TW202436611A - 表面處理組成物及方法 - Google Patents

Abstract

本揭露內容係有關用以處理一半導體基體之方法及組成物，該半導體基體具有布置在該基體之一表面上的一圖案。

Description

表面處理組成物及方法

本申請案主張案件申請日期為2022年3月31日之美國臨時申請案序列號63/325,692之優先權，其內容藉由參照在此全文併入。

本揭露內容大體是有關於表面處理，以及相關的組成物及方法。

在次20奈米 (sub-20 nm)的臨界尺寸下，在濕式清洗及乾燥期間FinFET及介電堆疊的圖案塌陷已成為半導體製造程序中的一主要問題。圖案塌陷的傳統理論暗指了沖洗及乾燥期間的高毛細力為導致塌陷現象的主要因素。然而，其他化學及基體性質亦可扮演一重要角色，亦即，液體表面張力及黏度、基體機械強度、圖案密度及縱橫比，以及對基體表面的清潔劑化學損傷。

已發現的是：某些表面處理組成物可處理一半導體基體(例如，晶圓，諸如矽或銅晶圓)之一表面上的圖案，以降低隨後半導體製造過程期間驅動圖案塌陷的毛細力。

在一個態樣中，本揭露內容之特徵在於一種用於處理一半導體基體之方法，該半導體基體具有布置於晶圓之一表面上的一圖案，該方法包括： 使該表面與一表面處理組成物接觸，該表面處理組成物含有至少一種極性有機溶劑及選自於由磺酸酯、硫酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種酯類； 其中該圖案包含具有至多約50 nm的尺寸之一形貌體(feature)。

在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於一種組成物，其包括(1)至少一種極性有機溶劑，其含量為該組成物之約90 wt%至約99 wt%；及(2)選自於由磺酸酯、硫酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種酯類，該至少一種酯類的含量為該組成物之約1 wt%至約10 wt%。

在又一態樣中，本揭露內容之特徵在於一種組成物，其由以下組成：(1)至少一種極性有機溶劑；及(2)選自於由磺酸酯、硫酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種酯類。

本發明之其他特徵、目的、及優點從本說明書及申請專利範圍將為顯易可見。

如本文中所定義，除非另外指明，否則所有表示出的百分比應理解為係對一組成物的總重量之重量百分比。除非另外指明，否則本文所提及的性質是在大氣壓力下所量測。除非另外指明，否則本文中提及之用語「溶劑」係指單一溶劑或者二或更多種(例如三種或四種)溶劑之組合。在本揭露內容中，「ppm」意謂著「每百萬之份數」、「ppb」意謂著「每十億之份數」及「ppt」意謂著「每兆之份數」。

在一些實施態樣中，本揭露內容係關於表面處理方法。此等方法可例如藉由使一基體(例如，半導體基體，諸如矽或銅晶圓)之表面(例如，具有圖案之表面)與一表面處理組成物接觸來施行，該表面處理組成物包括至少一種(例如二種、三種或四種)極性有機溶劑及選自於由磺酸酯、硫酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種(例如二種、三種或四種)酯類。該圖案可包括具有至多約50 nm之尺寸的一形貌體。

在一些實施態樣中，可藉由本文中所述之表面處理組成物來處理的半導體基體可由矽、矽鍺、氮化矽、銅、III-V族化合物(諸如GaAs)或其任何組合構成。在一些實施態樣中，該半導體基體可以是一矽晶圓、一銅晶圓、一二氧化矽晶圓、氮化矽晶圓、氮氧化矽晶圓、一碳摻雜的氧化矽晶圓、一SiGe晶圓、或一GaAs晶圓。該半導體基體可額外地於其表面上含有暴露的積體電路結構，諸如互連件形貌體(例如，金屬線及介電材料)。使用於互連件形貌體的金屬及金屬合金包括，但不限於，鋁、與銅合金化的鋁、銅、鈦、鉭、鈷、鎳、矽、多晶矽、氮化鈦、氮化鉭、錫、鎢、釕、鍺、SnAg、SnAg/Ni、CuNiSn、CuCoCu，及/或CoSn。該半導體基體亦可含有下列之層：層間介電質、氧化矽、氮化矽、氮化鈦、碳化矽、碳化氧化矽(silicon oxide carbide)、氮化氧化矽(silicon oxide nitride)、氧化鈦、氮化鉭、氧化鉭、氮化氧化鉭(tantalum oxide nitride)、及/或碳摻雜的氧化矽。

