TW201819304A - 用於避免陰離子交換之帶殼的鹵化物鈣鈦礦奈米粒子 - Google Patents
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- 150000004820 halides Chemical class 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 title description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- -1 CH 3 NH 3 + Chemical compound 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- XSOHXMFFSKTSIT-UHFFFAOYSA-N 1-adamantylmethanamine Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(CN)C3 XSOHXMFFSKTSIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 241000877463 Lanio Species 0.000 claims description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 6
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 claims 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 42
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 17
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 12
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012045 crude solution Substances 0.000 description 6
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 3
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004813 CaTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L Congo Red Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=CC2=C(N)C(N=NC3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)N=NC3=C(C4=CC=CC=C4C(=C3)S([O-])(=O)=O)N)=CC(S([O-])(=O)=O)=C21 IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004411 SrTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005263 ab initio calculation Methods 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-O octylazanium Chemical compound CCCCCCCC[NH3+] IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
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- H10H20/81—Bodies
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
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- H10H20/818—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light-emitting regions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
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- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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Abstract
本發明係關於一種核/殼半導體奈米粒子結構，其包含有包含鹵化物鈣鈦礦半導體之核及包含並非鹵化物鈣鈦礦(且大體上不含鹵化物鈣鈦礦)之半導體材料之殼。該鹵化物鈣鈦礦半導體核可具有形式AMX3
，其中：A係有機銨，諸如CH3
NH3 +
、(C8
H17
)2
(CH3
NH3
)+
、PhC2
H4
NH3 +
、C6
H11
CH2
NH3 +
或1-金剛烷基甲基銨；脒鎓，諸如CH(NH2
)2 +
；或鹼金屬陽離子，諸如Li+
、Na+
、K+
、Rb+
或Cs+
；M係二價金屬陽離子，諸如Mg2+
、Mn2+
、Ni2+
、Co2+
、Pb2+
、Sn2+
、Zn2+
、Ge2+
、Eu2+
、Cu2+
或Cd2+
；且X係鹵化物陰離子(F-
、Cl-
、Br-
、I-
)或鹵化物陰離子之組合。
Description
本發明大體上係關於半導體奈米粒子(或「量子點」)。更具體言之，其係關於鹵化物鈣鈦礦奈米晶。
鈣鈦礦(呈現與鈦酸鈣(calcium titanium oxide，CaTiO3
))相同的晶體結構之材料)顯示多種已被探索用於技術應用的有趣的特性。大體而言，鈣鈦礦呈形式ABX3
，其中A及B係具有大體上不同尺寸的陽離子且X係鍵結至A及B兩者的陰離子。 形式AMX3
(其中A係有機銨(例如CH3
NH3 +
)或鹼金屬陽離子(例如Li+
、Na+
、K+
、Rb+
、Cs+
)，M係二價金屬陽離子(例如Mg2+
、Mn2+
、Pb2+
、Sn2+
、Zn2+
)，且X係鹵化物陰離子(例如F-
、Cl-
、Br-
、I-
))之鹵化物鈣鈦礦奈米粒子已由於材料之特性而得到大量關注，已發現其尤其適用於光伏及發光應用。詳言之，CH3
NH3
PbX3
及CsPbX3
(X = Cl、Br、I)之奈米粒子可藉由改變鹵化物組合物調諧為以高量子產率(quantum yield，QY；高達約90%)及窄半峰全幅值(full-widths at half-maximum，FWHM；通常約20-40 nm)跨可見光譜光致發光。因而，研究鹵化物鈣鈦礦奈米粒子用於顯示器應用，諸如其併入至液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)之背光單元(backlight unit，BLU)中。[Z. Bai及H. Zhong,Sci. Bull.
, 2015,60
, 1622]然而，鹵化物鈣鈦礦奈米粒子之一個缺點係當組合時鹵化物進行快速的陰離子交換[G. Nedelcu, L. Protesescu, S. Yakunin, M.I. Bodnarchuk, M.J. Grotevent and M.V. Kovalenko,Nano Lett.
, 2015,15
, 5635]，導致個別PL發射之損失，[S. Pathak, N. Sakai, F.W.R. Rivarola, S.D. Stranks, J. Liu, G.E. Eperon, C. Ducati, K. Wojciechowski, J.T. Griffiths, A.A. Haghighirad, A. Pelleroque, R.H. Friend及H.J. Snaith,Chem. Mater.
, 2015,27
, 8066]。[Q.A. Akkermann, V. D'Innocenzo, S. Accornero, A. Scarpellini, A. Petrozza, M. Prato及L. Manna,J. Am. Chem. Soc.
