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TW201925350A - 有機聚矽氧烷組成物、以及由其製作之半硬化物及硬化物 - Google Patents

有機聚矽氧烷組成物、以及由其製作之半硬化物及硬化物 Download PDF

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TW201925350A
TW201925350A TW107138503A TW107138503A TW201925350A TW 201925350 A TW201925350 A TW 201925350A TW 107138503 A TW107138503 A TW 107138503A TW 107138503 A TW107138503 A TW 107138503A TW 201925350 A TW201925350 A TW 201925350A
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TW107138503A
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吉武誠
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日商道康寧東麗股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種矽氫化反應性組成物、以及使用該矽氫化反應性組成物獲得之半硬化物及硬化物，前述矽氫化反應性組成物於常溫下具有充分之使用壽命，並且可藉由照射高能量線而低溫硬化，硬化中途之半硬化物穩定。本發明之組成物含有：(A)一分子中含有至少一個脂肪族不飽和一價烴基之化合物；(B)一分子中含有至少兩個鍵結於矽原子之氫原子之化合物；(C)第一矽氫化觸媒，其不照射高能量線之情況下於組成物中顯示活性；及(D)第二矽氫化觸媒，其若不照射高能量線則不顯示活性，但藉由照射高能量線而於組成物中顯示活性。

Description

有機聚矽氧烷組成物、以及由其製作之半硬化物及硬化物
本發明係關於一種可藉由矽氫化反應而硬化之有機聚矽氧烷組成物、以及由其製作之半硬化物及硬化物。
矽酮材料因具有耐熱性、耐化學品性、電絕緣性等優異性能而被用於各種用途。矽酮材料可形成於塑膠、金屬、玻璃、陶瓷、紙、木材等各種基材上，用途亦涉及日用品、醫療用品、電子製品等多方面。矽酮材料通常藉由使有機聚矽氧烷利用矽氫化反應進行交聯而獲得。矽氫化反應時，就作業性等觀點而言，通常使用藉由熱而活化之過渡金屬錯合物觸媒。但是，於熱塑性樹脂膜等基材上形成矽酮材料時，無法使基材成為高溫，因此使用藉由照射紫外線等高能量線而活化之觸媒（專利文獻1）。
但是，對於使用高能量線活化觸媒之有機聚矽氧烷組成物，即便照射高能量線亦不立即硬化，為了以短時間硬化，多數情況下需要加熱，若為了以短時間硬化而增加觸媒量，則有硬化物發生著色之問題，另外，若以低觸媒量於低溫下硬化，則有硬化反應未完成，提供機械強度低之硬化物之問題。另一方面，為了使用藉由熱而活化之觸媒，以短時間完成低溫下之硬化，必須增加觸媒量，除硬化著色之問題以外，亦有增黏非常快，常溫下之使用壽命變短之問題。另一方面，若以低觸媒量於低溫下硬化，則有硬化反應未完成，提供機械強度低之硬化物之問題。
另外，欲藉由階段性地進行矽氫化反應，而穩定地獲得處於硬化中途之增黏體或熱塑體時，若僅為藉由熱而活化之觸媒，則為了硬化而必須於高溫下進行反應，另一方面，若僅為高能量線活化觸媒，則有無法控制第一階段之矽氫化反應而進行，難以穩定地獲得增黏體或熱塑體之問題。
進而，若為高能量線活化觸媒，則僅有經高能量線照射之部分發生硬化，因此有實際應用時高能量線之照射被遮蔽之部分不硬化之問題。
習知技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開平5-239216號公報
發明所欲解決之課題
因此，本發明之目的在於提供一種於常溫下具有充分之使用壽命，並且可藉由照射高能量線而低溫硬化之組成物，所獲得之硬化中途之增黏體或熱塑體穩定且硬化後之作業性良好。
解決問題之技術手段
本發明之組成物含有：(A)一分子中含有至少一個脂肪族不飽和一價烴基之化合物；(B)一分子中含有至少兩個鍵結於矽原子之氫原子之化合物；(C)第一矽氫化觸媒，其不照射高能量線之情況下於組成物中顯示活性；及(D)第二矽氫化觸媒，其若不照射高能量線則不顯示活性，但藉由照射高能量線而於組成物中顯示活性。
較佳為前述高能量線為選自紫外線、X射線、或電子束中之任一者。另外，較佳為前述(A)成分或(B)成分之至少一成分為有機聚矽氧烷。
較佳為前述(A)成分為以下述平均組成式(1)表示之有機聚矽氧烷：
R1 a R2 b SiO(4-a-b)/2 (1)
（式中，R1 為碳數2至12之烯基，R2 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基，a及b為滿足以下之條件：1≦a＋b≦3及0.001≦a/(a＋b)≦0.33之數），
前述(B)成分為以下述平均組成式(2)表示之有機聚矽氧烷：
Hc R3 d SiO(4-c-d)/2 (2)
（式中，R3 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基，c及d為滿足以下之條件：1≦c＋d≦3及0.01≦c/(c＋d)≦0.33之數）。
進而，較佳為前述(B)成分為以下述平均單元式(3)表示之有機氫聚矽氧烷：
(HR4 2 SiO1/2 )e (R4 3 SiO1/2 )f (HR4 SiO2/2 )g (R4 2 SiO2/2 )h (HSiO3/2 )i (R4 SiO3/2 )j (SiO4/2 )k (R5 O1/2 )l (3)
（式中，R4 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基，R5 為氫原子或碳數1至6之烷基，e、f、g、h、i、j、k及l為滿足以下之條件之數：e＋f＋g＋h＋i＋j＋k＝1、0≦l≦0.1、0.01≦e＋g＋i≦0.2、0.01≦e≦0.6、0.01≦g≦0.6、0≦i≦0.4、0.01≦e＋f≦0.8、0.01≦g＋h≦0.8、0≦i＋j≦0.6）。
