TW202025868A

TW202025868A - 屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法

Info

Publication number: TW202025868A
Application number: TW109107254A
Authority: TW
Inventors: 春名裕介; 香月貴彥; 長谷川剛; 田島宏
Original assignee: 日商拓自達電線股份有限公司
Priority date: 2017-02-13
Filing date: 2018-02-12
Publication date: 2020-07-01
Also published as: JP2020092279A; TWI732995B; JPWO2018147426A1; JP6959948B2; WO2018147426A1; TW201841742A; TWI771659B

Abstract

本發明之目的在提供一種屏蔽膜，該屏蔽膜使用在具備接地構件之屏蔽印刷配線板，且在對該屏蔽印刷配線板反覆加熱及冷卻來安裝零件時，於接地構件之導電性突起或導電性填料與屏蔽膜之屏蔽層間不易產生偏移。本發明之屏蔽膜係由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，其特徵在於：於上述屏蔽層與上述絕緣層間之至少一部分形成第1低熔點金屬層。

Description

屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法

發明領域本發明是有關於屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法。

背景技術在急速發展小型化、高機能化的行動電話、視訊攝影機、筆記型電腦等電子儀器中，為了將電路裝入複雜的機構中，大多會使用撓性印刷配線板。再者，活用其優異之可撓性，亦會利用在像是印刷頭般的可動部與控制部之連接。於該等電子儀器中，必須要有電磁波屏蔽措施，於裝置內所使用之撓性印刷配線板中，亦開始使用施以電磁波屏蔽措施的撓性印刷配線板(以下亦記載為「屏蔽印刷配線板」)。

一般的屏蔽印刷配線板通常由基體膜與屏蔽膜所構成，前述基體膜係於基底膜上依序設置印刷電路與絕緣膜而成，前述屏蔽膜則由導電層、積層於上述導電層之屏蔽層及積層於上述導電層之絕緣層所構成，並以上述導電層與上述基體膜相接之方式覆蓋上述基體膜。又，於印刷電路中含有接地電路，接地電路為能接地而與電子儀器之框體電連接。如上述，於屏蔽印刷配線板之基體膜中，在含接地電路之印刷電路上設置有絕緣膜。又，基體膜被具有絕緣層之屏蔽膜覆蓋。故，為了將接地電路與電子儀器之框體電連接，必須事先在絕緣膜及屏蔽膜之一部分開孔。這在設計印刷電路上會成為妨礙自由度的主要原因。

於專利文獻1中揭示有一種屏蔽膜，其係於分離膜之單面塗佈形成覆蓋膜，且於前述覆蓋膜之表面設置由金屬薄膜層與接著劑層所構成的屏蔽層，並具有接地構件，該接地構件形成為於一端側具有被壓在前述覆蓋膜上並穿過前述覆蓋膜而與前述屏蔽層連接的突起，另一端側則露出而可與其附近之接地部連接。在製作專利文獻1中記載的屏蔽膜時，會以接地構件之突起穿過覆蓋膜之方式將接地構件壓在覆蓋膜上。故，接地構件可配置於屏蔽膜之任意位置。若使用此種屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板，則可於任意位置將接地電路與電子儀器之框體電連接。

先前技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利4201548號公報

發明概要發明欲解決之課題為了安裝零件，會在回流焊接步驟等中將屏蔽印刷配線板反覆加熱並冷卻。在將零件安裝於專利文獻1中所記載之屏蔽印刷配線板時，若如所述反覆加熱及冷卻，有時會產生接地構件之突起與屏蔽層因熱膨脹所致之體積變化而分離的現象。

本發明是用以解決上述問題而成的發明，本發明之目的在提供一種屏蔽膜，該屏蔽膜使用在具備接地構件之屏蔽印刷配線板，且在對該屏蔽印刷配線板反覆加熱及冷卻來安裝零件時，於接地構件之導電性突起或導電性填料與屏蔽膜之屏蔽層間不易產生偏移。

用以解決課題之手段即，本發明之屏蔽膜係由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，其特徵在於：於上述屏蔽層與上述絕緣層間之至少一部分形成有第1低熔點金屬層。

本發明之屏蔽膜使用在基體膜，該基體膜係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成。此時，本發明之屏蔽膜係以接著劑層與基體膜相接之方式覆蓋於基體膜。又，於本發明之屏蔽膜配置接地構件，該接地構件係由外部連接構件構成，前述外部連接構件具有第1主面及第1主面相反側的第2主面且具導電性，並於第1主面配置有導電性突起或導電性填料。又，接地構件係以接地構件之導電性突起或導電性填料貫穿本發明之屏蔽膜之絕緣層之方式，壓在本發明之屏蔽膜上來配置。藉此，可製作配置有接地構件的屏蔽印刷配線板。再者，該屏蔽印刷配線板會受到加熱處理。於該加熱處理中，第1低熔點金屬層會軟化而附著於接地構件之導電性突起或導電性填料而連接，因此，可提升屏蔽膜之第1低熔點金屬層與接地構件之導電性突起或導電性填料之密接性。故，在對屏蔽印刷配線板反覆加熱及冷卻來安裝零件時，於接地構件之導電性突起或導電性填料與屏蔽膜之屏蔽層間不易產生偏移。

於本發明之屏蔽膜中，上述第1低熔點金屬層宜由熔點為300℃以下之金屬形成。若第1低熔點金屬層由熔點為300℃以下之金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，第1低熔點金屬層容易軟化，可適當地提升接地構件之導電性突起或導電性填料與第1低熔點金屬層之密接性。若第1低熔點金屬層由熔點大於300℃之金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時的加熱溫度會提高。故，接地構件或屏蔽印刷配線板容易受到熱所致之損傷。

於本發明之屏蔽膜中，上述第1低熔點金屬層之厚度宜為0.1~10μm，且0.1~5μm更佳。若第1低熔點金屬層之厚度小於0.1μm，則形成第1低熔點金屬層的金屬量少，因此，在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，接地構件之導電性突起或導電性填料與屏蔽膜之第1低熔點金屬層的密接性會變得不容易提高。若第1低熔點金屬層之厚度大於50μm，則於第1低熔點金屬層軟化時，屏蔽層變得容易變形。其結果，屏蔽膜之屏蔽特性變得容易降低。

於本發明之屏蔽膜中，上述第1低熔點金屬層宜含有助熔劑。藉由第1低熔點金屬層含有助熔劑，於構成第1低熔點金屬層的金屬軟化時，構成低熔點金屬層的金屬與接地構件之導電性突起或導電性填料變得容易密接。其結果，可進一步地提升第1低熔點金屬層與接地構件之導電性突起或導電性填料之密接性。

本發明之屏蔽膜宜更具備接著劑層，該接著劑層積層於上述屏蔽層之與積層上述絕緣層之面為相反側的面。若屏蔽膜具有接著劑層，則於製造屏蔽印刷配線板時，可輕易地使屏蔽膜接著於基體膜。