, 2015,137
, 10276]當旨在將發藍光的二極體(blue light-emitting diode，LED)激發源與發綠光及發紅光的鹵化物鈣鈦礦奈米粒子組合在LCD BLU中時，此存在重大的挑戰。 在量子點(quantum dot，QD)之合成中，用更寬帶隙半導體材料之「殼」塗飾「核」半導體材料係消除表面缺陷及懸空鍵(其導致非輻射電子-電洞再結合且由此降低QY)常用的方法。因為鹵化物鈣鈦礦核奈米粒子顯示高QY，所以極少研究核/殼鹵化物鈣鈦礦奈米粒子結構。就申請人全部所知，僅有的對核/殼鹵化物鈣鈦礦奈米粒子之研究係來自Bhaumik及合作者的報導，[S. Bhaumik, S.A. Veldhuis, Y.F. Ng, M. Li, S.K. Muduli, T.C. Sum, B. Damodaran, S. Mhaisalkar及N. Mathews,Chem. Commun.
, 2016,52
, 7118]其用(C8
H17
)2
(CH3
NH3
)PbBr2
使CH3
NH3
PbBr3
核帶殼以便研究藉由用更寬帶隙有機鹵化物鈣鈦礦形成殼而得到的特性。然而，不存在關於使用半導體殼來充當用以避免鹵化物陰離子在鹵化物鈣鈦礦奈米粒子中遷移的屏障的報導。Bhaumik等人描述用(C8
H17
)2
PbBr2
使CH3
NH3
PbBr3
核帶殼，以便研究藉由用更寬帶隙有機鹵化物鈣鈦礦形成殼而得到的特性。[S. Bhaumik, S.A. Veldhuis, Y.F. Ng, M. Li, S.K. Muduli, T.C. Sum, B. Damodaran, S. Mhaisalkar及N. Mathews,Chem. Commun.
, 2016,52
, 7118]然而，核及殼中均存在鹵化物離子表明，在包含不同鹵化物離子之奈米粒子之間的陰離子交換不會因殼層而減輕。 Pathak等人報導，可藉由以下來避免具有不同鹵化物組成的(OA:MA)PbX3
(OA =辛基銨；MA =甲基銨；X = Cl-
；Br-
；I-
)奈米晶之間的陰離子交換：將具有不同組成的鹵化物鈣鈦礦奈米晶之溶液與聚苯乙烯珠粒單獨混合，隨後將單獨的溶液混合一起並處理以形成膜。[同上]相比其中在單個處理步驟中組合奈米粒子之所有顏色之方法，此方法需要額外處理來形成各種顏色的聚合物溶液。 奈米粒子製造商Nanograde Ltd.(Staefa, Switzerland)已解決包含發紅光及發綠光的鹵化物鈣鈦礦奈米晶之LCD背光單元中之陰離子交換的問題，藉由將發紅光及發綠光的奈米粒子分別封裝於聚合物中，隨後將其併入至樹脂基質中來解決。[S. Halim,High Performance Cadmium-Free QD Formulations for LCD Backlight Films
, 呈現於SID Display Week, San Francisco, California, 2016年5月24日-26日. http://nanograde.com/wp-content/uploads/2016/06/Nanograde_QD_SID_Talk.pdf]。已使用該方法製備BLU，其在國際照明委員會1976 (Commission Internationale de l'Eclairage 1976，CIE 1976)顏色空間中顯示國家電視系統委員會(National Television Systems Committee，NTCS)標準之108%區域的色域。然而，此方法需要將發紅光及發綠光的奈米粒子單獨處理至聚合物基質中，藉此與其中將發紅光及發綠光的奈米粒子在單一聚合物基質中組合之方法相比增加了處理步驟。 發綠光的CH3
NH3
PbBr3
