[go: up one dir, main page]

TW201801338A - 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法 - Google Patents

一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201801338A
TW201801338A TW105138611A TW105138611A TW201801338A TW 201801338 A TW201801338 A TW 201801338A TW 105138611 A TW105138611 A TW 105138611A TW 105138611 A TW105138611 A TW 105138611A TW 201801338 A TW201801338 A TW 201801338A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solution
solar cell
crystalline silicon
preparing
suede structure
Prior art date
Application number
TW105138611A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI625864B (zh
Inventor
鄒帥
王栩生
邢國強
Original Assignee
蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 filed Critical 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
Publication of TW201801338A publication Critical patent/TW201801338A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI625864B publication Critical patent/TWI625864B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/122—Active materials comprising only Group IV materials
    • H10F77/1228—Active materials comprising only Group IV materials porous silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)

Abstract

本發明公開了一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：(1) 在矽片表面形成多孔質層結構；(2) 然後用鹼性化學液進行清洗；(3) 採用第一清洗液去除殘留金屬顆粒；(4) 然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構。本發明大幅度延長了氫氟酸和硝酸混合液的使用壽命，並確保了絨面結構的穩定性和均勻性。

Description

一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法
本發明涉及一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，屬於太陽能電池技術領域。
隨著太陽能電池元件的廣泛應用，光伏發電在新能源中越來越佔有重要比例，獲得了飛速發展。目前商業化的太陽電池產品中，晶體矽（單晶和多晶）太陽電池的市場份額最大，一直保持85%以上的市場佔有率。
目前，在太陽電池的生產工藝中，矽片表面的絨面結構可以有效地降低太陽電池的表面反射率，是影響太陽電池光電轉換效率的重要因素之一。為了在晶體矽太陽能電池表面獲得好的絨面結構，以達到較好的抗反射效果，人們嘗試了許多方法，常用的包括機械刻槽法、雷射蝕刻法、反應離子蝕刻法（RIE）、化學腐蝕法（即濕式腐蝕）等。其中，機械刻槽方法可以得到較低的表面反射率，但是該方法造成矽片表面的機械損傷比較嚴重，而且其成品率相對較低，故而在工業生產中使用較少。對於雷射蝕刻法，是用雷射製作不同的刻槽花樣，條紋狀和倒金字塔形狀的表面都已經被製作出來，其反射率可以低至8.3%，但是由其制得的電池的效率都比較低，不能有效地用於生產。RIE方法可以利用不同的模版來進行蝕刻，蝕刻一般是乾式蝕刻，可以在矽片表面形成所謂的“黑矽”結構，其反射率可以低至7.9%，甚至可以達到4%，但是由於設備昂貴，生產成本較高，因此在工業成產中使用較少。而化學腐蝕法具有工藝簡單、廉價優質、和現有工藝好相容等特點，成為了現有工業中使用最多的方法。
目前，採用濕式腐蝕的晶體矽太陽能電池的絨面結構一般呈微米級。目前的常規做法仍是進一步降低其表面反射率。發明專利申請WO2014120830(A1)公開了一種晶體矽奈米絨面的製備方法，通過退火的方式來實現奈米絨面形貌的控制，但是該方法工藝複雜，不利於工業化生產的需要。
針對上述問題，現有技術中出現了金屬離子腐蝕的方法，比如中國專利CN101573801B，具體包括如下步驟：(1) 將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構；(2)然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸的混合溶液；(3)然後將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬，形成絨面結構；所述第二化學腐蝕液為鹼液。
然而，實際應用中發現，上述方法存在如下問題：(一) 上述方法的步驟(2)中的第一化學腐蝕液的作用主要有兩個，一是對金屬催化形成的多孔矽層進行蝕刻；二是清洗矽片表面殘留的金屬顆粒；然而，隨著處理矽片數量的增多，步驟(2)中的第一化學腐蝕液（即HF/HNO3的混合溶液）中的Ag離子越來越多，變成富含Ag離子的HF/HNO3混合溶液，而矽片在該溶液中會再次發生金屬離子催化化學蝕刻反應，影響絨面結構的穩定性和均勻性，從而影響太陽電池的電性能；(二) 隨著處理矽片數量的增加，上述方法的步驟(2)中的第一化學腐蝕液中的Ag離子越來越多，Ag離子會逆向再次附著在矽片上，很難再將第一工序中矽片上附著的Ag顆粒清洗乾淨，從而造成HF/HNO3混合溶液的壽命非常短，從而進一步增加了成本。