於本發明之屏蔽膜中，宜於上述接著劑層與上述屏蔽層間之至少一部分形成有第2低熔點金屬層。此時，於製造屏蔽印刷配線板時，藉由使接地構件之導電性突起或導電性填料貫穿屏蔽膜之屏蔽層而與第2低熔點金屬層接觸，然後，藉由加熱使接地構件之導電性突起或導電性填料與第2低熔點金屬層連接，可進一步地提升接地構件與屏蔽膜之密接性。

於本發明之屏蔽膜中，上述接著劑層宜為導電性接著劑層。若屏蔽膜之接著劑層為導電性接著劑層，則藉由接地構件之導電性突起或導電性填料貫通屏蔽膜之絕緣層，接地構件之導電性突起或導電性填料與導電性接著劑層會接觸，而可將接地構件之外部連接構件與基體膜之接地電路電連接。

於本發明之屏蔽膜中，上述屏蔽層宜含有選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等之合金所構成群組中之至少1種。由該等材料所構成的屏蔽層之導電性高，並顯示能遮蔽來自電信號的非必要輻射或來自外部的電磁波等雜訊之屏蔽效果。

於本發明之屏蔽膜中，上述屏蔽層亦可為導電性接著劑層。當屏蔽層為導電性接著劑層時，屏蔽層即兼具用以將屏蔽膜接著於基體膜的機能及用以屏蔽電磁波的機能。

本發明之屏蔽印刷配線板之特徵在於具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，且以上述屏蔽層配置於較上述絕緣層更靠上述基體膜側之方式覆蓋上述基體膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層上；上述接地構件係由外部連接構件與導電性突起所構成，上述外部連接構件具有第1主面及上述第1主面相反側的第2主面且具導電性，上述導電性突起配置於上述第1主面側；上述接地構件之導電性突起貫穿上述屏蔽膜之絕緣層，且上述接地構件之導電性突起透過低熔點金屬而連接於上述屏蔽膜之屏蔽層，而上述接地構件之外部連接構件即可與外部接地電連接。

於上述構造之屏蔽印刷配線板中，接地構件之導電性突起透過低熔點金屬而與屏蔽膜之屏蔽層連接。故，接地構件之導電性突起與屏蔽膜之屏蔽層之密接性高。

本發明之屏蔽印刷配線板宜為上述低熔點金屬是形成於上述屏蔽膜之屏蔽層與絕緣層間之至少一部分的第1低熔點金屬層。上述構造之屏蔽印刷配線板為使用本發明之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板。故，在對本發明之屏蔽印刷配線板反覆加熱及冷卻來安裝零件時，於接地構件之導電性突起與屏蔽膜之屏蔽層間不易產生偏移。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽膜宜更具備接著劑層，該接著劑層積層於上述屏蔽層之與積層上述絕緣層之面為相反側的面，且上述屏蔽膜之接著劑層與上述基體膜接觸。若屏蔽膜具有接著劑層，則於製造屏蔽印刷配線板時，可輕易地使屏蔽膜接著於基體膜。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述低熔點金屬宜於上述屏蔽膜之接著劑層與上述屏蔽膜之屏蔽層間之至少一部分形成第2低熔點金屬層，且上述接地構件之導電性突起貫穿上述屏蔽膜之屏蔽層，上述接地構件之導電性突起透過形成上述第2低熔點金屬層的上述低熔點金屬而連接於上述屏蔽膜之屏蔽層。此時，可進一步地提升接地構件與屏蔽膜之密接性。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，在上述屏蔽膜中，上述接著劑層宜為導電性接著劑層。若屏蔽膜之接著劑層為導電性接著劑層，則藉由接地構件之導電性突起貫通屏蔽膜之絕緣層，接地構件之導電性突起與導電性接著劑層會接觸，可將接地構件之外部連接構件與基體膜之接地電路電連接。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，在上述屏蔽膜中，上述屏蔽層宜含有選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等之合金所構成群組中之至少1種。由該等材料所構成的屏蔽層之導電性高，並顯示能遮蔽來自電信號的非必要輻射或來自外部的電磁波等雜訊之屏蔽效果。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，在上述屏蔽膜中，上述屏蔽層亦可為導電性接著劑層，且上述屏蔽膜之屏蔽層與上述基體膜接觸。當屏蔽層為導電性接著劑層時，屏蔽層即兼具用以將屏蔽膜接著於基體膜的機能及用以屏蔽電磁波的機能。

本發明之屏蔽印刷配線板之特徵在於具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，且以上述屏蔽層配置於較上述絕緣層更靠上述基體膜側之方式覆蓋上述基體膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層上；上述接地構件係由外部連接構件與導電性填料所構成，上述外部連接構件具有第1主面及上述第1主面相反側的第2主面且具導電性，上述導電性填料配置於上述第1主面側；上述接地構件之導電性填料貫穿上述屏蔽膜之絕緣層，且上述接地構件之導電性填料透過低熔點金屬而連接於上述屏蔽膜之屏蔽層，上述屏蔽膜之第1低熔點金屬層連接於上述接地構件之導電性填料，而上述接地構件之外部連接構件即可與外部接地電連接。

於上述構造之屏蔽印刷配線板中，接地構件之導電性填料透過低熔點金屬而連接於屏蔽膜之屏蔽層。故，接地構件之導電性填料與屏蔽膜之屏蔽層之密接性高。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述低熔點金屬宜為形成於上述屏蔽膜之屏蔽層與絕緣層間之至少一部分的第1低熔點金屬層。上述構造之屏蔽印刷配線板為使用本發明之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板。故，在對本發明之屏蔽印刷配線板反覆加熱及冷卻來安裝零件時，於接地構件之導電性填料與屏蔽膜之屏蔽層間不易產生偏移。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述低熔點金屬宜於上述屏蔽膜之接著劑層與上述屏蔽膜之屏蔽層間之至少一部分形成第2低熔點金屬層，且上述接地構件之導電性填料貫穿上述屏蔽膜之屏蔽層，上述接地構件之導電性填料透過形成上述第2低熔點金屬層的上述低熔點金屬而連接於上述屏蔽膜之屏蔽層。此時，可進一步地提升接地構件與屏蔽膜之密接性。

於本發明之屏蔽印刷配線板中，在上述屏蔽膜中，上述接著劑層宜為導電性接著劑層。若屏蔽膜之接著劑層為導電性接著劑層，則藉由接地構件之導電性填料貫通屏蔽膜之絕緣層，接地構件之導電性填料與導電性接著劑層會接觸，可將接地構件之外部連接構件與基體膜之接地電路電連接。

本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法，其製造之屏蔽印刷配線板具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；上述本發明之屏蔽膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層；上述接地構件係由外部連接構件與導電性突起所構成，上述外部連接構件具有第1主面及上述第1主面相反側的第2主面且具導電性，上述導電性突起配置於上述第1主面側；上述屏蔽印刷配線板之製造方法的特徵在於具有以下步驟：屏蔽膜載置步驟，以上述屏蔽膜之屏蔽層配置於較屏蔽膜之絕緣層更靠上述基體膜側之方式，將上述屏蔽膜載置於上述基體膜；接地構件配置步驟，以上述接地構件之導電性突起朝向上述屏蔽膜之絕緣層側之方式，將上述接地構件配置於上述屏蔽膜；加壓步驟，加壓上述接地構件，使上述接地構件之導電性突起貫通上述屏蔽膜之絕緣層；及加熱步驟，加熱上述接地構件之第1低熔點金屬層而使其軟化。

