TW201831712A - 附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法、使用該製造方法之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜、覆金屬積層板之製造方法、及覆金屬積層板 - Google Patents

Abstract

一種附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法，其係以270℃以上290℃以下的溫度將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上，而形成金屬蒸鍍層。

Description

附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法、使用該製造方法之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜、覆金屬積層板之製造方法、及覆金屬積層板

本發明係關於一種設有金屬蒸鍍層且由能形成光學各向異性的熔融相的熱塑性聚合物(以下稱之為「熱塑性液晶聚合物」)構成的薄膜(以下稱之為「熱塑性液晶聚合物薄膜」)之製造方法、使用該製造方法之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜、覆金屬積層板(metal-clad laminate)之製造方法及覆金屬積層板。

迄今，具備熱塑性液晶聚合物薄膜的覆金屬積層板，既具有來自於熱塑性液晶聚合物薄膜的優異的低吸濕性、耐熱性、耐藥品性和電氣性質，又具有優異的尺寸穩定性，因此，常被使用作為撓性電路板和半導體封裝用的電路基板等電路基板材料。

就該覆金屬積層板的製造方法而言，例如已提出了以下方法：對液晶聚合物薄膜的一面進行利用電漿的表面處理後，使用濺鍍法在經過表面處理的面上形成第一金屬層；然後，在第一金屬層上透過濺鍍法形成銅膜且透過電鍍銅法形成銅覆膜，由此形成為第二金屬 層的銅層；最後，在惰性環境中進行退火處理。還記載有以下內容：透過此等方法，將液晶聚合物薄膜的表面粗糙化處理成具有微細結構，因此，液晶聚合物薄膜表面的凹凸帶來的錨定效果(anchor effect)發揮作用。其結果是，液晶聚合物薄膜與金屬層之間的密著強度得到提高(如參照專利文獻1)。

此外，例如已提出了以下方法：透過真空蒸鍍法，在液晶聚合物薄膜上蒸鍍金屬薄膜後，使用電鍍法形成金屬膜，然後，進行加熱處理。還記載有以下內容：透過此等方法，能夠形成與液晶聚合物薄膜之間的密著性高的銅蒸鍍膜，而能夠得到適用於高頻用途的覆金屬積層板(如參照專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-160738號公報

[專利文獻2]日本特開2010-165877號公報

近年來，隨著智慧型手機等高性能小型電子設備的普及，構件不斷朝高密度化發展，電子設備也不斷朝高性能化發展，因此，需要這樣一種覆金屬積層板：熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬膜之間的密著強度優異，且能夠對應傳輸訊號的高頻化(即具有高頻特性)。

然而，上述專利文獻1所記載的覆金屬積層板的製造方法存在以下問題：對液晶聚合物薄膜表面進行 粗糙化處理後，集膚效應的影響變大，因此，上述高頻特性變差，而在粗糙化處理不充分的情況下，液晶聚合物薄膜與金屬層之間的密著強度不會提高，其結果是，難以兼具密著特性和高頻特性。

此外，專利文獻2所記載的覆金屬積層板的製造方法存在以下問題：為了提高密著強度；有需要降低蒸鍍膜的結晶尺寸，但要降低蒸鍍膜的結晶尺寸，需要提高真空度，並降低處理速度，而且由於在形成金屬膜之後需要進行加熱處理，故導致製造製程變複雜，且成本增高。

因此，本發明正是鑑於上述問題而完成的，其目的在於：透過廉價簡單的方法，提供一種附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法、使用該製造方法之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜、覆金屬積層板之製造方法、及覆金屬積層板，其中，該熱塑性液晶聚合物薄膜具有高頻特性且該熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬蒸鍍層之間的密著強度優異。

為了達成上述目的，本發明之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法的特徵在於：以270℃以上290℃以下的溫度將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上，而形成金屬蒸鍍層。

此外，本發明之覆金屬積層板之製造方法的特徵在於：以270℃以上290℃以下的溫度將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上，而於形成金屬蒸鍍層 的附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜，藉由施予鍍敷處理，而在金屬蒸鍍層的表面上形成金屬鍍層。

根據本發明，能夠透過廉價簡單的方法，提供一種附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜，該熱塑性液晶聚合物薄膜具有高頻特性且該熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬蒸鍍層之間的密著強度優異。