奈米粒子已與紅色K2
SiF6
:Mn4+
(KSF)磷光體及藍色InGaN LED組合使用，從而形成在CIE 1931顏色空間中顯示NTSC顏色標準(100%覆蓋度)之121%的背光。[Q. Zhou, Z. Bai, W.-G. Lu, Y. Wang, B. Zou及H. Zhong, Adv. Mater., 2016, 在印刷前, DOI: 10.1002/adma.201602651]將奈米粒子嵌入於聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)基質中並將KSF併入至黏接層中。此方法之一個缺點為需要分別處理奈米粒子及磷光層，增加了處理時間及成本。亦應注意超過70℃時複合膜係不穩定的。 因此，需要簡單的方法來組合不同的鹵化物鈣鈦礦奈米粒子，同時避免陰離子交換。
如圖1中所示，揭示一種核/殼半導體奈米粒子結構，其包含有包含鹵化物鈣鈦礦半導體之核及包含並非鹵化物鈣鈦礦(且大體上不含鹵化物鈣鈦礦)之半導體材料之殼。該鹵化物鈣鈦礦半導體核可具有形式AMX3
，其中：A係有機銨，諸如(但不限於) CH3
NH3 +
、(C8
H17
)2
(CH3
NH3
)+
、PhC2
H4
NH3 +
、C6
H11
CH2
NH3 +
或1-金剛烷基甲基銨；脒鎓，諸如(但不限於) CH(NH2
)2 +
，或鹼金屬陽離子，諸如(但不限於) Li+
、Na+
、K+
、Rb+
或Cs+
；M係二價金屬陽離子，諸如(但不限於) Mg2+
、Mn2+
、Ni2+
、Co2+
、Pb2+
、Sn2+
、Zn2+
、Ge2+
、Eu2+
、Cu2+
或Cd2+
；且X係鹵化物陰離子(F-
、Cl-
、Br-
、I-
)或鹵化物陰離子之組合。殼可充當用以避免來自核之鹵化物陰離子的遷移的屏障，由此在將超過一種類型之鹵化物鈣鈦礦奈米粒子併入至溶液或基質中時避免陰離子交換。本發明尤其適用於組合不同顏色之奈米粒子以供用於顯示器裝置。
相關申請案之交叉參考： 本申請案主張2016年9月29日提交之美國臨時申請案第62/401,485號及2016年10月28日申請之美國臨時申請案第62/414,110號的權益，其內容以全文引用之方式併入本文中。 在本文中，描述核/殼奈米粒子，其包含鹵化物鈣鈦礦半導體核及並非鹵化物鈣鈦礦之材料之半導體殼，其中殼可充當屏障以避免來自核之鹵化物陰離子的遷移，由此在將超過一種類型之鹵化物鈣鈦礦奈米粒子併入至溶液或基質中時避免陰離子交換。圖1展示該等核/殼奈米粒子之結構的截面視圖。本發明尤其適用於組合不同顏色之奈米粒子以供用於顯示器裝置。 如本文中所使用，術語「鹵化物鈣鈦礦」意指形式AMX3
之材料，其中A係有機銨，諸如(但不限於) CH3
NH3 +
、(C8
H17
)2
(CH3
NH3
)+
、PhC2
H4
NH3 +
、C6
H11
CH2
NH3 +
或1-金剛烷基甲基銨；脒鎓，諸如(但不限於) CH(NH2
)2 +
；或鹼金屬陽離子，諸如(但不限於) Li+
、Na+
、K+
、Rb+
或Cs+
；M係二價金屬陽離子，諸如(但不限於) Mg2+
、Mn2+
、Ni2+
、Co2+
、Pb2+
、Sn2+
、Zn2+
、Ge2+
、Eu2+
、Cu2+
或Cd2+
；且X係鹵化物陰離子(F-
、Cl-
、Br-
、I-
)或鹵化物陰離子之組合。 可藉由任何方法合成鹵化物鈣鈦礦奈米晶核。鹵化物鈣鈦礦奈米晶之合成係先前技術中已熟知的。舉例而言，Veldhuis等人已評述鹵化物鈣鈦礦奈米晶之膠態合成。[S.A. Veldhuis, P.P. Boix, N. Yantara, M. Li, T.C. Sum, N. Mathews及S.G. Mhaisalkar,Adv. Mater.
