TW300907B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW300907B TW300907B TW083107210A TW83107210A TW300907B TW 300907 B TW300907 B TW 300907B TW 083107210 A TW083107210 A TW 083107210A TW 83107210 A TW83107210 A TW 83107210A TW 300907 B TW300907 B TW 300907B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- solution
- coating
- dianhydride
- substrate
- acid
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/12—Stencil printing; Silk-screen printing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
- C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
/ Ο 修正 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 1、洛明説明ί / 、 1補充 1 本 發 明 乃 有 鼷 在 基 材 上 形 成 圖 案 之 一 種 新 穎 方 法 〇 詳 1 1 而 古 之 » 有 闞 利 用 部 分 醢 亞 胺 化 之 ”聚醢胺酸” (Ρ ο 1 y a B i C 1 I a c id) 的 高 固 通 含 量 溶 液 塗 佈 « 並 在 基 材 上 形 成 η 案 之 1 1 方 法 〇 請 先 1 1 聚 醣 亞 胺 (Ρ 〇 1 y i m i d e ) 由 於 具 有 極 佳 的 热 Λ 絕 緣 及 黏 閲 讀 1 合 性 質 • 因 此 在 製 造 半 導 體 的 領 域 中 一 直 用 為 鈍 化 » 級 背 之 1 1 街 或 介 霣 暦 之 塗 佈 0 為 使 聚 醢 亞 胺 塗 層 下 方 之 導 霣 線 相 注 意 事 1 1 通 9 已 開 發 兩 種 形 成 案 之 方 法 0 方 法 —. ( 參 見 美 圔 専 項 再 1 U 利 4, 369 , 090 號 ) 是 先 在 有 櫬 溶 劑 中 溶 解 二 胺 及 二 酐 而 本 裝 得 聚 醢 胺 酸 溶 液 ο 在 基 材 上 塗 佈 所 得 溶 液 加 热 蒸 發 溶 頁 1 | m 並 將 聚 醢 胺 酸 做 部 分 醢 亞 胺 化 0 部 分 醢 亞 胺 化 是 在 1 | 形 成 圖 案 之 遇 程 中 用 來 減 少 塗 層 的 膨 脹 及 在 醢 亞 胺 化 1 1 過 程 中 Μ 降 低 收 m 而 形 成 較 佳 之 圖 案 〇 但 因 所 形 成 聚 1 訂 1 1 醢 亞 胺 不 溶 部 分 無 法 溶 解 形 成 圜 案 故 聚 醢 胺 酸 不 可 完 全 醢 亞 胺 化 〇 在 部 分 醢 亞 胺 化 之 聚 醢 胺 酸 塗 層 上 施 Μ 1 1 光 胆 並 照 Μ 圖 案 形 式 之 光 線 〇 曝 光 部 分 的 光 阻 ( 或 未 1 I 曝 光 部 分 的 光 阻 ) 可 溶 於 溶 劑 中 同 時 洗 掉 其 下 方 的 部 1 L 分 醢 亞 胺 化 之 聚 醢 胺 酸 〇 加 热 其 餘 的 塗 層 使 聚 醢 胺 酸 A、 1 完 全 醢 亞 胺 化 〇 1 I 在 基 材 上 形 成 聚 釀 亞 胺 圖 案 之 另 法 ( 參 閲 美 園 專 利 1 1 4 , 880 , 722 號 ) 包 含 使 聚 醣 胺 酸 溶 液 和 感 光 劑 混 合 〇 在 1 | 基 材 上 塗 Μ 此 溶 液 加 热 蒸 發 溶 劑 並 使 聚 醢 胺 酸 部 分 1 | 醢 亞 胺 化 0 Μ 紫 外 線 圖 案 照 射 塗 層 使 得 感 光 劑 之 曝 光 1 1 區 變 成 可 溶 於 m 性 顯 像 水 液 中 〇 不 溶 性 之 感 光 劑 為 疏 水 1 1 I -3 - 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) 300907 B7 經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 五、發明説明(上 ) 1 1 性 的 9 及 能 防 止 和 其 接 m 之 聚 醢 胺 酸 溶 於 m 性 顧 像 水 液 1 1 I 中 〇 利 用 驗 性 顯 像 水 液 將 塗 層 可 溶 部 分 及 下 方 部 分 醢 亞 1 1 胺 化 之 聚 醢 胺 酸 洗 除 〇 加 热 刺 餘 塗 曆 以 將 聚 釀 胺 酸 完 全 /«—V 請 先 1 1 醢 亞 胺 化 〇 雖 然 此 法 不 錯 但 是 在 部 分 m 亞 胺 步 鼸 通 程 閲 1 背 1 中 感 光 劑 會 分 解 〇 ιέ 之 1 此 兩 法 均 不 易 降 低 因 聚 醢 胺 酸 部 分 醢 亞 胺 化 所 引 起 的 注 意 1 事 1 收縮率 〇 在 某 些 應 用 中 例 如 為 符 合 厚 絕 緣 或 基 材 的 保 項 再 1 U. 填 護 之 要 求 均 須 有 低 收 嫌 率 之 塗 層 〇 寫 本 裝 吾 已 發 現 若 聚 醣 胺 酸 經 部 分 醢 亞 胺 化 9 則 變 成 更 能 溶 頁 s_»» 1 1 於 有 櫬 溶 m 〇 亦 即 若 醣 亞 胺 化 率 由 0 升 上 來 » 則 部 分 醢 1 I 亞 胺 之 黏 度 會 先 降 至 最 小 值 然後接近100%醚亞胺化 1 1 時 又 會 升 高 黏 度 〇 由 於 有 此 異 常 現 象 可 使 聚 醮 亞 胺 1 訂 1 I 部 分 醯 胺 化 而 得 高 固 體 含 量 之 溶 液 〇 因 為 溶 液 具 較 高 的 固 體 含 量 呈 可 在 基 材 上 形 成 低 收 縮 之 塗 靥 〇 於 是 1¾ 別 1 1 在 於 往 的 技 術 是 先 將 聚 醢 胺 酸 溶 液 塗 在 基 材 上 然 後 1 I 才 在 基 材 上 部 分 醢 亞 胺 化 而 本 發 明 之 方 法 則 是 先 使 聚 1 L 醢 胺 酸 溶 液 部 分 醢 亞 胺 化 後 才 塗 在 基 材 上 〇 矣, 為 獲 得 高 固 體 含 量 溶 液 較 佳 為 白 溶 液 中 回 收 部 分 睡 1 I 亞 胺 化 聚 醢 胺 酸 » 該 溶 液 是 利 用 有 櫬 溶 劑 製 備 再 溶 解 1 1 亦 是 利 用 有 櫬 溶 劑 〇 一 旦 形 成 第 二 溶 液 則 可 塗 於 基 材 1 I 上 乾 煉 且 覆 Μ 光 姐 或 感 光 劑 可 先 摻 在 該 溶 液 中 1 | 一 起塗在基材上 〇 如 此 可 在 單 一 步 驟 中 獲 得 收 縮 率 此 Μ 1 1 注 技 術 所 得 者 更 低 的 塗 層 〇 1 I Wl _ 簡 單 說 明 I -4 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(令). 