在一些實施態樣中，待用本文中所述之表面處理組成物處理的半導體基體表面包括含有SiO ₂、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge、Ru、Ta、TaO、TaON及/或W之形貌體。在一些實施態樣中，該基體半導體表面包括含有SiO ₂及/或SiN的形貌體。

一般而言，待用本文中所述之表面處理組成物處理的半導體基體表面包括藉由一先前的半導體製造程序(例如微影程序，其包括施加一光阻層、使該光阻層暴露於一光化輻射、顯影該光阻層、蝕刻在該光阻層下方之該半導體基體、及/或移除該光阻層)形成的圖案。在一些實施態樣中，該基體表面上的圖案可包括一圖案化顯影光阻層、一圖案化阻障層、一圖案化多堆疊層，或一圖案化介電層。在一些實施態樣中，該等圖案可包括具有至多約50 nm (例如，至多約40 nm、至多約30 nm、至多約20 nm、至多約15 nm、至多約10 nm或至多約5 nm)且/或至少約1 nm (例如，至少約2 nm或至少約5 nm)的至少一個(例如二或三個)尺寸(例如，一長度、一寬度、一深度，或者一線-間隔尺寸)的形貌體。

在一些實施態樣中，本文中所述之表面處理組成物可包括至少一種(二種、三種或四種)酯類。在一些實施態樣中，該酯類可選自於由磺酸酯、硫酸酯及磷酸酯所組成之群組。在一些實施態樣中，該酯類可為下式之磺酸酯(sulfonic acid ester；sulfonate ester)：R(SO ₂)(OR)，其中各R獨立地為C ₁-C ₁₀烷基(例如，甲基或乙基)、苯基、或C ₇-C ₁₀芳烷基。在一些實施態樣中，該酯類可為下式之硫酸酯(sulfuric acid ester；sulfate ester)：(RO) _n(HO) _2-n(SO ₂)，其中n為1或2，且各R獨立地為C ₁-C ₁₀烷基(例如，甲基或乙基)、苯基、或C ₇-C ₁₀芳烷基。在一些實施態樣中，該酯類可為下式之磷酸酯或：(RO) _n(HO) _3-nP=O，其中n為1或2，且各R獨立地為C ₁-C ₁₀烷基(例如，甲基或乙基)、苯基、或C ₇-C ₁₀芳烷基。合適的酯類之實例包括二甲基硫酸酯、二乙基硫酸酯、乙基甲磺酸酯、乙基苯磺酸酯、乙基二氫磷酸酯、二乙基氫磷酸酯或三乙基磷酸酯。

在一些實施態樣中，該至少一種酯類可為本文所述之表面處理組成物之至少約1 wt% (例如，至少約1.5 wt%、至少約2 wt%、至少約2.5 wt%、至少約3 wt%、至少約3.5 wt%、至少約4 wt%、至少約4.5 wt%或至少約5 wt%)到至多約10 wt% (例如，至多約9.5 wt%、至多約9 wt%、至多約8.5 wt%、至多約8 wt%、至多約7.5 wt%、至多約7 wt%、至多約6.5 wt%、至多約6 wt%、至多約5.5 wt%或至多約5 wt%)。不希望受理論束縛之下，相信在一些實施態樣中，本文所述之包括該酯類及有機溶劑的表面處理組成物可形成一共沸混合物(例如，最小沸點共沸混合物)，其可降低或最小化在移除表面處理組成物之期間的圖案塌陷。