1‧‧‧覆金屬積層板

2‧‧‧熱塑性液晶聚合物薄膜

3‧‧‧金屬層

4‧‧‧金屬蒸鍍層

5‧‧‧金屬鍍層

10‧‧‧覆金屬積層板

12‧‧‧送膜輥

13‧‧‧加熱輥

14‧‧‧收膜輥

17‧‧‧坩堝

18‧‧‧電子槍

20‧‧‧蒸鍍裝置

圖1呈示與本發明的實施方式有關的覆金屬積層板的構造的剖視圖。

圖2呈示與本發明的實施方式有關的附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法中所使用的蒸鍍裝置的整體構成的示意圖。

圖3呈示與本發明的變形例有關的覆金屬積層板的構造的剖視圖。

以下根據圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。需要說明的是，本發明不限於以下實施方式。

圖1係呈示與本發明的實施方式有關的覆金屬積層板的構造的剖視圖。

如圖1所示，本實施方式的覆金屬積層板1係由熱塑性液晶聚合物薄膜2、及積層在熱塑性液晶聚合物薄膜2一面上的金屬層3構成。

<金屬層>

就本發明的金屬蒸鍍層4而言，沒有特別限制，例如可列舉銅、金、銀、鎳、鋁、不銹鋼等，從導電性、易處理性和成本等觀點出發，使用銅和鋁較佳。

就金屬蒸鍍層4的厚度而言，在0.05μm以上1.0μm以下較佳。這是因為，若金屬蒸鍍層4的厚度較薄，則在鍍敷金屬鍍層5之際，有時會發生電流流入金屬蒸鍍層4而導致其破損之類的不良情況，若金屬蒸鍍層4較厚，則形成蒸鍍層需要較長時間，蒸鍍時間也變長，因而導致生產性降低，成本大幅度增加。

此外，鍍敷後的金屬層3的厚度，在1μm以上200μm以下的範圍內較佳，在3μm以上20μm以下的範圍內更佳。這是因為，若鍍敷後的金屬層3的厚度小於1μm，則因為厚度過小，有時在覆金屬積層板1的製造製程中，會因為金屬箔的厚度較薄，流入大電流而導致電路破損。若鍍敷後的金屬層3的厚度大於200μm，則因為厚度過大，例如將其用於撓性電路板時，彎折性能會下降，鍍敷時也更花費時間，成本增高，因此，鍍敷後的金屬層3的厚度為適當厚度較佳。

<熱塑性液晶聚合物薄膜>

本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜的原料沒有特別限定。例如有熱向型液晶聚酯(thermotropic liquid crystal polyester)和熱向型液晶聚酯醯胺(thermotropic liquid crystal polyester amide)，其從被分類為以下示例(1)到(4)的化合物及其衍生物導出。不過，為了得到能夠形成光學各向異性的熔融相的聚合物，顯然各種原料化合物的 組合存在適當的範圍。

(1)芳香族或脂肪族二羥基化合物(代表例參照表1)

(2)芳香族或脂肪族二羧酸(代表例參照表2)

(3)芳香族羥基羧酸(代表例參照表3)

(4)芳香族二胺、芳香族羥胺或芳香族胺基羧酸(代表例參照表4)

此外，能夠從上述原料化合物得到的熱塑性液晶聚合物的代表例，例如有具有表5所示的構造單元的共聚物(a)~(e)。

此外，從賦予薄膜所需的耐熱性和加工性的目的出發，本發明所使用的熱塑性液晶聚合物的熔點(以下稱之為「M₀p」)在約200~約400℃的範圍內，尤其是在約250~約350℃的範圍內較佳。從薄膜的製造這一方面來看，熔點相對較低的熱塑性液晶聚合物較佳。

因此，若需要更高的耐熱性和熔點的情形，則藉由對中途得到的薄膜進行加熱處理，就能夠提高到所需的耐熱性和熔點。舉加熱處理的條件之一例進行說明。即使中途得到的薄膜的熔點為283℃，只要以260℃加熱5小時，熔點就能變為320℃。

又，M₀p能夠藉由示差掃描熱量計(島津製作所(股)製造，商品名：DSC)測量主吸熱峰出現時的溫度而求出。

本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2能夠透過將上述聚合物擠壓成型而得到。此時，能夠使用任一擠壓成型法，習知的T模拉伸製膜法、層壓體拉伸法、吹塑法等在工業上是有利的。尤其是採用吹塑法時，應力不僅施加於薄膜的機械軸(長度)方向(以下稱之為「MD方向」)上，而且施加於與上述方向正交的方向(以下稱之為「TD方向」)上，因此，能夠得到的薄膜在MD方向和TD方向上的機械性質和熱性質達到平衡。

