[go: up one dir, main page]

TW201841673A - 氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置 - Google Patents

氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201841673A
TW201841673A TW107102385A TW107102385A TW201841673A TW 201841673 A TW201841673 A TW 201841673A TW 107102385 A TW107102385 A TW 107102385A TW 107102385 A TW107102385 A TW 107102385A TW 201841673 A TW201841673 A TW 201841673A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
plasma
nitrogen oxide
magnetic force
anode
Prior art date
Application number
TW107102385A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI794201B (zh
Inventor
崔奫修
西蒙 瑪格尼
高燦奎
Original Assignee
韓商愛德華茲韓國有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 韓商愛德華茲韓國有限公司 filed Critical 韓商愛德華茲韓國有限公司
Publication of TW201841673A publication Critical patent/TW201841673A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI794201B publication Critical patent/TWI794201B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/28—Cooling arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/54—Nitrogen compounds
    • B01D53/56—Nitrogen oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/02—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath
    • B01D47/027—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath by directing the gas to be cleaned essentially tangential to the liquid surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/06—Spray cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/14—Packed scrubbers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/14—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by absorption
    • B01D53/1456—Removing acid components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • B01D53/323—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00 by electrostatic effects or by high-voltage electric fields
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/75—Multi-step processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/32—Plasma torches using an arc
    • H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/3468—Vortex generators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/32—Plasma torches using an arc
    • H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/40—Details, e.g. electrodes, nozzles using applied magnetic fields, e.g. for focusing or rotating the arc
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2252/00—Absorbents, i.e. solvents and liquid materials for gas absorption
    • B01D2252/10—Inorganic absorbents
    • B01D2252/103—Water
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/40—Nitrogen compounds
    • B01D2257/404—Nitrogen oxides other than dinitrogen oxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2245/00—Applications of plasma devices
    • H05H2245/10—Treatment of gases
    • H05H2245/17—Exhaust gases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本發明提供一種氣體處理裝置，其包括：一反應腔，其經結構設計以藉由一電漿處理自外部供應之一氣體，該經處理氣體含有氮氧化物；及氮氧化物減少裝置，其經連接至該反應腔。該氮氧化物減少裝置包含一冷卻單元，該冷卻單元經結構設計以將該經處理氣體冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。

