻率之兩種拋物狀電流之加權總 合°電流I係依如同所知方法所求得之兩電流加權値之結 果’其一爲鋸齒狀,頻率相等於垂直掃描頻率,另一爲抛 物狀,頻率相等於水平掃描頻率。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、?τ 在水平掃描頻率達到64 kHz之程度時,藉此類元件可以 修正源自場散射所產生之點形式缺陷β 其已被注意到在較高的水平播描頻率τ.條正變少且在修 正k號頻率增加時效庥継φ。 此等問題係由於電子槍金屬栅係供作爲來自散射修正器 疋磁場之屏障。彼等效果係延遲該磁場之形成,其造成修 -8 -
6 衄濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明( 正時义相誤差。藉電子束所產生> 瞬間所觀察到之修正機 場 t 相對於環繞於 使用陰極射線管之高解析度顯示元件可在掃描頻率可達 200 kHz下操作。在此等頻率値下,根據本技藝所述之散射 修正裝置不堪使用’此乃因600 kHZ頻率之諧波存在於修正 電流中。另外,縱使有可能例如,利用電流以補偾於—定 水平掃描頻率下當修正磁場形成時所產生之延遲,其幾乎 變成不可能且於任何一種情況下針對具有高水平掃描頻率 之顯示元件利用此種類型之補償極爲累贅。 於本發明之較佳實施例中,如圖5所示,兩組線圈20及 21係由刻蚀於接曲性支撢材材4〇上之導電性層所形成。由 平面支禕材所承載之刻蝕形成之線圈然後被纏繞在映像管 頸子以形成散射修ΪΕ器13。 每一組線圈可被形成於不同撓曲性支撑材上或形成於相 同之撓曲性支撑材上。於此後者之情況中,線圈可被刻蝕 在撓曲性支撑材40之單一表面或在兩面。裝置之尺寸因刻 蚀某些線圈而達最小化。例如在一支撑材表面上之一組線 圈形成一個四極,而刻蝕修正器之其他線圈,例如其他鈕 線圈在相反表面上形成四極。此種配置提供了不必在相對 於其它線圈下針對單一位線圏予以配置之‘優點。 .. ® 5所舉例説明之本發明實例 ,及刻蝕另一軔始@ A也鍤 圈及上一組線圈之間形成一磁四極―,在與被刻蝕之該組線 (請先聞饋背面之注1|^項再填寫本頁)
-9 - 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7) 圈之相反面之面上進行連結,然後電氣接續性藉自橫過撓 曲性支撑材4 0之連結獲得確保,例如線圈2 1之連結線4 2, 連結處之實例形式係金屬化孔洞。 支撑材40另外包含一橫向段50以供線圈20與21連結至彼 等個分別之電源供應器。 在線圈被刻蝕之同時,可撓曲性支撑材,由於 smtai#。可被直接地捲起^插入在邋棘器1背部下或在直 參揸·灰《管頸上、,或在分離器2上,或甚至在介於此等線圈間 之垂直偏轉線圈之背部上,及如囷6所示之鐵磁性材料5環 核。此後者配置提供了兩個優點: 其保證散射修正器之最佳敏感度,即就給定之修正電流 予以電子束之最大效果,此源自集中由組線圈20或21所產 生之磁場與鐵磁性材料環相接近之事實。 其容許修正器完全自水平偏轉線圈移除以避免介於被施 加高張力電壓之諸此等線圈之間產生干涉,其在水平或回 線掃描時等級爲一千伏特,與散射係在低張力下呈現。 前述實例並未被限制。在另一未提出之實施模式中,散 射修正係藉兩組由絕緣線製得之平面線圈之輔助而予實 施,該兩組之配置係一組覆蓋於另一組之上以使一组與另 一組之線圈軸偏移45度。然後可撓曲或硬質之圓柱狀支# 材,可被配置於兩組線圈之間如此而與修正線圈機械單元 結合,諸線圈可利用諸如膠類予以配置並固定在支律材 上。