TW202106761A - 酚官能化聚醯亞胺及其組成物 - Google Patents

Abstract

已製備具有極佳介電性質的酚封端及酚側基可固化聚醯亞胺。此等材料與環氧樹脂及其他可共固化樹脂組合理想地用來轉變為準備例如層壓於銅箔之間的撓性膜，以用於諸如用於各種電子應用之包銅層板的應用。

Description

酚官能化聚醯亞胺及其組成物

[相關申請案] 本申請案根據35 USC §119主張美國臨時專利申請案序號：62/839,566 (2019年4月26日提出申請)之優先權，將其全體揭示內容以引用的方式併入本文。

本發明係關於具低介電常數及低介電耗散因子的可固化聚醯亞胺樹脂。特定而言，本發明係關於經酚部分官能化的高分子量撓性聚醯亞胺樹脂。本發明亦係關於可固化的聚醯亞胺樹脂，其當經乾燥時形成撓性、可捲起的膜，及當進一步加熱及與環氧樹脂及／或其他樹脂一起固化時形成可用作介電層及形成包銅層板中之黏著劑層的撓性熱固性材料。

歸因於通訊資訊的快速增加，強烈需要小型化、減輕重量及電子裝置的速度以用於高密度安裝。電子工業愈來愈需要適用於在高頻率環境中操作的低介電、電絕緣材料及聚合物。

使用於高功率裝置中之聚合材料必須滿足許多關鍵的熱、環境、及電需求，以符合微電子應用的效能標準。期望的特質包括熱穩定性、低水分吸收、高崩潰電壓(低漏電流)、低介電常數及低耗散因子。使用此等聚合物容許先進的電子封裝技術，從而產生經改良的系統效能及可靠性。

為確保高功率電子電路的適當操作，必須於相鄰導體之間確保適當的隔離。高電壓發弧及漏電流係於高電壓電路中遭遇到的典型問題且會於高頻率下加重。為抗衡此等效應，良好的介電材料必須展現低的介電常數及耗散因子(損耗正切)之值及高的崩潰電壓值。 聚醯亞胺

脂族、低模量順丁烯二醯亞胺封端之聚醯亞胺具高溫穩定性(基於在空氣中進行的動態TGA測量)。此等聚醯亞胺材料在相當短期間(數秒)的高溫變化範圍(諸如於260℃下之焊料回焊)中表現良好。但即使係此等短期間暴露，高於200℃之溫度亦會導致順丁烯二醯亞胺封端之聚醯亞胺材料失去撓性，同時長期暴露會導致熱氧化性降解，從而造成材料變黑及變脆。添加抗氧化劑可補救一些此等問題，然而，需要大量抗氧化劑來防止熱降解及老化的影響且會發生抗氧化劑濾出。

順丁烯二醯亞胺寡聚物的UV固化比丙烯酸系樹脂慢得多。為不添加大量引發劑而促進UV固化，於系統中建立UV敏化劑將係有用的。濾出問題的一項可能解決辦法將係使抗氧化劑成為聚合物本身的一部分，如此其可自復原，而不用添加會隨時間耗盡或影響相鄰材料及結構的材料。

聚醯亞胺經常被使用於光微影及光阻劑、晶圓鈍化中。厚度4-6微米的聚醯亞胺鈍化層保護晶片表面上之精細的金屬及氧化物薄膜於處理期間不受損壞及在封裝於塑膠模製化合物中之後不受誘發應力影響。圖案化係簡單且直接的。由於聚醯亞胺膜所固有的低缺陷密度及強健的電漿蝕刻抗性，可實施單一遮罩製程，其容許聚醯亞胺層同時作為應力緩衝物及作為下伏氮化矽層的乾蝕刻遮罩。此外，聚醯亞胺層可容易地用於覆晶接合(flip-chip bonding)應用，包括C-4及雙層銲墊再分佈(BPR；bond pad redistribution)應用。聚醯亞胺層亦可經圖案化以形成微機電系統(MEMS)中的結構組件。

聚醯亞胺亦可用作半導體及薄膜多晶片模組(MCM-D)兩者中的層間介電質。聚醯亞胺膜的低介電常數、低應力、高模量、及固有延展性使其相當適用於此等多層應用。聚醯亞胺的其他用途包括顯示器的配向及／或介電層，及作為微機器加工中的結構層。在鋰離子電池技術中，聚醯亞胺膜可用作PTC熱阻器(正溫度係數)控制器的保護層。

然而，聚醯亞胺難以加工。其通常係作為對應聚醯胺酸前驅體之溶液施加於基板上，然後再熱固化成光滑、剛性、難以加工的膜及結構層。膜可使用微影(照相)製程結合液態光阻劑來圖案化。通過聚醯胺酸前驅體之環化去水經由醯亞胺化於原位形成的聚醯亞胺需要蒸發高沸點的極性非質子性溶劑，其可能難以移除。移除通常需要＞300℃之溫度，其有時被稱為「硬烘烤」步驟。此過程係重要的，因為若聚醯亞胺未完全經醯亞胺化，則材料將吸收大量水分。

聚醯亞胺已由於較二氧化矽低的介電常數而被使用作為微電子裝置諸如積體電路(IC)中的層間介電質材料。此外，由於該等聚醯亞胺材料一般係以液體形態施用，從而容許勻平、及隨後固化，因而其亦可用作IC的平坦化層。然而，經熱固化的聚醯亞胺可產生應力，其可導致脫層且可使薄晶圓彎曲。

現有的聚醯亞胺材料一般為親水性且通常需要冗長而麻煩的多步驟製程來形成電互連體所需的通孔。此外，聚醯亞胺即使於固化後亦容易吸收水分，當水分與離子性雜質組合，造成腐蝕時，其可導致裝置故障。因此，有需要可與相當薄的矽晶圓相容且將不會導致薄矽晶圓彎曲的疏水性聚醯亞胺。

聚醯亞胺係一類通常具有相當良好介電性質的聚合物，其亦以具有相當高的溫度抗性及相當高的玻璃轉移溫度(T_g )及低熱膨脹係數(CTE)著稱。

聚醯亞胺的一主要缺點係其通常係通過聚醯胺酸中間體合成，其必須經轉變為聚醯亞胺產物。聚醯胺酸經由環化去水至聚醯亞胺之轉變通常不完全，其導致不良產率及容易發生不期望水分吸收之具有不完全環閉合的產物。

環化去水可於膜形式中藉由高溫(200-300℃)完成，其中首先將聚醯胺酸之溶液施加至基板及移除溶劑(例如，經由於~100℃下乾燥)而形成膜。然而，獲得高度醯亞胺化所需的高溫可能成為問題，因為某些聚醯亞胺在高溫下不穩定且官能化於該等溫度下會過早固化。當該過程於基板(例如，金屬基板)上作為膜原位進行時，高溫加工會對基板或相鄰電子元件及裝置造成熱氧化性損壞。

此外，通常用來製造聚醯亞胺的溶劑係毒性極性非質子性溶劑，諸如1-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、及二甲基乙醯胺(DMAC)，其愈來愈不受歡迎。 撓性包銅層板

撓性包銅層板(FCCL)愈來愈常被使用於電子器件中，因其可提供經由增加小型化所要求的超薄輪廓及非習知之三維形狀。通常用於製備FCCL的聚醯亞胺膜係以許多商標名諸如Dupont™的Kapton^® 產品銷售。Kapton^® 係具極高溫度抗性的熱塑性聚醯亞胺，其可用來形成撓性包銅層板(FCCL)。然而，Kapton^® 膜並非黏著劑，其需要使用黏著劑組成物及膜來將Kapton^® 膜黏著至銅箔。此外，Kapton^® 的介電性質對於高頻應用而言不足夠。已將Teflon™添加至一些形式的Kapton^® 來降低介電常數及介電耗散因子。添加Teflon™使得Kapton^® 膜甚至更難黏著且需要諸如電漿處理及／或蝕刻基板的特殊技術來改良黏著。 暫時性黏著劑

暫時性黏著劑帶及其他暫時性黏著劑組成物被廣泛地用於晶圓背面研磨、晶圓方粒切割及電子器件製造中的許多其他製程。對於暫時性應用而言，黏著劑必需可於提供其用途之後完全移除。然而，所遭遇到的許多新製程需要超過250℃之高溫穩定性，且對於此等應用而言，傳統材料由於在極高溫下不穩定且會引起空隙及脫層而不適當。 塗料及封裝

用於電子器件封裝之黏著劑組成物中所使用的可固化單體必須為疏水性，具有低離子含量、高熱穩定性、及良好的機械強度。其亦必需在超過250℃之溫度下熱穩定持續延長時段，具有極少或不具有會導致脫層的重量損耗，以及能抵抗許多溶劑。

通常在電子應用中，未經填充的等形塗料係保護或包封電子組件的適當方式。在此類型的應用中，塗料保護可能容易被損壞(例如，經由振動)的精細佈線、及／或容易受到機械損壞及／或腐蝕的電路。

於組裝電子組件的某些階段期間(諸如焊料回焊)，會遭遇到高溫。類似地，於操作期間，電子組件產生熱及因此，所使用的黏著劑及塗料必需抵抗於組裝及操作期間遭遇到的高溫。電子器件中所使用的塗料及黏著劑亦必需相當疏水性，以抵抗可能相當具破壞性的水分並對其提供防護。

在某些應用，諸如底部填充中，需要具有相當高之玻璃轉移溫度(T_g )連同相當低之熱膨脹係數(CTE)的材料。在其他應用中，需要較軟的材料(即具有低T_g )。較軟的材料由於可承受振動且即使於相當冷的溫度下仍保持撓性，而一般更有用作為等形塗料。

因此，需要既為黏著劑且亦具有適用於高能量、高頻率電子應用之介電性質的經改良聚醯亞胺。

本發明提供可固化的聚醯亞胺，其係二胺與二酐之縮合產物，隨後再與胺基酚化合物縮合產生酚封端之聚醯亞胺。本發明提供包含具有根據式I、II或III之結構之酚官能化聚醯亞胺的組成物：

其中：R係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷；Q係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷；A係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷；及n及m各獨立地係0或具有1-100之值的整數；其限制條件係聚醯亞胺的平均分子量係大於20,000道耳頓，諸如25,000至50,000道耳頓。在一些態樣中，n及m各獨立地係20-100。

在一些具體例中，組成物進一步包含苯甲醚。

R可係選自由以下所組成之群之部分：

其中Z係H或Me及m係整數，其中平均分子量介於200與800道耳頓之間，或其組合。

Q可係選自由以下所組成之群之部分：

及其組合。

在本發明之一些具體例中，酚官能化聚醯亞胺係至少一種二胺與至少一種二酐之縮合產物。

該至少一種二胺可包括選自以下之群之二胺：

及其組合。

在某些態樣中，該至少一種二胺可包括一或多種選自下列之二胺：1,10-二胺基癸烷；1,12-二胺基十二烷；二聚物二胺；氫化二聚物二胺；1,2-二胺基-2-甲基丙烷；1,2-二胺基環己烷；1,2-二胺基丙烷；1,3-二胺基丙烷；1,4-二胺基丁烷；1,5-二胺基戊烷；1,7-二胺基庚烷；1,8-二胺基薄荷烷；1,8-二胺基辛烷；1,9-二胺基壬烷；3,3’-二胺基-N-甲基二丙胺；二胺基順丁烯二腈；1,3-二胺基戊烷；9,10-二胺基菲；4,4’-二胺基八氟聯苯；3,5-二胺基苯甲酸；3,7-二胺基-2-甲氧茀；4,4’-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基甲苯；2,6-二胺基蒽醌；2,6-二胺基甲苯；2,3-二胺基甲苯；1,8-二胺基萘；2,4-二胺基甲苯；2,5-二胺基甲苯；1,4-二胺基蒽醌；1,5-二胺基蒽醌；1,5-二胺基萘；1,2-二胺基蒽醌；2,4-異丙苯二胺；1,3-雙胺基甲基苯；1,3-雙胺基甲基環己烷；2-氯-1,4-二胺基苯；1,4-二胺基-2,5-二氯苯；1,4-二胺基-2,5-二甲基苯；4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基聯苯；雙(胺基-3-氯苯基)乙烷；雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-甲基異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二乙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；二胺基茀；4,4’-(9-亞茀基)二苯胺；二胺基苯甲酸；2,3-二胺基萘；2,3-二胺基酚；-5-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；4,4’-二胺基苯基碸；3,3’-二胺基苯基碸；2,2-雙(4,-(4-胺基苯氧基)苯基)碸；2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸；4,4’-氧基二苯胺；4,4’-二胺基二苯硫；3,4’-氧基二苯胺；2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯；4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二羥基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲氧基聯苯；雙苯胺M；雙苯胺P；9,9-雙(4-胺基苯基)茀；鄰聯甲苯胺碸；亞甲基雙(鄰胺苯甲酸)；1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷；1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；1,5-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；2,3,5,6-四甲基-1,4-苯二胺；3,3’,5,5’-四甲基聯苯胺；4,4’-二胺基苯甲醯苯胺；2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷；聚氧伸烷基二胺；1,3-環己烷雙(甲基胺)；間二甲苯二胺；對二甲苯二胺；雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷；1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷；及3(4),8(9)-雙(胺基甲基)三環(5.2.1.0^2,6 )癸烷及其組合。

該至少一種二酐可包括一或多種選自下列之二酐：聚丁二烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-交替-順丁烯二酸酐；聚順丁烯二酸酐-交替-1-十八烯；聚丙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚(苯乙烯-共-順丁烯二酸酐)；焦蜜石酸二酐；順丁烯二酸酐；琥珀酸酐；1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐；1,4,5,8-萘四羧酸二酐；3,4,9,10-苝四羧酸二酐；雙環(2.2.2)辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐；二伸乙三胺五乙酸二酐；乙二胺四乙酸二酐；3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐；3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐；4,4’-氧基二酞酸酐；3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐；2,2’-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐；4,4’-雙酚A二酞酸酐；5-(2,5-二氧基四氫)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐；乙二醇雙(1,2,4-苯三甲酸酐)；氫醌二酞酸酐；烯丙基納迪克(nadic)酸酐；2-辛烯-1-基琥珀酸酐；酞酸酐；1,2,3,6-四氫酞酸酐；3,4,5,6-四氫酞酸酐；1,8- 萘二甲酸酐；戊二酸酐；十二烯基琥珀酸酐；十六烯基琥珀酸酐；六氫酞酸酐；甲基六氫酞酸酐；十四烯基琥珀酸酐；及其組合。

本發明之組成物可包括共反應物、填料、觸媒、引發劑、偶合劑及其組合。在一具體例中，組成物包括環氧樹脂、至少一種陰離子性引發劑及至少一種偶合劑。

共反應物可包括氧雜環丁烷、氰酸酯、苯并

及其組合。

共反應物可係共固化樹脂，諸如環氧樹脂、氰酸酯樹脂、苯并

樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、酚系樹脂、羧基樹脂、液晶聚合物樹脂、反應性酯樹脂、丙烯酸系樹脂、增黏劑、氧雜環丁烷、氰酸酯及其組合。

環氧可係一或多種苯基縮水甘油基醚；甲苯酚基縮水甘油基醚；壬基苯基縮水甘油基醚；對-第三丁基苯基縮水甘油基醚；下列中任一者之二縮水甘油基或聚縮水甘油基醚：雙酚A、雙酚F、亞乙基雙酚、二羥基二苯基醚、雙(4-羥基苯基)碸、雙(羥基苯基)硫、1,1-雙(羥基苯基)環己烷、9,19-雙(4-羥基苯基)茀、1,1,1-參(羥基苯基)乙烷、肆(4-羥基苯基)乙烷、三羥基三苯甲基甲烷、4,4’-(1-α-甲基亞苄基)雙酚、4,4’-二羥基二苯甲酮、二羥基萘、2,2’-二羥基-6,6’-二萘基二硫、1,8,9-三羥基蒽、間苯二酚、鄰苯二酚及四羥基二苯硫；三縮水甘油基對胺基酚；N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二苯基甲烷；三縮水甘油基異氰尿酸酯；甲酚甲醛縮合物之縮水甘油基醚；酚甲醛縮合物之縮水甘油基醚；甲酚二環戊二烯加成化合物之縮水甘油基醚；酚二環戊二烯加成化合物之縮水甘油基醚； 1,4-丁二醇之二縮水甘油基醚；二甘醇之二縮水甘油基醚；新戊二醇之二縮水甘油基醚；環己烷二甲醇之二縮水甘油基醚；三環癸烷二甲醇之二縮水甘油基醚；三羥甲基乙烷三縮水甘油基醚；萘衍生物之單-或二縮水甘油基醚；全氟化烷基縮水甘油基醚；三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚；聚乙二醇之縮水甘油基醚；蓖麻油之聚縮水甘油基醚；聚氧伸丙基二縮水甘油基醚；芳族胺之縮水甘油基衍生物。

在某些具體例中，環氧係選自：

及其組合。

在其他具體例中，環氧係環氧基封端之聚二甲基矽氧烷、及環氧官能化環矽氧烷、環氧官能化多面體寡聚倍半矽氧烷(POSS)、或其組合。

基於組成物之總重量，環氧可佔組成物之1至約90重量%、約5至約50重量%、或約10至約25重量%。

觸媒可係陰離子性固化觸媒，諸如咪唑；1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)；1-苄基-2-甲基咪唑(1B2MZ)；2-苯基-4-甲基咪唑(2P4MZ)；2-苯基咪唑(2PZ)；2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)；1,2-二甲基咪唑(1,2DMZ)；2-十七基咪唑(C17Z)；2-十一基咪唑(C11Z)；2-甲基咪唑(2MZ)；咪唑(S1Z)；1-氰乙基-2-甲基咪唑(2MZ-CN)；1-氰乙基-2-十一基咪唑(C11Z-CN)；1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)；1-氰乙基-2-苯基咪唑(2PZ-CN)；1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓-1,2,4-苯三甲酸鹽(2PZCNS-PW)；1-氰乙基-2-十一基咪唑鎓-1,2,4-苯三甲酸鹽(C11Z-CNS)；2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三

(2E4MZ-A)；2,4-二胺基-6-[2’-十一基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三

(C11Z-A)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三

(2MZA-PW)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三

(2MZ-A)；2-苯基咪唑異氰尿酸加成物(2PZ-OK)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三

異氰尿酸加成物脫水物(2MA-OK)；2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(2P4MHZ-PW)；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(2PHZ-PW)；1-十二基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物(SFZ)；2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑(TBZ)；2-苯基咪唑啉(2PZL-T)；2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯氧乙基- 1,3,5-三

