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TW201909200A - 線圈零件 - Google Patents

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TW201909200A
TW201909200A TW107123462A TW107123462A TW201909200A TW 201909200 A TW201909200 A TW 201909200A TW 107123462 A TW107123462 A TW 107123462A TW 107123462 A TW107123462 A TW 107123462A TW 201909200 A TW201909200 A TW 201909200A
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magnetic
insulator
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佐藤奈津子
德永敏
小林怜史
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日商太陽誘電股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種耦合係數得以改善之磁耦合型線圈零件。 本發明之一實施形態之線圈零件具備：絕緣體本體；第1線圈導體，其繞線圈軸捲繞，且埋設於上述絕緣體本體；及第2線圈導體，其繞上述線圈軸捲繞，且埋設於上述絕緣體本體。該第1線圈導體係以其一線圈面即第1線圈面與上述第2線圈導體之一線圈面即第2線圈面對向之方式設置。上述絕緣體本體具有配置於上述第1線圈面與上述第2線圈面之間之中間部、配置於上述第1線圈導體及上述第2線圈導體之內側之芯部、及配置於上述第1線圈導體及上述第2線圈導體之外側之外周部。上述中間部形成為其垂直於上述線圈軸之方向之磁導率小於上述芯部及上述外周部之平行於上述線圈軸之方向之磁導率。

Description

線圈零件
本發明係關於一種線圈零件，更具體而言，係關於一種具有相互磁耦合之一組線圈導體之磁耦合型線圈零件。
磁耦合型線圈零件具有相互磁耦合之一組線圈導體。作為具有相互磁耦合之一組線圈導體之磁耦合型線圈零件，有共模扼流線圈、變壓器及耦合電感器。於此種磁耦合型線圈零件中，於多數情況下期待一組線圈導體間之耦合係數較高。
自先前以來，已知一種組裝型之耦合電感器。組裝型之耦合電感器例如揭示於日本專利特開2005-129590號公報(專利文獻1)及日本專利特開2009-117676號公報(專利文獻2)中。如該等文獻所記載般，組裝型耦合電感器具備形成為板狀之2個導電體與夾持該2個導電體之一組磁性體(下部磁性體及上部磁性體)。於專利文獻1及專利文獻2中，為了提高2個導體間之耦合係數，提出於2個導體間設置磁隙。於該等耦合電感器中，藉由2個導體間存在磁隙，而使該2個導體間之漏電感減少。
然而，於組裝型之耦合電感器中，由於2個導體及磁性體之加工精度及組裝其等時之組裝精度存在極限，故以固定之尺寸及配置設置磁隙較難。因此，於組裝型之耦合電感器中，難以獲得固定之耦合係數。
又，組裝型之磁耦合型線圈零件與使用積層製程製作之積層線圈零件或使用薄膜製程製作之薄膜線圈零件相比，難以小型化。
藉由積層製程製作之磁耦合型線圈零件記載於日本專利特開2016-131208號公報(專利文獻3)。該耦合型線圈零件具有埋入於絕緣體之複數個積層型線圈單元。該複數個線圈單元構成為各單元之線圈導體之捲繞軸大致一致，且該線圈單元彼此密接，藉此可提高該線圈導體間之耦合。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-129590號公報 [專利文獻2]日本專利特開2009-117676號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-131208號公報
[發明所欲解決之問題]
於如專利文獻3所示之先前之磁耦合型線圈零件中，由於存在通過2個線圈導體間之漏磁通，故會因該漏磁通而產生漏電感。該漏電感會使磁耦合型線圈零件之耦合係數變差。
如上所述，於磁耦合型線圈零件中，要求提高2個線圈導體間之耦合。又，磁耦合型線圈零件對小型化之需求亦較高。
本發明之目的在於提供磁耦合型線圈零件之改善。本發明之具體目的之一在於提供一種耦合係數得以改善之磁耦合型線圈零件。本發明之具體之另一目的在於提供一種耦合係數得以改善之小型之磁耦合型線圈零件。本發明之該等以外之目的係通過說明書整體之記載而明確。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施形態之線圈零件具備：絕緣體本體；第1線圈導體，其繞線圈軸捲繞，且埋設於上述絕緣體本體；及第2線圈導體，其繞上述線圈軸捲繞，且埋設於上述絕緣體本體。該第1線圈導體係以其一線圈面即第1線圈面與上述第2線圈導體之一線圈面即第2線圈面對向之方式設置。上述絕緣體本體具有配置於上述第1線圈面與上述第2線圈面之間之中間部、配置於上述第1線圈導體及上述第2線圈導體之內側之芯部、及配置於上述第1線圈導體及上述第2線圈導體之外側之外周部。上述中間部形成為其垂直於上述線圈軸之方向之磁導率小於上述芯部及上述外周部之平行於上述線圈軸之方向之磁導率。上述中間部之垂直於上述線圈軸之方向之磁導率可於以上述線圈軸為中心與該線圈軸垂直地延伸之任意方向上，小於上述芯部及上述外周部之平行於上述線圈軸之方向之磁導率，又，上述中間部之垂直於上述線圈軸之方向之磁導率之平均亦可小於上述芯部之平行於上述線圈軸之方向之磁導率之平均及上述外周部之平行於上述線圈軸之方向之磁導率之平均。上述中間部之垂直於上述線圈軸之方向之磁導率之平均亦可為垂直於上述線圈軸之第1方向之磁導率與垂直於上述線圈軸之第2方向之磁導率之平均。該第1方向與第2方向亦可相互垂直。於本發明之一實施形態中，該中間部包含非磁性體。於本發明之一實施形態中，上述中間部包含於平行於上述線圈軸之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。