附圈顯示聚醣胺酸之醢亞胺化率和其黏度之闞係。 於住亘腰例夕說明 依本發明製程之第一步是製備單體在有櫬溶劑中所形 成之第一溶液。此第一溶液含約5至約20%重量固體。 合缠的有機溶劑包含” N -甲基吡咯啶酮"(NMP),二甲基 乙釀胺(DMAC), 2-乙烯吡咯啶酮,丙嗣,苯,甲苯,二 甲苯,”溶纖劑"或乙二酵乙醚,"溶纖醋酸酯"或羥乙基 醋酸_乙二酵單醋酸_,乙醚或二氛甲烷,二甲基甲醢 胺(DMF).乙酵,甲基異丁嗣,甲乙嗣,四氫瞎吩眼 (sulfolane),二甲基亞明(DHS0),六甲基磷醢胺(HMPA) ,四甲P(TMU),二乙二酵二乙醚,1,2-二甲氧乙烷或 乙二酵二甲醚(B〇n〇glyBe),二乙二酵二甲醚或雙(2-甲 氣乙基)醚(diglyne), 1,2-雙(2-甲氧乙«)乙烷 (triglyne),雙[2-(2-甲氧乙氣)乙基)]雄(tetraglue) ,四氫呋哺,間-二噁烷及對-二噁烷。NMP及DMAC較佳 ,因其為聚醢胺酸之良好溶劑。 採用二酐及二胺單體製備聚醢胺酸。在本發明中,此 等單體並不含光敏感基團。 二酐 任何二酐或其混合物均可用來做為製造聚醢亞胺之二 酐單體,但其中Μ芳族二酐較佳,因其可提供優越的性 質。合適的二酐例如是: 1,2,5,6-萘四羧二酐; 1,4, 5,8 -棊四羧二酐; -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) — .1— I—-II 裝 II I 訂 矣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(4 ) 2 , 3 , 6,7-# 四羧二酐; 2-(3’,4’-二羧苯基)5,6-二羧苯並眯唑二酐; 2-(3',4’-二羧苯基)5,6-二羧苯並噁唑二酐; 2-(3’,4·-二羧苯基)5,6-二羧苯並瞜唑二酐; 2,2’,3,3’-二苯基酮四羧二酐; 2,2’,3,4’-二苯基_四羧二酐; 3 ,3·,4,4’-二苯基酮四羧二酐(BTDA); 2,2’ .3,3’-瞄苯四羧二酐; 2,2·,3,4’-聯苯四羧二酐; 3,3',4,4*-聯苯四羧二酐(8?0兵>; 雙瑁[2.2,2]辛烯(7)-2,3,5,6-四羧-2,3,5,6-二酐; 疏代二肽酐; 雙(3,4-二羧苯基)δϋ二酐; 雙(3,4-二羧苯基)亞Mi二酐; 雙(3,4-二羧苯基噁二唑-1,3,4-)對伸苯基二酐; 雙(3,4-二羧苯基噁二唑-1,3,4-)對伸苯基二酐; 雙(3,4-二羧苯基)2,5-噁二唑-1,3,4-二酐; 雙 2,5-(3’,4’-二羧二苯醚)1,3,4-嗯二唑二酐; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雙(3,4-二羧苯基)醚二酐或氣基二酞酐(ODPA); 雙(3,4-二羧苯基)硫醚二酐; 雙酐A二酐; 雙酐S二酐; 2,2-雙(3,4-二羧苯基)六氟丙烷二酐或5, 5-[2,2,2-三 氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙-1,3 -異笨並呋喃二嗣) -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(ί* ) (6FDA); 氫匿雙醚二酐; 雙(3,4-二羧苯)甲烷二酐: 環戊二烯四羧二酐; 環戊垸四羧二酐; 伸乙基四羧二酐; 伸i基3,4,9,10 -四羧二酐; 1 , 2,4,5-苯四酸二酐(PMDA); 四氫呋喃四羧二酐;及 間苯二酚二酐。 較佳的二酐為ODPA, BPDA, BTDA, 6FDA及PHDA或其混 合物,因為此等二酐容易瞄得,而且可提供儍越的性質 。二酐類可圼其四酸形,或四酸之單、二、三或四酷形 ,但較佳為呈二酐形,因其更具反應性。 二防 欲製聚醢亞胺之二胺單體不可含矽嗣。不含矽氧烷之 二胺必須是芳族的,因其可提供最佳性質。合適的二胺 包含: 間-及對-伸苯基二胺; 2 , 4-二胺甲苯(TDA); 2,5-及2 , 6-二胺甲苯; 對-及間-二甲苯二胺; 4 , 4 ’ -二胺聯苯; 4,4’-二胺二苯醚或4,4’-氧二苯胺; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(& ) 4.4 氧二苯胺(ODA): 4,4'-二胺二苯基酮; 3.3’,3,4’-或4,4’-二胺苯i«或間,間間,對-、或 對,對-δ«二笨胺; 4.4 二胺二苯硫; 3,3’-或4,4’-二胺二苯甲烷或間,間-或對,對-亞甲基 二苯胺; 3,3’-二甲基聯苯胺; α ,α 雙(4-胺苯基)-1,4-二異丙苯或4,4’-亞異丙基 二苯胺或雙苯胺P ; α ,<x 雙(4-胺苯基)-1,3-二異丙苯或3,3’-亞異丙_ 二苯胺或雙苯胺m ; 1 ,4-雙(對-胺苯氧基)苯: 1.3- 雙(對-胺苯氣基)笨; 4,4’-雙(4-胺苯氧基)聯苯; 1 , 3-雙(3-胺苯氧基)苯(APB); 2.4- 二胺-5-氛甲苯; 2 , 4-二胺-6-氯甲苯; 2,2-雙[4-胺苯氧基]苯丙烷(BAPP); 三氟甲基-2 , 4-二胺苯; 三氟甲基-3 , 5-二胺苯; 2,2’-雙(4-胺笨基)-六氟丙烷(6「二胺); 2,2’-雙(4-苯氧基苯胺)亞異丙基; 2 , 4 , 6-三甲基-1 , 3-二胺苯; -8 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---------μ裝! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 五、發明説明(7 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4, 4’-二胺-2,2’-三氟甲基二苯氧; 3,3·-二胺-5,5’-三氟甲基二苯氧; 4,4·-三氟甲基-2,2·-二胺_苯; 2,4,6-二甲基-1,3-二胺苯; 二胺想醍; 4,4’-氧基雙[2-(三氟甲基)苯胺](1,2,4-OBABTF); 4,4’-氣基雙[(3-三氟甲基)苯胺] 4,4’-碕基雙[(2-三氟甲基)苯胺] 4,4’-硫基雙[(3-三氟甲基)苯胺] 4,4·-亞Μ雙[(2-三氟甲基)苯胺] 4,4’-亞硪雙[(3-三氟甲基)苯胺] 4,4’-嗣雙.[(2-三氟甲基)苯胺]; H-{(2,2,2-三氟甲基-1-(三氟甲基)亞乙基)雙(3-三 氟甲基)笨胺]。 較佳的芳族二胺為ODA, TDA, APB及BAPP,或其混合 物,因其具有極佳之性質。 矽缠:烷里艚 製備聚醢亞胺矽氧烷時,較佳為採用約1至約60%重 量的含矽氧烷之單體做為單體的一部分。含矽《烷之單 體可為芳族或非芳族,但較佳為非芳族單體,因其較容 易取得。含矽氧烷單體較佳為一種二胺,但亦可為一種 二酐。適用的矽氧烷二胺如下式所示: Ο
JA -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) -----------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
L 五 300907 A7 明説 明發 ο 氧 矽 的 用 逋
示 所 式 下 ο OICcl° / 3\ f J21l5i_Λ*
Q 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 式中Ri, 1{2及1{3分別為單、雙及三價基,各自獨立, 選自被取代或未被取代之Ci - 12脂族基或被取代或未 被取代之C 6 - 10芳族基。單價基例如是-CH 3 , -CF 3 , -CH = CH 2 , -(CH 2 ) n CF 3 , -C 6 Hs , -CF 2 -CHF-CF 3 及-CH2 -c-ch2 -o-ch2 CF2 CF2 CP3 〇 二價基例如是 II 0 "(C Η 2 ) π - . - (C Η 2 ) η ~ * -CF2 -及-C6 Η4 三價基 例如有:-CH-CH 2 -, 氣 式中n為1至10; m為1厗200 ,但較佳為1至12。 (本文中矽氧垸二胺M”Gb”代表)。 聚醯胺醏 一般而言,採用化學計量的二胺及二酐單體以獲得最 高分子量的聚醢亞胺,但二酐對二胺的當量比可為1:2 至2:1 。聚醢亞胺矽氧烷可由約1至約60%重量含矽氧 烷單體和約40至約99%重量不含矽氧烷之單體所製得; -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I I I I I I I .ί ___ n τ _______ί ^ 、v多 矣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 較佳為由約1至約30%重量含矽氧烷單體及的70至約99 %重量不含矽氧烷之單體製得。 在溶劑中加入單體,即可在室溫產生聚合而形成聚醢 胺酸◊然後使溶液部分醢亞胺化,此操作可利用化學技 術,例如加入_酸酐,或較佳為在約130TC至約170tl加 热。較佳為使約10至約95%醢胺酸基進行醢亞胺化*因 為若醢亞胺化低於10%,則圓案之解析度差,且溶液的 黏度太高,但若醢亞胺化高於95%,則部分醢亞胺化之 聚醢胺酸太不易溶,且溶液之黏度也太高。較佳為使約 20至約50%的醢胺酸基進行醢亞胺化。醢亞胺化量可用 紅外媒光譜分析,或測定形成醢亞胺基時所排出之水量 ,或加熱至預定的時間,乾燥,並滴定聚醢胺酸,以決 定加熱時間和醢亞胺化率間之闞係。逹到特定醢亞胺化 率所獬的热董端賴於所用之單體種類。 第二溶液 一旦聚醢胺酸部分醣亞胺化,因為該部分醢亞胺化之 聚醣胺酸更能溶解*故其濃度可更高。可在約80至約 130C及真空下媛鍰加熱而加以濃縮。濃縮之方法較佳 為使部分醯亞胺化聚醢胺酸自第一溶液中沈澱,或加入 水。通常是利用過滤收集沈澱之部分醢亞胺化聚醣胺酸 ,並且必要時可例如在甲醇中洗,然後乾燥。其後溶於 較佳為HMP或DMAC之第二有機溶劑中,而形成含約20至 約50%重量固體之第二溶液。若第二溶液含少於20%重 量之固體,則所得薄膜太薄;但若含多於50%重量固體 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂
L A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 c ) 1 1 I » 則 溶 液 太 黏 稠 9 不 易 塗 佈 在 基 材 上 ; 於 是 較 佳 為 形 成 1 1 I 3C 至 40¾ 重 量 固 體 之 溶 液 〇 白 第 — 溶 液 中 收 集 部 分 釀 亞 1 1 胺 化 聚 醢 胺 酸 9 然 後 使 之 再 溶 於 第 二 溶 劑 中 之 步 驟 較 佳 請 先 1 1 為 形 成 高 固 89 含 量 之 溶 液 因 為 若 由 第 一 溶 液 蒸 發 溶 劑 閲 讀 1 背 1 而 濃 縮 • 均 會 使 聚 醢 胺 酸 發 生 醢 亞 胺 化 〇 Λ 之 1 m. 