, 2016,28
, 6804]對於有機鹵化物鈣鈦礦奈米晶(例如其中A係銨離子)，合成通常在低於約80℃下經由配位體輔助再沈澱法進行。在本文中，在穩定奈米粒子之配位配位體的存在下將可溶解無機鉛及鹵化銨鹽之極性溶劑注入至極性溶劑中。通常藉由在高於約150℃下熱注射來合成CsPbX3
奈米晶。 在一些實施例中，核/殼奈米晶包含更寬帶隙半導體材料之殼。表 1
展示不同鹵化物鈣鈦礦半導體的帶隙，如藉由從頭計算法所測定。[L. Lang, J.-H. Yang, H.-R. Liu, H.J. Xiang及X.G. Gong,Phys. Lett. A
, 2014,378
, 290]表 1
在一些實施例中，殼材料包含鈣鈦礦晶體結構但不包含鹵化物離子，使得核及殼共有相容的晶相或類似的晶格類型以促進殼層之磊晶生長，並使在核/殼界面之晶格應變降至最低。適合之材料包括(但不限於)：BaTiO3
、SrTiO3
、BiFeO3
、LaNiO3
、CaTiO3
、PbTiO3
及LaYbO3
。已在先前技術中描述用諸如BaTiO3
之材料使奈米粒子帶殼。[P.N. Oliveira, D. Alanis, R.D. Bini, D.M. Silva, G.S. Dias, I.A. Santos, L.F. Cótica, R. Guo及A.S. Bhalla,Integrated Ferroelectrics
, 2016,174
, 88] 在其他實施例中，殼材料包含有不包含鈣鈦礦晶體結構之半導體。適合之材料包括(但不限於)： 第IIA族至第VIB族(2-16)物質，其結合來自週期表之第2族的第一個元素及來自週期表之第16族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質，諸如(但不限於)：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe； 第IIB族至第VIB族(12-16)物質，其結合來自週期表之第12族的第一個元素及來自週期表之第16族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe； 第II族至第V族物質，其結合來自週期表之第12族的第一個元素及來自週期表之第15族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：Zn3
P2
、Zn3
As2
、Cd3
P2
、Cd3
As2
、Cd3
N2
、Zn3
N2
； 第III族至第V族物質，其結合來自週期表之第13族的第一個元素及來自週期表之第15族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：BP、AlP、AlAs、AlSb；GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、BN； 第III族至第IV族物質，其結合來自週期表之第13族的第一個元素及來自週期表之第14族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：B4
C、Al4
C3
、Ga4
C； 第III族至第VI族物質，其結合來自週期表之第13族的第一個元素及來自週期表之第16族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：Al2
S3
、Al2
Se3
、Al2
Te3
、Ga2
S3
、Ga2
Se3
、In2
S3
、In2
Se3
、Ga2
Te3
、In2
Te3
； 第IV族至第VI族物質，其結合來自週期表之第14族的第一個元素及來自週期表之第16族的第二個元素且亦包括三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：PbS、PbSe、PbTe、Sb2
Te3
、SnS、SnSe、SnTe； 物質，其結合來自週期表之d
區中之任何族的第一個元素及來自週期表之第16族的第二個元素且視情況包括來自週期表之第13族的任何元素以形成三元、四元及更高級次物質及摻雜物質，諸如(但不限於)：NiS、CrS、CuInS2
、CuInSe2
、CuGaS2
、CuGaSe2
、Cu2
ZnSnS4
。 殼生長之方法係不受限制的。用於使奈米晶核帶殼之方法係此項技術中熟知的。舉例而言，在InP核奈米晶上生長ZnS殼描述於美國專利第7,588,828號中，其內容以全文引用之方式併入本文中。 已越來越關注關於重金屬在諸如電子產品之消費品中的使用。歐盟的限制使用某些有害物質(Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances，RoHS)指令2002/95/EC限制了可用於電器及電子設備中的重金屬的量。類似法規正被全球採納。在一些實施例中，殼材料不含重金屬。當奈米粒子之核含有一或多種重金屬時，不含重金屬之殼層可避免重金屬離子自核浸出，其可在例如填埋場環境或生物系統中遇到。 當將本文所述之兩種或更多種類型鹵化物鈣鈦礦奈米晶併入至溶液或基質(例如樹脂)中時，殼層可充當物理屏障以避免鹵化物離子之間的陰離子交換。此可使得兩種或更多種類型(顏色)的鹵化物鈣鈦礦奈米晶能夠用於形成例如發光裝置同時保持其獨特的發光特性。舉例而言，發綠光的核/殼鹵化物鈣鈦礦奈米粒子與發紅光的核/殼鹵化物鈣鈦礦奈米粒子可在溶液或基質中組合，且併入至在經發藍光的光源(諸如發藍光的LED)照射時發射白光的裝置中。發藍光、發綠光與發紅光的核/殼鹵化物鈣鈦礦奈米粒子可在溶液或基質中組合，且併入至在經紫外光光源(諸如紫外光LED)照射時發射白光的裝置中。此外，殼層可以幫助消除來自鹵化物鈣鈦礦核表面的缺陷、懸空鍵及陷阱態，從而提高奈米晶之光致發光QY及穩定性。實例
實例1. 核/殼CsPbBr3
/ZnS量子點之合成 首先，藉由在50-mL 3頸燒瓶中將Cs2
CO3
(0.407 g)與十八烯(20 ml)及油酸(1.55 mL)混合來製備油酸Cs之溶液。將所得混合物在120℃下乾燥1小時，且隨後在N2
下加熱至150℃直至所有Cs2
CO3
溶解。將溶液保持在140℃下以避免固化。 藉由在25-mL 3頸燒瓶中將PbBr2
