[go: up one dir, main page]

TW201841984A - 感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件 - Google Patents

感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件 Download PDF

Info

Publication number
TW201841984A
TW201841984A TW107106045A TW107106045A TW201841984A TW 201841984 A TW201841984 A TW 201841984A TW 107106045 A TW107106045 A TW 107106045A TW 107106045 A TW107106045 A TW 107106045A TW 201841984 A TW201841984 A TW 201841984A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
mass
resin composition
photosensitive resin
group
Prior art date
Application number
TW107106045A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI781144B (zh
Inventor
斉藤伸行
鯉渕由香里
生田目豊
Original Assignee
日商日立化成杜邦微系統股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日立化成杜邦微系統股份有限公司 filed Critical 日商日立化成杜邦微系統股份有限公司
Publication of TW201841984A publication Critical patent/TW201841984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI781144B publication Critical patent/TWI781144B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387—Polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0235—Shape of the redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0236—Shape of the insulating layers therebetween
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/024—Material of the insulating layers therebetween
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05541—Structure
    • H01L2224/05548—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13024—Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

一種感光性樹脂組成物，其包含下述（a）成分、（b1）成分及（b2）成分。（a）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物；（b1）選自由下述式（11）所表示的化合物及下述式（12）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物；（b2）選自由下述式（21）所表示的化合物及下述式（22）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物。

Description

感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件
本發明是有關於一種感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件。
先前，作為半導體積體電路（大型積體電路（Large Scale Integration，LSI））的保護膜材料，廣泛應用聚醯亞胺樹脂等具有高耐熱性的有機材料。使用此種聚醯亞胺樹脂的保護膜（硬化膜）是藉由將聚醯亞胺前驅物或者含有聚醯亞胺前驅物的樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成樹脂膜，對該樹脂膜進行加熱硬化而獲得。 隨著電子機器的小型化以及高功能化，對樹脂膜要求高解析度化。另外，要求一種可形成多樣的圖案形狀（圖案輪廓）的樹脂組成物。 為了應對高解析度化，針對樹脂組成物中所含的感光劑亦提出各種提案，有時使用高感度的感光劑（例如專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2015/125469號手冊
然而，高感度的感光劑因添加量的稍微的增減而導致大幅改變圖案輪廓，因此難以控制圖案形狀。另外，因其高感度性而最佳的曝光量的範圍窄，需要於曝光時進行嚴格的曝光量調整，因此操作性低。 本發明的目的在於提供一種操作性優異且可容易地控制圖案輪廓的感光性樹脂組成物。
本發明者等人進行努力研究的結果發現，藉由將特定的標準的感度的感光劑與特定的高感度的感光劑組合，可大幅提昇感光性樹脂組成物的操作性，以及圖案輪廓的控制變容易，從而完成了本發明。 根據本發明，提供以下的感光性樹脂組成物等。 1.一種感光性樹脂組成物，其包含下述（a）成分、（b1）成分及（b2）成分。 （a）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物 （b1）選自由下述式（11）所表示的化合物及下述式（12）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物 （b2）選自由下述式（21）所表示的化合物及下述式（22）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物 [化1]（式（1）中，R1 為四價有機基，R2 為二價有機基，R3 及R4 分別獨立地為氫原子、烷基、環烷基、或具有碳-碳不飽和雙鍵的一價有機基） [化2]（式（11）中，R11 為碳數1～12的烷基，a為0～5的整數。R12 為氫原子或碳數1～12的烷基。R13 及R14 分別獨立地表示氫原子、碳數1～12的烷基、苯基或甲苯基。 式（12）中，R15 為-OH、-COOH、-O(CH2 )OH、-O(CH2 )2 OH、-COO(CH2 )OH或-COO(CH2 )2 OH，R16 及R17 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基。b為0～5的整數） [化3]（式（21）中，R21 為碳數1～12的烷基，R22 及R23 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基，c為0～5的整數。 式（22）中，R24 及R25 分別獨立地為碳數1～12的烷基，d及e分別獨立地為0～5的整數，s及t分別獨立地為0～3的整數，s與t之和為3） 2.如1所述的感光性樹脂組成物，其中所述（b1）成分為所述式（11）所表示的化合物，所述（b2）成分為所述式（21）所表示的化合物。 3.