本發明的發明目的是提供一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，保障絨面結構的穩定性和均勻性、以及太陽電池電性能的穩定性，並進一步提高HF/HNO3混合溶液的壽命。
為達到上述發明目的，本發明採用的技術方案是：一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：(1) 在矽片表面形成多孔質層結構； (2) 用鹼性化學液進行清洗； (3) 採用第一清洗液去除殘留金屬顆粒； (4) 然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和氧化劑的混合溶液。
上文中，所述多孔質層結構屬於現有技術，包括多孔矽結構、奈米線結構等。
所述步驟(4)中的氧化劑可以是硝酸、雙氧水、鉻酸或高錳酸鉀溶液。
上述技術方案中，所述步驟(1)中，將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構；溫度為25~90℃，時間為10~1000 秒。
優選的，含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中金屬離子濃度小於等於1E-3 莫耳/升(mol/L)，或者，溶液中金屬離子濃度大於1E-3 莫耳/升的同時HF的濃度小於等於1E-2 莫耳/升。
或者，所述步驟(1)中，先將矽片放入含有金屬離子的溶液中浸泡，使矽片表面塗覆一層金屬奈米顆粒；所述溶液中金屬離子濃度小於等於1E-3 莫耳/升，或者，溶液中金屬離子濃度大於1E-3 莫耳/升的同時HF的濃度小於等於1E-2 莫耳/升；然後用化學腐蝕液腐蝕矽片表面，形成多孔質層結構；溫度為25~90℃，時間為30~300 秒；所述化學腐蝕液為氟化氫(HF)和氧化劑的混合溶液；其中，HF的濃度為1~15 莫耳/升，氧化劑的濃度為0.05~0.5 莫耳/升。
上述技術方案中，所述步驟(1)和步驟(2)之間、步驟(2)和步驟(3)之間、步驟(3)和步驟(4)之間還均設有水洗步驟。
上述技術方案中，所述步驟(2)中，清洗時間為5~250 秒；所述鹼性化學液中鹼性物質的體積濃度為0.1~30%，溫度為20~80℃；所述鹼性化學液選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水、氨水和雙氧水的混合液、四甲基氫氧化銨所組成的群組。
優選的，所述步驟(2)中，清洗時間為5~100 秒；更優選的，清洗時間為5~50 秒；進一步優選的，清洗時間為5~30 秒；也可以將清洗時間設定為10 秒、20 秒、40 秒或60 秒。
優選的，所述鹼性化學液中鹼性物質的體積濃度為0.5~30%，更優選的，其體積濃度為1~25%，進一步優選的，其體積濃度為1~20%。
進一步的，所述鹼性化學液的溫度為25~80℃。更優選的，其溫度為25~70℃，進一步優選的為25~50℃。
上述技術方案中，所述步驟(3)中，所述第一清洗液選自以下四種溶液中的一種：鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液、硝酸、氨水；所述硝酸的體積濃度為5~69%；所述氨水的體積濃度為1~30%；所述第一清洗液的溫度為20~80℃。優選的，其溫度為20~70℃，進一步優選的為20~50℃。
上述技術方案中，所述步驟(4)中，所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸，其中氫氟酸的濃度為1~15 莫耳/升，硝酸的濃度為0.05~0.5 莫耳/升。
上述技術方案中，所述步驟(4)之後，還包括如下步驟：
(5) 將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬；所述第二化學腐蝕液為鹼液；所述鹼液選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水或四甲基氫氧化銨所組成的群組，鹼液的濃度為0.05~0.5 莫耳/升；浸漬時間為5~250 秒； (6) 然後將上述矽片放入第二清洗液中進行清洗；所述第二清洗液為鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液；所述第二清洗液的溫度為20~80℃；清洗時間為60~300 秒； (7) 然後將上述矽片放入氫氟酸溶液中浸漬。
上述技術方案中，步驟（5）的作用是用來去除表面多孔矽，步驟（6）去除殘留的金屬粒子，步驟（7）去除表層氧化矽層，實際的方案可以根據具體的需求進行選擇，具體情況包含只採用步驟（5），採用步驟（5）和步驟（6）兩步相結合，採用步驟（5）、步驟（6）和步驟（7）三步相結合。
上述技術方案中，所述步驟(5)、步驟(6)、步驟(7)之前以及步驟(7)之後，還均設有水洗步驟。
本發明同時請求保護由上述方法製備得到的晶體矽太陽能電池絨面結構。優選的，所述絨面結構主要由複數個類似倒金字塔的微結構構成；所述類似倒金字塔的微結構的下部為倒棱錐結構，其上部為倒圓臺結構；所述類似倒金字塔的微結構的頂部選自圓形、橢圓形或由多條曲線圍成的閉合圖形中的一種或幾種；所述類似倒金字塔的微結構的尺寸為100~900 nm；所述絨面結構還具有複數個正金字塔的微結構。
上文中，所述類似倒金字塔的微結構的頂部選自圓形、橢圓形或由多條曲線圍成的閉合圖形中的一種或幾種，其中，由多條曲線圍成的閉合圖形，其至少包括3條曲線，當然也可以由更多的曲線圍成，優選5~8條。所述倒圓錐結構的頂部是指圓錐的底面，由於其是倒立的，因此圓錐的底面成為了微結構的頂部。
所述絨面結構具有複數個類似倒金字塔的微結構，這些類似倒金字塔結構可以是獨立的分散於矽片表面，也可以部分重疊，或多個倒圓錐結構相互部分重疊。所述類似倒金字塔的微結構的深度為100~900 nm。所述絨面結構的平均反射率為2~20%。優選5~15%。