(69 mg)與十八烯(5 ml)混合來合成CsPbBr3
核。在氮氣下將混濁懸浮液加熱至120℃。隨後，注入油酸(0.5 mL)及油胺(0.5 mL)且將溶液攪拌直至PbBr2
完全溶解。將反應混合物加熱至180℃並注入油酸Cs。5秒之後，經壓縮空氣冷卻黃色混濁混合物。粗溶液之等分試樣具有以下光學特性：光致發光最大值(PLmax
) = 507 nm，半峰全幅值(FWHM) = 27.5 nm，光致發光量子產率(PLQY) = 36%。將反應溶液離心並藉由將丙酮添加至上清液來沈澱粒子。將所得離心塊再分散於己烷中。 為形成殼，將1 mL核溶液與十八烯(5 mL)、乙酸鋅(36.7 mg)及十二硫醇(0.12 mL)混合且在室溫下將所得混合物脫氣5分鐘。燒瓶經氮氣再填充並加熱至180℃。當溫度達至180℃，再次冷卻反應物。粗溶液之等分試樣具有以下光學特性：PLmax
= 519 nm，FWHM = 17 nm，PLQY = 32%。相較於未經鈍化之核，發射波長明顯紅移。 實例2. 核/殼CsPbBr3
/PbS QD之合成 首先，藉由在50-mL 3頸燒瓶中將Cs2
CO3
(0.407 g)與十八烯(20 mL)及油酸(1.55 mL)混合來製備油酸Cs之溶液。將所得混合物在120℃下乾燥1小時，且隨後在N2
下加熱至150℃直至所有Cs2
CO3
溶解。將溶液保持在140℃下以避免固化。 藉由在25-mL 3頸燒瓶中將PbBr2
(69 mg)與十八烯(5 mL)混合來合成CsPbBr3
核。在氮氣下將混濁懸浮液加熱至120℃。隨後，注入油酸(0.5 mL)及油胺(0.5 mL)且將溶液攪拌直至PbBr2
完全溶解。將反應混合物加熱至180℃並注入油酸Cs。5秒之後，經壓縮空氣冷卻黃色混濁混合物。粗溶液之等分試樣具有以下光學特性：PLmax
= 507 nm，FWHM = 27.5 nm，PLQY = 36%。將反應溶液離心並藉由將丙酮添加至上清液來沈澱粒子。將所得離心塊再分散於己烷中。 為形成殼，將0.4 mL核溶液與十八烯(5 mL)及十二硫醇(0.2 mL)混合且在室溫下將所得混合物脫氣5分鐘。燒瓶經氮氣再填充並加熱至120℃。當溫度達至120℃，將反應物保持10分鐘，隨後冷卻至室溫。粗溶液之等分試樣具有以下光學特性：PLmax
= 520 nm，FWHM = 18 nm，PLQY = 21%。相較於未經鈍化之核，發射波長明顯紅移。 實例3. 核/殼CsPbBr3
/PbS量子點之合成 首先，藉由在50-mL 3頸燒瓶中將Cs2
CO3
(0.407 g)與十八烯(20 mL)及油酸(1.55 mL)混合來製備油酸Cs之溶液。將所得混合物在120℃下乾燥1小時，且隨後在N2
下加熱至150℃直至所有Cs2
CO3
溶解。將溶液保持在140℃下以避免固化。 藉由在25-mL 3頸燒瓶中將PbBr2
(69 mg)與十八烯(5 ml)混合來合成CsPbBr3
核。在氮氣下將混濁懸浮液加熱至120℃。隨後，注入油酸(0.5 mL)及油胺(0.5 mL)且將溶液攪拌直至PbBr2
完全溶解。將反應混合物加熱至180℃並注入油酸Cs。5秒之後，經壓縮空氣冷卻黃色混濁混合物。粗溶液之等分試樣具有以下光學特性：PLmax
= 512 nm，FWHM = 20 nm，PLQY = 31%。將反應溶液離心並藉由將丙酮添加至上清液來沈澱粒子。將所得離心塊再分散於己烷中。 為形成殼，將1 mL核溶液與十八烯(3 mL)、PbBr2
(73 mg)及十二硫醇(0.2 mL)混合且在室溫下將所得混合物脫氣5分鐘。燒瓶經氮氣再填充並加熱至180℃。當溫度達至120℃，將反應物在此溫度下保持30分鐘並再次冷卻。粗溶液之等分試樣具有以下光學特性：PLmax
= 514 nm，FWHM = 19 nm，PLQY = 83%。相較於未經鈍化之核，發射波長稍微紅移且PLQY明顯增加。圖2中展示核及核/殼物種之UV-vis及PL譜圖。 與其中各類型之鹵化物鈣鈦礦奈米晶必須在混合之前單獨封裝之先前技術方法相比，藉由使得兩種或更多種類型之鹵化物鈣鈦礦奈米晶能夠一起處理，本發明使得該等奈米晶更易於處理，且以更低成本進行。 所有無機鈣鈦礦奈米粒子在極性溶劑中係不穩定的，而有機金屬鹵化物鈣鈦礦奈米粒子在濕氣及高溫存在下係不穩定的[H.C. Yoon, H. Kang, S. Lee, J.H. Oh, H. Yang及Y.R. Do,ACS Appl. Mater. Interfaces
, 2016,8
, 18189]。添加非鹵化物鈣鈦礦殼層至鹵化物鈣鈦礦核奈米粒子可以幫助解決此等穩定性問題中之一部分。 前文展示體現本發明之原理之特定實施例。熟習此項技術者將能夠設計體現彼等原理且因此在本發明之範疇內之替代方式及變化形式(儘管未明確地揭示於本文中)。儘管已展示且描述本發明之特定實施例，但其並不意欲限制此專利所涵蓋的內容。熟習此項技術者將理解可在不背離如由隨附申請專利範圍字面上且等效涵蓋的本發明的範疇的情況下做出各種變化及修改。
圖1係展示根據本發明之某些核/殼奈米晶之結構的截面視圖。 圖2展示(A)核及(B)核/殼奈米粒子之UV-vis及PL譜圖。與未鈍化核相比，核/殼材料之UV-vis激子峰及發射波長紅移。
Claims (20)
- 一種核/殼半導體奈米粒子，其包含： 包含鹵化物鈣鈦礦半導體之核；及 大體上環繞該核且包含並非鹵化物鈣鈦礦之半導體材料之殼， 其中該殼大體上不含鹵化物鈣鈦礦。
- 如請求項1之核/殼半導體奈米粒子，其中該殼包含BaTiO3 、SrTiO3 、BiFeO3 、LaNiO3 、CaTiO3 、PbTiO3 或LaYbO3 。
- 如請求項1之核/殼半導體奈米粒子，其中該殼包含第IIB族至第VIB族半導體材料或第IV族至第VI族半導體材料。
- 如請求項1之核/殼半導體奈米粒子，其中該殼包含ZnS或PbS。
- 如請求項1之核/殼半導體奈米粒子，其中該核包含形式AMX3 之鹵化物鈣鈦礦半導體，其中A係有機銨、脒鎓或鹼金屬陽離子，M係二價金屬陽離子，且X係鹵化物陰離子。
- 如請求項5之核/殼半導體奈米粒子，其中A係CH3 NH3 + 、(C8 H17 )2 (CH3 NH3 )+ 、PhC2 H4 NH3 + 、C6 H11 CH2 NH3 + 、1-金剛烷基甲基銨、CH(NH2 )2 + 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Rb+ 或Cs+ 。