較佳為前述(C)成分與前述(D)成分之莫耳比((C)/(D))為0.001至1000。另外，較佳為前述(C)成分為選自如下所述之過渡金屬錯合物觸媒中至少1種，前述過渡金屬錯合物觸媒係選自鉑、鈀、銠、鎳、銥、釕、鐵錯合物，較佳為前述(D)成分為選自(經取代及未經取代之環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、三甲基鉑(IV)β-二酮酸鹽、鉑(II)雙(β-二酮酸鹽)中之至少1種。
本發明之另一形態之發明係關於一種半硬化物，其係藉由使前述組成物在不照射高能量線之情況下進行第一矽氫化反應而獲得。
進而，本發明之另一形態之發明係關於一種硬化物，其係藉由對前述半硬化物照射高能量線而獲得。
發明效果
本發明之組成物於常溫下具有充分之使用壽命，並且可以高能量線照射為起點而低溫硬化，從而穩定地提供硬化中途之增黏體或熱塑體，且即便是高能量線之照射被遮蔽之部分，只要花費時間則亦可硬化。
（組成物）
本發明之組成物含有下述(A)至(D)成分。以下，依序進行說明。
(A)成分
本發明之組成物含有一分子中含有至少一個脂肪族不飽和一價烴基之化合物（(A)成分）。(A)成分係含有在矽氫化反應時，供矽氫基(-SiH)加成之脂肪族不飽和一價烴基之化合物。作為(A)成分之例子，可列舉具有烯基之直鏈或支鏈狀之有機聚矽氧烷、含有烯基之聚醚、含有烯基之聚烯烴及含有烯基之聚酯。該等之中，較佳為具有下述之平均組成式(1)之有機聚矽氧烷。
R1 a R2 b SiO(4-a-b)/2 (1)
通式(1)中，R1 為碳數2至12之烯基。具體而言，可列舉乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十一碳烯基、十二碳烯基，該等之中，較佳為乙烯基、烯丙基或己烯基。R2 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基。碳數1至12之一價烴基之一部分氫原子亦可由鹵素原子或羥基取代。作為碳數1至12之一價烴基之例子，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基等芳基；苄基、苯乙基、萘基乙基、萘基丙基、蒽基乙基、菲基乙基、芘基乙基等芳烷基；及該等芳基或芳烷基之氫原子由甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代而成之基。
a及b為滿足以下之條件：1≦a＋b≦3及0.001≦a/(a＋b)≦0.33之數，較佳為滿足以下之條件：1.5≦a＋b≦2.5及0.005≦a/(a＋b)≦0.2之數。其原因在於，若a＋b為1以上，則硬化物之柔軟性變高，另一方面，若a＋b為3以下，則硬化物之機械強度變高。另外，其原因在於，若a/(a＋b)為0.001以上，則硬化物之機械強度變高，另一方面，若為0.33以下，則硬化物之柔軟性變高。
作為此種有機聚矽氧烷之分子結構，可例示直鏈狀、支鏈狀或環狀。有機聚矽氧烷亦可為具有此種分子結構之一種或兩種以上之化合物之混合物。
作為此種(A)成分，較佳為以通式：R6 3 SiO(R6 2 SiO)m1 SiR6 3
表示之直鏈狀有機聚矽氧烷以及/或者以平均單元式：
(R6 SiO3/2 )g1 (R6 2 SiO2/2 )h1 (R6 3 SiO1/2 )i1 (SiO4/2 )j1 (XO1/2 )k1
表示之支鏈狀有機聚矽氧烷。式中，各R6 獨立地為未經取代或經鹵素取代之一價烴基，可例示與前述相同之基。其中，一分子中，至少2個R6 為烯基。作為該烯基，較佳為乙烯基。另外，就所獲得之硬化物之光之折射、反射、散射等所致之衰減小而言，一分子中，全部R6 之至少30莫耳%為芳基，較佳為至少40莫耳%為芳基。作為該芳基，較佳為苯基。另外，式中，m1為5至1,000之範圍內之整數。另外，式中，g1為正數，h1為0或正數，i1為0或正數，j1為0或正數，k1為0或正數，且h1/g1為0至10之範圍內之數，i1/g1為0至5之範圍內之數，j1/(g1＋h1＋i1＋j1)為0至0.3之範圍內之數，k1/(g1＋h1＋i1＋j1)為0至0.4之範圍內之數。
(B)成分
(B)成分係一分子中含有至少兩個鍵結於矽原子之氫原子之化合物，且係含有在矽氫化反應時，對前述(A)成分中之脂肪族不飽和基進行加成之矽氫基(-SiH)之化合物。作為(B)成分，較佳為具有下述平均組成式(2)之有機聚矽氧烷。
Hc R3 d SiO(4-c-d)/2 (2)
通式(2)中，R3 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基。碳數1至12之一價烴基之一部分氫原子亦可由鹵素原子或羥基取代。作為碳數1至12之一價烴基之例子，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基等芳基；苄基、苯乙基、萘基乙基、萘基丙基、蒽基乙基、菲基乙基、芘基乙基等芳烷基；及該等芳基或芳烷基之氫原子由甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代而成之基。作為烷氧基之例子，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基等。
C及d為滿足以下之條件：1≦c＋d≦3及0.01≦c/(c＋d)≦0.33之數，較佳為滿足以下之條件：1.5≦c＋d≦2.5及0.05≦c/(c＋d)≦0.2之數。其原因在於，若c＋d為1以上，則硬化物之柔軟性變高，另一方面，若為3以下，則硬化物之機械強度變高。另外，其原因在於，若c/(c＋d)為1.5以上，則硬化物之機械強度變高，另一方面，若為2.5以下，則硬化物之柔軟性變高。
具有前述通式(2)所記載之平均組成式之有機聚矽氧烷之黏度並無限定，較佳為25℃下之黏度為0.5至10,000 mPa･s之範圍內，尤佳為1至1,000 mPa･s之範圍內。
