TW201945087A - 使用並行的原位及遠程電漿源之快速腔室清潔 - Google Patents
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Abstract
一種用以清潔基板處理系統的處理腔室的方法，包括：供給三氟化氮（NF3）氣體至遠程電漿源（RPS）；使用RPS產生RPS電漿；將 RPS電漿供給至處理腔室；將NF3氣體作為旁路氣體供給至處理腔室；在供給RPS電漿之時於處理腔室中點燃原位電漿；及使用RPS電漿及原位電漿兩者在清潔時段期間清潔處理腔室。
Description
本揭露內容關於基板處理系統，且更具體而言關於用以清潔基板處理系統的處理腔室之系統及方法。
本文提供的背景描述係針對概括性地呈現本揭露內容之背景的目的。目前所列名之發明人的工作成果（就本先前技術章節中所描述之範圍而言）、以及不可以其他方式適格為申請時之先前技術的描述內容之實施態樣，均不明示或暗示地承認為是相對本揭露內容的先前技術。
基板處理系統可用於執行蝕刻、沉積、及/或基板（例如半導體晶圓）的其他處理。可在基板上執行的例示性製程包括（但不限於）：化學氣相沉積（CVD）、電漿增強化學氣相沉積 （PECVD）、原子層沉積（ALD）、電漿增強原子層沉積（PEALD）、及/或其他蝕刻、沉積、及清潔製程。在基板處理系統的處理腔室中，可將基板安置在例如基座、靜電卡盤（ESC）等等之基板支撐件上。例如，在處理期間，將一氣體混合物引進處理腔室中，並可點燃電漿以增強處理腔室之內的化學反應。
在若干基板已經於處理腔室之內受到處理之後，膜及/或其他反應物可能積聚在處理腔室的側壁、基板支撐件及位於處理腔室之內的其他元件上。腔室清潔製程係週期地執行以移除膜及/或其他反應物的積聚物。由於基板無法在腔室清潔製程期間受到處理，所以最小化執行腔室清潔製程所需的時間是重要的。
一種用以清潔基板處理系統的處理腔室的方法，包括：供給三氟化氮（NF3
）氣體至遠程電漿源（RPS）；使用RPS產生RPS電漿；將 RPS電漿供給至處理腔室；將NF3
氣體作為旁路氣體供給至處理腔室；於處理腔室中點燃原位電漿，同時供給RPS電漿；及使用RPS電漿及原位電漿兩者在清潔時段期間清潔處理腔室。
在其他特徵中，該方法包括在清潔時段之後熄滅原位電漿以及不供給RPS電漿至處理腔室。基板處理系統執行化學氣相沉積（CVD）。基板處理系統使用氧化物前驅物氣體將二氧化矽（SiO2
）沉積在基板上。氧化物前驅物氣體包含四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate，TEOS）氣體。基板處理系統執行原子層沉積（ALD）。
在其他特徵中，基板處理系統使用氧化物前驅物氣體沉積二氧化矽（SiO2
）。氧化物前驅物氣體包含四乙基正矽酸鹽（TEOS）氣體。使用在從500瓦至3000瓦的範圍中的RF功率產生原位電漿。使用在從1000瓦至2000瓦的範圍中的RF功率產生原位電漿。使用在從1400瓦至1600瓦的範圍中的RF功率產生原位電漿。
在其他特徵中，至RPS的氣體流率係在該方法期間使用之腔室操作參數最有效率的流率的90%至110%的範圍之內。至RPS的氣體流率係在該方法期間使用之腔室操作參數最有效率的流率的95%至105%的範圍之內。
在其他特徵中，NF3
氣體至RPS的氣體流率係在從10至12 slm的範圍中。NF3
氣體至處理腔室的氣體流率係在從3至5 slm的範圍中。
在其他特徵中，該方法包括在第一時段的第一部分期間在處理腔室中維持第一壓力；以及在第一時段的第二部分期間在處理腔室中維持與第一壓力不同之第二壓力。
在其他特徵中，第一壓力係在從2至4托的範圍中，且第二壓力係在從0.5至2托的範圍中。該方法包括在第一時段期間將基板支撐件的溫度維持在350℃與650℃的範圍中。該方法包括在第一時段期間將基板支撐件的溫度維持在445℃與550℃的範圍中。
從實施方式章節、申請專利範圍，以及圖式，本揭露內容的實用性的進一步範圍將變得明顯。實施方式章節與具體的例子僅是為了描述之目的，而非欲限制本揭露內容之範疇。
根據本揭露內容之系統與方法係用於以增加的蝕刻速率清潔在基板處理腔室的內表面上的膜及其他反應物，以減少腔室清潔循環時間。在一些範例中，腔室清潔可從約1.4微米/分鐘的蝕刻速率改善至大於5微米/分鐘的蝕刻速率。遠程電漿源（RPS）被供給三氟化氮（NF3
）氣體（或NF3
及惰性氣體的混合物），且RPS電漿係供給至處理腔室。在供給RPS電漿之時，使用旁路的NF3
氣體來點燃原位電漿，如以下將進一步描述。具有 NF3
至RPS 以及 旁路氣體至處理腔室 之雙路徑輸送，容許額外的NF3