- 如請求項5之核/殼半導體奈米粒子，其中M係Mg2+ 、Mn2+ 、Ni2+ 、Co2+ 、Pb2+ 、Sn2+ 、Zn2+ 、Ge2+ 、Eu2+ 、Cu2+ 或Cd2+ 。
- 如請求項5之核/殼半導體奈米粒子，其中X係F- 、Cl- 、Br- 或I- 或其組合。
- 一種組合物，其包含： 第一核/殼半導體奈米粒子群； 不同於該第一核/殼半導體奈米粒子群之第二核/殼半導體奈米粒子群，及 基質， 其中該第一核/殼半導體奈米粒子群包含 核/殼半導體奈米粒子，其包含有包含第一鹵化物鈣鈦礦半導體之第一核，及 大體上環繞該核且包含並非鹵化物鈣鈦礦之半導體材料之第一殼， 其中該第一殼大體上不含鹵化物鈣鈦礦，且 該第二核/殼半導體奈米粒子群包含 核/殼半導體奈米粒子，其包含有包含不同於該第一鹵化物鈣鈦礦半導體之第二鹵化物鈣鈦礦半導體之第二核，及 大體上環繞該核且包含並非鹵化物鈣鈦礦之半導體材料之第二殼， 其中該第二殼大體上不含鹵化物鈣鈦礦。
- 如請求項9之組合物，其中該基質包含樹脂。
- 如請求項9之組合物，其中當利用以第三波長發射的光源激發時，該第一核/殼半導體奈米粒子群發射第一波長的光且該第二核/殼半導體奈米粒子群以第二波長發光。
- 如請求項11之組合物，其中該第一波長係在電磁波譜之綠光區內且該第二波長係在電磁波譜之紅光區內。
- 如請求項11之組合物，其中該光源係發光二極體。
- 如請求項11之組合物，其中該第三波長係在電磁波譜之紫外區或藍光區內。
- 一種溶液，其包含： 第一核/殼半導體奈米粒子群； 第二核/殼半導體奈米粒子群；及 溶劑， 其中該第一核/殼半導體奈米粒子群包含 核/殼半導體奈米粒子，其包含有包含第一鹵化物鈣鈦礦半導體之第一核，及 大體上環繞該核且包含並非鹵化物鈣鈦礦之半導體材料之第一殼， 其中該第一殼大體上不含鹵化物鈣鈦礦，且 其中該第二核/殼半導體奈米粒子群包含 核/殼半導體奈米粒子，其包含 包含不同於該第一鹵化物鈣鈦礦半導體之第二鹵化物鈣鈦礦半導體之第二核，及 大體上環繞該核且包含並非鹵化物鈣鈦礦之半導體材料之第二殼， 其中該第二殼大體上不含鹵化物鈣鈦礦。
- 如請求項15之溶液，其中當利用以第三波長發射的光源激發時，該第一核/殼半導體奈米粒子群發射第一波長的光且該第二核/殼半導體奈米粒子群以第二波長發光。
- 如請求項15之溶液，其中該第一波長係在電磁波譜之綠光區內且該第二波長係在電磁波譜之紅光區內。
- 如請求項15之溶液，其中該光源係發光二極體。
- 如請求項15之溶液，其中該第三波長係在電磁波譜之紫外區或藍光區內。
- 一種發光裝置，其包含如請求項1之核/殼奈米粒子。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662401485P | 2016-09-29 | 2016-09-29 | |
| US62/401,485 | 2016-09-29 | ||
| US201662414110P | 2016-10-28 | 2016-10-28 | |
| US62/414,110 | 2016-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201819304A true TW201819304A (zh) | 2018-06-01 |
| TWI711583B TWI711583B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=60186329
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108114706A TWI715020B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-29 | 用於避免陰離子交換之帶殼的鹵化物鈣鈦礦奈米粒子 |
| TW106133587A TWI711583B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-29 | 用於避免陰離子交換之帶殼的鹵化物鈣鈦礦奈米粒子 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108114706A TWI715020B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-29 | 用於避免陰離子交換之帶殼的鹵化物鈣鈦礦奈米粒子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10796901B2 (zh) |
| EP (1) | EP3520152B1 (zh) |
| JP (1) | JP6852919B2 (zh) |
| KR (1) | KR102180883B1 (zh) |
| CN (1) | CN109791995B (zh) |
| TW (2) | TWI715020B (zh) |
| WO (1) | WO2018060861A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014225543B4 (de) * | 2014-12-11 | 2021-02-25 | Siemens Healthcare Gmbh | Perowskit-Partikel mit Beschichtung aus einem Halbleitermaterial, Verfahren zu deren Herstellung, Detektor, umfassend beschichtete Partikel, Verfahren zur Herstellung eines Detektors und Verfahren zur Herstellung einer Schicht umfassend beschichtete Partikel |