作為此種具有所述通式(2)所記載之平均組成式之有機聚矽氧烷，可例示1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、三(二甲基氫矽氧基)甲基矽烷、三(二甲基氫矽氧基)苯基矽烷、1-(3-縮水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,5-二(3-縮水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1-(3-縮水甘油氧基丙基)-5-三甲氧基矽乙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、分子鏈兩末端由三甲基矽氧基封端之甲基氫聚矽氧烷、分子鏈兩末端由三甲基矽氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端由二甲基氫矽氧基封端之二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端由二甲基氫矽氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端由三甲基矽氧基封端之甲基氫矽氧烷-二苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端由三甲基矽氧基封端之甲基氫矽氧烷-二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、三甲氧基矽烷之水解縮合物、由(CH3 )2 HSiO1/2 單元與SiO4/2 單元構成之共聚物、由(CH3 )2 HSiO1/2 單元、SiO4/2 單元以及(C6 H5 )SiO3/2 單元構成之共聚物以及該等之2種以上之混合物。
作為具有前述通式(2)所記載之平均組成式之有機聚矽氧烷，進而亦可例示如下之有機聚矽氧烷。另外，式中Me、Ph分別表示甲基、苯基，m2為1至100之整數，n2為1至50之整數，b2、c2、d2、e2分別為正數，其中，一分子中之b2、c2、d2、e2之合計為1。
HMe2 SiO(Ph2 SiO)m2 SiMe2 H
HMePhSiO(Ph2 SiO)m2 SiMePhH
HMePhSiO(Ph2 SiO)m2 (MePhSiO)n2 SiMePhH
HMePhSiO(Ph2 SiO)m2 (Me2 SiO)n2 SiMePhH
(HMe2 SiO1/2 )b2 (PhSiO3/2 )c2
(HMePhSiO1/2 )b2 (PhSiO3/2 )c2
(HMePhSiO1/2 )b2 (HMe2 SiO1/2 )c2 (PhSiO3/2 )d2
(HMe2 SiO1/2 )b2 (Ph2 SiO2/2 )c2 (PhSiO3/2 )d2
(HMePhSiO1/2 )b2 (Ph2 SiO2/2 )c2 (PhSiO3/2 )d2
(HMePhSiO1/2 )b2 (HMe2 SiO1/2 )c2 (Ph2 SiO2/2 )d2 (PhSiO3/2 )e2
前述(B)成分進而較佳為以下述通式(3)所記載之平均單元式表示之有機氫聚矽氧烷。
(HR4 2 SiO1/2 )e (R4 3 SiO1/2 )f (HR4 SiO2/2 )g (R4 2 SiO2/2 )h (HSiO3/2 )i (R4 SiO3/2 )j (SiO4/2 )k (R5 O1/2 )l (3)
通式(3)中，R4 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基。關於碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基，與前述相同。R5 為氫原子或碳數1至6之烷基，作為碳數1至6之烷基，可例示甲基、乙基、丙基、丁基、己基等。e、f、g、h、i、j、k及l為滿足以下之條件之數：e＋f＋g＋h＋i＋j＋k＝1、0≦l≦0.1、0.01≦e＋g＋i≦0.2、0≦e≦0.6、0≦g≦0.6、0≦i≦0.4、0.01≦e＋f≦0.8、0.01≦g＋h≦0.8、0≦i＋j≦0.6。
再者，前述「HR4 2 SiO1/2 」、「R4 3 SiO1/2 」、「HR4 SiO2/2 」、「R4 2 SiO2/2 」、「HSiO3/2 」、「R4 SiO3/2 」及「SiO4/2 」之各結構單元分別為稱作MH 單元，M單元、DH 單元、D單元、TH 單元、T單元、Q單元之有機氫聚矽氧烷之部分結構之單元，「R5 O1/2 」為與D單元、DH 單元、T單元、TH 單元、或Q單元中之氧原子鍵結之基，意指有機聚矽氧烷中之鍵結矽原子之羥基(Si-OH)或有機聚矽氧烷製造中未反應而殘留之鍵結矽原子之烷氧基。MH 單元主要存在於有機氫聚矽氧烷之分子鏈末端，DH 單元存在於有機氫聚矽氧烷之分子鏈中。
相對於(A)成分中之烯基之合計1莫耳，(B)成分之含量為本成分中之鍵結矽原子之氫原子在0.1至5莫耳之範圍內之量，較佳為0.5至2莫耳之範圍內之量。其原因在於，若(B)成分之含量為上述範圍之下限以上，則硬化物之機械強度變高，另一方面，若為上述範圍之上限以下，則硬化物之柔軟性變高。
(C)成分
(C)成分係不照射高能量線之情況下於組成物中顯示活性之第一矽氫化觸媒。(C)成分係用以使本組成物半硬化之矽氫化反應用觸媒。再者，所謂「半硬化」，意指於室溫下具有流動性之增黏體或於室溫下為非流動性但於100℃下顯示流動性之熱塑體。此處，所謂增黏體，意指25℃下之黏度為組成物之初始黏度之1.5倍至100倍之間。另外，所謂熱塑體，意指100℃下之黏度為1,000,000 mPa･s以下。