此外，本實施方式的熱塑性液晶聚合物薄膜2之薄膜長度方向的分子取向度SOR(Segment Orientation Ratio)之範圍，設為0.90以上低於1.20較佳，設為0.95以上1.15以下更佳，設為0.97以上1.15以下尤佳。

具有該範圍之分子取向度的熱塑性液晶聚合物薄膜2之優點在於，不僅在MD方向和TD方向上的機械性質和熱性質之平衡為良好，實用性高，而且如上述，使用於電路基板的覆金屬積層板1之各向同性及尺寸穩定性良好。

此外，若分子取向度SOR在0.50以下或在1.50以上，則液晶聚合物分子的取向偏差顯著，導致薄膜變硬，且在TD方向或MD方向容易裂開。若用於需要有加熱時不翹曲等形態穩定性的電路基板，則如上述，需要分子取向度SOR之範圍為0.90以上低於1.15。尤其是若需要加熱時完全不翹曲，則分子取向度SOR之範圍為0.95以上1.08較佳。此外，藉由將分子取向設為0.90以上1.08以下，就能夠使薄膜介電常數變得均一。

又，此處所言之的「分子取向度SOR」是賦予構成分子之片斷的分子取向之程度的指標，與習知的MOR(Molecular Orientation Ratio)不同，「分子取向度SOR」是考慮到物體厚度而定的值。

又，上述分子取向度SOR的計算方法如下。

首先，用公知的微波分子取向度測量儀，將熱塑性液晶聚合物薄膜2以薄膜面垂直於微波前進方向的方式插入微波共振波導管中，測量穿透該薄膜之微波的電場強度(微波穿透強度)。

其次，基於上述測量值，根據以下數學式(1)計算m值(稱之為折射率)。

(數學式1)m=(Zo/△_Z)×[1-ν max/ν o]...(1)

(其中，Zo是儀器常數，△_Z是物體平均厚度，ν max是使微波頻率發生變化時，帶來最大微波穿透強度的頻率，ν o是平均厚度為零時(即不存在物體時)，帶來最大微波穿透強度的頻率。)

然後，當物體繞微波振動方向旋轉的旋轉角為0°時，亦即，當微波振動方向與物體分子最常取向之方向(通常是擠壓成型的薄膜之長度方向)且帶來最小微波穿透強度之方向一致時，設m值為m₀、旋轉角為90°時的m值為m₉₀，利用m₀/m₉₀計算出分子取向度SOR。

本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2之厚度，雖然沒有特別限定，但是若使用的印刷配線板是將熱塑性液晶聚合物薄膜2用作電絕緣材料的覆金屬積層板1，則上述厚度之範圍為20~150μm較佳，20~50μm更佳。

這是因為，若薄膜厚度過薄，則薄膜的剛性和強度變低，在將電子構件封裝到製得的印刷配線板上時，印刷配線板受壓變形，配線的位置精度惡化，而成為引發不良的原因。

此外，就個人電腦等的主電路基板之電絕緣材料而言，還可以使用上述熱塑性液晶聚合物薄膜與其他電絕緣材料的複合體，其他電絕緣材料例如是玻璃基材。又，薄膜中還可以摻合滑劑、抗氧化劑等添加劑。

此外，本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2具有足夠的材料強度。在後述蒸鍍製程中的加熱處理中，尺寸變化小的薄膜較佳。從以上觀點出發，熱塑性液晶聚合物薄膜的韌性為50~90MPa較佳，60~90MPa更佳。

又，此處所言之「熱塑性液晶聚合物薄膜的韌性」是根據ASTM D882標準規定的方法，使用拉伸試驗機(A&D COMPANY,LIMITED製造，商品名：RTE-210)測量伸長度和最大拉伸強度，並用上述測量值，藉由以 下數學式(1)計算出的。

(數學式2)韌性=伸長度×最大拉伸強度×1/2...(2)

又，熱塑性液晶聚合物薄膜的熱膨脹係數為10~30ppm/℃較佳，12~25ppm/℃更佳，15~20ppm/℃尤佳。熱膨脹係數在上述範圍內，則就在熱塑性液晶聚合物薄膜上形成金屬蒸鍍層而成的附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜以及進一步經過鍍敷處理而成的覆金屬積層板而言，因為熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬蒸鍍層和金屬鍍層之間的熱膨脹差變小，所以在電路形成加工等時也能夠保持良好的尺寸穩定性。