根據上述實施形態，自第1線圈導體產生之磁通不通過位於該第1線圈導體與第2線圈導體之間之中間部而通過亦與第2線圈導體交鏈之閉磁路，因此，不易於第1線圈導體與第2線圈導體之間產生漏磁通。因此，於上述實施形態之線圈零件中，與先前之磁耦合型線圈零件相比可改善耦合係數。
於本發明之一實施形態中，上述中間部形成為具有大於上述芯部之電阻值。於本發明之一實施形態中，上述中間部形成為具有大於上述外周部之電阻值。
根據上述實施形態，即便使中間部變薄，亦可確保第1線圈導體與第2線圈導體之間之電性絕緣。因此，可使線圈零件小型化(低高度化)。
本發明之另一實施形態之線圈零件具備：絕緣體本體；絕緣基板，其埋設於上述絕緣體本體；第1線圈導體，其形成於上述絕緣基板之一面，且繞線圈軸捲繞；及第2線圈導體，其形成於上述絕緣基板之另一面，且繞上述線圈軸捲繞。該絕緣基板形成為垂直於上述線圈軸之方向之磁導率小於平行於上述線圈軸之方向之磁導率。
根據上述實施形態，自第1線圈導體產生之磁通於絕緣基板內並非沿垂直於線圈軸之方向而是沿平行於線圈軸之方向前進，因此不易於第1線圈導體與第2線圈導體之間產生漏磁通。因此，於上述實施形態之線圈零件中，與先前之磁耦合型線圈零件相比可改善耦合係數。 [發明之效果]
根據本發明之一實施形態，可獲得耦合係數得以改善之磁耦合型線圈零件。
以下，適當參照圖式說明本發明之各種實施形態。再者，對複數個圖式中共通之構成要素於該複數個圖式中標註相同之參照符號。應注意如下方面，即，各圖式為了便於說明，未必以準確之比例尺記載。
參照圖1至圖3，對本發明之一實施形態之線圈零件1進行說明。圖1係本發明之一實施形態之線圈零件1之立體圖，圖2係圖1之線圈零件1所包含之線圈單元1a之分解立體圖，圖3係圖1之線圈零件1所包含之線圈單元1b之分解立體圖。
於該等圖中，作為線圈零件1之一例，表示用以自傳輸差動信號之差動傳輸電路去除共模雜訊之共模扼流線圈。共模扼流線圈係可應用本發明之磁耦合型線圈零件之一例。共模扼流線圈係如下述般藉由積層製程或薄膜製程而製作。本發明除了共模扼流線圈以外，還可應用於變壓器、耦合電感器及該等以外之各種線圈零件。
如圖所示，本發明之一實施形態之線圈零件1具備線圈單元1a與線圈單元1b。
線圈單元1a具備：絕緣體本體11a，其包含絕緣性優異之磁性材料；線圈導體25a，其埋設於該絕緣體本體11a；外部電極21，其與該線圈導體25a之一端電性連接；及外部電極22，其與該線圈導體25a之另一端電性連接。絕緣體本體11a具有長方體形狀。
線圈單元1b與線圈單元1a同樣地構成。具體而言，線圈單元1b具備：絕緣體本體11b，其包含磁性材料；線圈導體25b，其埋設於該絕緣體本體11b；外部電極23，其與該線圈導體25b之一端電性連接；及外部電極24，其與該線圈導體25b之另一端電性連接。絕緣體本體11b具有長方體形狀。
絕緣體本體11a於其下表面與絕緣體本體11b之上表面接合。絕緣體本體11a及絕緣體本體11b藉由彼此接合而構成絕緣體本體10。因此，絕緣體本體10具有絕緣體本體11a與接合於該絕緣體本體11a之絕緣體本體11b。
絕緣體本體10具有第1主面10a、第2主面10b、第1端面10c、第2端面10d、第1側面10e及第2側面10f。絕緣體本體10藉由該等6個面而劃定其外表面。第1主面10a與第2主面10b相互對向，第1端面10c與第2端面10d相互對向，第1側面10e與第2側面10f相互對向。
於圖1中，第1主面10a位於絕緣體本體10之上側，因此有時將第1主面10a稱為「上表面」。同樣地，有時將第2主面10b稱為「下表面」。線圈零件1由於以第2主面10b與電路基板(未圖示)對向之方式配置，故而有時亦將第2主面10b稱為「安裝面」。又，於言及線圈零件1之上下方向時，以圖1之上下方向為基準。
於本說明書中，除了文脈上另作解釋之情形以外，線圈零件1之「長度」方向、「寬度」方向及「厚度」方向分別設為圖1之「L」方向、「W」方向及「T」方向。
外部電極21及外部電極23設置於絕緣體本體10之第1端面10c。外部電極22及外部電極24設置於絕緣體本體10之第2端面10d。各外部電極如圖所示延伸至絕緣體本體10之上表面及下表面。
如圖2所示，絕緣體本體11a具備絕緣體部20a、設置於該絕緣體部20a之上表面之上部覆蓋層18a及設置於該絕緣體部20a之下表面之下部覆蓋層19a。
絕緣體部20a具備經積層之絕緣體層20a1～20a7。於絕緣體本體11a中，自T軸方向之正方向側朝向負方向側，依次積層有上部覆蓋層18a、絕緣體層20a1、絕緣體層20a2、絕緣體層20a3、絕緣體層20a4、絕緣體層20a5、絕緣體層20a6、絕緣體層20a7、下部覆蓋層19a。
絕緣體層20a1～20a7包含樹脂及多個填料粒子。該填料粒子分散於該樹脂中。絕緣體層20a1～20a7亦可不包含填料粒子。
於本發明之一實施形態中，絕緣體層20a1～20a7亦可具有扁平形狀之填料粒子。該扁平形狀之填料粒子以採用其最長軸方向朝向與T軸(與下述之線圈軸CL一致)平行之方向，且其短軸朝向垂直於線圈軸CL之方向之姿勢的方式，包含於各絕緣體層。藉由包含磁性材料之填料粒子採用此種姿勢，而構成絕緣體層20a1～20a7之各絕緣體層之平行於T軸之方向之磁導率大於垂直於T軸之方向之磁導率。藉此，於絕緣體層20a1～20a7中，平行於T軸之方向成為易磁化方向，垂直於T軸之方向成為難磁化方向。由於絕緣體層20a1～20a7中平行於T軸之方向成為易磁化方向，垂直於T軸之方向成為難磁化方向，故無須針對絕緣體層20a1～20a7中包含之所有填料粒子，使其最長軸方向朝向相對於T軸準確地垂直之方向。
於絕緣體層20a1～20a7各自之上表面，形成導體圖案25a1～25a7。導體圖案25a1～25a7係藉由利用網版印刷法印刷包含導電性優異之金屬或合金之導電膏而形成。作為該導電膏之材料，可使用Ag、Pd、Cu、Al或該等之合金。導體圖案25a1～25a7亦可藉由該等以外之材料及方法形成。