藉由使用上述本發明之屏蔽膜，可製造本發明之屏蔽印刷配線板。

於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，亦可同時進行上述加壓步驟及上述加熱步驟。藉由同時進行該等步驟，可提升製造效率。

本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法，其製造之屏蔽印刷配線板具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；上述本發明之屏蔽膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層；上述接地構件係由外部連接構件、導電性填料及接著性樹脂所構成，上述外部連接構件具有第1主面及上述第1主面相反側的第2主面且具導電性，上述導電性填料配置於上述第1主面側，上述接著性樹脂則將上述導電性填料固定於上述第1主面；上述屏蔽印刷配線板之製造方法的特徵在於具有以下步驟：屏蔽膜載置步驟，以上述屏蔽膜之屏蔽層配置於較屏蔽膜之絕緣層更靠上述基體膜側之方式，將上述屏蔽膜載置於上述基體膜；接地構件配置步驟，以上述接地構件之導電性填料朝向上述屏蔽膜之絕緣層側之方式，將上述接地構件配置於上述屏蔽膜；加壓步驟，加壓上述接地構件，使上述接地構件之導電性填料貫通上述屏蔽膜之絕緣層；及加熱步驟，加熱上述接地構件之第1低熔點金屬層而使其軟化。

用以實施發明之形態以下，具體說明本發明之屏蔽膜。然而，本發明並不限於以下實施形態，在未變更本發明要旨的範圍內，可適當地變更而應用。

(第1實施形態) 首先，說明本發明第1實施形態之屏蔽膜70。圖1為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之屏蔽膜之一例。如圖1所示，屏蔽膜70係由接著劑層71、積層於接著劑層71之屏蔽層72及積層於屏蔽層72之絕緣層73所構成，其特徵在於：於屏蔽層72與絕緣層73間形成有第1低熔點金屬層74。又，接著劑層71為導電性接著劑層。

屏蔽膜70使用在於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成的基體膜，作成屏蔽印刷配線板後，配置預定形狀之接地構件。

首先，利用圖式，說明使用屏蔽膜70的屏蔽印刷配線板之構造。圖2為截面圖，其示意顯示使用本發明第1實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

如圖2所示，屏蔽印刷配線板50係由基體膜60與屏蔽膜70所構成。於屏蔽印刷配線板50中，基體膜60係於基底膜61上依序設置含接地電路62a之印刷電路62與絕緣膜63而形成的薄膜。於屏蔽印刷配線板50中，屏蔽膜70係以屏蔽膜70之接著劑層71與基體膜60相接之方式覆蓋基體膜60。

其次，利用圖式，說明於屏蔽印刷配線板50中使用之預定接地構件之情形。圖3為截面圖，其示意顯示使用本發明第1實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板所用接地構件之一例。圖4(a)及(b)為截面圖，其示意顯示使用圖3所示接地構件的屏蔽印刷配線板之一例。

如圖3所示，接地構件1形成有外部連接構件10與導電性突起20，前述外部連接構件10具有第1主面11及第1主面11相反側的第2主面12且具導電性，前述導電性突起20配置於第1主面11側。

接地構件1會配置在屏蔽印刷配線板50，此時，如圖4(a)所示，可以接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽膜70之絕緣層73及屏蔽層72之方式，將接地構件1壓在屏蔽膜70上來配置。又，如圖4(b)所示，亦可以接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽膜70之絕緣層73但未貫穿屏蔽膜70之屏蔽層72之方式，將接地構件1壓在屏蔽膜70上來配置。又，如圖4(a)及(b)所示，接地構件1之外部連接構件10會與外部接地GND連接。

配置有接地構件1的屏蔽印刷配線板50進一步會受到加熱處理。於該加熱處理中，第1低熔點金屬層74會軟化並附著於接地構件1之導電性突起20而連接。故，可提升第1低熔點金屬層74與接地構件1之導電性突起20之密接性。因此，在對使用屏蔽膜70且具備接地構件1的屏蔽印刷配線板50反覆加熱及冷卻來安裝零件時，可抑制基體膜60之接地電路62a-外部接地GND間的電阻增加。另，當構成第1低熔點金屬層74的金屬與構成接地構件1之導電性突起20的金屬可形成合金時，藉由使該等金屬形成合金，可進一步地提升第1低熔點金屬層74與接地構件1之導電性突起20之密接性。

於屏蔽膜70中，第1低熔點金屬層74宜由熔點為300℃以下之金屬形成。若第1低熔點金屬層74由熔點為300℃以下之金屬形成，則在將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，第1低熔點金屬層74會容易軟化，可適當地提升接地構件1之導電性突起20與第1低熔點金屬層74之密接性。若第1低熔點金屬層由熔點大於300℃之金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時的加熱溫度會提高。故，接地構件或屏蔽印刷配線板容易受到熱所致之損傷。

於屏蔽膜70中，形成第1低熔點金屬層74的金屬並無特殊限制，宜含有選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少1種。該等金屬在形成第1低熔點金屬層74方面具備適當的熔點及導電性。

於屏蔽膜70中，第1低熔點金屬層74之厚度宜為0.1~10μm，且0.1~5μm更佳。若第1低熔點金屬層之厚度小於0.1μm，則形成第1低熔點金屬層的金屬量少，因此，在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，接地構件之導電性突起與屏蔽膜之第1低熔點金屬層之密接性會變得不容易提高。若第1低熔點金屬層之厚度大於50μm，則於第1低熔點金屬層軟化時，屏蔽層變得容易變形。其結果，屏蔽膜之屏蔽特性變得容易降低。

於屏蔽膜70中，第1低熔點金屬層74宜含有助熔劑。藉由第1低熔點金屬層74含有助熔劑，於構成第1低熔點金屬層74的金屬軟化時，構成第1低熔點金屬層74的金屬與接地構件1之導電性突起20變得容易密接。其結果，可進一步地提升第1低熔點金屬層74與接地構件1之導電性突起20之密接性。

助熔劑並無特殊限制，可使用多元羧酸、乳酸、檸檬酸、油酸、硬脂酸、麩胺酸、苯甲酸、甘油、松脂等公知者。

另，當第1低熔點金屬層74由錫構成時，於屏蔽層72與第1低熔點金屬層74間宜形成有鎳層。當第1低熔點金屬層74由錫構成時，有時會與構成屏蔽層72的金屬形成合金。然而，若於屏蔽層72與第1低熔點金屬層74間形成有鎳層，則可防止形成此種合金。其結果，構成第1低熔點金屬層74的錫與接地構件1之導電性突起20可有效率地形成合金。故，可減少用於第1低熔點金屬層74的錫量。

