TW310459B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW310459B TW310459B TW085111543A TW85111543A TW310459B TW 310459 B TW310459 B TW 310459B TW 085111543 A TW085111543 A TW 085111543A TW 85111543 A TW85111543 A TW 85111543A TW 310459 B TW310459 B TW 310459B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- link
- light
- output
- item
- signal
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 11
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 6
- 240000000233 Melia azedarach Species 0.000 claims description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 241001331845 Equus asinus x caballus Species 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 2
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 101100515517 Arabidopsis thaliana XI-I gene Proteins 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100380506 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) atf21 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
- G01R31/31905—Interface with the device under test [DUT], e.g. arrangements between the test head and the DUT, mechanical aspects, fixture
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2589—Bidirectional transmission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
經濟部中央梂準局貝工消f合作杜印製 A7 _____B7_ 五、發明説明(1 ) 〔發明背景〕 本發明係大致關係到用以測試稹《電路的系統,與更 特別是關於一於一稹體電路晶圓或晶片與一負載介面板間 之介面。 俥統上,一稹體電路測試系統是被連接到待測裝置( DUT)經過一負載介面板,其被同軸電嫌所連接到一探 測卡,其被連接到D U T本身•該探測卡傅統上是一印刷 電路板連接至同軸電繼,細探針用以接觸在D IJ T上之接 點,及印刷軌跡在印刷電路介面板連接每個電艟到一探針 上。 測試置測的品質是被電氣連接的本質,或介面於 D U T與測試系統之間。吾人長久知道長同軸電纜損害信 號的測試*同時於更正問題上具有小的成功,儘管極多的 努力指向解決問題。同軸電纔的頻寬被限制。該頻宽限制 是由一高頻物理作用稱爲電纊的'*內部阻抗#所引起。這 作用可以造成於電續中之信號失真》霪纊感應信號失真包 含於探測卡和電續之間與於負載介面板和電耱之間。該電 纜感應作用同時也包含於電鏞中之功率損耗和阻抗匹配失 配誤差,傅送信號的分散,串音,接地迴路•與相位失真 〇 雖然如此,可«曲與長電續是被需要以幫助探測卡的 移動,與個別地從負載介面板分離探測卡與通常大測試系 統。因爲一予以測試之稹體電路的頻道數目可以數字以數 百計,電«束變成難處理的,減少彈性與取用到DUT · 本紙張尺度適用中國國家揲準(CNS ) A4规格(2丨0X297公羞) (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) **Λ. *1Τ 4 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印装 A 7 B7 五、發明説明(2 ) 〔發明概要〕 大致而言’本發明於一方面是提供一基於光織之連結 ’以承載一信號在一測試系統和一接點之間,該接黏係接 近一予以測試之積體電路裝置 <> 該連結包含一光纖用以俥 送該信號,一光源電氣連接到連結输入和光學耦合到光纖 输入,與一光偵測器光學耦合到光織输出以接收光及電氣 連接至該連結輸出。於本發明之另一方面包含一接收器級 用以接收光偵測器的输出,一等化器級用以接收接收器級 的輸出,一高通濂波器級用以接收等化器級的输出,與一 功率輸出級用以接收等化器級的輸出,或者是高通濂波器 級之输出。 大致而言,本發明之另一方面,該接收器級包含一微 波差分放大器用以接收光偵測器的输出*與等化器級包含 —於差分模式之具負回授函數之差分放大器,其接收接收 器級的输出,以及,提供——階高通閉迴圈反應》 大致而言,本發明之另一方面,該光源包含一光發射 器與一驅動器級,一負載轉接器接收該價號與傅送該信號 到驅動器級•於本發明之另一方面,包含一可程式負載架 構以接收信號與傅送信號到一負載轉接器或驅動器級》於 本發明之另一方面,該光發射器是一發光二極體或一雷射 二極體以及該驩動器級產生大約6 0_安的一直流偏壓電 流連接到一導源自該大約3 0毫安之信號之調變電流《於 另一方面,該驅動器級包含一射極追鼸器羼動器·於另一 方面,該驩動器級包含一 F E T (場效電晶髏)源極追鼸 本紙張尺度逋用中國國家梯準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁)
-5 - 510459 經濟部中央橾準局属工消费合作社印裝 五、發明説明(3 ) 器驅動器》 大致而言,於本發明之另一方面,該光偵測器是一光 二極體偏壓於光導電模式,與光繊是一多模1 〇 〇/ 1 4 0微米錐形纖維的長度少於約五公尺者。 大致而言,於另一方面,本發明提供雙向介面用以薄 * 送信號在一電路測試器和一接點之間,該接黏係接近一予 以測試之電路和包含一第一光嫌連結用以提供於一方向之 傅送與一第二光嫌連結以提供另一方面之傅输,一第一方 向閘用以連接第一連結输入端和第二連結的输出端到該介 面的端點,與一第二方向閘用以連接第二連結输入端和第 一連結输出端到介面的其他端點。 大致而言,於另一方面,於第一方向閘包含一常閉開 關在第一連結的输入和該介面的端點之間,一常開開關於 第二連結输出與一端黏之間,一·感應開關連接到第二連結 與連接以感應來自第二連結之一信號,以造成常開開關閉 閉與常閉開關打開,與一延遲線於第二連結輸出與常開開 關之間,並聯於感應開關,與連接第二連結的輸出到--端 點,於該常開開關被關閉時。 本發明的優勢是如下。本發明提供一電氣連接,其克 服電阻性功率損耗與於同軸電續中串音之問題,藉由替代 —光嫌介面系統,其提供一頻宽延伸至少到4 0 ΟΜΗ z 以阻抗匹配在該介面的兩端,即使於阻抗在介面的兩端是 不同時。再者,本發明消除於介面中不匹配故障,減少電 鐮及電鐮束直徑,經由一大約2或3之因素,提供增加電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逋用中國國家標準(〇奶)八4况格(210/297公釐) 6 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明(4 ) 纜的彈性,與提供任何長度少於約1 0 0公尺之電纜沒有 顯著的信號分散·本發明同時也提供來自彼此之信號,來 自接地,與於探測卡與負載介面板間之光學隔離》特別地 ,來源與負載是彼此被隔絕(緩衝),因此,於其間之不 匹配錯誤是被減少,與至來源及負載之優異阻抗匹配是被 完成。 很長,很輕及可彎曲光繊嫌之使用使得它可以延伸探 測卡逮離負載板*以逋當的力量來操作探測卡的位置與角 度,與使得探測卡更可實用。 其他的優點和特色從以下的敘述及申請專利範圏而變 得更明顯* 〔圖式之簡要說明〕 隨附之圚式,其是被併入與構成本說明書之一部份, 其舉例說明本發明的特定的實施例與,隨同以上之大致說 明及以下之實施例的詳細說明,作爲說明本發明的原理。 圖式If>是一雙向光纖介面之方塊圖。
I. . I 圖式B是一單方向光繊介面的一方塊圖》 圓式一單方向光纖連結的一方塊圓。 圖式3 A是一 T T L負載轉接器用以使用與一3電晶 體驅動器於圖式2之光繅連結中之電路圈。 圖式3 B是一TTL負載轉接器用以使用與一於圖式 2中之光織連結中之一射極跟鼸器驅動器。 圖式3 C是一可程式負載的電路圓,其係使用於圖式 本紙張尺度通用中國阐家標率(CNS ) Α4規格(210X297公簸> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