在一些實施態樣中，本文所述表面處理組成物可包括至少一種(二種、三種、或四種)極性有機溶劑。在一些實施態樣中，該有機溶劑可為一極性質子性有機溶劑，諸如一醇(例如，一烷醇)。在一些實施態樣中，該有機溶劑可為C ₁-C ₆烷醇，諸如甲醇、乙醇或異丙醇。在一些實施態樣中，該有機溶劑可為一極性非質子性溶劑，諸如一酮(例如，丙酮或丁酮)、一內酯(例如，丁內酯)、或一亞碸(例如，二甲基亞碸(DMSO))。在一些實施態樣中，該有機溶劑係選自於能夠與本文所述的酯類形成一共沸混合物(例如，最小沸點共沸混合物)的有機溶劑。

在一些實施態樣中，該有機溶劑應具有足夠低之沸點，使得其可藉由加熱而移除，而不負面地影響待由本文所述之表面處理組成物處理的該基體。在一些實施態樣中，該有機溶劑在大氣壓力下可具有至多約150℃ (例如，至多約140℃、至多約120℃、或至多約100℃)之沸點。

在一些實施態樣中，該至少一種有機溶劑可為本文所述之表面處理組成物的至少約90 wt% (例如，至少約90.5 wt%、至少約91 wt%、至少約91.5 wt%、至少約92 wt%、至少約92.5 wt%、至少約93 wt%、至少約93.5 wt%、至少約94 wt%、至少約94.5 wt%或至少約95 wt%)到至多約99 wt% (例如，至多約98.5 wt%、至多約98 wt%、至多約97.5 wt%、至多約97 wt%、至多約96.5 wt%、至多約96 wt%、至多約95.5 wt%或至多約95 wt%)。

在一些實施態樣中，本文所述之表面處理組成物可具體排除或實質上不含呈任何組合形式(若多於一種)的一或多種附加組分。此等組分係選自以下所組成之群組：非芳香族烴、某些極性有機溶劑(例如，醇(諸如C ₁-C ₆烷醇)、內酯(例如，具5-或6-員環的內酯)、或醚)、含Si化合物(例如，矽氧烷，諸如二矽氧烷；矽烷；矽氮烷，諸如二矽氮烷、環狀矽氮烷或雜環矽氮烷；及具有一Si-H基團或一胺基矽基基團者)、聚合物(例如，非離子、陽離子、或陰離子聚合物)、去氧劑、四級銨化合物(例如，鹽或氫氧化物)、鹼(諸如，鹼性鹼(例如，NaOH、KOH、LiOH、Mg(OH) ₂及Ca(OH) ₂))、界面活性劑、消泡劑、含氟化合物(例如HF、H ₂SiF ₆、H ₂PF ₆、HBF ₄、NH ₄F、氟化四烷基銨、氟化物化合物或氟化化合物(諸如氟化聚合物/界面活性劑))、含氮化合物(例如，胺基酸、胺類、亞胺類(例如，脒類，諸如1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯(DBU)及1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬-5-烯 (DBN))、醯胺、或醯亞胺)、氧化劑(例如，過氧化物、過氧化氫、硝酸鐵、碘酸鉀、過錳酸鉀、硝酸、亞氯酸銨、氯酸銨、碘酸銨、過硼酸銨、過氯酸銨、過碘酸銨、過硫酸銨、亞氯酸四甲基銨、氯酸四甲基銨、碘酸四甲基銨、過硼酸四甲基銨、過氯酸四甲基銨、過碘酸四甲基銨、過硫酸四甲基銨、尿素過氧化氫、及過乙酸)、磨料(例如，鈰氧磨料、非離子性磨料、經表面修改之磨料、負性/正性帶電磨料、或陶瓷磨料複合材)、矽酸鹽、羥基羧酸、缺乏胺基基團的羧酸及多羧酸、矽烷(例如，烷氧基矽烷)、環狀化合物(例如，含有至少兩個環的環狀化合物，諸如經取代或未經取代的萘、或經取代或未經取代的聯苯醚)、螯合劑(例如，唑、二唑、三唑、或四唑)、緩衝劑、腐蝕抑制劑(諸如，唑或非唑腐蝕抑制劑)、某些有機酸或其酯類(例如，羧酸或其酯類)、無機酸(例如，硫酸、亞硫酸、亞硝酸、硝酸、亞磷酸、及磷酸)、胍、胍鹽、吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、鹽(例如，鹵鹽或金屬鹽)、以及催化劑(例如，含金屬催化劑)。