Description

氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置
本發明係關於一種氮氧化物減少裝置及一種包含該氮氧化物減少裝置之氣體處理裝置。
在藉由使用一電漿產生裝置分解一有害氣體之情況中，在一高溫下處理有害氣體且此可產生氮氧化物。特定言之，在約800°C或更高之一高溫下，藉由與含氧之一反應氣體之一反應產生之熱NOx (氮氧化物)之量增大。氮氧化物引起酸雨及光化學煙霧且被視為主要空氣污染物之一。因此，需要能夠減少氮氧化物之一技術。 習知地，一催化器件或一稀釋器件用於處理氮氧化物。然而，該等器件不具成本效率。作為另一解決方案，已避免使用含氧材料以防止氮氧化物之產生。然而，在藉由使用不含氧之一材料分解有害氣體之情況中，另一毒性物質或其他副產物產生且沈積於裝置之內表面上。而且，降低有害氣體處理效率。 (專利文獻1)韓國專利申請公開案第10-2008-0105377號(在2008年12月04日發佈)
鑑於上文，本發明之一目標係提供一種氣體處理裝置及一種能夠減少氮氧化物之氮氧化物減少裝置。 本發明之又一目標係提供一種用於改良包含於該氣體處理裝置中之一電漿產生裝置之穩定性及耐久性之技術。 在本發明之一項實施例中，一種氣體處理裝置包括：一反應腔，其經結構設計以藉由一電漿處理自外部供應之一氣體，該經處理氣體含有氮氧化物；及氮氧化物減少裝置，其經連接至該反應腔。該氮氧化物減少裝置包含一冷卻單元，該冷卻單元經結構設計以將該經處理氣體冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。本發明之效應 根據本發明之實施例之氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置提供藉由使用冷卻單元將經電漿處理之氣體快速冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度而在不降低有害氣體處理效率之情況下有效減少氮氧化物之優點。 根據本發明之實施例之包含於氣體處理裝置中之電漿產生裝置提供能夠藉由配置磁力產生器以產生與在電漿產生空間中產生之電漿產生氣體之渦流之旋轉方向相反之一力而穩定地產生一電漿且延長電極之使用壽命之優點。
將自結合附圖進行之以下描述清楚理解本發明之優點及特徵及完成此之方法。然而，實施例不限於所描述之該等實施例，此係因為可以各種形式實施實施例。應注意，提供本實施例以進行充分揭示且亦允許熟習此項技術者知曉實施例之全部範圍。因此，將僅藉由隨附發明申請專利範圍之範疇界定實施例。 在描述本發明之實施例時，若判定相關已知組件或功能之詳細描述不必要地模糊本發明之要旨，則將省略其之詳細描述。此外，待在下文描述之術語係鑑於本發明之實施例之功能來界定且可取決於一使用者或一操作者之意圖或實踐而變化。因此，可基於貫穿說明書之內容作出其之定義。 圖1示意性地展示根據本發明之一實施例之一電漿產生裝置。電漿產生裝置可為一電漿炬。 電漿產生裝置包含：一陰極總成100，其用於藉由施加至其之一高電壓產生一電弧放電；一陽極總成200，其用於在由陽極總成200與陰極總成100之間的電弧放電形成之一電漿產生空間S中產生具有1000°C或更高之一溫度之一電漿；一氣體引入管線(電漿產生氣體引入管線) 300，其用於將一電漿產生氣體供應至電漿產生空間S；及一磁力產生器220，其用於在電漿產生空間S中產生一磁力。 將在下文中詳細描述陰極總成100。 陰極總成100具有一陰極110，一高電壓經施加至該陰極110之一下部。此外，陰極總成100中可具有一路徑，冷卻水流動通過該路徑。一冷卻水路徑延伸至陰極110且允許在陰極總成100之操作期間有效冷卻高溫陰極110。因此，可防止陰極110之磨損。 較佳地，陰極110由添加有釷或釔之鉿或鎢製成。然而，陰極110可含有另一金屬。 如在圖1中展示，陰極總成100之一個端部經定位於陽極總成200外部，且陰極總成100之另一端部(即，其中提供陰極110之側)與陽極總成200耦合以定位於陽極總成200之電漿產生空間S中。 一絕緣體400經插置於陰極總成100與陽極總成200之間。因此，陰極總成100及陽極總成200彼此絕緣。 接著，將在下文中詳細描述陽極總成200。 陽極總成200形成為一圓柱形形狀，使得電漿產生空間S可形成於其中，同時圍繞陰極總成100之陰極110。陽極總成200包含一陽極210，該陽極210用於藉由將一高電壓施加至陰極110而在陽極210與陰極110之間產生一電漿。 換言之，陽極總成200中具有電漿產生空間S，其中藉由陽極總成200與陰極總成100之間的DC電弧放電產生一電漿。陰極總成100之陰極110經定位於電漿產生空間S之一上部處。DC電弧放電藉由施加至陰極總成100之高電壓而在陰極110與陽極210之間發生。 此時，陽極總成200之一軸X1可與陰極總成100之一軸重合。 自一外部電漿產生氣體供應單元(未展示)延伸至電漿產生空間S之一電漿產生氣體引入管線300經設置於陽極總成200之一個端部(即，上游端部)處。一開口230經設置於陽極總成200之另一端部(即，下游端部)處。開口230可被稱為一「炬出口」。透過開口230排放電漿火焰。 一電漿產生氣體引入管線300經結構設計以與電漿產生空間S連通。 透過電漿產生氣體引入管線300將電漿產生氣體(例如，選自由氬、氮、氦、氫、氧、蒸汽、氨及一些此等氣體之一混合物構成之一群組之一者)引入至電漿產生空間S中。接著，藉由在電漿產生空間S中發生之電弧放電使電漿產生氣體離子化，藉此產生電漿。 電漿產生氣體引入管線300包含一入口路徑310、一分配空間320及複數個氣體供應路徑330。透過入口路徑310引入至分配空間320中之電漿產生氣體可經分配於沿著陽極210之一圓周方向形成之分配空間320中且接著透過氣體供應路徑330供應至電漿產生空間S。 此時，氣體供應路徑330經形成為與陽極總成200之軸X1之一徑向方向平行或相對於該徑向方向傾斜。圖2及圖3展示氣體供應路徑330按相對於陽極總成200之軸X1之徑向方向之一預定角度(例如一銳角(小於90度之一角度))傾斜。憑藉此配置，電漿產生氣體可經均勻引入至電漿產生空間S中，同時產生一渦流或一旋流。 圖2及圖3係在自陽極總成200之開口230朝向電漿產生氣體引入管線300觀察時(即，在自陽極總成200之底部觀察時)沿著圖1之線「II(III)-II(III)」取得之橫截面視圖。 在圖2中，藉由傾斜氣體供應路徑330將電漿產生氣體引入至電漿產生空間S中，同時在一逆時針方向上旋轉。在圖3中，藉由按不同於圖2中展示之一角度傾斜之氣體供應路徑330將電漿產生氣體引入至電漿產生空間S中，同時在一順時針方向上旋轉。 此外，氣體供應路徑330可相對於陽極總成200之軸X1之方向傾斜。換言之，氣體供應路徑330可按如在圖2及圖3中繪示之一預定角度水平傾斜或可按一預定角度垂直傾斜或可按預定角度水平及垂直傾斜。 當在面向陰極總成100 (具體言之陰極110)之位置處形成氣體供應路徑330之出口時，電漿產生氣體經引入以圍繞陰極總成100旋轉。