本發明的基本原理是：採用步驟（2）中的鹼性化學液可以去除表面的多孔矽結構，露出下面的奈米絨面結構，同時剝離多孔矽中的大量的金屬粒子。接下來採用步驟（3）中的第一清洗液將奈米結構底部的殘留金屬徹底去除，處理後的矽片進入第一化學腐蝕液中不會將金屬粒子帶入腐蝕液中，避免在第一化學腐蝕液中再次形成金屬催化的氧化還原體系，影響絨面結構的穩定性和均勻性。
另一方面，在第一化學腐蝕液之前去除金屬粒子，還可以避免該體系中累積越來越多的金屬粒子。因為大量的金屬粒子會反方向附著在矽片表面難以去除，一方面影響腐蝕液的壽命，另一方面也會導致太陽能電池光電轉換效率的大幅降低。
與之相應的另一種技術方案，一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：(1) 在矽片表面形成多孔質層結構；(2) 用鹼性化學液進行清洗，並去除殘留金屬顆粒；(3) 然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和氧化劑的混合溶液。
即將第一種技術方案中的步驟（2）和步驟（3）選自同一種化學液，此時，這2個步驟可以合併。當然，這種同一種化學液的選擇是非常特殊的，其不僅可以去除表面的多孔矽結構，露出下面的奈米絨面結構，同時剝離多孔矽中的大量的金屬粒子；而且還可以將奈米結構底部的殘留金屬徹底去除。
上述技術方案中，所述步驟(1)中，將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構；溫度為25~90℃，時間為10~1000 秒。
優選的，含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中金屬離子濃度小於等於1E-3 莫耳/升，或者，溶液中金屬離子濃度大於1E-3 莫耳/升的同時HF的濃度小於等於1E-2 莫耳/升。
或者，所述步驟(1)中，先將矽片放入含有金屬離子的溶液中浸泡，使矽片表面塗覆一層金屬奈米顆粒；所述溶液中金屬離子濃度小於等於1E-3 莫耳/升，或者，溶液中金屬離子濃度大於1E-3 莫耳/升的同時HF的濃度小於等於1E-2 莫耳/升；然後用化學腐蝕液腐蝕矽片表面，形成多孔質層結構；溫度為25~90℃，時間為30~300 秒；所述化學腐蝕液為HF和氧化劑的混合溶液；其中，HF的濃度為1~15 莫耳/升，氧化劑的濃度為0.05~0.5 莫耳/升。
上述技術方案中，所述步驟(1)和步驟(2)之間、步驟(2)和步驟(3)之間還均設有水洗步驟。
上述技術方案中，所述步驟(2)中，清洗時間為5~250 秒；所述鹼性化學液中鹼性物質的體積濃度為0.1~30%，溫度為20~80℃；所述鹼性化學液選自氨水、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種。
優選的，所述步驟(2)中，清洗時間為5~100 秒；更優選的，清洗時間為5~50 秒；進一步優選的，清洗時間為5~30 秒；也可以將清洗時間設定為10 秒、20 秒、40 秒或60 秒。
優選的，所述鹼性化學液中鹼性物質的體積濃度為0.5~30%，更優選的，其體積濃度為1~25%，進一步優選的，其體積濃度為1~15%。
進一步的，所述鹼性化學液的溫度為25~80℃。更優選的，其溫度為25~70℃，進一步優選的為25~50℃。
上述技術方案中，所述步驟(3)中，所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸，其中氫氟酸的濃度為1~15 莫耳/升，硝酸的濃度為0.05~0.5 莫耳/升。
上述技術方案中，所述步驟(3)之後，還包括如下步驟： (4) 將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬；所述第二化學腐蝕液為鹼液；所述鹼液選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水或四甲基氫氧化銨所組成的群組； (5) 然後將上述矽片放入清洗液中進行清洗；所述清洗液為鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液； (6) 然後將上述矽片放入氫氟酸溶液中浸漬。
上述技術方案中，所述步驟(4)、步驟(5)、步驟(6)之前以及步驟(6)之後，還均設有水洗步驟。
本發明同時請求保護由上述方法製備得到的晶體矽太陽能電池絨面結構。優選的，所述絨面結構主要由複數個類似倒金字塔的微結構構成；所述類似倒金字塔的微結構的下部為倒棱錐結構，其上部為倒圓臺結構；所述類似倒金字塔的微結構的頂部選自圓形、橢圓形或由多條曲線圍成的閉合圖形中的一種或幾種；所述類似倒金字塔的微結構的尺寸為100~900 nm；所述絨面結構還具有複數個正金字塔的微結構。
上文中，所述類似倒金字塔的微結構的頂部選自圓形、橢圓形或由多條曲線圍成的閉合圖形中的一種或幾種，其中，由多條曲線圍成的閉合圖形，其至少包括3條曲線，當然也可以由更多的曲線圍成，優選5~8條。所述倒圓錐結構的頂部是指圓錐的底面，由於其是倒立的，因此圓錐的底面成為了微結構的頂部。
所述絨面結構具有複數個類似倒金字塔的微結構，這些類似倒金字塔結構可以是獨立的分散於矽片表面，也可以部分重疊，或多個倒圓錐結構相互部分重疊。所述類似倒金字塔的微結構的深度為100~900 nm。所述絨面結構的平均反射率為2~20%。優選5~15%。
由於上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點：
1、本發明添加了鹼性化學液清洗步驟，可以快速蝕刻去除富含Ag顆粒的多孔矽層，大幅度減小了每次處理的氫氟酸和氧化劑的混合液中清洗溶解的Ag，從而大幅度延長了氫氟酸和硝酸混合液的使用壽命，並確保了絨面結構的穩定性和均勻性；實驗證明：相比於未採用鹼性化學液清洗步驟的現有技術方案，本申請的氫氟酸和硝酸混合液的壽命可以從現有的2000片矽片提升至80000片矽片，取得了意想不到的效果。
2、本發明添加了清洗液清洗步驟，可以進一步去除金屬銀顆粒，可以確保完全去除矽片上的Ag殘留，確保太陽電池電性能的穩定性；實驗證明：相比於未採用清洗液清洗步驟的現有技術方案，本申請的開路電壓和短路電流也有明顯的提升，光電轉換效率提高了0.3%以上，取得了意想不到的效果。
