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TW201735092A - 具有遠端電漿源及dc電極的原子層蝕刻系統 - Google Patents

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TW201735092A
TW201735092A TW106100390A TW106100390A TW201735092A TW 201735092 A TW201735092 A TW 201735092A TW 106100390 A TW106100390 A TW 106100390A TW 106100390 A TW106100390 A TW 106100390A TW 201735092 A TW201735092 A TW 201735092A
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Abstract

本文中所述的實施方式關於用於執行原子層蝕刻（ALE）的裝置及方法。脈衝式電漿產生及針對電漿殘光的後續偏壓應用可提供改良的ALE特性。本文中所述的裝置提供了從一或更多個電漿源產生電漿及偏壓電漿殘光以促進從基板移除材料。

Description

具有遠端電漿源及DC電極的原子層蝕刻系統
本揭示案的實施方式大致關於原子層蝕刻裝置。
摩爾定律及後續的半導體發展預測的是，未來積體電路中的設備將是跟一個原子層厚度一樣地小且具有小於幾個原子層的寬度。現今的電漿蝕刻處理一般不能針對先進的技術節點達成準確的圖樣傳輸。這些目前的蝕刻技術亦可能損傷基板的下層的層。具體而言，傳統的電漿蝕刻技術缺乏準確佈局子20 nm結構所需的控制水準，且目前使用脈衝化氣體的原子層蝕刻太緩慢而對於大體積製造積體電路而言是不實際的。
原子層蝕刻（ALE）已被發展為有前途的用於先進技術節點的蝕刻技術。ALE一般包括四個操作。首先是化學吸附操作，包括將乾淨的基板暴露於反應物氣體，以促進將反應物氣體吸附至基板表面上。第二，以惰性氣體流清洗過量的Cl2 氣體，以避免在後續的步驟中被氣相反應物蝕刻。第三，反應步驟（例如化學噴濺）在被吸附的氣體及下層的固態反應之間作用（通常是透過惰性氣體電漿進行）。此處理亦可能在以下方面自我限制：離子僅與鍵合至化學吸附氣體的基板原子反應。
一旦氯化的層被移除，藉由物理地噴濺基板進行的進一步蝕刻被顯著地減少或消除。最終，反應室的抽空步驟用以排出蝕刻副產物。若第一操作及蝕刻的第三操作中的化學吸附時期有充分延伸的期間，則蝕刻速率接近每循環一個原子層，其中原子層厚度是經氯化層的厚度，但不一定是一個基板單層（monolayer）。此外，若基板表面在ALE循環動作期間保持近乎原子地平滑，則可能達成實質上每循環一個基板單層的理想移除條件。
最近的ALE發展已進一步改良了蝕刻效能。例如，恆定的氣流等等已改良了蝕刻速率以達成潛在商業上可行的ALE蝕刻處理。然而，即使有了新的ALE進步，問題仍然存在。例如，光輔助蝕刻（PAE）是一種以下的現象：不理想的額外基板蝕刻或光阻劑降解由於從電漿發射的光子被用以執行ALE處理而發生。如此，可能在暴露於光子之後形成不理想的微溝槽，這可能減少設備產量或造成先進技術節點處的設備故障。
據此，在先前技術中所需者為用於ALE處理的改良裝置。
在一個實施方式中，提供了一種處理腔室裝置。該裝置包括：一板堆疊，被配置為產生一第一電漿；一基板支架組件，安置在該板堆疊對面；及一處理區域，定義在該板堆疊及該基板支架組件之間。該處理區域可被配置為維持產生一第二電漿，且一遠端電漿源亦可流體耦合至該處理區域。