作為第一矽氫化觸媒之例子，可列舉鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒、鎳系觸媒、銥系觸媒、釕系觸媒、及鐵系觸媒，較佳為鉑系觸媒。作為該鉑系觸媒，可例示鉑微粉末、鉑黑、擔載有鉑之二氧化矽微粉末、擔載有鉑之活性碳、氯鉑酸、氯鉑酸之醇溶液、鉑之烯烴錯合物、鉑之烯基矽氧烷錯合物等鉑系化合物，尤佳為鉑之烯基矽氧烷錯合物。作為該烯基矽氧烷，可例示1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、該等烯基矽氧烷之一部分甲基由乙基、苯基等取代而成之烯基矽氧烷、該等烯基矽氧烷之乙烯基由烯丙基、己烯基等取代而成之烯基矽氧烷。尤其是，就該鉑-烯基矽氧烷錯合物之穩定性良好而言，較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。另外，就可提高該鉑-烯基矽氧烷錯合物之穩定性而言，較佳為於該錯合物中添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等烯基矽氧烷、二甲基矽氧烷低聚物等有機矽氧烷低聚物，尤佳為添加烯基矽氧烷。
(C)成分之觸媒係不照射高能量線之情況下顯示活性之觸媒，其中較佳為於相對較低溫下亦顯示活性之觸媒。具體而言，於0至200℃之溫度範圍內於組成物中顯示活性，促進矽氫化反應。(C)成分之含量根據觸媒之種類及組成物之種類而不同，通常相對於組成物，該觸媒中之金屬原子以質量單位計成為0.01至50 ppm之範圍內之量，較佳為成為0.1至30 ppm之範圍內之量。
(D)成分
(D)成分係若不照射高能量線則不顯示活性，但藉由照射高能量線而於組成物中顯示活性之第二矽氫化觸媒。(D)成分稱作所謂高能量線活化觸媒或光活化觸媒，本案技術領域中為公知。
此處，所謂高能量線，係指紫外線、γ射線、X射線、α射線、電子束等，較佳為紫外線、X射線、及自市售之電子束照射裝置照射之電子束。工業上，可簡便地使用波長280至380 nm之範圍之紫外線。另外，照射量根據高能量線活性型觸媒而不同，為紫外線時，較佳為波長365 nm下之累計照射量為100 mJ/cm2 至10 J/cm2 之範圍內。
作為(D)成分之具體例，可列舉(甲基環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、(環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、(1,2,3,4,5-五甲基環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、(環戊二烯基)二甲基乙基鉑(IV)、(環戊二烯基)二甲基乙醯鉑(IV)、(三甲基矽基環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、(甲氧基羰基環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、(二甲基苯基矽基環戊二烯基)三甲基環戊二烯基鉑(IV)、三甲基(乙醯丙酮酸)鉑(IV)、三甲基(3,5-庚二酮酸)鉑(IV)、三甲基(甲基乙醯乙酸)鉑(IV)、雙(2,4-戊二酮酸)鉑(II)、雙(2,4-己二酮酸)鉑(II)、雙(2,4-庚二酮酸)鉑(II)、雙(3,5-庚二酮酸)鉑(II)、雙(1-苯基-1,3-丁二酮酸)鉑(II)、雙(1,3-二苯基-1,3-丙二酮酸)鉑(II)、雙(六氟乙醯丙酮酸)鉑(II)，該等之中，就通用性及獲取之容易性之方面而言，較佳為(甲基環戊二烯基)三甲基鉑(IV)及雙(2,4-戊二酮酸)鉑(II)。
(D)成分之含量係使藉由(C)成分半硬化之組成物進一步硬化所需之量，較佳為相對於本組成物，該觸媒中之金屬原子以重量單位計在1至50 ppm之範圍內之量，較佳為5至30 ppm之範圍內之量。
(C)成分與(D)成分之莫耳比((C)/(D))通常為0.001至1000，較佳為0.01至100。其原因在於，若莫耳比為前述上限以下，則可藉由照射高能量線而使硬化反應加速，若莫耳比為前述下限以上，則可以短時間於低溫下進行硬化反應。
本發明中所使用之有機聚矽氧烷組成物亦可不含矽氫化反應抑制劑。其原因在於，通常為了延長組成物之適用期(pot life)獲得穩定之組成物，而於組成物中添加矽氫化反應抑制劑。但是，本發明中，即便不添加矽氫化反應抑制劑，亦可獲得穩定之組成物，另外，較佳為不會因添加矽氫化反應抑制劑而導致硬化反應變慢。含有矽氫化反應抑制劑時，可包含2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇等炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷、苯并三唑等所例示之化合物。
(E)成分
視需要，於本發明中所使用之有機聚矽氧烷組成物中添加其他有機聚矽氧烷、接著性賦予劑、二氧化矽、玻璃、氧化鋁、氧化鋅等無機質填充劑；聚甲基丙烯酸酯樹脂等有機樹脂微粉末；螢光體、耐熱劑、染料、顏料、阻燃性賦予劑、溶劑等。添加量及添加方法對業者而言為公知。
本組成物可藉由將(A)成分至(D)成分、視需要之其他任意成分均勻地混合而製備。製備本組成物時，可使用各種攪拌機或混練機，於常溫下進行混合，視需要亦可於加熱下進行混合。另外，關於各成分之調配順序，亦無限定，可按照任意之順序進行混合。
本發明之組成物例如亦可藉由一面將(A)至(C)成分於80℃至120℃之溫度範圍內進行加熱混練，一面添加混合(D)成分而製備。前述溫度範圍內，組成物整體軟化，可使(D)成分整體均勻分散，因此尤其有在片等之成型時可避免硬化不良及接著時之部分凝聚破壞之實際利益。另一方面，若溫度未達前述下限，則有時軟化不充分，即便使用機械力，亦難以使(D)成分整體均勻分散。反之，若溫度超過前述上限，則有時(D)成分在混合時反應，整體發生顯著之增黏或硬化，因此欠佳。本製造方法中所使用之粉體混合機並無限定，可例示單軸或雙軸之連續混合機、雙輥研磨機、羅斯混合機(Ross mixer)、霍巴特混合機(Hobart mixer)、牙科混合機(dental mixer)、行星式混合機(planetary mixer)、捏合混合機(kneader mixer)、粉碎研磨機(Labo Milser)、小型粉碎機、亨舍爾混合機(Henschel mixer)，較佳為粉碎研磨機、小型粉碎機、亨舍爾混合機。
本組成物可製成於同一容器中調配所有成分之一液型(One-pack type)組成物，結合保存穩定性，亦可製成於使用時混合之二液型(Two-pack type)組成物。