接著劑層71係由樹脂與導電性微粒子所構成的導電性接著劑層。

構成接著劑層71的樹脂並無特殊限制，宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱可塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。又，於接著劑層71中亦可含有脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松脂、松脂衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若含有該等黏著性賦予劑，則可提升接著劑層71之黏著性。

構成接著劑層71的導電性微粒子並無特殊限制，包括銅粉、銀粉、鎳粉、覆銀銅粉(塗覆Ag之Cu粉)、覆金銅粉、覆銀鎳粉(塗覆Ag之Ni粉)、覆金鎳粉，該等金屬粉可藉由霧化法、羰基法等來製作。又，除了上述之外，亦可使用於金屬粉覆蓋樹脂的粒子、於樹脂覆蓋金屬粉的粒子。另，導電性微粒子宜為塗覆Ag之Cu粉或塗覆Ag之Ni粉。其理由是可藉由廉價之材料，製得導電性穩定的導電性微粒子。另，導電性微粒子之形狀毋須受限於球狀，舉例言之，亦可為樹枝狀、片狀、穗狀、棒狀、纖維狀、針狀等。

由於屏蔽膜70之接著劑層71為導電性接著劑層，因此，藉由接地構件1之導電性突起20貫通屏蔽膜70之絕緣層73，接地構件1之導電性突起20會與屏蔽膜70之屏蔽層72及接著劑層71接觸，或是接地構件1之導電性突起20會與屏蔽膜70之屏蔽層72接觸，而可將接地構件1之外部連接構件10與基體膜60之接地電路62a電連接。

再者，接著劑層71可為各向異性導電性接著劑層，亦可為各向同性導電性接著劑層，且各向異性導電性接著劑層更佳。當接著劑層71為各向異性導電性接著劑層時，宜以相對於接著劑層71之全體量在3~39重量%的範圍來含有導電性微粒子。又，導電性微粒子之平均粒徑宜在2~20μm的範圍內，宜依照各向異性導電性接著劑層之厚度，選擇最適當的大小。又，當接著劑層71為各向同性導電性接著劑層時，宜以相對於接著劑層71之全體量在大於39重量%且95重量%以下的範圍來含有導電性微粒子。導電性微粒子之平均粒徑可與各向異性導電性接著劑層作相同選擇。

屏蔽膜70之屏蔽層72只要可展現能遮蔽來自電信號的非必要輻射或來自外部的電磁波等雜訊之屏蔽效果，則由任何材料構成均可。舉例言之，屏蔽層72亦可由各向同性導電性樹脂或金屬構成。當屏蔽層72由金屬構成時，可為金屬箔或蒸鍍膜等金屬層，亦可為形成為層狀的導電性粒子之集合體。當屏蔽層72為金屬層時，構成金屬的材料宜含有選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等之合金所構成群組中之至少1種。當屏蔽層72為導電性粒子之集合體時，可使用與上述構成接著劑層71的導電性微粒子相同的導電性微粒子。該等材料之導電性高，屬於適合作為屏蔽層的材料。

於屏蔽膜70中，屏蔽層72宜含有選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等之合金所構成群組中之至少1種。由該等材料所構成的屏蔽層72之導電性高，並顯示能遮蔽來自電信號的非必要輻射或來自外部的電磁波等雜訊之屏蔽效果。

屏蔽膜70之屏蔽層72之厚度宜為0.01~10μm。若屏蔽層72之厚度小於0.01μm，則不易獲得充分之屏蔽效果。若屏蔽層72之厚度大於10μm，則不易撓曲。

屏蔽膜70之絕緣層73之材料並無特殊限制，宜為環氧系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。

屏蔽膜70之絕緣層73之厚度宜為1~10μm。若絕緣層之厚度小於0.01μm，則絕緣層容易破損，且絕緣性不易充分。若絕緣層之厚度大於10μm，則接地構件之導電性突起不易貫穿絕緣層73。

其次，說明使用屏蔽膜70的屏蔽印刷配線板之製造方法。另，該屏蔽印刷配線板之製造方法亦為本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。

本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法所製造之屏蔽印刷配線板具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，且以上述接著劑層與上述基體膜相接之方式覆蓋上述基體膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層；又，具有以下步驟：(1)屏蔽膜載置步驟；(2)接地構件配置步驟；(3)加壓步驟；及(4)加熱步驟。

以下，利用圖式，說明各步驟。圖5~圖8為步驟圖，其依步驟順序示意顯示本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法。

(1)屏蔽膜載置步驟於本步驟中，首先，準備基體膜60，該基體膜60係於基底膜61上依序設置含接地電路62a之印刷電路62與絕緣膜63而成。又，如圖5所示，以接著劑層71接在基體膜60上之方式來載置屏蔽膜70。

構成基體膜60的基底膜61及絕緣膜63之材料並無特殊限制，宜由工程塑膠構成。此種工程塑膠例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚等樹脂。又，於該等工程塑膠中，當要求阻燃性時，宜為聚苯硫醚膜，當要求耐熱性時，則宜為聚醯亞胺膜。另，基底膜61之厚度宜為10~40μm，絕緣膜63之厚度宜為10~30μm。

又，於絕緣膜63形成有用以使印刷電路62之一部分露出的孔部63a。孔部63a之形成方法並無特殊限制，可採用雷射加工等習知方法。

(2)接地構件配置步驟於本步驟中，如圖6所示，以接地構件1之導電性突起20朝向屏蔽膜70之絕緣層73側之方式，將接地構件1配置於屏蔽膜70。

接地構件1形成有外部連接構件10與導電性突起20，前述外部連接構件10具有第1主面11及第1主面11相反側的第2主面12且具導電性，前述導電性突起20配置於第1主面11側。

於接地構件1中，外部連接構件10及導電性突起20宜含有選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少1種。該等材料為適合用以將接地構件與外部接地電連接的材料。

又，於接地構件1之導電性突起20之表面亦可形成低熔點金屬層。當接地構件1之導電性突起20之表面形成有低熔點金屬層時，於後述加熱步驟中，接地構件1之低熔點金屬層會軟化而會與屏蔽膜70之屏蔽層連接。故，可進一步地提升接地構件1與屏蔽膜70之密接性。形成接地構件1之低熔點金屬層的金屬並無特殊限制，宜含有選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少1種。

(3)加壓步驟於本步驟中，如圖7所示，為了使接地構件1之外部連接構件10與基體膜60之接地電路62a電連接，加壓接地構件1，使接地構件1之導電性突起20貫通屏蔽膜70之絕緣層73及屏蔽層72。藉此，接地構件1之導電性突起20會與屏蔽膜70之接著劑層71及屏蔽層72接觸。加壓時的壓力宜為0.5MPa~10MPa。另，於本步驟中，亦可使接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽膜70之絕緣層73，而使接地構件1之導電性突起20與屏蔽膜70之屏蔽層72接觸。