流入處理腔室中而超過通過RPS之最大及最有效率的NF3
流率，以達成較高的蝕刻速率。
現參照圖1，顯示範例基板處理系統100，其用於執行基板處理，例如使用RF電漿的蝕刻或沉積。基板處理系統100包含處理腔室102，其包圍基板處理系統100的其它元件並容納RF電漿。基板處理系統100包括上電極104及基板支撐件106（例如，靜電卡盤（ESC））。在操作期間，基板108係配置於基板支撐件106上。
僅舉例而言，上電極104可包括導入並分配製程及清潔氣體的噴淋頭109。噴淋頭109可包括柄部部分，其包括連接至處理腔室之頂部表面的一端。基部部分大致上為圓柱形，且在與處理腔室之頂部表面間隔開的位置處自柄部部分的一相反端徑向向外延伸。噴淋頭之基部部分的面向基板之表面或面板包括複數的孔，製程氣體或吹淨氣體（purge gas）係流動通過該等孔。或者，上電極104可包含導板，且製程氣體可以另一方式導入。
底板110支撐一加熱板112，其對應一陶瓷多區加熱板。基板支撐件106包括作為下電極的底板110。熱阻層114可配置在加熱板112與底板110之間。底板110可包括用以讓冷卻劑流動通過底板110的一或更多冷卻劑通道116。
RF產生系統120產生並輸出RF功率至上電極104及下電極（例如，基板支撐件106的底板110）其中一者。上電極與下電極其中另一者可為DC接地、AC接地、或浮接。僅舉例而言，RF產生系統120可包括產生RF電壓之RF電壓產生器122，該RF電壓係藉由匹配與分配網路124而供給至上電極104或底板110。在其他範例中，可感應地產生電漿。在一些範例中，RF產生系統120供給在從500瓦至3000瓦的範圍中的RF功率。在一些範例中，RF產生系統120供給在從1000瓦至2000瓦的範圍中的RF功率。在一些範例中，RF產生系統120供給在從1400瓦至1600瓦的範圍中的RF功率。例如，RF產生系統120可以1500瓦供給RF功率，但可使用其他RF功率位準。在一些範例中，RF產生系統120可操作在13.26 MHz下，但可使用其他頻率。
第一氣體輸送系統130包括一或更多氣體來源132、133，該一或更多氣體來源132、133分別供給三氟化氮（NF3
）氣體及/或一或更多惰性氣體。氣體來源132、133藉由一或更多閥134-1、134-2及134-3連接至質量流量控制器（MFC）136-1、136-2及136-3。MFC 136-1及136-2的輸出係饋入可選的混合歧管137，該歧管137係與遠程電漿源（RPS）138呈流體連通。在一些範例中，RPS 138包括基於微波的RPS、電漿管或其他RPS。
RPS 138產生選擇性供給至處理腔室102的遠程電漿。在一些範例中，NF3
係以在使用之製程參數下對於解離最有效率的流率供給至RPS 138。在一些範例中，NF3
係以對於解離最有效率的流率的90至110%的範圍之內的流率供給至RPS 138。通常，RPS 138基於使用之腔室參數（例如壓力、溫度及/或清潔氣體物種）來指定效率。特定配方可能需要一些實驗。在一些範例中，NF3
係以對於解離最有效率的流率的95至105%之內的流率供給至RPS 138。
氣體來源132藉由閥134-3及MFC 136-3連接至處理腔室102。或者，獨立的氣體來源可用於NF3
旁路氣體。換言之，MFC 136-3將旁路的NF3
氣體供給至來自RPS 138的輸出導管，或直接供給至處理腔室102。在一些範例中，啟動RPS電漿，點燃原位電漿，RPS及原位電漿兩者係在清潔時段維持，熄滅原位電漿然後停止RPS電漿。在其他範例中，RPS電漿及原位電漿在大約相同的時間啟動，在大約相同的清潔時段期間維持，以及在大約相同的時間停止/熄滅。在一些範例中，RPS電漿可分別在原位電漿點燃之前或熄滅之後維持預定的時間段。
第二氣體輸送系統141可包括一或更多閥、MFC及歧管（未顯示）以輸送其他氣體或氣體混合物，例如載體氣體、氣體前驅物及/或吹淨氣體，以供腔室清潔之前的基板處理期間使用及/或用於吹淨處理腔室。例如，氣體輸送系統141可用以供給包括矽（Si）或二氧化矽（SiO2
）前驅物氣體之前驅物。在一些範例中，前驅物氣體包括四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate，TEOS）且沉積二氧化矽（SiO2
）膜。
溫度控制器142可連接至設置在加熱板112中的複數熱控制單元（TCE）144。例如，TCE 144可包括（但不限於）：個別的巨觀TCE，其對應到多區加熱板中之各個區；及/或微觀TCE之陣列，其設置遍及多區加熱板的複數區中（未顯示）。溫度控制器142可用於控制複數TCE 144，以控制基板支撐件106及基板108的溫度。