| US10553367B2 (en) * | 2017-10-20 | 2020-02-04 | Qatar Foundation | Photovoltaic perovskite oxychalcogenide material and optoelectronic devices including the same |
| CN110408378A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳量子点材料及其制备方法 |
| GB201811538D0 (en) | 2018-07-13 | 2018-08-29 | Univ Oxford Innovation Ltd | Stabilised a/m/x materials |
| KR102581137B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2023-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210089685A (ko) * | 2018-11-09 | 2021-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스, 발광 기기, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| CN110190191B (zh) * | 2019-05-21 | 2023-06-09 | 青岛理工大学 | 一种硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点光电探测器及制备方法 |
| EP3991220A4 (en) | 2019-06-28 | 2023-07-19 | The Regents of the University of California | STRESS MANIPULATION AND EPITACTIC STABILIZATION OF HALOGEN PEROVSKITES |
| CN110938432A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-03-31 | 南京邮电大学 | 一种钙钛矿量子点材料的制备方法 |
| KR102480363B1 (ko) * | 2020-08-11 | 2022-12-23 | 연세대학교 산학협력단 | 압전성과 발광성이 동기화된 소재 및 이를 포함하는 소자 |
| CN112028493B (zh) * | 2020-09-17 | 2022-02-08 | 昆明理工大学 | 一种高透明全无机钙钛矿量子点玻璃闪烁体的制备方法及应用 |
| US11535795B2 (en) | 2020-11-10 | 2022-12-27 | Huawei Technologies Canada Co., Ltd. | Bipolar shell resurfaced perovskite quantum dots |
| WO2022113984A1 (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-02 | 出光興産株式会社 | 色変換粒子 |
| CN116490589B (zh) * | 2020-11-25 | 2025-05-13 | 出光兴产株式会社 | 色转换粒子 |
| CN114686210A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点材料及其制备方法与光电器件 |
| US20230165129A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Huawei Technologies Canada Co., Ltd. | Wide bandgap perovskite quantum dots in a perovskite matrix and process for preparing same |
| TWI838322B (zh) * | 2023-10-17 | 2024-04-01 | 國立臺北科技大學 | 表面修飾的銫鉛溴鈣鈦礦量子點的製造方法與其應用 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7588828B2 (en) | 2004-04-30 | 2009-09-15 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
| WO2007044034A2 (en) * | 2004-12-06 | 2007-04-19 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wire-based data storage |
| CN100497517C (zh) | 2007-01-12 | 2009-06-10 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 可调控荧光波长的ⅱ-ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法 |
| AU2009233755B2 (en) * | 2008-04-09 | 2015-11-26 | Becton Dickinson And Company | Sensitive immunoassays using coated nanoparticles |
| CA2725088C (en) * | 2008-05-20 | 2017-03-28 | Oxane Materials, Inc. | Method of manufacture and the use of a functional proppant for determination of subterranean fracture geometries |
| GB0916700D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