又，此處所言之「熱膨脹係數」是使用熱機械分析裝置(TMA)，對寬5mm、長20mm的熱塑性聚合物薄膜兩端施加1g的拉伸負荷，並使其從室溫以5℃/分的速率升溫到200℃的情況下，基於30℃到150℃之間發生的長度變化計算出的。

此外，在不影響本發明之效果的範圍內，可以在熱塑性液晶聚合物中添加聚對苯二甲酸乙二酯、變性聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚芳香酯、聚醯胺、聚苯硫醚、聚醚醚酮、氟樹脂等熱塑性聚合物以及各種添加劑，還可以根據需要添加填充劑。

下面，對本發明的實施方式中的覆金屬積層板的製造方法進行說明。

在本實施方式中，包括蒸鍍製程和電鍍製程，其中，該蒸鍍製程是在熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面 ，透過真空蒸鍍法形成金屬蒸鍍層的製程，該電鍍製程是在金屬蒸鍍層的表面，形成金屬鍍層的製程。

(蒸鍍製程)

首先，在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內，放入裝有蒸鍍源(如純度在99%以上的Cu)的蒸鍍舟(由鎢或鉬這些電阻體形成)。其次，藉由給該蒸鍍舟通電而加熱，將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，而在熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面形成金屬蒸鍍層4。

又，還可以在真空環境中，將蒸鍍源裝入坩堝，用電子束照射坩堝來加熱蒸鍍源，由此將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，而形成金屬蒸鍍層4。

此外，還可以從提高生產性的觀點出發，採用以下構成：在蒸鍍室內，採用捲對捲方式讓片狀熱塑性液晶聚合物薄膜2移動，由此在熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上連續不斷地形成金屬蒸鍍層4。

圖2呈示與本發明的實施方式所涉及的附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法中所使用的蒸鍍裝置的整體構成的示意圖。

該蒸鍍裝置20包括送膜輥12、加熱輥13、收膜輥14以及導輥15、16。其中，該送膜輥12上裝有捲狀之熱塑性液晶聚合物薄膜2，加熱輥13用於以規定溫度將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，而形成金屬蒸鍍層4，該收膜輥14用於收回附有金屬蒸鍍層4的熱塑性液晶聚合物薄膜2，該導輥15、16用於透過捲對捲方 式讓熱塑性液晶聚合物薄膜2移動。

而且，用電子槍18向配置在加熱輥13下方的坩堝17照射電子束，來加熱裝在坩堝17內的蒸鍍源，由此將金屬(如銅)蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，而形成金屬蒸鍍層4。

此處，本發明的特徵在於：以270℃以上290℃以下的溫度將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，而形成金屬蒸鍍層4。

如上述，與上述先前技術不同，在本發明中，加熱處理是在蒸鍍處理時進行，而不是在藉由蒸鍍處理形成金屬蒸鍍層之後進行，因此，熱塑性液晶聚合物薄膜2軟化，其結果是，在蒸鍍製程中，金屬更容易附著到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上。

此外，藉由將蒸鍍製程中的加熱溫度設在270℃以上290℃以下，熱塑性液晶聚合物薄膜2和金屬蒸鍍層4之間的密著力就會增大，因此剝離強度得到提高。其原因推測如下：藉由以與熱塑性液晶聚合物薄膜2的熱變形溫度相近的溫度進行蒸鍍，蒸鍍粒子(蒸鍍時飛散的粒子)就會鑽入因加熱而變軟的薄膜內部，因此熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬蒸鍍層4之間的密著力會增大。又，鑽入薄膜內部的粒子，一般在數十Å左右，遠遠小於薄膜的表面粗糙度。

因此，與上述先前技術不同，不必對熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面進行粗糙化處理，不必控制金屬蒸鍍層4的結晶大小，也不必在形成金屬層3之後進行加 熱處理，就能夠提高熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬蒸鍍層4之間的密著強度。因此，能夠透過廉價簡單的方法，提供一種附有金屬蒸鍍層4之熱塑性液晶聚合物薄膜2，其傳輸損耗(transmission loss)低、密著強度優異。

此外，因為不必控制蒸鍍出的金屬蒸鍍層4的結晶大小，所以能夠高效率地(即，不降低生產性)提供一種密著強度優異的附有金屬蒸鍍層4之熱塑性液晶聚合物薄膜2。

又，金屬蒸鍍層4的厚度係具有0.05μm以上1.0μm以下的厚度較佳。

此外，因為本發明是在蒸鍍時一邊加熱熱塑性液晶聚合物薄膜2(例如，上述實施方式中是一邊用加熱輥加熱熱塑性液晶聚合物薄膜2)一邊進行蒸鍍，所以蒸鍍時形成的金屬蒸鍍層4的結晶尺寸因加熱而變大，不過本發明中金屬蒸鍍層4的結晶大小沒有特別限制，可以設為大於0.1μm且在10μm以下。