於絕緣體層20a1～絕緣體層20a6之特定之位置，分別形成通路Va1～Va6。通路Va1～Va6係藉由如下方式形成，即，於絕緣體層20a1～絕緣體層20a6之特定之位置，形成於T軸方向貫通絕緣體層20a1～絕緣體層20a6之貫通孔，並將導電膏埋入至該貫通孔。
導體圖案25a1～25a7之各者與相鄰之導體圖案經由通路Va1～Va6而電性連接。以此方式連接之導體圖案25a1～25a7形成螺旋狀之線圈導體25a。即，線圈導體25a具有導體圖案25a1～25a7及通路Va1～Va6。
導體圖案25a1之與連接於通路Va1之端部為相反側之端部連接於外部電極22。導體圖案25a7之與連接於通路Va6之端部為相反側之端部連接於外部電極21。
上部覆蓋層18a為複數層絕緣體層積層而成之積層體。同樣地，下部覆蓋層19a為複數層絕緣體層積層而成之積層體。構成上部覆蓋層18a及下部覆蓋層19a之各絕緣體層包含分散有多個填料粒子之樹脂。該等絕緣體層亦可不包含填料粒子。
於本發明之一實施形態中，下部覆蓋層19a具有俯視下呈圓環形狀之環狀部19a1。環狀部19a1於俯視下，具有與線圈導體25a之俯視形狀一致之形狀。例如，線圈導體25a具有經由通路Va1～Va6將導體圖案25a1～25a7連接而成之螺旋形狀，於俯視下為大致橢圓形。於該情形時，環狀部19a1形成為於俯視下與線圈導體25a之俯視形狀一致之橢圓形。環狀部19a1於俯視下配置於較線圈導體25a之俯視形狀之外緣更靠內側。例如，環狀部19a1形成為長軸方向及短軸方向略短於描畫出線圈導體25a之外緣之橢圓的橢圓形狀。
於本發明之一實施形態中，環狀部19a1係由非磁性體材料形成。作為環狀部19a1用之非磁性體材料，可使用玻璃、Zn鐵氧體、及該等以外之周知之非磁性材料。環狀部19a1用之非磁性體材料亦可包含二氧化矽粒子、氧化鋯粒子、氧化鋁粒子等金屬氧化物之粒子。
於本發明之一實施形態中，環狀部19a1包含於與線圈軸CL平行之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。該各向異性磁性材料例如為包含樹脂及扁平形狀之填料粒子之複合磁性材料。該填料粒子係以採用其最長軸方向朝向平行於T軸之方向、其短軸朝向垂直於線圈軸CL之方向之姿勢的方式於樹脂中定向。藉由填料粒子採用此種姿勢，環狀部19a1之平行於T軸之方向之磁導率大於垂直於T軸之方向之磁導率。藉此，於環狀部19a1中，平行於T軸之方向成為易磁化方向，垂直於T軸之方向成為難磁化方向。
由於環狀部19a1中平行於T軸之方向成為易磁化方向，垂直於T軸之方向成為難磁化方向，故無須針對環狀部19a1所包含之所有填料粒子，使其最長軸方向朝向相對於T軸準確地垂直之方向。
環狀部19a1係藉由如下方式形成，即，準備複數個將上述非磁性材料或各向異性磁性材料形成為片狀之薄片，將該等複數個薄片各者以成為於俯視下與線圈導體25a相同之形狀(於圖示之實施形態中為圓環形狀)之方式切割，且將該等經切割之薄片重疊。藉由在以此方式形成之環狀部19a1之周圍印刷包含填料粒子之樹脂，而形成下部覆蓋層19a。
絕緣體層20a1～20a7、構成上部覆蓋層18a之各絕緣體層、構成下部覆蓋層19a之各絕緣體層及環狀部19a1所包含之樹脂為絕緣性優異之熱硬化性樹脂，例如為環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯乙烯(PS)樹脂、高密度聚乙烯(HDPE)樹脂、聚甲醛(POM)樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)樹脂、聚偏二氟乙烯(PVDF)樹脂、酚系(Phenolic)樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂或聚苯并㗁唑(PBO)樹脂。各薄片所包含之樹脂可與其他薄片所包含之樹脂為同一種類，亦可為不同種類。
絕緣體層20a1～20a7、構成上部覆蓋層18a之各絕緣體層、下部覆蓋層19a及環狀部19a1所包含之填料粒子為鐵氧體材料之粒子、金屬磁性粒子、SiO2 或Al2 O3 等無機材料粒子、玻璃系粒子。可應用於本發明之鐵氧體材料之粒子例如為Ni-Zn鐵氧體之粒子或Ni-Zn-Cu鐵氧體之粒子。可應用於本發明之金屬磁性粒子為於未氧化之金屬部分表現磁性之材料，例如為包含未氧化之金屬粒子或合金粒子之粒子。可應用於本發明之金屬磁性粒子中例如包含合金系之Fe-Si-Cr、Fe-Si-Al或Fe-Ni、非晶質之Fe-Si-Cr-B-C或Fe-Si-B-Cr、Fe或該等之混合材料之粒子。可應用於本發明之金屬磁性粒子中進而包含Fe-Si-Al、FeSi-Al-Cr之粒子。自該等粒子獲得之壓粉體亦可用作本發明之金屬磁性粒子。進而，對該等粒子或壓粉體之表面進行熱處理而形成有氧化膜者，亦可用作本發明之金屬磁性粒子。可應用於本發明之金屬磁性粒子例如使用霧化法製造。又，可應用於本發明之金屬磁性粒子可使用周知之方法製造。又，亦可對本發明使用市售之金屬磁性粒子。作為市售之金屬磁性粒子，例如有Epson Atmix股份有限公司製PF-20F、日本Atomize加工股份有限公司製SFR-FeSiAl。
絕緣體層20a1～20a7及環狀部19a1所包含之扁平形狀之填料粒子例如將其縱橫比(扁平率)設為1.5以上、2以上、3以上、4以上或5以上。填料粒子之縱橫比係指該粒子之最長軸方向之長度相對於最短軸方向之長度之比(最長軸方向之長度/最短軸方向之長度)。