| WO2012019081A2 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Immunolight, Llc | Color enhancement utilizing up converters and down converters |
| GB201208793D0 (en) | 2012-05-18 | 2012-07-04 | Isis Innovation | Optoelectronic device |
| CN104327827B (zh) | 2014-11-03 | 2016-08-17 | 南昌航空大学 | 钙钛矿量子点纳米晶的制备及其在量子点太阳电池中的应用 |
| CN104388089B (zh) | 2014-11-04 | 2017-06-06 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法 |
| WO2016072805A1 (ko) * | 2014-11-06 | 2016-05-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 나노결정입자 및 이를 이용한 광전자 소자 |
| US10193088B2 (en) * | 2014-11-06 | 2019-01-29 | Postech Academy-Industry Foundation | Perovskite nanocrystalline particles and optoelectronic device using same |
| CN107533924A (zh) | 2015-02-06 | 2018-01-02 | 南洋理工大学 | 凝胶、其形成方法、光伏器件及其形成方法 |
| CN104861958B (zh) | 2015-05-14 | 2017-02-15 | 北京理工大学 | 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法 |
| CN107017325B (zh) * | 2015-11-30 | 2020-06-23 | 隆达电子股份有限公司 | 量子点复合材料及其制造方法与应用 |
| CN105349140B (zh) | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 重庆大学 | 基于CsPbBr3‑xIx‑ZnS钙钛矿量子点异质结的制备方法及其产品 |
| JP2017110039A (ja) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | コニカミノルタ株式会社 | 発光体及びその製造方法、発光体を用いた蛍光プローブ、蛍光プローブ分散液、ｌｅｄ装置、投射型表示装置用カラーホイール、波長変換フィルム、ディスプレイ装置、並びに光電変換装置 |
| CN105449078A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-30 | 华中科技大学 | 一种白光led及其制备方法 |
| CN105609643B (zh) | 2015-12-21 | 2017-12-05 | 永春新盛环保科技有限公司 | 一种钙钛矿型太阳能电池及制备方法 |
| CN105489777B (zh) | 2015-12-22 | 2017-10-20 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种微胶囊结构的钙钛光伏材料及其制备方法 |
-
2017
- 2017-09-25 US US15/714,519 patent/US10796901B2/en active Active
- 2017-09-26 CN CN201780059699.0A patent/CN109791995B/zh active Active
- 2017-09-26 EP EP17791151.8A patent/EP3520152B1/en active Active
- 2017-09-26 WO PCT/IB2017/055869 patent/WO2018060861A1/en not_active Ceased
- 2017-09-26 JP JP2019516668A patent/JP6852919B2/ja active Active
- 2017-09-26 KR KR1020197007521A patent/KR102180883B1/ko active Active
- 2017-09-29 TW TW108114706A patent/TWI715020B/zh active
- 2017-09-29 TW TW106133587A patent/TWI711583B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI715020B (zh) | 2021-01-01 |
| WO2018060861A1 (en) | 2018-04-05 |
| JP2020500134A (ja) | 2020-01-09 |
| CN109791995B (zh) | 2021-05-25 |
| EP3520152A1 (en) | 2019-08-07 |
| EP3520152B1 (en) | 2022-07-06 |
| KR102180883B1 (ko) | 2020-11-19 |
| TWI711583B (zh) | 2020-12-01 |
| US10796901B2 (en) | 2020-10-06 |
| JP6852919B2 (ja) | 2021-03-31 |
| US20180090312A1 (en) | 2018-03-29 |
| CN109791995A (zh) | 2019-05-21 |
| KR20190040020A (ko) | 2019-04-16 |
| TW201934490A (zh) | 2019-09-01 |
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