TW201903846A - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明可使成膜後的膜的膜厚的基板面內均一性提升。 一種基板處理裝置，其係具有： 處理室，其係處理基板； 基板保持具，其係於前述處理室內保持前述基板； 旋轉機構，其係使前述基板保持具旋轉；及 控制部，其係控制前述旋轉機構來控制前述基板保持具的旋轉速度， 前述控制部，係被構成為：不變更預先被設定的每1旋轉的時間，以前述基板保持具的旋轉速度會在1旋轉內變化的方式控制前述旋轉機構。
Description
[0001] 本發明是有關基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式。
[0002] 隨著近年來的半導體裝置的高集成化･微細化，被要求成膜對象的薄膜化，基板面內的均一成膜困難。特別是在將複數片的基板保持成垂直多段來處理的所謂縱型基板處理裝置中，由於因為基板保持具的保持柱而對成膜產生影響，所以有例如藉由控制基板保持具的旋轉速度或控制氣體供給時機來謀求面內均一性的提升之方法(例如參照專利文獻1，2)。 先前技術文獻 專利文獻 [0003] 專利文獻1：日本特開2010-123752號公報 專利文獻2：國際公開第2005/088692號
(發明所欲解決的課題) [0004] 為了使被要求的薄膜的面內均一性提升，即使利用上述般的技術，也會有不夠充分的情況。 [0005] 本發明的目的是在於提供一種可使成膜後的膜的膜厚的基板面內均一性提升。 (用以解決課題的手段) [0006] 若根據本發明之一形態，則可提供一種構成如以下般的技術， 具有： 處理室，其係處理基板； 基板保持具，其係於前述處理室內保持前述基板； 旋轉機構，其係使前述基板保持具旋轉；及 控制部，其係控制前述旋轉機構來控制前述基板保持具的旋轉速度， 前述控制部，係被構成為：不變更預先被設定的每1旋轉的時間，以前述基板保持具的旋轉速度會在1旋轉內變化的方式控制前述旋轉機構。 [發明的效果] [0007] 若根據本發明，則可提供一種可使成膜後的膜的膜厚的基板面內均一性提升的技術。
[0009] 以下，一邊參照圖1~圖5，一邊說明有關本發明之一實施形態。 [0010] (1)基板處理裝置的構成 (加熱裝置) 如圖1所示般，處理爐202是具有作為加熱裝置(加熱機構)的加熱器207。加熱器207是圓筒形狀，藉由被支撐於作為保持板的加熱器基底(未圖示)來垂直地安裝。加熱器207亦具有作為以熱來使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)的機能。 [0011] (處理室) 在加熱器207的內側是與加熱器207同心圓狀地配設有反應管203。反應管203是由例如石英(SiO2
)或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所成，形成上端閉塞，下端開口的圓筒形狀。在反應管203的下方是與反應管203同心圓狀地配設有集合管(manifold)(入口法蘭(Inlet flange))209。集合管209是由例如不鏽鋼(SUS)等的金屬所成，形成上端及下端開口的圓筒形狀。集合管209的上端部是與反應管203的下端部卡合，構成為支撐反應管203。在集合管209與反應管203之間是設有作為密封構件的O型環220a。藉由集合管209被支撐於加熱器基底，反應管203是成為垂直安裝的狀態。主要藉由反應管203及集合管209來構成處理容器(反應容器)。在處理容器的筒中空部是形成有處理室201。處理室201是構成可收容作為複數片的基板之晶圓200。另外，處理容器是不限於上述的構成，也有只將反應管203稱為處理容器的情況。 [0012] 在處理室201內，噴嘴249a，249b會被設置成為貫通集合管209的側壁。噴嘴249a，249b是分別連接氣體供給管232a，232b。如此，在反應管203是設有2個的噴嘴249a，249b及2個的氣體供給管232a，232b，可對處理室201內供給複數種類的氣體。另外，在不設置集合管209，只以反應管203作為處理容器時，噴嘴249a，249b是亦可設成貫通反應管203的側壁。 [0013] 在氣體供給管232a，232b，從上游側依序分別設有流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC) 241a，241b及開閉閥的閥243a，243b。在比氣體供給管232a，232b的閥243a，243b更下游側是分別連接有供給惰性氣體的氣體供給管232c，232d。在氣體供給管232c，232d是從上游側依序分別設有MFC 241c，241d及閥243c，243d。 [0014] 噴嘴249a是如圖2所示般，在反應管203的內壁與晶圓200之間的平面視圓環狀的空間，從反應管203的內壁的下部沿至上部，以朝向晶圓200的積載方向上方立起之方式設置。亦即，噴嘴249a是在配列有晶圓200的晶圓配列領域的側方之水平地包圍晶圓配列領域的領域，以沿著晶圓配列領域的方式設置。亦即，噴嘴249a是在朝處理室201內搬入的各晶圓200的端部(周緣部、邊緣部)的側方與晶圓200的表面(平坦面)垂直地設置。在噴嘴249a的側面是設有供給氣體的氣體供給孔250a。氣體供給孔250a是以朝向反應管203的中心之方式開口，可朝向晶圓200供給氣體。氣體供給孔250a是從反應管203的下部到上部設置複數個。 [0015] 噴嘴249b是被設在氣體分散空間的緩衝室237內。緩衝室237是如圖2所示般，在反應管203的內壁與晶圓200之間的平面視圓環狀的空間，且在從反應管203的內壁的下部到上部的部分，沿著晶圓200的積載方向而設。亦即，緩衝室237是在水平地包圍晶圓配列領域的側方的晶圓配列領域之領域，以沿著晶圓配列領域的方式藉由緩衝構造(緩衝部)300來形成。緩衝構造300是藉由石英等的絕緣物所構成，在被形成緩衝構造300的圓弧狀的壁面是設有供給氣體或後述的活性種之氣體供給孔250c。氣體供給孔250c是以朝向反應管203的中心之方式開口，可朝向晶圓200供給氣體。氣體供給孔250c是從反應管203的下部到上部設置複數個。 [0016] 噴嘴249b是在與緩衝室237之設有氣體供給孔250c的端部相反側的端部，從反應管203的內壁的下部沿至上部，以朝向晶圓200的積載方向上方立起之方式設置。亦即，噴嘴249b是在緩衝構造300的內側，即配列有晶圓200的晶圓配列領域的側方之水平地包圍晶圓配列領域的領域，以沿著晶圓配列領域的方式設置。亦即，噴嘴249b是在朝處理室201內搬入的晶圓200的端部的側方與晶圓200的表面垂直地設置。在噴嘴249b的側面是設有供給氣體的氣體供給孔250b。氣體供給孔250b是以朝向緩衝室237的中心之方式開口。氣體供給孔250b是與氣體供給孔250c同樣，從反應管203的下部到上部設置複數個。 [0017] 從氣體供給管232a是作為含預定元素的原料，例如含作為預定元素的矽(Si)之矽烷原料氣體會經由MFC 241a、閥243a、噴嘴249a來朝處理室201內供給。 [0018] 矽烷原料氣體是例如可使用含Si及鹵元素的原料氣體，亦即鹵矽烷原料氣體。所謂鹵矽烷原料是具有鹵基的矽烷原料。鹵矽烷原料氣體是例如可使用含Si及Cl的原料氣體，亦即氯矽烷原料氣體。氯矽烷原料氣體是例如可使用二氯矽烷(SiH2
Cl2
；略稱：DCS)氣體。 [0019] 從氣體供給管232b是化學構造與原料不同的反應體(反應劑)，例如，含氮(N)氣體(氮化劑、氮化氣體)會經由MFC 241b、閥243b、噴嘴249b來朝處理室201內供給。氮化劑是例如可使用氨(NH3
)氣體。使用NH3
氣體作為氮化劑時，例如，使用後述的電漿源來電漿激發此氣體，作為電漿激發氣體供給。 [0020] 從氣體供給管232c，232d是惰性氣體，例如氮(N2
)氣體會分別經由MFC 241c，241d、閥243c，243d、氣體供給管232a，232b、噴嘴249a，249b來朝處理室201內供給。 [0021] 主要藉由氣體供給管232a、MFC 241a、閥243a來構成作為第1氣體供給系的原料供給系。主要藉由氣體供給管232b、MFC 241b、閥243b來構成作為第2氣體供給系的反應體供給系(反應劑供給系)。主要藉由氣體供給管232c，232d、MFC 241c，241d、閥243c，243d來構成惰性氣體供給系。也將原料供給系、反應體供給系及惰性氣體供給系簡稱為氣體供給系(氣體供給部)。另外，亦可思考在原料供給系中含噴嘴249a，且在反應體供給系中含噴嘴249b，或亦可思考在惰性氣體供給系中含噴嘴249a，249b。 [0022] (電漿生成部) 在緩衝室237內，如圖2所示般，由導電體所成，具有細長的構造之2根的棒狀電極269，270會從反應管203的下部到上部沿著晶圓200的配列方向而配設。棒狀電極269，270的各者是與噴嘴249b平行設置。棒狀電極269，270的各者是從上部到下部藉由電極保護管275來覆蓋，藉此被保護。棒狀電極269，270的其中任一方是經由匹配器272來連接至高頻電源273，另一方是被接地至基準電位的地線。從高頻電源273施加高頻(RF)電力至棒狀電極269，270間，藉此在棒狀電極269，270間的電漿生成領域224產生電漿。主要藉由棒狀電極269，270、電極保護管275來構成作為電漿生成器(電漿生成部)的電漿源。亦可思考在電漿源含匹配器272、高頻電源273。電漿源是如後述般，電漿激發氣體，亦即，作為使激發(活化)成電漿狀態的電漿激發部(活化機構)的機能。 [0023] 電極保護管275是成為將棒狀電極269，270的各者與緩衝室237內的環境隔離的狀態下可朝緩衝室237內插入的構造。在電極保護管275的內部充填N2
氣體等的惰性氣體，或利用惰性氣體淨化機構來以N2
氣體等的惰性氣體淨化電極保護管275的內部，藉此使電極保護管275的內部的氧(O2
)濃度減低，可防止棒狀電極269，270的氧化。 [0024] (排氣部) 在反應管203是設有將處理室201內的環境排氣的排氣管231。排氣管231是經由作為檢測出處理室201內的壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力感測器245及作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥244來連接作為真空排氣裝置的真空泵246。APC閥244是被構成為在使真空泵246作動的狀態下開閉閥，藉此可進行處理室201內的真空排氣及真空排氣停止，更在使真空泵246作動的狀態下，根據藉由壓力感測器245所檢測出的壓力資訊來調節閥開度，藉此可調整處理室201內的壓力。主要藉由排氣管231、APC閥244、壓力感測器245來構成排氣系。亦可思考在排氣系中含真空泵246。排氣管231是不限於設在反應管203的情況，亦可與噴嘴249a，249b同樣設在集合管209。 [0025] 在集合管209的下方是設有可將集合管209的下端開口氣密地閉塞之作為爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219是例如由SUS等的金屬所成，被形成圓盤狀。在密封蓋219的上面是設有與集合管209的下端抵接之作為密封構件的O型環220b。在密封蓋219之與處理室201相反的側設置有使後述的晶舟(boat)217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267的旋轉軸255是貫通密封蓋219來連接至晶舟217。旋轉機構267是被構成為藉由使晶舟217旋轉來使晶圓200旋轉。密封蓋219是被構成為藉由在反應管203的外部被垂直設置之作為昇降機構的晶舟昇降機115來昇降於垂直方向。晶舟昇降機115是被構成為可藉由使密封蓋219昇降來將晶舟217搬入及搬出至處理室201內外。晶舟昇降機115是構成為將晶舟217亦即晶圓200搬送至處理室201內外的搬送裝置(搬送機構)。並且，在集合管209的下方是設有：藉由晶舟昇降機115來使密封蓋219降下的期間，可將集合管209的下端開口氣密地閉塞之作為爐口蓋體的遮板(shutter)219s。遮板219s是例如藉由SUS等的金屬所構成，被形成圓盤狀。在遮板219s的上面是設有與集合管209的下端抵接之作為密封構件的O型環220c。遮板219s的開閉動作(昇降動作或轉動動作等)是藉由遮板開閉機構115s來控制。 [0026] (基板支撐具) 如圖1所示般，作為基板支撐具的晶舟217是具備：上下一對的端板(亦將上部的端板稱為頂板，將下部的端板稱為底板)，及被架設在與兩端板之間而垂直配設的複數根(在本實施形態是3根)的保持柱(晶舟柱)217a~217c(在圖1中未圖示)。在本實施形態中，各保持柱217a~217c皆是被形成同樣的形狀，保持柱217a與保持柱217b及保持柱217a與保持柱217c是沿著晶圓200的周方向以成為90度間隔的方式配置，保持柱217b及保持柱217c是沿著晶圓200的周方向以成為180度間隔的方式配置。亦即，保持柱217a與保持柱217b及保持柱217a與保持柱217c的間隔是以比保持柱217b與保持柱217c的間隔更窄的方式配置。在各保持柱217a~217c是複數的保持溝217d(在圖1中未圖示)會在長度方向等間隔配置，以同樣的高度互相對向，藉此被形成為可在同樣平面內將晶圓200保持於水平。 [0027] 然後，晶圓200的周緣部會分別被插入至各保持柱217a~217c的複數的保持溝217d間，藉此將1片或複數片例如25~200片的晶圓200以水平姿勢且在彼此中心一致的狀態下排列於垂直方向而多段地支撐。亦即，以取預定的間隔來使配列的方式構成。晶舟217是由例如石英或SiC等的耐熱性材料所成。在晶舟217的下部，由例如石英或SiC等的耐熱性材料所成的隔熱板218會被多段地支撐。 [0028] 如圖2所示般，在反應管203的內部是設置有作為溫度檢測器的溫度感測器263。根據藉由溫度感測器263所檢測出的溫度資訊來調整往加熱器207的通電情況，藉此處理室201內的溫度會成為所望的溫度分布。溫度感測器263是與噴嘴249a，249b同樣沿著反應管203的內壁而設。 [0029] (控制裝置) 如圖3所示般，控制部(控制裝置)的控制器121是構成為具備CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d之電腦。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d是構成為可經由內部匯流排121e來與CPU121a資料交換。控制器121是連接例如構成為觸控面板等的輸出入裝置122。 [0030] 記憶裝置121c是例如以快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置121c內是可讀出地儲存有控制基板處理裝置的動作之控制程式，或記載有後述的基板處理的程序或條件等的製程處方等。製程處方是被組合成為使後述的基板處理的各程序實行於控制器121，可取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦將製程處方或控制程式等總稱而簡稱為程式。又，亦將製程處方簡稱為處方。在本說明書中使用稱為程式的言辭時，有只包含處方單體的情況，只包含控制程式單體的情況，或包含該等的雙方的情況。RAM121b是構成為暫時性保持藉由CPU121a所讀出的程式或資料等的記憶體領域(工作區域)。 [0031] I/O埠121d是被連接至上述的MFC 241a~241d、閥243a~243d、壓力感測器245、APC閥244、真空泵246、加熱器207、溫度感測器263、匹配器272、高頻電源273、旋轉機構267、晶舟昇降機115、遮板開閉機構115s等。 [0032] CPU121a是構成為從記憶裝置121c讀出控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置122的操作指令的輸入等，從記憶裝置121c讀出處方。CPU121a是構成為以按照讀出的處方的內容之方式，進行旋轉機構267的控制、控制MFC 241a~241d之各種氣體的流量調整動作、閥243a~ 243d的開閉動作、APC閥244的開閉動作及根據壓力感測器245的APC閥244之壓力調整動作、真空泵246的起動及停止、根據溫度感測器263的加熱器207的溫度調整動作、旋轉機構267之晶舟217的正逆旋轉、旋轉角度及旋轉速度調節動作、晶舟昇降機115之晶舟217的昇降動作、高頻電源273之朝棒狀電極269，270的高頻施加動作等。 [0033] 控制器121是可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如硬碟等的磁碟、CD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體)123的上述的程式安裝於電腦來構成。記憶裝置121c或外部記憶裝置123是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，也將該等總稱而簡稱為記錄媒體。在本說明書中使用稱為記錄媒體的言辭時，有只包含記憶裝置121c單體的情況，只包含外部記憶裝置123單體的情況，或包含該等的雙方的情況。另外，朝電腦之程式的提供是亦可不使用外部記憶裝置123，利用網際網路或專線等的通訊手段來進行。 [0034] (2)基板處理工程 其次，一邊參照圖4，一邊說明有關使用基板處理裝置，在晶圓200上形成薄膜的工程，作為半導體裝置的製造工程的一工程。在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作是藉由控制器121來控制。 [0035] 在此是說明有關使供給DCS氣體作為原料氣體的步驟與供給(使電漿激發)的NH3
氣體作為反應氣體的步驟非同時亦即不同步進行預定次數(1次以上)，藉此在晶圓200上形成矽氮化膜(SiN膜)作為含Si及N的膜之例。並且，例如，在晶圓200上是亦可預先形成有預定的膜。而且，在晶圓200或預定的膜是亦可預先形成有預定的圖案。 [0036] 在本說明書中，基於方便起見，也有如以下般表示圖4所示的成膜處理的製程流程。 [0037][0038] 另外，在本說明書中，使用所謂「晶圓」的言辭時，有意思晶圓本身的情況，或意思晶圓及形成於其表面的預定的層或膜的層疊體的情況。在本說明書中使用所謂「晶圓的表面」的言辭時，有意思晶圓本身的表面的情況，或意思被形成於晶圓上的預定的層等的表面的情況。在本說明書中，記載成「在晶圓上形成預定的層」時，有意思在晶圓本身的表面上直接形成預定的層的情況，或在被形成於晶圓上的層等之上形成預定的層的情況。在本說明書中使用「基板」的言辭時，也與使用「晶圓」的言辭時同義。 [0039] (搬入步驟：S1) 一旦複數片的晶圓200被裝填(晶圓裝上)於晶舟217，則遮板219s會藉由遮板開閉機構115s來使移動，集合管209的下端開口會被開放(遮板開啟)。然後，如圖1所示般，支撐複數片的晶圓200的晶舟217是藉由晶舟昇降機115來舉起而朝處理室201內搬入(晶舟裝載)。在此狀態下，密封蓋219是成為經由O型環220b來密封集合管209的下端的狀態。 [0040] (壓力･溫度調整步驟：S2) 以處理室201的內部，亦即存在晶圓200的空間成為所望的壓力(真空度)之方式，藉由真空泵246來真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室201內的壓力是以壓力感測器245所測定，根據此被測定的壓力資訊來反餽控制APC閥244。又，以處理室201內的晶圓200成為所望的溫度之方式藉由加熱器207來加熱。此時，以處理室201內成為所望的溫度分布之方式，根據溫度感測器263所檢測出的溫度資訊來反餽控制往加熱器207的通電情況。接著，開始藉由旋轉機構267之晶舟217及晶圓200的旋轉。處理室201內的排氣、晶圓200的加熱及旋轉皆是至少到對於晶圓200的處理終了為止的期間繼續進行。 [0041] (成膜步驟：S3，S4，S5，S6) 然後，藉由依序實行步驟S3，S4，S5，S6來進行成膜步驟。 [0042] (原料氣體供給步驟：S3，S4) 在步驟S3中，對於處理室201內的晶圓200供給作為原料氣體的DCS氣體。 [0043] 開啟閥243a，朝氣體供給管232a內流動DCS氣體。DCS氣體是藉由MFC 241a來進行流量調整，經由噴嘴249a從氣體供給孔250a來朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。此時亦可同時開啟閥243c，朝氣體供給管232c內流動N2
氣體。此時被供給的N2
氣體是藉由MFC 241c來進行流量調整，與DCS氣體一起朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。 [0044] 又，為了抑制DCS氣體朝噴嘴249b內侵入，亦可開啟閥243d，朝氣體供給管232d內流動N2
氣體。此時從噴嘴249b供給的N2
氣體是經由氣體供給管232b、噴嘴249b來朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。 [0045] 以MFC 241a來控制的DCS氣體的供給流量是例如1sccm以上，5000sccm以下，較理想是10sccm以上，2000sccm以下的範圍內的流量。以MFC 241c，241d來控制的N2
氣體的供給流量是分別設為例如100sccm以上，10000sccm以下的範圍內的流量。處理室201內的壓力是設為例如1Pa以上，2666Pa以下，較理想是67Pa以上，1333Pa的範圍內的壓力。DCS氣體的供給時間是設為例如1秒以上，100秒以下，較理想是1秒以上，50秒以下的範圍內的時間。加熱器207的溫度是被設定成晶圓200的溫度會成為300℃以上600℃以下的範圍內的溫度之類的溫度。 [0046] 在上述的條件下對於晶圓200供給DCS氣體，藉此在晶圓200(表面的底層膜)上形成有含Cl的含Si層。含Cl的含Si層是亦可為Si層，或亦可為DCS的吸附層，或亦可為包含該等的雙方。以下，亦將含Cl的含Si層簡稱為含Si層。 [0047] 所謂Si層是除了藉由Si所構成的連續性的層以外，亦包含不連續的層或該等重疊而形成的Si薄膜之總稱。構成Si層的Si是亦包含與Cl的結合未完全被切斷者，或與H的結合未完全被切斷者。 [0048] DCS的吸附層是除了以DCS分子所構成的連續性的吸附層以外，亦包含不連續的吸附層。構成DCS的吸附層的DCS分子是亦包含Si與Cl的結合為一部分被切斷者，或Si與H的結合為一部分被切斷者，Cl與H的結合為一部分被切斷者等。亦即，DCS的吸附層是亦可為DCS的物理吸附層，或亦可為DCS的化學吸附層，或亦可為包含該等的雙方。 [0049] 形成含Si層之後，關閉閥243a，停止朝處理室201內供給DCS氣體。此時，將APC閥244保持開啟，藉由真空泵246來將處理室201內真空排氣，從處理室201內排除殘留於處理室201內之未反應或貢獻含Si層的形成之後的DCS氣體或反應副生成物等(S4)。並且，閥243c，243d是保持開啟，維持朝處理室201內供給N2
氣體。N2
氣體是作為淨化氣體作用。另外，亦可省略此步驟S4。 [0050] 原料氣體是除了DCS氣體以外，可適用一氯矽烷氣體，三氯矽烷氣體，四氯矽烷氣體，六氯乙矽烷氣體，八氯三矽烷氣體等的無機系鹵矽烷原料氣體等。除此以外，原料氣體是可適用四二甲基氨基矽烷氣體，三二甲基氨基矽烷氣體，雙二甲基氨基矽烷氣體，雙硬脂基丁基氨基矽烷，雙二乙基氨基矽烷氣體，二甲基氨基矽烷氣體，二乙基氨基矽烷氣體，二丙基氨基矽烷氣體，二異丙基氨基矽烷氣體，丁基氨基矽烷氣體，六甲基二矽氮烷氣體等的各種氨基矽烷原料氣體，或甲矽烷氣體，乙矽烷氣體，丙矽烷氣體等的鹵基非含有的無機系矽烷原料氣體。 [0051] 惰性氣體是除了N2
氣體以外，可使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等的稀有氣體。 [0052] (反應氣體供給步驟：S5，S6) 成膜處理終了後，對於處理室201內晶圓200供給作為反應氣體之使電漿激發的NH3
氣體(S5)。 [0053] 在此步驟中，以和步驟S3的閥243a，243c，243d的開閉控制同樣的程序來進行閥243b~243d的開閉控制。NH3
氣體是藉由MFC 241b來進行流量調整，經由噴嘴249b來朝緩衝室237內供給。此時，在棒狀電極269，270間供給高頻電力。朝緩衝室237內供給的NH3
氣體是被激發成電漿狀態，作為活性種(NH3
*)朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。另外，亦將被激發成電漿狀態的NH3
氣體稱為氮電漿。 [0054] 以MFC 241b來控制的NH3
氣體的供給流量是設為例如100sccm以上，10000sccm以下的範圍內的流量。施加於棒狀電極269，270的高頻電力是設為例如50W以上，1000W以下的範圍內的電力。處理室201內的壓力是例如設為1Pa以上，100Pa以下的範圍內的壓力。藉由使用電漿，即使將處理室201內的壓力設為如此比較低的壓力帶，也可使NH3
氣體活化。對於晶圓200供給藉由電漿激發NH3
氣體而取得的活性種之時間，亦即氣體供給時間(照射時間)是設為例如1秒以上，120秒以下，較理想是1秒以上，60秒以下的範圍內的時間。其他的處理條件是設為與上述的S3同樣的處理條件。 [0055] 在上述的條件下對於晶圓200供給NH3
氣體，藉此形成於晶圓200上的含Si層會被電漿氮化。此時，藉由被電漿激發的NH3
氣體的能量，含Si層所具有的Si-Cl結合、Si-H結合會被切斷。被切離與Si的結合之Cl、H是從含Si層脱離。然後，在Cl、H等脱離下，形成具有懸浮鍵(dangling bond)的含Si層中的Si會與NH3
氣體中所含的N結合，形成Si-N結合。藉由此反應進行，含Si層是被變化(被改質)成含Si及N的層，亦即矽氮化層(SiN層)。 [0056] 使含Si層變化成SiN層之後，關閉閥243b，停止NH3
氣體的供給。並且，停止朝棒狀電極269，270間之高頻電力的供給。然後，藉由與步驟S4同樣的處理程序、處理條件來將殘留於處理室201內的NH3
氣體或反應副生成物從處理室201內排除(S6)。另外，亦可省略此步驟S6。 [0057] 氮化劑，亦即，作為使電漿激發的含N氣體是除了NH3
氣體以外，可使用二亞胺(N2
H2
)氣體、聯氨(N2
H4
)氣體、N3
H8
氣體等的氮化氫系氣體，或含該等的化合物的氣體，或氮(N2
)氣體等。 [0058] 惰性氣體是除了N2
氣體以外，例如可使用在步驟S4所例示的各種稀有氣體。 [0059] (預定次數實施：S7) 以使上述的S3，S4，S5，S6按照此順序非同時亦即不同步進行作為1循環，藉由預定次數(n次)亦即1次以上進行此循環(S7)，可在晶圓200上形成預定組成及預定膜厚的SiN膜。上述的循環是重複複數次為理想。亦即，將每1循環形成的SiN層的厚度形成比所望的膜厚更小，至藉由層疊SiN層所形成的SiN膜的膜厚形成所望的膜厚為止，重複複數次上述的循環為理想。 [0060] (大氣壓恢復步驟：S8) 一旦上述的成膜處理完了，則從氣體供給管232c，232d的各者供給作為惰性氣體的N2
氣體至處理室201內，由排氣管231排氣。藉此，處理室201內會以惰性氣體來淨化，殘留於處理室201內的氣體或反應副生成物等會從處理室201內被除去(惰性氣體淨化)。然後，處理室201內的環境會被置換成惰性氣體(惰性氣體置換)，處理室201內的壓力會被恢復成常壓(S8)。 [0061] (搬出步驟：S9) 然後，密封蓋219會藉由晶舟昇降機115而下降，集合管209的下端會被開口，且處理完了的晶圓200會在被支撐於晶舟217的狀態下從集合管209的下端搬出至反應管203的外部(晶舟卸載)(S9)。晶舟卸載之後，遮板219s會被移動，集合管209的下端開口會隔著O型環220c來藉由遮板219s而密封(遮板關閉)。處理完了的晶圓200是被搬出至反應管203的外部之後，從晶舟217取出(晶圓卸下)。另外，晶圓卸下之後，亦可朝處理室201內搬入空的晶舟217。 [0062] 在以上的成膜工程(步驟S3~步驟S7)中，為了提高晶圓面內膜厚分布均一性，在處理氣體的供給中，晶舟217是藉由旋轉機構267來以預定的旋轉速度旋轉。亦即，藉由使晶圓200旋轉，從被形成於緩衝構造300的壁面的氣體供給孔250c或被形成於噴嘴249a的氣體供給孔250a噴出的氣體是形成在周方向均等地接觸於晶圓200的狀態，因此可使晶圓面內膜厚分布均一性(面內膜厚均一性)提升。 [0063] 其次，以下說明有關為了在上述的基板處理工程中使晶圓面內膜厚分布均一性提升，而控制晶舟217的旋轉速度之方法。 [0064] ＜比較例＞ 在圖5顯示將旋轉速度控制成一定的情況的膜厚分布之一例，作為後述的實施例的比較對象例。在圖5中，左側的膜厚為厚，從右到右下成為薄的分布。亦即，若使晶舟217以一定的旋轉速度旋轉，則晶圓面內膜厚分布均一性會變差。於是，在本實施形態的基板處理工程中，如以下的實施例1~實施例3所示般，以使晶舟217的旋轉速度變化的方式控制。在此，切換旋轉速度的時機是以下詳述的領域的境界位於氣體供給部的氣體供給孔的前面時。 [0065] ＜實施例1＞ 在本實施例中，藉由使從使用的處理氣體的氣體種類或氣體流量、處理溫度等的參數所算出之形成於晶圓上的薄膜的成膜分布傾向預先記憶於記憶裝置121c或外部記憶裝置123來記錄，根據該記錄的資訊，在薄膜被形成厚的領域及被形成薄的領域變更旋轉速度，藉此使晶圓面內均一性提升。 [0066] 以下，利用圖6(A)及圖6(B)來說明有關使令晶舟217旋轉的速度在1旋轉內變化的例子，該晶舟217是使用具有圖5所示的情況的晶圓的成膜傾向的製程的情況。 [0067] 如圖6(A)所示般，在具有3根的保持柱217a~ 217c的晶舟217中，以中央的保持柱217a之隔著晶圓200的中心而對向之成為晶圓200的外緣的位置(在本實施例中是晶圓缺口(notch)位置)作為旋轉的起始點的基準(0度)，根據圖5及圖6(A)所示的旋轉速度為一定的情況的晶圓的成膜傾向，設定使晶舟217的旋轉速度變化的角度位置(旋轉角)，及其角度位置的旋轉速度。具體而言，例如，將晶舟217的每1旋轉的時間預先設定成43秒。以此每1旋轉的時間(43秒)作為基準，將左側的膜厚容易變厚的領域的0度~160度(領域A)的旋轉速度r1設定成1.9rpm，將膜厚比左側薄的右上側的領域的160度~260度(領域B)的旋轉速度r2設定成1.4rpm，將右下側的膜厚容易變薄的領域的260度~360度(領域C)的旋轉速度r3設定成1.0rpm。 [0068] 亦即，預先設定每1旋轉的時間之後，根據旋轉速度為一定的情況的晶圓的成膜傾向，在氣體供給中的氣體供給孔250a，250c通過膜厚容易變厚的領域時加速晶舟217的旋轉速度。藉此，減少被供給至表示每單位時間移動於旋轉方向的距離之每單位旋轉移動距離的晶圓200表面的氣體供給量(朝晶圓200表面的氣體到達量或氣體照射時間)。並且，在氣體供給中的氣體供給孔250a，250c通過膜厚容易變薄的領域時放慢晶舟217的旋轉速度。藉此，增多每單位旋轉移動距離的氣體供給量。 [0069] 在如此藉由控制部121來控制旋轉機構267之下，可縮短朝晶圓200表面的膜厚容易變厚的預定領域的氣體接觸時間(氣體供給時間)，拉長朝膜厚容易變薄的預定領域的氣體接觸時間，可減少(或增多)在該領域中氣體所接觸的量(曝露量)。因此，如圖6(B)所示般可使被形成於晶圓上的膜的面內膜厚均一性提升。 [0070] 在此，各領域的旋轉速度是被設定成例如以下般為理想。亦即，相對於基準的旋轉速度，以成為比1倍大，10倍以下的速度範圍作為高速，且以0.1倍以上，未滿1倍的速度範圍作為低速，使記憶於記憶裝置121c或外部記憶裝置123，適當控制旋轉速度為理想。假設將高速域的旋轉速度控制成為相較於基準的旋轉速度，比10倍更大時，施加於晶圓200的離心力會變過大，不僅有可能在被載置於晶舟217的晶圓200產生偏差，或晶圓200從晶舟217飛出，而且會因為旋轉振動所造成晶圓200載置面與晶舟載置部的摩擦而容易產生粒子。又，將低速域的旋轉速度控制成為相較於基準的旋轉速度，比0.1倍更小時，旋轉速度會過慢，處理能力變小。 [0071] 另外，在供給的處理氣體流動於晶圓上的過程，自己分解率變化時，亦即，在剛處理室內供給之後是自己分解的量少，在晶圓200的下游側自己分解的量變多之類的環境下(氣體種類、成膜溫度)供給氣體時，亦可控制旋轉機構267，而使當氣體供給中的氣體供給孔通過膜厚容易變薄的領域的180度相反側時設定成為放慢晶舟的旋轉速度，藉此在使晶圓200表面的膜厚容易變薄的領域位於氣流的下游之狀態下，被供給至晶圓200表面的氣體供給量會變多，當氣體供給中的氣體供給孔通過膜厚容易變厚的領域的180度相反側時設定成為加速晶舟的旋轉速度，藉此在使膜厚容易變厚的領域位於氣流的下游之狀態下，被供給至晶圓200表面的氣體供給量會變少，而控制成為均一地形成晶圓的膜厚。 [0072] 並且，較理想是控制器121在變更晶舟217的旋轉速度時是不使晶舟217的旋轉停止，控制成為連續進行。藉由連續進行旋轉速度的變更，可抑制晶舟217與晶圓200的摩擦，降低粒子的發生。而且，防止晶圓200從保持溝217d偏離或落下。 [0073] 並且，在上述的內容中，將晶舟217的旋轉的起始點之基準位置，亦即旋轉角度0度的位置設為中央的保持柱217a之隔著晶圓200的中心而對向的晶圓200的外緣的位置來定位，但不限於此，亦可以保持柱217b、217c之隔著晶圓200的中心而對向的晶圓200的外緣的位置作為基準位置，或亦可以保持柱217a~217c的至少其中任何一個的晶圓200保持位置作為基準位置。又，如本實施例般在垂直多段地保持晶圓200時，亦可取代晶圓200的中心，將旋轉機構267的旋轉軸255視為中心，藉此決定基準位置。 [0074] 而且，旋轉的起始點之基準位置是不限於相對於保持柱217a~217c的位置而定，亦可由預先記憶的膜厚分布的傾向來先行決定使旋轉速度變更的領域，將該領域的任意的境界設定成旋轉的基準位置。 [0075] 然後，利用圖4所示的基板處理工程，控制器121會以上述的旋轉速度及角度位置作為參數來控制旋轉機構267，以預先被設定的每1旋轉的時間，使晶舟217的旋轉速度在1旋轉內變化，藉此可調整圓周方向的膜厚分布，如圖6(B)所示般，形成同心圓狀的分布而均一性提升，將處理時間形成一定而可使處理能力提升。 [0076] 在此，例如將步驟S3之供給DCS氣體至晶圓200的時間設為5秒，將步驟S4之供給淨化氣體至晶圓200的時間設為10秒，將步驟S5之供給NH3
氣體至晶圓200的時間設為20秒，將步驟S6之供給淨化氣體至晶圓200的時間設為10秒，以氣體的供給週期T成為45秒的方式設定各個的處理氣體供給時間。 [0077] 在上述的實施例中，晶圓的1旋轉週期：P=43sec，氣體供給週期：T=45sec，因此氣體供給週期要比晶圓1旋轉所要的時間更長2sec，所以晶圓的旋轉位置與氣體供給噴嘴的相對位置會至相當的循環為止不同步，因此面內膜厚均一性相較於晶圓的旋轉位置與氣體供給噴嘴的相對位置為同步的情況，可使更提升。若晶圓的旋轉位置與氣體供給噴嘴的相對位置同步，則會再度於同樣之處供給氣體，在該每次氣體供給時位於氣流的上游之晶圓領域所被形成的膜會變厚。因此，原本使晶圓旋轉時應形成同心圓狀的分布而均一性提升，在晶圓的旋轉週期與氣體供給週期為同步時無法取得其效果。 [0078] 因此，本實施例是以符合以下的數學式(1)的方式微調旋轉週期P及氣體供給週期T。 |mP-nT| ＞≠0 (n、m為自然數) (1) (＞≠0是表示真地比0大的情形，||是表示絕對值。) 只要符合此式(1)，便可防止例如氣體供給循環中的同樣的氣體的供給開始時機與晶圓的旋轉位置同步，可改善均一性。 [0079] 另外，若針對應符合此式(1)的時間來考慮，則當然只要在成膜時間內全符合便足夠，但條件稍微弱亦可，例如只要相當10循環時間(若使用上面的記號，則至10T(sec)為止)不同步，便可想像氣體吹出的時機是被充分分散而均一性是無問題。 [0080] 亦即，可在預先被設定的每1旋轉的時間內，任意地指定薄膜厚領域及除此以外的領域的晶舟的旋轉速度與角度位置，使晶圓的旋轉週期與氣體供給週期會相當時間不同步，可使晶圓面內膜厚分布均一性提升。並且，可按照氣體供給循環數(要求膜厚)來使晶舟的旋轉速度變化。 [0081] ＜實施例2＞ 在本實施例中，根據以保持晶圓200的保持柱217a~ 217c作為基準的範圍來使令晶舟217旋轉的旋轉速度在1旋轉內變化。亦即，根據保持柱217a~217c的位置與間隔來使令晶舟217旋轉的旋轉速度在1旋轉內變化。這若晶舟217以一定速度旋轉，則晶舟217的保持柱217a~217c會形成噴出的氣體的流動的遮蔽物，因此晶圓面內膜厚分布均一性會在保持柱217a~217c周邊變差。 [0082] 於是，在本實施例中，控制器121會以旋轉速度及角度位置作為參數來控制旋轉機構267，不變更預先被設定的每1旋轉的時間，按照以供給氣體的氣體供給孔250a、250c的位置與保持柱217a~217c作為基準的範圍內的角度位置來使令晶舟217旋轉的速度在1旋轉內變化，藉此成為防止晶圓面內膜厚分布均一性在保持柱217a~217c周邊變差的現象者。 [0083] 亦即，控制器121會控制旋轉機構267來控制晶舟217的旋轉速度，而使氣體供給時的氣體供給孔250a、250c通過以保持柱217a~217c作為基準例如±15度的範圍內時的晶舟217的旋轉速度相較於通過範圍外時的晶舟217的旋轉速度，成為低速。 [0084] 例如，在如圖7所示般具有3根的保持柱217a~ 217c的晶舟217中，以和中央的保持柱217a對向的位置(在本實施例中是晶圓缺口位置)作為基準(0度)，設定使晶舟217的旋轉速度變化的角度位置，及其角度位置的旋轉速度。具體而言，例如，將晶舟217的每1旋轉的時間預先設定成62秒。以此每1旋轉的時間作為基準，將離保持柱217c±15度的75度~105度，165度~195度，255度~285度的旋轉速度r4設定成0.4rpm，將無保持柱217c的領域，即保持柱217c的間隔寬的0度~75度及285度~360度的旋轉速度r5設定成3.0rpm，將無保持柱217c的領域，即保持柱217c的間隔窄的105度~165度，195度~255度的旋轉速度r6設定成1.3rpm。 [0085] 然後，利用圖4所示的基板處理工程，控制器121會以上述的旋轉速度及角度位置作為參數來控制旋轉機構267，以預先被設定的每1旋轉的時間，使晶舟217的旋轉速度在1旋轉內變化，藉此可調整圓周方向的膜厚分布，形成同心圓狀的分布而均一性提升，將處理時間形成一定而可使處理能力提升。 [0086] 又，與上述的實施例1同樣，例如將步驟S3之供給DCS氣體至晶圓200的時間設為5秒，將步驟S4之供給淨化氣體至晶圓200的時間設為10秒，將步驟S5之供給NH3
氣體至晶圓200的時間設為20秒，將步驟S6之供給淨化氣體至晶圓200的時間設為10秒，將氣體的供給週期T設為45秒。如此設定氣體供給時間時，在本實施例中，晶圓的1旋轉週期：P=62sec，氣體供給週期：T=45sec，因此氣體供給週期要比晶圓1旋轉所要的時間更短17sec，所以晶圓的旋轉位置與氣體供給噴嘴的相對位置會至相當的循環為止不同步，成為提升面內膜厚均一性者。 [0087] 亦即，在保持柱217c通過氣體供給孔250a，250c的周邊時，藉由將晶舟217的旋轉速度形成低速，可使保持柱217a~217c周邊的氣體供給量增加，防止晶圓面內膜厚均一性在保持柱217a~217c周邊變差的現象，使晶圓面內膜厚均一性提升。另外，也有依據供給的氣體種類，在保持柱217a~217c通過氣體供給孔250a，250c的周邊時，將晶舟217的旋轉速度形成高速，在通過除此以外的領域時設定成為低速的情況。另外，各領域的旋轉速度是藉由實施例1記載的設定方法來設定為理想。 [0088] ＜實施例3＞ 在本實施例中，以每處理氣體的供給活動，亦即每氣體供給工程使令晶舟217旋轉的旋轉速度變化之方式控制旋轉機構267。 [0089] 在本實施例中，控制器121會以氣體的供給時間及旋轉機構267的角度位置作為參數來控制每氣體供給工程的旋轉速度，按照氣體供給工程來使令晶舟217旋轉的速度變化，藉此使晶圓面內膜厚分布均一性提升。 [0090] 具體而言，如圖8所示般，例如，將在步驟S3的供給DCS氣體時的晶舟旋轉速度設為12rpm，將在步驟S4，S6的供給淨化氣體時的晶舟旋轉速度分別設為6rpm，將在步驟S5的供給NH3
氣體時的晶舟旋轉速度設為3rpm。並且，將在步驟S3的供給DCS氣體至晶圓200的時間設為5秒，將在步驟S4的供給淨化氣體至晶圓200的時間設為10秒，將在步驟S5的供給NH3
氣體至晶圓200的時間設為20秒，將在步驟S6的供給淨化氣體至晶圓200的時間設為10秒，且將氣體的供給週期T設為45秒。 [0091] 藉由如此控制旋轉速度，晶舟217一旋轉所必要的時間會成為與供給各氣體的時間同樣，晶舟217一旋轉的期間中，同樣的氣體會持續被供給。藉此，不用擔心保持柱217a~217c的影響，可在晶圓200上均一地形成預定的膜。 [0092] 亦即，若根據本實施例，則藉由按照氣體供給工程來使令晶舟217旋轉的速度變化，即使在小循環數的工程或供給時間短的工程中也可使晶圓面內膜厚分布均一性提升。 [0093] 另外，在上述實施形態中，說明有關供給DCS氣體與NH3
氣體來形成SiN膜的例子，但本發明是不限於如此的形態，可針對至少利用2個的氣體種類來成膜的構成加以適用。 [0094] 又，在上述實施形態中，說明有關每一旋轉至少2次使晶舟的旋轉速度變化的例子，但本發明並非限於如此的形態，可針對至少1次使變化的構成加以適用。 [0095] 又，在上述實施形態中，說明有關使用晶圓缺口位置作為決定使晶舟217的旋轉速度變化的角度位置之基準的例子，但本發明是不限於此，可針對以被保持於保持柱217a~217c的其中任一個的晶圓200的載置位置作為基準設定的構成加以適用。 [0096] 又，在上述實施形態中，說明有關在反應氣體供給工程中，使反應氣體電漿化來供給至處理室內的例子，但本發明是不限於如此的形態，有關熱處理等的不利用電漿的構成也可適用。 [0097] 又，在上述實施形態中，說明有關在供給原料氣體之後供給反應氣體的例子，但本發明是不限於如此的形態，原料氣體、反應氣體的供給順序亦可相反。亦即，亦可在供給反應氣體之後供給原料氣體。藉由改變供給順序，可使被形成的膜的膜質或組成比變化。 [0098] 又，在上述實施形態中，說明有關在晶圓200上形成SiN膜的例子。本發明是不限於如此的形態，在晶圓200上形成矽氧化膜(SiO膜)、矽氧碳化膜(SiOC膜)、矽氧碳氮化膜(SiOCN膜)、矽氧氮化膜(SiON膜)等的Si系氧化膜的情況，或在晶圓200上形成矽碳氮化膜(SiCN膜)、矽硼氮化膜(SiBN膜)、矽硼碳氮化膜(SiBCN膜)、硼碳氮化膜(BCN膜)等的Si系氮化膜的情況也可適用。該等的情況，作為反應氣體是除了含O氣體以外，還可C3
H6
等的含C氣體，或NH3
等的含N氣體，或BCl3