在另一實施方式中，提供了一種處理腔室裝置。該裝置包括：一板堆疊，被配置為產生一第一電漿，且該板堆疊包括：一第一擴散器、一面板、一陶瓷環、一第二擴散器、一氣體分佈設備及一電漿阻斷濾器。一基板支架組件安置在該板堆疊對面，且定義在該板堆疊及該基板支架組件之間的一處理區域被配置為維持產生一第二電漿。一遠端電漿源，亦流體耦合至該處理區域。
在又另一實施方式中，提供了一種處理腔室裝置。該裝置包括一板堆疊，該板堆疊被配置為產生一第一電漿，且該板堆疊包括：一第一擴散器、一面板、一陶瓷環、一第二擴散器、一氣體分佈設備及一電漿阻斷濾器。一RF電極，電耦合至該第一擴散器及該面板，且該第一電漿為該面板及該第二擴散器之間所產生的一遠端電漿。一基板支架組件安置在該板堆疊對面，且被配置為維持產生一第二電漿一處理區域定義在該板堆疊及該基板支架組件之間。
本文中所述的實施方式關於用於執行原子層蝕刻（ALE）的裝置及方法。脈衝式電漿產生及針對電漿殘光的後續偏壓應用可提供改良的ALE特性。本文中所述的裝置提供了從一或更多個電漿源產生電漿及偏壓電漿殘光以促進從基板移除材料。
圖1繪示依據本揭示案的實施方式的原子層蝕刻（ALE）處理100。圖1的頂部部分繪示ALE處理100，而圖1的底部部分繪示處理參數。ALE處理100包括兩個操作：吸附操作102及蝕刻操作104。在吸附操作102期間，可將基板暴露於吸附質，使得吸附質可吸附至基板表面上。在某些實施方式中，吸附質可為反應物。例如，吸附質可包括具有不成對電子或懸鍵的解離的反應原子或解離的反應分子。反應物可包括（不限於）鹵素，例如氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）或碘（I）。亦可在某些實施方式中利用非鹵素材料（例如氫（H2 ）及氧（O2 ））。在一個實施方式中，反應物可為從氯反應物氣體（Cl2 ）衍生的解離的氯（Cl）原子。設想的是，亦可在吸附質中使用其他鹵素、鹵化物種或其他反應物。在替代實施方式中，完整或未解離的反應物亦可在基板上用作吸附質。合適的吸附質母材除了其他物外包括（不限於）CF4 、CHF3 、BIO3 、BI3 、BCl3 、H2 及O2 。如本文中所利用的，用語「氣體」包括（不限於）在室溫下或在標準溫度和壓力下從固態或液態物質產生的蒸氣。
可藉由產生包含反應物的電漿來獲取吸附質。在一個實施方式中，可連同反應物離子化惰性氣體。在不限制的情況下，造成的電漿可包含反應物、反應物氣體離子及惰性氣體離子。在一個實施方式中，氬（AR）用作惰性氣體。設想的是，亦可利用任何稀有氣體物種或其他惰性氣體物種。
在某些實施方式中，若同惰性氣體離子化反應物，則反應物氣體的濃度在體積上可在約0.01%及約20%之間；或者，反應物氣體濃度可在約0.01%及約15%之間；且在某些實施方式中，反應物氣體濃度在所結合之氣體的體積上可在約0.01%及約10%之間。在一個實施方式中，反應物氣體在體積上可包括小於約1%的濃度。在不限制的情況下，所產生的電漿可包括Ar物種及小部分的Cl反應物氣體物種。
在某些實施方式中，電漿源用以產生反應物。非限制性示例性電漿源可包括電感耦合式電漿（ICP）源、電容耦合式電漿（CCP）源、螺旋波（helicon）源、微波源及遠端電漿源（RPS）。在某些實施方式中，電漿源為遠端電漿源。操作時，遠端電漿源可在吸附操作102期間被RF通電。針對圖2更詳細地描述用於執行方法100的合適裝置。
在某些實施方式中，電漿源在整個吸附操作102都不通電。例如，可在吸附階段102的後半部分期間降低施用於電漿源的RF電源。在非限制性的實例中，電漿源可在吸附操作102的開始部分期間被RF通電。在操作102的後半部分期間，可將較低的電力施用於電漿源，或可關閉電漿源以提供殘光。或者，可在整個吸附操作102始終連續地將電漿源通電。