310459 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明(5 ) 2中之光嫌連結中。 圖式4是一L E D模型的電路圓· 圖式5 A是一三電晶體驅動器之電路圈,其係使用於 圖式2中之光繊連結· 圚式5 B是一射極跟隨器驅動器的電路圖,用以使用 與光纖連結。 圖式5 C是一 F E T源極跟隨器驅動器的電路圖,使 用在圖式2中之光嫌連結中。 圖式6 A是園式2中之光織連結之接收器側的電路圖 〇 圖式6 B是用於圖式2之光織連結之接收器側之一選 擇性補充髙通濾波器級的電路删。 圖式7是一用於圖式2中之光纖連結之功率输出級的 電路圖》 BB式8是雙方光嫌介面中之雙向閘的電路圓》 〔詳細說明〕 參照圖式1 A、一雙向光織介面有用於攜帶於-一 DUT2 0與一俥統設計之測試器2 2間之信號者,包含 —對單向光嫌連結1 0 0與1 0 1 ,如所不其中每個是被 連接到一對方向閘200及201»於DUT端,方向閘 2 0 0是被連接到該DUT之一接腳,墊*或其他接點, 傳統上是經過一探測卡•於操作中《由測試器所產生之信 號於路徑2 0 3者是被方向閘2 0 1所切換,行經單連結 本紙張尺度適用中國國家棣率(CNS } A4规格(210X297公釐) (請先W讀背面之注意事項再填"本頁) -8 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 —__B7 _五、發明説明(6 ) 1 0 0然後,經過方向閘2 0 0,以出現在信號路徑 202。方向閘200切換信號,使得來自單連結100 之信號不被送回單連結1 01 °同樣地,方向閘2 0 1切 換信號,使得來自單連結1 01之諸信號不被送回至單連 結1 0 0 »參照圖式1 B,假如頻道需要唯一傅播於一方 向,該方向閘可以被省略與只有一單連結2 4是被需要。 可以想到的一雙向光織介面將被使用以代替傳統同軸 電續以攜帶信號於一 DUT (傅統連接至一用以測試之測 試卡)和一積體電路測試器(傅統連接至一負載板),其 所有對於本技藝是熟知的》每-·單連結具有一光纖線,如 在圖式2中所顯示。光纖線是常被捆成電纔。光纖電繼捆 裝是實質上輕於相當的同軸m嫌捆裝,與是更加更容易來 處理。 參照圖式2,一單連結24,100或101之第一 級是選擇性地一負載轉接器1 2 0或一可程式負載1 1 0 ,其係更詳細地被敘述如下配合圈式3 A至3 C。該信號 下一個是通過驅動器級1 3 0,其包含一光發射器1 3 4 ,其把一電氣信號轉換成一光信號,其係被對焦至光嫌線 (光織)135之一端。光嫌135的另一端是被連接到 一光偵測器1 4 2,其把所接收之光源轉換成被餹入到一 第一接收器級140之電流。(假如放大是被後級所提供 ,或假如低信號位準是可接受的,接收器級1 4 0可以被 省略。)接收器級1 4 0是被連接到一第二接收器級,亦 即,等化器級15 0 (亦被稱爲後強調級)*其係被連接 本^張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规棬(210Χ297公著) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-9 ~ 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 Μ ____ Β7_ 五、發明説明(7 ) 到最後接收器級,亦即一功率输出級1 6 0 ·可選擇地, 一高通濾波器1 5 5跟隨等化器級1 5 0之後。如稍後所 述,該等化器級1 5 0與高通濾波器級1 5 5放大信號路 徑的頻寬。若需要的話,該功率輸出級1 6 0提供較由前 級所提供者之更大的信號位準》 對於前敘的實施例的設計參數,吾人係想要完成一低 成本光纖連結,其具有一少於1奈秒(in )之上昇 時間。可以被選擇作爵光發射器1 3 4之可用光源於兩大 類:雷射和發光二極體(LED)。在每一類別之內,一 長範圍之波長,速度和功率是可選用》很多雷射是原本即 比1 n s快,一較便宜的方法被需要。如此,LED特別 地是兩類型之L E D是有用的:紅外線與可見光•可見光 具有優點:其可以被看到,道於製造與於道領域中係有用 的。紅外線L E D傾向於稍快與稍加昂貴的。該選定的光 發射器1 34是一可見光LED,可由加州波羅阿_之惠 普公司,編號HP HFBR — 14*4加以購得。這是 一 GaAlAs 820奈米(nm)發射器具有一3至 4奈秒之上昇時間。 如同其他之LED,該HP HFBR — 14*4是 慢於測試系統需求,但,由於成本考慮被加以選擇。其速 度限制是,由於它的本質電容值。爲了無信號失真地延伸 L E D的頻寬,一強調電路是被如以後所述地加以提供。 該HP HFBR14*4於其被完全調變時,亦即 ,當它不是直流偏壓與調變索引接近--時·其展現非理想 本紙法尺度適用令國國家梂準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 ~ 10 310459 A7 B? 五、發明説明(8 ) 之瞬時作爲•於這情形下,其展示一、尾巴·:關閉時間 是大於導通時間。然而,當L E D操作於一直流偏壓與較 小調變索引位準時,它的上升時間及下降時間是更對稱。 該最好的直流偏壓位準,如由製造廠所建議者,是被一於 功率轉換函數中之一t膝部#所決定》(見9 3 / 9 4惠 普光電設計者型錄,惠普部件號509 1— 4573E * 1 9 9 2之第5 — 2 7頁)。這直流電偏壓位準是大約 6 0毫安(mA),與該LED行爲是幾乎理想的(配合 RC模型),當LED是被操作、膝部•之上時。 於另一實施例中,雷射源,其提供更快反應及餃高成 本’經常完成較高性能。其中雷射性能在沒有增強下是不 夠的’雷射裝置之速度加強可以使用以下所述之相同技術 加以完成,其差別爲該雷射裝置的轉換函數是第二階而非 第一階。 該選定的光偵測器;L 42是DUT P I N — HS0 08 ’ 一由加州UDT感應公司之高速感應裝置。該 UDT PIN-HS008具有一0. 35奈秒之上升 時間。如此之探測器是最佳被使用於本案中,當偏壓於導 光操作時·(請參考UDT光電元件型錄之頁數3到9, 其是被合併作爲參考,用於探測器理論與偏壓的敘述) 驅動器級1 3 〇的基礎目的是隔絕在輪入1 2 8來自 L E D 1 3 4之電氣信號源。該僧號源正常地將具有充分 的電源以駆動L E D到必要的光輸出位準,如此小的增益 在《I 器級中是被脣要的。另一方面,驅動器級1 3 0是 本蛾•張尺度逋用中國國家橾率(CNS ) A4規格(_210X297公釐} (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 經濟部中夬棣準局貝工消費合作杜印装 經濟部中央橾準局貝工消費合作杜印製 ____B7__ 五、發明説明(9 ) 被設計以提供阻抗匹配,直流偏斜,隔離,與過載保護。 所有稱準有關之數位邏輯形式,諸如:電晶體電晶體 邏輯(TTL),互補金氣半導體邏輯(CMOS) * N —通道金氧半導體邐輯(NMOS),射極耦合邏辑(E CL),與積體注入邐辑(I2L) —使用正二進位邏輯 ,其中只有兩狀態'^低^與,髙,,或與、1,是 被使用:與邏輯狀態總是一較邏輯敘述爲高 之電壓。雖然這些邏輯類型使用不同電壓位準與具有不同 输入和輸出阻抗*他們全部能夠被道些在本文中所述之方 法所通融》驅動器級1 3 0係被設計以適用於一適當負載 轉接器1 2 0以轉接任何邏輯類型的阻抗與信號位準(除 了 E C L之外,其係被敘述如下)至驅動器級1 3 0输入 。爲了節省電源,主電源供應位準(Vc c )是一低5伏 特(^V')。使用電壓位準高於此者之邏辑類型是由功 率输出級1 6 0所供給,該输出級是能夠產生較大一具較 高供給電壓V 2 4的信號位準。對於E C L邐辑,一負供 給電壓是被使用;因爲該設計於形式上是實際相同於在本 文中舉例說明之電路,其是不再分開例示。該有插圈的實 施例已經被設計以相容性TTL邏辑*其具有大約2 5歐 姆的負載阻抗的一最小值與一3. 7伏特的一最大信號位 準· 各種邏辑類型可以被配對到驅動器級1 3 0經由插入 一適當的負載轉換器1 2 0或可程式負載1 1 0或者是兩 者於單連結输入1 0 2和駆動器級1 3 0之間*如於圈式 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公嫠) ~ ' " 一 12 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .X. 訂 B7 B7 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 五、發明说明(l〇 ) 2中所顯示。到單連結之输入可以由D U T或測試器直接 (用於如圖式1B中所示之單向介面),或經過方向閑 2 0 0或2 Ο 1 (用於如圖式1 A中所示之雙向介面)。 驅動器級1 3 0及負載轉接器1 2 0之另幾個實施例將被 加以敘述。於每一例子中,負載轉接器输入和輸出係分別 被指名爲J17和J18(見圓式3A — 3B);與驅動 器級输入和输出是分別被指名爲J 1 9與J 3 4 (見圖式 5A-5C)。連接128(圖式2)是於J18和 J 1 9間之連接。 參照圖式3 A與圖式3 B,負載轉接器的兩個例子是 被提出:''/r#型負載轉接器122 (圖式3A)是被設 計用於圖式5 A之驅動器實施例,與〃型負載轉接器 124(圓式3B)是被設計用於圖式5B或5C之驅動 器實施例。這些負載轉接器同時也有用以轉接圖式5 A, 5 B或5 C的驅動器實施例到圖式3 C之可程式負載,其 係如以下所敘述。 參照圖式3 C,邏績形式是極多的與適用於很多不同 負載電流和電壓,一提供正確負載狀況的方法是藉由中斷 DUT在連接J 1 5以一可程式負載,諸如:在圖式3 C 中所顯示者。該可程式負載提供電子控制直流電源與電流 陷,與一電壓源以滿足直流升壓與保持爲低電流需求以及 邏辑閘的中止電壓。該在電流源117及118之負載電 流與在電壓源119之整流電壓是被逮端地設定分別經由 控制線输入線J 26 · J 28和J 27,其可以以多種方 本紙張尺度遑用中國國家標率(CNS > A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 文. 訂 -13 - A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、 發明説明 (11) 1 | 式 加 以 設 定 參 包 含 在 經 由 測 齡 器 2 2 在 程 式 控 制 之 下 0 對 I 1 1 於 所 有 D U T 節 點 ( 通 道 ) > 其 是 相 同 的 邏 r»C3 m 撕 型 者 ( 通 1 1 常 所 有 均 是 相 同 類 型 ) t 每 —** 通 道 之 這 些 输 入 J 2 6 9 V 1 I 請 1 1 J 2 7 和 J 2 8 可 以 被 並 聯 連 接 » 使 得 只 有 ( J 2 6 > 閱 1 | 讀 1 I J 2 7 及 J 2 8 ) 外 在 直 流 線 是 被 需 要 以 設 定 該 系 統 之 負 背 1 | 載 狀 況 〇 該 所 例 示 之 可 程 式 負 載 設 計 是 源 白 描 述 於 了 解 北.. 