如1或2所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b1）成分的含量為0.05質量份～5.0質量份，相對於所述（a）成分100質量份，所述（b2）成分的含量為0.5質量份～10.0質量份。 4.如1至3中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b1）成分的含量為0.05質量份～1.0質量份。 5.如1至3中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b1）成分的含量為0.15質量份～0.60質量份。 6.如1至5中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b2）成分的含量為0.5質量份～5.0質量份。 7.如1至6中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述（b1）成分的含量與所述（b2）成分的含量的質量比為1：3～1：30。 8.如1至7中任一項所述的感光性樹脂組成物，其更包含（d）交聯劑。 9.如1至8中任一項所述的感光性樹脂組成物，其更包含（e）增感劑。 10.一種硬化圖案的製造方法，其包括： 將如1至9中任一項所述的感光性樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成塗膜的步驟； 對所述塗膜照射光化射線後，進行顯影而獲得樹脂圖案的步驟；以及 對所述樹脂圖案進行加熱處理的步驟。 11.一種硬化物，其是將如1至9中任一項所述的感光性樹脂組成物硬化而成。 12.一種層間絕緣膜、覆蓋塗層或表面保護膜，其是使用如11所述的硬化物製作而成。 13.一種電子零件，其具有如12所述的層間絕緣膜、覆蓋塗層或表面保護膜。
根據本發明，可提供一種操作性優異且可容易地控制圖案輪廓的感光性樹脂組成物。
以下，對本發明的感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件的實施形態進行詳細說明。再者，本發明並不受以下的實施形態限定。 本說明書中，所謂「A或B」，只要包含A與B的任一者即可，亦可包含兩者。另外，以下所例示的材料只要無特別說明，則可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。進而，本說明書中，關於感光性樹脂組成物中的各成分的含量，於感光性樹脂組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，只要無特別說明，則是指存在於感光性樹脂組成物中的該多種物質的合計量。本說明書中，「步驟」這一用語不僅包含獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區別的情況下，只要達成該步驟的所期望的作用，亦可包含於本用語中。使用「～」所示的數值範圍是表示包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。所謂「(甲基)丙烯醯氧基」表示「甲基丙烯醯氧基」或「丙烯醯氧基」，「(甲基)丙烯酸酯」表示「甲基丙烯酸酯」或「丙烯酸酯」。
[感光性樹脂組成物] 本發明的感光性樹脂組成物包含下述（a）成分、（b1）成分及（b2）成分。 （a）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物 （b1）選自由下述式（11）所表示的化合物及下述式（12）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物 （b2）選自由下述式（21）所表示的化合物及下述式（22）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物 [化4]（式（1）中，R1 為四價有機基，R2 為二價有機基，R3 及R4 分別獨立地為氫原子、烷基、環烷基、或具有碳-碳不飽和雙鍵的一價有機基） [化5]（式（11）中，R11 為碳數1～12的烷基，a為0～5的整數。R12 為氫原子或碳數1～12的烷基。R13 及R14 分別獨立地表示氫原子、碳數1～12的烷基、苯基或甲苯基。 式（12）中，R15 為-OH、-COOH、-O(CH2 )OH、-O(CH2 )2 OH、-COO(CH2 )OH或-COO(CH2 )2 OH，R16 及R17 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基。b為0～5的整數） [化6]（式（21）中，R21 為碳數1～12的烷基，R22 及R23 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基，c為0～5的整數。 式（22）中，R24 及R25 分別獨立地為碳數1～12的烷基，d及e分別獨立地為0～5的整數，s及t分別獨立地為0～3的整數，s與t之和為3） 本發明的感光性樹脂組成物較佳為負型的感光性樹脂組成物。
本發明的感光性樹脂組成物藉由將特定的標準的感度的感光劑與特定的高感度的感光劑組合，與僅使用高感度的感光劑的情況相比，可大幅度地擴大可應用的曝光量的範圍（餘裕），即可大幅提昇操作性。另外，與僅使用標準的感度的感光劑的情況相比，可抑制感光劑的總添加份數，由此可減少逸氣的產生，進而亦可削減成本。 另外，本發明的感光性樹脂組成物中伴隨感光劑的添加量增減的圖案輪廓的變化緩和，可容易地獲得所需的圖案輪廓。
以下，對用於本發明的各成分進行說明。 （（a）成分） （a）成分為具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物。 [化7]（式（1）中，R1 為四價有機基，R2 為二價有機基，R3 及R4 分別獨立地為氫原子、烷基、環烷基、或具有碳-碳不飽和雙鍵的一價有機基）
式（1）中的R1 為源自用作原料的四羧酸或其二酐的結構。與R1 對應的原料可無特別限制地使用公知的原料。
就硬化膜的低應力化的觀點而言，R1 的四價有機基較佳為下述式（2a）～式（2e）所表示的基的任一者。該些可單獨使用或組合使用兩種以上。 [化8]（式（2d）中，X及Y分別獨立地表示不與所鍵結的苯環共軛的二價基或單鍵。 式（2e）中，Z為醚鍵（-O-）或硫醚鍵（-S-））
式（2d）的X及Y的「不與所鍵結的苯環共軛的二價基」例如為-O-、-S-、或下述式所表示的二價基。 [化9]（式中，R5 為碳原子或矽原子。R6 分別獨立地為氫原子或氟原子等鹵素原子）
該些式（2a）～式（2e）所表示的基中，更佳為式（2e）所表示的基。
另外，作為與R1 對應的原料，可使用：3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,3,5,6-吡啶四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、間聯三苯基-3,3',4,4'-四羧酸二酐、對聯三苯基-3,3',4,4'-四羧酸二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙{4'-(2,3-二羧基苯氧基)苯基}丙烷二酐、2,2-雙{4'-(3,4-二羧基苯氧基)苯基}丙烷二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙{4'-(2,3-二羧基苯氧基)苯基}丙烷二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙{4'-(3,4-二羧基苯氧基)苯基}丙烷二酐、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐、4,4'-磺醯基二鄰苯二甲酸二酐等。