成 JBL 察 注 意 1 事 1 使 第 二 溶 液 塗 在 基 材 上 » 典 型 上 在 90 至 120t:溫和焙 項 再 1 烤 而 在 基 材 上 形 成 塗 層 0 可 採 用 任 何 基 材 * 但 典 型 的 基 填 寫 本 裝 材 包 含 氮 化 矽 * 二 氧 化 矽 9 鋁 及 m • 以 及 矽 晶 片 0 因 為 頁 1 | 用 於 本 發 明 之 單 體 不 含 光 敏 感 基 9 故 必 須 利 用 光 敏 感 基 1 I 或 感 光 劑 便 形 成 圖 案 〇 在 本 發 明 之 一 具 體 例 中 $ 於 塗 1 1 層 上 再 加 一 層 光 敏 感 基 (典型上厚度為約1 至約3 微米) 1 訂 1 I 〇 光 敏 感 基 經 曝 光 後 9 曝 光 部 分 變 成 可 溶 (正光敏感基) 或 不 溶 (負光敏感基) 9 利 用 顯 像 溶 劑 洗 掉 可 溶 部 分 及 其 1 1 下 方 的 塗 層 » 然 後 典 型 上 不 溶 的 光 敏 感 基 溶 於 其 他 溶 劑 1 I 而 移 除 之 » 並 使 部 分 醢 亞 胺 化 聚 醢 胺 酸 完 全 熟 化 〇 典 型 1 矣 1 的 熟 化 步 驟 包 含 在 150*C加熱30分鐘, 在250 V 30分 鐘 及 35〇υ 30 分鐘 c 所得的聚醢亞胺層典型上厚度為約3 至 1 I 約 20微 米 〇 1 1 在 本 發 明 之 第 二 具 體 例 中 9 較 佳 為 在 部 分 醢 亞 胺 化 聚 1 | 醜 胺 酸 之 高 固 體 含 量 之 第 二 溶 液 中 加 入 約 10 至 約 30¾ 重 1 1 量 (百分率係對部分醢亞胺化前體而言) 的 感 光 劑 9 或 溶 1 1 解 抑 制 劑 和 光 活 性 化 合 物 之 混 合 物 〇 若 感 光 劑 或 溶 解 抑 1 1 制 劑 之 用 量 少 於 約 10% 重 量 套 則 效 果 差 ; 而 若 多 於 30% 1 1 -12- 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(") 重最,刖必須更多的紫外線照射,且圔案的品質會劣化 。使含有感光劑之部分醣亞胺化聚醢胺酸溶液塗在基材 上,並如前述地蒸發溶繭而形成塗層。使塗曆嗶光,並 Μ驗性顧像水液洗掉曝光區而在基材上形成圔案。然後 如前述加热部分醢亞胺化聚醢胺酸而使之完全醢亞胺化 。逋用的感光劑可參閲M. Oba等氏發明之歐洲専利 478,321A1, 68-82頁。此等感光劑例如有1,2-萘鼷-(2> -雙叠氮-4-磺酸1,2-萦_-(2)-雙叠氮-5-磺酸K及 叠氮化物之衍生物。正感光劑之例子有: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4^格(210X297公釐) 五、發明说明((
ο I R A7 B7 ¾齊邦t夫樣丰局W:工消费合作社印¾
OR (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(,〇 A7 B7 式中B係1至100 , η係1至100 ;及 R係 0
Ν 0
Op"2, o-s-o
n2 酯 酸 确 I 5 IΜ β 雙 Τ應 2)反 yrv - 光 IK 之 策列 2-下 1,生 為產 E 可 光射 感照 正媒 的外 佳紫 較經 其
n2 A, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
Η 但醢 ,分 應部 反止 酸防 胺可 醢性 聚水 化疏 胺其 亞且 醢 , 分中 部液 和水 會性 不鹼 劑於 光溶 感不 此其 然初 雖起 是 可化 成胺 變亞 ,醢 後分 光部 曝之 其觸 當接 ;其 中和 液得 水使 性而 鹼 於中 溶劑 酸像 胺顯 豳水 聚性 化鹼 胺於, 亞溶 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(K ) 之聚醢胺酸溶解。 部分醢亞胺化聚醢胺酸之感光系铳亦可由溶解抑制劑 及光活性化合物製得。溶解抑制劑含有酸性不穩定封端 基,例如是第三丁_或碳酸第三丁 _。光活性化合物必 須是受到紫外線照射會產生強酸者,而在其後的烘烤過 程中,強質子酸可使酸性不穩定封端基解放。利用鐮性 水液顯像可得正影像。溶解抑制劑例如有: 0 0 0 0 I! II II II Ar — C一 0R,. Α「一0—C 一OR, R〇一C一Ar—C一0R^ 0 〇 || IIR0—C—O—Ar一0一C 一OR j Ar — OR ^R-0—Ar-〇-R 式中Ar係芳族或環脂族基,而R係氫或 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 ?H3 一? 一CH3 ch3 經紫外線照射可得強酸之光活性化合物例如有:1,2-萘酲-(2)-雙叠氮磺酸磨,二芳基捵鹽,對-硝基苄-9, 10-二乙氧憩磺酸酯等。 溶解抑制劑例如包含: -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
L 300907 at B7 五、發明説明(β )
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 塗層除形成絕緣用之圖案外,亦可f[為載體Μ強化基 材,Μ及做為供基材蝕刻用之罩板。 茲Μ實施例做進一步的說明。 例1 联醮亞防胁氬烷 在裝有機械攪拌器,回流冷凝器及溫度計之500毫升 3-頸燒瓶中,使48.2克(0.155莫耳)4,4’-氧二酞酐及11 克1,3-雙(3-胺丙基)為末端之聚二甲矽氧烷溶於500奄 升Ν -甲基毗咯啶酮中,並反應4小時。然後加入40.8克 (0.14莫耳)1,3 -雙(3 -胺苯氧基)苯,且進行聚石16小時 。Μ布魯克菲爾德旋筒式黏度計LVT测定所得聚醢胺酸 之黏度為246厘泊。為能部分醢亞胺化,使溫度升為 160t:。為偵測黏度及部分醯亞胺化度,於160它共沸蒸 豳3 , 6及15分鐘時,取出試樣,Μ0.1Ν氫氧化四丁銨 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)
L 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(4 ) 滴定羧基。在165TC共沸蒸餾5小時,由相同的聚醣胺 酸/ NMP及甲苯溶液得完全醢亞胺化(98.4X)試樣。使乾 嫌樹脂再溶於NMP中,濃度為16.7X。黏度和釀亞胺化 率之W係如下表及附圈所示。當醢亞胺化進行時,黏度 先下降,而在接近完全醣亞胺化時黏度又增大: 醢亞胺化率(%) 0% 13.796 41.3% 55.896 67¾ 98.4¾ 黏度(厘泊) 246 30 22.5 17.5 19 251 使部分醣亞胺化溶液沈澱於甲酵中,過滤,並且在60 υ真空爐中乾煉。使具有不同醣亞胺化率之乾堍樹胞試 樣再溶於ΝΜΡ中,可得黏度約250厘泊之溶液。此等溶 液之醢亞胺化率和濃度之闞係如下表所示: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 醯亞胺化率(%) 0 61 68 72.5 98.4 濃度(96) 16.9 32.7 35.7 26.8 16.6 此表顯示,和聚醢胺酸及完全醢亞胺化聚醢亞比較起 來,”部分醢亞胺化樹脂”(ΡΙΡ)可獲得較高固體含量之 溶液。