TW201908831A - 面板的製造方法及陣列基板 - Google Patents
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Abstract
一種面板的製造方法包括下列步驟：提供包括偏光圖案的陣列基板；形成配向材料層於陣列基板上；提供光源模組，其中偏光圖案位於光源模組與配向材料層之間，且光源模組射出的光線穿過偏光圖案以對配向材料層進行光配向。本發明提供一種陣列基板。
Description
本發明是有關於一種面板的製造方法，且特別是有關於一種涉及光配向技術的面板及陣列基板。
為了要使顯示面板中的液晶分子沿著預定的方向排列，往往需要在製造顯示面板的過程中進行配向處理製程。在配向處理製程中，刷磨式的配向容易造成微塵、應力不均等諸多問題，因此，光配向製程便是另一種選擇。在光配向製程中，利用光線照射基板上的配向材料層，使預定方向上的配向材料層發生化學反應而產生配向，因此，後續填入的液晶分子能沿著預定的方向排列。
在目前的光配向技術中，需要利用光配向機台上的偏光片來偏振光源模組所射出的光線，但因為光配向機台與母板之間有一段距離，故光配向路徑可能產生些許誤差而導致配向效果不符預期，或者是，若光配向機台使用了拼接式的偏光片，則因為拼接處的積光量往往不足，而可能導致不同時間配向的區域之間出現了不連續的配向瑕疵。
本發明之至少一實施例提供一種面板的製造方法，可以解決光配向技術中，部分區域出現積光量不足的問題。
本發明之至少一實施例提供一種陣列基板，可以解決光配向技術中，陣列基板在部分區域出現配向瑕疵的問題。
本發明之至少一實施例提供一種面板的製造方法包括下列步驟：提供包括偏光圖案的陣列基板；形成配向材料層於陣列基板上；提供光源模組，其中偏光圖案位於光源模組與配向材料層之間，光源模組射出的光線穿過偏光圖案以對配向材料層進行光配向。
本發明之至少一實施例提供一種陣列基板，包括複數條掃描線、複數條資料線、複數個主動元件、複數個第一電極與下偏光圖案。複數個主動元件分別與掃描線及資料線電性連接。下偏光圖案與第一電極重疊，且下偏光圖案具有多個平行的下偏光狹縫。掃描線中之一個具有掃描線狹縫，且與下偏光圖案重疊；及/或資料線中之一個具有資料線狹縫，且與下偏光圖案疊。
本發明之至少一實施例提供一種陣列基板，包括黑色矩陣以及上偏光圖案。黑色矩陣包括多個第一狹縫。上偏光圖案包括多個上偏光狹縫，且上偏光圖案與黑色矩陣的第一狹縫重疊。
本發明之目的之一為不需要在光配向機台上設置偏光片。
本發明之目的之一為解決面板在部分區域出現配向瑕疵的問題。
本發明之目的之一為使掃描線及/或資料線周圍能有較佳的配向品質。
本發明之目的之一為使黑色矩陣周圍能有較佳的配向品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本文的示意圖僅是用以示意本發明部分的實施例。因此，示意圖中所示之各個元件的形狀、數量及比例大小不應被用來限制本發明。舉例來說，示意圖中之偏光圖案的實際數量、大小以及形狀僅是用來作為示意，並不代表本發明之偏光圖案的實際數量、大小以及形狀一定要如圖中所示。
圖1A是依照本發明的一實施例的陣列基板10的上視示意圖。圖1B是圖1A中剖線AA’以及陣列基板的局部周邊區的剖面示意圖。
請同時參考圖1A與圖1B，陣列基板10包括基底B1、遮蔽層100、複數條掃描線SL、複數條資料線DL、複數個主動元件TFT、複數個第一電極140A、複數個第二電極140B、與下偏光圖案PL。在本實施例中，陣列基板10例如為主動元件陣列基板。
遮蔽層100形成於基底B1上。在一實施例中，基底B1之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其他可以透光的材質。在一實施例中，遮蔽層100之材質可為金屬、合金、氧化物、黑色樹脂或其他透光率低的材質。在本實施例中，下偏光圖案PL與遮蔽層100皆形成於基底B1上，並與基底B1接觸。在一實施例中，下偏光圖案PL與遮蔽層100例如是同時形成，且形成方法例如為奈米壓印製程或曝光蝕刻製程。在一實施例中，下偏光圖案PL例如包括多條彼此平行的細線P1，且這些細線P1的線寬約為25奈米與125奈米之間。在一實施例中，下偏光圖案PL可具有多個平行的下偏光狹縫P1O，這些下偏光狹縫P1O的寬度W1約介於15nm與120nm之間。在本實施例中，基底B1上的細線P1皆互相平行，且往同個方向延伸，但本發明不以此為限。在一些實施例中，彼此具有不同設計的多個畫素區域PR，對應不同畫素區域PR的下偏光圖案PL中的細線P1可以具有不同的延伸方向。
主動元件TFT形成於遮蔽層100上。在一實施例中，主動元件TFT與遮蔽層100之間夾有絕緣層105。主動元件TFT包括半導體層110、閘絕緣層115、閘極120、源極132與汲極134。半導體層110形成於絕緣層105上。半導體層110為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其他合適的材料、或上述之組合)、或其他合適的材料、或含有摻雜物(dopant)於上述材料中或上述之組合。閘絕緣層115形成於半導體層110以及絕緣層105上。閘極120形成於閘絕緣層115上，且閘絕緣層115夾置於半導體層110以及閘極120之間，閘極120與掃描線SL電性連接。源極132與汲極134形成於半導體層110上，並與半導體層110電性連接。在一實施例中，絕緣層125形成於閘極120以及閘絕緣層115上，源極132與汲極134分別填入絕緣層125中的開口O1與開口O2並與半導體層110電性連接。源極132與資料線DL電性連接。
在本實施例中，主動元件TFT例如是利用低溫多晶矽技術LTPS（Low Temperature Poly-silicon）來製作，但本發明不以此為限。本發明還可以使用其他型式的主動元件TFT或其他製造主動元件TFT的方法。
在本實施例中，掃描線SL具有掃描線狹縫120O，且掃描線SL的掃描線狹縫120O與部分的細線P1重疊。在本實施例中，每條掃描線SL上例如是具有多個掃描線狹縫120O，每個掃描線狹縫120O對應一個畫素區域PR，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，可以是多個掃描線狹縫120O對應一個畫素區域PR，也可以是一個掃描線狹縫120O對應多個畫素區域PR。在本實施例中，掃描線狹縫120O的延伸方向實質上平行於對應之掃描線SL的延伸方向D2。在一實施例中，掃描線SL的寬度A1例如介於1微米與6微米之間，掃描線狹縫120O的寬度W2例如介於0.2微米與0.6微米之間。在一實施例中，掃描線狹縫120O的寬度W2實質上為對應之掃描線SL的寬度A1的1%至50%。掃描線狹縫120O的寬度W2與掃描線SL的寬度A1的量測方向相同，例如是在垂直掃描線SL的延伸方向D2的方向上量測。
在本實施例中，資料線DL具有資料線狹縫130O，且資料線DL的資料線狹縫130O與部分的細線P1重疊。在本實施例中，每條資料線DL例如具有多個資料線狹縫130O，每個資料線狹縫130O對應一個畫素區域PR，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，可以是多個資料線狹縫130O對應一個畫素區域PR，也可以是一個資料線狹縫130O對應多個畫素區域PR。在本實施例中，資料線狹縫130O的延伸方向實質上平行於對應之資料線DL的延伸方向D1。在一實施例中，資料線DL的寬度A2例如介於1微米與6微米之間，資料線狹縫130O的寬度W3例如介於0.2微米與0.6微米之間。在一實施例中，資料線狹縫130O的寬度W3實質上為對應之資料線DL的寬度A2的1%至50%。資料線狹縫130O的寬度W2與資料線DL的寬度A2的量測方向相同，例如是在垂直資料線DL的延伸方向D1的方向上量測。在一實施例中，資料線DL呈鋸齒狀（zigzag），舉例來說，每一條掃描線SL上下兩側的資料線DL的延伸方向具有夾角，相鄰列之畫素區域PR所對應的資料線DL具有不同的延伸方向，但本發明不以此為限。在一些實施例中，資料線DL只具有一個延伸方向，延伸方向D1舉例係垂直於延伸方向D2。
在本實施例中，第一電極140A為畫素電極，第一電極140A位於畫素區域PR中，且電性連接至主動元件TFT的汲極134。在一實施例中，絕緣層135形成於源極132以及汲極134上，且絕緣層135具有開口O3。第一電極140A填入開口O3並與汲極134電性連接。第一電極140A與部分細線P1重疊。第一電極140A具有多個電極狹縫140O。在本實施例中，電極狹縫140O的延伸方向平行於對應之資料線DL的延伸方向D1，但本發明不以此為限。在其他實施例中，電極狹縫140O的延伸方向與資料線DL的延伸方向D1之間具有夾角。在一實施例中，電極狹縫140O在靠近掃描線SL的位置處可以有不同於延伸方向D1的另一延伸方向，且藉由在電極狹縫140O靠近掃描線SL的位置處設計另一延伸方向能進一步幫助液晶的配向。在一實施例中，下偏光狹縫P1O與對應的電極狹縫140O之夾角介於-15度與15度之間或75度與105度之間。
在本實施例中，陣列基板10包括複數個第二電極140B（圖1A中省略繪示）。第二電極140B重疊於第一電極140A，且與第一電極140A之間夾有絕緣層137。第二電極140B在對應於開口O3的位置處具有開口O4，因此，第一電極140A不會與第二電極140B接觸。在本實施例中，第二電極140B為共通電極，且第二電極140B在周邊區BR電性連接於共通線CL。共通線CL例如與資料線DL屬於同一膜層，即由同一材料層圖案化形成。在本實施例中，第一電極140A位於第二電極140B的上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一電極140A位於第二電極140B的下方。
形成下配向材料層150，下配向材料層150例如覆蓋第一電極140A、第二電極140B、主動元件TFT以及下偏光圖案PL。下配向材料層150例如位於下偏光圖案PL上方。在一實施例中，形成下配向材料層150的方法例如包括旋轉塗佈法、凹/凸板印刷或噴墨印刷。在一實施例中，下配向材料層150例如包括聚醯亞胺或其他合適的高分子材料。
提供光源模組(未繪示)，且下偏光圖案PL位於光源模組與下配向材料層150之間。光源模組例如可以射出非偏振的光線UV，光線UV例如包括紫外光。在本實施例中，光線UV由下往上照射，例如從基底B1之一側進入陣列基板10之內部。光線UV穿過下偏光圖案PL後轉變為偏振光，接著對下配向材料層150進行光配向，使下配向材料層150轉變為配向層(未標示)。
本實施例利用陣列基板10本身的下偏光圖案PL來偏振光源模組所發出的光線UV，故可不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決在部分區域出現積光量不足的問題。在本實施例中，掃描線SL以及資料線DL皆與下偏光圖案PL屬於不同膜層，且部分掃描線SL以及部分資料線DL會與細線P1重疊。因此，穿過下偏光圖案PL的光線UV會照射到掃描線SL以及資料線DL。由於掃描線SL具有掃描線狹縫120O且資料線DL具有資料線狹縫130O。因此，光源模組所發出的光線UV可以穿過掃描線狹縫120O及資料線狹縫130O，使重疊於掃描線SL及資料線DL的下配向材料層150也可以被光線UV給照射到，提升了掃描線SL及資料線DL周圍的配向品質。
圖2是依照本發明的一實施例的陣列基板20的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A、圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參考圖2，在本實施例中，下偏光圖案PL配置於基底B1的外側。換句話說，本實施例中的下偏光圖案PL與遮蔽層100分別位於基底B1相對的兩側，且下偏光圖案PL與遮蔽層100並非在同個製程中形成。
本實施例的陣列基板20包括下偏光圖案PL，利用陣列基板20本身的下偏光圖案PL來偏振光源模組所發出的光線UV，不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決在部分區域出現積光量不足的問題。在本實施例中，掃描線SL以及資料線DL皆與下偏光圖案PL屬於不同膜層，且部分掃描線SL以及部分資料線DL會與細線P1重疊。因此，穿過下偏光圖案PL的光線UV會照射到掃描線SL以及資料線DL。由於掃描線SL具有掃描線狹縫120O且資料線DL具有資料線狹縫130O。因此，光源模組所發出的光線UV可以穿過掃描線狹縫120O及資料線狹縫130O，使重疊於掃描線SL及資料線DL的下配向材料層150也可以被光線UV給照射到，提升了掃描線SL及資料線DL周圍的配向品質。
圖3是依照本發明的一實施例的陣列基板30的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A、圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參考圖3，在本實施例中，下偏光圖案PL與掃描線SL以及閘極120屬於同個膜層。在一實施例中，下偏光圖案PL與掃描線SL以及閘極120例如是在同個製程中形成，且形成方法例如為奈米壓印製程或曝光蝕刻製程。在本實施例中，由於穿過下偏光圖案PL的光線UV不會穿過掃描線SL，因此，可不用額外的在掃描線SL上設置狹縫。
本實施例的陣列基板30包括下偏光圖案PL，利用陣列基板30本身的下偏光圖案PL來偏振光源模組所發出的光線UV，可不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決在部分區域出現積光量不足的問題。在本實施例中，資料線DL與下偏光圖案PL屬於不同膜層，且部分部分資料線DL會與細線P1重疊。因此，穿過下偏光圖案PL的光線UV會照射到資料線DL。由於資料線DL具有資料線狹縫130O。因此，光源模組所發出的光線UV可以穿過資料線狹縫130O，使重疊於資料線DL的下配向材料層150也可以被光線UV給照射到，提升了資料線DL周圍的配向品質。
圖4是依照本發明的一實施例的陣列基板40的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A、圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參考圖4，在本實施例中，每條資料線DL具有一個資料線狹縫130O，且資料線狹縫130O的延伸方向即為資料線DL的延伸方向D1。在一實施例中，資料線狹縫130O例如會貫穿源極132。在本實施例中，每條掃描線SL具有一個掃描線狹縫120O，且掃描線狹縫120O的延伸方向即為掃描線SL的延伸方向D2。在一實施例中，掃描線狹縫120O例如會貫穿閘極120。由於本實施例中的掃描線狹縫120O以及資料線狹縫130O所佔據的面積較大，因此較多的光線UV的可以穿過掃描線SL以及資料線DL的狹縫並對下配向材料層150進行光配向。
本實施例的陣列基板40包括下偏光圖案PL，利用陣列基板40本身的下偏光圖案PL來偏振光源模組所發出的光線UV，不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決面板在部分區域出現積光量不足的問題。在本實施例中，掃描線SL以及資料線DL皆與下偏光圖案PL屬於不同膜層，且部分掃描線SL以及部分資料線DL會與細線P1重疊。因此，穿過下偏光圖案PL的光線UV會照射到掃描線SL以及資料線DL。由於掃描線SL具有掃描線狹縫120O且資料線DL具有資料線狹縫130O。因此，光源模組所發出的光線UV可以穿過掃描線狹縫120O及資料線狹縫130O，使重疊於掃描線SL及資料線DL的下配向材料層150也可以被光線UV給照射到，提升了掃描線SL及資料線DL周圍的配向品質。
圖5A是依照本發明的一實施例的陣列基板50的上視示意圖。圖5B是圖5A中剖線BB’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5A與圖5B的實施例沿用圖1A、圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請同時參考圖5A與圖5B，陣列基板50包括基底B2、黑色矩陣BM、上偏光圖案PU以及彩色濾光元件210。
黑色矩陣BM以及彩色濾光元件210形成於基底B2上。彩色濾光元件210例如包括多個不同顏色的濾光圖案，例如包括紅色濾光圖案、藍色濾光圖案、綠色濾光圖案以及黃色濾光圖案。黑色矩陣BM例如將不同顏色的濾光圖案給分隔開來。在一實施例中，黑色矩陣BM包括沿著延伸方向D2延伸的第一區塊200A以及沿著延伸方向D1延伸的第二區塊200B，第一區塊200A與第二區塊200B互相交錯。在一實施例中，黑色矩陣BM的第一區塊200A例如對應掃描線SL設置，黑色矩陣BM的第二區塊200B例如對應資料線DL設置。
在一實施例中，黑色矩陣BM的第一區塊200A具有多個第一狹縫200OA，黑色矩陣BM的第二區塊200B具有多個第二狹縫200OB。第一狹縫200OA的延伸方向例如同於第一區塊200A的延伸方向D2，第二狹縫200OB的延伸方向同於第二區塊200B的延伸方向D1。第二狹縫200OB的延伸方向交錯於第一狹縫200OA的延伸方向。第一區塊200A的寬度A3例如介於1微米與8微米之間，第一狹縫200OA的寬度W4例如介於0.2微米與0.6微米之間。在一實施例中，第一狹縫200OA的寬度W4實質上為對應之第一區塊200A的寬度A3的1%至50%。第一狹縫200OA的寬度W4與第一區塊200A的寬度A3的量測方向相同，例如是在垂直延伸方向D2的方向上量測。第二區塊200B的寬度A4例如介於1微米與8微米之間，第二狹縫200OB的寬度W5例如介於0.2微米與0.6微米之間。在一實施例中，第二狹縫200OB的寬度W5實質上為對應之第二區塊200B的寬度A4的1%至50%。第二狹縫200OB的寬度W5與第二區塊200B的寬度A4的量測方向相同，例如是在垂直延伸方向D1的方向上量測。
於基底B2上形成上偏光圖案PU，在一實施例中，上偏光圖案PU與黑色矩陣BM之間隔有絕緣層215。在一實施例中，上偏光圖案PU例如包括多條彼此平行的細線P2。在一實施例中，上偏光圖案P2具有多個平行的上偏光狹縫P2O，這些上偏光狹縫P2O的寬度W6之寬度約介於15nm與120nm之間。至少部分細線P2重疊於黑色矩陣BM以及彩色濾光元件210。在一實施例中，至少部分細線P2重疊於黑色矩陣BM的第一狹縫200OA以及第二狹縫200OB。
形成上配向材料層250，上配向材料層250例如覆蓋上偏光圖案PU、黑色矩陣BM以及彩色濾光元件210。在一實施例中，形成上配向材料層250的方法例如為旋轉塗佈法、凹/凸板印刷或噴墨印刷。在一實施例中，上配向材料層250例如包括聚醯亞胺或其他合適的高分子材料。
提供光源模組，且上偏光圖案PU位於光源模組與上配向材料層250之間。光源模組例如可以射出非偏振的光線UV，光線UV例如包括紫外光。在本實施例中，光線UV由上往下照射，例如從基底B2之外側進入陣列基板50。光線UV穿過上偏光圖案PU後會轉變為偏振光，接著對上配向材料層250進行光配向，使上配向材料層250轉變為配向層。
本實施例的陣列基板50包括上偏光圖案PU，利用陣列基板50本身的上偏光圖案PU來偏振光源模組所發出的光線UV，可不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決在部分區域出現積光量不足的問題。在本實施例中，黑色矩陣BM與上偏光圖案PU屬於不同膜層，且部分黑色矩陣BM會與細線P2重疊。因此，穿過上偏光圖案PU的光線UV會照射到黑色矩陣BM。由於黑色矩陣BM具有第一狹縫200OA以及第二狹縫200OB。因此，光源模組所發出的光線UV可以穿過第一狹縫200OA以及第二狹縫200OB，使重疊於黑色矩陣BM的上配向材料層250也可以被光線UV給照射到，提升了黑色矩陣BM周圍的配向品質。
圖6是依照本發明的一實施例的陣列基板60的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5A、圖5B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參考圖6，在本實施例中，上偏光圖案PU配置於基底B2的外側。換句話說，本實施例中的上偏光圖案PU與黑色矩陣BM分別位於基底B2相對的兩側。
本實施例的陣列基板60包括上偏光圖案PU，利用陣列基板60本身的上偏光圖案PU來偏振光源模組所發出的光線UV，可不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決在部分區域出現積光量不足的問題。在本實施例中，黑色矩陣BM與上偏光圖案PU屬於不同膜層，且部分黑色矩陣BM會與細線P2重疊。因此，穿過上偏光圖案PU的光線UV會照射到黑色矩陣BM。由於黑色矩陣BM具有第一狹縫200OA以及第二狹縫200OB。因此，光源模組所發出的光線UV可以穿過第一狹縫200OA以及第二狹縫200OB，使重疊於黑色矩陣BM的上配向材料層250也可以被光線UV給照射到，提升了黑色矩陣BM周圍的配向品質。
圖7是依照本發明的一實施例的一種面板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖1A、圖1B、圖5A、圖5B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參考圖7，面板包括陣列基板10以及陣列基板60，但本發明不以此為限，面板中的陣列基板10可替換為上述實施例中之陣列基板20、30或40，面板中的陣列基板60可替換為上述實施例中之陣列基板50。封膠S接合陣列基板10以及陣列基板60。封膠S例如是位於面板的周邊區BR。在一實施例中，陣列基板60的黑色矩陣BM重疊於陣列基板10的掃描線SL及資料線DL，黑色矩陣BM的第一狹縫200OA實質上平行於掃描線SL的延伸方向D2，且黑色矩陣BM的第二狹縫200OB的延伸方向實質上平行於資料線DL的延伸方向D1。
在一實施例中，陣列基板10以及陣列基板60之間具有複數個液晶分子LC。在本實施例中，液晶分子LC舉例係可被水平電場轉動或切換的液晶分子或者是可被垂直電場轉動或切換的液晶分子，但不限於此。
偏光圖案P包括下偏光圖案PL以及上偏光圖案PU，配向材料層包括下配向材料層150以及上配向材料層250。在一實施例中，於光源模組射出光線UV穿過下偏光圖案PL以對下配向材料層150進行光配向之前，以及於光源模組射出光線UV穿過上偏光圖案PU以對上配向材料層250進行光配向之前，以封膠S接合陣列基板10以及陣列基板60，但本發明不以此為限。在其他實施例中，於光源模組射出光線UV穿過下偏光圖案PL以對下配向材料層150進行光配向之後，以及於光源模組射出光線UV穿過上偏光圖案PU以對上配向材料層250進行光配向之後，再以封膠S接合陣列基板10以及陣列基板60。
在本實施例中，陣列基板60具有黑色矩陣BM以及彩色濾光元件210，但本發明不以此為限。在其他實施例中，黑色矩陣BM以及彩色濾光元件210可位於陣列基板10上，以構成彩色濾光元件於畫素陣列上(color filter on array, COA)之結構，陣列基板60可以不包括黑色矩陣BM以及彩色濾光元件210。
本發明之至少一實施例的陣列基板包括偏光圖案，利用陣列基板本身的偏光圖案來偏振光源模組所發出的光線，可不需要在光配向機台上設置偏光片。因此，能解決在部分區域出現積光量不足的問題。