如上所述，環狀部19a1包含非磁性體或於平行於T軸(線圈軸CL)之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。於本發明之一實施形態中，環狀部19a1構成為其垂直於T軸之方向之磁導率小於絕緣體部20a之平行於T軸(線圈軸CL)之方向之磁導率及下部覆蓋層19a之平行於T軸(線圈軸CL)之方向之磁導率。環狀部19a1之垂直於T軸之方向之磁導率可於以T軸為中心與T軸垂直地延伸之任意方向上，小於絕緣體部20a之平行於T軸之方向之磁導率及下部覆蓋層19a之平行於T軸之方向之磁導率。又，於環狀部19a1之垂直於T軸之方向之磁導率有各向異性之情形時，只要環狀部19a1之垂直於T軸之方向之磁導率之平均較絕緣體部20a之平行於T軸之方向之磁導率之平均及下部覆蓋層19a之平行於T軸之方向之磁導率之平均小即可。環狀部19a1之垂直於T軸之方向之磁導率之平均亦可為垂直於T軸之第1方向之磁導率與垂直於T軸之第2方向之磁導率之平均。該第1方向與第2方向亦可相互垂直。該第1方向例如為W軸方向，第2方向例如為L軸方向。
於本發明之一實施形態中，環狀部19a1構成為具有大於絕緣體部20a及下部覆蓋層19a之電阻值。
如上所述，線圈單元1b與線圈單元1a同樣地構成。具體而言，絕緣體本體11b具備絕緣體部20b、設置於該絕緣體部20b之上表面之上部覆蓋層18b、及設置於該絕緣體部20b之下表面之下部覆蓋層19b。絕緣體部20b與絕緣體部20a同樣地構成。即，絕緣體部20b具備經積層之絕緣體層20b1～20b7，該絕緣體層20b1～20b7與對應之絕緣體層20a1～20a7同樣地構成。
線圈導體25b亦與線圈導體25a同樣地構成。即，線圈導體25b具有導體圖案25b1～25b7。該等導體圖案25b1～25b7分別形成於絕緣體層20a1～20a7中對應者之上表面。導體圖案25b1～25b7之各者與相鄰之導體圖案經由通路Vb1～Vb6而電性連接。導體圖案25b1之與連接於通路Vb1之端部為相反側之端部連接於外部電極24。導體圖案25b7之與連接於通路Vb6之端部為相反側之端部連接於外部電極23。
下部覆蓋層19b與上部覆蓋層18a同樣地構成。即，下部覆蓋層19b為複數層絕緣體層積層而成之積層體。
上部覆蓋層18b與下部覆蓋層19a同樣地構成。即，上部覆蓋層18b為複數層絕緣體層積層而成之積層體。於本發明之一實施形態中，下部覆蓋層19b具有俯視下呈圓環形狀之環狀部18b1。環狀部18b1於俯視下，具有與線圈導體25b之俯視形狀一致之形狀。於本發明之一實施形態中，線圈導體25b構成為具有與線圈導體25a相同之俯視形狀。於該情形時，環狀部18b1構成為具有與環狀部19a1相同之俯視形狀。環狀部18b1配置於在俯視下較線圈導體25b之俯視形狀之外緣更靠內側。例如，環狀部18b1形成為長軸方向及短軸方向略短於描畫出線圈導體25b之外緣之橢圓的橢圓形狀。
環狀部18b1可利用與環狀部19a1相同之素材以相同之方法形成。
於本發明之一實施形態中，環狀部18b1包含非磁性體或於平行於T軸(線圈軸CL)之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。於本發明之一實施形態中，環狀部18b1構成為其垂直於T軸之方向之磁導率小於絕緣體部20b及上部覆蓋層18b之平行於T軸(線圈軸CL)之方向之磁導率。環狀部18b1之垂直於T軸之方向之磁導率可於以T軸為中心與T軸垂直地延伸之任意方向上，小於絕緣體部20b之平行於T軸之方向之磁導率及下部覆蓋層18b之平行於T軸之方向之磁導率。又，於環狀部18b1之垂直於T軸之方向之磁導率有各向異性之情形時，只要環狀部18b1之垂直於T軸之方向之磁導率之平均較絕緣體部20b之平行於T軸之方向之磁導率及下部覆蓋層18b之平行於T軸之方向之磁導率小即可。環狀部18b1之垂直於T軸之方向之磁導率之平均亦可為垂直於T軸之第1方向之磁導率與垂直於T軸之第2方向之磁導率之平均。該第1方向與第2方向亦可相互垂直，該第1方向例如為W軸方向，第2方向例如為L軸方向。
於本發明之一實施形態中，環狀部18b1構成為具有大於絕緣體部20b及上部覆蓋層18b之電阻值。
線圈單元1b之各構成構件之材料及製法與線圈單元1a對應之構成構件之材料及製法相同。因此，業者藉由參照線圈單元1a之各構成構件相關之說明，可理解線圈單元1b之各構成構件之材料及製法。
藉由將如以上般構成之線圈單元1a及線圈單元1b接合，可獲得線圈零件1。該線圈零件1具有外部電極21與外部電極22之間之第1線圈(線圈導體25a)、及外部電極23與外部電極24之間之第2線圈(線圈導體25b)。該2個線圈之各者例如分別與差動傳輸電路中之2條信號線連接。如此一來，線圈零件1可作為共模扼流線圈動作。
線圈零件1可包含第3線圈(未圖示)。具備第3線圈之線圈零件1追加地具備與線圈單元1a同樣地構成之又一個線圈單元。於該追加之線圈單元，與線圈單元1a及線圈單元1b同樣地設置有線圈導體，該線圈導體與追加之外部電極連接。此種包含3個線圈之線圈零件例如用作具有3條信號線之差動傳輸電路用之共模扼流線圈。
其次，對線圈零件1之製造方法之一例進行說明。線圈零件1可藉由例如積層製程製造。首先，分別製作線圈單元1a及線圈單元1b。由於線圈單元1a與線圈單元1b可利用相同之方法製作，故對線圈單元1a之製作方法進行說明。
線圈單元1a具體而言係藉由以下步驟製造。首先，製作絕緣體層20a1～絕緣體層20a7、構成上部覆蓋層18a之各絕緣體層及構成下部覆蓋層19a之各絕緣體層。
具體而言，為了製作該等各絕緣體層，向分散有填料粒子之熱硬化性之樹脂(例如環氧樹脂)添加溶劑而製作漿料。該填料粒子具有球形或扁平形狀。將該漿料塗佈於塑膠製之基底膜之表面並使其乾燥，並將該乾燥後之漿料切斷成特定尺寸，藉此分別獲得成為絕緣體層20a1～絕緣體層20a7、構成上部覆蓋層18a之各絕緣體層、及構成下部覆蓋層19a之各絕緣體層之磁性體薄片。於填料粒子具有扁平形狀之情形時，該填料粒子以其最長軸方向朝向平行於T軸(線圈軸CL)之方向之方式定向。填料粒子使用磁定向等任意之周知之方法定向。於使用磁定向之情形時，於漿料中之樹脂具有流動性之期間，對形成為固定形狀之漿料朝固定方向施加磁場，藉此可使填料粒子於特定方向定向。