因此，可在電漿產生空間S中均勻地產生電漿。 陽極總成200可具有自陽極總成200之下端部延伸之一電漿保持部分(未展示)。電漿保持部分將在陰極110與陽極210之間產生之一電漿維持在一穩定狀態中。當陽極總成200具有電漿保持部分時，電漿產生空間S經延伸至電漿保持部分之一內部空間。藉由允許電弧在電漿保持部分之內部空間處發生，電漿可具有在一軸向方向上之一增大長度及在一水平方向上之一增大直徑。電漿保持部分之內部空間可具有例如其中一內徑隨著階狀部分朝向電漿保持部分之一下部逐漸增大之一形狀或其中電漿產生空間S之一內徑朝向電漿保持部分之一下部不斷變大之一形狀，只要所產生電漿可維持在一穩定狀態中且經向下導引即可。 接著，將在下文中詳細描述磁力產生器220。 磁力產生器220經設置於陽極總成200內部或外部。產生一磁力之磁力產生器220可為一永久磁體或一電磁體。 此外，磁力產生器220可包含相對於陽極總成200之軸X1徑向配置之複數個永久磁體或電磁體或可包含一單一環形永久磁體或電磁體。 圖4A係沿著圖1之線「IVA -IVA 」取得之電漿產生裝置之一橫截面視圖，其展示磁力產生器220包含嵌入陽極總成200中且相對於陽極總成200之軸X1徑向配置之複數個永久磁體220A。在圖4A中，磁力產生器220包含六個永久磁體220A。然而，永久磁體220A之數目不限於六個且可小於六個或可大於六個。 圖4B係沿著圖1之線「IVB -IVB 」取得之另一電漿產生裝置之一橫截面視圖，其展示磁力產生器220包含嵌入陽極總成200中之一單一環形永久磁體220B。永久磁體220B之一軸可與陽極總成200之軸X1重合。 圖7示意性地展示根據本發明之另一實施例之一電漿產生裝置，其展示相對於陽極總成200之軸X1徑向配置之複數個永久磁體221、222及223經設置於陽極總成200內部之多個水平處。 圖8示意性地展示根據本發明之又一實施例之一電漿產生裝置，其展示相對於陽極總成200之軸X1徑向配置之複數個永久磁體224及225經設置於陽極總成200外部之多個水平處。設置於陽極總成200外部之磁力產生器220可在與陽極總成200之軸X1平行之一方向上及在垂直於陽極總成200之軸X1之一方向上移動。 本發明之實施例意欲提供可藉由控制磁力產生器220之配置以施加一力至在電漿產生空間S中產生之電弧之一陽極電弧點而改良穩定性及耐久性之一電漿產生裝置。將參考圖5對此進行詳細描述。 圖5展示根據本發明之一實施例之陰極總成100及陽極總成200之部分結構設計。當將一高電壓施加至陰極總成100之陰極110時，一電弧500在電漿產生空間S中之陰極110與陽極210之間發生且一陽極電弧點P (其係電弧500之一部分)經定位於陽極210上。 此時，當透過電漿產生氣體引入管線300將電漿產生氣體引入至電漿產生空間S中時，藉由電漿產生氣體之流動改變陽極電弧點P之位置。例如，若在自陽極總成200之開口230朝向電漿產生氣體引入管線300觀察時(即，在自陽極總成200之底部觀察時)在逆時針方向(見圖2)上引入電漿產生氣體，則藉由電漿產生氣體在逆時針方向上旋轉陽極電弧點P。在圖5中，由「g」指示電漿產生氣體之渦流之方向。 當電漿產生裝置在一高電壓下操作時，陽極電弧點P經定位於陽極總成200之開口230附近。歸因於電漿產生氣體之渦流，陽極電弧點P可自陽極總成200之端部偏離。在該情況中，電漿變得極其不穩定。為將電漿維持在一穩定狀態中，需要增大電流或按一低電壓操作電漿產生裝置。然而，根據本發明之一實施例，意欲在不增大電流或按一低電壓操作電漿產生裝置之情況下防止陽極電弧點P自陽極總成200之端部偏離。為此，磁力產生器220需經配置，使得一力在與電漿產生氣體之旋轉方向g相反之一方向上施加至陽極電弧點P。 在圖5中，磁力產生器220經配置，使得磁力產生器220之極性在陽極總成200之軸X1之方向上變得彼此相反。在圖5中，如上文描述般在逆時針方向上引入電漿產生氣體。此時，磁力產生器220之N極經引導朝向陽極總成200之開口230 (即，朝向陽極總成200之下部)且磁力產生器220之S極經引導朝向陰極110 (即，朝向陽極總成200之上部)。 憑藉磁力產生器220之此配置，在電漿產生空間S中誘發自陽極總成200之底部引導至頂部之一磁場B。電流自陽極210朝向陰極110流動，且在陽極電弧點P之位置附近，電流I自陽極210之內壁朝向陽極總成200之軸X1流動。在該情況中，根據佛萊明左手定則(Fleming's left hand rule)，在陽極電弧點P之位置處在朝向接地之一方向上產生力F。換言之，當電漿產生氣體之旋轉方向g在逆時針方向上時，磁力產生器220之N極經引導朝向陽極總成200之開口230，以便在順時針方向上施加力F至陽極電弧點P。此時，順時針方向上之力F可包含自陽極總成200之底部引導至頂部之一分量。 因此，甚至在電漿產生裝置在一高電壓下操作時，陽極電弧點P並不自陽極總成200之端部偏離且此外可在電漿產生空間S中穩定地產生電漿。另外，藉由憑藉由磁力產生器220誘發之磁場B產生之力移動陽極電弧點P可能避免在電弧集中於陽極總成200之一特定部分處時引起之陽極總成200之磨損及損耗。因此，可延長陽極總成200之使用壽命。 圖6展示根據本發明之一實施例之陰極總成100及陽極總成200之部分結構設計，其展示電漿產生氣體之旋轉方向g不同於圖5中展示之旋轉方向。例如，若在自陽極總成200之開口230朝向電漿產生氣體引入管線300觀察時(即，在自陽極總成200之底部至頂部觀察時)在順時針方向(見圖3)上引入電漿產生氣體，則藉由電漿產生氣體在順時針方向上旋轉陽極電弧點P。 此時，磁力產生器220之S極經引導朝向陽極總成200之開口230 (即，朝向陽極總成200之下部)且磁力產生器220之N極經引導朝向陰極110 (即，朝向陽極總成200之上部)。 憑藉磁力產生器220之此配置，在電漿產生空間S中誘發自陽極總成200之頂部引導至底部之磁場B。電流自陽極210朝向陰極110流動，且在陽極電弧點P之位置附近，電流I自陽極210之內壁朝向陽極總成200之軸X1流動。在該情況中，根據佛萊明左手定則，在陽極電弧點P之位置處在自接地向上之一方向上產生力F。換言之，當電漿產生氣體之旋轉方向g在順時針方向上時，磁力產生器220之S極可經引導朝向陽極總成200之開口230，以便在逆時針方向上施加一力F至陽極電弧點P。此時，逆時針方向上之力F可包含自陽極總成200之底部引導至頂部之一分量。 因此，甚至在電漿產生裝置在一高電壓下操作時，可穩定地產生電漿且可延長陽極總成200之使用壽命。 在圖5及圖6中，例如繪示單一磁力產生器之極性之配置。如在圖5及圖6中展示之情況中，在圖4A中展示之多個永久磁體220A之極性、在圖7中展示之多個磁力產生器221至223之極性及在圖8中展示之多個磁力產生器224及225之極性亦可經配置，使得在與電漿產生氣體之旋轉方向相反之方向上產生一力。類似地，在圖4B中展示之環形永久磁體220B可經磁化，使得極性變得在陽極總成200之軸X1之方向上彼此相反以藉此在與電漿產生氣體之旋轉方向相反之方向上產生一力。 在圖5及圖6中，磁力產生器220經配置，使得在與電漿產生氣體之旋轉方向g相反之方向上施加力至陽極電弧點P。