溫度控制器142可與冷卻劑組件146溝通，以控制冷卻劑通道116中的冷卻劑流量。例如，冷卻劑組件146可包括冷卻劑泵浦與貯存器。溫度控制器142操作冷卻劑組件146以選擇性地使冷卻劑流經冷卻劑通道116來控制基板支撐件106的溫度。
可使用閥150及泵浦152將反應物從處理腔室102中排空。可使用系統控制器160來控制基板處理系統100的元件。儘管被顯示為獨立的控制器，溫度控制器142可實施於系統控制器160之內。溫度控制器142可進一步配置成實施一或更多模型以根據本揭露內容的原理來估計基板支撐件106的溫度。
現參照圖2，顯示執行根據本揭露內容之腔室清潔製程的方法250。在252處，該方法判定是否執行腔室清潔。當252為「是」時，該方法依需要將基板從處理腔室移除，並且將腔室壓力設定至預定的壓力範圍。
在一些範例中，預定的腔室壓力係在從0.25托至6托的範圍中。在一些範例中，清潔製程期間的腔室壓力係在二或更多個不連續的壓力值之間調整。在一些範例中，第一步驟係在清潔時段的第一部分期間以在2至4托範圍的第一壓力執行，且第二步驟係在第一部分之後的清潔時段的第二部分期間以0.5至2托的壓力執行。在其他範例中，較高壓力的步驟發生在較低壓力的步驟之前。在更其他的範例中，壓力係在清潔製程期間單調減少或單調增加。
在一些範例中，基板支撐件的溫度係在清潔時段期間控制至一預定溫度，該預定溫度係在350℃與650℃之間的範圍中。在一些範例中，基板支撐件的溫度係在清潔時段期間控制至一預定溫度，該預定溫度係在445℃與550℃之間的範圍中。
在258處，NF3
氣體係供給至RPS並產生RPS電漿。在262處，RPS電漿係供給至處理腔室。在供給RPS電漿至處理腔室之時，旁路的NF3
氣體係供給至RPS輸出導管或直接供給至處理腔室，且原位電漿係藉由供給RF功率來產生。在272處，該方法判定清潔時段是否結束。當272為「否」時，方法從258處繼續。否則，在276處熄滅原位電漿，停止RPS電漿且該方法回原。
在一些範例中，依序或在大約相同的時間分別供給及點燃RPS電漿及原位電漿，且依序或在大約相同的時間分別熄滅/停止原位電漿及RPS電漿。在其他範例中，在第一時間供給RPS電漿，在第一時間之後的預定時段發生之第二時間供給旁路氣體及點燃原位電漿。RPS電漿及原位電漿兩者係在清潔時段期間的相同時間供給。在清潔時段之後，原位電漿及RPS電漿在大約相同的時間停止/熄滅， 或者，在有或沒有中間時段的情況下依次熄滅原位電漿然後停止RPS電漿。
在更其他的範例中，針對RPS而啟動惰性氣體流，並產生RPS電漿。然後，RPS係切換至NF3
及一或更多惰性氣體。接著，供給NF3
旁路氣體以供原位電漿，並點燃原位電漿。在一些範例中，NF3
及惰性氣體流量可調整至最終或穩態的設定點流量。原位RF功率可調整至最終或穩態RF功率位準。腔室的RPS及原位清潔係執行達一清潔時段。當清潔時段結束時，關閉原位RF及旁路氣體流。關閉RPS NF3
氣體流及RPS電漿。
現參照圖3，顯示一範例清潔製程。將NF3
氣體供給至RPS，而旁路的NF3
氣體供給至處理腔室。RPS及原位電漿在清潔時段期間起始及維持。在一些範例中，腔室壓力如上所述變化。
現參照圖4，一圖表說明在根據先前技術及本揭露內容之清潔製程期間對位於處理腔室內的樣本測量之蝕刻速率改善的範例。在300處，在沒有原位電漿的情況下使用RPS電漿清潔處理腔室。例如，NF3
氣體係以約11 slm的流率供給至RPS。在310處，在沒有原位電漿的情況下以較高的NF3
氣體流率使用RPS電漿清潔處理腔室。例如，供給至RPS的NF3
氣體係增加至約15 slm的流率。如所見的，蝕刻速率有輕微的改善。在320處，在沒有旁路的NF3
氣體的情況下使用RPS電漿及原位電漿清潔處理腔室。NF3
氣體係以約11 slm的流率供給至RPS。如所見的，相較於310蝕刻速率有輕微的改善。
在330處，在沒有旁路的NF3
氣體的情況下使用RPS電漿及原位電漿清潔處理腔室。NF3
氣體係以約15 slm的較高氣體流率供給至RPS。如所見的，相較於320蝕刻速率有輕微的改善。
在330處，在具有旁路的NF3
氣體情況下使用RPS電漿及原位電漿來清潔處理腔室。NF3
氣體係以約11 slm的流率供給至RPS，而旁路的NF3
氣體係以約4 slm的流率供給。如所見的，相較於300、310、320及330蝕刻速率有顯著的改善。相較於在300處的基準線，蝕刻速率從330處的改善80%增加至340處的改善140%。
現參照圖5，在根據先前技術及本揭露內容之清潔製程300-340期間，顯示對位於處理腔室內的樣本測量之蝕刻速率百分比增長。當使用原位電漿及RPS電漿並結合旁路的NF3