等的含B氣體。 [0099] 又，本發明是在晶圓200上形成含鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)等的金屬元素的氧化膜或氮化膜，亦即金屬系氧化膜或金屬系氮化膜的情況也可適用。亦即，本發明是在晶圓200上形成TiN膜、TiO膜、TiOC膜、TiOCN膜、TiON膜、TiBN膜、TiBCN膜等的金屬系薄膜的情況也可適用。 [0100] 該等的情況，例如，可使用四(二甲基氨基)鈦氣體，四(乙基甲基氨基)鉿氣體，四(乙基甲基氨基)鋯氣體，三甲基鋁氣體，四氯化鈦氣體，四氯化鉿氣體等，作為原料氣體。反應氣體是可使用上述的反應氣體。 [0101] 亦即，本發明是可適用在含半金屬元素的半金屬系膜或含金屬元素的金屬系膜的情況。該等的成膜處理的處理程序、處理條件是可設為與上述的實施形態或變形例所示的成膜處理同樣的處理程序、處理條件。在該等的情況中也可取得與上述的實施形態或變形例同樣的效果。 [0102] 被使用在成膜處理的處方是按照處理內容來個別準備，經由電氣通訊線路或外部記憶裝置123來儲存於記憶裝置121c內為理想。然後，開始各種處理時，CPU121a從被儲存於記憶裝置121c內的複數的處方之中按照處理內容來適當選擇恰當的處方為理想。藉此，可在1台的基板處理裝置泛用性且再現性佳地形成各種的膜種、組成比、膜質、膜厚的薄膜。並且，可減低操作員的負擔，可一面迴避操作錯誤，一面迅速地開始各種處理。 [0103] 上述的處方是不限於新作成的情形，例如，亦可藉由變更已被安裝於基板處理裝置的既存的處方來準備。變更處方的情況是亦可將變更後的處方經由電氣通訊線路或記錄該處方的記錄媒體來安裝於基板處理裝置。並且，亦可操作既存的基板處理裝置所準備的輸出入裝置122，直接變更已被安裝於基板處理裝置的既存的處方。 [0104] 以上，說明本發明的各種的典型的實施形態及實施例，但本發明是不限於該等的實施形態及實施例(包含數值)，亦可適當組合使用。
[0105]
121‧‧‧控制器(控制部)
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
207‧‧‧加熱器(加熱裝置)
217‧‧‧晶舟(基板保持具)
217a、217b、217c‧‧‧保持柱
232a、232b、232c、232d‧‧‧氣體供給管
237‧‧‧緩衝室
249a、249b‧‧‧噴嘴
250a、250b、250c‧‧‧氣體供給孔
267‧‧‧旋轉機構
300‧‧‧緩衝構造(緩衝部)
[0008] 圖1是在本發明的實施形態所被適用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，以縱剖面圖來表示處理爐部分的圖。 圖2是在本發明的實施形態所被適用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，以圖1的A-A線剖面圖來表示處理爐部分的圖。 圖3是在本發明的實施形態所被適用的基板處理裝置的控制器的概略構成圖，以方塊圖來表示控制器的控制系的圖。 圖4是表示本發明的基板處理製程的流程圖。 圖5是表示將被處理基板的旋轉速度設為一定來成膜時的膜厚分布的圖。 圖6(A)是表示將被處理基板的旋轉速度設為一定來成膜時的膜厚分布的圖，(B)是根據(A)的成膜傾向，在1旋轉內使被處理基板的旋轉速度變化而成膜時的膜厚分布的圖。 圖7是表示在1旋轉內使被處理基板的旋轉速度變化的其他的實施例的圖。 圖8是表示使被處理基板的旋轉速度變化的其他的實施例的圖。
Claims (10)
- 一種基板處理裝置，其特徵係具有： 處理室，其係處理基板； 基板保持具，其係於前述處理室內保持前述基板； 旋轉機構，其係使前述基板保持具旋轉；及 控制部，其係控制前述旋轉機構來控制前述基板保持具的旋轉速度， 前述控制部，係被構成為：不變更預先被設定的每1旋轉的時間，以前述基板保持具的旋轉速度會在1旋轉內變化的方式控制前述旋轉機構。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係使前述基板保持具旋轉複數次來處理基板。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在前述處理室更具有供給複數的處理氣體之氣體供給部， 前述基板保持具，係具備用以保持前述基板的複數的保持柱， 前述控制部，係被構成為：控制前述旋轉機構，使依據來自前述複數的保持柱的至少其中任一個隔著前述基板的中心而對向的前述基板的外緣的位置之旋轉角度所規定的前述基板的領域之中，依據預定的範圍的旋轉角度所規定的領域通過前述氣體供給部的供給口的前面時的前述旋轉速度之第1旋轉速度成為比依據前述預定的範圍的旋轉角度所規定的領域以外的領域通過前述供給口的前面時的旋轉速度之第2旋轉速度更低速。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為：以使前述第1旋轉速度成為前述第2旋轉速度的0.1倍以上且未滿1倍的方式控制前述旋轉機構。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為：以使前述第1旋轉速度成為比前述第2旋轉速度的1倍大且10倍以下的方式控制前述旋轉機構。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為：以依據前述複數的處理氣體的種類來使前述第1旋轉速度及前述第2旋轉速度變化的方式控制前述旋轉機構及前述氣體供給部。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為：以在前述旋轉速度變化的時機，前述基板保持具不會停止的方式控制前述旋轉機構。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述基板保持具係被構成為使複數的基板取預定的間隔來配列。
- 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有： 將保持基板的基板保持具搬入至處理室內之工程； 一面對前述處理室內供給處理氣體，不變更預先被設定的每1旋轉的時間，使前述基板保持具的旋轉速度在1旋轉內變化，一面進行預定的基板處理之工程；及 從前述處理室搬出前述基板保持具之工程。
- 一種記錄媒體，係記錄了用以藉由電腦來使下列程序實行於前述基板處理裝置的程式之電腦可讀取的記錄媒體， 將保持基板的基板保持具搬入至基板處理裝置的處理室內之程序； 一面對前述處理室內供給處理氣體，不變更預先被設定的每1旋轉的時間，使前述基板保持具的旋轉速度在1旋轉內變化，一面進行預定的基板處理之程序；及 從前述處理室搬出前述基板保持具之程序。
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