(4)加熱步驟於本步驟中，如圖8所示，為了使接地構件1之低熔點金屬層21連接於屏蔽膜70之屏蔽層72，加熱接地構件1之低熔點金屬層21而使其軟化。使接地構件1之低熔點金屬層21軟化時的溫度並無特殊限制，宜為100~300℃。藉此，可提升接地構件1之導電性突起20與屏蔽膜70之屏蔽層72之密接性及接地構件1之導電性突起20與屏蔽膜70之接著劑層71之密接性。

另，於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，只要可使接地構件之導電性突起的低熔點金屬層軟化而與屏蔽膜之屏蔽層連接，則加熱步驟可於任何階段進行。舉例言之，可與上述加壓步驟同時進行，亦可作為單獨之步驟進行。藉由同時進行加壓步驟與加熱步驟，可提升製造效率。

又，加熱步驟亦可於將零件安裝於加壓步驟後的屏蔽印刷配線板之步驟中進行。舉例言之，為了安裝零件而使用焊料時，會進行回流焊接步驟。亦可藉由該回流步驟回流時的熱，使低熔點金屬層軟化。此時，可同時進行加熱步驟與零件之安裝。

經由以上步驟，可製造具備接地構件1的屏蔽印刷配線板50a。依此所製造之具備接地構件1的屏蔽印刷配線板50a為本發明之屏蔽印刷配線板之一例。

其次，說明使用以下接地構件101之情形。圖9(a)及(b)為截面圖，其示意顯示使用本發明之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板所用接地構件之一例。圖10(a)及(b)為截面圖，其示意顯示使用圖9所示接地構件的屏蔽印刷配線板之一例。

如圖9(a)及(b)所示，接地構件101係由外部連接構件110、導電性填料130及接著性樹脂135所構成，前述外部連接構件110具有第1主面111及上述第1主面111相反側的第2主面112且具導電性，前述導電性填料130配置於上述第1主面111側，前述接著性樹脂135則將上述導電性填料130固定於上述第1主面111。另，如圖9(a)所示，導電性填料130可被接著性樹脂135包覆，亦可如圖9(b)所示，導電性填料130之一部分自接著性樹脂135露出。

藉由使用接地構件101，可製造圖10(a)及(b)所示之屏蔽印刷配線板50b。此時，如圖10(a)所示，可以接地構件101之導電性填料130貫穿屏蔽膜70之絕緣層73及屏蔽層72之方式，將接地構件101壓在屏蔽膜70上來配置。又，如圖10(b)所示，亦可以接地構件101之導電性填料130貫穿屏蔽膜70之絕緣層73但未貫穿屏蔽膜70之屏蔽層72之方式，將接地構件101壓在屏蔽膜70上來配置。又，如圖10(a)及(b)所示，接地構件101之外部連接構件110會與外部接地GND連接。

於接地構件101中，外部連接構件110宜含有選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少1種。該等材料為適合用以將接地構件與外部接地電連接的材料。

於接地構件101中，導電性填料130宜含有選自於由銅粉、銀粉、鎳粉、覆銀銅粉、覆金銅粉、覆銀鎳粉、覆金鎳粉、覆鎳銅粉、覆鎳銀粉及於樹脂覆蓋金屬粉的粒子所構成群組中之至少1種。該等粒子之導電性優異，因此，適合作為導電性填料。

導電性填料130之形狀並無特殊限制，可為球狀、樹枝狀、片狀、穗狀、棒狀、纖維狀、針狀等。

於接地構件101中，接著性樹脂135並無特殊限制，宜由丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱可塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等所構成。該等樹脂具有優異之接著性。

使用接地構件101來製造屏蔽印刷配線板的方法為以下方法：在上述「使用屏蔽膜70的屏蔽印刷配線板之製造方法」的(2)接地構件配置步驟中，使用接地構件101以取代接地構件1。

又，於接地構件101之導電性填料130之表面亦可形成有低熔點金屬層。當接地構件101之導電性填料130之表面形成有低熔點金屬層時，於上述加熱步驟中，接地構件101之低熔點金屬層會軟化而會與屏蔽膜70之屏蔽層連接。故，可進一步地提升接地構件1與屏蔽膜70之密接性。形成接地構件101之低熔點金屬層的金屬並無特殊限制，宜含有選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少1種。

(第2實施形態) 其次，說明本發明第2實施形態之屏蔽膜170。圖11為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之屏蔽膜之一例。如圖11所示，屏蔽膜170係由接著劑層171、積層於接著劑層171之屏蔽層172及積層於屏蔽層172之絕緣層173所構成，其特徵在於：於屏蔽層172與絕緣層173間形成有第1低熔點金屬層174，且於接著劑層171與屏蔽層172間形成有第2低熔點金屬層175。又，接著劑層171為導電性接著劑層。

於屏蔽膜170中，於接著劑層171與屏蔽層172間形成有第2低熔點金屬層175。故，於製造屏蔽印刷配線板時，藉由使接地構件之導電性突起或導電性填料貫穿屏蔽膜170之屏蔽層172而與第2低熔點金屬層175接觸，然後，藉由加熱使接地構件之導電性突起或導電性填料與第2低熔點金屬層175連接，可進一步地提升接地構件與屏蔽膜170之密接性。另，當構成第2低熔點金屬層175的金屬與構成接地構件之導電性突起或導電性填料的金屬可形成合金時，藉由使該等金屬形成合金，可進一步地提升第2低熔點金屬層175與接地構件之導電性突起或導電性填料之密接性。

於屏蔽膜170中，第2低熔點金屬層175宜由熔點為300℃以下之金屬形成。若第2低熔點金屬層175由熔點為300℃以下之金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，第2低熔點金屬層175容易軟化，可適當地提升接地構件之導電性突起或導電性填料與第2低熔點金屬層175之密接性。若第2低熔點金屬層由熔點大於300℃之金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時的加熱溫度會提高。故，接地構件或屏蔽印刷配線板容易受到熱所致之損傷。

於屏蔽膜170中，形成第2低熔點金屬層175的金屬並無特殊限制，宜含有選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少1種。該等金屬在形成第2低熔點金屬層175方面具備適當的熔點及導電性。

於屏蔽膜170中，第2低熔點金屬層175之厚度宜為0.1~10μm，且0.1~5μm更佳。若第2低熔點金屬層之厚度小於0.1μm，則形成第2低熔點金屬層的金屬量少，因此，在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，接地構件之導電性突起或導電性填料與屏蔽膜之第2低熔點金屬層的密接性會變得不容易提高。若第2低熔點金屬層之厚度大於50μm，則於第2低熔點金屬層軟化時，屏蔽層172變得容易變形。其結果，屏蔽膜170之屏蔽特性變得容易降低。

於屏蔽膜170中，第2低熔點金屬層175宜含有助熔劑。藉由第2低熔點金屬層175含有助熔劑，於構成第2低熔點金屬層175的金屬軟化時，構成第2低熔點金屬層175的金屬與接地構件之導電性突起或導電性填料變得容易密接。其結果，可進一步地提升第2低熔點金屬層175與接地構件之導電性突起及導電性填料之密接性。