然而，磁力產生器220之配置不限於此。取決於目的，磁力產生器220可經配置，使得在與電漿產生氣體之旋轉方向g相同之方向上施加力至陽極電弧點P。例如，當在如圖5中展示之逆時針方向上引入電漿產生氣體時，磁力產生器220之S極可經引導朝向陽極總成200之開口230且磁力產生器220之N極可經引導朝向陰極110。在此情況中，在電漿產生空間S中誘發自陽極總成200之頂部引導至底部之磁場且將逆時針方向上之力施加至陽極電弧點P。當在如圖6中展示之順時針方向上引入電漿產生氣體時，磁力產生器220之N極可經引導朝向陽極總成200之開口230且磁力產生器220之S極可經引導朝向陰極110。在該情況中，在電漿產生空間S中誘發自陽極總成200之底部引導至頂部之磁場且將順時針方向上之力施加至陽極電弧點P。 為延長陽極總成200之使用壽命，各種材料可用作包含於陽極總成200中之一導引部件。將參考圖9對此進行詳細描述。 圖9展示根據本發明之另一實施例之一陽極總成201之一結構設計。可在圖1之電漿產生裝置中使用圖9中展示之陽極總成201而非陽極總成200。省略圖1及圖9中之相同組件之冗餘描述。 陽極總成201包含：一陽極210，其用於藉由將一高電壓施加至陰極110而在陽極210與陰極110之間產生一電漿；一導引部件240，其圍繞陽極210；及一外殼250，其圍繞導引部件240。陽極210、導引部件240及外殼可具有一圓柱形形狀。磁力產生器220可經設置於導引部件240內部。 導引部件240可由金屬或塑膠製成。較佳地，導引部件240由塑膠製成。當導引部件240由塑膠製成時，由磁力產生器220誘發之磁場可未被改變且可防止可干擾或影響磁場之一寄生電流之產生。此外，當導引部件240由塑膠製成時，熱未被轉移至磁力產生器220且因此磁力產生器220之磁性性質未受影響。 導引部件240包含設置於一上部(即，圖1中之電漿產生氣體引入管線300側)處之一第一導件241及設置於一下部(即，圖1中之開口230側)處之一第二導件242。第二導件242由具有高於第一導件241之耐熱性之一耐熱性之塑膠製成。第一導引部件241可由具有低耐熱性之塑膠製成，例如PVC (聚氯乙烯)及耐綸之至少一者。第二導引部件可由具有高耐熱性之塑膠製成，例如PTFE (聚四氟乙烯)及PEEK (聚醚醚酮)之至少一者。在開口230附近(即，在炬出口附近)之陽極總成201具有相對高於陽極總成201之其他部分之一溫度。然而，藉由將該等材料用作導引部件240，可以低成本防止開口230附近之陽極總成201之劣化或熔化。 磁力產生器220可經設置於導引部件240內部。此時，磁力產生器220可分成設置於第一導件241內部之一第一磁力產生器226及設置於第二導件242內部之一第二磁力產生器227。可藉由螺釘或一黏著劑耦合第一導件241及第二導件242。另一方面，可藉由由第一磁力產生器226及第二磁力產生器227之極性產生之一磁力耦合第一導件241及第二導件242。 外殼250可由不銹鋼製成。在外殼250與導引部件240及導引部件240與陽極210之間形成一冷卻劑路徑270。自一冷卻劑供應器260供應之冷卻劑(例如，冷卻水)流動通過冷卻劑路徑270，藉此冷卻陽極總成201。 更特定言之，冷卻劑向下流動通過形成於外殼250與導引部件240之間的冷卻劑路徑270，且接著流動通過形成於導引部件240之底表面下方之冷卻劑路徑270，且接著向上流動通過形成於導引部件240與陽極210之間的冷卻劑路徑270。 此時，一鰭片280可經設置於形成於導引部件240之底表面下方之冷卻劑路徑270處。鰭片280使冷卻劑更有效地循環。因此，可有效降低在開口230附近(即，在炬出口附近)之陽極總成201之相對較高溫度。 上文描述之電漿產生裝置可為用於處理選自由以下項目構成之一群組之一材料之一裝置：全氟化合物、氯氟碳化物、氫氟碳化物、氫氯氟碳化物、戴奧辛、呋喃、揮發性有機化合物、多氯聯苯及其之一化合物。 已描述具有改良穩定性及耐久性之電漿產生裝置之結構設計。 在藉由使用一電漿產生裝置分解一有害氣體之情況中，在一高溫下處理有害氣體且此可產生氮氧化物。特定言之，在約800°C或更高之一高溫下，藉由與含氧之一反應氣體之一反應產生之熱NOx (氮氧化物)之量增大。氮氧化物引起酸雨及光化學煙霧且被視為主要空氣污染物之一。因此，需要能夠減少氮氧化物之一技術。 習知地，一催化器件或一稀釋器件用於處理氮氧化物。然而，該等器件不具成本效率。作為另一解決方案，已避免使用含氧材料以防止氮氧化物之產生。然而，在藉由使用不含氧之一材料分解有害氣體之情況中，另一毒性物質或其他副產物產生且沈積於裝置之內表面上。而且，降低有害氣體處理效率。 為解決上文缺點，本發明之一項實施例意欲提供能夠在不降低有害氣體處理效率之情況下有效減少氮氧化物之氮氧化物減少裝置及包含氮氧化物減少裝置之一氣體處理裝置。 在下文中，將詳細描述包含能夠減少氮氧化物之氮氧化物減少裝置之氣體處理裝置。 圖10示意性地展示根據本發明之一實施例之氣體處理裝置。一電漿分離器經繪示為氣體處理裝置之一實例。 在一半導體製程中，酸性氣體(諸如BCl3 、Cl2 、F2 、HBr、HCl、HF及類似物)及PFC氣體(諸如CF4 、CHF3 、C2 F6 、C3 F8 、C4 F6 、C4 F8 、C5 F8 、SF6 及類似物)用於蝕刻一晶圓之一表面。在一CVD (化學氣相沈積)程序中，在晶圓之表面之一沈積步驟中使用諸如AsH3 、NH3 、PH3 、SiH4 、Si2 H2 Cl2 及類似物之氣體且在一清潔步驟中使用諸如NF3 、C2 F6 、C3 F8 及類似物之PFC氣體。電漿分離器用於處理此等氣體。 電漿分離器包含一反應腔30及氮氧化物減少裝置(氮氧化物減少腔) 40。電漿分離器可進一步包含一電漿炬10、一管道50、一水箱60及一後處理單元70。 電漿炬10係用於產生用於在一高溫下熱分解在蝕刻及CVD程序之後引入之一氣體之一電漿火焰之一電漿產生裝置。參考圖1至圖9描述之電漿產生裝置可用作電漿炬10。 反應腔30經連接至電漿炬10且提供其中藉由一高溫電漿熱分解透過氣體供應管線20供應之氣體之一空間。當反應腔中之溫度達到約800°C或更高時，大幅產生熱NOx。為抑制熱NOx之產生，氮氧化物減少裝置40經連接至反應腔30之一後端。稍後將詳細描述氮氧化物減少裝置40。 管道50經連接至氮氧化物減少裝置40之一後端。管道50具有形成於其之一側壁處之一注水噴嘴51。注水噴嘴51噴灑一細霧狀態中之水，藉此快速冷卻在反應腔30中處理之氣體。 後處理單元70使用注水噴嘴以處理水溶性或酸性氣體及在分解之後產生之微粒材料。水箱60經結構設計以儲存及汲取水及自管道50及後處理單元70引入之微粒材料。 在下文中，將參考圖11詳細描述氮氧化物減少裝置40。氮氧化物減少裝置40包含一圓柱形外殼(管) 47。外殼47之一個末端處之一開口經連接至反應腔30之後端。外殼47之另一末端處之一開口經連接至管道50之一前端。藉由反應腔30中之電漿處理之氣體按順序流動通過反應腔30、氮氧化物減少裝置40及管線50。