氣體時，可以見到蝕刻速率百分比的顯著改善。
現參照圖6，此處描述之腔室清潔方法針對相等的蝕刻效能減少用於腔室清潔製程的清潔時段。在圖6中，使用原位及RPS電漿並結合旁路的NF3
氣體的製程係與基準線清潔製程300相比較。在此範例中，相較於基準線清潔製程300，清潔製程時段係減少超過40%。
在一範例中，大約90秒的清潔時段係用以移除7微米的腔室膜堆積。在其他範例中，清潔時段取決於膜堆積的量而變化。在一些範例中，清潔時段可在從20秒至10分鐘的範圍中。在其他範例中，清潔時段可在從1分鐘至5分鐘的範圍中。
先前敘述僅係本質上地說明，而絕非意欲限制本揭露內容、其應用或使用。本揭露內容廣泛的教示可以各式各樣的形式執行。因此，即使本揭露內容包含特定的例子，本發明的真正範圍不應如此受限制，因為一旦研讀圖式、說明書與以下申請專利範圍，其他修改將變得顯而易見。須了解在不改變本揭露內容的原理的情況下，能依不同的順序（或同時） 執行一方法中一或更多的步驟。再者，雖然前文中將每一實施例描述為具有某些特徵，但所述之關於本揭露內容之任一實施例的該等特徵的任一或更多者可在任何其他實施例中實行、及/或可與任何其他實施例的特徵組合，即使未明確地描述該組合。換句話說，所描述的實施例並非係互相排斥的，且一或更多實施例之間互相的置換仍屬於本發明的範疇。
元件之間（例如，模組、電路元件、半導體層…等之間）空間的、及功能的關係係使用各種用語而描述，包含「連接」、「嚙合」、「耦接」、「相鄰」、「接近」、「在頂部上」、「之上」、「之下」、以及「設置」。除非明確地描述成係「直接」的，否則當在以上揭露內容中描述第一及第二元件之間的關係時，該關係可為在第一及第二元件之間沒有其他中間元件存在的直接關係，也可為在第一及第二元件之間存在一或更多中間元件（空間上、或功能上）的間接關係。如在此使用的文字「A、B和C其中至少一者」應解釋為使用非互斥邏輯符號OR的邏輯（A or B or C），且不應解釋為代表「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
在一些實施例中，控制器為系統的一部分，其可為前述範例之一部分。此種系統可包含半導體處理設備，其包括：處理工具（或複數處理工具）、腔室（或複數腔室）、用以處理的工作台（或複數工具台）、及/或特定處理元件（例如晶圓基座、氣流系統等）。這些系統可與電子裝置結合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、與之後，控制系統的操作。該等電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統（或複數系統）的各種元件或子部件。根據製程要求及/或系統的類型，可將控制器編程式，以控制本文中揭露之任何處理，包括處理氣體的輸送、溫度設定（例如加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、定位與操作設定、進出工具及連接至特定系統或與特定系統介接的其他傳送工具及/或負載鎖室之晶圓傳送。
廣泛而言，可將控制器定義為具有接收指令、發送指令、控制操作、允許清潔操作、允許終點量測等之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。該積體電路可包含儲存程式指令的韌體形式之晶片、數位信號處理器（DSPs）、定義為特殊應用積體電路（ASICs）之晶片、及/或執行程式指令（例如軟體）之一或更多的微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定（或程式檔案）之形式與控制器通訊的指令，其定義用以在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定製程的操作參數。在一些實施例中，該操作參數可為由製程工程師所定義之配方的部分，該配方係用以在一或更多的層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓之晶粒的製造期間，完成一或更多的處理步驟。