冬 Ψ 1 極 星 — 極 體 电 橋 負 載 之 —"* 極 體 電 橋 負 載 其 係 於 北 極 星 應 項 填 用 手 冊 4 0 1 加 州 聖 荷 西 之 麥 格 德 公 司 此 出 版 物 在 本 寫 本 ~% 文 中 是 被 合 併 作 爲 參 考 〇 本 文 中 所 描 述 之 可 程 式 貝 載 是 不 頁 '—^ 1 1 同 於 該 參 考 中 於 其 中 沒 有 % 驅 dgtL· 動 關 閉 開 關 使 用 於 三 態 1 1 控 制 該 負 載 因 爲 這 功 能 是 由 方 向 閘 2 0 0 及 2 0 1 的 使 1 1 用 而 被 排 除 〇 於 •~* 單 連 結 例 子 中 其 並 不 需 要 三 態 控 制 該 訂 1 糖 橋 負 載 因 爲 該 驅 動 器 狀 態 是 不 變 的 ( 該 信 號 只 以 一 方 1 I 向 加 以 行 動 ) 〇 1 I F E T 源 極 跟 隨 器 級 Q 1 4 的 高 输 入 阻 抗 取 樣 該 在 節 1 1 * 點 J 1 5 之 D U T 電 壓 而 沒 有 負 載 節 點 J 1 5 〇 來 白 節 點 1 J 1 6 該 输 出 信 號 是 被 連 接 到 -- π 或 Τ 型 負 載 轉 接 器 1 1 1 2 0 在 節 點 J 1 7 興 隨 後 由 節 點 j 1 8 到 驅 動 器 級 1 1 3 0 0 於 驅 動 器 級 1 3 0 的 例 子 中 實 施 例 是 攸 顯 示 於 1 圖 式 5 C 9 T 型 負 載 轉 接 器 1 2 4 ( 圖 式 3 B ) 之 電 阻 值 1 I 是 被 減 少 到 — 簡 單 分 & 器 之 電 阻 值 ( 爲 了 調 整 信 號 位 準 ) 1 1 I 與 圖 式 5 C 之 電 阻 器 R 4 8 可 以 被 省 略 〇 1 1 1 參 照 圓 式 3 A 所 示 之 π 型 負 載 轉 接 器 1 2 2 該 在 1 1 J 1 7 之 输 入 阻 抗 是 2 5 歐 姆 以 順 應 Τ Τ L 負 載 狀 況 與 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X 297公釐> 14 經濟部中央標牟局貝工消费合作社印裝 A7 ___B7__五、發明説明(l2 ) 在J 1 8之輸出阻抗是2 5歐姆以匹配在圖式5 A中之分 壓器1 3 1之連接器J 1 9之2 5歐姆之驅動器输入阻抗 。該負載轉接器具有15分貝的一衰減值以減少3. 5伏 的TTL输出位準到在驅動器输入的0. 5伏(圖式5A 之 J 1 9 )。 圖式3 B之T型負載轉接器1 2 4同時也具有一2 5 歐姆的一TTL输入阻抗(於J 1 5 ) *但它的輸出阻抗 (於J 18)是被匹配到在_式5B之驅動器138或園 式5 C之鼴動器1 3 9之在連接器J 1 9之另一驅動器输 入阻抗以及T型負載轉接器1 2 4之衰減是1 0分貝•當 到連結之源是測試器而非D U T時,一負載轉接器其输入 阻抗是被匹配到測試器源阻抗(通常5 0歐)者是被使用 (請先閲珀背面之注意事項再填寫本頁)
T 装· 訂 參照圖式5 A,一予以被傅送之 3電晶體驅動器1 3 1 ,其中電阻器 姆匹配到電晶體Q 9的基極。隔離放 號與提供串聯串聯回授經由負回授迴 0. 5伏之一输入信號位準成爲一大 調變電流。該電流是然後交流交連經 C22,其組合於LED134中之 。電晶體Ql 1之直流偏壓電流源1 之定電流到LED 1 34。另一方面 以被使用,諸如:一懷德或熱補償電 LED 13 4是被偏壓於此一方 各紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐) 信號進入在J 1 9之 R33提供一25歐 大器1 3 2反相該信 路1 3 3,以轉換 約30毫安之LED 過電容器C 2 1和 6 0奄安之偏壓電流 3 6提供一6 0奄安 •一更完善氰流源可 流源* 式,以獲得線性振幡 ,^ -15 - B7 經濟部中央棣準局員工消費合作社印製 五、發明説明(1J3 ) 調變及光振幅的一''載波位準。該LED之電流電壓或 電流功率特性是線性的,除了於轉移曲線中之膝部〃 是大約6 0亳安之偏壓電流,與這點是被取爲输入電流與 輸出光功率之參考位準。當一正(相對於參考位準)交流 電輸入信號電流是被加到該6 0毫安偏懕電流上,會得到 振幅調變與有關調變索引結果的一標準形式。介面的最初 输入狀況是一邏輯低狀態,因此該L E D的直流偏壓參考 位準相當於該低邏輯位準。對於E C L信號,即使信號位 準是負的,該L ED仍然被操作在6 0毫安偏壓電流|膝 部'之上,因爲二極體電流的交流調蠻是仍然正的。 驅動器級的另兩個實施例是被舉例說明於圖式5 B與 5 C »圖式5 B之射極跟鼸器驅動器1 3 8提供良好之隔 離,但返回損失只是大約1 2分貝。然而,組合上一用於 TTL之1 0分貝T型負載轉接器(如在圖式3 B所顯示 ),該返回損失可以改善到2 2分貝,與道形成一可接受 的驅動器。圚式5 C之FET源極跟鼸器驅動器1 3 9具 有一高阻抗,低電容值輸入在電晶髅Q 1 3的閘極與非常 良好之隔離。其输入阻抗是被電阻器R 4 8之值所設定, 以及,直流偏壓電流是被電阻器R 4 9和R 5 0所定。用 於驅動器的最佳输入信號位準是2伏特(由以上所述之T 型負載轉接器所設定)。這些驅動器之兩者之優黏(除了 簡單於圈式5 A之一外)是其有效率地組合該L E D直流 偏壓以這調欒使用一是其組合L E D直流偏壓與使用一( 高功率)電晶體之調變。於道爾實施例中,該直流偏壓電 :丨丨丨; {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
J 本紙張尺度適用中國《家樣準(CNS ) A4规格(2丨0X 297公釐) 310459 經濟部中夬橾準局貝工消費合作杜印製 A7 ___________B7五、發明説明(I4 ) 流與L E D之交流電調變振幅是被設計以相同於說明於第. —實施例中之值。 當圖式1 A及/或圖式1 B之單連結是被如以上所述 使用作爲用於多通道測試器之信號路徑時,光嫌1 3 5將 是於一包含1 00纖維之光嫌(未示出)中之一繅維。於 所敘述的實施例,光繼1 3 5是一多模1 00 / 1 40微 米錐形旨數嫌維。(該100/140分別爲核心及被覆 之直徑)任何嫌維其滿意散佈與功率處理需求將可以使用 ;然而·多模纖維是較易使用。可以連接進入一纖維之光 源取決於鏡纖維系統的幾何光學與是約略比例於繊維核心 的剖面區域。該1 0 0/1 4 0尺寸是被選擇作爲供應最 大光源承載能力。然而,若想要較大的電»弾性·該嫌維 尺寸可以被減少,以減少光嫌直徑·當如此被完成時,該 連結的接收器端之增益是被增加以補償於光纖中較低之光 源。 增強一低成本源極二極體光纖連結的速度能力之關鍵 是在不發生信號失真之強調所能獲得之頻寬延伸的程度。 一 L E D接近配合一理想R C低通濾彼器之簡單模型之作 爲是如於圖式4所示,其中R LED和C LED是固有 電阻值與電容值•當連接一合適主動一階高通濾波器時, 該低通二極體的頻率限制是被髙通濾波器所補償’與該系 統的頻寬可以被延伸。因此,低頻宽二極體信號是被該主 動濾波器所強調。當強調被調整以精密地平衡低通漉波器 時,恢復信號到它的原來形式’該信號是被說成是 '"等化 17 - 本紙張尺度逋用中國國家揉隼(CNS > A4現格(2!0'〆297公t ) {請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(is ) ^ (然而,於本說明中,該術語將被交 是常被其他的應用所使用,以補償於光 然而,這在此是不適切的*因爲光學分 略的。 L E D是被模組化如於麵式4所示 電阻器電容器並聯連接以高頻率捨去, 被分流錯開二極體模型的阻抗(:發光) 抗·該拉氏轉變技巧在以下係以一籣化 ,其中,每一元件是被它的轉移函數所 如於圖式4中所模組化具有轉移函數1 動濾波器其移動函數是f (s),暫時 正確等化當, 互地使用)。等化 繊中之光學分散。 散的數纛是可以忽 ,該等效電路是一 其發生是由於電流 部份經由《容性電 電路分析中被使用 特擞化· L E D係 (s )。考慮一主 地假設爲未知數· s ) *
(S 〆--Γ「_裝------訂------^..Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印策 時加以獏得。 該轉移函數f ( S )其將產生理想的補償,其現在可 以被經由解出這方程式用於f (S)加以決定: 其可以看出是L E D移轉函數之倒數。於實際上該函數可 以被認爲是一主動濂波器,如以下所敘述*對於其他更進 本紙張尺度逋用中國國家橾窣(CNS ) A4規格(21〇'乂2们公釐) 經濟部中央棣準局貝工消费合作社印製 A7 __B7__五、發明説明(16 ) 一步在主動濾波器的主題之資料,是可以參考主動濾波器 設計,諸如··運算放大器:理論和資行,經由詹姆士羅傑 •約翰威利&子弟於1 9 7 5所出版》 其他邊際性能可以由補償下一最髙一階極及/或較高 階極的補償而加以獲得*於該系統中第一與較高階極可以 被強調,藉由依所描述之方法加級設計,但該轉移函數被 調整以配合予以被強調之極。 參照圓式6 A,光繅1 3 5是被光學耦合到一如先前 所述之PIN - HS008高速光偵測器142,其係偏 壓於光導通模式。該偏壓狀況是藉由調整在直流電應源 V 1 〇之電壓而加以設定,其有一 + 1 〇伏的額定值。光 偵測器1 4 2轉換光能成爲電流,其被鳙入到接收器級 1 4 0的微波差分放大器X 1的输入,以用於使用單端模 式之 HP IVA — 05208 矽雙極MMIC 1.5 GHz可變增益放大器已經被加以選擇。(該放大器是在 惠普通訊零件砷化鉀&矽產品設計者型錄’ 1/1 9 9 3 出版物號第5 0 9 1 4 5 7 4 E中被描述)雖然光偵測器 電容值是小的,大約1微微法拉,但它的反應時間是被光 產生之載波的轉換時間所限制至大約3 5 0微微秒(典型 值)。