3、本發明採用化學腐蝕形成奈米級絨面，無需掩膜蝕刻，操作工藝簡單，與現有工業化生產工藝相容性較好，可以快速移植到工業化生產中，適於推廣應用。
下面結合實施例對本發明進一步描述。
實施例一：
參見圖1所示，一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：
(1) 將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構；溫度為50℃，時間為10~1000s； (2) 水洗；然後用鹼性化學液進行清洗；所述鹼性化學液選自氫氧化鈉溶液；清洗時間為5~250s；所述鹼性化學液的體積濃度為10%，溫度為50℃；(3) 水洗；然後採用第一清洗液去除殘留金屬顆粒；所述第一清洗液選自硝酸、氨水、鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液； (4) 水洗；然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸的混合溶液；溫度為40℃，時間為5~250s； (5) 水洗；然後將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬，形成絨面結構；所述第二化學腐蝕液為鹼液；所述鹼液選自氫氧化鉀，鹼液的濃度為0.05~0.5 莫耳/升；浸漬時間為5~250s； (6) 水洗；然後將上述矽片放入第二清洗液中進行清洗，去除殘留的金屬顆粒；所述第二清洗液為氨水和雙氧水的混合液；所述第二清洗液的溫度為30℃；所述氨水的體積濃度為10%，雙氧水的體積濃度為10%； (7) 水洗；然後將上述矽片放入氫氟酸溶液中浸漬；水洗，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構。
實施例二：
參見圖2所示，一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：
(1) 將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構；溫度為50℃，時間為10~1000s； (2) 水洗；然後用鹼性化學液進行清洗；所述鹼性化學液選自氫氧化鈉溶液；清洗時間為5~250s；所述鹼性化學液的體積濃度為10%，溫度為50℃； (3) 水洗；然後採用第一清洗液去除殘留金屬顆粒；所述第一清洗液選自硝酸、氨水、鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液； (4) 水洗；然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸的混合溶液；溫度為40℃，時間為5~250s；水洗，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構。
對比例一：
參見圖3所示，一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：
(1) 將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構；溫度為50℃，時間為10~1000s； (2) 水洗；然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸的混合溶液；溫度為40℃，時間為5~250s； (3) 水洗；然後將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬，形成絨面結構；所述第二化學腐蝕液為鹼液；所述鹼液選自氫氧化鉀，鹼液的濃度為0.05~0.5 莫耳/升；浸漬時間為5~250s； (4) 水洗；然後將上述矽片放入第二清洗液中進行清洗，去除殘留的金屬顆粒； (5) 水洗；然後將上述矽片放入氫氟酸溶液中浸漬；水洗。
（一）先對比實施例和對比例中氫氟酸和硝酸的混合溶液的使用壽命，圖1是實施例處理2500片矽片時的矽片表面的絨面圖。圖3是對比例處理2500片矽片時的矽片表面的絨面圖。由圖對比可見，圖3的均勻性很差，說明此時的氫氟酸和硝酸的混合溶液已經無法使用了。此外，實驗證明：本申請的氫氟酸和硝酸混合液的壽命可以提升至80000片矽片。
（二）接著對比實施例和對比例中量產80000片電池片的電性能參數，對比結果如下：
Figure TW201801338AD00001
由上可見，相對於對比例，本申請的開路電壓和短路電流也有明顯的提升，光電轉換效率提高了0.31%，取得了意想不到的效果。
無
圖1是實施例一中制絨後矽片的絨面圖。 圖2是實施例二中制絨後矽片的絨面圖。 圖3是對比例一中制絨後矽片的絨面圖。

Claims (16)

  1. 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其包括如下步驟： (1) 在矽片表面形成多孔質層結構； (2) 用鹼性化學液進行清洗； (3) 採用第一清洗液去除殘留金屬顆粒； (4) 然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和氧化劑的混合溶液。
  2. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(1)中，將矽片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中，形成多孔質層結構。
  3. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(1)中，先將矽片放入含有金屬離子的溶液中浸泡，使矽片表面塗覆一層金屬奈米顆粒；然後用化學腐蝕液腐蝕矽片表面，形成多孔質層結構；所述化學腐蝕液為氟化氫和氧化劑的混合溶液。
  4. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(1)和步驟(2)之間、步驟(2)和步驟(3)之間、步驟(3)和步驟(4)之間還均設有水洗步驟。