氮氧化物減少裝置40包含一冷卻單元，該冷卻單元用於將在反應腔30中處理之氣體冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。 圖11展示作為冷卻單元之一實例之複數個氣體注射噴嘴44。氣體注射噴嘴44可相對於外殼47之軸徑向配置。氣體注射噴嘴44可經形成於外殼47處或可經形成於一氣體供應環45 (其係外殼47中之一分開部件)處。氣體供應環45可經形成為一環形形狀且定位於氮氧化物減少裝置40之外殼47內部。 圖12展示具有複數個氣體注射噴嘴44之環形氣體供應環45。氣體注射噴嘴44可按氣體供應環45上之一規則間隔彼此隔開。 透過氣體注射噴嘴44將一低溫氣體注射至氮氧化物減少裝置40之內部空間中。此時，不具有反應性或具有低反應性之一氣體用作低溫氣體。例如，含有氮氣及氬氣之至少一者之一惰性氣體可用作低溫氣體。 低溫氣體之溫度足夠低以將在反應腔30中處理之氣體快速冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。例如，低溫氣體具有約300°C或更低之一溫度。 當在反應腔30中處理之高溫氣體到達氮氧化物減少裝置40時，自氣體注射噴嘴44注射之低溫氣體快速冷卻高溫氣體。因此，減少氮氧化物之產生。 氣體注射噴嘴44可經形成於沿著氮氧化物減少裝置40之外殼47之軸向方向之任何位置處。氣體注射噴嘴44可經形成於具有不同高度之多個水平處。當氣體注射噴嘴44接近於反應腔30時，可降低有害氣體處理效率，且當氣體注射噴嘴44遠離於反應腔30時，降低氮氧化物減少效應。因此，氣體注射噴嘴44需經配置於其中可達成一所要有害氣體處理效率及一所要氮氧化物減少效應之一位置處。 例如，氮氧化物減少裝置40之溫度朝向遠離於反應腔30之一位置變得較低。在其中氮氧化物減少裝置40之溫度達到約800°C之一位置處提供氣體注射噴嘴44之情況中，可在不降低有害氣體處理效率之情況下有效抑制氮氧化物之產生。 另外，可在氮氧化物減少裝置40之一外壁與一內壁之間形成一冷卻水路徑43。自連接至氮氧化物減少裝置40之一下端之一冷卻水入口管線41引入冷卻水。接著，冷卻水自冷卻水路徑43之底部流動至頂部且自連接至氮氧化物減少裝置40之一上端之一冷卻水出口管線42排放。因此，藉由冷卻水冷卻氮氧化物減少裝置40且更有效減少氮氧化物之產生。 圖13展示根據本發明之另一實施例之氮氧化物減少裝置40。省略圖1及圖13中之相同組件之冗餘描述。 在圖13中展示之氮氧化物減少裝置40包含作為一冷卻單元之一熱交換器46。熱交換器46可包含複數個熱交換管道，液化氫或BOG (揮發氣)流動通過該複數個熱交換管道。另一方面，熱交換器46可包含交換熱之一板、一管或類似物。當在反應腔30中處理之高溫氣體到達氮氧化物減少裝置40時，熱交換器46快速冷卻高溫氣體。因此，減少氮氧化物之產生。 安裝於氮氧化物減少裝置40處之冷卻單元不限於氣體注射噴嘴44或熱交換器46。任何其他單元可用作冷卻單元，只要其等可快速冷卻來自反應腔30之氣體即可。關於冷卻單元，可使用氣體注射噴嘴44及熱交換器46兩者。 本發明之實施例可藉由在不降低有害氣體處理效率之情況下使用冷卻單元冷卻經電漿處理之氣體而有效減少氮氧化物。 已基於附圖中繪示之實施例描述本發明之實施例。然而，上文描述僅係一實例，且熟習此項技術者將理解，可做出各種改變及修改。因此，應由隨附發明申請專利範圍之技術理念判定本發明之技術保護範疇。
10‧‧‧電漿炬
20‧‧‧氣體供應管線
30‧‧‧反應腔
40‧‧‧氮氧化物減少裝置
41‧‧‧冷卻水入口管線
42‧‧‧冷卻水出口管線
43‧‧‧冷卻水路徑
44‧‧‧氣體注射噴嘴
45‧‧‧氣體供應環
46‧‧‧熱交換器
47‧‧‧圓柱形外殼(管)
50‧‧‧管道/管線
51‧‧‧注水噴嘴
60‧‧‧水箱
70‧‧‧後處理單元
100‧‧‧陰極總成
110‧‧‧陰極
200‧‧‧陽極總成
201‧‧‧陽極總成
210‧‧‧陽極
220‧‧‧磁力產生器
220A‧‧‧永久磁體
220B‧‧‧永久磁體
221‧‧‧永久磁體/磁力產生器
222‧‧‧永久磁體/磁力產生器
223‧‧‧永久磁體/磁力產生器
224‧‧‧永久磁體/磁力產生器
225‧‧‧永久磁體/磁力產生器
226‧‧‧第一磁力產生器
227‧‧‧第二磁力產生器
230‧‧‧開口
240‧‧‧導引部件
241‧‧‧第一導件
242‧‧‧第二導件
250‧‧‧外殼
260‧‧‧冷卻劑供應器
270‧‧‧冷卻劑路徑
280‧‧‧鰭片
300‧‧‧氣體引入管線(電漿產生氣體引入管線)
310‧‧‧入口路徑
320‧‧‧分配空間
330‧‧‧氣體供應路徑
400‧‧‧絕緣體
500‧‧‧電弧
F‧‧‧施加至電弧陽極點之力
g‧‧‧電漿產生氣體之渦流之方向
P‧‧‧陽極電弧點
S‧‧‧電漿產生空間
X1‧‧‧陽極總成之軸
圖1示意性地展示根據本發明之一項實施例之一電漿產生裝置。 圖2係沿圖1之線「II-II」取得之電漿產生裝置之一橫截面視圖。 圖3係沿圖1之線「III-III」取得之電漿產生裝置之另一橫截面視圖。 圖4A係沿圖1之線「IVA -IVA 」取得之電漿產生裝置之一橫截面視圖。 圖4B係沿圖1之線「IVB -IVB 」取得之電漿產生裝置之另一橫截面視圖。 圖5展示根據本發明之一實施例之施加至電漿產生裝置之一陽極電弧點之一力之一方向。 圖6展示根據本發明之一實施例之施加至電漿產生裝置之陽極電弧點之一力之一方向。 圖7示意性地展示根據本發明之另一實施例之一電漿產生裝置。 圖8示意性地展示根據本發明之又一實施例之一電漿產生裝置。 圖9展示根據本發明之一實施例之一陽極總成之一結構設計。 圖10示意性地展示根據本發明之一實施例之一氣體處理裝置。 圖11展示根據本發明之一實施例之氮氧化物減少裝置。 圖12展示根據本發明之一實施例之一氣體供應環。 圖13展示根據本發明之另一實施例之氮氧化物減少裝置。

Claims (17)

  1. 一種氣體處理裝置，其包括： 一反應腔，其經結構設計以藉由一電漿處理自外部供應之一氣體，該經處理氣體含有氮氧化物；及 氮氧化物減少裝置，其經連接至該反應腔， 其中該氮氧化物減少裝置包含一冷卻單元，該冷卻單元經結構設計以將該經處理氣體冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。
  2. 如請求項1之氣體處理裝置，其中該冷卻單元包含經結構設計以注射一低溫氣體之一或多個氣體注射噴嘴。
  3. 如請求項2之氣體處理裝置，其中該等氣體注射噴嘴經設置於該氮氧化物減少裝置之多個位置處，且該低溫氣體係一惰性氣體。
  4. 如請求項2之氣體處理裝置，其中該氮氧化物減少裝置進一步包含一圓柱形外殼及設置於該圓柱形外殼內部之一環形氣體供應環，且 該一或多個氣體注射噴嘴經設置於該氣體供應環上。
  5. 如請求項3之氣體處理裝置，其中該惰性氣體含有氮氣及氬氣之至少一者。
  6. 如請求項1之氣體處理裝置，其中該冷卻單元包含一熱交換器。
  7. 一種氮氧化物減少裝置，其用於減少包含於藉由一電漿處理之一氣體中之氮氧化物，該裝置包括： 一冷卻單元，其經結構設計以將該經處理氣體冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。