在一些實施態樣中，本文所述之表面處理組成物可實質上不含C ₁-C ₆烷醇、羧酸、羧酸酯、含Si化合物、或水。於本文使用時，一表面處理組成物「實質上不含」之組分係指非有意添加至該組成物中之一成分。在一些實施態樣中，本文所述之該等表面處理組成物可具有至多約1000 ppm (例如，至多約500 ppm、至多約250 ppm、至多約100 ppm、至多約50 ppm、至多約10 ppm、或至多約1 ppm)的該表面處理組成物中實質上不含之組分的一或多者。在一些實施態樣中，本文所述之該等表面處理組成物可包括僅二類型之組分，亦即，本文所述之至少一種酯類及至少一種極性有機溶劑。

不希望受理論束縛之下，相信本文所述之表面處理組成物可在用本文所述之表面處理組成物處理表面之後顯著降低在半導體製造程序中通常使用的乾燥或沖洗步驟期間於半導體基體表面上之塌陷的圖案形貌體(例如，具有至多約50 nm之尺寸)之數目。

在一些實施態樣中，本文所述之表面處理方法可進一步包括在使一基體之表面與一表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一清潔溶液接觸。在此等實施態樣中，該至少一清潔溶液可包括水、一醇、水性氫氧化銨、水性氫氟酸、水性鹽酸、水性過氧化氫、一有機溶劑，或者其之一組合。

在一些實施態樣中，本文所述之表面處理方法可進一步包括在使一基體之表面與至少一清潔溶液接觸之後但在使該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與一第一沖洗溶液(例如，水、諸如異丙醇之有機溶劑，或其組合)接觸。在一些實施態樣中，本文所述之表面處理方法可進一步包括在該表面與該表面處理組成物接觸之後，使該表面與一第二沖洗溶液(例如，水、諸如異丙醇之有機溶劑，或其組合)接觸。在一些實施態樣中，本文中所述之表面處理方法可進一步包括在使一基體之表面與該第一沖洗溶液接觸之後但在使該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與一第三沖洗溶液(例如，水、諸如異丙醇之有機溶劑，或其組合)接觸。在一些實施態樣中，本文所述之表面處理方法可進一步包括乾燥該表面(例如，在該表面與第一沖洗溶液、表面處理組成物、或第二沖洗溶液接觸之步驟中的任一者之後)。

在一些實施態樣中，本揭露內容提供了用於清潔一半導體基體(例如，晶圓)之方法，其具有布置在該基體之一表面上的一圖案(例如，由Si柱製成)。此等方法可例如藉由以下施行：a)任擇地，使該表面與一清潔溶液接觸；b)任擇地，使該表面與一第一沖洗溶液及/或一第三沖洗溶液接觸；c)使該表面與一表面處理組成物接觸，其中該表面處理組成物包括至少一種極性有機溶劑及至少一種酯類；d)任擇地，使該表面與一第二沖洗溶液接觸；以及e)乾燥該表面。在此等實施態樣中，該圖案可包括具有至多約50 nm之尺寸的一形貌體。

在上述方法的步驟a)中，帶有一圖案化表面的基體(例如，一晶圓)可任擇地以一或多清潔溶液處理一段合適的時間(例如，自30秒至5分鐘，諸如1分鐘)。當該圖案化表面用二或更多清潔溶液處理時，該等清潔溶液可依序地施加。該等清潔溶液可為只有水、只有一有機溶劑，或者可為含有水、一溶質、及任擇地一有機溶劑的溶液。在一些實施態樣中，該等清潔溶液可包括水、一醇(例如，一水溶性醇(諸如異丙醇))、一水性氫氧化銨溶液、一水性氫氟酸溶液、一水性鹽酸溶液、一水性過氧化氫溶液、一有機溶劑(例如，一水溶性有機溶劑)，或一其組合。