  5. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(2)中，清洗時間為5~250 秒；所述鹼性化學液中鹼性物質的體積濃度為0.1~30%，溫度為20~80℃；所述鹼性化學液為選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水、氨水和雙氧水的混合液、四甲基氫氧化銨所組成的群組。
  6. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(3)中，所述第一清洗液選自以下四種溶液中的一種：鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液、硝酸、氨水；所述硝酸的體積濃度為5~69%；所述氨水的體積濃度為1~30%；所述第一清洗液的溫度為20~80℃。
  7. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(4)中，所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸，其中氫氟酸的濃度為1~15 莫耳/升，硝酸的濃度為0.05~0.5 莫耳/升。
  8. 根據權利要求1所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其特徵在於，所述步驟(4)之後，還包括如下步驟： (5) 將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬；所述第二化學腐蝕液為鹼液；所述鹼液為選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水或四甲基氫氧化銨所組成的群組； (6) 然後將上述矽片放入第二清洗液中進行清洗；所述第二清洗液為鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液； (7) 然後將上述矽片放入氫氟酸溶液中浸漬。
  9. 根據權利要求8所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(5)、步驟(6)、步驟(7)之前以及步驟(7)之後，還均設有水洗步驟。
  10. 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其特徵在於，包括如下步驟： (1) 在矽片表面形成多孔質層結構； (2) 用鹼性化學液進行清洗，並去除孔底殘留金屬顆粒； (3) 然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構；所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和氧化劑的混合溶液。
  11. 根據權利要求10所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(1)和步驟(2)之間、步驟(2)和步驟(3)之間還均設有水洗步驟。
  12. 根據權利要求10所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(2)中，清洗時間為5~250 秒；所述鹼性化學液中鹼性物質的體積濃度為0.1~30%，溫度為20~80℃；所述鹼性化學液選自氨水、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種。
  13. 根據權利要求10所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(3)中，所述第一化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸，其中氫氟酸的濃度為1~15 莫耳/升，硝酸的濃度為0.05~0.5 莫耳/升。
  14. 根據權利要求10所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其特徵在於，所述步驟(3)之後，還包括如下步驟： (4) 將上述矽片放入第二化學腐蝕液中進行浸漬；所述第二化學腐蝕液為鹼液；所述鹼液為選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水或四甲基氫氧化銨所組成的群組； (5) 然後將上述矽片放入清洗液中進行清洗；所述清洗液為鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液； (6) 然後將上述矽片放入氫氟酸溶液中浸漬。
  15. 根據權利要求14所述的晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，其中所述步驟(4)、步驟(5)、步驟(6)之前以及步驟(6)之後，還均設有水洗步驟。
  16. 根據權利要求1或10所述的方法製備得到的晶體矽太陽能電池絨面結構。
TW105138611A 2016-06-27 2016-11-24 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法 TWI625864B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610480361.XA CN106549083B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
??201610480361.X 2016-06-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201801338A true TW201801338A (zh) 2018-01-01
TWI625864B TWI625864B (zh) 2018-06-01

Family

ID=58365795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105138611A TWI625864B (zh) 2016-06-27 2016-11-24 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10411145B2 (zh)