在一些實施例中，控制器可為電腦的部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、或透過網路連接至系統、或上述之組合。舉例而言，控制器係可位於「雲端」（in the “cloud”）、或為晶圓廠主機電腦系統的全部或部分，其可允許晶圓處理之遠端存取。該電腦能達成對該系統之遠端存取，以監視製造操作之目前製程、查看過去製造操作之歷史、查看來自多個製造操作之趨勢或性能指標，來改變目前處理之參數，以設定處理步驟來接續目前的處理、或開始新的製程。在一些範例中，遠端電腦（例如伺服器）可透過網路提供製程配方至系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含可達成參數及/或設定之輸入或編程的使用者介面，該等參數或設定接著自該遠端電腦傳送至該系統。在一些範例中，控制器接收資料形式之指令，在一或更多的操作期間，其針對待執行的處理步驟之每一者而指定參數。應瞭解，該等參數可特定於待執行之製程的類型、及工具（控制器係配置成透過介面與該工具接合或控制該工具）的類型。因此，如上所述，控制器可分散，例如藉由包含一或更多的分離的控制器，其透過網路連接在一起並朝共同的目標而作業，例如本文所述之製程及控制。用於此類用途的分開之控制器的範例可為腔室上之一或更多的積體電路，其與位於遠端（例如為平台等級、或為遠端電腦的部分）之一或更多的積體電路連通，其結合以控制該腔室上的製程。
例示性系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、潔淨腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積（PVD）腔室或模組、化學氣相沉積（CVD）腔室或模組、原子層沉積（ALD）腔室或模組、原子層蝕刻（ALE）腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室或模組、及可與半導體晶圓之製造及/或生產有關或用於其中的任何其他半導體處理系統，但不限於此。
如上所述，依據待由工具執行之製程步驟（或複數製程步驟），控制器可與下列一或多者通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具、其他工具介面、牽引工具、鄰近工具、遍及工廠的工具、主要電腦、另一控制器、或將晶圓之容器帶往或帶離半導體製造廠中的工具位置及/或載入埠的用於材料傳送之工具。
100‧‧‧系統
102‧‧‧處理腔室
104‧‧‧上電極
106‧‧‧基板支撐件
108‧‧‧基板
109‧‧‧噴淋頭
110‧‧‧底板
112‧‧‧加熱板
114‧‧‧熱阻層
116‧‧‧冷卻劑通道
120‧‧‧RF產生系統
122‧‧‧RF電壓產生器
124‧‧‧匹配與分配網路
130‧‧‧第一氣體輸送系統
132‧‧‧氣體來源
133‧‧‧氣體來源
134-1‧‧‧閥
134-2‧‧‧閥
134-3‧‧‧閥
136-1‧‧‧質量流量控制器（MFC）
136-2‧‧‧MFC
136-3‧‧‧MFC
137‧‧‧混合歧管
138‧‧‧遠程電漿源（RPS）
141‧‧‧氣體輸送系統
142‧‧‧溫度控制器
144‧‧‧複數熱控制單元（TCE）
146‧‧‧冷卻劑組件
150‧‧‧閥
152‧‧‧泵浦
160‧‧‧系統控制器
250‧‧‧方法
252‧‧‧方塊
258‧‧‧方塊
262‧‧‧方塊
272‧‧‧方塊
276‧‧‧方塊
300‧‧‧清潔製程
310‧‧‧清潔製程
320‧‧‧清潔製程
330‧‧‧清潔製程
340‧‧‧清潔製程
從實施方式章節及隨附圖式，將能更完整地理解本揭露內容，其中：
圖1為用於處理基板之基板處理系統的範例的功能性方塊圖，並可在該系統中執行根據本揭露內容之腔室清潔製程。
圖2為說明執行根據本揭露內容之腔室清潔製程之方法的範例的流程圖。
圖3為在清潔時段期間RPS電漿、原位電漿、RPS及旁路的NF3
氣體的供給以及腔室壓力之時序圖的範例。
圖4為一圖表，其說明在根據先前技術及本揭露內容之清潔製程期間對位於處理腔室內的樣本測量之蝕刻速率改善的範例。
圖5為一圖表，其說明在根據先前技術及本揭露內容之清潔製程期間對位於處理腔室內的樣本測量之蝕刻速率百分比增長的範例。
圖6為一圖表，其說明對於根據先前技術及本揭露內容之腔室清潔製程之縮減清潔時段的範例。
在該等圖式中，參考數字可重複使用來標示相似及/或相同的元件。
Claims (19)
- 一種用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，包括： 供給三氟化氮（NF3 ）氣體至一遠程電漿源（RPS）； 使用該RPS產生RPS電漿； 將該 RPS電漿供給至該處理腔室； 將NF3 氣體作為旁路氣體供給至該處理腔室； 於該處理腔室中點燃原位電漿，且同時供給該RPS電漿；及 使用該RPS電漿及該原位電漿兩者在一清潔時段期間清潔該處理腔室。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，更包含在該清潔時段之後熄滅該原位電漿以及不供給該RPS電漿至該處理腔室。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該基板處理系統執行化學氣相沉積（CVD）。