在不要受理論限制的情況下，吸附處理可如本文中所述地發生。包括乾淨表面的基板（不具鈍化的層）可包括不成對電子或懸鍵。來自基板表面附近之電漿的反應物可接著與表面的懸鍵鍵合（例如藉由化學吸附進行）以形成產物層。例如，產物層可包括相關聯的反應物單層及基板原子單層。更具體而言，Cl反應物被吸附至示例性矽（Si）基板的表面上以形成包括SiClx 的產物層，其中x在1及4之間，且產物層可包括已知的產物及離子物種。進一步地，在某些實例中，產物層可包括反應物種Cl原子單層及Si原子單層。吸附可持續直到基板表面的反應物飽和為止。在不限制的情況下，在實質上所有可用的基板表面部位（例如不成對電子或懸鍵）被佔據或與反應物相關聯時達成飽和。在某些實例中，不以反應物覆蓋基板表面的一部分。例如，基板表面的一部分可包含鈍化層，例如（但不限於）氧化層。在非限制性的實例中，鈍化層可不包含可用的部位、可用的不成對電子或懸鍵，且如此不以反應物覆蓋。在某些實施方式中，基板表面至少部分地以產物層中之化學吸附的反應物覆蓋且至少部分地以鈍化層覆蓋。
在某些實施方式中，在吸附操作102期間，反應物氣體離子及/或惰性氣體離子可存在於電漿中，使得包括產物層的基板表面暴露於離子。可選擇性地控制撞擊基板之離子的能量（亦即電漿電位）以避免或最小化不想要的蝕刻、物理或化學噴濺。例如，Cl離子蝕刻Si所需的能量可小於約25 eV，而Ar離子造成噴濺所需的能量可在約30 eV及約60 eV之間。在某些實施方式中，在吸附操作102期間撞擊基板之離子的能量可被控制為約15 eV或更少。可例如藉由提供電漿源的靜電屏蔽（例如法拉第屏蔽）及/或在相對高壓（例如小於約50毫托）下執行處理來控制離子能量，以最小化不想要的蝕刻、物理或化學噴濺。
在吸附操作102完成之後，可執行蝕刻操作104。在蝕刻操作104期間，離子可撞擊基板以移除產物層。在某些實施方式中，離子包括正離子或負離子。在一個實施方式中，正離子用以移除產物層。設想的是，在蝕刻操作104期間撞擊基板之離子的能量可較佳地在用於化學輔助噴濺的門檻值之上但在用於物理噴濺的門檻值之下。可藉由控制電漿及基板之間的電位差來朝基板引導具有受選能量的離子。為了朝基板引導正離子，可藉由相對於基板電位增加電漿電位、相對於電漿減少基板電位或兩者來增加其間的電位差。為了引導負離子，可藉由相對於基板電位減少電漿電位、相對於電漿增加基板電位或兩者來增加其間的電位差。正或負的、DC或RF的偏壓可在蝕刻操作104期間施用於電漿及/或基板。此外，可向電漿及/或基板提供連續的偏壓。或者，亦可利用一系列的脈衝式偏壓。在脈衝式徧壓實施方式中，可以約10 µs（10微秒）及約500 µs間的一定量時間施用DC偏壓。
在某些實施方式中，電漿源可在蝕刻操作104期間被RF通電。例如，可提供電漿源脈衝式RF電力，其中在上述的偏壓脈衝之間提供各RF電力脈衝。在某些實施方式中，可以約50 μs及約200 μs間的一定量時間施用RF電力脈衝。如此，可在蝕刻操作104期間將一系列的脈衝式RF電力施用於電漿源，且可將一系列的脈衝式DC或RF偏壓施用於電漿及/或基板。可在RF電力脈衝之間提供各偏壓脈衝。可在停止RF電力脈衝之後以約20 μs及約200 μs間的一定量時間延遲偏壓脈衝。換言之，可延遲且接著在電漿殘光期間起始偏壓脈衝。
藉由選擇性地增加電漿及基板之間的電位差，可移除產物層（包括在本文所述的某個實施方式中的氯化的產物層）。在處理中，可同時從基板移除與產物相關聯之基板原子的單層。此外，可重複吸附操作102及蝕刻操作104，以一次一層地移除額外的基板原子層。
依據本文中所述的實施方式，圖2繪示處理腔室200的示意橫截面圖。處理腔室200包括第一電漿源210及處理區域212，該第一電漿源及處理區域亦可在各種處理操作期間產生或包含遠端產生的電漿，如以下所討論的。在圖2的定向上，氣體及/或電漿產物流的一般方向是朝下（亦即朝向基板支架組件218），且此方向可在本文中稱為「下游」，而在圖2的定向上朝上的相反方向可稱為「上游」。沿徑向方向207流動的氣體及/或電漿產物在本文中可稱為「橫向流」。並且，圖2中所示之裝置的明顯部分可在中心軸201周圍是圓柱對稱的，其中相關聯的方向被定義為徑向方向207及方位方向203。可在本文中使用此方向慣例，雖然本領域中具技藝者將了解的是，本文中所述的許多原理不限於圓柱對稱系統。