  8. 如請求項7之氮氧化物減少裝置，其中該冷卻單元包含經結構設計以注射一低溫氣體之一或多個氣體注射噴嘴。
  9. 如請求項8之氮氧化物減少裝置，其中該等氣體注射噴嘴經設置於該氮氧化物減少裝置之多個位置處，且該低溫氣體係一惰性氣體。
  10. 如請求項8之氮氧化物減少裝置，其進一步包括一圓柱形外殼及設置於該圓柱形外殼內部之一環形氣體供應環，且 該一或多個氣體注射噴嘴經設置於該氣體供應環上。
  11. 如請求項7之氮氧化物減少裝置，其中該冷卻單元包含一熱交換器。
  12. 一種氣體處理裝置，其包括： 一電漿產生裝置，其經結構設計以產生一電漿； 一反應腔，其經連接至該電漿產生裝置且經結構設計以藉由一電漿處理自外部供應之一氣體，該經處理氣體含有氮氧化物；及 氮氧化物減少裝置，其經連接至該反應腔， 其中該氮氧化物減少裝置包含一冷卻單元，該冷卻單元經結構設計以將該經處理氣體冷卻至低於氮氧化物產生溫度之一溫度。
  13. 如請求項12之氣體處理裝置，其進一步包括具有一注水噴嘴之一管道， 其中該氮氧化物減少裝置經定位於該反應腔與該管道之間。
  14. 如請求項13之氣體處理裝置，其中該電漿產生裝置包含： 一陰極總成，其包含一陰極； 一陽極總成，其包含其中具有一電漿產生空間之一陽極；及 一或多個磁力產生器，其或其等經結構設計以產生一磁力， 其中該陽極總成具有其中設置一氣體供應路徑之一個端部及具有一開口之另一端部，該氣體供應路徑經結構設計以將一電漿產生氣體供應至該電漿產生空間，且 其中該氣體供應路徑經結構設計以在該電漿產生空間中產生該電漿產生氣體之一渦流且該一或多個磁力產生器經配置，使得在與該電漿產生氣體之該渦流之一旋轉方向相反之一方向上產生該磁力。
  15. 如請求項14之氣體處理裝置，其中該一或多個磁力產生器經配置，使得在與該電漿產生氣體之該渦流之該旋轉方向相反之該方向上將該磁力施加至在該陰極與該陽極之間產生之一電弧點。
  16. 如請求項14之氣體處理裝置，其中該一或多個磁力產生器經配置，使得其等之極性在該陽極總成之一軸之一方向上變得彼此相反。
  17. 如請求項16之氣體處理裝置，其中當自該開口朝向該氣體供應路徑觀察時，當該電漿產生氣體之該渦流之該旋轉方向係一逆時針方向時，該一或多個磁力產生器之N極經引導朝向該開口，且當該電漿產生氣體之該渦流之該旋轉方向係一順時針方向時，該一或多個磁力產生器之S極經引導朝向該開口。
TW107102385A 2017-01-23 2018-01-23 氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置 TWI794201B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2017-0010394 2017-01-23
KR1020170010394A KR102686242B1 (ko) 2017-01-23 2017-01-23 질소 산화물 감소 장치 및 가스 처리 장치
KR10-2017-0010394 2017-01-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201841673A true TW201841673A (zh) 2018-12-01
TWI794201B TWI794201B (zh) 2023-03-01

Family

ID=62908732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107102385A TWI794201B (zh) 2017-01-23 2018-01-23 氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11985754B2 (zh)
EP (1) EP3570964B1 (zh)
JP (2) JP7319928B2 (zh)
KR (1) KR102686242B1 (zh)
CN (1) CN110612151A (zh)
TW (1) TWI794201B (zh)
WO (1) WO2018135772A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102646623B1 (ko) 2017-01-23 2024-03-11 에드워드 코리아 주식회사 플라즈마 발생 장치 및 가스 처리 장치
CN110461082B (zh) * 2019-07-10 2021-11-30 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 一种降低空气等离子体炬火焰中NOx含量的装置与方法
JP7278174B2 (ja) * 2019-08-23 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ溶射装置及びプラズマ溶射方法
GB2622259A (en) * 2022-09-09 2024-03-13 Edwards Ltd NOx reduction
WO2024194398A1 (de) * 2023-03-21 2024-09-26 Graforce Gmbh Plasmareaktor, plasmalysevorrichtung und verfahren

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3663792A (en) 1970-03-02 1972-05-16 Westinghouse Electric Corp Apparatus and method of increasing arc voltage and gas enthalpy in a self-stabilizing arc heater
FR2304243A1 (fr) 1975-03-14 1976-10-08 Inst Teplo I Massoobmena Akade Procede de chauffage de gaz et reacteur plasmochimique a arc electrique pour sa mise en oeuvre
US4144444A (en) 1975-03-20 1979-03-13 Dementiev Valentin V Method of heating gas and electric arc plasmochemical reactor realizing same
NL7512635A (nl) 1975-10-29 1977-05-03 Ultra Centrifuge Nederland Nv Procesreactor gebaseerd op een magneto hydrodyna- misch aangedreven supersone gaswervel.