在步驟b)中，來自步驟a)的清潔溶液可任擇地藉由用一或多沖洗溶液處理步驟a)中所獲得的基體經歷一段合適的時間(例如，自30秒至5分鐘，諸如1分鐘)而被沖洗掉。當用二或更多沖洗溶液處理基體時，可依序地施加該等沖洗溶液。該等沖洗溶液(例如，本文所提及的第一及第三沖洗溶液)可包括水、一有機溶劑(例如，異丙醇)，或者含有一有機溶劑的一水溶液。在一些實施態樣中，該等沖洗溶液與用於步驟a)的該清潔溶液係至少部分可混溶的。在一些實施態樣中，當用於步驟a)的該清潔溶液對濕氣不敏感或者不含有任何可察覺量的水時，步驟b)可被省略。

在步驟c)中，可用本文所述之一表面處理組成物處理基體表面。如此處理的表面可具有增加的水接觸角。在一些實施態樣中，該接觸角可為至少約50度(例如，至少約55度、至少約60度、至少約65度、至少約70度、至少約75度、至少約80度、至少約85度、至少約90度、至少約95度或至少約100度)，且/或至多約175度。在一些實施態樣中，此步驟可在約20℃-35℃的溫度下施行約10秒至約300秒之範圍內的處理時間。

在步驟d)中，在用一表面處理組成物處理基體表面之後，可用一第二沖洗溶液沖洗表面。該第二沖洗溶液可包括水、一有機溶劑(例如，異丙醇)，或者含有一有機溶劑的一水溶液。在一些實施態樣中，此步驟可在約20℃-70℃的溫度下施行。

在步驟e)中，該基體表面可被乾燥(例如，藉由使用一加壓氣體)。不希望受理論束縛之下，相信在基體表面用本文所述之表面處理組成物處理後，此乾燥步驟期間在該表面上的圖案之塌陷可被最小化。舉例而言，如此處理的表面可在步驟(e)後，相對於在該表面上的圖案之總數，具有至少約50% (例如，至少約55%、至少約60%、至少約65%、至少約70%、至少約75%、至少約80%、至少約85%、或至少約90%)或至多約99%的未塌陷圖案。

藉由上述方法製備的具有一經清潔、圖案化之表面的半導體基體可進一步處理以在該基體上形成一或多個電路，或者可藉由例如組裝(例如，切割及接合)及封裝(例如，晶片密封)來處理以形成一半導體元件(例如，一積體電路元件，諸如一半導體晶片)。

在一些實施態樣中，本揭露內容之特徵在於包括一半導體基體的物件(例如，在半導體元件製造期間所形成的中間半導體物件)，以及該半導體基體所支持的本文所述表面處理組成物。如上所述，該表面處理組成物可包括至少一種極性有機溶劑及至少一種酯類。

本揭露內容係參照下列實例更詳細地例示，該等實例用於例示目的且不應被詮釋為限制本揭露內容之範疇。 實施例1

藉由在室溫下混合組分來製備表面處理溶液(亦即，調配物1-20)。調配物1-20之該等組成物係概述於下表1中。除非另外指明，否則表1中所列之所有百分比均為重量百分比。 接觸角量測

用調配物1-20處理含有SiO ₂膜之半導體基體，且經處理表面之接觸角係量測如下。將Si基體上之含SiO ₂膜之試片係切割成1×1吋正方形，然後在室溫下序列地用1 wt%水性氫氟酸沖洗30秒、用去離子水沖洗60秒、及用異丙醇沖洗60秒。將試片直向浸入100 mL經攪拌(50 RPM)之表面處理溶液中並在室溫下保持30秒。接著在50℃下用異丙醇沖洗試片60秒，且使用加壓氮氣乾燥。