（半硬化物）
本發明之另一形態係關於一種半硬化物，其係使前述組成物在不照射高能量線之狀態下進行第一矽氫化反應而獲得。
關於第一矽氫化反應，有時亦可於未達150℃、較佳為未達125℃、進而較佳為未達100℃之溫度下，將前述組成物進行加熱，促進第一矽氫化反應。加熱時間亦取決於組成物中之各成分之種類及調配量，但通常為0.2至4小時，較佳為0.5至2小時。
藉由上述步驟，組成物成為半硬化物。所謂半硬化物，意指如上所述於室溫下具有流動性之增黏體或於室溫下為非流動性但於100℃下顯示流動性之熱塑體。增黏體及熱塑體之含義如上所述。
（硬化物）
硬化物係藉由對前述半硬化物照射高能量線，進行第二矽氫化反應而獲得。高能量線之種類如上所述。照射量根據高能量線活性型觸媒之種類而不同，為紫外線時，較佳為365 nm下之累計照射量為100 mJ/cm2 至10 J/cm2 之範圍內。
本發明之硬化物可用作各種材料。此處，所謂硬化物，意指即便加熱至200℃以上亦不流動。該硬化物之硬度並無特別限定，通常為針入度為70以下之凝膠狀至蕭氏D硬度為80之樹脂。
藉由本發明之方法所形成之硬化物顯示優異之物性，尤其是機械強度優異。另外，本發明之方法由於經過穩定之半硬化狀態而獲得硬化物，因此可用於接著劑、密封劑、感壓接著劑等各種用途。尤其是藉由本發明之方法所形成之硬化物由於透光性高，因此可用於圖像顯示裝置、照明裝置、受光元件等用途。
作為本硬化物之形成方法，例如可於膜狀基材、帶狀基材、或片狀基材塗敷本組成物後，藉由高能量線照射、室溫放置或低溫加熱而引起矽氫化反應，進行硬化。另外，有時將本組成物配置於兩個基材之間，使其硬化，從而使兩基材牢固地接著，有時於前述基材之至少一基材之表面平滑地塗佈本組成物，使其半硬化，而變得不流動後，使兩基材貼合，進一步進行硬化而牢固地接著。該硬化物之膜厚並無限定，較佳為1至100,000 µm，更佳為50至30,000 µm。
本組成物可於包括室溫之相對較低之溫度範圍（例如15至80℃之範圍）內進行硬化。另外，本組成物之硬化反應可藉由(C)成分中之觸媒金屬之濃度、前述矽氫化反應延遲劑之種類及含量，調節為期望的速度。
本組成物作為各種灌封劑、密封劑、接著劑/黏著劑有用，較佳為作為光學黏著劑/接著劑有用，尤其是作為顯示器用光學黏著劑/接著劑有用。本組成物之硬化物於高溫或高溫/高濕下著色少，不易產生渾濁，因此適合作為形成顯示器之圖像顯示部與保護部之間之中間層之材料。
本組成物並不限於液晶顯示器，可利用於例如有機EL（electroluminescence，電致發光）顯示器、電子紙顯示器、電漿顯示器等整個顯示器領域。關於此種領域中之本組成物之利用方法，將於後文進行敘述。
本組成物由於在相對較低溫下進行硬化，因此亦可應用於缺乏耐熱性之基材之塗佈。作為該基材之種類，通常為玻璃、合成樹脂膜/片/透明電極塗膜等透明基材。另外，作為本組成物之塗敷方法，可例示滴塗、凹版塗佈、微凹版塗佈、狹縫塗佈、狹縫式模嘴塗佈、網版印刷、模板印刷、刮刀塗佈(comma coat)。
另外，本發明之硬化物可較佳地用於製造積層體。積層體較佳為選自顯示裝置、電子零件或太陽電池模組中之至少1種，尤佳為光學顯示器等顯示裝置。
本發明之實施形態之光學顯示器藉由本發明之硬化性矽酮組成物之硬化物，對液晶/有機EL等之顯示部與觸控面板、保護蓋(cover lens)等顯示器形成構件之間或者顯示器形成構件之間進行黏接或黏著，從而可提高光學顯示器之能見度。
顯示器之圖像顯示面可為平坦（平面），亦可為曲面或彎曲之形狀。另外，光學顯示器可為陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器、或平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)。作為FPD，例如可列舉LCD（Liquid Crystal Display，液晶顯示器）、電致變色顯示器(ECD，Electrochromic Display)等受光型顯示裝置、或有機EL顯示器、無機EL顯示器等電場發光顯示器(ELD，Electroluminescent Display)、電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel)、表面傳導型電子發射元件顯示器(SED，Surface-conduction Electron-emitter Display)等電場發射型顯示器(FED，Field Emission Display)、LED（Light-Emitting Diode，發光二極體）顯示器等發光型顯示裝置。
以下，對本發明之實施形態中之積層體之製造方法進行說明。以下之製造方法中，所謂光學構件，係通常用作光學顯示器之構成構件之光學構件。更具體而言，光學構件例如可為透鏡（可為樹脂製或玻璃製）、光學片狀構件（包含彩色濾光片、偏光板、位相差板、視角擴大膜、增亮膜、反射片、透明導電性膜）、透明亦可之光學保護材（為透明保護材（透明保護膜）等，玻璃製、樹脂製或樹脂塗層）、前面顯示面板、觸控面板（玻璃製或樹脂製）、ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）或ATO（Antimony Tin Oxide，氧化銻錫）膜等透明電極層。當然，亦可於顯示面板或觸控面板表面進而具備光學保護材。另外，光學構件可為後述之包含發光層及顯示面（顯示面板）之背光單元本身，亦可為由光學構件全部獨立之積層構件構成之零件或觸控面板等顯示裝置內之模組，還可於該光學構件內進而具有由本硬化物構成之接著層15。亦即，光學構件之概念包括後述之圖像顯示面板、光學面板、前面面板、背光單元、觸控面板單元等。
本發明之一實施形態之積層體之製造方法包括：配置及貼合步驟，將上述組成物配置於兩個光學構件中至少一構件之一面或兩面，將前述兩個光學構件經由前述硬化性矽酮組成物而貼合；及硬化步驟，進行放置或加熱而進行前述組成物之矽氫化反應而使前述組成物硬化。
上述之配置步驟中，例如使用上述之塗敷方法將本組成物配置於構件上。上述之配置步驟中，亦可於一光學構件之一面配置本組成物。另外，配置於光學構件之兩面且未用於與其他光學構件之貼合之硬化物亦可作為接著面用於與剝離層、其他構件之接合。