此外，在本實施方式中，從捲對捲方式下提高生產性的觀點出發，將蒸鍍速率設為1nm/s以上5nm/s以下較佳。

此外，在本實施方式中，將捲對捲方式下熱塑性液晶聚合物薄膜2的移動速度設為0.1m/min~5m/min。

(電鍍製程)

然後，用電鍍法在金屬蒸鍍層4的表面上形成金屬鍍層5。更具體而言，將金屬(如銅)電鍍到藉由上述蒸鍍製 程形成的金屬蒸鍍層(金屬底膜)4上，由此形成由金屬蒸鍍層4和金屬鍍層5構成的金屬層3。

此電鍍法沒有特別限定，例如，若要形成銅鍍層來作為金屬鍍層5，則可以使用一般的用硫酸銅電鍍的方法。

此外，從生產性和電路縱橫比(aspect ratio)的觀點出發，金屬鍍層5的厚度在1μm以上10μm以下較佳。又，若金屬鍍層較薄，則能夠得到縱橫比接近於“1”的銳(sharp)狀電路，其中，該縱橫比以電路上下寬度顯示。若金屬鍍層5較厚，則形成電路時電路的縱橫比較小，呈梯形狀。毫米波、微波的電路形狀為縱橫比接近於“1”的銳狀電路較理想。

此外，從生產性的觀點出發，將陽極與陰極之間的電流密度設定在0.1A/dm²以上0.5A/dm²以下較佳。

此外，如上述，在本發明中能夠提高熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬層3之間的密著強度，但從電路可靠性的觀點出發，熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬層3之間的剝離強度在0.8kN/m以上較佳，在0.9kN/m以上更佳。

此外，此處所說的「剝離強度」是根據IPC-TM650 2.4.3規定的方法，使用電子式推拉力計(例如，IMADA製造，商品名：ZP-500N)測量出的剝離強度之值(kN/m)。

又，上述實施方式還可以做出以下變更。

在上述實施方式中，以在熱塑性液晶聚合物 薄膜2的一面接合有金屬層3的覆金屬積層板1為例進行了說明，但如圖3所示，本發明還可以應用於在熱塑性液晶聚合物薄膜2的兩面疊合有金屬層3的覆金屬積層板10。即，本發明可以應用於在熱塑性液晶聚合物薄膜2的至少一側之表面疊合有金屬層3的覆金屬積層板。

[實施例]

下面根據實施例對本發明進行說明。需要說明的是，本發明不受該等實施例的限定，能夠基於本發明的主旨對該等實施例進行變形或變更，不應把該等變形或變更排除到本發明的範圍之外。

<實施例1>

<熱塑性液晶聚合物薄膜的製備>

用單軸擠壓機，以280~300℃對由6-羥基-2-萘甲酸(6-hydroxy-2-naphthoic acid)單元(27莫耳%)、對羥苯甲酸(p-hydroxybenzoic acid)單元(73莫耳%)形成的熱向型液晶聚酯進行加熱捏合。然後，用直徑40mm、狹縫間隔0.6mm的吹塑模進行擠壓，而得到厚50μm的熱塑性液晶聚合物薄膜。該熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點Tm為283℃，熱變形溫度Tdef為230℃。

接著，將該熱塑性液晶聚合物薄膜放入熱風溫度260℃的氮氣環境的熱風乾燥機中，使薄膜表面溫度上升到260℃，在該溫度下進行了2小時熱處理。然後，經30分使溫度上升到280℃，進行了2小時熱處理。熱處理後，以20℃/分的速率使溫度下降到200℃，並從熱風乾燥機中取出薄膜。得到的薄膜的熔點為315℃，熱膨脹 係數為18ppm/℃。

<銅蒸鍍膜的形成>

採用捲對捲方式，用真空蒸鍍裝置(ROCK GIKEN Co.,LTD.製造，商品名：RVC-W-300)讓製備出的片狀之上述熱塑性液晶聚合物薄膜移動，由此在熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上連續不斷地形成金屬蒸鍍層。

更具體而言，將熱塑性液晶聚合物薄膜裝入裝載器側，將開放窗完全關閉後，抽真空，同時將加熱輥(用於將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜上的輥)的溫度設為100℃。