放大器XI的低輸入阻抗(50歐姆)防止了反應 時間爲光偵測器及其負載之R C時間常數所限制。光偵測 器極亦可以是被等化,如先前及隨後所說明的,其中,低 输入阻抗需求可以被放鬆《放大器X 1的可變增益將被使 用於放大或縮小該介面的輸出位準以匹配輸入的信號位準 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS > Λ4规格(210X297公釐) 77 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印裝 A7 __B7五、發明説明(Π ) 。在接收器級1 4所需要的是一放大器電路,其具有一低. 阻抗,以形成一低時間常數0接收器級140將同時也提 供足夠的增益以達到想要的信號位準組合隨後諸級。同樣 地,設定至該输出信號位準之可變增益可以被執行在接收 器級1 4 0中或於隨後之任何級中'接收器級1 4 0之另 一實施例是俥統的設計一互阻抗放大器。類似於接收器級 1 4 0之輸入阻抗,互阻抗是被保持爲小,除非偵測器極 的等化是被執行在一鼸後級(如以下所述),其中,一更 大互阻抗值是被使用。 等化器級1 5 0使用差分棋式的具一負回授函數之差 分放大器X6,其造成——階高通閉路反應。放大器X6 不需一定是一差分放大器,只要等化器級1 5 0具有一如 上所述之一階高通移轉函數,於這例子中移轉函數是被回 授迴路1 5 2,一 RC網路所執行*回授迴路1 5 2之電 容器C38及C42的電容值,回鳙迴略152之電阻器 R2,R5,R3 6與R4 6的電阻值及/或可變增益放 大器X 6之增益是被調整以加大頻寬*同時保持在頻宽內 之最佳平坦反應。道具有等化該極的效果,其係被L E D 1 3 4所引入與 '重建#输出波形以匹配输入波形。作爲 等化的一直接結果,例如,信號頻寬之增加,從在濾波器 输入C5之1 53百萬赫(MHz )到在其輸出J 3之 460MHz (頻寬隨調諧產生變化)。 參照圈式6B,第一濾波器級(等化器級1 50)的 输出J 3是被選擇性地連接至選擇性補充高通濾波器級 冬紙張尺度適用中國國家樣隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -— A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明(is ) 1 1 1 5 5 之输入 J 1 4 •其 是類 似 設計 t 但 其 極 於 頻率是較 1 1 髙 的 〇 以一類 似於 等 化器 級1 5 0 之 方 法 調 整 » 其具有等 1 1 化 該 例 如在偵 測器 之 極頻 率之 信 號 的 效 果 0 來 白 此選擇性 1 I 請 1 1 第 ™. 級 之強調 增加 頻 宽額 外之 8 8 Μ Η Z 9 至 5 4 8 先 閱 1 1 Μ Η Ζ 。假設 一理 想 脈衝 输入 y 該 1 0 至 9 0 百 分比上升 背 1 1 時 間 是 6 2 6 微微 秒 。另 —濂 波 級 可 以 被 加 上 * 若其第二 之 注 意 事 1 階 是 適 當的。 項 · 再」 參 照圖式 7, 功 率输 出級 1 6 0 是 懷 統 設 計 的一高功 寫 本 裝 I 率 級 其輸入 J 1 是 被連 接至 補 充 高 通 濾 波 器 級 1 5 5的 頁 1 1 I 輸 出 J 1 3或 ,缺 少 該級 ,而 至 等 化 器 級 1 5 0 的输出 1 1 J 3 〇 功率輸 出級 1 6 0 的輸 出 J 2 是 aa 單 連 結 2 4, 1 1 1 0 0 或1 0 1之 输 出端 •功 率 输 出 級 1 6 0 係 使用以提 訂 I 供 足 夠 的電源 以產 生 —3 .7 伏 特 Τ Τ L 信 號 強 度進入一 1 I 5 0 歐 姆負載 。簡 要 地說 ,功 率 输 出 級 1 6 0 包 含宽頻帶 1 I 線 性放 大器X 2, 按 照這 些製 造廠 建 議 加 以 偏 壓 。(參考 Λ 1 1 摩 托 羅 拉射頻 裝置 資 料目 錄, D L 1 1 0 / R e v 4 / 承· 1 1 9 9 1 ) · 任何 — A, B, 或 C 類 型 之 放 大 可 以被使用 1 1 於 該 級 中,只 要性 能 標準 (本 文 中 所 述 者 ) 係 被 維持•所 i 選 擇 的 放大器 X 2 ( 摩托 羅拉 C A 2 8 2 0 Η ) 具有一^大 1 約 5 2 0 Μ Η ζ的 頻 寬。 對於 運 用 於 單 連 結 2 4 >10 0 1 I 或 1 0 1中窬 要較 大 頻寬 〇 具 較 大 頻 寬 之 rt„L 射 頻 放大器應 [ 1 I 骸 被 使 用於功 率输 山 iU 級1 6 0 中 1 1 I 參 考圓8 ,雙 向 操作 是被 使 用 兩 單 連 結 ( 單 向光纖連 1 1 結 ) 1 0 0及 10 1 組合 於相 反 方 向 t 以 創 造 . 雙向光繊 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公着)〇1 -21 經濟部中央棣率局貝工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明(19 ) 介面而加以完成。每個單連結傅送任何出現在其输入端之 信號到在其输出之節黏。避免回授,於必要時,該反方向 路徑的操作是被去能*藉由方向閘200或201。方向 閘去能反傅播信號路徑在其輸入而非其輸出,以減小電力 消耗。再參照圖1A>考慮一左至右傅播信號,當其從方 向閘201行經到方向閘200·方向閘201之開關 Q4是常閉0以及方向閘2 0 1之開關U 2是常開,若沒 有反傳播信號(由單連結1 0 1 )出現的話。該左至右信 號行經單連結1 0 0至方向閘2 0 0,其中,當其係被增 益元件Q 7所讀取時係被認爲是一反相傅播信號,該元件 Q 7觸發電壓控制開關Q 8及J 4,其係相當於方向閘 20 1之開關Q4及U2。開關U4是被閉合以允許信號 在J12输出至例如DUT之接腳。同時地,開關Q8是 被觸動開路以防止相同之信號於相反方向傅播。其中,相 關於該讀出及開關電路路徑有一時間延遲|以及,亦包含 微帶T 2之長度,使得開關U 4將會於信號到達前閉合。 總結,右至左俥播信號經歷相同之處理,當其由方向閘 200行經方向閘201 ·簡要地說,於方向閘201中 ,增益元件Q 7讀出信號及觸發電屋控制開關Q 4及U 2 ,以允許信號由J 1 1出去至一例如在測試器板上之接點 。幾個奈秒之回復時間將在試著去反向傅播一信號之前被 允許,以允許方向閘重置。 被選擇作爲開關裝置Q 4及Q 8的是高速高電流微波 G a A s FE 丁具有一大約一15伏之夾止電壓( 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297/1^*1 — -22 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明(20 ) )。道砷化鉀場效電晶體(GaAs F E T ) 置係被適合於使用於感應器功能,因爲其输入(閘極)阻 抗是很髙,以至於其連接至讀出通道之連接不會負載該通 道。該控制電壓Vew是被输入至讀出F E TQ 3之閘極 。該開關被觸發之電壓是被稱爲臨界電壓°fet Q 3是偏壓於共源模式和(閘極源極電壓)接近 丫1^„^。在節點2 0 7之汲極電流是控制電應與裝置互 導之乘稹》該汲極是被主動負載2 0 5所負載,其配合 F E TQ 3之電流源型输出造成在節點2 0 7之一大電壓 搖動,如此削造一由控制電壓至FET Q4閘極之高電 壓增益。當Vew<Vth ,FET Q3是關閉與節點2 07是髙的。當Vsw>Vth時,FET Q3是導通與 節點207是低。當節黏207爲髙時,FET Q4是 爲常導通,與當節點2 0 7爲低時,其係被夾止,亦即, 當Q 4之V 降下到小於V PinCh 。主動負載2 0 5是 —偉德型電流源被設計以供給2. 5 mA之電流。其係基 於P N P射頻電晶體Q 1和Q 2 ·該電流源是因爲它使用 小阻抗值和因此有一小時間常數•該電流源是被選擇,其 係快速的。該主動負載2 0 5之另一實施例是傅統設計( 未示出)的一阻抗負載*該臨界位準Vth可以被經由變 化源極偏壓V 4而加以調整,其資際上包括一可變阻抗分 壓器具有一射極耦合緩衡器。一用於Vth之典型值是 0. 1伏特*該常開開關U2使用FET開關作爲Q4具 有邏輯反相U 3輸入到它的閘極·雖然該F E T是選擇的 本紙張尺度遑用中國國家標隼(CNS)A4规格(210X297公釐) ~ -23 - ; ^Λ------1TI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本κ)
In n m ^11 · 31G459 A/ B7 五、發明説明(21 ) 裝置用於開關Q4,Q8,U2和U4,其他的裝置,例 如:雙極電晶體與P I N (正-本質—負)二極體可以被 使用。同樣地,對於由開關Q 3及主動負載2 0 5所執行 之感應器功能,任何增益級或不是引入一不匹配進入信號 路徑之取樣級將是充足的》 對於方向閘2 0 0或2 0 1之另一賁施例,骸電壓控 制開關Q4,Q8,U2和U4是被一來自骸測試器或其 他源之控制線输入所作動β於道例子中,主動負載2 0 5 ,開關Q 3和源極偏壓V 4可以被省略來自方向閘2 0 1 譬如,與替換以一在節點2 0 7之控制線输入。 這些示於圖式中之電路的電路元件的值或名稱是被揭 示於表1。這些是用於所例示電路之例示值。其他值或電 路元件可以加以使用,與其係爲熟練於本技藝者所知道的 ,而沒有偏離本發明的目的與範園。 表 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .,,良. 訂 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 C3 1. 5 β F C43 50pF C4 1 OOpF C45 1. 5 ^ F C5 100pF C46 .0 1 ^ F C6 \.5 β ¥ C47 lOpF C7 1 OOpF D4-D7 基二極體 C8 1.5 β Y 2818(惠普 C9 1 OOpF 本紙張尺度適用中國國家梂丰(CNS ) Α4規格(210X297公釐) A7 B7五、發明説明(22 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製