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -18- 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明() 使65%釀亞胺化溶液沈濉於甲酵中,在60t:真空《中 乾嫌。又使乾嫌樹脂溶於N-甲基毗咯啶賙,可得30至50 %高固體含量溶液。 m2塗覆光阻之聚醣亞胺 在裝有機械攪拌器及溫度計之500奄升3-頸埤瓶中, 加入12克(〇.〇6莫耳)4,4'-二胺二苯醚及150毫升N-甲 基吡略啶嗣,然後加人13.1克(0.06萁耳)1,2,4,5-苯四 甲酸二酐。在氮氣簏罩下,慢慢攪拌所得溶液12小時。 15%固艚含量溶液之黏度為4880厘泊。為能利用共沸蒸 餱使溶液部分醢亞胺化,在聚醢胺酸溶液中加入25毫升 甲苯,使溫度升至150t:,共沸蒸«2分雄,然後在冰 浴中冷卻反邂器。在水中沈澱部分Κ亞胺化聚醢胺酸前 « ”( Ρ I Ρ > , Κ甲酵洗,在6 0 真空爐中乾堍。Μ膠體 滲透暦析法测得PIP之分子量(Μη )為8970克/莫耳,聚 合度分佈性為3(MW/Mn )°醸亞胺化率為31%,而25% 濃度溶液之黏度為875厘泊。 在NHP中溶解乾煉PIP得20%固體濃度溶液,使之旋 塗在矽晶片上,在100*0溫烤2分鏟。又使芷光阻 (Shipley Microposit® 1813)旋塗在 4 撤米 PIP 塗層 上,且在90*C溫烤2分鐘。使PIP上時2撤米光阻覆著 圔案罩,M350瓦功率的紫外線照射5秒。在0.27N氬 氧化四甲銨中使曝光之光姐及PIP濃度顧像45秒,並且 在丙_中洗淨PIP薄膜上的光阻。得20至50微米PIP圖 案,並分別在90t:, 1501C,250*0及350*0热化30分鐘。 -19- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) % 訂
A 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(·〇 便L_2_塗覆光阻之聚醢亞胺矽氧烷 由6.5克(0.03莫耳>1,2,4.5-苯四甲酸二酐、22.6克 (0.07奠耳)二苯基嗣四羧酸酐,18克(0.09莫耳>4,4’-氣二苯胺和2.5克(0.01莫耳>1,3 -雙(3 -胺丙基)1,1,3, 3 -四甲基二矽氣烷在280亳升N -甲基吡咯啶酮中反應而 得聚醢胺酸。在此聚醢胺酸中加入4 5奄升甲苯,於1 4 5 t: 共沸蒸皤3分鐘,使MP沈澱於水中,.以甲酵洗並在60 C真空爐中乾煉。测得之分子量(Mn )為12,480克/萁耳 ,聚合度分佈性為2.4 ,而醢亞胺化率為39%。 在HMP中溶解乾燥PIP ,使所得28%滬度溶液旋塗在 矽晶片上*並在90t:溫烤2分鐘。在所得5微米PIP薄 膜上依3000轉/分鐘之速率旋塗正光胆(Sh i p ley Microposit®1813)達40秒,且在90T:溫烤2分鐘。經 圖案罩Μ紫外線照射2撤米厚光阻5秒,並在0.27Ν氫 氣化四甲銨中顧像60秒。顯出圖案後,在丙嗣中洗掉光 阻。在90至350t:烤熟此PIP圖案,得知薄膜之收縮率 為26%,其比聚醣胺酸之收縮宰少8%。 例2含感光劑之聚醢亞胺矽氣烷 在NMP中再溶解30%重量的例3之PIP ,在所得PIP 溶液中加入做為感光劑之間-甲酚1,2-萊鼷- (2)-雙叠氮 -4 -磺酸*,濃度為30% (對PIP樹脂而言)。利用旋塗 將感光溶液塗在矽晶片上,並於對流爐中,於80C溫烤 30分鐘。經圖案罩Μ紫外線照射5.8微米厚的塗層30秒 。使暍光薄膜在鹼性顯像水液(0.23Η氫氧化四甲銨)中 -2 0 * 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 』 了 ^n· ^^^1 I ^^^1 In βι ί I ^^1 ^^^1 ^^^1 m nn 1 、 、" (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明(《9 ) 顬像40至60秒,並在水中洗。在350 t:熟化顬像薄膜, 得2.7撖米厚之醑案。 m 5含感光劑之聚醢亞胺 由3,3、4,4’苯四羧二酐及對-伸苯基二胺製備聚 醢胺酸(8?04/?04),溶於〇卩得7.7%濃度之溶液*黏 度為5000厘泊。在聚醢胺酸中加入甲苯後,仿前述諸例 之方法在150至155t!加热5分鐘,得部分醢亞胺化之 PIP 。醢亞胺化率為37%,分子量(Mn )為17,043g/nol 及聚合度分佈性為2.3 。使部分醣亞胺化BPDA/PDA依20 %濃度溶於NMP中,黏度為465厘泊。在所得溶液中加 入做為感光餚之間-甲酚1,2-萊醍-(2)-雙叠氮-4-磺酸 濃度為30% (對BPDA/PDA樹胞而言)。使此感光溶液 旋塗在矽晶Η上,並於1 3 0 t:热板上溫烤9 0秒。烴B案 罩Μ紫外線照射所得1.9微米厚薄膜20秒。於0.18H氫 氧化四甲銨中使曝光薄膜顯像25秒,並在水中洗。顯像 後,薄臢厚度為1.8撤米。 ----------一裝-- (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- C8 D8 六、申請專利範圍 第83107210號「於基材上形成聚酵亞胺圖案的方法j專利 案 (85年10月修正) 杰申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種於基材上形成聚醛亞胺圖案之方法,包含下列步 驟 (A) 製備5至20重量!I;固體之第一溶液,包含 ⑴有機溶劑,及 0下列單體: (a) 二胺,傺一種不含矽酮之芳族二胺,及含矽氣 烷基之脂族二胺之混合物, (b) 二酐,四羧酸或四羧酸酯, 其中二酐對二胺之當量比為1: 2至2: 1; (B) 於室溫中使該單體聚合而形成可溶於有機溶劑之聚 醯胺酸; (C) 藉由化學地或加熱於130°至170它使該聚醯胺酸之 醯胺酸基的10至95»;醛亞胺化而得部分醯亞胺化之 聚酵胺酸; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (D) 藉由下列方式從該部分醛亞胺化聚醯胺酸形成20至 50重量固體之第二溶液; ⑴在真空及80至130 t加熱該部分酵亞胺化聚醛胺 酸之第一溶液;或 0使該部分醯亞胺化聚醯胺酸自第一溶液中沈澱, 及使所得該部分醯亞胺化聚醯胺酸溶於有機溶劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 中;. (E) 將該第二溶液塗佈至基材上; (F) 藉由溫和培烤自該第二溶液蒸發溶劑而在該基材上 形成該部分醯亞胺化聚醛胺酸之塗層; (G) 藉由習知方法移除部分塗層,而在該基材上形成圖 案;及 (H) 使在該基材上之塗層中之部分醯亞胺化聚醛胺酸完 全醯亞胺化。