另外，另一實施形態中，上述之配置步驟中，亦可於兩個光學構件之各自之一面配置本組成物。
上述之實施形態中，所謂「一面」，係與另一光學構件對向之面。
進而，另一實施形態中，上述之配置步驟中，亦可於位於上述一面之相反側的另一面配置本組成物。
上述之硬化步驟中，使本組成物於包括室溫(25℃)之低溫區域(15至80℃)進行硬化。再者，本發明之實施形態中，所謂「低溫」，係指例如15℃至80℃之溫度範圍。於15至80℃之溫度範圍內進行本組成物（包含半硬化物）之反應時，較佳地可於室溫附近（不進行加熱或冷卻而可達到之溫度範圍，尤其包括20至25℃之溫度區域）放置該組成物，亦可冷卻至室溫以下且15℃以上，還可加熱至室溫以上且80℃以下。
本發明之又一實施形態中之積層體之製造方法包括：配置步驟，將上述組成物配置於兩個光學構件中至少一構件之一面或兩面，使前述兩個光學構件經由前述硬化性矽酮組成物而貼合；及硬化步驟，通過透明基材照射高能量線後，進行放置或加熱而進行前述組成物之矽氫化反應而使前述組成物硬化。
上述之硬化步驟中，照射高能量線。藉此，獲得使本組成物硬化而成之本硬化物。高能量線如上所述，較佳為紫外線。
本發明之又一實施形態中之積層體之製造方法具有以下之步驟。
步驟i)：將本組成物配置於兩個光學構件中至少一構件之一面或兩面；
步驟ii)：對步驟i)中所配置之前述組成物進行高能量線照射，使該組成物成為非流動性之半硬化狀態；
步驟iii)：在步驟ii)之後，將前述兩個光學構件經由半硬化狀態之組成物而貼合；
步驟iv)：使步驟iii)中所貼合之前述兩個光學構件於15至80℃之溫度範圍內進行半硬化狀態之前述組成物之矽氫化反應，從而使前述組成物正式硬化。
上述之半硬化步驟中，對本組成物照射高能量線。藉此，獲得進行過矽氫化反應之半硬化物。
上述之正式硬化步驟中，使半硬化物於15至80℃之溫度範圍內進行硬化反應而正式硬化。藉此，獲得使半硬化物進一步硬化而成之本硬化物。
本發明之又一實施形態中之積層體之製造方法具有以下之步驟。
步驟i)：將上述之組成物配置於兩個光學構件中至少一構件之一面或兩面，且該步驟使用透明之光學構件作為至少一構件；
步驟ii)：使步驟i)中所配置之前述組成物於15至80℃之溫度範圍內進行前述組成物之矽氫化反應，使該組成物成為非流動性之半硬化狀態；
步驟iii)：在步驟ii)之後，使前述兩個光學構件經由半硬化狀態之前述組成物而貼合；
步驟iv)：針對步驟iii)中所貼合之前述兩個光學構件，通過前述透明之光學構件，對前述硬化性矽酮組成物進行高能量線照射後，於15至80℃之溫度範圍內進行半硬化狀態之前述組成物之矽氫化反應，從而使前述組成物正式硬化。
上述之半硬化步驟中，使本組成物於15至80℃之溫度範圍內進行反應。藉此，獲得進行過矽氫化反應之半硬化物。
上述之硬化步驟中，對半硬化物照射高能量線。藉此，獲得使半硬化物進一步硬化而成之本硬化物。
本組成物之硬化性優異，即便曝露於高溫高濕下，亦維持透明性，形成不易產生渾濁、著色之硬化物，因此作為光學顯示器等顯示裝置（包含觸控面板）、光半導體裝置（包含Micro LED）所使用之接著劑、黏著劑有用。進而，本組成物並不限於光學顯示器等，可無限制地利用於透明構件之貼合或填充，例如可用於太陽電池胞、複層玻璃（智慧型玻璃）、光波導、投影機透鏡（複層型透鏡、偏光/光學膜之貼合）等之接著層。
除此以外，本組成物由於硬化物之硬化收縮小，因此具有可抑制顯示器、光學構件之缺陷、顯現不均等顯示不良這一矽酮OCR之一般之優勢，此外，由於具備上述之柔軟之性質，因此對接著構件之追隨性高，且由於在經過一定時間後表現強接著力，因此可有效地抑制構件間之剝離，從而較佳地用於具有平面顯示面或彎曲顯示面之車載顯示器、利用上述之投影機透鏡之抬頭顯示器等之光學接著層。
實施例
由含有下述成分之組成物獲得硬化物。再者，各平均組成式中，Me及Vi分別表示甲基及乙烯基。
［實施例1］
製備含有以平均單元式：(Me2 ViSiO1/2 )0.044 (Me3 SiO1/2 )0.411 (SiO4/2 )0.545 表示之末端為乙烯基之支鏈聚矽氧烷(A-1)3.5重量份、以平均式：ViMe2 SiO(SiMe2 O)322 SiMe2 Vi表示之末端為乙烯基之直鏈聚矽氧烷(A-2)89.7重量份、以平均式：HMe2 SiO(SiMe2 O)10 SiMe2 H表示之直鏈聚矽氧烷(B-1)6.8重量份、以鉑原子計為5 ppm之鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(C-1)、及以鉑原子計為20 ppm之(甲基環戊二烯基)三甲基鉑(IV)(D-1)之組成物。組成物之黏度為1,800 mPa･s。製備組成物後，放置10分鐘，然後對增黏至黏度3,200 mPa･s之組成物，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下之紫外線照射量成為5000 mJ/cm2 之方式，照射2 W高壓水銀燈，然後立即測定黏度，結果確認到增黏至30,000 mPa･s以上，但保持流動性，且在紫外線照射後，5分鐘後發生凝膠化，變得不流動。硬化物之硬度針入度每隔10分鐘測定一次，結果確認到在紫外線照射後1小時內穩定化為固定之針入度32，硬化反應完成。
［實施例2］
製備含有3.5重量份之前述A-1、6.5重量份之前述A-2、82.4重量份之以平均組成式：平均式：ViMe2 SiO(SiMe2 O)535 SiMe2 Vi表示之末端為乙烯基之直鏈聚矽氧烷(A-3)、4.6重量份之前述B-1、以鉑原子計為10 ppm之前述C-1、以鉑量計為20 ppm之前述D-1之組成物。組成物之黏度為8,200 mPa･s。製備組成物後，放置10分鐘，然後對增黏至黏度14,000 mPa･s之組成物，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下之紫外線照射量成為2500 mJ/cm2 之方式，照射2 W高壓水銀燈，然後立即測定黏度，結果確認到增黏至50,000 mPa･s以上，但保持流動性，且在紫外線照射後，10分鐘後發生凝膠化，變得不流動。硬化物之硬度針入度每隔10分鐘測定一次，結果確認到在紫外線照射後1小時內穩定化為固定之針入度35，硬化反應完成。