Cl6-C20 .0 1 ^ F LI -L3 33 // Η C2 1 1. 5 jw F L5 1 OmH C22 1. 5pF C23 • 01 β F C24-C29 1. 5 M F C32 2pF C33 1 OOpF C34-C35 .01 μ F C36 1. 5 μ F C38 4 to 2pF C39 2 to 6pF C40 1. 5 M F C41 4pF C42 l〇pF Q1-Q2 MRF536 (摩托羅拉) R35 66 Ω Q3-Q4 ATF21 186(惠普) R36 2 0 0 Ω R37 50 Ω Q5-Q6 MRF536 R3B 3 Ω Q7-Q8 ATF21186 R39 15 Ω Q9-Q1 1 AT42 086 C惠普) R40 15 Ω R41 98 Ω Q12 MRF581 (摩托羅拉) R42 1 54 Ω Q13-Q14 ATF21186 R43 10 Ω R2 10Ω R45 49. 9 Ω (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家揉筚(CNS ) A4规格(2丨Ο X 297公釐) -25 - 五、發明説明(23 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 R3-R4 49.9 0 R46 80 Ω R5 10 Ω R47 49. 9 Ω R6 1 ΟΚ Ω R48 49. 9 Ω R8 6. 19ΚΩ R49 25 Ω R9 5Κ Ω R50 35 Ω R1 0 25 Ω ΤΙ , Τ2 Delay line R12 1 ΟΚ Ω U2, U4 電壓控制 R1 3 25 Ω 開關 R14 10ΚΩ U3, U5 反相器 R1 6 25 0 Ω V C C 5VDC R1 7 25 Ω V4 1.35VDC R18 10 Ω R20 25 0 Ω VI 0 10VDC(可變) R21 5 Ω V24 24VDC R22 15 Ω XI I VA05208 ( R23 49. 9 Ω 窗敢 Λ ΠΣλ θ / R24 50 Ω Χ2 CA282 0H(摩 托羅拉) R25 34 Ω Χ6, Χ7 I VA0 5 20 8 R27 20 Ω R28 35 Ω R29 7 Ω R30 35 Ω R3 1 24Ω 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) Γΐ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -26 - 310459 A7 — B7 五、發明説明(24 ) R33 17 Ω R34 35 Ω 結論,可以了解使用高頻率設計技術於執行本發明之 電路之重要性。因爲高頻宽,必須小心射頻並且甚至微波 考置,諸如:傳输線,來源和負載阻抗匹配*相位差,由 於電路板軌跡長度(特別於回授迴路),寄生阻抗,連接 器,與非理想元件特性。這些考置在以下的參考資料中被 說明:由泰利 愛德華所著之$微片電路設計的基礎〃第 二版,1981年,1992年,約翰 威利&子弟:及 由赛蒙廖1 9 8 0年所著之|微波裝置與電路# 。 本發明已經被敘述以特定的實施例。然而,本發明胃 不被限制到這些所描述和敘述之實施例。而是,本發明的 範圍是被隨附之申請專利範圍所定義。 衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局男工消費合作社印製 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 27
Claims (1)
- ABCD 經濟部中央揉準局貝工消资合作社印製 六、申請專利範圍 1_ ~種具有一輸入端及一輸出端之用以傳送一信號 於~電路測試器及一接近予以測試電路之連接點間之連結 ’該連結包含: —光織用以傅送該信號於戴路測試器及連接點之間, 該光織具有一输入端及一输出端; 一光源電氣連接至該連結之输入端,用以接收該信號 及光學耦合該光嫌之输入端以發射光至光緝;及 一光偵測器光耦合至該光織輸出端以及電氣連接至該 連結之输出端 2. 如申請專利範圈第1項所述之連結,更包含: 一接收器級電氣連接以接收該光偵測器之一輸出。 3. 如申請專利範園第2項所述之連結,更包含: 一等化器級電氣連接至以接收該接收器級之一输出。 4. 如申請專利範團第3項所述之連結,更包含: —電源輸出級電氣連接以接收該等化器級之一輸出》 5. 如申請專利範圈第3項所述之連結,更包含: 一髙通濾波器級電氣連接以接收該等化器及之一输出 〇 6. 如申請專利範圍第5項所述之連結,更包含: 一電源輸出級電氣連接以接收該高通濂波器級之一输 出。 7 .如申請專利範圈第3項所述之連結,其中,該等 化器級包含: _一於差分模式之差分放大器具有一負回授函數’電氣 本紙張尺度遒用中國國家梯率(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 "28 — 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 連接以接收該接收器級之一输出,藉以該差分放大器提供 一第一階高通閉回路反應" 8 .如申請專利範圍第2項所述之連結,其中,該接 收器包含: 一微波差分放大器m氣連接以接收該光偵測器之一输 出。 9 .如申請專利範園第1項所述之連結,其中,該光 源包含: 一光發射器;及 一驅動器級堪氣連接至該光發射器,用以呈現該信號 至光發射器。 1 0 .如申請專利範圔第9項所述之連結,更包含: 一負載轉接器設計以接收該信號及電氣連接以發射該 信號至該驅動器級。 1 1 .如申請專利範画第1 0項所述之連結*更包含 —可程式負載設計以接收該信號及電氣連接以發射該 信號至負載轉接器。 1 2 ·如申請專利範園第9項所述之連結,更包含: 一可程式負載設計以接收該信號及電氣連接以發射該 信號至該驅動器級。 1 3 ·如申請專利範圔第9項所述之連結,其中,該 光發射器是一發光二極體* 1 4 .如申請專利範圏第9項所述之連結,其中,該 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規《格(210X297公釐) 一 -29 - ---------(-------ir------4 丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 光發射器是一霪射二極體· 1 5 _如申請專利範圔第9項所述之連結,其中,該 驅動器級包含: 一驅動器電路幫氣連接以接收該信號及產生一調變信 號給該光發射器》 1 6 .如申請專利範圈第1 5項所述之連結,其中, 該驅動器級更包含: 一直流偏壓電流源產生一直流偏壓電流,連接至該驅 動器電路之輸出》 1 7 .如申請專利範圈第1 5項所述之連結*其中: 該光發射器是一發光二極髏; 該調變信號是一調變電流大約爲3 OmA ;及 該直流偏壓電流是大約6 0mA。 1 8 ·如申請專利範園第9項所述之連結,其中,該 驅動器級包含一射極跟隨器驅動器- 1 9 .如申請專利範圍第9項所述之連結,其中,該 驅動器級包含一F E T源極跟隨器驅動器* 2 0 .如申請專利範圓第1項所述之連結,其中,該 光偵測器是一光二極體偏壓於光導模式。 2 1 .如申請專利範園第1項所述之連結*其中,該 光纖是一多模1 〇 0/1 4 0微米錐型織維♦ 22. 如申請專利範圍第1項所述之連結,其中,該 光嫌於長度上是少於約五公尺4 23. 一種具有一第一端黏及第二端黏之一雙向界面 本紙張尺度逋用令國國家操隼(CNS) A4現格(210x297公釐) ~ -30 - (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 遵 趣濟部中央梂準局貞工消#合作社印製 AS B8 C8 ________ m六、申請專利範圍 ’用以提供一第一路徑及第二路徑於第一及第二端點間用 以傳送信號於一在第一端點之電路測試器及接近該在第二 端點之予以測試電路之一連接點之間,該雙向界面包含: —第一連結包含一第一光纖以提供該第一路徑之一部 份’該第一連結及該第一光繊每一均具有一輸入端及一輸 出端;及 —第二連結包含一第二光繊以提供該第二路徑之一部 份,該第二連結及該第二光繊每一均具有一輸入端及一輸 出端。 2 4 ·如申請専利範園第2 3項所述之雙向界面,更 包含: 一第一方向閘用以連接該第一連結之输入端及該第二 連結之輸出端至該第一端點;及 一第二方向閘用以連接該第二連結之輸入端及該第一 連結之输出端至該第二端點。 2 5 .如申請專利範困第2 3項所述之雙向界面,其 中,該第一連結更包含: 一第一光源電氣連接至該第一方向閘及光學耦合至該 第一光嫌之输入端,以傅送光至該光嫌中;及 一第一光偵測器光學耦合至該第一光嫌之输出端以接 收光及以電氣連接至該第二方向閘;其中,該第二連結更 包含: 一第二光源電氣連接至該第二方向閘及光學耦合至該 第二光嫌之输入端•以傅送光至該光織中:及 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本瓦) 、1T 身! 本紙張尺度遑用中國國家榡率(CNS > Α4规格(2丨0X297公釐) 310459 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 —第二光偵測器光學耦合至該第二光繊之輸出端以接 收光及以電氣連接至該第一方向閘。 2 6 .如申請專利範圓第2 4項所述之雙向界面,其 中,該第一方向閘包含: 一常閉開關設於該第一連結之输入端及該第一端點之 間: 一常開開關設於第二連結之輸出端及該第一端點之間 經濟部中夬標準局貝工消費合作社印製 一讀出開關連接至該第二連結之输出端及感應來自該 第二連結之信號而連接以造成該常開關閉合以及該常閉開 關打開:及 一延遲線設於該第二連P之輸出端及該常開開關之間 ,並聯於該讀出開關以及當該常開開關閉合時,連接該第 二連結之输出端至該第一端點。 