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該第二溶液傑藉由 在真空及80至130¾加熱該部分醯亞胺化聚醛胺酸之第 —溶液所形成。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該第二溶液之製法 僳使該部分醯亞胺化聚醯胺酸自第一溶液中沈澱,然 後使所得該部分醯亞胺化聚醯胺酸溶於有機溶劑中; 形成固體含量為20至50¾重置之第二溶液。 4如申請專利範圍第1項之方法,其中形成圖案之方法俗 在該塗層上加層光阻,以光線照射該光阻層,使得曝 光區或未曝光區變成可溶於顯像溶劑,而未曝光區或 曝光區則保持不溶於該顯像溶劑,並以該顯像溶劑洗 掉該光阻之可溶部分及其下方的塗層。 5.如申請專利範圍第1項之方法,其中形成圖案之方法包 含在第二溶液中引入感光劑或溶劑抑制剤及光活性化 合物之混合物,以光線照射該塗層,使照射區變成可 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝- 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 300907 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 溶於顯像溶劑,而未照射區則保持不溶,並以該顯像 溶劑洗掉該可溶匾。 6. 如申請專利範圍第1項乏方法,其中該部分醯亞胺化聚 醛胺酸有20至50X被醯亞胺化。 7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該基材偽矽晶Η。 8. 如申諳專利範圍第1項之方法,其中該部分醯亞胺化聚 醯胺酸不含感光基。 9. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該部分醯亞胺化聚 醯胺酸有30至40¾被醯亞胺化。 10如申請專利範圍第1項之方法,其中該二酐選自苯均四 酸二酐,3, 3’,4, 4'-苯醯苯四羧二酐,3, 3', 4, 4·-聯苯四羧二酐,雙(3, 4-二羧苯)醚二酐,及2, 2’-雙(3, 4-二羧苯)六氟丙烷二酐。 11如申請專利範圍第1項之方法,其中該二酐選自4, 4’ -氣二苯胺,對-苯撐二胺及間-苯撐二胺。 12 —種在基材上形成聚醯亞胺矽氣烷圖案之方法,包含 下列步驟: (A) 使等莫耳量的二胺及二酐或二酐相當物溶於有機溶 劑中,形成含 5至203:重量固體的第一溶液,其中 該二胺包含40至99¾的含非矽氣烷之二胺,及約1至 6 01之矽氣烷之二胺; (B) 加熱該第一溶液至130至170¾ ,而形成20至50¾醛 亞胺化之聚醛胺酸; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------{袭------、*!-------.--- ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 (C) 藉由在第一溶液中加水,沈澱出該聚醯胺酸,並在 有機溶液中溶解該聚醯胺酸形成20至50重量X該聚 醛胺酸之第二溶液; (D) 將該第二溶液塗在基材上; (E) 自該第二溶液蒸發除去溶劑,而在該基材上形成塗 骣; (F) 在該塗層上又塗以光阻; (G) 以光線圜案照射該光阻,使得該光阻之曝光匾變成 可溶解或不可溶,而使未感光區保持不可溶或可溶 解;及 (H) 溶解該光咀之可溶區以及其下方的塗層。 13如申請專利範圍第12項之方法,其中該基材僳矽晶片。 14 一種在基材上形成聚醯亞胺矽氣烷圖案之方法,包含 下列步驟: (A) 在有機溶劑中溶解等莫耳量的二胺及二酐或二酐相 當物,而形成含5至20¾重量固體之第一溶液,其 中該二胺含40至99S;含非矽氣烷之二胺及約1至60S! 含具矽氣烷之二胺; (B) 加熱第一溶液至130至160C ,而形成20至50S!醯亞 胺化之聚醯胺酸; (C) 藉由在第一溶液中加水,使該聚醯胺酸沈澱,並在 有機溶液中溶解該聚醛胺酸形成2 0至5 0重量ίΚ之第 二溶液; -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,衣. 訂 300907 A8 Βδ C8 D8 申請專利範圍 (D)在該第二溶液中加入10至30X(百分率俗對聚醯胺酸 之 物 合 化 性 活 光 和 制 抑 解 溶 或 劑 光 感 的 言 而 量 ί S 溶 或 劑 光 感 該 則 否 光 曝 劑 光 感 該 使 非 除 物 合 混 於 溶 較 酸 胺 醛 聚 該 使 會 物 合 化 性 活 光 及 劑 制 抑 劑 層 塗 成 形 上 材 基 在 而 ί , 上劑 材溶 基發 在蒸 ·, 塗液 中液溶 劑溶二 溶二第 解第該 溶將自 VI/ \1/ E F /(. /V 層 塗 該 射 照 案 圖 線 光 以 層 塗 該 洗 清 劑 溶 解 溶 該 以 解 溶 層 塗 之 分 部 光 曝 及將 該 於 溶 不 則 層 塗 之 分 β 音 光 曝 未 而 中 劑 0 溶中 解劑 容 容 該解 於溶 法 法 方 方 之 之 項 項 4 4 1 0 1 第劑第 圍像圍 範顯範 利性利 專鹼專 請水請 申含申 如種如 1516 乃 劑 溶 解 溶 該 中 其 Η 晶 矽 乃 材 基 該 中 其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4洗格(210Χ297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/134,707 US5955245A (en) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | Method of forming polyimide patterns on substrates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW300907B true TW300907B (zh) | 1997-03-21 |