(MAVT)；2,4-二胺基-6-乙烯基- 1,3,5-三

異氰尿酸加成物(OK)；2,4-二胺基-6-乙烯基-1,3,5-三

(VT)；咪唑-4-羧醛(4FZ)；2-苯基咪唑-4-羧醛(2P4FZ)；咪唑-2-羧醛(2FZ)；咪唑-4-碳化腈(4CNZ)；2-苯基咪唑-4-碳化腈(2P4CNZ)；4-羥基甲基咪唑鹽酸鹽(4HZ-HCL)；2-羥基甲基咪唑鹽酸鹽(2HZ-HCL)；咪唑-4-羧酸(4GZ)；咪唑-4-二硫基羧酸(4SZ)；咪唑-4-硫基羧醯胺(4TZ)；2-溴咪唑(2BZ)；2-巰基咪唑(2SHZ)；1,2,4-三唑-1-甲脒鹽酸鹽(TZA)；(第三丁氧羰基亞胺基-[1,2,4]三唑-1-基-甲基)-胺基甲酸第三丁基酯(TZA-BOC)；噻唑-2-羧醛(2FTZ)；噻唑-4-羧醛(4FTZ)；噻唑-5-羧醛(5FTZ)；㗁唑-2-羧醛(2FOZ)；㗁唑-4-羧醛(4FOZ)；㗁唑-5-羧醛(5FOZ)；吡唑-4-羧醛(4FPZ)；吡唑-3-羧醛(3FPZ)；1-吖雙環[2.2.2]辛烷(ABCO)；1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷(DABCO)；1,5-二吖雙環[4.3.0]壬-5-烯(DBN)；1,8-二吖雙環[5.4.0]十一-7-烯(DBU)；1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯(TBD)；7-甲基-1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯(MTBD)；1,2,2,6,6-五甲基哌啶(PMP)；4-(二甲基胺基)-1,2,2,6,6-五甲基哌啶；或其組合。

基於組成物之總重量，陰離子性固化觸媒可佔組成物之約0.1至約10重量%、或約0.5至約5重量%。

填料包括至少一種選自矽石、聚四氟乙烯、氧化鋁、氮化硼、碳黑、碳奈米管及其組合的填料。

在其他態樣中，填料可係傳導性填料諸如金、銅、銀、鉑、鈀及其組合及合金。

在某些態樣中，本發明之組成物係黏著劑，包括可移除黏著劑，其可係膜或塗料。在一些態樣中，黏著劑係經B階段化或經固化。

本發明亦提供製備預浸料之方法，其包括以下步驟：提供強化纖維(例如，織造或非織造織物)；及將強化纖維浸泡於包含文中描述之任何酚官能化聚醯亞胺化合物之未固化組成物之液體調配物中。該方法可包括將過量的液體調配物排水及乾燥預浸料以供儲存。

本發明亦包括藉由文中揭示之方法製備的預浸料。

本發明亦包括製備包銅層板(CCL)之方法，其包括將銅設置於文中描述之預浸料之一個或兩個側面上的步驟。設置可係藉由將銅電鍍至預浸料之一個或兩個側面，或經由將銅箔層壓至預浸料之一個或兩個側面。

本發明亦提供包括含浸有本發明組成物之強化纖維的CCL，其可係根據文中描述之方法製備的CCL。

亦提供製備印刷電路板(PCB)之方法，其包括於設置於本發明之CCL之一個或兩個側面上之銅中提供蝕刻電路跡線之步驟。製備撓性包銅層板(FCCL)之方法包括以下步驟：提供包含本發明之酚官能化聚醯亞胺化合物之膜，將黏著劑施加至膜(其可係黏著劑膜)之一個或兩個側面上，及將銅箔層壓至膜之一個或兩個側面上之黏著劑。

本發明亦提供包括文中描述之膜調配物的FCCL，其具有層壓至膜之一個或兩個側面的銅箔，且具有或不具有介於各銅箔與膜之間的黏著劑層。在某些具體例中，該膜係黏著劑膜。

本發明亦提供根據文中描述之任何方法製備的FCCL。

經提供用來製備薄的撓性電子電路之方法包括提供本發明之FCCL，及蝕刻位於FCCL之一個或兩個側面上之銅箔中的電路跡線。

本發明所提供之薄的撓性電子電路包括黏著劑膜之固化層及位於著劑膜之一個或兩個側面上的銅電路跡線。

亦提供背面研磨晶圓之方法，其包括以下步驟：將本發明之可移除黏著劑組成物施加至晶圓之頂部(例如，經由旋塗)；將晶圓黏著至支撐件；研磨及拋光晶圓；自支撐件移除晶圓；及自晶圓移除黏著劑。黏著劑可經由將空氣噴射施加至可移除黏著劑組成物；及自暫時性晶圓剝離黏著劑來移除，且可進一步包括將晶圓浸泡於移除殘留黏著劑的化學溶劑(諸如環戊酮、環己酮及其組合)中。

亦提供用來方粒切割晶圓之方法，其包括將本發明之暫時性黏著劑施加至晶圓之頂部或底部側面(例如，經由旋塗或經由方粒切割帶)；將晶圓黏著至框架；切割晶圓以單粒化個別晶粒；自晶圓移除晶粒；及自晶粒移除黏著劑。

移除黏著劑可係，例如，藉由用於背面研磨的相同方法。

亦提供用來合成具有根據式I、II或III之結構之酚官能化化合物之方法：

R、Q、A、n及m係如前所述且聚醯亞胺係大於20,000道耳頓，其係經由提供至少一種二胺及至少一種二酐；將該至少一種二胺與該至少一種二酐組合於溶劑(例如，苯甲醚)中以形成混合物；使該混合物回流，藉此形成於溶液中之聚醯胺酸；及共沸蒸餾溶液中之聚醯胺酸；藉此形成於溶液中之胺封端之聚醯亞胺；其中：該至少一種二胺包含酚官能性；該至少一種二酐包含酚官能性；或經由進一步包括經由使末端胺基團反應形成酚官能性末端部分而將胺封端之聚醯亞胺官能化之步驟。

二胺及二酐可係任何彼等以上所列者，且通常以約1:1之當量比組合(即約1.01:1至約1.10:1；約1.02:1至約1.09:1；約1.03:1至約1.08:1；約1.04:1至約1.07:1；或約1.05:1至約1.06:1)。

應明瞭先前的一般說明及以下詳細說明僅係例示性及解說性而不限制所主張之發明。如文中所使用，除非另外明確陳述，否則使用單數包括複數。應明瞭如於說明書及申請專利範圍中所使用，「一」或「一個」可意指一或多個，取決於其所使用的前後文。因此，提及「一化合物」可意謂使用至少一個化合物分子，但通常指可係相同或不同種類的複數個化合物分子。舉例來說，「具有根據以下式I之結構的一化合物」可指由該式所涵蓋之單一分子或複數個分子，以及該式所描述之種類的全部或一子集。如文中所使用，除非另外陳述，否則「或」意謂「及／或」。此外，術語「包括」以及其他形式，諸如「包含」及「含有」的使用並非限制性。

文中使用的段落標題僅係為了組織目的而不應將其解釋為限制所描述的標的物。

除非提供特定定義，否則結合使用的命名法、及文中描述的實驗室程序及分析化學、合成有機及無機化學之技術係技藝中已知者，諸如陳述於下列中之彼等：「IUPAC Compendium of Chemical Terminology: IUPAC Recommendations (The Gold Book)」(McNaught編輯；International Union of Pure and Applied Chemistry，第二版，1997)及「Compendium of Polymer Terminology and Nomenclature: IUPAC Recommendations 2008」(Jones等人編輯；International Union of Pure and Applied Chemistry, 2009)。標準化學符號可與該等符號所表示的全名互換使用。因此，例如，應理解術語「氫」及「H」具有相同意義。可將標準技術用於化學合成、化學分析、及調配物。 定義

如文中所使用之「約」意指以「約」提及的數字包括所引述數字加上或減去該引述數字的1-10%。舉例來說，「約」100度可意指95-105度或少至99-101度，視情況而定。無論何時當出現於文中時，諸如「1至20」的數值範圍係指給定範圍中的各整數；例如，「1至20個碳原子」意指烷基可包含僅1個碳原子、2個碳原子、3個碳原子等，直至且包括20個碳原子(儘管術語「烷基」亦包括其中未指定碳原子之數值範圍的情況)。當「約」修飾以非整數表示的一範圍時，其意指所引述數字加上或減去所表示有效數字之相同程度的1-10%。舉例來說，約1.50至2.50 mM可意指少至1.35 mM或多至2.75 mM或以0.01之增量介於其間的任何量。當文中描述之一範圍包括小數值，諸如「1.2%至10.5%」時，該範圍係指於給定範圍中之所指示最小增量的各小數值；例如，「1.2%至10.5%」意指百分比可係1.2%、1.3%、1.4%、1.5%等，直至且包括10.5%；而「1.20%至10.50%」意指百分比可係1.20%、1.21%、1.22%、1.23%等，直至且包括10.50%。

如文中所使用，術語「實質上」係指大範圍或程度。更明確言之，「實質上全部」或相等表述語通常係指至少約90%、經常至少約95%、通常至少99%、及更通常至少約99.9%。「實質上並非」係指低於約10%、經常低於約5%、及通常低於約1%，諸如低於5%、低於4%、低於3%、低於2%、或低於1%。「實質上不含」或相等表述語通常係指低於約10%、經常低於約5%、通常低於約1%，及在某些態樣中低於約0.1%。

如文中所使用之「黏著劑」或「黏著劑化合物」係指任何可將兩個項目黏著或接合在一起的物質。「黏著劑組成物」或「黏著劑調配物」之定義中包含組成物或調配物係多於一物種、組分或化合物之組合或混合物的事實，其可包括黏著劑單體、寡聚物、及／或聚合物連同其他材料，而「黏著劑化合物」係指單一物種，諸如黏著劑聚合物或寡聚物。

更明確言之，黏著劑組成物係指其中混合物中之個別組分保留製成混合物之原始個別組分之化學及物理特性的未固化混合物。黏著劑組成物通常係具延展性的且可係液體、糊料、凝膠、膜或另一可經施加至一項目使得其可接合至另一項目的形式。

「經固化黏著劑」、「經固化黏著劑組成物」或「經固化黏著劑化合物」係指自反應性可固化原始化合物或其混合物獲得的黏著劑組分及混合物，其已經歷化學及／或物理變化使得原始化合物或混合物經轉變為固體、實質上不流動材料。典型的固化過程可涉及交聯。

「可固化」意指原始化合物或組成物可藉由化學反應、交聯、輻射交聯、或類似過程轉變為固體、實質上不流動材料。因此，本發明之黏著劑化合物及組成物係可固化的，但除非另外明確說明，否則原始化合物及組成物係未固化。

如文中所使用，術語「官能化」、「經官能化」及「官能基化」係指將賦予特定性質之部分(「官能部分」或「官能基」)添加或納入至分子，通常係官能基與其他分子以可預測及／或可控制方式反應的能力。在本發明之某些具體例中，官能化係通過添加或納入末端基團X來賦予分子的末端。在其他具體例中，可於本發明之聚醯亞胺中包括內部及／或側鏈官能化。在本發明之一些態樣中，官能基係「可固化基團」或「可固化部分」，其係容許分子經歷化學及／或物理變化，使得原始分子經轉變為固體、實質上不流動材料的基團或部分。「可固化基團」或「可固化部分」可促進交聯。

如文中所使用之「交聯」係指兩個或更多個寡聚物或較長聚合物鏈藉由元素、分子基團、化合物、或另一寡聚物或聚合物之橋連接。交聯可在加熱或暴露至光下進行；一些交聯過程可於室溫或較低溫度下發生。當交聯密度增加時，材料性質可自熱塑性改變為熱固性。

如文中所使用之「可捲起」及「可捲起性」係指材料，諸如聚合物膜，通常約10 μm至約2.0 mm厚度之薄聚合物膜沒有阻力或龜裂地捲起成為圓筒形狀的能力。通常，本發明之可捲起材料可經捲起、展開及再次無損傷地重複捲起。相當撓性的聚合物，諸如本發明之高分子量聚醯亞胺，需能承受此操作。「可捲起性」係材料亦將承受撓性印刷電路可能於使用中遭遇到之嚴格操作的指示。

如文中所使用之「可B階段化」係指黏著劑具有第一固相隨後在高溫下之黏性橡膠階段，隨後在再更高溫度下之又另一固相的性質。自黏性橡膠階段至第二固相之轉變係熱固性的。然而，在熱固化之前，材料的行為與熱塑性材料相似。因此，該等黏著劑容許低層壓溫度同時提供高熱穩定性。

如文中所使用之「晶粒」或「半導體晶粒」係指於其上製造功能電路之半導體材料的小塊。

如文中所使用之「晶片」係指經製造有功能電路(例如，一組電子電路或積體電路)的晶粒。

「覆晶(flip-chip)」半導體裝置係其中半導體晶粒直接裝置於佈線基板(諸如陶瓷或有機印刷電路板)上的裝置。位於半導體晶粒上之傳導性端子(通常呈焊料凸塊之形式)未使用線接合、帶式自動接合(TAB；tape-automated bonding)而直接實體及電連接至基板上之佈線圖案。由於與基板形成連接的傳導性焊料凸塊係位於晶粒或晶片的活性表面上，因此晶粒係以面向下的方式裝置，因此名為「覆晶」。

如文中所使用之術語「光可成像」係指化合物或組成物僅於暴露至光之區域中選擇性地固化的能力。化合物的經曝光區域藉此變為經固化及不可溶解，而化合物或組成物的未曝光區域保持未固化及因此可溶解於顯影劑溶劑中。通常，此操作係使用紫外光作為光源及光罩作為界定發生曝光之位置之構件來進行。矽晶圓上之介電層的選擇性圖案化可根據技藝中已知之各種光微影技術來進行。在一種方法中，將光敏性聚合物膜施加於期望的基板表面上並乾燥。然後將包含期望圖案化資訊的光罩靠近光阻劑膜放置。利用包括UV光、電子束電子、X射線、或離子束之數種類型之成像輻射中的一者通過上覆光罩照射光阻劑。當暴露至輻射時，聚合物膜經歷化學變化(交聯)同時伴隨溶解度改變。於輻照後，將基板浸泡於顯影劑溶液中，其選擇性地移除膜的未交聯或未曝光區域。

如文中所使用之術語「鈍化」係指使一材料相對於另一材料或條件「鈍化」的過程。術語「鈍化層」(PL)係指一般用來包封半導體裝置，諸如半導體晶圓，以使裝置與其緊鄰環境隔離，及藉此保護裝置免受氧、水等、以及空中或太空污染物、顆粒、濕度及其類似物影響的層。鈍化層通常係由用來塗布裝置的惰性材料形成。此包封過程亦經由終止於製造過程期間產生之懸鍵及經由調整表面電位以降低或提高與此等裝置相關之表面漏電流來鈍化半導體裝置。在本發明之某些具體例中，鈍化層包含設置於微電子裝置上方的介電材料。該等PL通常經圖案化以於其中形成提供與微電子裝置形成電接觸的開口。通常鈍化層係設置於裝置上方並充作保護層的最終介電材料。

如文中所使用之「等形塗料」係指經施加至電子電路以充作針對水分、灰塵、化學物質、及極端溫度之保護的材料，其若未經塗布的話，會導致電子器件的損壞或失效而無法適當作用。通常，電子電路或其總成係經塗布一層透明等形塗料以保護電子器件不受嚴苛環境影響。在一些實例中，等形塗料係透明的，使得可以視覺檢查電路。經適當選擇的等形塗料亦可降低機械應力、振動及極端溫度的效應。舉例來說，在晶片板(chip-on-board)封裝製程中，利用黏著劑或焊料將矽晶粒裝置於板上，然後經由線接合電連接。為保護相當脆弱的封裝，將整個晶片板包封於通常稱為「頂部點膠(glob top)」的等形塗料中。

如文中所使用之「崩潰電壓」係指導致一部分之絕緣體成為導電性的最小電壓。「高崩潰電壓」係至少約100 V至至少約900 V，諸如200 V、 300 V、400 V、500 V、600 V、700 V、800 V、900 V、1,000 V或更高。

「電功率」係電能經由電路轉移之每單位時間的速率。其係作工的速率。在電路中，功率係以瓦(W)測量且係電壓及電流兩者的函數： P = I E 其中P = 功率(單位瓦)；I = 電流(單位安培)及E = 電壓(單位伏特)。由於電功率一般產生熱，因此通常使用「高功率」來指示產生超過100℃之熱的裝置及應用。

如文中所使用之「高頻率」或「HF」係指介於3與30百萬赫(MHz)之間的射頻電磁波範圍。

如文中所使用之「介電質」係指具有傳輸電力而不傳導之性質的絕緣材料。當將介電材料置於電場中時，電荷不會如其於電導體中般地流動通過材料，而僅輕微地自其之平均平衡位置移動從而導致介電極化。由於介電極化，正電荷於電場方向中移動且負電荷於與電場相反的方向中移動。此產生於介電質本身中降低總體電場的內部電場。

如文中所使用之術語「介電常數」及簡寫「Dk」或「相對電容率」係一物質之電容率(電阻之量度)對自由空間之電容率(其具有1之值)的比。簡單而言，材料的Dk愈低，其作為絕緣體就愈佳。如文中所使用之「低介電常數」係指其Dk較二氧化矽之Dk(其具有3.9之Dk)低的材料。因此，「低介電常數」係指低於3.9，通常低於約3.5，及最通常低於約3.0之Dk。

如文中所使用之術語「耗散介電因子」、「耗散介電常數」、及簡寫「Df」在文中係用來指於熱力學開放、耗散性系統中之能量損耗速率的量度。簡單而言，Df係電容器之絕緣材料之無效率程度的量度。其通常量測當諸如介電質之絕緣體暴露至交流電場時所損耗的熱。材料的Df愈低，其效率就愈佳。「低耗散介電因子」通常係指在1 GHz頻率下低於約0.01，經常在1 GHz頻率下低於約0.005，及最通常在1 GHz頻率下0.001或更低的Df。

「層間介電層」或「ILD」係指設置於導電跡線之第一圖案上方，使其與可係堆疊於第一圖案頂部上之導電跡線之第二圖案分開的一層介電材料。通常，將ILD層圖案化或鑽孔以提供容許在特定區域中或在多層印刷電路板之層中於導電跡線之第一及第二圖案之間之電接觸的開口(稱為「通孔」，「垂直互連進出」通道的簡稱)。該等ILD層的其他區域不含通孔以策略性地防止於第一及第二圖案或層之導電跡線之間的電接觸。

在電子器件中，「洩漏」係電能逐漸轉移穿越通常被視為絕緣的邊界，諸如帶電電容器的自發放電、變壓器與其他組件的磁耦合、或電流流動穿越於「關閉」狀態中之電晶體或反極化二極體。當電流自預期電路洩漏，而非流動通過一些替代路徑時，可發生另一類型的洩漏。由於流動通過替代路徑的電流可導致損壞、火災、RF雜訊、或電刑，因而此種洩漏係不期望的。