另，當第1低熔點金屬層174及第2低熔點金屬層175由錫構成時，於屏蔽層172與第1低熔點金屬層175間以及屏蔽層172與第2低熔點金屬層175間宜形成有鎳層。當第1低熔點金屬層174及第2低熔點金屬層175由錫構成時，有時會與構成屏蔽層172的金屬形成合金。然而，若如上述般形成有鎳層，則可防止形成此種合金。其結果，構成第1低熔點金屬層174及第2低熔點金屬層175的錫與接地構件之導電性突起及導電性填料可有效率地形成合金。故，可減少用於第1低熔點金屬層174及第2低熔點金屬層175的錫量。

又，屏蔽膜170之接著劑層171、屏蔽層172、絕緣層173及第1低熔點金屬層174之材料等宜與屏蔽膜70之接著劑層71、屏蔽層72、絕緣層73及第1低熔點金屬層74的理想材料相同。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜170及接地構件1的屏蔽印刷配線板150a。圖12為截面圖，其示意顯示使用本發明第2實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。如圖12所示，屏蔽印刷配線板150a係由基體膜60、屏蔽膜170及接地構件1所構成的屏蔽印刷配線板。於屏蔽印刷配線板150a中，以屏蔽膜170之接著劑層171與基體膜60接觸之方式進行載置。又，接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽膜170之絕緣層173及屏蔽層172。然後，屏蔽膜170之第1低熔點金屬層174及第2低熔點金屬層175就會與接地構件1之導電性突起20連接。而且，接地構件1之外部連接構件10就會與外部接地GND連接。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜170及接地構件101的屏蔽印刷配線板150b。圖13為截面圖，其示意顯示使用本發明第2實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

如圖13所示，屏蔽印刷配線板150b係由基體膜60、屏蔽膜170及接地構件101所構成的屏蔽印刷配線板。於屏蔽印刷配線板150a中，以屏蔽膜170之接著劑層171與基體膜60接觸之方式進行載置。又，接地構件101之導電性填料130貫穿屏蔽膜170之絕緣層173及屏蔽層172。然後，屏蔽膜170之第1低熔點金屬層174及第2低熔點金屬層175就會與接地構件101之導電性填料130連接。而且，接地構件101之外部連接構件110就會與外部接地GND連接。

(第3實施形態) 其次，說明本發明第3實施形態之屏蔽膜270。圖14為截面圖，其示意顯示本發明第3實施形態之屏蔽膜之一例。如圖14所示，屏蔽膜270係由接著劑層271、積層於接著劑層271之屏蔽層272及積層於屏蔽層272之絕緣層273所構成，其特徵在於：於屏蔽層272與絕緣層273間形成有第1低熔點金屬層274。又，屏蔽層272為具有凸部272a及凹部272b的波狀形狀。另，屏蔽膜270之接著劑層271可具有導電性，亦可不具導電性。

屏蔽膜270之屏蔽層272、絕緣層273及第1低熔點金屬層274之材料等宜與屏蔽膜70之屏蔽層72、絕緣層73及第1低熔點金屬層74的理想材料相同。

當屏蔽膜270之接著劑層271具有導電性時，接著劑層271之材料等宜與屏蔽膜之接著劑層71相同。

當屏蔽膜270之接著劑層271不具導電性時，接著劑層271並無特殊限制，宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱可塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。又，於接著劑層271中亦可含有脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松脂、松脂衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若含有該等黏著性賦予劑，則可提升接著劑層271之黏著性。

說明使用基體膜60、屏蔽膜270及接地構件1的屏蔽印刷配線板250a(參照圖18)之製造方法。圖15~圖18所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。

如圖15所示，當製造屏蔽印刷配線板250a時，首先，於基體膜60上載置屏蔽膜270。如上述，基體膜60係於基底膜61上依序設置含接地電路62a之印刷電路62與絕緣膜63而形成的薄膜。又，屏蔽膜270係由接著劑層271、積層於接著劑層271之屏蔽層272及積層於屏蔽層272之絕緣層273所構成的薄膜，屏蔽層272為具有凸部272a及凹部272b的波狀形狀。

其次，如圖16所示，加壓載置有屏蔽膜270的基體膜60。於該加壓時，屏蔽膜270之屏蔽層272的凸部272a會推開接著劑層271，並與基體膜60之接地電路62a連接。

其次，如圖17所示，以接地構件1之導電性突起20朝向屏蔽膜270之絕緣層273側之方式，將接地構件1配置於屏蔽膜270。然後，加壓接地構件1，使接地構件1之導電性突起20貫通屏蔽膜270之絕緣層273。藉此，接地構件1之導電性突起20會與屏蔽膜270之第1低熔點金屬層274接觸。另，加壓時的壓力宜為0.5MPa~10MPa。

其次，如圖18所示，為了使屏蔽膜270之第1低熔點金屬層274與接地構件1之導電性突起20連接，加熱屏蔽膜270之第1低熔點金屬層274而使其軟化。依此進行而可製造屏蔽印刷配線板250a。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜270及接地構件101的屏蔽印刷配線板250b之製造方法。圖19~圖22所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。

如圖19所示，當製造屏蔽印刷配線板250a時，首先，於基體膜60上載置屏蔽膜270。如上述，基體膜60係於基底膜61上依序設置含接地電路62a之印刷電路62與絕緣膜63而形成的薄膜。又，屏蔽膜270係由接著劑層271、積層於接著劑層271之屏蔽層272及積層於屏蔽層272之絕緣層273所構成的薄膜，屏蔽層272為具有凸部272a及凹部272b的波狀形狀。

其次，如圖20所示，加壓載置有屏蔽膜270的基體膜60。於該加壓時，屏蔽膜270之屏蔽層272的凸部272a會推開接著劑層271，並與基體膜60之接地電路62a連接。

其次，如圖21所示，以接地構件101之導電性填料130朝向屏蔽膜270之絕緣層273側之方式，將接地構件101配置於屏蔽膜270。然後，加壓接地構件101，使接地構件101之導電性填料130貫通屏蔽膜270之絕緣層273。藉此，接地構件101之導電性填料130會與屏蔽膜270之第1低熔點金屬層274接觸。另，加壓時的壓力宜為0.5MPa~10MPa。

其次，如圖22所示，為了使屏蔽膜270之第1低熔點金屬層274連接於接地構件101之導電性填料130，加熱屏蔽膜270之第1低熔點金屬層274而使其軟化。依此進行而可製造屏蔽印刷配線板250b。

又，如圖22所示，於屏蔽印刷配線板250b中，接地構件101之外部連接構件110與外部接地GND連接。

(第4實施形態) 其次，說明本發明第4實施形態之屏蔽膜370。圖23為截面圖，其示意顯示本發明第4實施形態之屏蔽膜之一例。如圖23所示，屏蔽膜370係由接著劑層371、積層於接著劑層371之屏蔽層372及積層於屏蔽層372之絕緣層373所構成，其特徵在於：於屏蔽層372與絕緣層373間形成有第1低熔點金屬層374。又，屏蔽膜370之接著劑層371不具導電性。