US4455470A (en) 1981-08-14 1984-06-19 The Perkin-Elmer Corporation Plasma spray gun nozzle and coolant deionizer
DE3430383A1 (de) * 1984-08-17 1986-02-27 Plasmainvent AG, Zug Plasmaspritzbrenner fuer innenbeschichtungen
US4818837A (en) * 1984-09-27 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota Multiple arc plasma device with continuous gas jet
JPS6340299A (ja) * 1986-08-05 1988-02-20 株式会社小松製作所 非移行式プラズマト−チの電極構造
DE3642375A1 (de) 1986-12-11 1988-06-23 Castolin Sa Verfahren zur aufbringung einer innenbeschichtung in rohre od. dgl. hohlraeume engen querschnittes sowie plasmaspritzbrenner dafuer
FR2609358B1 (fr) 1987-01-07 1991-11-29 Electricite De France Torche a plasma a pied d'arc amont mobile longitudinalement et procede pour maitriser son deplacement
JP2517588B2 (ja) 1987-04-06 1996-07-24 株式会社小松製作所 プラズマト−チ
US4882465A (en) 1987-10-01 1989-11-21 Olin Corporation Arcjet thruster with improved arc attachment for enhancement of efficiency
US5041713A (en) 1988-05-13 1991-08-20 Marinelon, Inc. Apparatus and method for applying plasma flame sprayed polymers
CA1323670C (en) 1988-05-17 1993-10-26 Subramania Ramakrishnan Electric arc reactor
US5026464A (en) 1988-08-31 1991-06-25 Agency Of Industrial Science And Technology Method and apparatus for decomposing halogenated organic compound
JP2642200B2 (ja) * 1989-08-31 1997-08-20 豊信 吉田 プラズマ反応法による有機ハロゲン化合物の分解装置
US4896017A (en) 1988-11-07 1990-01-23 The Carborundum Company Anode for a plasma arc torch
CA2047807A1 (fr) 1991-07-24 1993-01-25 My Dung Nguyen Handfield Vitrification des cendres
US5090340A (en) * 1991-08-02 1992-02-25 Burgess Donald A Plasma disintegration for waste material
JPH05144593A (ja) 1991-11-18 1993-06-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ切断トーチ
JPH06340299A (ja) 1993-06-01 1994-12-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 宇宙機用相対位置検出装置
JPH08199372A (ja) 1995-01-26 1996-08-06 Nisshin Steel Co Ltd 傾斜機能材料の製法および装置
JP3571800B2 (ja) 1995-05-25 2004-09-29 新日本製鐵株式会社 有機ハロゲン化合物の処理設備における排ガスの冷却装置
US6187072B1 (en) 1995-09-25 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions
US6045618A (en) 1995-09-25 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US6193802B1 (en) 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
JP2000096247A (ja) 1998-09-22 2000-04-04 Komatsu Ltd 表面処理装置
JP2000288510A (ja) * 1999-03-31 2000-10-17 Toshiba Corp 有害物質分解方法および有害物質分解装置
KR20030067241A (ko) * 2002-02-07 2003-08-14 주식회사 유민이엔씨 고온 플라즈마를 이용한 다이옥신 및 분진 제거방법 및 그장치
RU2200058C1 (ru) 2002-02-12 2003-03-10 Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы
KR20050053595A (ko) 2002-07-23 2005-06-08 이프라스 게엠베하 기체 반응을 실시하기 위한 플라즈마 반응기, 및 가스의플라즈마 조장된 반응을 위한 방법
KR100500246B1 (ko) 2003-04-09 2005-07-11 삼성전자주식회사 가스공급장치
US7494527B2 (en) 2004-01-26 2009-02-24 Tekna Plasma Systems Inc. Process for plasma synthesis of rhenium nano and micro powders, and for coatings and near net shape deposits thereof and apparatus therefor
KR100636845B1 (ko) * 2004-09-15 2006-10-19 (주)오토엠아이티 유해가스 처리용 플라즈마 장치
SE529056C2 (sv) 2005-07-08 2007-04-17 Plasma Surgical Invest Ltd Plasmaalstrande anordning, plasmakirurgisk anordning och användning av en plasmakirurgisk anordning
KR100750406B1 (ko) * 2006-02-06 2007-08-17 크린시스템스코리아(주) 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 파우더 제거 장치
WO2007040033A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sharp Kabushiki Kaisha 冷却システム、その運転方法およびその冷却システムが用いられたプラズマ処理システム
EP1933975B1 (en) 2005-10-10 2011-12-07 Korea Institute Of Machinery & Materials Apparatus for plasma reaction and method of plasma reaction using it
KR100656093B1 (ko) * 2006-08-25 2006-12-11 김영정 가연성 폐기물을 연료로 사용하는 소각장치 및 이를 활용한에너지 회수시스템
DE102006058078A1 (de) 2006-12-07 2008-06-19 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen PVD-Beschichtung
TW200829325A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Kanken Techno Co Ltd Apparatus and method for processing gas
US20100078309A1 (en) 2007-01-26 2010-04-01 Osaka Vacuum, Ltd. Sputtering method and sputtering apparatus
US7928338B2 (en) 2007-02-02 2011-04-19 Plasma Surgical Investments Ltd. Plasma spraying device and method
JP2008194637A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Hosokawa Funtai Gijutsu Kenkyusho:Kk 微粒子製造装置
KR100881286B1 (ko) 2007-05-30 2009-02-03 크린시스템스코리아(주) 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템
US7589473B2 (en) 2007-08-06 2009-09-15 Plasma Surgical Investments, Ltd. Pulsed plasma device and method for generating pulsed plasma
KR100967016B1 (ko) 2007-09-20 2010-06-30 주식회사 포스코 플라즈마 토치장치 및 플라즈마를 이용한 반광 처리방법
KR101003731B1 (ko) 2008-01-07 2011-01-13 (주) 플라즈닉스 아크 플라즈마 불꽃을 이용한 기체상 물질의 전환 및처리기
US8536481B2 (en) * 2008-01-28 2013-09-17 Battelle Energy Alliance, Llc Electrode assemblies, plasma apparatuses and systems including electrode assemblies, and methods for generating plasma
JP2009240983A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 焼却炉排ガスの処理方法
KR101006384B1 (ko) * 2008-05-28 2011-01-11 주식회사 케이피씨 폐가스 처리장치
IT1391148B1 (it) 2008-08-06 2011-11-18 Reco 2 S R L Metodo e apparato per purificare gas
US9511240B2 (en) 2009-03-16 2016-12-06 Drexel University Apparatus for atmospheric pressure pin-to-hole spark discharge and uses thereof
RU2009110298A (ru) 2009-03-24 2010-09-27 Ооо "Твинн" (Ru) Плазменная печь
JP4576467B2 (ja) 2009-03-31 2010-11-10 株式会社フェローテック 絶縁体介装型プラズマ処理装置
JP4955027B2 (ja) * 2009-04-02 2012-06-20 クリーン・テクノロジー株式会社 排ガス処理装置における磁場によるプラズマの制御方法
US8800483B2 (en) 2009-05-08 2014-08-12 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for plasma deposition and treatment
KR101111207B1 (ko) * 2009-05-20 2012-02-20 주식회사 에이피시스 플라즈마 발생장치
FR2953278B1 (fr) 2009-11-27 2012-01-27 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de destruction thermique de composes organiques par un plasma d'induction.