如文中所使用之「漏電流」係指自帶電電容器逐漸失去能量，主要係由連接至電容器之電子裝置(諸如電晶體或二極體)所引起，即使當其經關閉時亦傳導少量電流。「漏電流」亦指當理想電流為零時流動的任何電流。此係當電子總成處於待機、失能、或「睡眠」模式(待機功率)時的情況。此等裝置與當處於完全操作時的數百或數千毫安培相比，當處於其之靜止狀態時可汲取一或兩微安培。由於此等漏電流對於消費者在電池運作時間上的不良影響，而對可攜式裝置製造商成為重要的因素。

如文中所使用之「熱塑性」係指化合物、組成物或其他材料(例如，塑膠)溶解於適當溶劑中或當經加熱時熔融成液體，及當經充分冷卻時冷凍成固態、通常易碎及玻璃狀態的能力。

如文中所使用之「熱固性」係指化合物、組成物或其他材料不可逆地「固化」，從而產生與未固化材料相比具有更大強度及更低溶解度之單一三維網絡的能力。熱固性材料通常係可，例如，通過熱(例如，高於200℃)、經由化學反應(例如，環氧開環、自由基聚合)或通過輻照(利用，例如，可見光、UV光、電子束輻射、離子束輻射、或X射線輻照)固化的聚合物。

熱固性材料，諸如熱固性聚合物係樹脂，其在固化之前通常係液體或可延展形式，及因此可經模製或成形成其最終形式，及／或使用作為黏著劑。固化經由交聯過程將熱固性樹脂轉變成剛性、不可熔解及不可溶解的固體或橡膠。通常將能量及／或觸媒添加至未固化之熱固性材料，其導致熱固性分子於化學活性位點(例如，不飽和或環氧位點)反應，藉此將熱固性分子鍵聯成剛性、三維結構。交聯過程形成具較高分子量及因此較高熔點的分子。於反應期間，當聚合物之分子量已增加至使熔點高於周圍環境溫度的點時，聚合物成為固體材料。

術語「單體」係指可經歷聚合或共聚合，藉此向巨分子(即聚合物)之基礎結構貢獻組成單元的分子。

術語「預聚物」係指已經反應成介於單體與較高分子量聚合物間之分子質量狀態中間體的單體或單體之組合。預聚物可經由其所包含的反應性基團進一步聚合成完全固化的高分子量狀態。具有未反應單體之反應性聚合物的混合物亦可稱為「樹脂」。如文中所使用之術語「樹脂」係指包含通常具有反應性基團之預聚物的物質。一般而言，樹脂係單一類型或類別的預聚物，諸如環氧樹脂及雙順丁烯二醯亞胺樹脂。

「聚合物」及「聚合物化合物」在文中可互換使用，來一般指示單一化學聚合反應的組合產物。聚合物係經由將單體子單元組合成共價鍵結鏈來產生。僅包含單一類型單體的聚合物稱為「均聚物」，而包含兩種或更多種不同單體之混合物的聚合物稱為「共聚物」。

術語「共聚物」包括經由共聚合兩種單體物種所獲得之產物，由三種單體物種所獲得之產物(三元共聚物)，由四種單體物種所獲得之產物(四元共聚物)，及由五種或更多種單體物種所獲得之產物。技藝中熟知經由化學方法合成得的共聚物包括，但不限於，具有以下類型之單體配置的分子： 交替共聚物，其包含規則交替的單體殘基； 週期共聚物，其具有以重複序列配置的單體殘基類型； 無規共聚物，其具有無規序列的單體殘基類型； 統計共聚物，其具有根據已知統計規則配置的單體殘基； 嵌段共聚物，其具有兩個或更多個經由共價鍵鍵聯的均聚物子單元。 嵌段共聚物內之均聚物的嵌段，例如，可具有任何長度且可為均勻或可變長度的嵌段。具有兩個或三個相異嵌段之嵌段共聚物分別稱為二嵌段共聚物及三嵌段共聚物；及 星形共聚物，其具有包括通過中心部分鍵聯之不同組成或組態特徵之單體殘基的鏈。

熟悉技藝人士當明瞭單一共聚物分子可沿其長度具有可以交替、週期、無規等表徵的不同區域。化學聚合反應之共聚物產物可包含個別聚合分子及單體單元之配置各不相同的片段。熟悉技藝人士當進一步知曉用來合成此等類型之共聚物中之各者，及用來改變反應條件以相較於另一類型有利於一種類型的方法。

此外，根據本發明之聚合物鏈之長度通常將於經由特定反應產生之一範圍或平均尺寸內改變。熟悉技藝人士當知曉，例如，用來控制於給定反應中產生之聚合物鏈之平均長度的方法以及於合成得聚合物後選擇其尺寸的方法。

「多分散性指數」(PDI)或「異質性指數」係給定聚合物樣本中分子質量之分佈的量度。PDI係經由下式計算： PDI = M_w /M_n ， 其中M_w 係重量平均分子量及M_n 係數目平均分子量。

除非使用更具限制性的術語，否則「聚合物」意欲涵蓋均聚物、及具有單體子單元之任何配置之共聚物以及包含具有多於一種配置之個別分子之共聚物。就長度而言，除非另外指示，否則應將文中所述之針對聚合物引述的任何長度限制視為聚合物中之個別分子之長度的平均。

如文中所使用之「熱塑性彈性體」或「TPE」係指由具有熱塑性及彈性體性質兩者之材料所組成的共聚物類別。

如文中所使用之「硬嵌段」或「硬鏈段」係指由於高熔點(Tm)或T_g 而在室溫下堅硬的共聚物(通常熱塑性彈性體)之嵌段。相對地，「軟嵌段」或「軟鏈段」具有低於室溫的T_g 。

如文中所使用之「寡聚物」或「寡聚」係指具有有限及中度數目之重複單體結構單元的聚合物。本發明之寡聚物通常具有2至約100個重複單體單元；經常2至約30個重複單體單元；及通常2至約10個重複單體單元；及通常具有至高約3,000之分子量。

熟悉技藝人士當明瞭寡聚物及聚合物可取決於可聚合基團或側鏈之可用性，隨後作為單體併入於進一步的聚合或交聯反應中。

如文中所使用之「脂族」係指任何烷基、烯基、環烷基、或環烯基部分。

如文中所使用之「芳族烴」或「芳族」係指具有一或多個苯環之化合物。

如文中所使用之「烷烴」係指僅具有單鍵之飽和直鏈、分支鏈或環狀烴。烷烴具有通式C_n H_2n+2 。

「環烷烴」係指於其結構中具有一或多個環的烷烴。

如文中所使用之「烷基」係指具有1至約500個碳原子的直鏈或分支鏈烴基。「低碳烷基」一般係指具有1至6個碳原子之烷基。術語「烷基」及「經取代之烷基」分別包括經取代及未經取代之C₁ -C₅₀₀ 直鏈飽和脂族烴基、經取代及未經取代之C₂ -C₂₀₀ 直鏈不飽和脂族烴基、經取代及未經取代之C₄ -C₁₀₀ 分支鏈飽和脂族烴基、經取代及未經取代之C₁ -C₅₀₀ 分支鏈不飽和脂族烴基。

舉例來說，「烷基」之定義包括，但不限於：甲基(Me)、乙基(Et)、丙基(Pr)、丁基(Bu)、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十一烯基、異丙基(i-Pr)、異丁基(i-Bu)、第三丁基(t-Bu)、第二丁基(s-Bu)、異戊基、新戊基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環戊烯基、環己烯基、環庚烯基、環辛烯基、甲基環丙基、乙基環己烯基、丁烯基環戊基、三環癸基、金剛烷基、及降𦯉基。

「經取代」係指化合物及部分帶有包括，但不限於，下列的取代基：烷基(例如，C_1-10 烷基)、烯基、炔基、羥基、側氧基、烷氧基、巰基、環烷基、經取代之環烷基、雜環、經取代之雜環、芳基、經取代之芳基(例如，芳基C_1-10 烷基或芳基C_1-10 烷基氧基)、雜芳基、經取代之雜芳基(例如，雜芳基C_1-10 烷基)、芳氧基、C_1-10 烷基氧基C_1-10 烷基、芳基C_1-10 烷基氧基C_1-10 烷基、C_1-10 烷基硫基C_1-10 烷基、芳基C_1-10 烷基硫基C_1-10 烷基、C_1-10 烷基胺基C_1-10 烷基、芳基C_1-10 烷基胺基C_1-10 烷基、N-芳基-N-C_1-10 烷基胺基C_1-10 烷基、C_1-10 烷基羰基C_1-10 烷基、芳基C_1-10 烷基羰基C_1-10 烷基、C_1-10 烷基羧基C_1-10 烷基、芳基C_1-10 烷基羧基C_1-10 烷基、C_1-10 烷基羰基胺基C_1-10 烷基、及芳基C_1-10 烷基羰基胺基C_1-10 烷基、經取代之芳基氧基、鹵基、鹵烷基(例如，三鹵甲基)、氰基、硝基、硝酮、胺基、醯胺基、胺甲醯基、=O、=CH-、-C(O)H、-C(O)O-、-C(O)-、-S-、-S(O)₂ 、-OC(O)-O-、-NR-C(O)、-NR-C(O)-NR、-OC(O)-NR，其中R係H或低碳烷基、醯基、氧基醯基、羧基、胺基甲酸酯、磺醯基、磺醯胺、硫醯基、C_1-10 烷基硫基、芳基C_1-10 烷基硫基、C_1-10 烷基胺基、芳基C_1-10 烷基胺基、N-芳基-N-C_1-10 烷基胺基、C_1-10 烷基羰基、芳基C_1-10 烷基羰基、C_1-10 烷基羧基、芳基C_1-10 烷基羧基、C_1-10 烷基羰基胺基、芳基C_1-10 烷基羰基胺基、四氫呋喃基、

啉基、哌𠯤基、及羥基哌哢基(hydroxypyronyl)。

此外，如文中所使用之「C₃₆ 」及「C₃₆ 部分」係指36個碳之脂族部分的所有可能結構異構物，包括於主鏈中具有至多三個碳-碳雙鍵之分支鏈異構物及環狀異構物。C₃₆ 部分的一個非限制性實例係包含基於環己烷之核心及連接至核心之四個長「臂」的部分，如由以下結構所展示：

如文中所使用之「環烷基」係指含有約3至約20個碳原子，通常3至約15個碳原子的環狀含環基團。在某些具體例中，環烷基具有約4至約12個碳原子，及在又其他具體例中，環烷基具有約5至約8個碳原子。「經取代的環烷基」係指進一步帶有一或多個如下文所述之取代基的環烷基。

如文中所使用之術語「芳基」係指於任何可形成穩定共價鍵之環位置處共價連接的未經取代、經單-、二-或三取代之單環、多環、聯芳基芳族基團，某些較佳連接點係熟悉技藝人士顯而易見(例如，3-苯基、4-萘基等等)。「經取代的芳基」係指進一步帶有一或多個如前文所述之取代基的芳基。

「芳基」之定義所涵蓋之部分的明確實例包括，但不限於，苯基、聯苯基、萘基、二氫萘基、四氫萘基、茚基、二氫茚基、薁基、蒽基、菲基、茀基、及芘基等等。

如文中所使用之「伸芳基」係指二價芳基部分。「經取代的伸芳基」係指帶有一或多個如上文所述之取代基的伸芳基部分。

如文中所使用之「烷基芳基」係指經烷基取代之芳基及「經取代之烷基芳基」係指進一步帶有一或多個如上文所述之取代基的烷基芳基。

如文中所使用之「芳基烷基」係指經芳基取代之烷基及「經取代之芳基烷基」係指進一步帶有一或多個如下文所述之取代基的芳基烷基。一些實例包括，但不限於，(4-羥基苯基)乙基、或(2-胺基萘基)己烯基。

如文中所使用之「芳基烯基」係指經芳基取代之烯基及「經取代之芳基烯基」係指進一步帶有一或多個如上文所述之取代基的芳基烯基。

如文中所使用之「芳基炔基」係指經芳基取代之炔基及「經取代之芳基炔基」係指進一步帶有一或多個如上文所述之取代基的芳基炔基。

如文中所使用之「芳醯基」係指芳基-羰基物種諸如苯甲醯基及「經取代之芳醯基」係指進一步帶有一或多個如上文所述之取代基的芳醯基。

如文中所使用之「雜」係指含有一或多個諸如N、O、Si及S之非碳雜原子的基團或部分。因此，例如，「雜環狀」係指具有，例如，N、O、Si或S作為環結構之部分，且具有3至14個碳原子的環狀(即含環)基團。「雜芳基」及「雜烷基」部分分別係含有，例如，N、O、Si或S作為其結構之部分的芳基及烷基。術語「雜芳基」、「雜環」或「雜環狀」係指具有單個環或多個稠環，1至8個碳原子及1至4個於環內選自氮、硫或氧之雜原子的單價不飽和基團。

雜芳基的定義包括，但不限於，噻吩基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、2,3-二氫苯并噻吩基、呋喃基、哌喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、2,3-二氫苯并呋喃基、吡咯基、吡咯基-2,5-二酮、3-吡咯啉基、吲哚基、異吲哚基、3H-吲哚基、吲哚啉基、吲

基、吲唑基、酞醯亞胺基(或異吲哚基-1,3-二酮)、咪唑基、2H-咪唑啉基、苯并咪唑基、吡啶基、吡𠯤基、嗒𠯤基、嘧啶基、三𠯤基、喹啉基、異喹啉基、4H-喹

基、啈啉基、呔𠯤基、喹唑啉基、喹㗁啉基、1,8-

啶基、喋啶基、咔唑基、吖啶基、啡𠯤基、啡噻𠯤基、啡㗁𠯤基、色原烷基 (chromanyl)、苯并間二氧雜環戊烯基(benzodioxolyl)、向日葵基(piperonyl)、嘌呤基、吡唑基、三唑基、四唑基、噻唑基、異噻唑基、苯并噻唑基、㗁唑基、異㗁唑基、苯并㗁唑基、㗁二唑基、噻二唑基、吡咯啶基-2,5-二酮、咪唑啶基-2,4-二酮、2-硫酮基-咪唑啶基-4-酮、咪唑啶基-2,4-二硫酮、噻唑啶基-2,4-二酮、4-硫酮基-噻唑啶基-2-酮、哌𠯤基-2,5-二酮、四氫-嗒𠯤基-3,6-二酮、1,2-二氫-[1,2,4,5]四𠯤基-3,6-二酮、[1,2,4,5]四𠯤烷基-3,6-二酮、二氫-嘧啶基-2,4-二酮、嘧啶基-2,4,6-三酮、1H-嘧啶基-2,4-二酮、5-碘-1H-嘧啶基-2,4-二酮、5-氯-1H-嘧啶基-2,4-二酮、5-甲基-1H-嘧啶基-2,4-二酮、5-異丙基-1H-嘧啶基-2,4-二酮、5-丙炔基-1H-嘧啶基-2,4-二酮、5-三氟甲基-1H-嘧啶基-2,4-二酮、6-胺基-9H-嘌呤基、2-胺基-9H-嘌呤基、4-胺基-1H-嘧啶基-2-酮、4-胺基-5-氟-1H-嘧啶基-2-酮、4-胺基-5-甲基-1H-嘧啶基-2-酮、2-胺基-1,9-二氫-嘌呤基-6-酮、1,9-二氫-嘌呤基-6-酮、1H-[1,2,4]三唑基-3-羧酸醯胺、2,6-二胺基-N₆ -環丙基-9H-嘌呤基、2-胺基-6-(4-甲氧苯基硫基)-9H-嘌呤基、5,6-二氯-1H-苯并咪唑基、2-異丙基胺基-5,6-二氯-1H-苯并咪唑基、2-溴-5,6-二氯-1H-苯并咪唑基等等。此外，術語「飽和雜環狀」表示於任何可形成穩定共價鍵之環位置處共價連接的未經取代、經單-、二-或三取代之單環、多環飽和雜環基團，某些較佳連接點係熟悉技藝人士顯而易見(例如，1-哌啶基、4-哌𠯤基等等)。

含雜基團亦可經取代。舉例來說，「經取代之雜環」係指包含一或多個雜原子且亦帶有一或多個如上文所述之取代基之具有3至14個碳原子的含環基團。

如文中所使用之術語「酚」包括每分子具有一或多個酚官能基之化合物，如以下所繪示： 術語脂族、環脂族及芳族當用來描述酚時，係指脂族、環脂族及芳族殘基或此等主鏈之組合經由直接鍵結或環融合連接的酚。

如文中所使用之「烯基」、「烯」或「烯烴」係指具有至少一個碳-碳雙鍵且具有約2至500個碳原子之直鏈或分支鏈不飽和烴基。在某些具體例中，烯基具有約5至約250個碳原子，5至約100個碳原子，5至約50個碳原子或5至約25個碳原子。在其他具體例中，烯基具有約6至約500個碳原子，8至約500個碳原子，10至約500個碳原子或20至約500個碳原子或50至約500個碳原子。在又其他具體例中，烯基具有約6至約100個碳原子，10至約100個碳原子，20至約100個碳原子或50至約100個碳原子，而在其他具體例中，烯基具有約6至約50個碳原子，6至約25個碳原子，10至約50個碳原子，或10至約25個碳原子。「經取代之烯基」係指進一步帶有一或多個如上文所述之取代基的烯基。

如文中所使用之「伸烷基」係指二價烷基部分，及「氧基伸烷基」係指含有至少一個氧原子替代亞甲基(CH₂ )單元的伸烷基部分。「經取代的伸烷基」及「經取代的氧基伸烷基」係指進一步帶有一或多個如上文所述之取代基的伸烷基及氧基伸烷基。

如文中所使用之「炔基」係指具有至少一個碳-碳參鍵且具有2至約100個碳原子，通常約4至約50個碳原子，及經常約8至約25個碳原子之直鏈或分支鏈烴基。「經取代之炔基」係指進一步帶有一或多個如下文所述之取代基的炔基。

如文中所使用之「伸環氧乙烷基」或「環氧基」係指具有如下結構之二價部分：

術語「環氧基」亦指當與催化劑或「硬化劑」(亦稱為「固化劑」)混合時經由聚合及交聯固化的熱固性環氧化物聚合物。本發明之環氧化物包括，但不限於，脂族、環脂族、縮水甘油基醚、縮水甘油基酯、縮水甘油基胺環氧化物、及其類似物、及其組合。

如文中所使用之「醯基」係指烷基-羰基物種。

如文中所使用之術語「氧環丁烷」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「烯丙基」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「乙烯基醚」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之術語「乙烯基酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「苯乙烯系」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「反丁烯二酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「炔丙基」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「氰酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「降𦯉基」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「醯亞胺」係指具有兩個鍵結至一級胺或氨之羰基的官能基。本發明之醯亞胺的通式為：