Family
ID=22464607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW083107210A TW300907B (zh) | 1993-10-12 | 1994-08-05 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5955245A (zh) |
| EP (1) | EP0739499B1 (zh) |
| KR (1) | KR100196957B1 (zh) |
| DE (1) | DE69424686T2 (zh) |
| SG (1) | SG52539A1 (zh) |
| TW (1) | TW300907B (zh) |
| WO (1) | WO1995010797A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW508470B (en) * | 1997-05-09 | 2002-11-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| FR2812224B1 (fr) * | 2000-07-27 | 2003-07-25 | Marquage Ind Soc | Procede pour deposer en continu une couche ou barriere de silicone sur un substrat et installation pour la mise en oeuvre de ce procede |
| US6451955B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-09-17 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of making a polyimide in a low-boiling solvent |
| JP3825314B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2006-09-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| KR100680426B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 패턴 코팅용 수용성 조성물 및 이를 이용한미세패턴 형성 방법 |
| KR101492894B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2015-02-12 | 가부시키가이샤 나까타 코팅 | 이미도기 함유 화합물, 이미도기 함유 화합물 용액, 및 이미도기 함유 화합물의 제조 방법 |
| CN110862539A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-03-06 | 哈尔滨工业大学 | 一种聚酰亚胺的绿色制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4073788A (en) * | 1969-05-08 | 1978-02-14 | General Electric Company | Partially imidized polyamide-acid polymers, aqueous coating compositions, coated wire and method, and partially imidized intermediate |
| US4369090A (en) * | 1980-11-06 | 1983-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Process for etching sloped vias in polyimide insulators |
| DE3683464D1 (de) * | 1985-12-05 | 1992-02-27 | Ibm | Photoresistzusammensetzungen mit vermindertem loesungsgrad in basischen entwicklern, auf basis von durch diazochinon sensibilisierter polyamidsaeure. |
| JPH01113434A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Teijin Ltd | ポリイミド前駆体成形物の製造方法 |
| US4829131A (en) * | 1988-02-09 | 1989-05-09 | Occidental Chemical Corporation | Novel soluble polymidesiloxanes and methods for their preparation and use |
| US5094919A (en) * | 1988-06-30 | 1992-03-10 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Polyimide copolymers and process for preparing the same |
| JPH03157427A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド樹脂前駆体 |
| JPH03197530A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エマルジョンポリアミック酸樹脂組成物 |
| JPH05140306A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 部分イミド化したポリアミド酸組成物の製造方法 |