然後，取出銅錠，加入銅粒，使得銅的總重量達到450g。又，所加入的銅粒經過了前處理，即用過硫酸鈉水溶液對銅粒進行清洗後，又用蒸餾水進行了清洗。

然後，在確認蒸鍍室內的真空度變為7×10^-3Pa以後，將加熱輥的設定溫度設為280℃。接著，提高EMI(電子槍的發射電流值)的輸出，使銅熔化。又，此時調整了EMI輸出值，使得蒸鍍速率變為2.7nm/s。

然後，在確認加熱輥的溫度達到設定溫度(280℃)、蒸鍍室內的真空度下降到5×10^-3Pa以下以後，將熱塑性液晶聚合物薄膜的輸送速度設為0.5m/min，在此狀態下，進行銅的蒸鍍處理，而形成具有厚度為0.3μm的銅蒸鍍膜。

<金屬層的形成>

然後，透過電鍍法，在銅蒸鍍膜的表面上形成銅鍍 層(厚：12μm)，由此形成了由銅蒸鍍膜和銅鍍層構成的12μm的銅層，而製備出覆銅積層板。又，置入於高均一性酸性(high throw)之硫酸銅基本浴(含有40~100g/L的硫酸銅及150~250g/L的硫酸之硫酸銅鍍基本組成)中，使得銅箔的厚度變為12μm。

<剝離強度的測量>

然後，用製備出的覆銅積層板製出寬5mm的剝離試驗片，使熱塑性液晶聚合物薄膜與銅層之間的接合界面露出後，用雙面膠帶將試驗片之熱塑性液晶聚合物薄膜層固定到平板上，在常溫下，以50mm/分的速度朝90°方向剝離銅層，用IMADA製造的電子式推拉力計(商品名：ZP-500N)測量剝離負荷，測量了剝離約5cm左右時的負荷平均值(kN/m)。

又，在一次的測量中持續剝離約60秒，在此期間，測量了複數次負荷(每秒16次)。即，在一次的測量中，取得了16次/秒×60秒=960次的負荷數據之後，去掉測量開始時和結束時的測量值，求取中間的700次測量數據的平均值，作為負荷平均值。

此外，從彎曲性等觀點出發，因為求出的剝離強度在0.8kN/m以上，所以判斷具有0.8kN/m以上之強度的情形時，密著強度良好。上述結果顯示於表6。

(比較例1)

比較例1除了將蒸鍍製程中加熱輥的設定溫度變為260℃以外，其他與實施例1相同，由此製備了覆銅積層板。之後，與上述實施例1同樣，測量了剝離強度。上述 結果顯示於表6。

(比較例2)

比較例2除了將蒸鍍製程中加熱輥的設定溫度變為240℃以外，其他與實施例1相同，由此製備了覆銅積層板。之後，與上述實施例1同樣，測量了剝離強度。上述結果顯示於表6。

如表6所示，實施例1中是將加熱輥的溫度設為280℃的情況下形成了銅蒸鍍膜，比較例1和2中加熱輥的設定溫度低於270℃，與比較例1和2對比可知，實施例1的熱塑性液晶聚合物薄膜與銅層(即銅蒸鍍膜)之間的密著強度優異。

[產業上之可利用性]

綜上所述，本發明對於附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法以及使用該製造方法之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜特別有用。

Claims (8)

1. 一種附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法，其以270℃以上290℃以下的溫度將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上，而形成金屬蒸鍍層。
2. 如請求項1之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法，其中，該金屬為銅。
3. 如請求項1或2之附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜之製造方法，其中，該熱塑性液晶聚合物薄膜的熱膨張係數為10ppm/℃以上30ppm/℃以下。
4. 一種附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜，其係藉由如請求項1至3中任一項之製造方法所製造。
5. 一種覆金屬積層板之製造方法，其以270℃以上290℃以下的溫度，將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上，於形成金屬蒸鍍層的附有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜，藉由施予鍍敷處理，而在該金屬蒸鍍層的表面上形成金屬鍍層。
6. 如請求項5之覆金屬積層板之製造方法，其中，該金屬鍍層為銅層。
7. 如請求項5或6之覆金屬積層板之製造方法，其中，該熱塑性液晶聚合物薄膜的熱膨脹係數為10ppm/℃以上30ppm/℃以下。
8. 一種覆金屬積層板，其係藉由如請求項5至7中任一項之製造方法所製造。