「聚醯亞胺」係含醯亞胺單體的聚合物。聚醯亞胺通常係線性或環狀的。線性及環狀(例如，芳族雜環狀聚醯亞胺) 聚醯亞胺之非限制性實例示於以下供說明目的用。

其中R係芳族、雜芳族、脂族、或聚合部分。

如文中所使用之「順丁烯二醯亞胺」係指具有如下所示之化學式的N-經取代順丁烯二醯亞胺：

其中R係芳族、雜芳族、脂族、或聚合部分。

如文中所使用之「雙順丁烯二醯亞胺」或「BMI」係指其中兩個醯亞胺部分經由橋鍵聯的化合物，即具有以下顯示之一般結構的化合物聚醯亞胺：

其中R係芳族、雜芳族、脂族、或聚合部分。

BMI可通過除縮合反應外的加成來固化，因此避免由形成揮發物所導致的問題。BMI可經由兩個順丁烯二醯亞胺基團封端之預聚物的乙烯基型聚合來固化。

如文中所使用之術語「丙烯酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之術語「丙烯醯胺」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之術語「甲基丙烯酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之術語「甲基丙烯醯胺」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「順丁烯二酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之術語「甲基順丁烯二醯亞胺」及「甲基順丁烯二酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「亞甲基丁二醯亞胺」及「亞甲基丁二酸酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「苯并㗁𠯤」係指包括以下雙環結構之部分：

如文中所使用之術語「醯氧基苯甲酸酯」或「苯基酯」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

其中R係H、低碳烷基、或芳基。

如文中所使用之術語「鹵素」、「鹵化物」、或「鹵基」包括氟、氯、溴、及碘。

如文中所使用之「矽氧烷」係指任何含有Si-O部分的化合物。矽氧烷可係線性或環狀的。在某些具體例中，本發明之矽氧烷包括2或更多個Si-O之重複單元。例示性的環狀矽氧烷包括六甲基環三矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷等等。

如文中所使用之「一級胺封端之雙官能矽氧烷橋連基團」係指具有以下結構式之部分：

其中各R係H或Me，各R’獨立地係H、低碳烷基、或芳基；m及n各係具有介於1至約10之間之值的整數，及q係具有介於1及100之間之值的整數。

如文中所使用之術語「自由基引發劑」係指當暴露至足夠能量(例如，光、熱等等)時分解成不帶電之部分，但該部分之每一者具有至少一個不成對電子的任何化學物種。

如文中所使用之「光引發」係指經由光引發的聚合。在大部分情況中，光誘導的聚合利用引發劑來產生自由基，其可係以下兩種類型之一：「I型光引發劑」(單分子光引發劑)，其當吸收光時經歷均勻鍵斷裂；及「II型光引發劑」(雙分子光引發劑)，其由諸如二苯甲酮或噻噸酮(thioxanthone)之光引發劑及諸如醇或胺之共引發劑所組成。

如文中所使用之術語「偶合劑」係指能夠鍵結至礦物質表面且其亦包含可聚合反應性官能基以能夠與黏著劑組成物交互作用的化學物種。偶合劑因此促進晶粒附著糊料之鍵聯至其所施用之基板。

如文中所使用之「二胺」一般係指化合物或化合物之混合物，其中各物種具有2個胺基。

如文中所使用之「酐」係指帶有至少一個具有如下結構之部分的化合物：

如文中所使用之「二酐」一般係指化合物或化合物之混合物，其中各物種具有2個酐(-NH₂ )基。

如文中所使用之術語「溶劑」係指溶解固體、液體、或氣態溶質，從而產生溶液的液體。「共溶劑」係指與第一溶劑共同使用的第二、第三等溶劑。

如文中所使用之「極性質子性溶劑」係包含O-H或N-H鍵的溶劑，而「極性非質子性溶劑」則不包含O-H或N-H鍵。

「玻璃轉移溫度」或「T_g 」在文中係用來指非晶形固體(諸如聚合物)於冷卻時變脆，或於加熱時變軟的溫度。更明確言之，其定義其中過冷熔體當冷卻時產生玻璃狀結構及類似結晶材料(例如，各向同性固體材料)之性質的擬二階相轉變。

如文中所使用之「低玻璃轉移溫度」或「低T_g 」係指約50℃或低於約50℃之T_g 。如文中所使用之「高玻璃轉移溫度」或「高T_g 」係指至少約60℃、至少約70℃、至少約80℃、至少約100℃之T_g 。如文中所使用之「極高玻璃轉移溫度」及「極高T_g 」係指至少約150℃、至少約175℃、至少約200℃、至少約220℃或更高之T_g 。本發明之高玻璃轉移溫度化合物及組成物通常具有在約70℃至約300℃範圍內之T_g 。

如文中所使用之「模量」或「楊氏模量」係材料剛性的量度。於彈性界限內，模量係線性應力對線性應變的比，其可自於拉伸測試期間所產生之應力-應變曲線的斜率來測得。

「熱膨脹係數」或「CTE」係描述物質之熱力學性質的技術術語。CTE係關於溫度變化對材料之線性尺寸的改變。如文中所使用之「α₁ CTE」或「α₁ 」係指於T_g 前的CTE，而「α₂ CTE」係指於T_g 後的CTE。

如文中所使用之「低熱膨脹係數」或「低CTE」係指低於約50 ppm/℃、通常低於約30 ppm/℃或低於約10 ppm/℃之CTE。

「熱重分析」或「TGA」係指測試及分析材料以確定經加熱樣本之重量變化相對於溫度變化的方法。

「分解開始」或「Td」係指回應於溫度增加之重量損耗指示樣本開始降解的溫度。「Td(5%)」係5%之樣本發生降解的溫度。當於空氣環境中測量時，通常在Td(5%)縮寫中指示「空氣」諸如「Td(5%)，空氣」。

本發明提供包含可固化、酚官能化之具高分子量(即＞20,000道耳頓(Dalton))的聚醯亞胺。若干因素會影響合成聚合物(諸如本發明之酚官能化聚醯亞胺)之分子量。二胺對二酐之比、溶劑、溫度、及二胺及二酐之特性(溶解度問題、蓬鬆度或位阻效應)。通常，高分子量聚醯亞胺係經由在諸如NMP、DMSO、DMAC、或DMF之極性非質子性溶劑中將一當量之二酐添加至一當量之二胺來製備。通常使溶液在低於零度的溫度下攪拌20小時或以上以逐漸形成極高分子量的聚醯胺酸溶液。然後將聚醯胺酸溶液澆鑄成相當薄的膜並乾燥去除大部分溶劑，隨後接著極高溫(通常200-300℃)持續數小時以經歷縮合反應而形成聚醯亞胺。

本發明之聚醯亞胺係根據以下一般流程1(其描繪視需要經順丁烯二醯亞胺基的末端官能化)使用1:1比之二胺比二酐來合成，以最大化分子量：

合成反應通常係在苯甲醚中進行並在~155℃之溫度下共沸移除水以確保完全醯亞胺化。本發明聚合物的平均分子量超過100,000道耳頓。由於此極高分子，未將材料分離，而係使其保留於苯甲醚中並以「原樣」使用或與組成物中之其他共單體組合以製造薄膜。

本發明組成物一旦經澆鑄成膜並固化係相當撓性的並且可彎曲180^o 且容易起摺痕。

本發明之另一具體例係基於發現在酚官能化聚醯亞胺之合成期間相當良好地起作用之極性非質子性溶劑的替代物。此等溶劑包括芳族溶劑，尤其係醚官能化芳族溶劑諸如苯甲醚。聚醯亞胺及聚醯胺酸中間體可溶解於苯甲醚中。苯甲醚係相當非反應性且無毒性的，並產生具最少顏色的聚醯亞胺，而諸如NMP、DMF、DMAC及DMSO之極性非質子性溶劑則經常賦予聚醯亞胺顏色，其可能係非常暗的。

可於市面購得各種具有酚官能性的二胺；此等化合物連同其他二胺可與各種二酐組合使用來產生具有側接酚部分的聚醯亞胺。以下係有用於實施本發明之二胺的非限制性實例：

在本發明之又另一具體例中，聚醯亞胺係經由使二胺與二酐於諸如苯甲醚或其他雜芳族溶劑之溶劑中接觸，隨後熱去水以形成聚醯亞胺來製備。可調整苯甲醚中之聚醯亞胺濃度並將環氧樹脂、陰離子性引發劑及偶合劑添加至溶液。然後可經由乾燥製程將溶液澆鑄成膜以形成B階段化膜。可使用熱及壓力將B階段化膜層壓於銅箔之間以形成包銅層板。

通常需要黏著促進劑及偶合劑來獲得尤其對銅表面的最終黏著。最有用的偶合劑包含氮基、及／或酐基。某些包含酐基的聚丁二烯寡聚物於調配物中尤其理想。亦已發現包含胺官能性的化合物提供對銅表面的較大黏著。

通常使用矽烷偶合劑來改良聚合材料對銅表面的黏著。胺基官能化偶合劑由於其有助於阻擋氧化銅層遷移至樹脂基質中及因此防止脫層而尤其有利。

亦涵蓋將可以高固體含量製備之一些較低分子量聚合物用來製造預浸料。可將於溶劑中之本發明化合物連同環氧樹脂、苯并

樹脂、氰酸酯樹脂、氧雜環丁烷樹脂以及其他樹脂含浸至織物中並乾燥或B階段化。然後可於高溫及壓力下層壓若干層以形成可有用於製造印刷佈線板的極低Dk及Df板。

亦涵蓋將本發明化合物用於毫米波雷達應用。使用作為電容器，用於製造鋰離子電池，用作包銅層板，用作雷達天線應用，用於汽車應用，用於航空應用。

使用本發明化合物之調配物亦可包含填充劑來增進性質。舉例來說，已顯示添加矽石及聚四氟乙烯(Teflon™)可大大降低層板的Df。添加氧化鋁亦可降低Df，但亦會提高材料的Dk；此相當適合使用作為電容器。亦涵蓋使用其他非傳導性填充劑諸如氮化硼、碳黑、或碳奈米管。

亦涵蓋將諸如金、銅、銀；鉑、鈀及其合金之傳導性填充劑用來實施本發明。

本發明之酚官能化聚醯亞胺的一般呈現由式I、式II及式III展示：

其中R、Q及A各獨立地係經取代或未經取代之芳族、脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、雜芳族、或矽氧烷部分；及n係0或具有1-100之值的整數；其限制條件係聚醯亞胺的平均分子量係大於20,000道耳頓。在某些態樣中，n係~20-100。

本發明係部分基於發現某些官能化聚醯亞胺化合物當經合成為具有大於20,000道耳頓之高分子量時，可經澆鑄成為適用於製備撓性包銅層板的撓性薄膜。具有低於20,000道耳頓之平均分子量的聚醯亞胺產生相當脆且不適用於需要可撓性之應用的膜，諸如可捲起的薄膜。

本發明的聚醯亞胺係可固化的；藉此免除使用黏著劑層來製備FCCL。本發明之可固化的聚醯亞胺材料可自溶液澆鑄以形成撓性且可捲起的薄膜。該等膜可經切割成適當尺寸並置於銅箔之間。一旦於層壓製程期間經加熱，材料即固化並黏著至銅箔而作用為FCCL的介電層。

可撓性及可捲起性係由聚醯亞胺組成物(實質上芳族)及分子量(MW)來決定。已發現20,000道耳頓之平均分子量產生撓性聚醯亞胺，如揭示於以下的實施例中，而較低MW產生龜裂且無法形成為可延展膜的脆性聚醯亞胺。當大致芳族的聚醯亞胺經合成為具有低於20,000道耳頓之平均MW時，自該聚合物澆鑄的膜相當易碎且既不具撓性亦不可捲起。當本發明之芳族聚醯亞胺的平均分子量大於20,000道耳頓時，自聚醯亞胺於溶劑中之溶液所澆鑄並乾燥的膜係撓性且可捲起的。

在一具體例中，本發明之聚醯亞胺具有至少約20,000道耳頓的平均分子量，諸如至少約25,000道耳頓、至少約30,000道耳頓、至少約35,000道耳頓、至少約40,000道耳頓、至少約45,000道耳頓或至少約50,000道耳頓。在其他具體例中，本發明之聚醯亞胺具有約20,000至約50,000道耳頓、約25,000至約50,000道耳頓、約30,000至約50,000道耳頓、約35,000至約50,000道耳頓、約40,000至約50,000道耳頓、或約45,000至約50,000道耳頓的平均分子量。高於25,000道耳頓之平均分子量容許有利於固化產生熱固性材料的末端官能化。

在一具體例中，本發明之化合物係經由將一個多種二胺添加至含有苯甲醚之反應器，隨後添加一或多種二酐來製備。於室溫下攪拌以及具有接近等量之二胺及二酐產生最高分子量。通常聚醯胺酸中間體並非高度可溶解於溶劑中，然而，當材料經緩慢加熱時，試劑溶解且觀察到產生水作為環化去水反應的副產物。於回流一至兩小時後，將所有水自反應移除且形成完全醯亞胺化聚合物。如使用稍微過量的二酐，則與諸如胺基酚衍生物之化合物之另一反應接著另一去水步驟產生根據式I之結構的酚封端聚醯亞胺。

亦可製備具有其他末端反應性部分的聚醯亞胺。全文以引用的方式併入本文之美國專利第7,884,174 B2、7,157,587 B2、及8,513,375 B2號描述可經應用至本發明化合物之各種末端官能化。

或者，可使用可於市面購得之各種具有酚官能性之二胺來產生酚官能性。此等化合物單獨地或與其他二胺組合可與各種二酐組合使用來產生具有酚部分之聚醯亞胺。以下結構係有用於實施本發明之二胺的非限制性實例。

相當多樣的二胺經涵蓋用來實施本發明，諸如，比方說，1,10-二胺基癸烷；1,12-二胺基十二烷；二聚物二胺；氫化二聚物二胺；1,2-二胺基-2-甲基丙烷；1,2-二胺基環己烷；1,2-二胺基丙烷；1,3-二胺基丙烷；1,4-二胺基丁烷；1,5-二胺基戊烷；1,7-二胺基庚烷；1,8-二胺基薄荷烷；1,8-二胺基辛烷；1,9-二胺基壬烷；3,3’-二胺基-N-甲基二丙胺；二胺基順丁烯二腈；1,3-二胺基戊烷；9,10-二胺基菲；4,4’-二胺基八氟聯苯；3,5-二胺基苯甲酸；3,7-二胺基-2-甲氧茀；4,4’-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基甲苯；2,6-二胺基蒽醌；2,6-二胺基甲苯；2,3-二胺基甲苯；1,8-二胺基萘；2,4-二胺基甲苯；2,5-二胺基甲苯；1,4-二胺基蒽醌；1,5-二胺基蒽醌；1,5-二胺基萘；1,2-二胺基蒽醌；2,4-異丙苯二胺；1,3-雙胺基甲基苯；1,3-雙胺基甲基環己烷；2-氯-1,4-二胺基苯；1,4-二胺基-2,5-二氯苯；1,4-二胺基-2,5-二甲基苯；4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基聯苯；雙(胺基-3-氯苯基)乙烷；雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-甲基異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二乙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；二胺基茀；4,4’-(9-亞茀基)二苯胺；二胺基苯甲酸；2,3-二胺基萘；2,3-二胺基酚；-5-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；4,4’-二胺基苯基碸；3,3’-二胺基苯基碸；2,2-雙(4,-(4-胺基苯氧基)苯基)碸；2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸；4,4’-氧基二苯胺；4,4’-二胺基二苯硫；3,4’-氧基二苯胺；2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯；4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二羥基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲氧基聯苯；雙苯胺M；雙苯胺P；9,9-雙(4-胺基苯基)茀；鄰聯甲苯胺碸；亞甲基雙(鄰胺苯甲酸)；1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷；1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；1,5-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；2,3,5,6-四甲基-1,4-苯二胺；3,3’,5,5’-四甲基聯苯胺；4,4’-二胺基苯甲醯苯胺；2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷；聚氧伸烷基二胺；1,3-環己烷雙(甲基胺)；間二甲苯二胺；對二甲苯二胺；雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷；1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷；3(4),8(9)-雙(胺基甲基)三環(5.2.1.0^2,6 )癸烷；及任何其他二胺或多胺。

相當多樣的酐經涵蓋用來實施本發明，諸如，比方說，聚丁二烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-交替-順丁烯二酸酐；聚順丁烯二酸酐-交替-1-十八烯；聚丙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚(苯乙烯-共-順丁烯二酸酐)；焦蜜石酸二酐；順丁烯二酸酐；琥珀酸酐；1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐；1,4,5,8-萘四羧酸二酐；3,4,9,10-苝四羧酸二酐；雙環(2.2.2)辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐；二伸乙三胺五乙酸二酐；乙二胺四乙酸二酐；3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐；3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐；4,4’-氧基二酞酸酐；3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐；2,2’-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐；4,4’-雙酚A二酞酸酐；5-(2,5-二氧基四氫)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐；乙二醇雙(1,2,4-苯三甲酸酐)；氫醌二酞酸酐；烯丙基納迪克(nadic)酸酐；2-辛烯-1-基琥珀酸酐；酞酸酐；1,2,3,6-四氫酞酸酐；3,4,5,6-四氫酞酸酐；1,8- 萘二甲酸酐；戊二酸酐；十二烯基琥珀酸酐；十六烯基琥珀酸酐；六氫酞酸酐；甲基六氫酞酸酐；十四烯基琥珀酸酐；及其類似物。在使用單酐時，鏈將經封端。

本發明明確地涵蓋於調配物中納入環氧樹脂、陰離子性引發劑及偶合劑，其可經固化形成相當良好的介電層及用來層壓銅箔之黏著劑。

在本發明之另一具體例中，已發現替代溶劑於製造官能化聚醯亞胺中作用良好。此等溶劑包括芳族溶劑，尤其係醚官能化芳族溶劑諸如苯甲醚。苯甲醚相當良好地溶解聚醯亞胺並且能夠處理聚醯胺酸中間體。苯甲醚係相當非反應性且無毒性的，其亦似乎產生具最少顏色的聚醯亞胺，而極性非質子性溶劑似乎產生非常深的聚醯亞胺。儘管於本發明實施中亦涵蓋使用NMP、DMF、DMAC及DMSO。