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2I0X297公釐) - (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1· 一種供陰極射線管用之電子束偏轉系統,該系統包含: 具有一對接狀水平偏轉線圏(3)與一對垂直偏轉線圏 (4)之偏轉器(]),此等諸對中至少一對產生一散射偏轉 場,使兩對偏轉線圈相互絕緣之分離器(2),使源自偏 轉線圈所產生之場集中之鐵磁性材料環核(5), 一偏轉場散射修正器(13),其包含多條配置圍繞於映 像g (6)之管頸(8)以產生磁場作用於電子束(12)外表之 輕射狀轴之線圈, 其特徵為散射修正器(1 3)配置在該映像管(6)之管頸 (8)尤周邊且至少一部份與至少一對偏轉線圈之背部相 鄰接》 么如申請專利範圍第丨項之偏轉系統,其中散射修正器 (13)至少部份被配置與鐵磁性材料之環核(5)之背部相 鄰接。 3. 如申請專利範圍第2項之偏轉系統,其中散射修正器 (13)$配置在介於鐵磁性材料環核(5)及之垂直偏轉線 圈(4)之間。 ^ 4. 如申請專利範圍第1、2或3項之偏轉系統,其中散射修 正器散射(13)包含兩組各自形成磁四極之線圈I 22)。 、 5. 如申請專利範圍第4項之偏轉系統,其中兩組 I 22)軸在徑向偏移約4 5度。 V 6. 如申請專利範圍第4項之偏轉系統,其中散射 圈(2^22)係配置在一撓曲性支撐材上(4 琛
    六、申請專利範圍 1· 一種供陰極射線管用之電子束偏轉系統,該系統包含: 具有一對接狀水平偏轉線圏(3)與一對垂直偏轉線圏 (4)之偏轉器(]),此等諸對中至少一對產生一散射偏轉 場,使兩對偏轉線圈相互絕緣之分離器(2),使源自偏 轉線圈所產生之場集中之鐵磁性材料環核(5), 一偏轉場散射修正器(13),其包含多條配置圍繞於映 像g (6)之管頸(8)以產生磁場作用於電子束(12)外表之 輕射狀轴之線圈, 其特徵為散射修正器(1 3)配置在該映像管(6)之管頸 (8)尤周邊且至少一部份與至少一對偏轉線圈之背部相 鄰接》 么如申請專利範圍第丨項之偏轉系統,其中散射修正器 (13)至少部份被配置與鐵磁性材料之環核(5)之背部相 鄰接。 3. 如申請專利範圍第2項之偏轉系統,其中散射修正器 (13)$配置在介於鐵磁性材料環核(5)及之垂直偏轉線 圈(4)之間。 ^ 4. 如申請專利範圍第1、2或3項之偏轉系統,其中散射修 正器散射(13)包含兩組各自形成磁四極之線圈I 22)。 、 5. 如申請專利範圍第4項之偏轉系統,其中兩組 I 22)軸在徑向偏移約4 5度。 V 6. 如申請專利範圍第4項之偏轉系統,其中散射 圈(2^22)係配置在一撓曲性支撐材上(4 琛 A8 B8 C8 _D8 六、申請專利範圍 7.如申請專利㈣第6項之偏轉㈣,其中散射修正器線 圈(21 '22)係配置在且一撓曲性支撐材(4〇)之兩侧。 义如申請專利範圍第4項之偏轉系統,其中所給定線圈組 被配置在撓曲性支撐材(4 0 )之相同侧上。 9.如申請專利範,圍第8項之偏轉系統,其中介於所給定線 圈组間之電氣連結(4 2 )被配置在與該線圈組所配置侧相 反之支撐材側。 Ί〇·如申請專利範圍第4項之偏轉系統,其中施加於水平偏 轉線圈之信號之頻率係大於64 kHz » (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 订 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )六4规格(210X297公釐)
TW086115608A 1996-10-15 1997-10-22 Electron beam deflection system for cathode ray tubes TW388053B (en)

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CN (1) CN1121705C (zh)
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