如圖2中所示，第一電漿源210可藉由RF電極215引入氣體及/或由上游遠端電漿源離子化的氣體作為電漿源氣體255(1)。在某些實施方式中，電漿源氣體255(1)可為以上針對圖1所述的任何惰性氣體。氣體歧管202可耦合至RF電極215及/或安置在該RF電極附近。可從第一氣體源232向氣體歧管202提供處理氣體。來自第一氣體源232的處理氣體可藉由饋過構件208進入氣體歧管202。在一個實施方式中，饋過構件208可形成自聚合物材料，例如聚四氟乙烯。氣流定心插件204可安置在氣體歧管202附近的進氣管226內。氣流定心插件204可為具有開口206的環狀裝置，該開口形成於該環狀裝置中。開口206可被形成為通過插件204的中心，且開口206可為單一孔或可為多個孔。在單一孔的實施方式中，開口206的直徑可為約0.125吋。氣流定心插件204可改良處理腔室200內之處理氣體的同心的氣流分佈。
RF電極215可電耦合至第一氣體擴散器220及面板225，該第一氣體擴散器及面板用以重定向源氣體的氣流，使得氣流跨第一電漿源210是均勻的（在圖2的視圖中從左到右是均勻的）。應注意的是，在下文中所述的所有擴散器或濾器可被特徵化為電極，因為任何此類擴散器或濾器可被限制於特定電位。絕緣體230將RF電極215（包括面板225）從被保持在電接地的第二擴散器235電絕緣。第二擴散器235充當在RF電極215之面板225對面的第二電極。
面板225、第二擴散器235及絕緣體230的表面定義第一電漿產生腔，其中第一電漿245（亦即第一遠端電漿）可在電漿源氣體出現且藉由RF電極215在面板225處提供RF能量時產生。RF電極215、面板225及第二擴散器235可以任何導體形成，且在實施方式中以鋁（或鋁合金，例如已知的「6061」合金類型）形成。
直接面向第一電漿245之面板225及第二擴散器235的表面可塗有例如氧化釔（Y2 O3 ）或氧化鋁（Al2 O3 ）的陶瓷層以供抵抗由電漿245中所產生的高能電漿產物進行的撞擊。可藉由電子束塗覆處理、陽極化處理及/或非孔陽極化處理來形成陶瓷塗層。其他合適的塗層包括鍍鎳塗層及表面氧化處理（例如藉由暴露於濃縮的HNO3 溶液來進行）。不一定直接暴露於電漿但暴露於反應氣體及/或由電漿所產生之自由基的面板225及第二擴散器235的其他表面可針對化學抗性塗有陶瓷層（例如氧化釔、氧化鋁）或塗有合適的鈍化層（例如陽極化層或化學產生的氧化鋁層）。絕緣體230可為任何絕緣體，且在某些實施方式中形成自陶瓷材料。
第一電漿245中所產生的電漿產物穿過第二擴散器235，該第二擴散器再次幫助促進電漿產物的均勻分佈，且可協助電子溫度控制。在穿過第二擴散器235之後，電漿產物穿過促進均勻性的氣體分佈設備260。氣體分佈設備260亦保持在電接地。完全穿過氣體分佈設備260的孔一般具有第二擴散器235內之孔的直徑至少三倍的直徑。並且，氣體分佈設備260包括進一步的氣體通道250，該等氣體通道可用以在電漿產物進入處理區域212時向電漿產物引入一或更多個氣體255(2)（亦即，氣體255(2)僅從氣體分佈設備260在第二擴散器235遠端的側排出）。可從第二氣體源（未圖示）提供氣體255(2)。在某些實施方式中，氣體255(2)可為吸附質或反應物氣體，如針對圖1所述。氣體分佈設備260亦可以製造鋁或鋁合金，且類似以上所討論的面板225及第二擴散器235，可針對化學抗性至少塗有鈍化層，或可塗有陶瓷層。