EP (1) EP3288089B1 (zh)
JP (1) JP6648070B2 (zh)
KR (1) KR101962469B1 (zh)
CN (2) CN106549083B (zh)
AU (2) AU2017204336A1 (zh)
BR (1) BR112018072175B1 (zh)
MX (1) MX393517B (zh)
TW (1) TWI625864B (zh)
WO (1) WO2018000589A1 (zh)
ZA (1) ZA201807439B (zh)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108130599A (zh) * 2017-10-19 2018-06-08 维科诚（苏州）光伏科技有限公司 一种金刚线切割多晶硅片的预制绒方法
CN109713078A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 上海神舟新能源发展有限公司 一种对微纳米结构清洗并修复损伤方法
CN108511321A (zh) * 2018-03-19 2018-09-07 徐州鑫宇光伏科技有限公司 印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法
CN108411364A (zh) * 2018-04-03 2018-08-17 锦州华昌光伏科技有限公司 一种低反射率单晶硅的制绒工艺
CN108807568A (zh) * 2018-06-14 2018-11-13 浙江晶科能源有限公司 一种湿法黑硅硅片的处理方法及湿法黑硅硅片的制备方法
CN109065667B (zh) * 2018-08-03 2020-02-14 通威太阳能（安徽）有限公司 一种无机碱刻蚀用于太阳能se双面perc电池的方法
CN109545660A (zh) * 2018-11-13 2019-03-29 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 太阳能电池所使用硅片的清洗方法
CN109675858A (zh) * 2018-12-20 2019-04-26 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片减薄后的清洗工艺
CN110158155A (zh) * 2019-06-03 2019-08-23 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅块的处理方法和处理装置
CN112838140B (zh) * 2019-11-22 2022-05-31 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 多晶硅太阳能电池及制备方法以及制备其绒面结构的方法
US11398795B2 (en) 2019-12-20 2022-07-26 GAF Energy LLC Roof integrated photovoltaic system
CN111105995B (zh) * 2019-12-31 2022-12-13 北京北方华创真空技术有限公司 一种单晶硅片的清洗及制绒方法
CA3165505A1 (en) 2020-01-22 2021-07-29 Nathan Peterson Integrated photovoltaic roofing shingles, methods, systems, and kits thereof
US20210288207A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-16 1366 Technologies Inc. High temperature acid etch for silicon
EP4143891A4 (en) 2020-04-30 2024-05-29 Gaf Energy LLC PHOTOVOLTAIC MODULE FRONT AND BACK FILM
EP4197097A1 (en) 2020-08-11 2023-06-21 Gaf Energy LLC Roof mounted photovoltaic system and method for wireless transfer of electrical energy
US11545928B2 (en) 2020-10-13 2023-01-03 GAF Energy LLC Solar roofing system
WO2022081853A1 (en) 2020-10-14 2022-04-21 GAF Energy LLC Mounting apparatus for photovoltaic modules
WO2022094049A1 (en) 2020-10-29 2022-05-05 GAF Energy LLC System of roofing and photovoltaic shingles and methods of installing same
CN112608799B (zh) * 2020-12-29 2022-05-24 广东省科学院化工研究所 一种单晶硅片清洗剂及其应用
WO2022159478A1 (en) 2021-01-19 2022-07-28 GAF Energy LLC Watershedding features for roofing shingles
MX2023009726A (es) 2021-02-19 2023-11-09 GAF Energy LLC Módulo fotovoltaico para un techo con cinta de fibra continua.
CN113416974A (zh) * 2021-03-22 2021-09-21 辽宁石油化工大学 一种快速制备高效多孔银电催化剂的方法
MX2023011156A (es) 2021-03-29 2023-10-05 GAF Energy LLC Componentes electricos para sitemas fotovoltaicos.