式（1）中的R2 為源自用作原料的二胺化合物的結構。 就i射線透過率的觀點而言，R2 的二價有機基較佳為下述式（5）所表示的二價有機基。 [化10]（式（5）中，R30 ～R37 分別獨立地為氫原子、氟原子或一價有機基，R30 ～R37 的至少一個為氟原子或一價有機基） 作為R30 ～R37 的一價有機基，可列舉碳數1～10（較佳為碳數1～6）的烷基（例如甲基）、碳數1～10（較佳為碳數1～6）的氟化烷基（例如三氟甲基）等。
就i射線透過率、獲取的容易度的觀點而言，R2 的二價有機基更佳為式（6）所表示的二價有機基。 [化11]（式（6）中，R38 及R39 分別獨立地為氟原子、甲基或三氟甲基）
具有式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物中，相對於所有的式（1）所表示的結構單元，R2 為式（5）或式（6）所表示的二價有機基的結構單元的比例可設為1 mol%～100 mol%，亦可設為10 mol%～100 mol%，抑或可設為30 mol%～100 mol%。
作為R2 為式（5）或式（6）所表示的二價有機基的情況下的原料，可列舉：2,2'-二甲基聯苯胺、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙(氟)-4,4'-二胺基聯苯、4,4'-二胺基八氟聯苯等。
另外，於R2 為式（5）或式（6）所表示的二價有機基以外的二價有機基的情況下，亦可使用相對應的二胺化合物，作為此種二胺化合物，例如可列舉：對苯二胺、間苯二胺、對苯二甲胺、間苯二甲胺、1,5-二胺基萘、聯苯胺、4,4'-二胺基二苯基醚、3,4'-二胺基二苯基醚、3,3'-二胺基二苯基醚、2,4'-二胺基二苯基醚、2,2'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、2,4'-二胺基二苯基碸、2,2'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基硫醚、2,4'-二胺基二苯基硫醚、2,2'-二胺基二苯基硫醚、鄰聯甲苯胺、鄰聯甲苯胺碸、4,4'-亞甲基-雙(2,6-二乙基苯胺)、4,4'-亞甲基-雙(2,6-二異丙基苯胺)、2,4-二胺基均三甲苯、1,5-二胺基萘、4,4'-二苯甲酮二胺、雙-{4-(4'-胺基苯氧基)苯基}碸、2,2-雙{4-(4'-胺基苯氧基)苯基}丙烷、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3',5,5'-四甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、雙{4-(3'-胺基苯氧基)苯基}碸、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、二胺基聚矽氧烷等。所述二胺化合物可單獨使用或組合使用兩種以上。
具有式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物中，相對於所有的式（1）所表示的結構單元，R2 為式（5）或式（6）所表示的二價有機基以外的二價有機基的結構單元的比例可設為1 mol%～100 mol%，亦可設為10 mol%～100 mol%，抑或可設為30 mol%～100 mol%。
式（1）中的R3 及R4 分別獨立地為氫原子、烷基、環烷基、或具有碳-碳不飽和雙鍵的一價有機基。
作為烷基（較佳為碳數1～20、更佳為碳數1～10、進而佳為碳數1～6），可列舉：甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、正己基、正庚基、正癸基、正十二烷基等。 作為環烷基（較佳為碳數3～20、更佳為碳數5～15、進而佳為碳數6～12），可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、金剛烷基等。
作為具有碳-碳不飽和雙鍵的一價有機基，可列舉烷基的碳數為1～10的(甲基)丙烯醯氧基烷基等。 作為烷基的碳數為1～10的(甲基)丙烯醯氧基烷基，可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基、(甲基)丙烯醯氧基丙基、(甲基)丙烯醯氧基丁基等。
較佳為R3 及R4 的至少一個為具有碳-碳不飽和雙鍵的有機基。
式（1）所表示的聚醯亞胺前驅物的分子量較佳為以聚苯乙烯換算計的重量平均分子量為10,000～100,000，更佳為15,000～100,000，進而佳為20,000～85,000。若重量平均分子量為10,000以上，則可充分地降低硬化後的應力。若為100,000以下，則於溶劑中的溶解性進一步提高，溶液的黏度減少，可進一步提昇操作性。再者，重量平均分子量可利用凝膠滲透層析法來測定，可藉由使用標準聚苯乙烯校準曲線進行換算來求出。
本發明中使用的（a）成分可利用公知的方法來合成，例如可使四羧酸二酐與二胺化合物進行加成聚合來合成。通常以四羧酸二酐與二胺化合物的莫耳比為1.0進行，但出於控制分子量或末端殘基的目的，亦可以0.7～1.3的範圍的莫耳比進行。若莫耳比為0.7～1.3，則可將所獲得的聚醯亞胺前驅物的分子量設為一定以上，可充分地表現出硬化後的低應力性。
（a）聚醯亞胺前驅物的含量於感光性樹脂組成物中可設為20質量%～60質量%，亦可設為25質量%～55質量%，抑或可設為30質量%～55質量%。
（（b1）成分） （b1）成分及後述的（b2）成分為感光劑，通常藉由光化射線的照射而產生自由基。（b1）成分例如為對光化射線的感度高於後述的（b2）成分的高感度的感光劑。
（b1）成分為選自由下述式（11）及下述式（12）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物。 [化12]式（11）中，R11 為碳數1～12的烷基，a為0～5的整數。R12 為氫原子或碳數1～12的烷基。R13 及R14 分別獨立地表示氫原子、碳數1～12（較佳為碳數1～4）的烷基、苯基或甲苯基。於a為2以上的整數的情況下，R11 可分別相同亦可不同。
R11 較佳為碳數1～4的烷基，更佳為甲基。a較佳為1。R12 較佳為碳數1～4的烷基，更佳為乙基。R13 及R14 較佳為分別獨立地為碳數1～4的烷基，更佳為甲基。
作為式（11）所表示的化合物，例如可列舉下述式（11-1）所表示的化合物，可作為日本巴斯夫（BASF Japan）股份有限公司製造的「豔佳固（IRGACURE）OXE 02」來獲取。 [化13]
[化14]式（12）中，R15 為-OH、-COOH、-O(CH2 )OH、-O(CH2 )2 OH、-COO(CH2 )OH或-COO(CH2 )2 OH，R16 及R17 分別獨立地為氫原子、碳數1～12（較佳為碳數1～6）的烷基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基。b為0～5的整數。於b為2以上的整數的情況下，R15 可分別相同亦可不同。 R15 較佳為-O(CH2 )2 OH。b較佳為0或1。R16 較佳為碳數1～6的烷基，更佳為甲基或己基。R17 較佳為碳數1～6的烷基或苯基，更佳為甲基或苯基。
作為式（12）所表示的化合物，例如可列舉下述式（12-1）所表示的化合物，可作為日本巴斯夫（BASF Japan）股份有限公司製造的「豔佳固（IRGACURE）OXE 01」來獲取。另外，可列舉下述式（12-2）所表示的化合物，可作為艾迪科（ADEKA）股份有限公司製造的「NCI-930」來獲取。 [化15]