加熱構件262亦可安置在處理腔室200中。加熱構件262可為螺旋狀加熱器，例如電阻式加熱器等等。加熱構件262可如所繪示地安置在形成於氣體分佈設備260中的溝槽中，或可安置在形成於第二擴散器235中的溝槽中。或者，加熱構件262可安置在形成於面向電漿阻斷濾器270之氣體分佈設備260中的溝槽中。在另一實施方式中，加熱構件262可安置在形成於面向氣體分佈設備260的電漿阻斷濾器270中的溝槽中。加熱構件262可被配置為改良跨處理腔室200的對稱熱分佈及促進維持第一電漿245及/或電漿產物（亦即自由基）。一般而言，板、擴散器及/或蓮蓬頭220、225、230、235、260、270中的各者可統稱板堆疊209。板堆疊209一般安置在RF電極215及對面的基板支架組件218之間的處理腔室200內。
來自第一電漿245的氣體255(1)、255(2)及/或電漿產物進入充氣腔265，接著穿過電漿阻斷濾器270到處理區域212。電漿阻斷濾器270可具有約0.01吋及約1.0吋間之範圍中的厚度，且被配置為允許來自上游來源的氣體及電漿產物通過進入處理區域212的許多小孔可形成於該電漿阻斷濾器中。電漿阻斷濾器270的孔一般為高寬高比的孔洞，且孔的孔徑可在約0.01吋及約0.25吋之間。電漿阻斷濾器270實質上阻斷下游電漿及來自上游元件的電漿產物，如以下所詳細討論的。在實施方式中，電漿阻斷濾器270可有利地在其中心區域中每平方吋形成至少十個孔，且在某些實施方式中可每平方吋形成三十或更多個孔。在一個實施方式中，可在基板支架組件218安置在處理位置下時，從基板支架組件218以約0.5 cm及約4 cm之間的一定距離安置電漿阻斷濾器。電漿阻斷濾器270及基板支架組件218之間的相對小距離減少了處理區域212的容積。藉由減少處理區域212的容積，可更經濟地執行在處理腔室200中所執行的處理，且可更高效及快速地改變處理區域212的處理條件。
類似氣體分佈設備260，電漿阻斷濾器270亦保持在電接地。類似以上所討論的面板225及第二擴散器235，電漿阻斷濾器270直接暴露於電漿的表面有利地塗有陶瓷（例如氧化鋁或氧化釔）而不直接暴露於電漿的表面亦可塗有陶瓷，且該等表面有利地針對對於反應氣體及活化物種的化學抗性而至少塗有鈍化層。在一個實施方式中，包含矽材料的可拆開的塗層可安置在電漿阻斷濾器270上，以減少缺陷及允許在塗層變得損傷或操作效率減少時高效地替換塗層。
所有如上所述地產生的氣體及/或電漿產物與可安置在處理區域212內的基板216交互作用，而第二電漿275（亦即直接電漿）可在處理區域212內產生。在處理區域212內需要電漿時，因為第二擴散器235保持在電接地，用以產生第二電漿275的RF電源施用於基板支架組件218。取決於氣體的氣流，可產生吸附質/反應物或惰性氣體電漿作為第二電漿275。設想的是，交替吸附質/反應物氣體及惰性氣體的氣流以及後續的電漿產生可使得方法100能夠進行。在一個實施方式中，第一電漿245可包括惰性氣體電漿，而第二電漿275可包括吸附質/反應物氣體電漿。
DC偏壓亦可施用於基板支架組件218，以操縱第一或第二電漿245、275中所產生的離子，以促進基板216的指向性（異向性）ALE。基板支架組件218亦可包括靜電夾具以在處理期間將基板216固定在其上。在另一實施方式中，偏壓環272可耦合至基板支架組件218附近的處理腔室200。偏壓環272可以任何幾何形狀以任何材料製造，該幾何形狀提供朝安置在處理區域212中的基板216進行電漿或電漿殘光的徧壓。基板支架組件218及/或偏壓環272可可切換地與RF及/或DC偏壓源274連接，以便在所選時間且不在其他時間在處理區域212內產生電漿及/或偏壓電位。基板支架組件218可與RF電源連接，該RF電源與用以在面板225及第二擴散器235之間產生第一電漿245的電源相同，或該基板支架組件可與不同的RF電源連接。