又，屏蔽膜370之屏蔽層372、絕緣層373及第1低熔點金屬層374之材料等宜與屏蔽膜70之屏蔽層72、絕緣層73及第1低熔點金屬層74的理想材料相同。

接著劑層371並無特殊限制，宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱可塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。又，於接著劑層371中亦可含有脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松脂、松脂衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若含有該等黏著性賦予劑，則可提升接著劑層371之黏著性。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜370及接地構件1的屏蔽印刷配線板350a。圖24為截面圖，其示意顯示使用本發明第4實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。如圖24所示，屏蔽印刷配線板350a係由基體膜60、屏蔽膜370及接地構件1所構成的屏蔽印刷配線板。於屏蔽印刷配線板350a中，以屏蔽膜370之接著劑層371與基體膜60接觸之方式進行載置。又，接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽膜370之絕緣層373。然後，屏蔽膜370之第1低熔點金屬層374就會與接地構件1之導電性突起20連接。而且，接地構件1之外部連接構件10就會與外部接地GND連接。

在依此配置有接地構件1的屏蔽印刷配線板350a中，屏蔽膜370之屏蔽層372與外部接地GND電連接，因此，屏蔽層372即可作為遮蔽電磁波的電磁波屏蔽而適當地發揮作用。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜370及接地構件101的屏蔽印刷配線板350b。圖25為截面圖，其示意顯示使用本發明第4實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

如圖25所示，屏蔽印刷配線板350b係由基體膜60、屏蔽膜370及接地構件101所構成的屏蔽印刷配線板。於屏蔽印刷配線板350b中，以屏蔽膜370之接著劑層371與基體膜60接觸之方式進行載置。又，接地構件101之導電性填料130貫穿屏蔽膜370之絕緣層373。然後，屏蔽膜370之第1低熔點金屬層374就會與接地構件101之導電性填料130連接。而且，接地構件101之外部連接構件110就會與外部接地GND連接。

在依此配置有接地構件1的屏蔽印刷配線板350b中，屏蔽膜370之屏蔽層372與外部接地GND電連接，因此，屏蔽層372即可作為遮蔽電磁波的電磁波屏蔽而適當地發揮作用。

(第5實施形態) 其次，說明本發明第5實施形態之屏蔽膜470。圖26為截面圖，其示意顯示本發明第5實施形態之屏蔽膜之一例。如圖26所示，屏蔽膜470係由屏蔽層472及積層於屏蔽層472之絕緣層473所構成，其特徵在於：於屏蔽層472與絕緣層473間形成有第1低熔點金屬層474。又，於屏蔽膜470中，屏蔽層472為導電性接著劑。

由於屏蔽膜470之屏蔽層472為導電性接著劑，因此，即具備用以將屏蔽膜470接著於基體膜60的機能及屏蔽電磁波的機能兩者。

又，屏蔽膜470之屏蔽層472係由樹脂與導電性微粒子所構成的導電性接著劑層。

構成屏蔽層472的樹脂並無特殊限制，宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱可塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。又，於屏蔽層472中亦可含有脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松脂、松脂衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若含有該等黏著性賦予劑，則可提升屏蔽層472之黏著性。

構成屏蔽層472的導電性微粒子並無特殊限制，包括銅粉、銀粉、鎳粉、覆銀銅粉(塗覆Ag之Cu粉)、覆金銅粉、覆銀鎳粉(塗覆Ag之Ni粉)、覆金鎳粉，該等金屬粉可藉由霧化法、羰基法等來製作。又，除了上述之外，亦可使用於金屬粉覆蓋樹脂的粒子、於樹脂覆蓋金屬粉的粒子。另，導電性微粒子宜為塗覆Ag之Cu粉或塗覆Ag之Ni粉。其理由是可藉由廉價之材料，製得導電性穩定的導電性微粒子。另，導電性微粒子之形狀毋須受限於球狀，舉例言之，亦可為樹枝狀、片狀、穗狀、棒狀、纖維狀、針狀等。

再者，屏蔽膜470之屏蔽層472宜為各向同性導電性接著劑層。此時，宜以相對於屏蔽層之全體量在大於39重量%且95重量%以下的範圍來含有導電性微粒子。導電性微粒子之平均粒徑宜為2~20μm。

又，屏蔽膜470之絕緣層473及第1低熔點金屬層474之材料等宜與屏蔽膜70之絕緣層73及第1低熔點金屬層74的理想材料相同。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜470及接地構件1的屏蔽印刷配線板450a。圖27為截面圖，其示意顯示使用本發明第5實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。如圖27所示，屏蔽印刷配線板450a係由基體膜60、屏蔽膜470及接地構件1所構成的屏蔽印刷配線板。於屏蔽印刷配線板450a中，以屏蔽膜470之屏蔽層472與基體膜60接觸之方式進行載置。又，接地構件1之導電性突起20貫穿屏蔽膜470之絕緣層473。然後，屏蔽膜470之第1低熔點金屬層474就會與接地構件1之導電性突起20連接。而且，接地構件1之外部連接構件10就會與外部接地GND連接。

其次，說明使用基體膜60、屏蔽膜470及接地構件101的屏蔽印刷配線板450b。圖28為截面圖，其示意顯示使用本發明第5實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

如圖28所示，屏蔽印刷配線板450b係由基體膜60、屏蔽膜470及接地構件101所構成的屏蔽印刷配線板。於屏蔽印刷配線板450b中，以屏蔽膜470之屏蔽層472與基體膜60接觸之方式進行載置。又，接地構件101之導電性填料130貫穿屏蔽膜470之絕緣層473。然後，屏蔽膜470之第1低熔點金屬層474就會與接地構件101之導電性填料130連接。而且，接地構件101之外部連接構件110就會與外部接地GND連接。

(其他實施形態) 於本發明之屏蔽印刷配線板中，當第1低熔點金屬層及/或第2低熔點金屬層由錫構成時，於屏蔽層與第1低熔點金屬層間及/或屏蔽層與第2低熔點金屬層間宜形成有鎳層。若形成有此種鎳層，則可防止與構成第1低熔點金屬層及屏蔽層的金屬、以及/或與構成第2低熔點金屬層及屏蔽層的金屬形成合金。

又，於本發明之屏蔽印刷配線板中，接地構件之導電性突起或導電性填料只要有透過低熔點金屬與屏蔽膜之屏蔽層連接即可。

即，以下所述屏蔽印刷配線板為本發明之屏蔽印刷配線板，該屏蔽印刷配線板具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，且以上述屏蔽層配置於較上述絕緣層更靠上述基體膜側之方式覆蓋上述基體膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層上；上述接地構件係由外部連接構件與導電性突起所構成，上述外部連接構件具有第1主面及上述第1主面相反側的第2主面且具導電性，上述導電性突起配置於上述第1主面側；上述接地構件之導電性突起貫穿上述屏蔽膜之絕緣層，且上述接地構件之導電性突起透過低熔點金屬而連接於上述屏蔽膜之屏蔽層，而上述接地構件之外部連接構件即可與外部接地電連接。