2 7 . —種連結用於傅送一信號於一電路測試器以及 接近予以測試電路之連接點之間,該連結包含: 一光織具有一输入端及一输出端; 一光發射器光耦合至該光嫌输出端: 一光偵測器光耦合至該光嫌之输出端: 用以反應於該信號而控制該發光器之输出之機構;及 用以回復來自該光偵測器之输出之信號之機構。 2 8.—具有一输入端及一輸出端用以傅送一信號於 一電路測試器及一予以測試電路間之連結•該連結包含: 一光飆用以傳送信號於該電路測試器及一接近該予以 訂------雄— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度遑用中國國家橾準(CNS ) A*»洗格(210 X 297公釐) 2 9 . 經濟部中央樣準局員工消资合作社印褽 A8 BS C8 _____ m ^、申請專利範圍 測試電路之一點之間,該光嫌具有一输入端及一输出端: 一光源電氣連接至該連結之輸入端用以接收該信號及 光學耦合至該光嫌之輸入端以發射光至該光繊; —光偵測器光學連接至該光纖之輸出端以接收光及電 氣連接至該連結之输出端;及 一探針接點用以予以測試之電路電氣連接至該連結之 輸出端。 種用以發射一類比信號經由一具有一轉移函 數1 (s)之發光二極體之設備,包含: —光偵測器光學耦合至該發光二極鳢: —主動濾波器電氣連接至該光偵測器之一输出及具有 一轉移函數1/1(s)。 3 0 .如申請專利範園第2 9項所述之設備,其中, 該主動濾波器包含: —差分放大器; 一 R C網路連接至該差分放大器之一輸出至該差分放 大器之反相輸入,以提供一定義一 1 /丨(s )之轉移函 數之回授· 本紙張尺度適用中國國家揲準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)-33 -
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US43665695A | 1995-05-08 | 1995-05-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW310459B true TW310459B (zh) | 1997-07-11 |
Family
ID=23733293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW085111543A TW310459B (zh) | 1995-05-08 | 1996-09-20 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6249621B1 (zh) |
| AU (1) | AU5730696A (zh) |
| TW (1) | TW310459B (zh) |
| WO (1) | WO1996035972A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI403089B (zh) * | 2009-07-07 | 2013-07-21 | Asustek Comp Inc | 轉接器 |
| TWI419607B (zh) * | 2010-06-14 | 2013-12-11 | E Sun Prec Ind Co Ltd | 訊號傳輸電路 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996035972A1 (en) * | 1995-05-08 | 1996-11-14 | Testdesign Corporation | Optical fiber interface for integrated circuit test system |
| JPH10293158A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Advantest Corp | Ic試験装置 |
| GB2373587B (en) * | 1998-02-05 | 2002-11-27 | Advantest Corp | Optical driver optical ouput type voltage sensor and IC testing apparatus using them |
| WO1999040449A1 (en) * | 1998-02-05 | 1999-08-12 | Advantest Corporation | Optically driven driver, optical output type voltage sensor, and ic testing equipment using these devices |
| US6453377B1 (en) * | 1998-06-16 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Computer including optical interconnect, memory unit, and method of assembling a computer |
| JP3740291B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2006-02-01 | 日本オプネクスト株式会社 | 光送信器 |
| IT1312404B1 (it) * | 1999-06-15 | 2002-04-17 | Andrea Ferrero | Dispositivo a sintesi di impedenza di carico o sorgente attiva perbanchi di misura di componenti ed apparati alle microonde |
| US6594416B1 (en) * | 2001-04-23 | 2003-07-15 | Intest Ip Corp. | Optical fiber interface for integrated circuit test system |
| US6941080B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-09-06 | Triquint Technology Holding Co. | Method and apparatus for directly modulating a laser diode using multi-stage driver circuitry |
| US6952136B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-10-04 | Broadcom Corporation | System to reduce unwanted oscillations in high speed, high gain or transimpedance amplifiers |
| US6791317B1 (en) | 2002-12-02 | 2004-09-14 | Cisco Technology, Inc. | Load board for testing of RF chips |
| US7113761B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-09-26 | Motorola, Inc. | RF power device with on-chip digital control and optical interface |
| US7348786B2 (en) * | 2004-08-31 | 2008-03-25 | Georgia Tech Research Corporation | Probe module for testing chips with electrical and optical input/output interconnects, methods of use, and methods of fabrication |
| US7853149B2 (en) * | 2005-03-08 | 2010-12-14 | Clariphy Communications, Inc. | Transmitter frequency peaking for optical fiber channels |
| US7173423B2 (en) * | 2005-05-06 | 2007-02-06 | General Electric Company | System and methods for testing operation of a radio frequency device |
| US20070269219A1 (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Teller Witold R | System and apparatus for optical communications through a semi-opaque material |
| US8059006B2 (en) * | 2007-05-18 | 2011-11-15 | Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. | System and method for communicating power system information through a radio frequency device |
| US20070275588A1 (en) * | 2006-05-29 | 2007-11-29 | International Business Machines Corporation | Isolated signal probe |