在某些實施方式中，遠端電漿源276可與處理區域212流體耦合。雖然未繪示，遠端電漿源276可耦合至第三氣體源（或取決於要產生的所需電漿類型耦合至第二氣體源）。在此實施方式中，可相對於處理區域212遠端地產生第三電漿且將該第三電漿供應至處理區域212。為了說明的目的，第三電漿（在遠端電漿源276中產生）可佔據與第二電漿275相同的區域。然而，第三電漿可通過處理區域212沿徑向方向207橫向流動至排氣裝置，該排氣裝置流體耦合至處理區域212。在一個實施方式中，排氣裝置278可耦合至遠端電漿源276對面的處理區域212。在一個實施方式中，吸附質/反應物氣體可被遠端地產生成第三電漿且供應至處理區域212。在一個實施方式中，第二電漿275及由遠端電漿源276所產生的第三電漿兩者可用以產生吸附質/反應物電漿或電漿產物。或者，第二電漿275或由遠端電漿源276所產生的第三電漿中的一者可用以產生吸附質/反應物電漿或電漿產物。
操作時，可在將基板216暴露於第三電漿/電漿產物的期間旋轉基板支架組件218，以改良暴露均勻性及基板表面活性部位與吸附質/反應物電漿及/或電漿產物進行的反應。相信的是，藉由相對於處理區域212遠端地產生吸附質/反應物電漿或電漿產物，可減少或消除不理想的光輔助蝕刻（PAE）。設想的是，遠端電漿產生可減少或消除出現在被處理區域212中之基板216「看見」之第三電漿或電漿產物中的光子的出現率。據此，可在沒有PAE之有害作用的情況下允許ALE處理。
雖然以上所述是針對本揭示案的實施方式，可自行設計本揭示案之其他的及進一步的實施方式而不脫離本揭示案的基本範圍，且本揭示案的範圍是由隨後的請求項所決定的。
100‧‧‧方法
102‧‧‧操作
104‧‧‧蝕刻操作
200‧‧‧處理腔室
201‧‧‧中心軸
202‧‧‧氣體歧管
203‧‧‧方位方向
204‧‧‧插件
206‧‧‧開口
207‧‧‧徑向方向
208‧‧‧饋過構件
209‧‧‧板堆疊
210‧‧‧第一電漿源
212‧‧‧處理區域
215‧‧‧RF電極
216‧‧‧基板
218‧‧‧基板支架組件
220‧‧‧第一氣體擴散器
225‧‧‧面板
226‧‧‧進氣管
230‧‧‧絕緣體
232‧‧‧第一氣體源
235‧‧‧第二擴散器
245‧‧‧第一電漿
250‧‧‧氣體通道
255‧‧‧氣體
260‧‧‧氣體分佈設備
262‧‧‧加熱構件
265‧‧‧充氣腔
270‧‧‧電漿阻斷濾器
272‧‧‧徧壓環
274‧‧‧DC徧壓源
275‧‧‧第二電漿
276‧‧‧遠端電漿源
278‧‧‧排氣裝置
可藉由參照實施方式（其中的某些部分繪示於隨附的繪圖中）來擁有本揭示案的更特定說明，使得可使用詳細的方式來了解（以上所簡要概述的）以上所載之本揭示案的特徵。然而，要注意的是，隨附的繪圖僅繪示示例性實施方式且因此並被不視為其範圍的限制，可容許其他等效的實施例。
依據本文中所述的實施方式，圖1繪示執行原子層蝕刻處理的方法。
依據本文中所述的實施方式，圖2繪示處理腔室的示意橫截面圖。
為了促進了解，已使用了相同參考標號（於可能處）以指定普遍用於該等圖式的相同構件。可預期的是，可在不進一步的重述的情況下有益地將一個實施例的構件及特徵併入其他實施例。
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200‧‧‧處理腔室
201‧‧‧中心軸
202‧‧‧氣體歧管
203‧‧‧方位方向
204‧‧‧插件
206‧‧‧開口
207‧‧‧徑向方向
208‧‧‧饋過構件
209‧‧‧板堆疊
210‧‧‧第一電漿源
212‧‧‧處理區域
215‧‧‧RF電極
216‧‧‧基板
218‧‧‧基板支架組件
220‧‧‧第一氣體擴散器
225‧‧‧面板
226‧‧‧進氣管
230‧‧‧絕緣體
232‧‧‧第一氣體源
235‧‧‧第二擴散器
245‧‧‧第一電漿
250‧‧‧氣體通道
255‧‧‧氣體
260‧‧‧氣體分佈設備
262‧‧‧加熱構件