- 如申請專利範圍第3項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該基板處理系統使用氧化物前驅物氣體將二氧化矽（SiO2 ）沉積在一基板上。
- 如申請專利範圍第4項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該氧化物前驅物氣體包含四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate，TEOS）氣體。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該基板處理系統執行原子層沉積（ALD）。
- 如申請專利範圍第6項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該基板處理系統使用氧化物前驅物氣體沉積二氧化矽（SiO2 ）。
- 如申請專利範圍第7項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該氧化物前驅物氣體包含四乙基正矽酸鹽（tetraethyl orthosilicate，TEOS）氣體。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中使用在從500瓦至3000瓦的範圍中的RF功率產生該原位電漿。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中使用在從1000瓦至2000瓦的範圍中的RF功率產生該原位電漿。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中使用在從1400瓦至1600瓦的範圍中的RF功率產生該原位電漿。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中至該RPS的氣體流率係在針對在該方法期間之腔室操作參數最有效率的流率的90%至110%的範圍之內。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中至該RPS的氣體流率係在針對在該方法期間之腔室操作參數最有效率的流率的95%至105%的範圍之內。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中NF3 氣體至該RPS的氣體流率係在從10至12 slm的範圍中。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中NF3 氣體至該處理腔室的氣體流率係在從3至5 slm的範圍中。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，更包含： 在該清潔時段的一第一部分期間在該處理腔室中維持一第一壓力；及 在該清潔時段的一第二部分期間在該處理腔室中維持與該第一壓力不同之一第二壓力。
- 如申請專利範圍第16項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，其中該第一壓力係在從2至4托的範圍中，且該第二壓力係在從0.5至2托的範圍中。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，更包含在該清潔時段期間將基板支撐件的溫度維持在350℃與650℃的範圍中。
- 如申請專利範圍第1項之用以清潔一基板處理系統的一處理腔室的方法，更包含在該清潔時段期間將基板支撐件的溫度維持在445℃與550℃的範圍中。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| TW107113794A TW201945087A (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 使用並行的原位及遠程電漿源之快速腔室清潔 |
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2018
- 2018-04-24 TW TW107113794A patent/TW201945087A/zh unknown
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