環氧組分可選自由以下所組成之群：苯基縮水甘油基醚；甲苯酚基縮水甘油基醚；壬基苯基縮水甘油基醚；對-第三丁基苯基縮水甘油基醚；下列任一者之二縮水甘油基或聚縮水甘油基醚：雙酚A、雙酚F、亞乙基雙酚、二羥基二苯基醚、雙(4-羥苯基)碸、雙(羥苯基)硫、1,1-雙(羥苯基)環己烷、9,19-雙(4-羥苯基)茀、1,1,1-參(羥苯基)乙烷、肆(4-羥苯基)乙烷、三羥基三苯甲基甲烷、4,4’-(1-α-甲基亞苄基)雙酚、4,4’-二羥基二苯甲酮、二羥基萘、2,2’-二羥基-6,6’-二萘基二硫化物、1,8,9-三羥基蒽、間苯二酚、鄰苯二酚及四羥基二苯基硫化物；三縮水甘油基-對胺基酚；N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二苯基甲烷；三縮水甘油基異氰尿酸酯；甲酚甲醛縮合物之縮水甘油基醚；酚甲醛縮合物之縮水甘油基醚；甲酚二環戊二烯加成化合物之縮水甘油基醚；酚二環戊二烯加成化合物之縮水甘油基醚；1,4-丁二醇之二縮水甘油基醚；二甘醇之二縮水甘油基醚；新戊二醇之二縮水甘油基醚；環己烷二甲醇之二縮水甘油基醚；三環癸烷二甲醇之二縮水甘油基醚；三羥甲基乙烷三縮水甘油基醚；萘衍生物之單-或二-縮水甘油基醚；全氟化烷基縮水甘油基醚；三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚；聚乙二醇之縮水甘油基醚；蓖麻油之聚縮水甘油基醚；聚氧伸丙基二縮水甘油基醚及芳族胺之縮水甘油基衍生物。

涵蓋將以下環氧樹脂使用作為用來實施本發明的共固化樹脂。

在某些態樣中，環氧組分係選自由環氧封端聚二甲基矽氧烷、及環氧官能化環矽氧烷、或環氧官能化多面體寡聚倍半矽氧烷(POSS)所組成之群。通常，基於樹脂組成物之總重量，環氧組分佔約1至約90重量%，約5至約50重量%，或約10至約25重量%。

陰離子性固化觸媒可包括選自由以下所組成之群之一或多種化合物：咪唑；1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)；1-苄基-2-甲基咪唑(1B2MZ)；2-苯基-4-甲基咪唑(2P4MZ)；2-苯基咪唑(2PZ)；2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)；1,2-二甲基咪唑(1.2DMZ)；2-十七基咪唑(C17Z)；2-十一基咪唑(C11Z)；2-甲基咪唑(2MZ)；咪唑(S1Z)；1-氰乙基-2-甲基咪唑(2MZ-CN)；1-氰乙基-2-十一基咪唑(C11Z-CN)；1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)；1-氰乙基-2-苯基咪唑(2PZ-CN)；1,2,4-苯三甲酸1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓 (2PZCNS-PW)；1,2,4-苯三甲酸1-氰乙基-2-十一基咪唑鎓 (C11Z-CNS)；2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤(2E4MZ-A)；2,4-二胺基-6-[2’-十一基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤(C11Z-A)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤(2MZA-PW)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤(2MZ-A)；2-苯基咪唑異氰尿酸加成物(2PZ-OK)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤異氰尿酸加成物去水物(2MA-OK)；2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(2P4MHZ-PW)；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(2PHZ-PW)；氯化1-十二基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓(SFZ)；2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑(TBZ)；2-苯基咪唑啉(2PZL-T)；2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯氧乙基-1,3,5-三𠯤(MAVT)；2,4-二胺基-6-乙烯基-1,3,5-三𠯤異氰尿酸加成物(OK)；2,4-二胺基-6-乙烯基-1,3,5-三𠯤(VT)；咪唑-4-羧醛(4FZ)；2-苯基咪唑-4-羧醛(2P4FZ)；咪唑-2-羧醛(2FZ)；咪唑-4-甲腈(4CNZ)；2-苯基咪唑-4-甲腈(2P4CNZ)；4-羥基甲基咪唑鹽酸鹽(4HZ-HCL)；2-羥基甲基咪唑鹽酸鹽(2HZ-HCL)；咪唑-4-羧酸(4GZ)；咪唑-4-二硫羧酸(4SZ)；咪唑-4-硫基羧醯胺(4TZ)；2-溴咪唑(2BZ)；2-巰基咪唑(2SHZ)；1,2,4-三唑-1-羧脒鹽酸鹽(TZA)；(第三丁氧羰基亞胺基-[1.2.4]三唑-1-基-甲基)-胺基甲酸第三丁基酯(TZA-BOC)；噻唑-2-羧醛(2FTZ)；噻唑-4-羧醛(4FTZ)；噻唑-5-羧醛(5FTZ)；㗁唑-2-羧醛(2FOZ)；㗁唑-4-羧醛(4FOZ)；㗁唑-5-羧醛(5FOZ)；吡唑-4-羧醛(4FPZ)；吡唑-3-羧醛(3FPZ)；1-吖雙環[2.2.2]辛烷(ABCO)；1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷(DABCO)；1,5-二吖雙環[4.3.0]壬-5-烯(DBN)；1,8-二吖雙環[5.4.0]十一-7-烯(DBU)；1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯(TBD)；7-甲基-1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯(MTBD)；1,2,2,6,6-五甲基哌啶(PMP)；及4-(二甲基胺基)-1,2,2,6,6-五甲基哌啶。

通常，基於樹脂組成物之總重量，陰離子性固化觸媒組分佔約0.1至約10重量%或0.5至約5重量%。

具有酚部分之可固化聚醯亞胺亦可與諸如氧雜環丁烷、氰酸酯、及苯并㗁𠯤之其他樹脂於開環功能中反應以形成熱固性材料。亦涵蓋彼等用來實施本發明。 預浸料、包銅層板及印刷電路板

用來形成包銅層板之方法通常需要將介電材料之調配物溶解於溶劑中並刮板塗布或以其他方式展佈至經加熱輸送器帶上之連續移動的薄銅片上。在連續生產線上，將第二銅片施加於經乾燥之B階段化介電質的頂部上，隨後於熱輥間層壓以形成3層包銅層板。可能需要利用壓力進一步加熱直至200℃以獲得完全固化的聚合物及確保對銅之兩個側面的高黏著力。

本發明亦提供用來製造預浸料(經樹脂預浸漬的強化纖維)、包銅層板及印刷電路板的組成物及方法。亦提供包含本發明之聚醯亞胺的預浸料、包銅層板及印刷電路板。

圖1中繪示用來製備預浸料、包銅層板及印刷電路板的方法。方法中的步驟以箭頭指示。方法始於強化纖維400諸如纖維玻璃或碳纖維。纖維可呈織造或非織造織物、或將經由聚合物固定在一起之單股纖維的形式。將纖維400浸泡於含有文中所述之未固化聚醯亞胺化合物或組成物的液體調配物420中(步驟A)，藉此將纖維含浸聚醯亞胺調配物而形成預浸料。然後將濕預浸料430排水及乾燥以移除過剩的溶劑(步驟B)。便利地，可接著將經乾燥的預浸料432儲存直至需要為止。

經乾燥的預浸料通常將於一或兩個側面上塗布銅層以形成包銅層板(CCL)。銅可經由電鍍或經由將薄銅箔層壓至預浸料來施加。圖1繪示使用銅箔300製備雙面包銅層板。因此，在步驟C中，將經乾燥的預浸料432以三明治方式於各側面上組裝一片銅箔300。視情況，可將黏著劑層插於箔之間以提高黏著力(未圖示)。由於本發明之聚醯亞胺具有強黏著性質，因而此可能係不需要的。在一些具體例中，可將黏著促進劑添加至調配物420以提高箔對預浸料的結合。在步驟D中，使用熱及壓力將箔300層壓至預浸料432。有利地，本發明之聚醯亞胺可使用熱固化。圖2顯示具有經纖維強化、經固化聚醯亞胺444之中央核心，且於各側面上層壓至銅箔300之CCL 450的橫截面。

接著可經由光微影將電路圖案462形成於CCL 450之任一或兩個側面上(雙面CCL)以形成印刷電路板(PCB) 460。所產生之PCB展現當代電子應用所需之高結構強度及相當高的抗熱氧化性。 撓性包銅層板

本發明之化合物及組成物適用於任何需要高溫穩定性、黏著力及可撓性的應用，諸如包銅層板。包銅層板係由夾於銅箔間之聚合物介電材料層所製成的材料。在許多情況中，將含浸於玻璃纖維上之此等材料的多個層於壓力及熱下層壓在一起以產生可用來製造印刷佈線板的複合物。

為製造包銅層板，通常自大的膜卷材切割一片撓性膜，將黏著劑施加至膜的一個或兩個側面，然後將銅箔置於兩個側面上，隨後接著使用熱及壓力的層壓製程。或者，可將含有寡聚材料連同共反應物之溶液刮板塗布於輸送器帶上之長銅片上並乾燥或B階段化。將第二層銅箔置於頂部並於熱輥之間層壓。可使三層包銅層板通過烘箱固化製程或於壓力及熱下層壓以形成產物。

在兩種情況中，於B階段化製程期間的材料需為平坦且撓性的。單面銅箔的捲曲係應避免的顯著問題。此外，脆性的B階段化膜難以處理且於應用中不理想。

本發明的聚醯亞胺材料可利用環氧及其他樹脂固化；因此，其不需使用黏著劑層。本發明的可固化聚醯亞胺材料係自溶液澆鑄形成需為撓性且可捲起的薄膜。接著將材料切割成適當尺寸並置於銅箔之間。一旦於層壓製程期間經加熱，則材料固化並黏著至銅箔從而作為介電層。

此外，本發明之聚醯亞胺材料於B階段化階段中足夠撓性，使得其不會導致銅箔捲曲。於銅箔之單面上之材料一旦經乾燥時保持平坦且容許連續並且相當可製造的製程。

理想地，黏著劑介電膜係可固化的，使得其對銅表面具有最大黏著力。可固化膜達成黏著促進劑及偶合劑的最大效應。

為自吾人之材料製造包銅層板，將需要澆鑄未固化聚醯亞胺的連續薄膜：將需要將聚醯亞胺乾燥並捲繞成巨大卷材。接著將聚醯亞胺之卷材切割成適當尺寸並夾在銅箔之間。亦可製備多層材料，接著在熱及壓力下的層壓製程。熱將導致官能化聚醯亞胺之聚合並提供對銅箔的良好黏著。

為具有可經澆鑄成撓性薄膜並且能夠捲繞成卷材之材料，已經由實驗確定聚醯亞胺之平均分子量需為大於20,000道耳頓。低於20,000道耳頓之平均分子量產生當經乾燥時相當脆且無法捲繞成卷材的材料。平均分子量較佳介於50,000與70,000道耳頓之間，此將容許於末端位置處之足夠官能化以使材料固化並產生熱固性材料。

或者，亦可將酚部分置於聚合物之主鏈上作為側基。使用此等技術可合成超過50,000道耳頓之高分子量。使用酚側基亦具有能夠提高官能性，其將繼而產生甚高交聯密度的效益。

在本發明之另一具體例中，利用可聚合部分將末端基團官能化。本發明聚醯亞胺係利用酚部分官能化。

用來形成包銅層板之另一方法將需要將本發明調配物溶解於溶劑中並刮板塗布至經加熱輸送器帶上之連續移動的薄銅片上。在連續生產線上，將第二銅片施加於經乾燥之B階段化材料的頂部上，隨後於熱輥間層壓以形成3層包銅層板。可能需要利用壓力進一步加熱以獲得完全固化的聚合物及確保對銅之兩個側面的高黏著力。

特定而言，由於撓性包銅層板(FCCL)可提供逐漸小型化所需之超薄輪廓而愈來愈被使用於電子器件中。此外，電路於非傳統情況(諸如衣物)中變得愈來愈普遍，其中需要仿形至除平板外之三維形狀的能力。

圖3A及3B分別針對單面及雙面FCCL繪示根據本發明之一具體例形成FCCL之方法。該方法類似於製備以預浸料為主之CCL，但更薄且缺乏預浸料的剛性。將如文中所述來製備之聚醯亞胺聚合物310之薄且撓性的膜組裝黏著劑層320及銅箔300 (圖3A)。然後將總成層壓(步驟A)以形成單面包銅層板340。然後可將FCCL視需要捲起、彎曲或成形(步驟B)，同時提供可使用於消費型電子器件、衣物及其他物品中之薄、撓性電路的基礎。

圖3B中繪示根據本發明之一具體例的雙面FCCL製造。此方法與圖3A中所繪示者相同，僅除了將黏著劑層320及銅箔300置於聚合物膜310的兩側面上以形成5層總成，然後將其層壓(步驟A)以形成雙面FCCL 350。

在本發明之另一具體例中，如圖4A及4B中所示提供用來製造FCCL的無黏著劑方法。經由使銅箔300與如文中所述來製備之聚醯亞胺膜310的一側面接觸來製備單面FCCL (圖4A)。然後使膜熱固化(步驟A)於箔上以形成無黏著劑FCCL 342，其較包括額外層(即黏著劑層)的FCCL薄且更具撓性。單面、無黏著劑FCCL 342可於圖案化之前(步驟B)或之後(未圖示)經捲起、彎曲、或成形成期望形狀。

雙面、無黏著劑FCCL可以與單面產品相同的方式製備(圖4B)，僅除了在固化之前使膜310的兩側面與箔300接觸(步驟B)。根據本發明之此具體例的雙面無黏著劑FCCL 352可類似地經捲起、塑形、及成形(步驟B)。

在本發明之又另一FCCL具體例中，除去在組裝之前形成聚合物膜的步驟。替代地，將聚合物的液體調配物直接施加至銅箔。施加可係藉由技藝中已知之任何方法，諸如經由傾倒、滴落、刷塗、輥塗或噴塗，隨後再乾燥及熱固化。為製備根據本發明之此具體例的雙面FCCL，製備經聚合物塗布的箔，乾燥及然後於固化之前使第二個箔接觸於箔的聚合物側面上。

向FCCL施加電路跡線可使用針對圖案化印刷電路板所發展的標準光微影方法來進行。 暫時性黏著劑

在製造電子裝置及組件之需要可移除附著的各個步驟中，或當經由將兩個或更多個部件暫時固持在一起而促進永久性附著時使用暫時性黏著劑。暫時性黏著劑的一例示性用途係於將矽晶圓背面研磨至期望厚度的製程中。

背面研磨係減小半導體晶圓(例如，結晶矽晶圓)之厚度的半導體裝置製造過程，其容許堆疊及高密度封裝積體電路(IC)(通常稱為「晶片」。IC係由可於嚴苛條件下經歷大量加工步驟的半導體晶圓製造以產生最終封裝。目前主要使用的矽晶圓具有200 mm及300 mm之直徑，可由其製造數百個IC微晶片。晶圓亦可由除純矽之外的材料製造及／或可經摻雜諸如B、Al、Ar、P、Li、Bi、Ga及其組合的金屬。針對本揭示之目的，「晶圓」係指由矽、經摻雜矽及／或任何其他材料製造的半導體晶圓。

晶圓起初係經製造為具有大約750 μm之厚度，其確保機械穩定性並避免於加工步驟期間的彎曲。然後將此等厚晶圓向下研磨至應用特定的厚度，通常75至50 μm。

薄化晶圓的過程稱為「背面研磨」並且繪示於圖5(其中各步驟A-H以帶有字母的箭頭表示)。將暫時性黏著劑20施加至晶圓10之頂表面12(步驟A)。在一些具體例中，亦將釋離層或化合物(未圖示)施加至晶圓10及／或支撐件30，然後再施加暫時性黏著劑20以利於隨後移除(說明於下文)。背面研磨可產生大量熱。因此，經選擇用於此過程的暫時性黏著劑應於超過250℃，較佳超過300℃及通常超過350℃之溫度下相當熱穩定持續延長時段，而具有極少或沒有將會導致脫層的重量損失。

在一些具體例中，晶圓10在背面研磨之前包括電路圖案及／或其他設置於頂表面12上之電子元件(例如，焊料凸塊)。在其他具體例中，此等圖案及／或元件係於背面研磨後施加，如圖5所繪示。

除了將晶圓固定位外，暫時性背面研磨黏著劑20保護晶圓表面免於表面損壞及污染。因此，黏著劑材料必須足夠強韌以承受物理攻擊，以及抵抗於研磨及清潔過程中使用的許多溶劑。通常，黏著劑20係UV可固化的或係壓敏性帶或膜。在本發明之某些具體例中，黏著劑20係經噴塗或旋塗於晶圓10上。有利地，經噴塗或旋塗之黏著劑可經施加至適應表面變化(例如，焊料凸塊、通孔等)的層厚度。

接下來(步驟B)，將經塗布黏著劑的晶圓10a反轉以暴露晶圓之背側，及將黏著劑側結合至支撐件30(步驟C)，該支撐件經常係玻璃。在一些具體例中，亦於施加暫時性黏著劑20之前將釋離層或化合物(未圖示)施加至晶圓10及／或支撐件30以利於後續移除(說明於下文)。然後於步驟D中利用研磨及拋光構件40將所得之結合支撐件的晶圓10b研磨至期望厚度。研磨及拋光構件40可包括接觸晶圓背側14之磨料研磨工具以及各種粒度的研磨及拋光化合物。當晶圓厚度已經減小時完成研磨，結合支撐件的晶圓10b的背側14已經拋光至所需光滑度，且晶圓經徹底清潔以移除所有痕量的研磨殘留物及污染物。

然後將晶圓自支撐件移除(步驟E)，其在本發明之一些具體例中可藉由進一步暴露至UV輻照來完成。在此等具體例中，黏著劑組成物係壓敏性的或起初經部分固化(例如，藉由受控暴露至UV)，從而產生有效黏著至晶圓頂側12(步驟A)及背面研磨晶圓支撐件30(步驟C)的高度黏著性組成物。為自支撐件移除黏著劑，進一步暴露至UV使黏著劑完全固化成容易地自支撐件30分離的玻璃狀、高T_g 組成物。在本發明之其他具體例中，黏著劑係熱塑性及UV可固化的，使得其當經固化時硬化並較容易剝離。在本發明之某些具體例中，自支撐件30移除經薄化的晶圓10b係藉助空氣噴射來完成，其於晶圓10b與支撐件30之間引入空隙及／或間隙。

經薄化的晶圓10c一旦自支撐件移除(步驟F)，則可經反轉(步驟G)，並經由藉助空氣噴射剝離來移除殘留黏著劑(步驟H)，及若需要，浸泡於環戊酮或環己酮之碟中(未圖示)，以溶解聚合物而留下無黏著劑的薄化晶圓10d。

方粒切割係通常於加工晶圓之後用來自半導體晶圓分離晶粒的過程，如圖6A及6B及並行的圖7A-7J(其顯示圖6A及6B中繪示之結構的橫截面)所繪示。圖6、6A、6B及7A-J繪示例示性的工作流程，其中首先將晶圓薄化，然後再加工(例如，「圖案化」而於晶圓上形成電路)，及其後切割成個別晶粒。應注意此等步驟可以任何順序進行，諸如電路形成、隨後薄化、及其後方粒切割。實際上，甚至通常係單粒化製程後的封裝亦可於方粒切割之前於晶圓層級進行。稱為「扇入型(fan-in)」晶圓層級封裝的此製程產生晶粒尺寸而非大於晶粒尺寸的封裝。在一些態樣中，可於圖案化及薄化之前進行部分方粒切割。在此態樣中，當研磨晶圓以滿足部分方粒切割切口時，發生個別晶粒的最終分離。本發明涵蓋此等步驟的變化，包括其之進行順序，且其係在熟悉技藝人士的一般技能內。