US9420680B2 (en) 2009-12-15 2016-08-16 Danmarks Tekniske Universitet Apparatus and a method and a system for treating a surface with at least one gliding arc source
IT1397734B1 (it) 2010-01-15 2013-01-24 Nuova Rivart S R L Uso di estratti naturali di tannini e non tannini atti a migliorare la fertilita' del suolo e determinare un effetto starter sulle colture, e fitocomplesso di tannini e di non tannini per tale uso.
KR101179650B1 (ko) 2010-03-19 2012-09-04 서울대학교산학협력단 양극 주변에 영구자석 자장을 인가하여 성능개선을 한 공동형 플라즈마 토치
CN102387653B (zh) * 2010-09-02 2015-08-05 松下电器产业株式会社 等离子体处理装置及等离子体处理方法
US8773020B2 (en) 2010-10-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a magnetic field and methods of use thereof
KR101226603B1 (ko) * 2011-05-27 2013-01-25 주식회사 에이피시스 플라즈마와 유해가스의 대향류를 이용한 유해가스 처리장치 및 처리방법
CN106508113B (zh) 2011-05-30 2014-07-23 中国航天空气动力技术研究院 自磁场加速超高焓电弧加热器
CN102244060B (zh) * 2011-06-02 2013-09-25 日月光半导体制造股份有限公司 封装基板及其制造方法
TW201328437A (zh) 2011-12-22 2013-07-01 Atomic Energy Council 具移動式磁鐵機構之電漿火炬裝置
US9150949B2 (en) 2012-03-08 2015-10-06 Vladmir E. BELASHCHENKO Plasma systems and methods including high enthalpy and high stability plasmas
WO2014105819A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Sputtering Components, Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd) source
SK500062013A3 (sk) 2013-03-05 2014-10-03 Ga Drilling, A. S. Generovanie elektrického oblúka, ktorý priamo plošne tepelne a mechanicky pôsobí na materiál a zariadenie na generovanie elektrického oblúka
JP6151945B2 (ja) * 2013-03-28 2017-06-21 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
PL2804450T3 (pl) 2013-05-16 2022-12-19 Kjellberg-Stiftung Wieloelementowa część izolacyjna do palnika łukowo-plazmowego, palnik i układy z nim powiązane oraz powiązany sposób
CN203582762U (zh) 2013-09-25 2014-05-07 新疆天业（集团）有限公司 一种多电弧等离子体裂解煤制乙炔反应装置
JP6643979B2 (ja) 2013-10-04 2020-02-12 シェルベリ−シュティフトゥングＫｊｅｌｌｂｅｒｇ−Ｓｔｉｆｔｕｎｇ プラズマ切断トーチ用の複数部分からなる絶縁部分、ならびにそれを有するアセンブリおよびプラズマ切断トーチ
CA2948681A1 (en) 2014-05-16 2015-11-19 Pyrogenesis Canada Inc. Energy efficient high power plasma torch
JP6494411B2 (ja) 2014-06-24 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP6473889B2 (ja) 2014-09-19 2019-02-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法
CN104707987B (zh) 2014-11-25 2017-06-20 张利 一种四塔组合等离子体处理铸造废气的系统
CN204362408U (zh) 2014-12-24 2015-05-27 徐州燃控科技股份有限公司 一种大功率空冷等离子发生器
GB2540992A (en) 2015-08-04 2017-02-08 Edwards Ltd Control of gas flow and power supplied to a plasma torch in a multiple process chamber gas treatment system
GB2540994A (en) 2015-08-04 2017-02-08 Edwards Ltd Control of power supplied to a plasma torch to compensate for changes at an electrode
KR102646623B1 (ko) 2017-01-23 2024-03-11 에드워드 코리아 주식회사 플라즈마 발생 장치 및 가스 처리 장치
US20200109473A1 (en) 2018-10-08 2020-04-09 Ascentool, Inc. High throughput vacuum deposition sources and system thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US11985754B2 (en) 2024-05-14
WO2018135772A1 (en) 2018-07-26
JP7319928B2 (ja) 2023-08-02
EP3570964A4 (en) 2020-12-02
JP2020506052A (ja) 2020-02-27
KR102686242B1 (ko) 2024-07-17
EP3570964B1 (en) 2023-10-25
KR20180086669A (ko) 2018-08-01
EP3570964A1 (en) 2019-11-27
JP2022184838A (ja) 2022-12-13
US20210410264A1 (en) 2021-12-30
TWI794201B (zh) 2023-03-01
CN110612151A (zh) 2019-12-24
JP7357735B2 (ja) 2023-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI748044B (zh) 電漿產生裝置及氣體處理裝置
JP7357735B2 (ja) 窒素酸化物還元装置及びガス処理装置
CN113330824B (zh) 热等离子体处理设备
US20160107117A1 (en) Corrosion resistant abatement system
KR102520818B1 (ko) 돌출 전극을 갖는 스크러버, 이를 포함하는 스크러버 시스템, 스크러버 구동 방법
KR102248261B1 (ko) 스크러버 및 과불화합물과 질소산화물 제거 시스템
JP7351567B2 (ja) 排気ガス処理のためのプラズマ装置
KR101177283B1 (ko) 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치
KR101177272B1 (ko) 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치
KR101177276B1 (ko) 에칭 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치
TW202222410A (zh) 氣體處理爐及使用此爐的排氣處理裝置