（（b2）成分） （b2）成分例如為對光化射線的感度低於（b1）成分的標準的感度的感光劑。（b2）成分為選自由下述式（21）及下述式（22）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物。 [化16]式（21）中，R21 為碳數1～12的烷基，R22 及R23 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基（較佳為碳數1～4）、碳數1～12的烷氧基（較佳為碳數1～4）、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基，c為0～5的整數。於c為2以上的整數的情況下，R21 可分別相同亦可不同。
c較佳為0。R22 較佳為碳數1～4的烷基，更佳為甲基。R23 較佳為碳數1～12的烷氧基，更佳為碳數1～4的烷氧基，進而佳為甲氧基或乙氧基。
作為式（21）所表示的化合物，例如可列舉下述式（21-1）所表示的化合物，可作為拉姆森（Lambson）公司製造的「G-1820（PDO）」來獲取。 [化17]
[化18]式（22）中，R24 及R25 分別獨立地為碳數1～12（較佳為碳數1～4）的烷基，d及e分別獨立地為0～5的整數，s及t分別獨立地為0～3的整數，s與t之和為3。於d為2以上的整數的情況下，R24 可分別相同亦可不同。於e為2以上的整數的情況下，R25 可分別相同亦可不同。於s為2以上的整數的情況下，括弧內的基可分別相同亦可不同。於t為2以上的整數的情況下，括弧內的基可分別相同亦可不同。
d較佳為0。R25 較佳為分別獨立地為碳數1～4的烷基，較佳為甲基。e較佳為2～4的整數，更佳為3。s與t的組合（s、t）較佳為（1，2）或（2，1）。
作為式（22）所表示的化合物，例如可列舉下述式（22-1）所表示的化合物，可作為日本巴斯夫（BASF Japan）股份有限公司製造的「豔佳固（IRGACURE）TPO」來獲取。另外，可列舉下述式（22-2）所表示的化合物，可作為日本巴斯夫（BASF Japan）股份有限公司製造的「豔佳固（IRGACURE）BAPO」來獲取。 [化19]
較佳為使用所述式（11）所表示的化合物作為（b1）成分，且使用所述式（21）所表示的化合物作為（b2）成分。
相對於（a）成分100質量份，本發明的感光性樹脂組成物中的（b1）成分的含量通常為0.05質量份～5.0質量份，較佳為0.05質量份～1.0質量份，更佳為0.15質量份～0.6質量份。
相對於（a）成分100質量份，本發明的感光性樹脂組成物中的（b2）成分的含量通常為0.5質量份～10.0質量份，較佳為0.5質量份～5.0質量份。
較佳為（b1）成分的含量相對於（a）成分100質量份而為0.05質量份～5.00質量份，且（b2）成分的含量相對於（a）成分100質量份而為0.5質量份～10.0質量份。
（b1）成分與（b2）成分的含量的質量比較佳為1：3～1：30，更佳為1：5～1：20。
相對於（a）成分100質量份，本發明的感光性樹脂組成物中的（b1）成分與（b2）成分的合計量較佳為0.6質量份～11.0質量份，更佳為1.0質量份～5.0質量份，進而佳為1.15質量份～4.6質量份。
本發明的感光性樹脂組成物的、例如70質量%以上、80質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、99質量%以上、99.5質量%以上、或99.9質量%以上可為（a）成分、（b1）成分、（b2）成分及後述的（c）成分（溶劑），亦可為選自（a）成分、（b1）成分、（b2）成分及（c）成分、以及後述的其他任意成分中的一種以上的成分。 本發明的感光性樹脂組成物本質上可包含（a）成分、（b1）成分、（b2）成分及（c）成分，本質上亦可包含選自（a）成分、（b1）成分、（b2）成分及（c）成分、以及後述的其他任意成分中的一種以上的成分。該情況下，可包含不可避免的雜質。 另外，本發明的感光性樹脂組成物可僅包含（a）成分、（b1）成分、（b2）成分及（c）成分或者可僅包含選自（a）成分、（b1）成分、（b2）成分及（c）成分、以及後述的其他任意成分中的一種以上的成分。
（任意成分） 本發明的感光性樹脂組成物除所述成分以外，視需要亦可包含任意成分。作為任意成分，可列舉：溶劑（（c）成分）、交聯劑（（d）成分）、增感劑（（e）成分）、有機矽烷化合物（（f）成分）、其他成分等。
（（c）成分） 作為（c）成分，只要為可充分地溶解感光性樹脂組成物中的成分者，則並無特別限制，較佳為充分地溶解作為（a）成分的聚醯亞胺前驅物的極性溶劑，作為極性溶劑，可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP）、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、四甲基脲、六甲基磷醯三胺、γ-丁內酯、δ-戊內酯、γ-戊內酯、環己酮、環戊酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、碳酸丙二酯、乳酸乙酯、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等。
本發明的感光性樹脂組成物中的（c）成分的含量並無特別限制，相對於（a）成分100質量份，較佳為50質量份～300質量份，更佳為50質量份～250質量份，進而佳為100質量份～200質量份。
（（d）成分） 作為交聯劑（與後述的（f）有機矽烷化合物不同），可列舉：二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯啶酮、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、1,3-(甲基)丙烯醯基氧基-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺等。
於含有交聯劑的情況下，相對於（a）成分100質量份，交聯劑的含量較佳為設為1質量份～100質量份，更佳為設為1質量份～75質量份，進而佳為設為1質量份～50質量份。
（（e）成分） 作為增感劑，例如可列舉：7-N,N-二乙基胺基香豆素、7-二乙基胺基-3-噻吩甲醯基（thenoyl）香豆素、3,3'-羰基雙(7-N,N-二乙基胺基)香豆素、3,3'-羰基雙(7-N,N-二甲氧基)香豆素、3-噻吩基羰基-7-N,N-二乙基胺基香豆素、3-苯甲醯基香豆素、3-苯甲醯基-7-N,N-甲氧基香豆素、3-(4'-甲氧基苯甲醯基)香豆素、3,3'-羰基雙-5,7-(二甲氧基)香豆素、苯亞甲基苯乙酮、4'-N,N-二甲基胺基苯亞甲基苯乙酮、4'-乙醯胺基苯亞甲基-4-甲氧基苯乙酮、二甲基胺基二苯甲酮、二乙基胺基二苯甲酮、4,4'-雙(N-乙基,N-甲基)二苯甲酮、4,4'-雙-(二乙基胺基)二苯甲酮等。
於含有增感劑的情況下，相對於（a）聚醯亞胺前驅物100質量份，含量更佳為設為0.1質量份～3.0質量份，進而佳為設為0.1質量份～1.0質量份。
（（f）成分） 作為有機矽烷化合物，可列舉：γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、三乙氧基矽烷基丙基乙基胺甲酸酯、3-(三乙氧基矽烷基)丙基丁二酸酐、苯基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。 若包含有機矽烷化合物，則可提昇感光性樹脂組成物的硬化後的於基板上的密接性。
於含有有機矽烷化合物的情況下，相對於（a）成分100質量份，有機矽烷化合物的含量更佳為設為0.5質量份～15質量份，進而佳為設為0.5質量份～10質量份。
（其他成分） 就進一步提昇防鏽性的觀點而言，本發明的感光性樹脂組成物亦可包含防鏽劑。作為防鏽劑，可列舉：5-胺基-1H-四唑、1-甲基-5-胺基-四唑、1-甲基-5-巰基-1H-四唑、1-羧基甲基-5-胺基-四唑等。該些四唑化合物亦可為其水溶性鹽。 相對於（a）成分100質量份，包含防鏽劑的情況下的含量較佳為0.05質量份～5.0質量份，更佳為0.5質量份～4.0質量份。