| US7646988B2 (en) * | 2006-08-04 | 2010-01-12 | Finisar Corporation | Linear amplifier for use with laser driver signal |
| US7734184B2 (en) * | 2006-08-04 | 2010-06-08 | Finisar Corporation | Optical transceiver module having an active linear optoelectronic device |
| US8829479B2 (en) * | 2008-11-21 | 2014-09-09 | L-3 Communications Corporation | Isolated high-speed digital interface for vehicles |
| KR20100067487A (ko) * | 2008-12-11 | 2010-06-21 | 삼성전자주식회사 | 테스트 인터페이스 장치, 테스트 시스템 및 광 인터페이스 메모리 장치 |
| US8222910B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-07-17 | Atmel Corporation | Method and apparatus for sub-assembly error detection in high voltage analog circuits and pins |
| CN104508976A (zh) * | 2012-08-13 | 2015-04-08 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 与光模块热隔离的跨阻抗放大器(tia) |
| US20150362533A1 (en) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Solcon Industries Ltd. | Method and system for monitoring equipment at medium voltage |
| US10215589B2 (en) * | 2015-08-12 | 2019-02-26 | Infineon Technologies Ag | IO matching current modulated output for sensors |
| US12353988B2 (en) | 2020-07-09 | 2025-07-08 | Celestial Ai Inc. | Neuromorphic photonics with coherent linear neurons |
| EP4193306A4 (en) | 2020-08-06 | 2024-08-21 | Celestial AI Inc. | COHERENT PHOTONIC COMPUTER ARCHITECTURES |
| EP4336859A3 (en) | 2021-06-18 | 2024-06-05 | Celestial AI Inc. | Electro-photonic network for machine learning |
| WO2023177417A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-21 | Celestial Ai Inc. | Photonic fabric with optical interface for connection to memory |
| US12436346B2 (en) | 2022-03-18 | 2025-10-07 | Celestial Ai Inc. | Optically bridged multicomponent package with extended temperature range |
| WO2023177848A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-21 | Celestial Al Inc. | Optical multi-die interconnect bridge (omib) |
| US12283584B2 (en) | 2022-07-26 | 2025-04-22 | Celestial Ai Inc. | Electrical bridge package with integrated off-bridge photonic channel interface |
| US12191257B2 (en) | 2022-07-26 | 2025-01-07 | Celestial Ai Inc. | Electrical bridge package with integrated off-bridge photonic channel interface |
| US12217056B2 (en) | 2023-01-27 | 2025-02-04 | Celestial Ai Inc. | Load/store unit for a tensor engine and methods for loading or storing a tensor |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4032843A (en) * | 1976-06-21 | 1977-06-28 | International Telephone And Telegraph Corporation | Compensated signal isolator |
| US4207468A (en) * | 1976-07-27 | 1980-06-10 | Kilo Corporation | Object identification system |
| CA1151242A (en) * | 1980-09-17 | 1983-08-02 | Saskatchewan Power Corporation | Method and apparatus for sensing current in high voltage conductors |
| FR2495412A1 (fr) * | 1980-12-02 | 1982-06-04 | Thomson Csf | Systeme de transmission d'informations a modulation directe de la lumiere a liaison optique a bande passante etendue vers les frequences basses et le continu |
| US4420841A (en) * | 1981-05-29 | 1983-12-13 | Westinghouse Electric Corp. | Optically coupled bidirectional transceiver |
| US4595839A (en) * | 1982-09-30 | 1986-06-17 | Tetra-Tech, Inc. | Bidirectional optical electronic converting connector with integral preamplification |
| NL8204856A (nl) * | 1982-12-16 | 1983-03-01 | Philips Nv | Transmissiestelsel voor de overdracht van tweewaardige datasymbolen. |
| JPS60113546A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-20 | Nec Corp | 光送信器 |
| US4812780A (en) * | 1986-04-23 | 1989-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Broadband differential amplifier |
| US4906930A (en) * | 1987-02-27 | 1990-03-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetometer using a Josephson device and superconducting phototransistor |
| US4828389A (en) * | 1987-04-21 | 1989-05-09 | Smiths Industries | Integrated triad optical rate sensor apparatus |
| EP0402295B1 (en) * | 1989-06-05 | 1994-10-12 | International Business Machines Corporation | Method and system for transmitting signals over a fibre optic link |
| US5069522A (en) * | 1990-01-09 | 1991-12-03 | International Business Machines Corporation | Optical fiber link card |
| US5303266A (en) * | 1990-06-08 | 1994-04-12 | Chipcom Corporation | Multimedia high speed network |
| US5414345A (en) * | 1991-04-29 | 1995-05-09 | Electronic Development, Inc. | Apparatus and method for low cost electromagnetic field susceptibility testing |
| US5508661A (en) * | 1991-10-24 | 1996-04-16 | Litton Industries | Fast tuning YIG frequency synthesizer |
| JPH05227103A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-09-03 | Nec Corp | 光通信方法 |
| US5361156A (en) * | 1991-12-09 | 1994-11-01 | Scientific-Atlanta, Inc. | Method and apparatus for predistortion |
| US5333218A (en) * | 1993-05-24 | 1994-07-26 | General Electric Company | Optical fiber tapered output end preparation for improved high power laser/fiber delivered beam quality |
| US5430400A (en) * | 1993-08-03 | 1995-07-04 | Schlumberger Technologies Inc. | Driver circuits for IC tester |
| US5463311A (en) * | 1993-12-21 | 1995-10-31 | Nec Electronics, Inc. | Apparatus and method for measuring operating voltage electrical signals in a high voltage environment |
| US5450203A (en) * | 1993-12-22 | 1995-09-12 | Electroglas, Inc. | Method and apparatus for determining an objects position, topography and for imaging |
| US5694409A (en) * | 1994-07-15 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for driving a semiconductor laser by a plurality of driving elements |
| WO1996035972A1 (en) * | 1995-05-08 | 1996-11-14 | Testdesign Corporation | Optical fiber interface for integrated circuit test system |
| JPH10142298A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Advantest Corp | 集積回路デバイス試験装置 |
| US6119255A (en) * | 1998-01-21 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit |
-
1996
- 1996-05-07 WO PCT/US1996/006422 patent/WO1996035972A1/en not_active Ceased
- 1996-05-08 AU AU57306/96A patent/AU5730696A/en not_active Abandoned
- 1996-09-20 TW TW085111543A patent/TW310459B/zh active
-
1997
- 1997-04-23 US US08/847,305 patent/US6249621B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-23 US US09/841,688 patent/US6404949B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI403089B (zh) * | 2009-07-07 | 2013-07-21 | Asustek Comp Inc | 轉接器 |
| TWI419607B (zh) * | 2010-06-14 | 2013-12-11 | E Sun Prec Ind Co Ltd | 訊號傳輸電路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6249621B1 (en) | 2001-06-19 |
| US6404949B1 (en) | 2002-06-11 |
| WO1996035972A1 (en) | 1996-11-14 |
| AU5730696A (en) | 1996-11-29 |
| US20020054731A1 (en) | 2002-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW310459B (zh) | ||
| US10014950B2 (en) | 56 Gbps PAM4 driver module for mach zehnder modulator | |
| Rein | Multi-gigabit-per-second silicon bipolar ICs for future optical-fiber transmission systems | |
| EP1156603A2 (en) | LED driving circuit and optical transmitting module | |
| US8604866B2 (en) | Method and system for bandwidth enhancement using hybrid inductors | |
| US10302880B2 (en) | Method and system for implementing high-speed electrical interfaces between semiconductor dies in optical communication systems | |
| JP2000022256A (ja) | 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール | |
| US20140376582A1 (en) | Power-efficient high-speed driver for a vertical-cavity surface-emitting laser | |
| US20230305246A1 (en) | Opto-electronic assemblies | |
| WO2012141008A1 (ja) | 半導体集積回路 | |
| US7026867B2 (en) | Floating input amplifier for capacitively coupled communication | |
| Fukuyama et al. | Photoreceiver module using an InP HEMT transimpedance amplifier for over 40 Gb/s | |
| JP2001015854A (ja) | 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール | |
| US20050220459A1 (en) | Receiver circuit having an optical receiving device | |
| US6593769B1 (en) | Differential, reduced swing buffer design | |
| WO2003031998A2 (en) | Optical fiber interface for integrated circuit test system | |
| JP3217079B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| CN112615676B (zh) | 带有相位延迟补偿功能的高速光收发一体芯片驱动电路 | |
| Sinsky et al. | 10-Gb/s electrical backplane transmission using duobinary signaling | |
| Belfiore et al. | 40 Gbit/s 4-PAM VCSEL driver circuit with power roll-off compensation | |
| CA2312516C (en) | Infrared transceiver with isolated analog output | |
| Koryakovtsev et al. | Design of Integrated Photonic Receiver with 20 GHz Bandwidth Based on 0.25-µm SiGe BiCMOS Technology | |
| JP2919012B2 (ja) | 整合回路 | |
| Wu et al. | 40 GHz transimpedance amplifier with differential outputs using InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors | |
| Li et al. | A 28Gbaud/s 4Vpp PAM4 MZ Modulator Driver in 0.13\mu\mathrm {m} $ SiGe BiCMOS Technology |