其次，於成為下部覆蓋層19a之各絕緣體層形成環狀部19a1。環狀部19a1係藉由如下方式形成，即，準備複數個非磁性材料製或各向異性磁性材料製之薄片，將該等複數個薄片之各者以成為於俯視下相當於線圈導體25a之形狀(於圖示之實施形態中為圓環形狀)之方式切割，並將該等經切割之薄片重疊。
各向異性磁性材料薄片例如具有以最長軸朝向厚度方向之方式定向之填料粒子。於該情形時，藉由使切割成特定形狀之複數個各向異性磁性材料薄片之切片積層，可獲得平行於厚度方向之方向成為易磁化方向且垂直於厚度方向之方向成為難磁化方向之環狀部19a1。
環狀部19a1亦可利用具有以短軸朝向厚度方向之方式定向之填料粒子之各向異性磁性材料薄片製作。於該各向異性磁性材料薄片中，填料粒子之長軸朝向面方向(與厚度方向垂直之方向)。於該情形時，首先，將該各向異性磁性材料薄片積層複數片而獲得積層體。其次，藉由將該積層體沿與積層方向垂直之方向呈片狀切斷而獲得薄片體。於該薄片體中，填料粒子之短軸朝向該薄片體之面方向。將該薄片體切割成相當於線圈導體25a之形狀，並使該經切割之薄片體之切片積層，藉此可獲得環狀部19a1。於以此方式獲得之環狀部19a1中，由於填料粒子之短軸朝向與T軸垂直之方向，故而平行於厚度方向之方向成為易磁化方向，垂直於厚度方向之方向成為難磁化方向。因此，環狀部19a1之垂直於T軸之方向之磁導率之平均小於環狀部19a1之平行於T軸之方向之磁導率之平均。
環狀部19a1亦可使用上述以外之方法製作。例如，將具有以短軸朝向厚度方向之方式定向之填料粒子之各向異性磁性材料薄片繞特定之捲繞軸捲繞而形成捲筒體，將該捲筒體沿垂直於該捲繞軸之方向切斷而形成多個切斷片，並將該切斷片配置成圓環形狀，藉此可製作環狀部19a1。
藉由在如上述般形成之環狀部19a1之周圍印刷包含填料粒子之樹脂而形成下部覆蓋層19a。
繼而，於成為絕緣體層20a1～絕緣體層20a7之各磁性體薄片之特定位置，形成於T軸方向貫通各磁性體薄片之貫通孔。
繼而，藉由網版印刷法將包含金屬材料(例如Ag)之導體膏印刷於成為絕緣體層20a1～絕緣體層20a7之各磁性體薄片之上表面，並且將該金屬膏埋入至該各磁性體薄片上所形成之貫通孔。以此方式埋入至貫通孔之金屬成為通路Va1～Va6。
繼而，將成為絕緣體層20a1～絕緣體層20a7之各磁性體薄片積層，而獲得成為絕緣體部20a之線圈積層體。成為絕緣體層20a1～絕緣體層20a7之各磁性體薄片以形成於該各磁性體薄片之導體圖案25a1～25a7之各者與相鄰之導體圖案經由通路Va1～Va16電性連接之方式積層。
繼而，將上部覆蓋層18a用之各磁性體薄片積層，形成相當於上部覆蓋層18a之上部覆蓋層積層體，並將下部覆蓋層19a用之各磁性體薄片積層，形成相當於下部覆蓋層19a之下部覆蓋層積層體。
以相同之方式，形成成為絕緣體部20b之線圈積層體、相當於上部覆蓋層18b之上部覆蓋層積層體、及相當於下部覆蓋層19b之下部覆蓋層積層體。
繼而，將成為下部覆蓋層19b之下部覆蓋層積層體、成為絕緣體部20b之線圈積層體、成為上部覆蓋層18b之上部覆蓋層積層體、成為下部覆蓋層19a之下部覆蓋層積層體、成為絕緣體部20a之線圈積層體及成為上部覆蓋層18a之上部覆蓋層積層體依序積層，並使用壓製機進行熱壓接，藉此獲得本體積層體。
繼而，藉由使用切割機或雷射加工機等切斷機將該本體積層體單片化成所需尺寸，可獲得相當於絕緣體本體11a之晶片積層體。繼而，對該晶片積層體進行脫脂，並對脫脂後之晶片積層體進行加熱處理。
繼而，藉由在加熱處理後之晶片積層體之兩端部塗佈導體膏，而形成外部電極21、外部電極22、外部電極23及外部電極24。藉由以上步驟，可獲得線圈零件1。
其次，參照圖4對線圈零件1中產生之磁通進行説明。圖4係模式性地表示將圖1之線圈零件以I-I線切斷所得之剖面之圖。於圖4中，自線圈導體產生之磁通(磁力線)以箭頭記載。又，於圖4中，為了便於說明，而省略個別之絕緣體層間之邊界。又，外部電極21～外部電極24之圖示亦省略。
如圖所示，線圈導體25a繞線圈軸CL捲繞。線圈軸CL為與圖1之T軸平行地延伸之假想軸線。同樣地，線圈導體25b亦繞線圈軸CL捲繞。線圈導體25a具有作為線圈軸CL方向之一端部之上表面26a、及作為線圈軸CL方向之另一端部之下表面27a。線圈導體25b具有作為線圈軸CL方向之一端部之上表面26b、及作為線圈軸CL方向之另一端部之下表面27b。線圈導體25a係以其下表面27a與線圈導體25b之上表面26b對向之方式設置。
絕緣體本體11a具有位於線圈導體25a之內側之芯部30a、位於線圈導體25a之外側之外周部40a、及位於線圈導體25a之下表面27a與線圈導體25b之上表面26a之間之中間部50a。芯部30a及外周部40a係由絕緣體部20a及下部覆蓋層19a之環狀部19a1以外之部分構成。中間部50a係由環狀部19a1構成。
絕緣體本體11b具有位於線圈導體25b之內側之芯部30b、位於線圈導體25b之外側之外周部40b、及位於線圈導體25b之上表面26b與線圈導體25a之下表面27a之間之中間部50b。芯部30b及外周部40b係由絕緣體部20b及上部覆蓋層18b之環狀部18b1以外之部分構成。中間部50b係由環狀部19b1構成。
如上所述，環狀部19a1構成為其垂直於T軸之方向之磁導率小於絕緣體部20a及下部覆蓋層19a平行於線圈軸CL之方向之磁導率，因此，中間部50a垂直於線圈軸CL之方向之磁導率小於芯部30a及外周部40a之平行於線圈軸CL之方向之磁導率。中間部50a垂直於線圈軸CL之方向之磁導率可於以該線圈軸CL為中心與該線圈軸CL垂直地延伸之任意方向上，小於芯部30a及外周部40a平行於線圈軸CL之方向之磁導率，又，中間部50a垂直於線圈軸CL之方向之磁導率之平均亦可小於芯部30a平行於線圈軸CL之方向之磁導率之平均及外周部40a平行於線圈軸CL之方向之磁導率之平均。中間部50a垂直於線圈軸CL之方向之磁導率之平均亦可為垂直於線圈軸CL之第1方向之磁導率與垂直於線圈軸CL之第2方向之磁導率之平均。該第1方向與第2方向亦可相互垂直。該第1方向例如為W軸方向，第2方向例如為L軸方向。