在一實施例中，掃描線以及資料線皆與偏光圖案屬於不同膜層，且部分掃描線以及部分資料線會與偏光圖案之細線重疊。因此，穿過偏光圖案的光線會照射到掃描線以及資料線。在本實施例中，掃描線具有掃描線狹縫且/或資料線具有資料線狹縫。因此，光源模組所發出的光線可以穿過掃描線狹縫及資料線狹縫，使重疊於掃描線及資料線的配向材料層也可以被光線給照射到，提升了掃描線及資料線周圍的配向品質。
在一實施例中，黑色矩陣具有第一狹縫以及第二狹縫。因此，光源模組所發出的光線可以穿過第一狹縫以及第二狹縫，使重疊於黑色矩陣的配向材料層也可以被光線照射，提升了黑色矩陣周圍的配向品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40、50‧‧‧陣列基板
150、250‧‧‧配向材料層
100‧‧‧遮蔽層
105、125、135、137、215‧‧‧絕緣層
110‧‧‧半導體層
115‧‧‧閘絕緣層
120‧‧‧閘極
120O、130O、140O、P1O、P2O、200OA、200OB‧‧‧狹縫
132‧‧‧源極
134‧‧‧汲極
140A、140B‧‧‧電極
200A、200B‧‧‧區塊
210‧‧‧彩色濾光元件
A1、A2、A3、A4、W1、W2、W3、W4、W5、W6‧‧‧寬度
B1、B2‧‧‧基底
BM‧‧‧黑色矩陣
BR‧‧‧周邊區
CL‧‧‧共通線
D1、D2‧‧‧方向
DL‧‧‧資料線
LC‧‧‧液晶分子
O1、O2、O3、O4‧‧‧開口
P、PL、PU‧‧‧偏光圖案
PR‧‧‧畫素區域
P1、P2‧‧‧細線
S‧‧‧封膠
SL‧‧‧掃描線
TFT‧‧‧主動元件
UV‧‧‧光線
圖1A是依照本發明的一實施例的陣列基板的上視示意圖。 圖1B是圖1A中剖線AA’以及陣列基板的局部周邊區的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的陣列基板的剖面示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例的陣列基板的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的陣列基板的上視示意圖。 圖5A是依照本發明的一實施例的陣列基板的上視示意圖。 圖5B是圖5A中剖線BB’的剖面示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的陣列基板的剖面示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種面板的剖面示意圖。
Claims (19)
- 一種面板的製造方法，包括： 提供一陣列基板，該陣列基板包括一偏光圖案； 形成一配向材料層於該陣列基板上；以及 提供一光源模組，其中該偏光圖案位於該光源模組與該配向材料層之間，且該光源模組射出的光線穿過該偏光圖案以對該配向材料層進行光配向。
- 如申請專利範圍第1項所述的面板的製造方法，其中該陣列基板更包括： 複數條掃描線與複數條資料線； 複數個主動元件，分別與該些掃描線及該些資料線電性連接；以及 複數個第一電極，其中該偏光圖案包括一下偏光圖案，該下偏光圖案至少與部分該些掃描線及/或部分該些資料線及/或該些第一電極重疊，其中該下偏光圖案具有多個下偏光狹縫，該配向材料層包括一下配向材料層，該光源模組射出的光線穿過該下偏光圖案以對該下配向材料層進行光配向。
- 如申請專利範圍第2項所述的面板的製造方法，其中該些掃描線中之至少一個具有一掃描線狹縫，該掃描線狹縫的延伸方向實質上平行於對應之該掃描線的延伸方向，該掃描線狹縫的寬度實質上為對應之該掃描線的寬度的1%至50%，且該下偏光圖案與該些掃描線屬於不同膜層。
- 如申請專利範圍第2項或第3項所述的面板的製造方法，其中該些資料線中之至少一個具有一資料線狹縫，該資料線狹縫的延伸方向實質上平行於對應之該資料線的延伸方向，該資料線狹縫的寬度實質上為對應之該資料線的寬度的1%至50%，且該下偏光圖案與該些資料線屬於不同膜層。
- 如申請專利範圍第2項所述的面板的製造方法，其中在該光源模組射出的光線穿過該下偏光圖案以對該下配向材料層進行光配向之後，更包括以一封膠接合該陣列基板以及另一陣列基板。
- 如申請專利範圍第2項所述的面板的製造方法，其中在該光源模組射出的光線穿過該下偏光圖案以對該下配向材料層進行光配向之前，更包括以一封膠接合該陣列基板以及另一陣列基板。
- 如申請專利範圍第2項所述的面板的製造方法，其中該些第一電極具有多個電極狹縫，該些下偏光狹縫與對應的該些電極狹縫之夾角為-15度至15度或75度至105度。
- 如申請專利範圍第7項所述的面板的製造方法，其中該陣列基板更包括複數個第二電極電性連接於至少一共通線，該些第一電極分別與對應的該主動元件電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的面板的製造方法，其中該陣列基板更包括一黑色矩陣，其中該偏光圖案包括一上偏光圖案，該上偏光圖案與該黑色矩陣至少部分重疊，該上偏光圖案包括多個上偏光狹縫，該配向材料層包括一上配向材料層，且該光源模組射出的光線穿過該上偏光圖案以對該上配向材料層進行光配向。
- 如申請專利範圍第9項所述的面板的製造方法，其中該陣列基板更包括一彩色濾光元件，與該上偏光圖案重疊。
- 如申請專利範圍第9項所述的面板的製造方法，其中該黑色矩陣具有多個第一狹縫，該些第一狹縫的寬度實質上為該黑色矩陣的寬度的1%至50%。
- 如申請專利範圍第9項所述的面板的製造方法，更包括： 提供複數液晶分子於該陣列基板以及另一陣列基板之間；以及 以一封膠接合該陣列基板以及該另一陣列基板，該另一陣列基板包括： 複數條掃描線與複數條資料線；以及 複數個主動元件，分別與該些掃描線及該些資料線電性連接，其中該黑色矩陣重疊於該些掃描線及該些資料線，該些第一狹縫實質上平行於該些掃描線的延伸方向，且該黑色矩陣還具有多個第二狹縫，該些第二狹縫的延伸方向實質上平行於該些資料線的延伸方向。
- 一種陣列基板，包括： 複數條掃描線與複數條資料線； 複數個主動元件，分別與該些掃描線及該些資料線電性連接； 複數個第一電極與一下偏光圖案，該下偏光圖案與該些第一電極重疊，且該下偏光圖案具有多個平行的下偏光狹縫，其中： 該些掃描線中之至少一個具有一掃描線狹縫，且與該下偏光圖案重疊；及/或 該些資料線中至少之一個具有一資料線狹縫，且與該下偏光圖案重疊。
- 如申請專利範圍第13項所述的陣列基板，其中該些第一電極具有多個電極狹縫，該些下偏光狹縫之一與對應的該些電極狹縫之一所形成之夾角為-15度至15度或75度至105度。
- 如申請專利範圍第13項所述的陣列基板，其中該些掃描線中之至少一個具有一掃描線狹縫，該掃描線狹縫的延伸方向實質上平行於對應之該掃描線的延伸方向，該掃描線狹縫的寬度實質上為對應之該掃描線的寬度的1%至50%，且該下偏光圖案與該些掃描線屬於不同膜層。
- 如申請專利範圍第13項或第15項所述的陣列基板，其中該些資料線中之至少一個具有一資料線狹縫，該資料線狹縫的延伸方向實質上平行於對應之該資料線的延伸方向，該資料線狹縫的寬度實質上為對應之該資料線的寬度的1%至50%，且該下偏光圖案與該些資料線屬於不同膜層。
- 一種陣列基板，包括： 一黑色矩陣，包括多個第一狹縫；以及 一上偏光圖案，包括多個上偏光狹縫，且該上偏光圖案與該黑色矩陣的該些第一狹縫重疊。
- 如申請專利範圍第17項所述的陣列基板，其中該黑色矩陣更包括與該上偏光圖案重疊的多個第二狹縫，該些第二狹縫的延伸方向交錯於該些第一狹縫的延伸方向。
- 如申請專利範圍第17項所述的陣列基板，其中該些第一狹縫的寬度實質上為該黑色矩陣的寬度的1%至50%，該些上偏光狹縫之寬度約為15奈米至120奈米。
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