另外，本發明的感光性樹脂組成物可包含穩定劑。作為穩定劑，可使用1,4,4-三甲基-2,3-二氮雜雙環[3.2.2]-壬-2-烯-N,N-二氧化物（dioxide）等公知的化合物。 相對於（a）成分100質量份，包含穩定劑的情況下的含量較佳為0.05質量份～5.0質量份，更佳為0.1質量份～2.0質量份。
[硬化物] 本發明的硬化物可藉由對所述感光性樹脂組成物進行硬化而獲得。本發明的硬化物可用作圖案硬化膜，亦可用作無圖案的硬化膜。 本發明的硬化物的膜厚較佳為1 μm～20 μm。
本發明的硬化圖案的製造方法包括：將本發明的感光性樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成塗膜的步驟（塗膜形成步驟）、對所形成的塗膜照射光化射線的步驟（曝光步驟）、進行顯影而獲得樹脂圖案的步驟（顯影步驟）、以及對樹脂圖案進行加熱處理的步驟（加熱處理步驟）。
於塗膜形成步驟中將感光性樹脂組成物塗佈於基板上的方法可列舉：浸漬法、噴霧法、網版印刷法、旋塗法等。 作為基板，可列舉：矽晶圓、金屬基板、陶瓷基板等。
將感光性樹脂組成物塗佈於基板上後，藉由加熱而將溶劑去除（乾燥），藉此可形成黏著性少的塗膜（感光性樹脂膜）。 乾燥時的加熱溫度較佳為80℃～130℃，乾燥時間較佳為30秒～300秒。乾燥較佳為使用加熱板等裝置來進行。
於曝光步驟中，藉由透過描繪有所需的圖案的遮罩，對所獲得的塗膜照射光化射線來進行曝光。 本發明的感光性樹脂組成物適合用於i射線曝光，作為所照射的光化射線，可使用紫外線、遠紫外線、可見光線、電子束、X射線等。
在曝光步驟之後，於顯影步驟中利用適當的顯影液將未曝光部溶解去除，藉此可獲得所需的圖案。 作為顯影液，並無特別限制，可使用：1,1,1-三氯乙烷等阻燃性溶劑；N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、環戊酮、γ-丁內酯、乙酸酯類等良溶媒；該些良溶媒與低級醇、水、芳香族烴等不良溶媒之混合溶劑等。顯影後，視需要利用不良溶媒（例如，水、乙醇、2-丙醇、丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯（PGMEA））等進行淋洗清洗。
加熱處理步驟中的加熱溫度較佳為250℃以下，更佳為230℃以下。加熱處理的時間較佳為20分鐘～6小時，更佳為30分鐘～3小時。
本發明的硬化圖案的厚度較佳為1 μm以上，為了用作保護膜，更佳為5 μm以上，通常為20 μm以下。
[硬化物的用途] 本發明的硬化物（硬化圖案）可用作層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜或再配線層等。該些層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及再配線層可用於電子零件中。藉此，可獲得可靠性高的電子零件。
本發明的電子零件可用於半導體裝置或多層配線板等中。所述半導體裝置或多層配線板可用於各種電子器件等中。 本發明的電子零件除具有選自所述的層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及再配線層中的一種以上以外，並無特別限制，可採取各種結構。
將具有本發明的層間絕緣膜、覆蓋塗層及表面保護膜的半導體裝置的概略剖面圖示於圖2中。於層間絕緣層（層間絕緣膜）1上形成Al配線層2，且於其上部進而形成絕緣層（絕緣膜）3（例如P-SiN層），進而形成元件的表面保護層（表面保護膜）4。自Al配線層2的墊部5起形成再配線層6，並延伸至與作為外部連接端子的由焊料、金等形成的導電性球7的連接部分、即核8的上部。進而於表面保護層4上形成覆蓋塗層9。再配線層6經由阻障金屬10而與導電性球7連接，為了保持該導電性球7而設置環圈（collar）11。安裝此種結構的封裝體時，進而為了緩和應力，有時亦經由底部填充層12。 實施例
以下，使用實施例及比較例來對本發明進行更詳細的說明，但本發明並不限定於該些實施例。
製造例1 [聚合物I的合成] 將4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐（ODPA）31.02 g（100 mmol）、甲基丙烯酸2-羥基乙酯（HEMA）26.03 g（100 mmol）、對苯二酚0.1 g及觸媒量的二氮雜雙環十一烯（DBU）溶解於118 g的NMP中，於室溫下攪拌48小時而獲得酯（ODPA-HEMA酯）溶液。 一面於冰浴中冷卻ODPA-HEMA酯溶液，一面以反應溶液的溫度不超過10℃的方式滴加亞硫醯氯26.17 g（220 mmol）後，攪拌1小時而製備醯氯化物溶液。
另外，準備將2,2'-二甲基聯苯胺（DMAP）21.23 g（100 mmol）、吡啶34.80 g（440 mmol）、對苯二酚0.8 g溶解於85 g的NMP中而成的溶液，一面於冰浴中冷卻一面以反應溶液的溫度不超過10℃的方式滴加至之前製備的醯氯化物溶液中。 滴加結束後，過濾分離將反應液滴加至蒸餾水中產生的沈澱物並收集，利用蒸餾水清洗多次後，進行真空乾燥而獲得聚醯胺酸酯（聚合物I）。聚合物I的重量平均分子量為35,000。
聚合物I的重量平均分子量是藉由GPC法標準聚苯乙烯換算而求出，並於以下的條件下進行測定。 使用相對於聚合物I（0.5 mg）而言，溶劑[四氫呋喃（THF）/N,N-二甲基甲醯胺（DMF）=1/1（容積比）]為1 mL的溶液而進行測定。 測定裝置：檢測器 島津製作所股份有限公司製造的RID-20AD 泵：島津製作所股份有限公司製造的LC-20AD 島津製作所股份有限公司製造的C-R4A Chromatopac 測定條件：管柱Gelpack GL-S300MDT-5×2根 洗滌液：THF/DMF=1/1（容積比） LiBr（0.03 mol/L）、H3 PO4 （0.06 mol/L） 流速：1.0 mL/min，檢測器：UV 270 nm
製造例2 [聚合物II的合成] 於具備攪拌機、溫度計的1.0 L的燒瓶中，將ODPA 62.0 g（199.9 mmol）、HEMA 5.2 g（40.0 mmol）及觸媒量的1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷三乙二胺溶解於250.0 g的NMP中，於45℃下攪拌1小時後冷卻至25℃，加入間苯二胺5.5 g（50.9 mmol）、氧二苯胺（4,4'-二胺基二苯基醚）23.8 g（118.9 mmol）及乾燥的NMP 100 mL後，於45℃下攪拌150分鐘，然後冷卻至室溫。對該溶液滴加三氟乙酸酐78.5 g（373.8 mmol）後，攪拌20分鐘，然後加入HEMA 53.1 g（408.0 mmol），並於45℃下攪拌20小時。將該反應液滴加至蒸餾水中，過濾收集沈澱物，並進行減壓乾燥，藉此獲得聚醯胺酸酯（聚合物II）。 聚合物II的重量平均分子量為35,000。
聚合物II的重量平均分子量是藉由GPC法標準聚苯乙烯換算而求出，並於與製造例1相同的條件下進行測定。
實施例1～實施例17、比較例1～比較例6 [感光性樹脂組成物的製備] 以表1所示的成分及調配量來製備實施例1～實施例17及比較例1～比較例6的感光性樹脂組成物。表1的調配量是相對於（a）成分100質量份的各成分的質量份。 所使用的各成分如以下般。
[（a）成分] ·聚合物I：製造例1中獲得的聚合物I ·聚合物II：製造例2中獲得的聚合物II
[（b1）成分] ·b1-1：具有下述結構的化合物（日本巴斯夫（BASF Japan）股份有限公司製造，商品名「豔佳固（IRGACURE）OXE 02」） [化20]
[（b2）成分] ·b2-1：具有下述結構的化合物（拉姆森（Lambson）公司製造，商品名「G-1820（PDO）」） [化21]