［實施例3］
製備含有以平均單元式：(Me2 ViSiO1/2 )0.1 (Me3 SiO1/2 )0.4 (SiO4/2 )0.5 表示之末端為乙烯基之支鏈聚矽氧烷(A-4)55.7重量份、以平均單元式：(Me3 SiO1/2 )0.44 (SiO4/2 )0.56 表示之支鏈聚矽氧烷(E-1)13.3重量份、以平均式：ViMe2 SiO(SiMe2 O)160 SiMe2 Vi表示之末端為乙烯基之直鏈聚矽氧烷(A-3)1.7重量份、以平均式：HMe2 SiO(SiMe2 O)400 SiMe2 H表示之直鏈聚矽氧烷(B-2)24.6重量份、平均式：Me3 SiO(SiMe2 O)30 (SiMeHO)30 SiMe3 之直鏈聚矽氧烷(B-3)4.7重量份、以鉑原子計為0.2 ppm之前述C-1、及以鉑原子計為5 ppm之前述D-1之組成物。組成物之黏度為3,500 mPa･s。將組成物於90℃下加熱30分鐘，獲得於25℃下無流動性但於100℃下具有流動性之熱塑體。所獲得之熱塑體即便於25℃下保管2個月，亦不失去100℃下之流動性。對於該熱塑體，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下紫外線照射量成為2500 mJ/cm2 之方式，照射2 W高壓水銀燈，然後於120℃下加熱30分鐘，藉此獲得蕭氏A硬度80之硬化物。
［實施例4］
製備含有32.2重量份之前述A-4、28.5重量份之前述E-1、20.7重量份之前述A-3、15.7重量份之前述B-2、2.9重量份之前述B-3、以鉑原子計為0.1 ppm之前述C-1及以鉑原子計為5 ppm之前述D-1之組成物。組成物之黏度為2,800 mPa･s。將組成物於90℃下加熱30分鐘，獲得於25℃下無流動性但於100℃下具有流動性之熱塑體。所獲得之熱塑體即便於25℃下保管2個月，亦不失去100℃下之流動性。對於該熱塑體，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下紫外線照射量成為2500 mJ/cm2 之方式，照射2 W高壓水銀燈，然後於120℃下加熱30分鐘，藉此獲得蕭氏A硬度35之硬化物。
［實施例5］
調整含有以平均組成式：ViMe2 SiO(SiMePhO)36 SiMe2 Vi表示之末端為乙烯基之直鏈聚矽氧烷(A-5)93.6重量%、以平均組成式：(ViMe2 SiO1/2 )0.22(MeXSiO2/2 )0.12(PhSiO3/2 )0.66（式中，X表示縮水甘油氧基丙基)表示之含乙烯基之聚矽氧烷(A-6)1.0重量%、以分子式：Ph2 Si(OSiMe2 H)2 表示之直鏈狀聚矽氧烷(B-3)3.9重量%、以平均組成式：(HMe2 SiO1/2 )0.6 (PhSiO3/2 )0.4 表示之支鏈狀聚矽氧烷(B-4)1.3重量%、縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷0.2重量%、以鉑原子計為5 ppm之前述C-1及以鉑原子計為20 ppm之前述D-1之組成物。組成物之黏度為6,000 mPa･s。將組成物於25℃下放置10分鐘，結果獲得黏度為約12,000 mPa･s之增黏體。對於該增黏體，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下紫外線照射量為2500 mJ/cm2 之方式，照射2 W高壓水銀燈。照射紫外線後，於25℃-15分鐘後，組成物變化為無流動性之凝膠，於25℃-40分鐘後，獲得針入度為35之硬化物。
［比較例1］
製備含有3.5重量份之前述A-1、89.7重量份之前述A-2、6.8重量份之前述B-1、以鉑原子計為60 ppm之前述C-1之組成物。組成物之黏度為1,800 mPa･s。製備組成物後，立即將組成物放熱，在1分鐘後發生凝膠化，成為非流動性。硬化過快，無法製備針入度測定用之試驗體，硬化物亦著色成茶褐色。
［比較例2］
製備含有3.5重量份之前述A-1、89.7重量份之前述A-2、6.8重量份之前述B-1、以鉑原子計為20 ppm之前述D-1之組成物。組成物之黏度為1,800 mPa･s。製備組成物後，放置10分鐘，然後對黏度為1,800 mPas之固定黏度之組成物，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下之紫外線照射量成為5000 mJ/cm2 之方式，照射2 W高壓水銀燈，然後立即測定黏度，結果確認到增黏至3,200 mPa･s，且紫外線照射後，在1小時後亦不凝膠化，因此將組成物加熱至100℃，結果在30分鐘後漸漸地變得不流動。
［比較例3］
製備含有55.7重量份之前述A-4、13.3重量份之前述E-1、1.7重量份之前述A-3、24.6重量份之前述B-2、4.7重量份之前述B-及以鉑原子計為2 ppm之前述C-1之組成物。組成物之黏度為3,500 mPa･s。將組成物於90℃下加熱30分鐘，獲得蕭氏A硬度80之硬化物。另外，為了獲得更軟之硬化物，將上述組成物於50℃下加熱30分鐘，結果獲得蕭氏A硬度40之硬化物。但是，所獲得之硬化物不顯示高溫流動性，硬化物隨著時間經過而緩慢地增加硬度，於25℃下2週後，成為蕭氏A硬度75。
［比較例4］
製備含有32.2重量份之前述A-4、28.5重量份之前述E-1、20.7重量份之前述A-3、15.7重量份之前述B-2、2.9重量份之前述B-3、以鉑原子計為0.1 ppm之前述C-1及以鉑原子計為5 ppm之前述D-1之組成物。組成物之黏度為2,800 mPa･s。將組成物於90℃下加熱30分鐘，但於組成物未見任何變化。
［比較例5］
製備含有94.0重量份之前述A-2、4.1重量份之前述B-2、1.4重量份之前述B-3、以鉑原子計為5 ppm之前述C-1之組成物。組成物之黏度為2,100 mPa･s。組成物於25℃下30分鐘後發生凝膠化。
［比較例6］