又，以下所述屏蔽印刷配線板亦為本發明之屏蔽印刷配線板，該屏蔽印刷配線板具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層所構成，且以上述屏蔽層配置於較上述絕緣層更靠上述基體膜側之方式覆蓋上述基體膜；及接地構件，其配置於上述屏蔽膜之絕緣層上；上述接地構件係由外部連接構件與導電性填料所構成，上述外部連接構件具有第1主面及上述第1主面相反側的第2主面且具導電性，上述導電性填料配置於上述第1主面側；上述接地構件之導電性填料貫穿上述屏蔽膜之絕緣層，且上述接地構件之導電性填料透過低熔點金屬而連接於上述屏蔽膜之屏蔽層，上述屏蔽膜之第1低熔點金屬層連接於上述接地構件之導電性填料，而上述接地構件之外部連接構件即可與外部接地電連接。

1、101:接地構件 10、110:外部連接構件 11、111:第1主面 12、112:第2主面 20:導電性突起 21:低熔點金屬層 50、50a、50b、150a、150b、250a、250b、350a、350b、450a、450b:屏蔽印刷配線板 60:基體膜 61:基底膜 62:印刷電路 62a:接地電路 63:絕緣膜 63a:孔部 70、170、270、370、470:屏蔽膜 71、171、271、371:接著劑層 72、172、272、372、472:屏蔽層 73、173、273、373、473:絕緣層 74、174、274、374、474:第1低熔點金屬層 130:導電性填料 135:接著性樹脂 175:第2低熔點金屬層 272a:凸部 272b:凹部 GND:外部接地

圖1為截面圖，其示意顯示本發明第1實施形態之屏蔽膜之一例。圖2為截面圖，其示意顯示使用本發明第1實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。圖3為截面圖，其示意顯示使用本發明第1實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板所用接地構件之一例。圖4(a)及(b)為截面圖，其示意顯示使用圖3所示接地構件的屏蔽印刷配線板之一例。圖5為步驟圖，其依步驟順序示意顯示本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法。圖6為步驟圖，其依步驟順序示意顯示本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法。圖7為步驟圖，其依步驟順序示意顯示本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法。圖8為步驟圖，其依步驟順序示意顯示本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法。圖9(a)及(b)為截面圖，其示意顯示使用本發明之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板所用接地構件之一例。圖10(a)及(b)為截面圖，其示意顯示使用圖9所示接地構件的屏蔽印刷配線板之一例。圖11為截面圖，其示意顯示本發明第2實施形態之屏蔽膜之一例。圖12為截面圖，其示意顯示使用本發明第2實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。圖13為截面圖，其示意顯示使用本發明第2實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。圖14為截面圖，其示意顯示本發明第3實施形態之屏蔽膜之一例。圖15所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖16所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖17所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖18所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖19所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖20所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖21所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖22所示者為示意顯示使用本發明第3實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之製造方法之一例。圖23為截面圖，其示意顯示本發明第4實施形態之屏蔽膜之一例。圖24為截面圖，其示意顯示使用本發明第4實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。圖25為截面圖，其示意顯示使用本發明第4實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。圖26為截面圖，其示意顯示本發明第5實施形態之屏蔽膜之一例。圖27為截面圖，其示意顯示使用本發明第5實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。圖28為截面圖，其示意顯示使用本發明第5實施形態之屏蔽膜的屏蔽印刷配線板之一例。

50:屏蔽印刷配線板

60:基體膜

61:基底膜

62:印刷電路

62a:接地電路

63:絕緣膜

70:屏蔽膜

71:接著劑層

72:屏蔽層

73:絕緣層

74:第1低熔點金屬層

Claims

一種屏蔽膜，係由屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層所構成，其特徵在於：於前述屏蔽層與前述絕緣層間之至少一部分形成有第1低熔點金屬層。
如請求項1之屏蔽膜，其中前述第1低熔點金屬層由熔點為300℃以下之金屬形成。
如請求項1或2之屏蔽膜，其中前述第1低熔點金屬層之厚度為0.1~10μm。
如請求項1至3中任一項之屏蔽膜，其中前述第1低熔點金屬層含有助熔劑。
如請求項1至4中任一項之屏蔽膜，其更具備接著劑層，該接著劑層積層於前述屏蔽層之與積層前述絕緣層之面為相反側的面。
一種屏蔽印刷配線板，其特徵在於具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層所構成，且以前述屏蔽層配置於較前述絕緣層更靠前述基體膜側之方式覆蓋前述基體膜；及接地構件，其配置於前述屏蔽膜之絕緣層上；前述接地構件係由外部連接構件與導電性突起所構成，前述外部連接構件具有第1主面及前述第1主面相反側的第2主面且具導電性，前述導電性突起配置於前述第1主面側；前述接地構件之導電性突起貫穿前述屏蔽膜之絕緣層，且前述接地構件之導電性突起透過低熔點金屬而連接於前述屏蔽膜之屏蔽層，而前述接地構件之外部連接構件可與外部接地電連接。
如請求項6之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽膜更具備接著劑層，該接著劑層積層於前述屏蔽層之與積層前述絕緣層之面為相反側的面，且前述屏蔽膜之接著劑層與前述基體膜接觸。
如請求項7之屏蔽印刷配線板，其中前述接著劑層為導電性接著劑層。
如請求項7或8之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽層含有選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等之合金所構成群組中之至少1種。
如請求項6之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽膜之屏蔽層為導電性接著劑層，且前述屏蔽膜之屏蔽層與前述基體膜接觸。
一種屏蔽印刷配線板，其特徵在於具備：基體膜，其係於基底膜上依序設置含接地電路之印刷電路與絕緣膜而成；屏蔽膜，其由屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層所構成，且以前述屏蔽層配置於較前述絕緣層更靠前述基體膜側之方式覆蓋前述基體膜；及接地構件，其配置於前述屏蔽膜之絕緣層上；前述接地構件係由外部連接構件與導電性填料所構成，前述外部連接構件具有第1主面及前述第1主面相反側的第2主面且具導電性，前述導電性填料配置於前述第1主面側；前述接地構件之導電性填料貫穿前述屏蔽膜之絕緣層，且前述接地構件之導電性填料透過低熔點金屬而連接於前述屏蔽膜之屏蔽層，前述屏蔽膜之第1低熔點金屬層連接於前述接地構件之導電性填料，而前述接地構件之外部連接構件可與外部接地電連接。
如請求項11之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽膜更具備接著劑層，該接著劑層積層於前述屏蔽層之與積層前述絕緣層之面為相反側的面，且前述屏蔽膜之接著劑層與前述基體膜接觸。
如請求項12之屏蔽印刷配線板，其中於前述屏蔽膜中，前述接著劑層為導電性接著劑層。
如請求項12或13之屏蔽印刷配線板，其中於前述屏蔽膜中，前述屏蔽層含有選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等之合金所構成群組中之至少1種。
如請求項11之屏蔽印刷配線板，其中於前述屏蔽膜中，前述屏蔽層為導電性接著劑層，且前述屏蔽膜之屏蔽層與前述基體膜接觸。