如圖6A所繪示，晶圓方粒切割通常始於將薄化晶圓10d安裝於包括黏著劑62的方粒切割帶60上。方粒切割帶60通常具有PVC(聚氯乙烯)、PO(聚甲醛)、PE(聚乙烯)、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、或類似的強且耐高溫的塑膠背襯、與沉積於其上的黏著劑。在一些具體例中，黏著劑62覆蓋帶的整個表面。在其他具體例中，黏著劑62覆蓋對應於晶圓尺寸的表面積，如圖6A所繪示。在一些具體例中，黏著劑係壓敏性的，而在其他具體例中，黏著劑係經UV固化。將經安裝晶圓的帶組裝支撐框架50(步驟A)。通常，支撐框架50係由薄金屬製成且可由底部框架54及頂部框架52組成。或者，框架50可僅具有底部框架54而頂部框架功能經由將框架緊固於方粒切割裝置中來提供。在任一情況中，框架必需升高晶圓以容許由隨後的加工設備接近，如圖7E所示。

方粒切割帶60及特定而言黏著劑62的要求係其可承受方粒切割及任何其他將於經安裝晶圓上進行之製程的溫度及壓力條件，但仍容易地釋離各個別的「單粒化」晶粒110。隨著於方粒切割之前於晶圓上進行之製程的改變，需要具有一黏著強度範圍的方粒切割帶60。在一些具體例中，使用低黏性黏著劑以利於容易釋離，而就於加工期間需要較高黏著力的其他應用而言，需要UV可釋離黏著劑。該等黏著劑最初在部分固化時具有高黏著強度。於方粒切割後，黏著劑完全固化，其降低黏著力並釋放晶粒110。

經安裝晶圓可經由施加電路跡線／圖案、及其他預封裝特徵來加工，其可經由電鍍、光微影、鑽孔、或技藝中已知之任何其他適當方法來進行。步驟B呈現電路圖案70的施加。於晶圓而非單粒化晶粒上進行該等步驟的優點包括晶圓的有效率使用、整體檢查及分析電路的能力、及定位電路以容許規則間隔開的未圖案化畫線或「劃片街區(saw street)」與方粒切割設備相匹配。

於圖案化後，將晶圓10d覆蓋膜80，通常係Mylar®(聚對苯二甲酸乙二酯)(步驟C)，以保護精細的佈線70免於方粒切割期間的鋸屑及物理損傷。

然後利用方粒切割構件90，諸如鋸(如所繪示)或雷射，沿著劃片街區切割，從而於個別晶粒之間形成通道100(步驟D)。如使用UV釋離黏著劑，則接著使黏著劑62暴露至UV光以自方粒切割帶釋放64晶粒(步驟E)。最後，自晶圓10d一次一個地移除個別晶粒110(步驟F)，從而留下空隙120。移除可包括自上方拾取個別晶粒(例如，使用真空裝置)、自下方推送晶粒(參見圖7J中之箭頭)、或其組合。 實施例 材料及方法 動態機械分析(DMA)

於具有＜5%過氧化二異丙苯(Sigma-Aldrich, St. Louis MO)、及500 ppm抑制劑混合物(Designer Molecules, Inc.；目錄號A619730；重量%對苯醌及70重量% 2,6-二-第三丁基-4-甲基酚)的適當溶劑(例如，苯甲醚)中製備聚合物調配物及將其分配至5英吋 × 5英吋的不鏽鋼模具中。然後將混合物真空脫氣並使溶劑(例如，苯甲醚)於烘箱中於100℃下緩慢蒸發~16小時。然後使烘箱溫度升至180℃並維持1小時來進行固化。隨後使烘箱溫度升至200℃並維持1小時，之後再冷卻至室溫。接著使所產生之膜(400-800 μm厚)自模具釋放並切割成供測量用的條狀物(~2英吋 × ~7.5 mm)(6 ± 1 mm × 23 ± 1 mm × 0.5 ± 0.3 mm厚度)。

於Rheometrics Solids Analyzer (RSA ii) (Rheometric Scientific Inc.；Piscataway, N.J.)上使用以5℃/min之速率自10至250℃之溫度斜升在強制通風下使用動態溫度斜升(Dynamic Temperature Ramp)類型試驗以6.28 rad/s之頻率分析條狀物。自動張力敏感度為1.0 g，其中最大自動張力位移為3.0 mm及最大自動張力速率為0.01 mm/s。於試驗期間，最大容許力為900.0xg及最小容許力為3.0xg。將儲存模量及損耗模量溫度相對溫度作圖。將測得的最大損耗模量值定義為玻璃轉移(T_g )。 熱膨脹係數(CTE)

如以上針對DMA製備調配物。將足以得到0.2 mm至10 mm厚膜的樣本於100℃下乾燥2小時至隔夜並於~ 180℃至~ 250℃下固化1-2小時。

使用Hitachi TMA7100來進行膨脹模式中的CTE測量。將膜置於樣本支架(碟形石英)的頂部並使石英測試探針向下移動降低至樣本頂部來測量樣本厚度。溫度以10℃/min自25℃升至250℃，負荷10 mN以測量膨脹／壓縮。CTE係經計算為長度變化相對溫度變化的斜率(單位ppm/℃)。α1 CTE及α2 CTE係基於T_g 來計算。 熱重分析(TGA)

測試膜樣本係經由將測試樣本之溶液於100℃下乾燥1小時以移除溶劑，隨後於200℃下固化1小時來製備。

熱重分析測量係於TGA-50分析儀(Shimadzu Corporation；Kyoto,  Japan)上在40 mL/min之空氣流量下以10℃/min加熱速率自室溫加熱至505℃來進行。記錄損失的樣本質量相對溫度變化並將分解溫度定義為樣本失去其原始質量之5%時的溫度。Td (5%)係於空氣氛圍中觀察到經固化樣本之5%重量損失的溫度。 抗張強度及伸長率百分比

將樣本於100℃下乾燥2小時至隔夜以移除溶劑並於金屬模具中在180℃~250℃下固化1-2小時以獲得薄膜。用來測試的測試條狀膜尺寸係6英吋 × 0.5英吋 × 0.25英吋；測量長度4.5英吋。

抗張強度及伸長率百分比係使用Instron 4301 Compression Tension Tensile Tester來測量。抗張強度係計算為負荷相對樣本橫截面積(寬度 × 厚度)的比。伸長率百分比係計算為樣本之原始長度(4.5英吋)相對斷裂點之長度的比。 電容率／介電常數(Dk)及損耗正切／介電耗散因子(Df)

如以上針對DMA來製備調配物，僅除了使用30 mm × 30 mm × ＞ 300 μm厚度來進行分析。

Dk及Df測量係利用National Technical Systems (Anaheim, CA, USA)使用IPC TM-650 2.5.5.9 (JEDEC Solid State Technology Association 2000, Arlington, VA；觀看www [dot] ipc [dot] org/TM/2.5.5.9.pdf)作為試驗程序使用AET Anritsu 試驗儀於20GHz頻率下來進行。在測試之前將樣本於23 ± 2℃及50 ± 5%相對濕度的調理箱中放置24小時，測試係在22.2℃及49.7%相對濕度的測量條件下進行。阻抗材料分析儀的一個掃描係利用在1.5 GHz下500 mV的振盪電壓進行，且掃描係在期望值的99.5%與100.5% (1.4925 GHz及1.5075 GHz )之間進行。 剝離強度

進行此測試以確定介電材料(聚合物膜)於銅表面上之黏著強度。樣本係經由將測試材料塗布於銅箔上並乾燥來製備。於Hogdog 120DX層壓機中在100℃下利用速度3將第二銅箔層壓於經b階段化／乾燥介電層上。使雙面Cu-介電材料-Cu試樣於200℃下固化1小時。剝離強度測量係基於IPC-TM-650 2.4.9利用Instron (JEDEC Solid State Technology Association 2000, Arlington, VA；觀看www [dot] ipc [dot] org/TM/2.4.9e.pdf)來測量。 伸長率百分比及抗張強度

測量係使用Instron儀器利用狗骨形樣本，根據IPC-TM-650 2.4.18.1方法 (JEDEC Solid State Technology Association 2000, Arlington, VA；觀看www [dot] ipc [dot] org/4.0_Knowledge/4.1_Standards/ test/2.4.18.1.pdf)來進行。 吸水性

此試驗係經由將經固化樣本於去離子水中在23℃下浸泡24小時來進行。吸水百分比係經由測量浸泡前及浸泡後的樣本重量來計算。 銲錫耐熱性(Solder Float)試驗

進行銲錫耐熱性試驗來決定於層壓基板之焊料回焊過程期間的材料穩定性。此試驗係如IPC-TM-650 2.4.13 (The Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits. Northbrook, IL：觀看www [dot] ipc [dot] org/TM/2.4.13f.pdf)中所述使用由層壓至銅箔之介電試驗材料製備之撓性包銅層板(FCCL)樣本來進行。FCCL樣本係經由將介電試驗膜層壓於兩片銅箔之間，隨後在200℃下固化1小時來製備。無鉛焊料(Sn95/Sb5)。 250 TC溫度循環試驗

進行此試驗來確定組件基於JESD22-A 104試驗方法(試驗條件C) (JEDEC Solid State Technology Association 2000, Arlington, VA；觀看：web [dot] cecs [dot] pdx [dot] edu/~cgshirl/Documents/22a104b%20Temperature%20Cycling.pdf)承受經由交替極端高溫及低溫所誘導之機械應力的能力。

經由視覺檢查於250個自-65℃至150℃之循環後的氣泡、脫層、或其他外觀變化來進行評估。自-65℃至150℃之總轉移時間係1分鐘及於各溫度下之總停留時間係30分鐘。TC 250「通過」意謂未觀察到諸如氣泡或脫層的外觀變化。 凝膠滲透層析術

聚合物分子量的凝膠滲透層析分析係於Ultimate 3000 HPLC儀器(Thermo Scientific；Carlsbad, CA)上使用四氫呋喃(THF)作為溶析溶劑及聚苯乙烯標準品作為分子量(MW)計算之參考基於聚合物樣本的滯留時間與標準曲線相比來進行。所使用之標準品具有以下MW：96,000；77,100；58,900；35,400；25,700；12,500；9,880；6,140；1,920；953；725；570；360；及162。於波長220 nm下應用UV-可見偵測模式及使用於THF溶液中之10 mg/mL聚合物進行測試。 傅立葉轉換紅外光譜術(FTIR)

FTIR分析係使用Bruker Alpha II FT-IR分光光度計(Bruker Corp.；Billerica, MA)來進行。 核磁共振(NMR)

質子(¹ H)及碳(¹³ C) NMR係經由NuMega Resonance Labs (San Diego, CA)使用Bruker 500 MHz Bruker NMR光譜儀來進行。 化學品

除非指示另一供應商，否則化學品係購自TCI America, Portland, OR。 實施例1：酚官能化聚醯亞胺(化合物1)之合成

向具有機械攪拌器之1 L三頸燒瓶裝填10 mmol (3.66 g)之2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(Wilshire Technologies； Princeton, NJ)、及90 mmol (49.41 g)之PRIAMINE^® -1075 (Croda International；Snaith, East Riding of Yorkshire, UK)。向燒瓶中添加500克之苯甲醚(Kessler Chemicals；Charlotte, NC)。將混合物於室溫下攪拌15分鐘以完全溶解試劑。添加102 mmol (53.2 g)之雙酚-A二酐(Millipore Sigma；Burlington, MA)，及將溶液於155℃下加熱至回流2小時以完成酚官能化聚醯亞胺之形成，同時共沸移除大約4 mL之水。將含有100%之理論產量之聚醯亞胺產物的淺黃色溶液於苯甲醚中調整至15%固體溶液並儲存於苯甲醚中直至使用為止。

產物的表徵： ¹ H NMR (CDCl₃ ) d 0.86 (t, 6H), 1.30 (m, 30H), 1.73 (m, 6H), 3.70 (m, 2H), 6.99 (d, 1H), 7.30 (m, 1H), 7.95 (s, 2H), 8.08 (s, 1H)。 ¹³ C NMR (CDCl₃ ) d 14.3, 22.9, 27.1, 28.8, 29.4, 29.5, 29.9, 30.3, 31.2, 32.1, 33.9, 38.6, 42.7, 111.8, 120.1, 122.1, 122.5, 125.2, 128.8, 132.1, 132.9, 133.6, 145.3, 147.6, 153.0, 163.5, 168.0。傅立葉轉換紅外光譜術 (FTIR ) v_max 於2918, 2849, 1704, 1390, 1363, 1232, 843, 740, 545波數顯現顯著吸收。

分子量。滲透層析(GPC)分析顯示~100,000 ± 20,000道耳頓之平均分子量(MW)。

膜製備。自於苯甲醚中之15%固體溶液將膜澆鑄至經釋離劑塗布的平坦鋁模具(127 mm × 127 mm × 0.5 mm)中。將模具於烘箱中於100℃下放置3小時以蒸發溶劑。然後將材料加熱至約200℃ 持續1小時以確保完全移除所有揮發物並固化聚醯亞胺。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析膜組成。化合物1的性質概述於下表1。 表1.：化合物1膜的性質

性質	值
抗張強度(MPa)	~18
伸長率(%)	~350
Dk@20 GHz	2.4
Df@20 GHz	0.0014
Tg (TMA)(℃)	47.3
楊氏模量@25℃(MPa)	587.15
Td (5%) (℃)	415.3
於銅箔上之剝離強度(kN/m)	0.79
吸水性(23℃/24小時)(%)	0.27
銲錫耐熱性試驗，30 秒@288℃	通過
250 TC溫度循環	通過

實施例2：酚官能化聚醯亞胺(化合物2)之合成

向具有機械攪拌器之1 L三頸燒瓶裝填10 mmol (3.66 g)之2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(Wilshire Technologies)、70 mmol (38.43 g)之PRIAMINE^® -1075 (Croda International)、及20 mmol (8.21 g)之2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(Wilshire Technologies)。向燒瓶中添加500克之苯甲醚(Kessler Chemicals)。將混合物於室溫下攪拌15分鐘以使試劑完全溶解於溶劑中。向燒瓶中添加75 mmol (39.0 g)之雙酚-A二酐(Millipore Sigma)及25 mmol (7.35 g)之聯苯四羧酸二酐(Akron Polymer Systems；Akron, OH)。將材料於155℃下加熱至回流2小時以完成酚官能化聚醯亞胺之形成，同時共沸移除大約4 mL之水。將含有100%之理論產量的透明無色溶液於苯甲醚中調整至15%固體溶液並儲存於苯甲醚中直至使用為止。

產物的表徵： ¹ H NMR (CDCl₃ ) d d 0.863 (t, 4H), 1.30 (m, 24H), 1.73 (m, 4H), 3.69 (m, 2H), 6.98 (d, 1H), 7.20 (m, 1H), 7.95 (s, 2H), 8.08 (s, 1H)。 ¹³ C NMR (CDCl₃ ) d 14.3, 22.9, 27.1, 28.8, 29.4, 29.5, 29.9, 30.3, 31.1, 32.1, 33.9, 38.3, 38.6, 42.7, 111.8, 120.9, 122.1, 122.2, 122.5, 124.2, 125.2, 132.1, 132.9, 133.6, 134.8, 145.3, 147.6, 153.0, 163.5, 168.1。(FTIR ) v_max 於2918, 2850, 1705, 1390, 1230, 842, 742, 545波數顯現顯著吸收。

分子量。凝膠滲透層析(GPC)分析顯示~100,000 ± 20,000道耳頓之平均分子量(MW)。

膜製備。自於苯甲醚中之15%固體溶液將膜澆鑄至經釋離劑塗布的平坦鋁模具(127 mm × 127 mm × 0.5 mm)中。將模具於烘箱中於100℃下放置3小時以蒸發溶劑。然後將材料加熱至約200℃ 持續1小時以確保完全移除所有揮發物並固化酚官能化聚醯亞胺。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析膜組成。化合物2膜的性質概述於下表2。 表2：化合物2膜的性質

性質	值
抗張強度(MPa)	~18
伸長率(%)	~350
Dk@20 GHz	2.4
Df@20 GHz	0.0014
Tg (TMA)(℃)	47.3
楊氏模量@25℃(MPa)	587.15
Td (5%) 空氣(℃)	415.3
於銅箔上之剝離強度(kN/m)	0.79
吸水性(23℃/24小時)(%)	0.27
銲錫耐熱性試驗，30 秒@288℃	通過
250 TC溫度循環	通過

實施例3. 酚官能化聚醯亞胺(化合物3)之合成

向具有機械攪拌器之1 L三頸燒瓶裝填20 mmol (7.32 g) 2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(Wilshire Technologies)、50 mmol (27.45 g) PRIAMINE^® -1075 (Croda International, Snaith, East Riding of Yorkshire, UK)、10 mmol (4.10 g)之2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(Wilshire Technologies)、及20 mmol (3.88 g) 3(4),8(9)-雙(胺基甲基)三環[5.2.1.02,6)癸烷(TCD-二胺)(Oxea；Oberhausen, DE)。向燒瓶中添加500克之苯甲醚(Kessler Chemicals)。將混合物於室溫下攪拌15分鐘以使試劑完全溶解於溶劑中。向混合物中添加100 mmol (52.0 g)之雙酚-A二酐(Millipore Sigma)。將混合物於155℃下加熱至回流2小時以完成酚官能化聚醯亞胺之形成，同時共沸移除大約4 mL之水。將含有100%之理論產量的透明無色溶液於苯甲醚中調整至15%固體溶液並儲存於苯甲醚中直至使用為止。

產物的表徵。 ¹ H NMR (CDCl₃ ) d (CDCl3) d 0.87 (t, 2H), 1.30 (m, 13H), 1.73 (m, 5H), 3.63 (s, 1H), 6.99 (d, 2H), 7.29 (m, 4H), 7.75 (m, 1H)。 ¹³ C NMR (CDCl₃ ) d 14.3, 22.9, 27.0, 28.8, 29.4, 29.6, 29.9, 31.2, 32.1, 38.3, 42.7, 111.8, 118.9, 119.1, 120.0, 122.5, 123.7, 125.2, 128.1, 134.8, 153.0, 154.5, 163.6, 168.1。FTIR v_max 於2918, 2850, 1705, 1390, 1230, 842, 742, 545波數顯現顯著吸收。

分子量。凝膠滲透層析(GPC)分析顯示~100,000 ± 20,000道耳頓之平均分子量(MW)。

膜製備。自於苯甲醚中之15%固體溶液將膜澆鑄至經釋離劑塗布的平坦鋁模具(127 mm × 127 mm × 0.5 mm)中。將模具於烘箱中於100℃下放置3小時以蒸發溶劑。然後將膜加熱至約200℃持續1小時以確保完全移除所有揮發物。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析膜組成。化合物3的性質概述於下表3。 表3：化合物3膜的性質