WO2022221309A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 GAF Energy LLC Photovoltaic module with textured superstrate providing shingle-mimicking appearance
WO2022256430A1 (en) 2021-06-02 2022-12-08 GAF Energy LLC Photovoltaic module with light-scattering encapsulant providing shingle-mimicking appearance
WO2023283248A1 (en) 2021-07-06 2023-01-12 GAF Energy LLC Jumper module for photovoltaic systems
US11728759B2 (en) 2021-09-01 2023-08-15 GAF Energy LLC Photovoltaic modules for commercial roofing
WO2023141566A1 (en) 2022-01-20 2023-07-27 GAF Energy LLC Roofing shingles for mimicking the appearance of photovoltaic modules
CA3188772A1 (en) 2022-02-08 2023-08-08 GAF Energy LLC Building integrated photovoltaic system
US12209414B2 (en) 2022-02-23 2025-01-28 GAF Energy LLC Roofing shingle and method of manufacturing same
WO2023197010A1 (en) 2022-04-08 2023-10-12 GAF Energy LLC Low profile connector for solar roofing systems
CN114864744B (zh) * 2022-05-05 2024-04-02 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 一种纳米硅浆料的高效清洗方法及系统
US12237809B2 (en) 2022-06-06 2025-02-25 GAF Energy LLC Active component indicators for photovoltaic systems
CA3264095A1 (en) 2022-08-24 2024-02-29 GAF Energy LLC ROOF MEMBRANE FORMATION SYSTEM AND ASSOCIATED PROCESS
US12414385B2 (en) 2022-08-29 2025-09-09 GAF Energy LLC Photovoltaic modules with offset layers
CA3266474A1 (en) 2022-09-01 2024-03-07 GAF Energy LLC ANTI-REFLECTIVE PHOTOVOLTAIC SHINGLES AND ASSOCIATED PROCESSES
US12051996B2 (en) 2022-09-13 2024-07-30 GAF Energy LLC Sensing roofing system and method thereof
US12143064B2 (en) 2022-09-29 2024-11-12 GAF Energy LLC Jumper module with sleeve
WO2024091828A1 (en) 2022-10-25 2024-05-02 GAF Energy LLC Roofing materials and related methods
WO2024092027A1 (en) 2022-10-27 2024-05-02 GAF Energy LLC Building integrated photovoltaic systems
US12413183B2 (en) 2022-11-15 2025-09-09 GAF Energy LLC Electrical cable passthrough for photovoltaic systems
US11811361B1 (en) 2022-12-14 2023-11-07 GAF Energy LLC Rapid shutdown device for photovoltaic modules
US12445089B2 (en) 2023-02-03 2025-10-14 GAF Energy LLC Photovoltaic module, and associated kit, system, and method
US12355390B1 (en) 2023-02-03 2025-07-08 GAF Energy LLC Solar shingle and associated roofing system and method
US12413174B2 (en) 2023-02-21 2025-09-09 GAF Energy LLC Roofing system including photovoltaic module wireway cover, and associated method
CA3229888A1 (en) 2023-02-23 2025-04-25 GAF Energy LLC Photovoltaic shingles with multi-module power electronics
US12506440B2 (en) 2023-02-28 2025-12-23 GAF Energy LLC Photovoltaic modules with energy storage components
US12470170B2 (en) 2023-03-14 2025-11-11 GAF Energy LLC Integrated cell and circuit interconnection
US12009782B1 (en) 2023-04-04 2024-06-11 GAF Energy LLC Photovoltaic systems with wireways
US12413177B2 (en) 2023-08-31 2025-09-09 GAF Energy LLC Photovoltaic modules and roofing shingles with nail zones
US12451838B1 (en) 2023-10-06 2025-10-21 GAF Energy LLC Failsafe functionality for photovoltaic modules
US12316268B2 (en) 2023-10-26 2025-05-27 GAF Energy LLC Roofing systems with water ingress protection
WO2025122742A1 (en) 2023-12-05 2025-06-12 GAF Energy LLC Roofing system for prevention of roofing shingle deformation
US12480309B2 (en) 2024-04-10 2025-11-25 GAF Energy LLC Roofing shingles with fire retardant structure

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194485A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Osaka Univ 太陽電池用シリコン基板の製造方法
JP4610669B2 (ja) * 2007-10-24 2011-01-12 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
DE102007058829A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung
DE102008056086A1 (de) * 2008-11-06 2010-05-12 Gp Solar Gmbh Additiv für alkalische Ätzlösungen, insbesondere für Texturätzlösungen sowie Verfahren zu dessen Herstellung
CN101692357B (zh) * 2009-10-13 2011-12-28 华东师范大学 一种绒面掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法
CN101976705B (zh) * 2010-07-28 2012-05-16 常州天合光能有限公司 晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺
KR20120117687A (ko) * 2011-04-14 2012-10-24 선프림, 리미티드 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 방법