[（c）成分] ·NMP
[（d）成分] ·d-1：具有下述結構的化合物（沙多瑪（SARTOMER）公司製造，商品名「TEGDMA」） [化22]·d-2：具有下述結構的化合物（新中村化學工業股份有限公司製造，商品名「A-TMMT」） C-(CH2 OOC-CH=CH2 )4 ·d-3：具有下述結構的化合物（新中村化學工業股份有限公司製造，商品名「ATM-35E」） [化23]（n11+n12+n13+n14=35）
[（e）成分] ·e-1：具有下述結構的化合物（奧德里奇（Aldrich）公司製造，商品名「EMK」）（Et表示乙基） [化24]
[（f）成分] ·f-1：γ-脲基丙基三乙氧基矽烷（聯合化學技術（United Chemical Technologies）公司製造，商品名「UCT-801」）
[其他成分] ·Taobn：1,4,4-三甲基-2,3-二氮雜雙環[3.2.2]-壬-2-烯-N,N-二氧化物（dioxide）（哈姆福德總研（Hampford Research）公司製造，商品名「Taobn」） ·5ATz：具有下述結構的化合物（東京化成工業股份有限公司製造，商品名「5-胺基-1H-四唑」） [化25]
[表1]
[感光性樹脂組成物的評價] 使用所獲得的感光性樹脂組成物進行以下的評價。 （樹脂圖案的製造） 利用旋塗法，將所獲得的感光性樹脂組成物塗佈於6吋矽晶圓上，於110℃的加熱板上加熱4分鐘，使溶劑揮發，從而獲得膜厚為13 μm的塗膜。於將該塗膜浸漬於環戊酮的情況下，將直至完全溶解為止的時間的2倍設定為顯影時間。對於所獲得的塗膜，隔著具有方孔圖案的光罩，使用i射線步進機FPA-3000iW（佳能（Canon）股份有限公司製造），以表2所示的曝光量進行曝光。將曝光後的塗膜浸漬於環戊酮中並以所述顯影時間進行覆液顯影後，利用PGMEA進行淋洗清洗，從而獲得樹脂圖案。
（圖案輪廓的評價） 對於實施例1、實施例2、實施例5、實施例7、實施例8、實施例10、實施例13以及比較例2～比較例6中所獲得的樹脂圖案，利用掃描式電子顯微鏡來觀察剖面形狀（圖案輪廓），並測定錐形的中點處的斜率，藉此求出圖案相對於基板的錐角。將結果示於表2中。另外，將（b1）成分與（b2）成分各自的相對於（a）成分的質量份示於表2中。 將實施例1中所獲得的圖案輪廓的掃描式顯微鏡照片示於圖1中。另外，將表示該圖案中的錐形的中點處的斜率的輔助線示於圖1中。實施例1中所獲得的圖案相對於基板的錐角為75°。 再者，關於表2中未記載的實施例、比較例，未進行該評價。
[表2]
由比較例2～比較例4可知，亦可僅藉由高感度的感光劑（b1-1）來進行圖案輪廓的調整。然而，因添加量的稍微的變化而導致圖案的錐角急遽變化，難以進行嚴格的角度調整。另外，如後述般，若增加該感光劑的添加量，則亦存在可應用的曝光量的範圍變小，感光性樹脂組成物的操作性變低的不良情況。 另外，根據比較例5及比較例6，於僅使用標準的感度的感光劑（b2-1）的情況下，即便變更添加量，圖案輪廓亦幾乎未變化。
另一方面，本發明的感光性樹脂組成物中併用高感度的感光劑與標準的感度的感光劑，因此可藉由適宜調節添加量與混合比來容易地調整錐角。另外，伴隨添加量的增減的圖案輪廓的變化緩和，可容易地獲得所需的圖案輪廓。
（解析度） 利用旋塗法，將所獲得的感光性樹脂組成物塗佈於6吋矽晶圓上，於110℃的加熱板上加熱4分鐘，使溶劑揮發，從而獲得膜厚為13 μm的塗膜。於將該塗膜浸漬於環戊酮的情況下，將直至完全溶解為止的時間的2倍設定為顯影時間。對於所獲得的塗膜，將隔著光罩且使用i射線步進機FPA-3000iW（佳能股份有限公司製造），於100 mJ/cm2 ～1100 mJ/cm2 中以100 mJ/cm2 為單位進行了曝光的晶圓浸漬於環戊酮中，進行覆液顯影後，利用PGMEA進行淋洗清洗，從而獲得樹脂圖案。 將可解析（顯影）的方孔圖案的遮罩尺寸的最小值設為解析度（μm），並根據以下的基準來進行評價。將結果示於表3中。另外，將（b1）成分與（b2）成分各自的相對於（a）成分的質量份示於表3中。 A：解析度為10 μm以下 B：解析度超過10 μm且為15 μm以下 C：解析度超過15 μm且為30 μm以下 D：解析度超過30 μm [表3]
根據比較例1～比較例4，於僅使用高感度的感光劑（b1-1）的情況下，可獲得10 μm以下的高解析度的曝光量的範圍（設為「最佳曝光量範圍」）小。特別是添加量多的情況下的最佳曝光量範圍極窄，感光性樹脂組成物的操作性低（比較例1～比較例3）。 另一方面，本發明的感光性樹脂組成物藉由併用高感度的感光劑與標準的感度的感光劑，與僅使用相同量的高感度感光劑的情況相比，最佳曝光量範圍變大。例如，僅使用0.2質量份的（b1）成分的情況下的最佳曝光量範圍為300 mJ/cm2 ～700 mJ/cm2 （比較例4），相對於此，除相同量的（b1）成分以外還使用（b2）成分的情況下的最佳曝光量範圍至少為200 mJ/cm2 ～800 mJ/cm2 （實施例9），最大成為200 mJ/cm2 ～1100 mJ/cm2 （實施例11），操作性大幅提昇。再者，實施例15的最佳曝光量範圍為200 mJ/cm2 ～400 mJ/cm2 ，這取決於聚合物II的特性，於聚合物II中僅組合（b1）成分的情況下的最佳曝光量範圍進一步變小。 另外，藉由將（b1）成分的含量設為0.3質量份以下，最佳曝光量範圍達到一定以上的水準，因此可知感光性樹脂組成物的操作性優異。
（硬化圖案的製造） 使用縱型擴散爐（光洋林德伯格（Koyo Lindberg）股份有限公司製造），於氮氣環境下，在225℃下將於所述解析度評價中進行了顯影的樹脂圖案加熱硬化1小時而獲得硬化圖案。可獲得良好的硬化圖案。
（顯影後殘膜率） 對於所述解析度評價中進行了顯影的樹脂圖案，根據顯影前的膜厚（13 μm）與顯影後的膜厚，利用下述式來算出顯影後殘膜率，並按照以下的基準來進行評價。將結果示於表4中。另外，將（b1）成分與（b2）成分各自的相對於（a）成分的質量份示於表4中。 顯影後殘膜率（%）=（顯影後膜厚/顯影前膜厚）×100 膜厚的測定是利用光干涉式膜厚計「Lambda Ace VM-2210」（大日本網屏製造股份有限公司製造）來進行。再者，關於顯影後的膜厚，對樹脂圖案中未形成圖案的部分進行測定。 A：顯影後殘膜率為85%以上 B：顯影後殘膜率為80%以上且未滿85% C：顯影後殘膜率未滿80% [表4]
根據表4可知，與僅使用相同量的（b1）成分的比較例相比，併用（b1）成分與（b2）成分的實施例中可獲得80%以上的高的殘膜率的曝光量範圍廣。另外，可知若（b1）成分相對於（a）成分100質量份而為0.3質量份以上，則與0.2質量份的情況相比，可獲得高的殘膜率的曝光量範圍更廣。 [產業上之可利用性]
本發明的感光性樹脂組成物可適合用作半導體裝置等電子零件的保護膜材料或圖案膜形成材料。
所述中對本發明的若干實施形態及/或實施例進行了詳細說明，但本領域技術人員容易於實質上不偏離本發明的新穎教示及效果的情況下，對該些例示的實施形態及/或實施例加以多種變更。因而，該些多種變更包含於本發明的範圍中。 將該說明書中記載的文獻及成為本申請案的巴黎優先基礎的日本專利申請說明書的內容全部引用於此。
1‧‧‧層間絕緣層（層間絕緣膜）
2‧‧‧Al配線層
3‧‧‧絕緣層（絕緣膜）
4‧‧‧表面保護層（表面保護膜）
5‧‧‧墊部
6‧‧‧再配線層
7‧‧‧導電性球
8‧‧‧核
9‧‧‧覆蓋塗層
10‧‧‧阻障金屬
11‧‧‧環圈
12‧‧‧底部填充層
圖1是使用實施例1的感光性樹脂組成物而獲得的樹脂圖案的剖面的掃描式電子顯微鏡照片。 圖2是具有作為本發明的實施形態的層間絕緣膜、覆蓋塗層及表面保護膜的半導體裝置的概略剖面圖。

Claims (13)