同樣地，環狀部18b1構成為其垂直於線圈軸CL之方向之磁導率小於絕緣體部20b及上部覆蓋層18b平行於線圈軸CL之方向之磁導率，因此，中間部50b垂直於線圈軸CL之方向之磁導率小於芯部30b及外周部40b之平行於線圈軸CL之方向之磁導率。中間部50b垂直於線圈軸CL之方向之磁導率可於以該線圈軸CL為中心與該線圈軸CL垂直地延伸之任意方向上，小於芯部30b及外周部40b平行於線圈軸CL之方向之磁導率，又，中間部50b垂直於線圈軸CL之方向之磁導率之平均亦可小於芯部30b平行於線圈軸CL之方向之磁導率之平均及外周部40b平行於線圈軸CL之方向之磁導率之平均。中間部50b之垂直於線圈軸CL之方向之磁導率之平均亦可為垂直於線圈軸CL之第1方向之磁導率與垂直於線圈軸CL之第2方向之磁導率之平均。該第1方向與第2方向亦可相互垂直。該第1方向例如為W軸方向，第2方向例如為L軸方向。
於該線圈零件1中，自流動於線圈導體25a之電流產生之磁通通過線圈單元1a之芯部30a、上部覆蓋層18a及外周部40a進入線圈單元1b之外周部40b。該磁通於線圈單元1b中通過外周部40b、下部覆蓋層19b及芯部30b而返回至線圈單元1a之芯部30a。如此，自流動於線圈導體25a之電流產生之磁通通過經過芯部30a、上部覆蓋層18a、外周部40a、外周部40b、下部覆蓋層19b及芯部30b而返回至芯部30a的閉磁路。此時，由於中間部50a及中間部50b垂直於線圈軸之方向之磁導率小於外周部40a及外周部40b平行於線圈軸CL之方向之磁導率，故通過外周部40a之磁通並不通過經過中間部50a或中間部50b而返回至芯部30a之路徑，而是通過與線圈軸CL平行地通過外周部40a而前進至外周部40b之路徑。又，自流動於線圈導體25b之電流產生之磁通亦通過同樣之閉磁路。因此，於線圈零件1中，不易於線圈導體25a與線圈導體25b之間發生漏磁通。因此，於線圈零件1中，與於線圈導體間產生漏磁通之先前之磁耦合型線圈零件相比可改善耦合係數。
於本發明之一實施形態中，由於環狀部19a1具有大於絕緣體部20a及下部覆蓋層19a之電阻值，故中間部50a具有大於芯部20a及外周部40a之電阻值。又，由於環狀部18b1具有大於絕緣體部20b及上部覆蓋層18b之電阻值，故中間部50b具有大於芯部20b及外周部40b之電阻值。藉此，即便使中間部50a及中間部50b變薄，亦可確保線圈導體25a與線圈導體25b之間之電性絕緣。
線圈零件1由於藉由積層製程形成，故與先前之組裝型之耦合電感器相比更容易小型化。
藉由將包含於上部覆蓋層18a、絕緣體部20a、下部覆蓋層19a、上部覆蓋層18b、絕緣體部20b及下部覆蓋層19a之填料粒子設為金屬磁性粒子，與將包含鐵氧體材料之粒子用作填料粒子之情形相比，於經過芯部30a、上部覆蓋層18a、外周部40a、外周部40b、下部覆蓋層19b、芯部30b之閉磁路中不易產生磁飽和。因此，無須於該閉磁路之中途設置磁隙。因此，可減少磁通洩漏。
繼而，參照圖5，對本發明之另一實施形態之線圈零件101進行說明。圖5所示之線圈零件101具備中間部51a代替線圈零件1之中間部50a，且具備中間部51b代替中間部50b。
於圖5之實施形態中，中間部51a係由下部覆蓋層19a構成，中間部51b係由上部覆蓋層18b構成。於該情形時，下部覆蓋層19a及上部覆蓋層18b包含於與線圈軸CL平行之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。中間部51a及中間部51b構成為其垂直於線圈軸CL之方向之磁導率小於外周部40a及外周部40b之平行於線圈軸CL之方向之磁導率。
藉由將上述包含各向異性磁性材料之下部覆蓋層19a及上部覆蓋層18b與其他層積層，可獲得圖5所示之線圈零件101。即，線圈零件101係藉由將下部覆蓋層19b、絕緣體部20b、上部覆蓋層18b、下部覆蓋層19a、絕緣體部20a及上部覆蓋層18a依序積層並進行特定之加熱處理而製作。
於該線圈零件101中，自流動於線圈導體25a之電流產生之磁通通過線圈單元1a之芯部30a、上部覆蓋層18a、外周部40a及中間部51a進入線圈單元1b之中間部51b。該磁通於線圈單元1b中，通過中間部51b、外周部40b、下部覆蓋層19b、芯部30b、中間部51b並返回至線圈單元1a之中間部51a及芯部30a。由於中間部51a及中間部51b之垂直於線圈軸CL之方向之磁導率小於外周部40a及外周部40b之平行於線圈軸CL之方向之磁導率，故通過外周部40a之磁通並不通過經過中間部51a或中間部51b而返回至芯部30a之路徑，而是通過自外周部40a與線圈軸CL平行地前進至外周部40b之路徑。因此，於線圈零件101中，亦不易於線圈導體25a與線圈導體25b之間產生漏磁通。又，中間部51a及中間部51b雖介置於閉磁路之中途，但由於中間部51a及中間部51b之易磁化方向朝向與磁通之方向相同之方向，故線圈零件101之有效磁導率不會因中間部51a及中間部51b劣化。
繼而，參照圖6，對本發明之另一實施形態之線圈零件110進行說明。線圈零件110與線圈藉由積層製程而形成為螺旋形狀之線圈零件1之不同之處在於，線圈藉由薄膜製程而形成為平面線圈。
如圖所示，本發明之一實施形態之線圈零件110具備：絕緣體本體120、絕緣基板150、形成於該絕緣基板150之上表面之線圈導體125a、形成於該絕緣基板150之下表面之線圈導體125b、與該線圈導體125a之一端電性連接之外部電極121、與該線圈導體125a之另一端電性連接之外部電極122、與該線圈導體125b之一端電性連接之外部電極123、以及與該線圈導體125b之另一端電性連接之外部電極124。
絕緣基板150包含於與線圈軸CL平行之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。該各向異性磁性材料例如是包含樹脂及扁平形狀之填料粒子之複合磁性材料。該樹脂係絕緣性優異之熱硬化性樹脂。具體而言，絕緣基板150所包含之樹脂可使用與絕緣體層20a1～20a7相同者，故而省略詳細說明。