-
1993
- 1993-10-12 US US08/134,707 patent/US5955245A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-25 SG SG1996005740A patent/SG52539A1/en unknown
- 1994-07-25 DE DE69424686T patent/DE69424686T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-25 WO PCT/US1994/008359 patent/WO1995010797A1/en not_active Ceased
- 1994-07-25 EP EP94925107A patent/EP0739499B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-25 KR KR1019960701956A patent/KR100196957B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-05 TW TW083107210A patent/TW300907B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100196957B1 (ko) | 1999-06-15 |
| KR960705258A (ko) | 1996-10-09 |
| EP0739499B1 (en) | 2000-05-24 |
| EP0739499A1 (en) | 1996-10-30 |
| SG52539A1 (en) | 1998-09-28 |
| WO1995010797A1 (en) | 1995-04-20 |
| DE69424686D1 (de) | 2000-06-29 |
| DE69424686T2 (de) | 2000-11-09 |
| US5955245A (en) | 1999-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6676031B2 (ja) | ポリイミドの前駆体及びその使用 | |
| CN111830785B (zh) | 树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜及电子零件 | |
| JP4656363B2 (ja) | 低沸騰溶剤中のポリイミドの製造方法 | |
| US20060004180A1 (en) | Solution compositions of block copolyimides comprising pyromellitic dianhydride and process for production thereof | |
| TW300907B (zh) | ||
| KR19980079775A (ko) | 내열성 감광성 중합체조성물, 패턴의 제조법 및 반도체 장치 | |
| JP2003121998A (ja) | 感光性重合体組成物及びパターン製造法及び電子部品 | |
| TW201041935A (en) | Polyimide-based polymers, copolymers thereof and positive type photoresist compositions comprising the same | |
| US5442024A (en) | Photosensitive polyimide precursor composition | |
| EP0878740B1 (en) | Radiation sensitive polymer composition | |
| JPH1192660A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP4434338B2 (ja) | 感光性ポリイミド | |
| JP2674415B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 | |
| KR101749874B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 그의 릴리프 패턴막, 릴리프 패턴막의 제조 방법, 릴리프 패턴막을 포함하는 전자 부품 또는 광학 제품, 및 감광성 수지 조성물을 포함하는 접착제 | |
| CN111303419B (zh) | 一种可光交联的聚酰亚胺树脂结构 | |
| JP2001264980A (ja) | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 | |
| JP2001181390A (ja) | ポリアミック酸、ポリイミドおよび絶縁膜形成用材料 | |
| CN111333837B (zh) | 一种正性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法 | |
| JP2000230049A (ja) | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 | |
| TWI392962B (zh) | Photosensitive resin composition and method for producing the same | |
| JP2000250209A (ja) | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 | |
| TW202436449A (zh) | 聚醯胺酸酯及樹脂組成物 | |
| JP3029316B2 (ja) | ポリイミド膜パターンを形成するための感光性樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 | |
| TW202424050A (zh) | 聚醯胺酸酯及樹脂組成物 | |
| KR0159289B1 (ko) | 감광성 내열수지 조성물 |