性質	值
抗張強度(MPa)	19.2
伸長率(%)	350.00
介電常數(Dk)	2.342@20 GHz
損耗正切(Df)	0.0021@20 GHz
Tg (TMA)(℃)	110.95
楊氏模量@25℃(MPa)	16.15
Td (5%) 空氣(℃)	445
於銅箔上之剝離強度(kN/m)	0.76_
吸水性(23℃/24小時)(%)	0.32
銲錫耐熱性試驗，30 秒@288℃	通過
250 TC溫度循環	通過

實施例4：酚官能化聚醯亞胺膜性質之比較

下表4係實施例1-3中描述之酚官能化聚醯亞胺之性質的比較。具有酚官能化之經延伸醯亞胺鍵聯聚醯亞胺展現優異的介電性質，其係5G應用所需；就5G應用而言，低於0.002之Df為較佳。為製造撓性電路，具有高度可撓性亦係相當重要的，其由針對化合物1-3所觀察到的高伸長率百分比所展現。此等化合物之其他期望性質包括高熱穩定性(Td (5%)高於400℃)及相當低的吸水性(0.37%或以下)。由於FCCL材料於層壓及焊接期間經過若干加熱過程，因此其通過銲錫耐熱性試驗及250TC溫度循環試驗係相當重要。 表4：酚官能化聚醯亞胺樹脂之膜性質的概述

	化合物
	1	2	3
性質	值
Tg (DMA)	47.33	64.84	110.95
模量@25℃	587.15	50.45MPa	16.15MPa
Dk	2.4	2.435	2.342
Df	0.0014	0.0015	0.0021
Td (5%)(℃)	415.3	415.31	445
於Cu上之剝離強度, kN/m	0.79	0.8	0.76
伸長率%	350.00	377.00	350.00
抗張強度，MPa	18.0	17.8	19.2
吸水性(23℃/24小時)	0.27	0.37	0.32
銲錫耐熱性試驗，30秒 @288℃	通過	通過	通過
250TC溫度循環	通過	通過	通過

實施例5. 調配物A：化合物1及苯并㗁𠯤官能化C₃₆ 共反應物之組合 化合物4之合成

向具有機械攪拌器之1 L三頸燒瓶裝填20 mmol (7.32 g)之 2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(Wilshire Technologies)、50 mmol (27.45 g)之PRIAMINE^® -1075 (Croda International)、10 mmol (4.10 g)之2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(Wilshire Technologies)、及20 mmol (3.88 g)之TCD-二胺(Oxea)。向燒瓶中添加500克之苯甲醚(Kessler Chemicals)。將混合物於室溫下攪拌15分鐘以使材料完全溶解。向燒瓶中添加100 mmol (52.0 g)之雙酚-A二酐(Millipore Sigma)。將混合物於155℃下加熱至回流2小時以完成酚官能化聚醯亞胺之形成，同時共沸移除大約4 mL之水。將材料保持為於苯甲醚中之15%固體溶液並未經進一步處理而使用。

FM51-13產物的表徵： ¹ H NMR (CDCl₃ ) d 0.87 (t, 2H), 1.30 (m, 13H), 1.73 (m, 5H), 3.63 (s, 1H), 6.99 (d, 2H), 7.29 (m, 4H), 7.75 (m, 1H)。 ¹³ C NMR (CDCl₃ ) d 14.3, 22.9, 27.0, 28.8, 29.4, 29.6, 29.9, 31.2, 32.1, 38.3, 42.7, 111.8, 118.9, 119.1, 120.0, 122.5, 123.7, 125.2, 128.1, 134.8, 153.0, 154.5, 163.6, 168.1。FTIR v_max 於2918, 2850, 1705, 1390, 1230, 842, 742, 545波數顯現顯著吸收。 具有共反應物之化合物1(化合物4)之調配物 膜之製備

經由組合於苯甲醚中之85重量%化合物1及15重量%之化合物4來製備膜調配物，及使用具有釋離劑的鋁模具(127 mm × 127 mm × 0.5 mm)自調配物澆鑄膜。將調配物倒入模具中，隨後於真空室中脫氣。將膜於100℃下乾燥至少1小時，隨後於200℃下固化1小時。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析調配物A膜組成。膜調配物的性質概述於下表5。 表5：調配物A膜的性質

性質	值
抗張強度	9.2 MPa
CTE (TMA)：	444 ppm
伸長率	283%
介電常數(Dk)	2.5175 @20 GHz
損耗正切(Df)	0.0018@20 GHz
玻璃轉移溫度(Tg ) (TMA)	33.58℃
楊氏模量@25℃	13.25 MPa
Td (5%)：	433.5℃
於銅箔上之剝離強度：	1.26 kN/m
吸水性(23℃/24小時)：	0.33%

實施例6：調配物B：化合物1及P-d苯并㗁𠯤共反應物之組合

製備含有於苯甲醚中之90重量%化合物1(實施例1)及10重量%之四國(Shikoku) 苯并㗁𠯤P-d(顯示於下)(Shikoku Chemicals; Tokyo JP )之溶液。

使用具有釋離劑的鋁模具(127 mm × 127 mm × 0.5 mm)自溶液澆鑄膜。將溶液倒入模具中並於真空室中脫氣。將膜於100℃下乾燥至少一小時，隨後於200℃下固化1小時。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析調配物B膜組成。調配物B膜的性質概述於下表6。 表6：調配物B膜的性質

性質	值
介電常數(Dk)	2.436 @20 GHz
損耗正切(Df)	0.0018@20 GHz
玻璃轉移溫度(Tg ) (TMA)	54.8℃
楊氏模量@25℃(MPa)	31.85
Td (5%)空氣(℃)	404
於銅箔上之剝離強度，kN/m	0.53

調配物B膜具有低Dk及Df與高熱穩定性。 實施例7：酚官能化聚醯亞胺-苯并㗁𠯤共反應物調配物之比較

如以上實施例4及5中所述，將化合物1調配成具有兩種分子量不同之不同苯并㗁𠯤封端聚醯亞胺的膜。 表7：共反應性苯并㗁𠯤對酚官能化聚醯亞胺之性質的影響

	調配物
	A	B
酚-聚醯亞胺 苯并㗁𠯤	85% (化合物1) 15% (化合物4)	90% (化合物1) 10% (P-d)
性質	值	值
CTE，ppm/℃	444 (線性)
Tg (DMA)	33.58	54.81
模量@25℃	13.25MPa	31.85MPa
Dk	2.5175	2.436
Df	0.0018	0.0018
Td (5%)	433.5	404
剝離強度，kN/m	1.26	0.53
伸長率%	283.00%	255.00%
抗張強度，MPa	9.2	25.0
吸水性(23℃/24小時)	0.33%	0.35%

數據指示酚官能化聚醯亞胺(化合物1)可與市售苯并㗁𠯤樹脂共固化，同時仍維持期望的介電性質。 實施例8：酚官能化聚醯亞胺(化合物1)與矽石填料及苯并㗁𠯤共反應物之調配物

組合各種百分比之酚-聚醯亞胺(化合物1)、苯并㗁𠯤共反應性樹脂(化合物4)、及熔融矽石(5 μm或1 μm)並如前所述將調配物澆鑄成膜。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析膜。膜調配物的性質概述於下表8。 表8：熔融矽石對含酚-聚醯亞胺膜之選定性質的影響

	調配物
組分	C	D	E	F	G
酚-聚醯亞胺(化合物1)	75%	50%	25%	25%	21.25%
苯并㗁𠯤樹脂(化合物4)	-----	-----	-----	-----	3.75%
5μm矽石	25%	50%	75%	-----	75%
1μm矽石	-----	-----	-----	75%	-----
性質	值
Tg (DMA)	47.46	47.12	52.13	46.138	42.2
模量@25℃	336.8MPa	730MPa	1.2GPa	1.38GPa	869MPa
Dk	2.385	2.466	2.948	3.18	2.36
Df	0.0013	0.0010	0.0009	0.00098	0.0011
Td (5%)	437.65	444.38	467		467.5

不管熔融矽石的尺寸為何，化合物1調配物的介電性質經由添加熔融矽石而改良。熔融矽石愈多，則觀察到的介電性質愈佳。耗散因子(Df)的工業目標小於0.002，其可容易地利用包含酚官能化聚醯亞胺，化合物1之含矽石調配物來獲得。 實施例9：具有及不具有熔融矽石之酚官能化聚醯亞胺及雙順丁烯二醯亞胺樹脂之調配物

以下表9中所列之量(重量百分比)自具有及不具有熔融矽石之酚官能化聚醯亞胺(化合物1)及雙順丁烯二醯亞胺(BMI-3000J)之調配物澆鑄(如前所述)膜。BMI-3000J (Designer Molecules；San Diego CA)係具有3,000道耳頓之平均分子量之專利的脂族順丁烯二醯亞胺封端聚醯亞胺。(BMI-3000J)之結構顯示於下。

針對以上於材料及方法下所述的性質分析膜。膜調配物的性質概述於下表9。 表9：具有及不具有熔融矽石填料之雙順丁烯二醯亞胺及酚官能化聚醯亞胺之膜性質的比較

	調配物
	H	I	J	K
BMI-3000J	100%	25%	-----	-----
化合物1	-----	-----	100%	25%
熔融矽石	-----	75%	-----	75%
性質	值
Tg (DMA)，℃	65	68	47.33
模量@25℃，MPa	300	600	587	1200
Dk@20GHz	2.3	2.9	2.4	2.948
Df@20GHz	0.0017	0.00125	0.0014	0.0009
Td (5%)，C	438	448	415.3	467

此數據顯示具有75%矽石之化合物1具有較具75%之BMI-3000J佳的介電性質。 實施例10：具有環氧共反應物及矽石之酚官能化聚醯亞胺(化合物1)之調配物

以下表10中指示之量將化合物1 (實施例1)與Epiclon^® HP-4032D環氧樹脂(1,6-雙(2,3-環氧丙氧基)萘)(DIC Corp.；Tokyo, JP)或環氧加上Admafine^® SO-E4 1 μm球形矽石填料(Admatechs Co. Ltd；Miyoshi, JP)組合。自各調配物澆築膜並如前所述來固化。

針對如於材料及方法下所述的性質分析膜。膜調配物的性質概述於下表10。 表10：具有及不具有矽石填料之環氧-化合物1膜調配物的性質

	調配物
	L	M	N	O	P	Q
化合物1	90%	80%	70%	22.5%	20%	17.5%
Epiclon® HP-4032D	10%	20%	30%	2.5%	5%	7.5%
Admafine® SO-E4	-----	-----	-----	75%	75%	75%
性質	值
剝離強度	0.52	0.88	1.08	0.4	0.41	0.32
Dk @20GHz	2.555	2.469	2.419	3.009	3.012	3.094
Df @20GHz	0.0039	0.00492	0.00669	0.00185	0.00275	0.0036
Tg (℃)(DMA)	39.88	47.07	47.24	49.98	44.84	44.82
模量@25℃	445.92MPa	802.61 MPa	612.94 MPa	2.1 GPa	2.964 GPa	2.041 GPa

使酚官能化聚醯亞胺與增加量之環氧共反應物共固化使對銅表面之黏著力提高，如由剝離強度的相稱增加所指示。然而，隨膜調配物之環氧含量的提高，Df亦急劇上升。添加矽石使對Df的影響稍為減輕。

10:晶圓 10a:經塗布黏著劑的晶圓 10b:結合支撐件的晶圓 10c:經薄化的晶圓 10d:無黏著劑的薄化晶圓 12:晶圓之頂表面 14:晶圓背側 20:暫時性黏著劑 30:支撐件 40:研磨及拋光構件 50:支撐框架 52:頂部框架 54:底部框架 60:方粒切割帶 62:黏著劑 64:釋放 70:電路圖案 80:膜 90:方粒切割構件 100:通道 110:晶粒 120:空隙 300:銅箔 310:聚醯亞胺聚合物 320:黏著劑層 340:單面包銅層板 342:無黏著劑FCCL 350:雙面FCCL 352:雙面無黏著劑FCCL 400:強化纖維 420:液體調配物 430:濕預浸料 432:經乾燥的預浸料 444:經纖維強化、經固化聚醯亞胺 450:CCL 460:印刷電路板 462:電路圖案

圖1係繪示製造印刷電路板之方法的示意流程圖，其包括製備預浸料，將銅層壓至預浸料上，及蝕刻包銅材料上之電路圖案。箭頭A-E指示方法中之步驟。

圖2係穿過圖1之平面XVII之結構的橫截面圖。

圖3A係繪示製造根據本發明之一具體例包括黏著劑層之單面撓性包銅層板(FCCL)之方法的示意流程圖。箭頭A及B指示方法中之步驟。

圖3B係繪示製造根據本發明之一具體例包括黏著劑層之單面撓性包銅層板(FCCL)之方法的示意流程圖。箭頭A及B指示方法中之步驟。

圖4A係繪示製造根據本發明之一具體例省略黏著劑層之單面撓性包銅層板(FCCL)之方法的示意流程圖。箭頭A及B指示方法中之步驟。

圖4B係繪示製造根據本發明之一具體例不包括黏著劑層之單面撓性包銅層板(FCCL)之方法的示意流程圖。箭頭A及B指示方法中之步驟。

圖5係繪示根據本發明之一具體例之背面研磨方法的示意流程圖。實線箭頭指示根據本發明之一具體例之方向。虛線箭頭A-H指示方法中之步驟。

圖6A及6B係繪示根據本發明之一具體例之晶圓方粒切割方法之示意流程圖的連續部分。其意欲一起被視為單一圖。箭頭A-F指示方法中之步驟。

圖7A係穿過圖6A之平面I之結構的橫截面圖。

圖7B係穿過圖6B之平面II之結構的橫截面圖。

圖7C係穿過圖6A之平面III之結構的橫截面圖。

圖7D係穿過圖6A之平面IV之結構的橫截面圖。

圖7E係穿過圖6A之平面V之結構的橫截面圖。

圖7F係穿過圖6A之平面VI之結構的橫截面圖。

圖7G係穿過圖6B之平面VII之結構的橫截面圖。

圖7H係穿過圖6B之平面VII之結構的橫截面圖。

圖7I係穿過圖6B之平面IX之結構的橫截面圖。

圖7J係穿過圖6B之平面X之結構的橫截面圖。

300:銅箔

400:強化纖維

420:液體調配物

430:濕預浸料

432:經乾燥的預浸料

444:經纖維強化、經固化聚醯亞胺

450:CCL

460:印刷電路板

462:電路圖案

Claims (69)

1. 一種組成物，其包含具有根據式I、II或III之結構之酚官能化聚醯亞胺：

   

   其中： R係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷； Q係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷； A係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷；及 n及m各獨立地係0或具有1-100之值的整數； 其限制條件係聚醯亞胺的平均分子量係大於20,000道耳頓。
2. 如請求項1之組成物，其中，n及m各獨立地係20-100。
3. 如請求項1之組成物，其中，該酚官能化化合物之平均分子量係25,000至50,000道耳頓。
4. 如請求項1之組成物，其進一步包含苯甲醚。
5. 如請求項1之組成物，其中，R包含選自由以下所組成之群之部分：

   

   

   

   其中Z係H或Me及m係整數，其中平均分子量介於200與800道耳頓之間，及其組合。
6. 如請求項1之組成物，其中，Q包含選自由以下所組成之群之部分：

   

   

   及其組合。
7. 如請求項1之組成物，其中，該酚官能化聚醯亞胺係至少一種二胺與至少一種二酐之縮合產物。
8. 如請求項7之組成物，其中，該至少一種二胺包括選自由以下所組成之群之二胺：

   