  1. 一種感光性樹脂組成物，其包含下述（a）成分、（b1）成分及（b2）成分， （a）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物； （b1）選自由下述式（11）所表示的化合物及下述式（12）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物； （b2）選自由下述式（21）所表示的化合物及下述式（22）所表示的化合物所組成的群組中的一種以上的化合物；（式（1）中，R1 為四價有機基，R2 為二價有機基，R3 及R4 分別獨立地為氫原子、烷基、環烷基、或具有碳-碳不飽和雙鍵的一價有機基）；（式（11）中，R11 為碳數1～12的烷基，a為0～5的整數；R12 為氫原子或碳數1～12的烷基；R13 及R14 分別獨立地表示氫原子、碳數1～12的烷基、苯基或甲苯基； 式（12）中，R15 為-OH、-COOH、-O(CH2 )OH、-O(CH2 )2 OH、-COO(CH2 )OH或-COO(CH2 )2 OH，R16 及R17 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基；b為0～5的整數）；（式（21）中，R21 為碳數1～12的烷基，R22 及R23 分別獨立地為氫原子、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數4～10的環烷基、苯基或甲苯基，c為0～5的整數； 式（22）中，R24 及R25 分別獨立地為碳數1～12的烷基，d及e分別獨立地為0～5的整數，s及t分別獨立地為0～3的整數，s與t之和為3）。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的感光性樹脂組成物，其中所述（b1）成分為所述式（11）所表示的化合物，所述（b2）成分為所述式（21）所表示的化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b1）成分的含量為0.05質量份～5.0質量份，相對於所述（a）成分100質量份，所述（b2）成分的含量為0.5質量份～10.0質量份。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b1）成分的含量為0.05質量份～1.0質量份。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b1）成分的含量為0.15質量份～0.60質量份。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（a）成分100質量份，所述（b2）成分的含量為0.5質量份～5.0質量份。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述（b1）成分的含量與所述（b2）成分的含量的質量比為1：3～1：30。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其更包含（d）交聯劑。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其更包含（e）增感劑。
  10. 一種硬化圖案的製造方法，其包括： 將如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的感光性樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成塗膜的步驟； 對所述塗膜照射光化射線後，進行顯影而獲得樹脂圖案的步驟；以及 對所述樹脂圖案進行加熱處理的步驟。
  11. 一種硬化物，其是將如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的感光性樹脂組成物硬化而成。
  12. 一種層間絕緣膜、覆蓋塗層或表面保護膜，其是使用如申請專利範圍第11項所述的硬化物製作而成。
  13. 一種電子零件，其具有如申請專利範圍第12項所述的層間絕緣膜、覆蓋塗層或表面保護膜。
TW107106045A 2017-02-23 2018-02-23 感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件 TWI781144B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017032368 2017-02-23
JP2017-032368 2017-02-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201841984A true TW201841984A (zh) 2018-12-01
TWI781144B TWI781144B (zh) 2022-10-21

Family

ID=63253739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106045A TWI781144B (zh) 2017-02-23 2018-02-23 感光性樹脂組成物、硬化圖案的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、覆蓋塗層、表面保護膜及電子零件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11226560B2 (zh)
JP (2) JP7095676B2 (zh)
KR (1) KR102646304B1 (zh)
CN (1) CN110325912B (zh)
PH (1) PH12019501809A1 (zh)
TW (1) TWI781144B (zh)
WO (1) WO2018155547A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020031240A1 (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
KR20210146882A (ko) * 2019-03-27 2021-12-06 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 시트, 중공 구조의 제조 방법 및 전자 부품
TWI797986B (zh) 2019-07-29 2023-04-01 日商旭化成股份有限公司 負型感光性樹脂組合物、聚醯亞胺之製造方法、硬化浮凸圖案之製造方法、及半導體裝置
JP7588957B2 (ja) * 2020-01-30 2024-11-25 旭化成株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、並びにこれを用いたポリイミド及び硬化レリーフパターンの製造方法
JP7543691B2 (ja) * 2020-04-20 2024-09-03 Ｈｄマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
CN118605083B (zh) * 2024-06-07 2025-03-07 上海镭利电子材料有限公司 一种干膜型感光性树脂组合物及其制备方法和应用

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1205215C (zh) * 1998-10-29 2005-06-08 西巴特殊化学品控股有限公司 肟衍生物及其作为潜酸的用途
NL1014545C2 (nl) * 1999-03-31 2002-02-26 Ciba Sc Holding Ag Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren.