將試片置放於AST VCA 3000接觸角工具上，且遵循以下程序以量測接觸角： 1.將SiO ₂試片置放於載台上。 2.藉由順時針旋轉直向旋鈕使載台向上舉升，直至試樣剛好在針頭下方。 3.分配一去離子水液滴，輕輕地接觸試樣表面，接著降低該試樣，直至該小滴與針尖分離。 4.使用橫向旋鈕調整載台，使該液滴在整個視野中央。 5.藉由沿著導軌移動該載台，在視野聚焦該液滴，以得到一清晰影像。 6.點按「AutoFAST」按鈕以凍結該影像且進行計算。將顯示二個數字；這些係左及右接觸角。 7.為進行手動計算，使用滑鼠在該小滴周圍放置五個標誌。 8.自主選單選擇小滴圖像以計算接觸角。 9.此將在該影像上建立一曲線擬合及切線。在螢幕之左邊角落將顯示二個數字；這些係左及右接觸角。 10.在3個基體位置重複上面手續且對所得接觸角求平均值。 圖案塌陷量測

圖案化晶圓用表面處理組成物(亦即，調配物1-20)處理。將高縱橫比Si柱圖案化晶圓切成0.5吋乘0.5吋的試片。接著在25℃下將試片浸入經攪拌之表面處理組成物經歷30-180秒。將試片從表面處理組成物移開，並於含有經攪拌之異丙醇的一燒杯中在50°C下沖洗60秒。接著，將試片自異丙醇中移開，並用一垂直於試片定向的N ₂氣分配槍、以1吋工作距離、在45 psi的氣體壓力下乾燥。接著藉由掃描電子顯微鏡法在隨機選擇的三個位點以50000x的放大倍率來分析該等試片，並將未塌陷的矽柱的數目製成表格。計算在該三個位點處未塌陷的Si-柱之平均值作為觀察到的總Si柱之百分比。 表1

調配物#	酯類	溶劑	液體 外觀
1	1%二乙基氫磷酸酯	99%異丙醇	清澈
2	3%二乙基氫磷酸酯	97%異丙醇	清澈
3	5%二乙基氫磷酸酯	95%異丙醇	清澈
4	8%二乙基氫磷酸酯	92%異丙醇	清澈
5	1%二乙基氫磷酸酯	99%丁酮	清澈
6	3%二乙基氫磷酸酯	97%丁酮	清澈
7	5%二乙基氫磷酸酯	95%丁酮	清澈
8	8%二乙基氫磷酸酯	92%丁酮	清澈
9	1%三乙基磷酸酯	99%異丙醇	清澈
10	3%三乙基磷酸酯	97%異丙醇	清澈
11	5%三乙基磷酸酯	95%異丙醇	清澈
12	8%三乙基磷酸酯	92%異丙醇	清澈
13	1%二乙基硫酸酯	99%異丙醇	清澈
14	3%二乙基硫酸酯	97%異丙醇	清澈
15	5%二乙基硫酸酯	95%異丙醇	清澈
16	8%二乙基硫酸酯	92%異丙醇	清澈
17	1%乙基甲磺酸酯	99%異丙醇	清澈
18	3%乙基甲磺酸酯	97%異丙醇	清澈
19	5%乙基甲磺酸酯	95%異丙醇	清澈
20	8%乙基甲磺酸酯	92%異丙醇	清澈

預期的是，由調配物1-20所處理之基體的接觸角將在約50度至97度的範圍內，且由調配物1-20所處理之基體上的未塌陷圖案之百分比將在約50%至約95%的範圍內。

儘管本發明已參照其某些實施態樣詳細描述，但應理解的是，修改及變化在所描述及主張的精神及範疇內。

(無)

Claims (24)