   及其組合。
9. 如請求項7之組成物，其中，該至少一種二胺包括選自由下列所組成之群之二胺：1,10-二胺基癸烷；1,12-二胺基十二烷；二聚物二胺；氫化二聚物二胺；1,2-二胺基-2-甲基丙烷；1,2-二胺基環己烷；1,2-二胺基丙烷；1,3-二胺基丙烷；1,4-二胺基丁烷；1,5-二胺基戊烷；1,7-二胺基庚烷；1,8-二胺基薄荷烷；1,8-二胺基辛烷；1,9-二胺基壬烷；3,3’-二胺基-N-甲基二丙胺；二胺基順丁烯二腈；1,3-二胺基戊烷；9,10-二胺基菲；4,4’-二胺基八氟聯苯；3,5-二胺基苯甲酸；3,7-二胺基-2-甲氧茀；4,4’-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基甲苯；2,6-二胺基蒽醌；2,6-二胺基甲苯；2,3-二胺基甲苯；1,8-二胺基萘；2,4-二胺基甲苯；2,5-二胺基甲苯；1,4-二胺基蒽醌；1,5-二胺基蒽醌；1,5-二胺基萘；1,2-二胺基蒽醌；2,4-異丙苯二胺；1,3-雙胺基甲基苯；1,3-雙胺基甲基環己烷；2-氯-1,4-二胺基苯；1,4-二胺基-2,5-二氯苯；1,4-二胺基-2,5-二甲基苯；4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基聯苯；雙(胺基-3-氯苯基)乙烷；雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-甲基異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二乙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；二胺基茀；4,4’-(9-亞茀基)二苯胺；二胺基苯甲酸；2,3-二胺基萘；2,3-二胺基酚；-5-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；4,4’-二胺基苯基碸；3,3’-二胺基苯基碸；2,2-雙(4,-(4-胺基苯氧基)苯基)碸；2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸；4,4’-氧基二苯胺；4,4’-二胺基二苯硫；3,4’-氧基二苯胺；2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯；4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二羥基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲氧基聯苯；雙苯胺M；雙苯胺P；9,9-雙(4-胺基苯基)茀；鄰聯甲苯胺碸；亞甲基雙(鄰胺苯甲酸)；1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷；1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；1,5-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；2,3,5,6-四甲基-1,4-苯二胺；3,3’,5,5’-四甲基聯苯胺；4,4’-二胺基苯甲醯苯胺；2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷；聚氧伸烷基二胺；1,3-環己烷雙(甲基胺)；間二甲苯二胺；對二甲苯二胺；雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷；1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷；及3(4),8(9)-雙(胺基甲基)三環(5.2.1.0^2,6 )癸烷及其組合。
10. 如請求項9之組成物，其中，該至少一種二酐包括選自由以下所組成之群之二酐：聚丁二烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-交替-順丁烯二酸酐；聚順丁烯二酸酐-交替-1-十八烯；聚丙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚(苯乙烯-共-順丁烯二酸酐)；焦蜜石酸二酐；順丁烯二酸酐；琥珀酸酐；1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐；1,4,5,8-萘四羧酸二酐；3,4,9,10-苝四羧酸二酐；雙環(2.2.2)辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐；二伸乙三胺五乙酸二酐；乙二胺四乙酸二酐；3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐；3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐；4,4’-氧基二酞酸酐；3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐；2,2’-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐；4,4’-雙酚A二酞酸酐；5-(2,5-二氧基四氫)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐；乙二醇雙(1,2,4-苯三甲酸酐)；氫醌二酞酸酐；烯丙基納迪克(nadic)酸酐；2-辛烯-1-基琥珀酸酐；酞酸酐；1,2,3,6-四氫酞酸酐；3,4,5,6-四氫酞酸酐；1,8- 萘二甲酸酐；戊二酸酐；十二烯基琥珀酸酐；十六烯基琥珀酸酐；六氫酞酸酐；甲基六氫酞酸酐；十四烯基琥珀酸酐；及其組合。
11. 如請求項1之組成物，其進一步包括至少一種共反應物、填料、觸媒、引發劑、偶合劑或其組合。
12. 如請求項11之組成物，其中，該組成物包括至少一種環氧樹脂、至少一種陰離子性引發劑及至少一種偶合劑。
13. 如請求項11之組成物，其中，該至少一種共反應物係共固化樹脂。
14. 如請求項11之組成物，其中，該至少一種共反應物係選自氧雜環丁烷、氰酸酯、苯并㗁𠯤及其組合。
15. 如請求項13之組成物，其中，該共固化樹脂係選自由以下所組成之群：環氧樹脂、氰酸酯樹脂、苯并㗁𠯤樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、酚系樹脂、羧基樹脂、液晶聚合物樹脂、反應性酯樹脂、丙烯酸系樹脂、增黏劑、氧雜環丁烷、氰酸酯及其組合。
16. 如請求項15之組成物，其中，該環氧係選自由以下所組成之群：苯基縮水甘油基醚；甲苯酚基縮水甘油基醚；壬基苯基縮水甘油基醚；對-第三丁基苯基縮水甘油基醚；下列中任一者之二縮水甘油基或聚縮水甘油基醚：雙酚A、雙酚F、亞乙基雙酚、二羥基二苯基醚、雙(4-羥基苯基)碸、雙(羥基苯基)硫、1,1-雙(羥基苯基)環己烷、9,19-雙(4-羥基苯基)茀、1,1,1-參(羥基苯基)乙烷、肆(4-羥基苯基)乙烷、三羥基三苯甲基甲烷、4,4’-(1-α-甲基亞苄基)雙酚、4,4’-二羥基二苯甲酮、二羥基萘、2,2’-二羥基-6,6’-二萘基二硫、1,8,9-三羥基蒽、間苯二酚、鄰苯二酚及四羥基二苯硫；三縮水甘油基對胺基酚；N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二苯基甲烷；三縮水甘油基異氰尿酸酯；甲酚甲醛縮合物之縮水甘油基醚；酚甲醛縮合物之縮水甘油基醚；甲酚二環戊二烯加成化合物之縮水甘油基醚；酚二環戊二烯加成化合物之縮水甘油基醚； 1,4-丁二醇之二縮水甘油基醚；二甘醇之二縮水甘油基醚；新戊二醇之二縮水甘油基醚；環己烷二甲醇之二縮水甘油基醚；三環癸烷二甲醇之二縮水甘油基醚；三羥甲基乙烷三縮水甘油基醚；萘衍生物之單-或二縮水甘油基醚；全氟化烷基縮水甘油基醚；三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚；聚乙二醇之縮水甘油基醚；蓖麻油之聚縮水甘油基醚；聚氧伸丙基二縮水甘油基醚；芳族胺之縮水甘油基衍生物；及其組合。
17. 如請求項15之組成物，其中，該環氧係選自由以下所組成之群：

    

    及其組合。
18. 如請求項15之組成物，其中，該環氧係選自由以下所組成之群：環氧基封端之聚二甲基矽氧烷、及環氧官能化環矽氧烷、環氧官能化多面體寡聚倍半矽氧烷(POSS)、及其組合。
19. 如請求項15之組成物，其中，基於該組成物之總重量，該環氧佔組成物之約1至約90重量%、約5至約50重量%、或約10至約25重量%。
20. 如請求項11之組成物，其中，該觸媒係陰離子性固化觸媒。
21. 如請求項20之組成物，其中，該陰離子性固化觸媒包括選自由以下所組成之群之化合物：咪唑；1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)；1-苄基-2-甲基咪唑(1B2MZ)；2-苯基-4-甲基咪唑(2P4MZ)；2-苯基咪唑(2PZ)；2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)；1,2-二甲基咪唑(1,2DMZ)；2-十七基咪唑(C17Z)；2-十一基咪唑(C11Z)；2-甲基咪唑(2MZ)；咪唑(S1Z)；1-氰乙基-2-甲基咪唑(2MZ-CN)；1-氰乙基-2-十一基咪唑(C11Z-CN)；1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)；1-氰乙基-2-苯基咪唑(2PZ-CN)；1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓-1,2,4-苯三甲酸鹽(2PZCNS-PW)；1-氰乙基-2-十一基咪唑鎓-1,2,4-苯三甲酸鹽(C11Z-CNS)；2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤(2E4MZ-A)；2,4-二胺基-6-[2’-十一基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤(C11Z-A)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤 (2MZA-PW)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤 (2MZ-A)；2-苯基咪唑異氰尿酸加成物(2PZ-OK)；2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三𠯤異氰尿酸加成物脫水物(2MA-OK)；2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(2P4MHZ-PW)；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(2PHZ-PW)；1-十二基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物(SFZ)；2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑(TBZ)；2-苯基咪唑啉(2PZL-T)；2,4-二胺基-6-甲基丙烯醯氧乙基- 1,3,5-三𠯤(MAVT)；2,4-二胺基-6-乙烯基- 1,3,5-三𠯤異氰尿酸加成物(OK)；2,4-二胺基-6-乙烯基- 1,3,5-三𠯤(VT)；咪唑-4-羧醛(4FZ)；2-苯基咪唑-4-羧醛(2P4FZ)；咪唑-2-羧醛(2FZ)；咪唑-4-碳化腈(4CNZ)；2-苯基咪唑-4-碳化腈(2P4CNZ)；4-羥基甲基咪唑鹽酸鹽(4HZ-HCL)；2-羥基甲基咪唑鹽酸鹽(2HZ-HCL)；咪唑-4-羧酸(4GZ)；咪唑-4-二硫基羧酸(4SZ)；咪唑-4-硫基羧醯胺(4TZ)；2-溴咪唑(2BZ)；2-巰基咪唑(2SHZ)；1,2,4-三唑-1-甲脒鹽酸鹽(TZA)；(第三丁氧羰基亞胺基-[1,2,4]三唑-1-基-甲基)胺基甲酸第三丁基酯(TZA-BOC)；噻唑-2-羧醛(2FTZ)；噻唑-4-羧醛(4FTZ)；噻唑-5-羧醛(5FTZ)；㗁唑-2-羧醛(2FOZ)；㗁唑-4-羧醛(4FOZ)；㗁唑-5-羧醛(5FOZ)；吡唑-4-羧醛(4FPZ)；吡唑-3-羧醛(3FPZ)；1-吖雙環[2.2.2]辛烷(ABCO)；1,4-二吖雙環[2.2.2]辛烷(DABCO)；1,5-二吖雙環[4.3.0]壬-5-烯(DBN)；1,8-二吖雙環[5.4.0]十一-7-烯(DBU)；1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯(TBD)；7-甲基-1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯(MTBD)；1,2,2,6,6-五甲基哌啶(PMP)；4-(二甲基胺基)-1,2,2,6,6-五甲基哌啶；及其組合。
22. 如請求項21之組成物，其中，基於該組成物之總重量，該陰離子性固化觸媒佔組成物之約0.1至約10重量%、或約0.5至約5重量%。
23. 如請求項11之組成物，其中，該填料包括至少一種選自由以下所組成之群之填料：矽石、聚四氟乙烯、氧化鋁、氮化硼、碳黑、碳奈米管或其組合。
24. 如請求項11之組成物，其中，該填料係傳導性的。
25. 如請求項24之組成物，其中，該傳導性填料係選自由以下所組成之群：金、銅、銀；鉑、鈀及其組合及合金。
26. 如請求項11之組成物，其中，該組成物係黏著劑。
27. 如請求項26之組成物，其中，該黏著劑係可移除的。
28. 如請求項26之組成物，其中，該黏著劑係膜或塗料。
29. 如請求項28之組成物，其中，該黏著劑係經B階段化。
30. 如請求項28之組成物，其中，該黏著劑係經固化。
31. 一種製備預浸料之方法，其包括以下步驟： a. 提供強化纖維；及 b. 將該強化纖維浸泡於包含請求項1至28中任一項之化合物之未固化組成物之液體調配物中； 藉此含浸該強化纖維，藉此製備預浸料。
32. 如請求項31之方法，其中，該強化纖維係織造或非織造織物。
33. 如請求項31之方法，其進一步包括 a. 將該預浸料排水以移除過量的液體調配物；及 b. 乾燥該預浸料。
34. 一種預浸料，其根據請求項31之方法製備。
35. 一種製備包銅層板(CCL)之方法，其包括以下步驟： a. 提供請求項34之預浸料，及 b. 將銅設置於該預浸料之一個或兩個側面上； 藉此製備包銅層板。
36. 如請求項35之方法，其中，設置係由將銅電鍍至該預浸料之一個或兩個側面所組成。
37. 如請求項35之方法，其中，設置係由將銅箔層壓至該預浸料之一個或兩個側面所組成。
38. 一種CCL，其包括含浸有請求項1至28中任一項之組成物之強化纖維且具有設置於一個或兩個側面上之銅。
39. 一種CCL，其根據請求項40之方法製備的。
40. 一種製備印刷電路板(PCB)之方法，其包括以下步驟： a. 提供請求項44之CCL； b. 於設置於該CCL之一個或兩個側面上之銅中蝕刻電路跡線， 藉此製備印刷電路板。
41. 一種製備撓性包銅層板(FCCL)之方法，其包括以下步驟： a. 提供包含請求項1至28中任一項之化合物之膜； b. 將黏著劑施加至該膜之一個或兩個側面上； c. 將銅箔層壓至該膜之一個或兩個側面上之黏著劑， 藉此製備FCCL。
42. 如請求項41之方法，其中，該膜係黏著劑膜。
43. 一種FCCL，其包括請求項1至28中任一項之組成物之膜調配物且具有層壓至該膜之一個或兩個側面上之銅箔。
44. 如請求項43之FCCL，其進一步包括介於各銅箔與該膜之間的黏著劑層。
45. 如請求項43之FCCL，其中，該膜係黏著劑膜。
46. 一種FCCL，其根據請求項41之方法製備。
47. 一種FCCL，其根據請求項42之方法製備。
48. 一種製備薄的撓性電子電路之方法，其包括以下步驟 a. 提供請求項47之FCCL；及 b. 於該FCCL之一個或兩個側面上之銅箔中蝕刻電路跡線； 藉此製備薄的撓性電子電路。
49. 一種薄的撓性電子電路，其包括： a. 一層包含請求項1至28中任一項之經固化組成物之黏著劑膜；及 b. 位於該黏著劑膜之一個或兩個側面上的蝕刻銅電路跡線。
50. 一種背面研磨晶圓之方法，其包括以下步驟： a) 將請求項1至28中任一項之可移除黏著劑組成物施加至晶圓之頂部； b) 將該晶圓黏著至支撐件； c) 研磨及拋光該晶圓； d) 自該支撐件移除該晶圓；及 e) 自該晶圓移除該黏著劑。
51. 如請求項50之方法，其中，施加該組成物包括旋塗。
52. 如請求項50之方法，其中，移除該黏著劑包括以下步驟： a) 將空氣噴射施加至該可移除黏著劑組成物；及 b) 自該暫時性晶圓剝離該黏著劑。
53. 如請求項52之方法，其進一步包括： c) 將該晶圓浸泡於移除殘留黏著劑的化學溶劑中。
54. 如請求項53之方法，其中，該化學溶劑係選自由以下所組成之群：環戊酮、環己酮及其組合。
55. 一種方粒切割晶圓之方法，其包括以下步驟： a) 將包含請求項1至28中任一項之組成物之暫時性黏著劑施加至晶圓之頂部或底部側面； b) 將該晶圓黏著至框架； c) 切割該晶圓以單粒化個別晶粒； d) 自該晶圓移除該晶粒；及 e) 自該晶粒移除該黏著劑。
56. 如請求項55之方法，其中，施加該組成物包括旋塗。
57. 如請求項55之方法，其中，將該組成物施加至方粒切割帶之表面。
58. 如請求項57之方法，其中，將該帶黏著至該晶圓之頂部或底部側面。
59. 如請求項55之方法，其中，移除該黏著劑包括以下步驟： f) 將空氣噴射施加至該暫時性黏著劑；及 g) 剝離該暫時性晶圓。
60. 如請求項59之方法，其進一步包括： h) 將該物品浸泡於移除殘留黏著劑的化學溶劑中。
61. 如請求項60之方法，其中，該化學溶劑係選自由以下所組成之群：環戊酮、環己酮及其組合。
62. 一種用來合成具有根據式I、II或III之結構之酚官能化化合物之方法：

    

    其中： R係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷； Q係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷； A係獨立地選自由以下所組成之群之部分：經取代或未經取代之芳族、雜芳族脂族、環脂族、烯基、聚醚、聚酯、聚醯胺、及矽氧烷；及 n及m各獨立地係0或具有1-100之值的整數； 其限制條件係聚醯亞胺的平均分子量係大於20,000道耳頓， 其包括以下步驟： a. 提供至少一種二胺及至少一種二酐； b. 將該至少一種二胺與該至少一種二酐組合於溶劑中以形成混合物； c. 使該混合物回流，藉此形成於溶液中之聚醯胺酸；及 d. 共沸蒸餾溶液中之聚醯胺酸；藉此形成於溶液中之胺封端之聚醯亞胺；其中： i. 該至少一種二胺包含酚官能性；或 ii. 該至少一種二酐包含酚官能性；或 iii. 進一步包括經由使末端胺基團反應形成酚官能性末端部分而將胺封端之聚醯亞胺官能化的步驟， 藉此合成該酚官能化化合物。
63. 如請求項62之方法，其中，該溶劑係苯甲醚。
64. 如請求項62之方法，其中，該至少一種二胺具有選自由以下所組成之群之結構：

    

    及其組合。
65. 如請求項62之方法，其中，該至少一種二胺包括選自由下列所組成之群之二胺：1,10-二胺基癸烷；1,12-二胺基十二烷；二聚物二胺；氫化二聚物二胺；1,2-二胺基-2-甲基丙烷；1,2-二胺基環己烷；1,2-二胺基丙烷；1,3-二胺基丙烷；1,4-二胺基丁烷；1,5-二胺基戊烷；1,7-二胺基庚烷；1,8-二胺基薄荷烷；1,8-二胺基辛烷；1,9-二胺基壬烷；3,3’-二胺基-N-甲基二丙胺；二胺基順丁烯二腈；1,3-二胺基戊烷；9,10-二胺基菲；4,4’-二胺基八氟聯苯；3,5-二胺基苯甲酸；3,7-二胺基-2-甲氧茀；4,4’-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基二苯甲酮；3,4-二胺基甲苯；2,6-二胺基蒽醌；2,6-二胺基甲苯；2,3-二胺基甲苯；1,8-二胺基萘；2,4-二胺基甲苯；2,5-二胺基甲苯；1,4-二胺基蒽醌；1,5-二胺基蒽醌；1,5-二胺基萘；1,2-二胺基蒽醌；2,4-異丙苯二胺；1,3-雙胺基甲基苯；1,3-雙胺基甲基環己烷；2-氯-1,4-二胺基苯；1,4-二胺基-2,5-二氯苯；1,4-二胺基-2,5-二甲基苯；4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基聯苯；雙(胺基-3-氯苯基)乙烷；雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-甲基異丙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3,5-二乙基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；二胺基茀；4,4’-(9-亞茀基)二苯胺；二胺基苯甲酸；2,3-二胺基萘；2,3-二胺基酚；-5-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-甲基苯基)甲烷；雙(4-胺基-3-乙基苯基)甲烷；4,4’-二胺基苯基碸；3,3’-二胺基苯基碸；2,2-雙(4,-(4-胺基苯氧基)苯基)碸；2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸；4,4’-氧基二苯胺；4,4’-二胺基二苯硫；3,4’-氧基二苯胺；2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯；4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二羥基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲基聯苯；4,4’-二胺基-3,3’-二甲氧基聯苯；雙苯胺M；雙苯胺P；9,9-雙(4-胺基苯基)茀；鄰聯甲苯胺碸；亞甲基雙(鄰胺苯甲酸)；1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷；1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷；1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；1,5-雙(4-胺基苯氧基)丁烷；2,3,5,6-四甲基-1,4-苯二胺；3,3’,5,5’-四甲基聯苯胺；4,4’-二胺基苯甲醯苯胺；2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷；聚氧伸烷基二胺；1,3-環己烷雙(甲基胺)；間二甲苯二胺；對二甲苯二胺；雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷；1,2-雙(2-胺基乙氧基)乙烷；及3(4),8(9)-雙(胺基甲基)三環(5.2.1.0^2,6 )癸烷。
66. 如請求項62之方法，其中，該至少一種二酐係選自由以下所組成之群：聚丁二烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚乙烯-交替-順丁烯二酸酐；聚順丁烯二酸酐-交替-1-十八烯；聚丙烯-接枝-順丁烯二酸酐；聚(苯乙烯-共-順丁烯二酸酐)；焦蜜石酸二酐；順丁烯二酸酐；琥珀酸酐；1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐；1,4,5,8-萘四羧酸二酐；3,4,9,10-苝四羧酸二酐；雙環(2.2.2)辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐；二伸乙三胺五乙酸二酐；乙二胺四乙酸二酐；3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐；3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐；4,4’-氧基二酞酸酐；3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐；2,2’-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐；4,4’-雙酚A二酞酸酐；5-(2,5-二氧基四氫)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐；乙二醇雙(1,2,4-苯三甲酸酐)；氫醌二酞酸酐；烯丙基納迪克酸酐；2-辛烯-1-基琥珀酸酐；酞酸酐；1,2,3,6-四氫酞酸酐；3,4,5,6-四氫酞酸酐；1,8- 萘二甲酸酐；戊二酸酐；十二烯基琥珀酸酐；十六烯基琥珀酸酐；六氫酞酸酐；甲基六氫酞酸酐；及十四烯基琥珀酸酐；等等。
67. 如請求項62之方法，其中，該至少一種二胺與該至少一種二酐之當量比係1：1。
68. 如請求項62之方法，其中，該至少一種二胺對該至少一種二酐之當量比係約1.01:1至約1.10:1。
69. 如請求項68之方法，其中，該至少一種二胺對該至少一種二酐之當量比係約1.02:1至約1.09:1；約1.03:1至約1.08:1；約1.04:1至約1.07:1；或約1.05:1至約1.06:1。

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