調整含有93.6重量%之前述A-5、1.0重量%之前述A-6、3.9重量%之前述B-3、1.3重量%之前述B-4、0.2重量%之縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷及以鉑原子計為5 ppm之前述C-1之組成物。組成物之黏度為6,000 mPa･s。將組成物於25℃下放置10分鐘，結果獲得黏度為約12,000 mPa･s之增黏體。對於該增黏體，通過臭氧截止濾光片，以365 nm下紫外線照射量成為2500 mJ/cm2 之方式照射2 W高壓水銀燈。可知照射紫外線後，於25℃-60分鐘後，組成物漸漸地變化為無流動性之凝膠，但即便於25℃下經過2小時，針入度亦不持續降低，硬化反應未完成。
產業上之可利用性
本發明之組成物於常溫下具有充分之使用壽命，並且可藉由照射高能量線而低溫硬化，因此適合作為圖像顯示裝置之層間之接著劑、黏著劑。
無
無

Claims (13)

  1. 一種組成物，其含有： (A) 一分子中含有至少一個脂肪族不飽和一價烴基之化合物； (B) 一分子中含有至少兩個鍵結於矽原子之氫原子之化合物； (C) 第一矽氫化觸媒，其不照射高能量線之情況下於組成物中顯示活性；及 (D) 第二矽氫化觸媒，若不照射高能量線則不顯示活性，但藉由照射高能量線而於組成物中顯示活性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，高能量線為選自紫外線、γ射線、X射線、α射線、或電子束中之任一種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中，前述(A)成分或(B)成分之至少一成分為有機聚矽氧烷。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之組成物，其中，前述(A)成分為以下述平均組成式(1)表示之有機聚矽氧烷： R1 a R2 b SiO(4-a-b)/2 (1) （式中，R1 為碳數2至12之烯基，R2 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基，a及b為滿足以下之條件：1≦a＋b≦3及0.001≦a/(a＋b)≦0.33之數）， 所述(B)成分為以下述平均組成式(2)表示之有機聚矽氧烷： Hc R3 d SiO(4-c-d)/2 (2) （式中，R3 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基，c及d為滿足以下之條件：1≦c＋d≦3及0.01≦c/(c＋d)≦0.33之數）。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之組成物，其中，前述(B)成分為以下述平均單元式(3)表示之有機氫聚矽氧烷： (HR4 2 SiO1/2 )e (R4 3 SiO1/2 )f (HR4 SiO2/2 )g (R4 2 SiO2/2 )h (HSiO3/2 )i (R4 SiO3/2 )j (SiO4/2 )k (R5 O1/2 )l (3) （式中，R4 為選自不具有脂肪族不飽和鍵之碳數1至12之一價烴基、羥基及烷氧基中之基，R5 為氫原子或碳數1至6之烷基，e、f、g、h、i、j、k及l為滿足以下之條件之數：e＋f＋g＋h＋i＋j＋k＝1、0≦l≦0.1、0.01≦e＋g＋i≦0.2、0.01≦e≦0.6、0.01≦g≦0.6、0≦i≦0.4、0.01≦e＋f≦0.8、0.01≦g＋h≦0.8、0≦i＋j≦0.6）。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之組成物，其中，前述(C)成分與前述(D)成分之莫耳比((C)/(D))為0.001至1000。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之組成物，其中，前述(C)成分為選自如下所述之過渡金屬錯合物觸媒中至少1種，前述過渡金屬錯合物觸媒係選自鉑、鈀、銠、鎳、銥、釕、鐵錯合物。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之組成物，其中，前述(D)成分為選自(經取代及未經取代之環戊二烯基)三甲基鉑(IV)、三甲基鉑(IV)β-二酮酸鹽、鉑(II)雙(β-二酮酸鹽)中之至少1種。
  9. 一種半硬化物，其係藉由使申請專利範圍第1至8項中任一項所述之組成物在不照射高能量線之情況下進行第一矽氫化反應而獲得。
  10. 一種硬化物，其係藉由對申請專利範圍第9項所述之半硬化物照射高能量線而獲得。
  11. 一種積層體之製造方法，其具有以下之步驟： 步驟i)：將申請專利範圍第1至8項中任一項所述之組成物配置於兩個光學構件中至少一構件之一面或兩面； 步驟ii)：對步驟i)中所配置之前述組成物進行高能量線照射，使該組成物成為非流動性之半硬化狀態； 步驟iii)：在步驟ii)之後，將前述兩個光學構件經由半硬化狀態之前述硬化性矽酮組成物而貼合； 步驟iv)：使步驟iii)中所貼合之前述兩個光學構件於15至80℃之溫度範圍內進行半硬化狀態之前述組成物之矽氫化反應，從而使前述組成物正式硬化。
  12. 一種積層體之製造方法，其具有以下之步驟： 步驟i)：將前述申請專利範圍1至8項中任一項所述之組成物配置於兩個光學構件中至少一構件之一面或兩面，且使用透明之光學構件作為至少一構件； 步驟ii)：使步驟i)中所配置之前述組成物於15至80℃之溫度範圍內進行前述組成物之矽氫化反應，使該組成物成為非流動性之半硬化狀態； 步驟iii)：在步驟ii)之後，將前述兩個光學構件經由半硬化狀態之前述硬化性矽酮組成物而貼合； 步驟iv)：針對步驟iii)中所貼合之前述兩個光學構件，通過前述透明之光學構件，對前述硬化性矽酮組成物進行高能量線照射後，於15至80℃之溫度範圍內進行半硬化狀態之前述組成物之矽氫化反應，從而使前述組成物正式硬化。
  13. 如申請專利範圍第11或12項所述之積層體之製造方法，其中，積層體為光學顯示器。
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