265‧‧‧充氣腔
270‧‧‧電漿阻斷濾器
272‧‧‧徧壓環
274‧‧‧DC徧壓源
275‧‧‧第二電漿
276‧‧‧遠端電漿源
278‧‧‧排氣裝置

Claims (20)

  1. 一種處理腔室裝置，包括： 一板堆疊，被配置為產生一第一電漿； 一基板支架組件，安置在該板堆疊對面； 一處理區域，定義於該板堆疊及該基板支架組件之間，其中該處理區域被配置為維持產生一第二電漿；及 一遠端電漿源，流體耦合至該處理區域。
  2. 如請求項1所述之裝置，更包括： 一RF電極； 一氣體源； 一氣體歧管；及 一進氣管。
  3. 如請求項2所述之裝置，其中一氣流定心插件安置在該氣體歧管附近的該進氣管內。
  4. 如請求項2所述之裝置，其中該氣體源被配置為向該板堆疊供應一惰性氣體。
  5. 如請求項1所述之裝置，其中該板堆疊包括： 一第一擴散器； 一面板； 一陶瓷環； 一第二擴散器； 一氣體分佈設備；及 一電漿阻斷濾器。
  6. 如請求項5所述之裝置，其中該面板及該第二擴散器定義一遠端電漿區域。
  7. 如請求項5所述之裝置，其中該第一擴散器、該面板、該陶瓷環、該第二擴散器、該氣體分佈設備及該電漿阻斷濾器中的各者塗有包括氧化釔或氧化鋁的一陶瓷塗層。
  8. 如請求項5所述之裝置，其中在該基板支架組件安置在一處理位置下時，從該基板支架組件以0.5 cm及4.0 cm之間的一距離安置該電漿阻斷濾器。
  9. 如請求項5所述之裝置，其中該電漿阻斷濾器具有0.01吋及1.0吋之間的一厚度。
  10. 如請求項9所述之裝置，其中該電漿阻斷濾器包括孔，該等孔具有0.01吋及0.25吋之間的一直徑。
  11. 如請求項1所述之裝置，更包括： 一排氣裝置，流體耦合至該處理區域。
  12. 如請求項11所述之裝置，其中該排氣裝置耦合至該遠端電漿源對面的該處理區域。
  13. 一種處理腔室裝置，包括： 一板堆疊，被配置為產生一第一電漿，該板堆疊包括： 一第一擴散器； 一面板； 一陶瓷環； 一第二擴散器； 一氣體分佈設備；及 一電漿阻斷濾器； 一基板支架組件，安置在該板堆疊對面； 一處理區域，定義於該板堆疊及該基板支架組件之間，其中該處理區域被配置為維持產生一第二電漿；及 一遠端電漿源，流體耦合至該處理區域。
  14. 如請求項13所述之裝置，其中該面板及該第二擴散器定義一遠端電漿區域。
  15. 如請求項13所述之裝置，其中該第一擴散器、該面板、該陶瓷環、該第二擴散器、該氣體分佈設備及該電漿阻斷濾器中的各者塗有包括氧化釔或氧化鋁的一陶瓷塗層。
  16. 如請求項13所述之裝置，其中在該基板支架組件安置在一處理位置下時，從該基板支架組件以0.5 cm及4.0 cm之間的一距離安置該電漿阻斷濾器。
  17. 如請求項13所述之裝置，其中該電漿阻斷濾器具有0.01吋及1.0吋之間的一厚度。
  18. 一種處理腔室裝置，包括： 一板堆疊，被配置為產生一第一電漿，該板堆疊包括： 一第一擴散器； 一面板； 一陶瓷環； 一第二擴散器； 一氣體分佈設備；及 一電漿阻斷濾器； 一RF電極，電耦合至該第一擴散器及該面板，其中該第一電漿為該面板及該第二擴散器之間所產生的一遠端電漿； 一基板支架組件，安置在該板堆疊對面；及 一處理區域，定義於該板堆疊及該基板支架組件之間，其中該處理區域被配置為維持產生一第二電漿。
  19. 如請求項18所述之裝置，其中該第一擴散器、該面板、該陶瓷環、該第二擴散器、該氣體分佈設備及該電漿阻斷濾器中的各者塗有包括氧化釔或氧化鋁的一陶瓷塗層。
  20. 如請求項18所述之裝置，其中在該基板支架組件安置在一處理位置下時，從該基板支架組件以0.5 cm及4.0 cm之間的一距離安置該電漿阻斷濾器。
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