1. 一種用以處理一半導體基體之方法，該半導體基體具有布置於晶圓之一表面上的一圖案，該方法包含： 使該表面與一表面處理組成物接觸，該表面處理組成物包含至少一種極性有機溶劑以及選自於由磺酸酯、硫酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種酯類； 其中該圖案包含具有至多約50 nm之尺寸的一形貌體(feature)。
2. 如請求項1之方法，其中該至少一種極性有機溶劑包含一醇、一酮、一內酯或一亞碸。
3. 如請求項2之方法，其中該至少一種極性有機溶劑包含異丙醇、丙酮、丁酮、丁內酯或DMSO。
4. 如請求項1之方法，其中該至少一種極性有機溶劑的含量係該組成物之約90 wt%至約99 wt%。
5. 如請求項1之方法，其中該至少一種酯類包含(RO) _n(HO) _3-nP=O、R(SO ₂)(OR)、或(RO) _n(HO) _2-n(SO ₂)，其中各n獨立地為1或2，且各R獨立地為C ₁-C ₁₀烷基、苯基、或C ₇-C ₁₀芳烷基。
6. 如請求項1之方法，其中該至少一種酯類包含二甲基硫酸酯、二乙基硫酸酯、乙基甲磺酸酯、乙基苯磺酸酯、乙基二氫磷酸酯、二乙基氫磷酸酯、或三乙基磷酸酯。
7. 如請求項1之方法，其中該至少一種酯類的含量係該組成物之約1 wt%至約10 wt%。
8. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物係實質上不含一C ₁-C ₆烷醇、一羧酸、一羧酸酯、一含Si化合物、或水。
9. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物係由該至少一種極性有機溶劑及該至少一種酯類組成。
10. 如請求項1之方法，其進一步包含在使該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一清潔溶液接觸。
11. 如請求項10之方法，其中該至少一清潔溶液包含水、一醇、水性氫氧化銨、水性氫氟酸、水性鹽酸、水性過氧化氫、一有機溶劑、或一其組合。
12. 如請求項10之方法，其進一步包含在使該表面與該至少一清潔溶液接觸之後、但在使該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與一第一沖洗溶液接觸。
13. 如請求項12之方法，其進一步包含在使該表面與該表面處理組成物接觸之後，使該表面與一第二沖洗溶液接觸。
14. 如請求項1之方法，其進一步包含乾燥該表面。
15. 如請求項1之方法，其中該表面包含SiO ₂、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge、Ru、Ta、TaO、TaON或W。
16. 如請求項1之方法，其中該圖案包含一圖案化經顯影光阻層、一圖案化阻障層、一圖案化多堆疊層、或一圖案化介電層。
17. 如請求項1之方法，其進一步包含形成一半導體元件。
18. 如請求項17之方法，其中該半導體元件包含一積體電路元件。
19. 一種組成物，其包含： 至少一種極性有機溶劑，其含量為該組成物之約90 wt%至約99 wt%；以及 選自於由硝酸酯、磺酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種酯類，該至少一種酯類的含量為該組成物之約1 wt%至約10 wt%。
20. 如請求項19之組成物，其中該至少一種極性有機溶劑包含一醇、一酮、一內酯或一亞碸。
21. 如請求項20之組成物，其中該至少一種極性有機溶劑包含異丙醇、丙酮、丁酮、丁內酯或DMSO。
22. 如請求項19之組成物，其中該至少一種酯類包含(RO) _n(HO) _3-nP=O、R(SO ₂)(OR)、或(RO) _n(HO) _2-n(SO ₂)，其中各n獨立地為1或2，且各R獨立地為C ₁-C ₁₀烷基、苯基、或C ₇-C ₁₀芳烷基。
23. 如請求項19之組成物，其中該至少一種酯類包含二甲基硫酸酯、二乙基硫酸酯、乙基甲磺酸酯、乙基苯磺酸酯、乙基二氫磷酸酯、二乙基氫磷酸酯、或三乙基磷酸酯。
24. 一種組成物，其由以下組成： 至少一種極性有機溶劑；以及 選自於由硝酸酯、磺酸酯及磷酸酯所組成之群組的至少一種酯類。