絕緣基板150所包含之填料粒子以採用其最長軸方向朝向與線圈軸CL平行之方向，其短軸朝向垂直於線圈軸CL之方向之姿勢的方式包含於樹脂中。藉由填料粒子採用此種姿勢，而絕緣基板150之平行於線圈軸CL之方向之磁導率大於垂直於線圈軸CL之方向之磁導率。藉此，於絕緣基板150中，平行於線圈軸CL之方向成為易磁化方向，且垂直於線圈軸CL之方向成為難磁化方向。由於絕緣基板150中平行於線圈軸CL之方向成為易磁化方向且垂直於線圈軸CL之方向成為難磁化方向，故無須針對絕緣基板150所包含之所有填料粒子，使其最長軸方向朝向相對於T軸準確地垂直之方向。絕緣基板150所包含之填料粒子由於可使用與絕緣體層20a1～20a7所包含之填料粒子相同者，故而省略詳細說明。
於本發明之一實施形態中，絕緣基板150構成為具有大於絕緣體本體120之電阻值。藉此，即便使絕緣基板150變薄，亦可確保線圈導體125a與線圈導體125b之間之電性絕緣。
線圈導體125a以具有特定圖案之方式形成於絕緣基板150之上表面。於圖示之實施形態中，線圈導體125a形成為具有繞線圈軸CL捲繞之複數匝環繞部。
同樣地，線圈導體125b以具有特定圖案之方式形成於絕緣基板150之下表面。於圖示之實施形態中，線圈導體125b形成為具有繞線圈軸CL捲繞之複數匝環繞部。於本發明之一實施形態中，線圈導體125b以其環繞部之上表面與線圈導體125a之環繞部之下表面對向之方式形成。
於線圈導體125a之一端部設置引出導體126a，於另一端部設置引出導體127a。線圈導體125a經由該引出導體126a與外部電極121電性連接，且經由引出導體127a與外部電極122電性連接。同樣地，於線圈導體125b之一端部設置引出導體126b，於另一端部設置引出導體127b。線圈導體125b經由該引出導體126b與外部電極123電性連接，且經由引出導體127b與外部電極124電性連接。
線圈導體125a及線圈導體125b係藉由在絕緣基板150之表面形成圖案化之抗蝕劑並利用鍍覆處理以導電性金屬填充該抗蝕劑之開口部而形成。
於本發明之一實施形態中，絕緣體本體120具有第1主面120a、第2主面120b、第1端面120c、第2端面120d、第1側面120e及第2側面120f。絕緣體本體120藉由該等6個面而劃定其外表面。
於本發明之一實施形態中，絕緣體本體120包含分散有多個填料粒子之樹脂。於本發明之其他實施形態中，絕緣體本體120包含不含有填料粒子之樹脂。於本發明之一實施形態中，絕緣體本體120所包含之樹脂為絕緣性優異之熱硬化性樹脂。
作為絕緣體本體120用之熱硬化性樹脂，可使用苯并環丁烯(BCB)、環氧樹脂、酚系樹脂、不飽和聚酯樹脂、乙烯酯樹脂、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚苯醚樹脂(PPO)、雙馬來醯亞胺三嗪氰酸酯樹脂、反丁二烯二酸酯樹脂、聚丁二烯樹脂或聚乙烯苄醚樹脂。
於本發明之一實施形態中，作為使用於絕緣體本體120之填料粒子，可使用與絕緣體層20a1～20a7所包含之填料粒子相同者。
外部電極121及外部電極123設置於絕緣體本體120之第1端面120c。外部電極122及外部電極124設置於絕緣體本體120之第2端面120d。各外部電極如圖所示延伸至絕緣體本體120之上表面120a及下表面120c。
其次，說明線圈零件110之製造方法之一例。線圈零件1可藉由例如薄膜製程而製造。首先，準備絕緣基板150。其次，將光阻劑塗佈於絕緣基板150之上表面及下表面。繼而，藉由光罩將線圈導體125a之導體圖案曝光、轉印於絕緣基板150之上表面，並進行顯影處理。藉此，於絕緣基板150之上表面形成具有用於形成線圈導體125a之開口圖案之抗蝕劑。於絕緣基板150之下表面，亦以相同之方式形成具有用於形成線圈導體125b之開口圖案之抗蝕劑。繼而，藉由鍍覆處理以導電性金屬填充該開口圖案之各者。繼而，藉由蝕刻去除抗蝕劑，藉此，於絕緣基板150之上表面形成線圈導體125a，於絕緣基板150之下表面形成線圈導體125b。
繼而，於形成有線圈導體125a及線圈導體125b之絕緣基板150之兩面，形成絕緣體本體120。絕緣體本體120使用含有填料之樹脂以層壓法或壓製法等形成。
繼而，藉由使用切割機或雷射加工機等切斷機將該本體積層體單片化成所需尺寸，可獲得相當於絕緣體本體120之單元零件之大小之積層體。繼而，於單片化之積層體形成外部電極121～124。各外部電極藉由將導電性膏塗佈於絕緣體本體120之表面形成基底電極並於該基底電極之表面形成鍍覆層而形成。鍍覆層例如採用含鎳之鍍鎳層與含錫之鍍錫層之2層構造。
藉由以上之步驟，可獲得本發明之一實施形態之線圈零件1。上述之線圈零件1之製造方法僅為一例，線圈零件1之製造方法並不限定於上述者。
其次，參照圖7，對線圈零件110中產生之磁通進行說明。圖7係模式性地表示將圖6之線圈零件以II-II線切斷所得之剖面之圖。於圖7中，自線圈導體產生之磁通(磁力線)以箭頭記載。又，於圖7中，為了便於說明，而省略各外部電極之圖示。
如圖所示，線圈導體125a具有作為線圈軸CL方向之一端部之上表面128a、及作為線圈軸CL方向之另一端部之下表面129a。線圈導體125b具有作為線圈軸CL方向之一端部之上表面128b、及作為線圈軸CL方向之另一端部之下表面129b。如圖所示，線圈導體125a係以其下表面129a與線圈導體125b之上表面128b對向之方式設置。
絕緣體本體120具有位於線圈導體125a之內側之芯部130a、位於線圈導體125a之外側之外周部140a、位於線圈導體125b之內側之芯部130b、以及位於線圈導體125b之外側之外周部140b。
於該線圈零件110中，自流動於線圈導體125a之電流產生之磁通係如圖7中以箭頭所表示般，通過經過芯部130a、外周部140a、絕緣基板150(之中位於線圈導體125a及線圈導體125b之外側之部分)、外周部140b、芯部130b、絕緣基板150(之中位於線圈導體125a及線圈導體125b之內側之部分)並返回至芯部130a的閉磁路。此時，由於絕緣基板150之垂直於線圈軸CL之方向之磁導率小於外周部140a、外周部140b及絕緣基板150之平行於線圈軸CL之方向之磁導率，故通過外周部140a之磁通並不通過自絕緣基板150沿垂直於線圈軸CL之方向前進並返回至芯部130a之路徑，而是通過自絕緣基板150沿與線圈軸CL平行之方向前進並前進至外周部140bb之路徑。自流動於線圈導體125b之電流產生之磁通亦通過同樣之閉磁路。因此，於線圈零件110中，不易於線圈導體125a與線圈導體125b之間產生漏磁通。因此，於線圈零件110中，與於線圈導體間產生漏磁通之先前之磁耦合型線圈零件相比，亦能夠改善耦合係數。
線圈零件110由於藉由薄膜製程而形成，故與組裝型耦合電感器相比，更容易小型化。
本說明書中說明之各構成要素之尺寸、材料及配置並不限定於實施形態中明確說明者，該各構成要素能夠以具有本發明之範圍可包含之任意之尺寸、材料及配置之方式變化。又，既可將本說明書中未明確說明之構成要素附加於所說明之實施形態，亦可將各實施形態中所說明之構成要素之一部分省略。
1‧‧‧線圈零件
10‧‧‧絕緣體本體
101‧‧‧線圈零件
10a‧‧‧第1主面
10b‧‧‧第2主面
10c‧‧‧第1端面
10d‧‧‧第2端面
10e‧‧‧第1側面
10f‧‧‧第2側面
110‧‧‧線圈零件
11a‧‧‧絕緣體本體
11b‧‧‧絕緣體本體
120‧‧‧絕緣體本體
120a‧‧‧第1主面
120b‧‧‧第2主面
120c‧‧‧第1端面
120d‧‧‧第2端面
120e‧‧‧第1側面
120f‧‧‧第2側面
121～124‧‧‧外部電極
125a‧‧‧線圈導體
125b‧‧‧線圈導體
126a‧‧‧引出導體
126b‧‧‧引出導體
127a‧‧‧引出導體
127b‧‧‧引出導體
128a‧‧‧上表面
128b‧‧‧上表面
129a‧‧‧下表面
129b‧‧‧下表面
130a‧‧‧芯部
130b‧‧‧芯部
140a‧‧‧外周部
140b‧‧‧外周部
150‧‧‧絕緣基板
18a‧‧‧上部覆蓋層
18b‧‧‧上部覆蓋層
18b1‧‧‧環狀部
19a‧‧‧下部覆蓋層
19a1‧‧‧環狀部
19b‧‧‧下部覆蓋層
1a‧‧‧線圈單元
1b‧‧‧線圈單元
20a‧‧‧絕緣體部
20a1～20a7‧‧‧絕緣體層
20b‧‧‧絕緣體部
20b1～20b7‧‧‧絕緣體層
21～24‧‧‧外部電極
25a‧‧‧線圈導體
25a1～25a7‧‧‧導體圖案
25b‧‧‧線圈導體
25b1～25b7‧‧‧導體圖案
26a‧‧‧上表面
26b‧‧‧上表面
27a‧‧‧下表面
27b‧‧‧下表面
30a‧‧‧芯部
30b‧‧‧芯部
40a‧‧‧外周部
40b‧‧‧外周部
50a‧‧‧中間部
50b‧‧‧中間部
51a‧‧‧中間部
51b‧‧‧中間部
CL‧‧‧線圈軸
I-I‧‧‧線
II-II‧‧‧線
L‧‧‧方向
T‧‧‧方向
Va1～Va6‧‧‧通路
Vb1～Vb6‧‧‧通路
W‧‧‧方向
圖1係本發明之一實施形態之線圈零件之立體圖。 圖2係圖1之線圈零件所包含之2個線圈單元中之一者之分解立體圖。 圖3係圖1之線圈零件所包含之2個線圈單元中之另一者之分解立體圖。 圖4係模式性地表示將圖1之線圈零件以I-I線切斷所得之剖面之圖。 圖5係模式性地表示本發明之另一實施形態之線圈零件之剖面之圖。 圖6係本發明之另一實施形態之線圈零件之立體圖。 圖7係模式性地表示將圖6之線圈零件以II-II線切斷所得之剖面之圖。

Claims (11)

  1. 一種線圈零件，其具備： 絕緣體本體； 第1線圈導體，其埋設於上述絕緣體本體，且繞線圈軸捲繞；及 第2線圈導體，其埋設於上述絕緣體本體，且繞上述線圈軸捲繞； 上述第1線圈導體係以其一線圈面即第1線圈面與上述第2線圈導體之一線圈面即第2線圈面對向之方式設置； 上述絕緣體本體具有： 中間部，其配置於上述第1線圈面與上述第2線圈面之間； 芯部，其配置於上述第1線圈導體及上述第2線圈導體之內側；及 外周部，其配置於上述第1線圈導體及上述第2線圈導體之外側；且 上述中間部形成為其垂直於上述線圈軸之方向之磁導率小於上述芯部及上述外周部之平行於上述線圈軸之方向之磁導率。
  2. 如請求項1之線圈零件，其中上述中間部包含非磁性體。
  3. 如請求項1之線圈零件，其中上述中間部包含於平行於上述線圈軸之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。
  4. 如請求項1至3中任一項之線圈零件，其中上述中間部形成為具有大於上述芯部之電阻值。
  5. 如請求項1至3中任一項之線圈零件，其中上述中間部形成為具有大於上述外周部之電阻值。
  6. 如請求項4之線圈零件，其中上述中間部形成為具有大於上述外周部之電阻值。
  7. 如請求項1之線圈零件，其進而具備中間層，該中間層設置於上述第1線圈導體與上述第2線圈導體之間，且包含於平行於上述線圈軸之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料； 上述芯部具有配置於上述第1線圈導體之內側之第1芯部、及配置於上述第2線圈導體之內側之第2芯部；且 上述外周部具有配置於上述第1線圈導體之外側之第1外周部、及配置於上述第2線圈導體之外側之第2外周部。
  8. 一種線圈零件，其具備： 絕緣體本體； 絕緣基板，其埋設於上述絕緣體本體； 第1線圈導體，其形成於上述絕緣基板之一面，且繞線圈軸捲繞；及 第2線圈導體，其形成於上述絕緣基板之另一面，且繞上述線圈軸捲繞；且 上述絕緣基板形成為垂直於上述線圈軸之方向之磁導率小於平行於上述線圈軸之方向之磁導率。
  9. 如請求項8之線圈零件，其中上述絕緣基板包含非磁性體。
  10. 如請求項8之線圈零件，其中上述絕緣基板包含於平行於上述線圈軸之方向具有易磁化方向之各向異性磁性材料。
  11. 如請求項8至10中任一項之線圈零件，其中上述絕緣基板形成為具有大於上述絕緣體本體之電阻值。
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