WO2012150627A1 (ja) * 2011-05-02 2012-11-08 三菱電機株式会社 シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法
CN103563097B (zh) * 2011-05-17 2016-01-20 胜高股份有限公司 太阳能电池用晶片的制造方法、太阳能电池单元的制造方法以及太阳能电池组件的制造方法
US20130025663A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 International Business Machines Corporation Inverted pyramid texture formation on single-crystalline silicon
JP5917082B2 (ja) * 2011-10-20 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
TWI435465B (zh) * 2011-10-24 2014-04-21 Inventec Solar Energy Corp 具有背面電極之太陽能電池的製造方法
KR101212896B1 (ko) * 2011-11-25 2012-12-14 회명산업 주식회사 태양전지용 다결정실리콘 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링제 및 처리방법
JP2013225552A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Sumco Corp 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
US10064793B2 (en) 2012-09-28 2018-09-04 Stelo Technologies Methods of making silver nanoparticles and their applications
WO2014120830A1 (en) 2013-01-30 2014-08-07 Bandgap Engineering, Inc. Necklaces of silicon nanowires
TW201445758A (zh) * 2013-05-16 2014-12-01 Motech Ind Inc 太陽能電池、其製造方法及其模組
CN103337560B (zh) * 2013-07-08 2015-10-28 苏州大学 用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法
CN103409808B (zh) * 2013-09-04 2015-10-21 常州时创能源科技有限公司 多晶硅片制绒添加剂及其使用方法
CN103451739B (zh) * 2013-09-04 2016-01-20 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片制绒添加剂及其使用方法
CN104562011B (zh) 2013-10-09 2018-06-26 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺
CN104409322B (zh) * 2014-11-05 2017-10-27 昆明理工大学 一种亚波长硅纳米线阵列的制备方法
CN104992991A (zh) * 2015-05-27 2015-10-21 上饶光电高科技有限公司 一种制备太阳能黑硅电池的方法
CN104966762B (zh) * 2015-07-09 2018-03-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN105226113B (zh) * 2015-07-09 2018-06-01 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN105070792B (zh) * 2015-08-31 2018-06-05 南京航空航天大学 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法
CN105070772B (zh) * 2015-09-01 2017-07-04 常州时创能源科技有限公司 在单晶硅表面制备均匀倒金字塔绒面的湿化学方法
CN105576081A (zh) * 2016-03-02 2016-05-11 江西展宇新能源股份有限公司 一种黑硅双面电池的制作方法
CN105870263B (zh) * 2016-06-27 2018-07-31 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
BR112018072175A2 (pt) 2019-02-12
JP6648070B2 (ja) 2020-02-14
ZA201807439B (en) 2019-08-28
KR101962469B1 (ko) 2019-03-26
JP2018006744A (ja) 2018-01-11
EP3288089A1 (en) 2018-02-28
KR20180001513A (ko) 2018-01-04
AU2019201444B2 (en) 2020-07-16
MX393517B (es) 2025-03-24
WO2018000589A1 (zh) 2018-01-04
BR112018072175B1 (pt) 2022-11-22
CN106549083A (zh) 2017-03-29
US20170373202A1 (en) 2017-12-28
CN106549083B (zh) 2018-08-24
EP3288089B1 (en) 2020-03-11
CN108630786A (zh) 2018-10-09
TWI625864B (zh) 2018-06-01
AU2017204336A1 (en) 2018-01-18
US10411145B2 (en) 2019-09-10
MX2018014328A (es) 2019-03-14
EP3288089A4 (en) 2018-10-10
AU2019201444A1 (en) 2019-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI625864B (zh) 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法
CN105870263B (zh) 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN105226113B (zh) 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN107658221B (zh) 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法
JP6392866B2 (ja) 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法
CN106098810B (zh) 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN104195645A (zh) 用于刻蚀太阳能电池硅片的酸性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法
CN104966762B (zh) 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN107919275A (zh) 一种常温制绒方法、及其制绒而成的硅片、太阳能电池片及其制备方法
CN105140343B (zh) 一种多晶黑硅结构及其液相制备方法
CN106340550A (zh) 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN106449808B (zh) 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN106057972A (zh) 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN206271727U (zh) 一种用于晶体硅的制绒槽
CN104979430A (zh) 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法
CN107177889A (zh) 一种单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法
CN105845785B (zh) 一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法
CN106067488B (zh) 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法
CN206541840U (zh) 一种用于晶体硅的制绒槽
CN108269884A (zh) 一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法
CN116741881A (zh) 一种TOPCon电池微纳米绒面结构的制备方法