EP1392675B1 (en) * 2001-06-01 2005-02-09 Ciba SC Holding AG Substituted oxime derivatives and the use thereof as latent acids
WO2007071497A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Ciba Holding Inc. Oxime ester photoinitiators
US8293436B2 (en) * 2006-02-24 2012-10-23 Fujifilm Corporation Oxime derivative, photopolymerizable composition, color filter, and process for producing the same
DE602008004757D1 (en) * 2007-05-11 2011-03-10 Basf Se Oximesther-fotoinitiatoren
JP4399748B2 (ja) 2007-10-29 2010-01-20 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性ポリイミド前駆体組成物及びそれを用いたパターンの製造法
JP2015127817A (ja) * 2009-04-14 2015-07-09 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路形成用基板
JP4818458B2 (ja) * 2009-11-27 2011-11-16 株式会社Ａｄｅｋａ オキシムエステル化合物及び該化合物を含有する光重合開始剤
KR101304590B1 (ko) 2010-03-11 2013-09-05 주식회사 엘지화학 Ｏｌｅｄ 디바이스용 감광성 유기 절연재 조성물
KR102148279B1 (ko) 2010-05-20 2020-08-26 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 필름, 리브 패턴의 형성 방법, 중공 구조와 그 형성 방법 및 전자 부품
PH12012502368A1 (en) * 2010-07-09 2022-03-30 Toray Industries Photosensitive adhesive composition, photosensitive adhesive film, and semiconductor device using each
TW201303501A (zh) 2011-03-28 2013-01-16 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物、感光性薄膜、稜紋圖型之形成方法、中空構造之形成方法及電子零件
JP6085920B2 (ja) * 2012-09-10 2017-03-01 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
JP6239971B2 (ja) 2013-12-25 2017-11-29 東芝ライフスタイル株式会社 走行体および走行体装置
JP6549848B2 (ja) * 2014-01-17 2019-07-24 太陽インキ製造株式会社 積層構造体
KR102301297B1 (ko) * 2014-02-19 2021-09-10 에이치디 마이크로시스템즈 가부시키가이샤 수지 조성물, 그에 따라 형성되는 경화막 및 패턴 경화막, 및 그들의 제조 방법
JP6398364B2 (ja) 2014-06-20 2018-10-03 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2016148767A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置
JP2016200643A (ja) 2015-04-07 2016-12-01 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
TWI662367B (zh) 2015-06-30 2019-06-11 日商富士軟片股份有限公司 負型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜的製造方法及半導體元件
KR102090451B1 (ko) * 2015-08-21 2020-03-18 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 폴리이미드의 제조 방법 및 반도체 장치
US10948821B2 (en) * 2016-03-28 2021-03-16 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP7095676B2 (ja) 2022-07-05
KR102646304B1 (ko) 2024-03-11
TWI781144B (zh) 2022-10-21
US11226560B2 (en) 2022-01-18
CN110325912A (zh) 2019-10-11
US20200041900A1 (en) 2020-02-06
PH12019501809A1 (en) 2020-06-15
JPWO2018155547A1 (ja) 2019-12-12
WO2018155547A1 (ja) 2018-08-30
JP7294503B2 (ja) 2023-06-20
CN110325912B (zh) 2023-07-14
KR20190112727A (ko) 2019-10-07
JP2022123000A (ja) 2022-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI653290B (zh) 樹脂組成物、由其形成的硬化膜及圖案硬化膜、它們的製造方法以及電子零件
TWI658063B (zh) 感光性樹脂組成物、使用其的圖案硬化膜的製造方法、圖案硬化膜及半導體裝置
TWI653258B (zh) 半導體裝置
JP7294503B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化パターンの製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品
TWI638855B (zh) 聚醯亞胺前驅體組成物、硬化膜及其製造方法、以及圖案硬化膜及其製造方法
TWI655500B (zh) 含有聚醯亞胺前驅物的樹脂組成物與其硬化膜、硬化膜的製造方法、圖案硬化膜與其製造方法以及電子零件
JP7395817B2 (ja) パターン硬化膜の製造方法、感光性樹脂組成物、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
JP6848973B2 (ja) 感光性樹脂組成物、その硬化物、層間絶縁膜、表面保護膜及び電子部品
JP6888660B2 (ja) ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物、硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2018084626A (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
JP2015151405A (ja) ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物、硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2007240554A (ja) ポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
KR20150100622A (ko) 감광성 수지 조성물, 그것을 사용한 패턴 경화막의 제조 방법 및 반도체 장치
JP6244871B2 (ja) ポリイミド前駆体樹脂組成物
JP2014201696A (ja) ポリイミド前駆体、該ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン硬化膜の製造方法
WO2021215374A1 (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
JP6044324B2 (ja) ポリイミド前駆体樹脂組成物
JP4736864B2 (ja) ポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP2007241195A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2015224261A (ja) ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物、硬化膜、及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent