TW201434134A - 發光裝置、背光模組及照明模組 - Google Patents

Abstract

本發明提出一發光裝置，其包含一承載元件、一發光二極體晶片、一熱敏電阻及多個金屬導線。該承載元件具有多個電極，該發光二極體晶片及該熱敏電阻皆設置於該承載元件上，且該熱敏電阻與該發光二極體晶片電性連接；該些金屬導線協同該些電極、該發光二極體晶片及該熱敏電阻形成一電路；從該發光裝置之頂面觀之，該熱敏電阻具有一晶片級之尺寸。本發明另提出一背光模組及一照明模組，該背光模組包含上述的發光裝置，而該照明模組包含上述的發光裝置及一驅動器，該驅動器電性連接該發光裝置。

Description

發光裝置、背光模組及照明模組

本發明有關一種發光裝置、背光模組及照明模組，特別關於一種具有熱敏電阻及發光二極體的發光裝置、背光模組及照明模組。

在應用發光二極體(LED)的發光裝置中，有利用紅色LED晶片與藍色LED晶片搭配來產生一照明光線者，並且紅色LED晶片及/或藍色LED晶片還會進一步與一熱敏電阻(thermistor)電性連接。該熱敏電阻的電阻值會隨著環境溫度的上昇而改變，電阻值的變化可調整通過紅色LED晶片或藍色LED晶片的電流，進而調整紅色LED晶片或藍色LED晶片的發光亮度，彌補LED晶片的光衰特性。

然而，該熱敏電阻通常為表面固定技術(Surface Mount Technology，SMT)型態，其需藉由一迴焊製程(reflow process)才能固定至電路基板上。此外，SMT型態的熱敏電阻需設置於兩電極的交界處上，才能使得熱敏電阻的陽極端及陰極端分別電性連接到兩電極，嚴重侷限基版之電路設計。另一方面，SMT型態的熱敏電阻具有較大之尺寸(即毫米級)，於今日發光裝置微小化至毫米級之情況下，無法將傳統之熱敏電阻封裝於承載元件內，有礙於照明設備之微型化發展。

有鑑於此，提供一種更佳的改善方案，乃為此業界待解決的問題。

本發明之其中一目的在於提供一種發光裝置，其熱敏電阻具有晶片級(chip level)之尺寸，即從發光裝置之頂面觀之，其與現有之發光二極體晶片面積相當，可封裝於承載元件內，且可藉由發光二極體晶片之固晶打線製程固定於裝置之電極上並與發光二極體晶片電性連接，使得該發光裝置的封裝較為便利。

為達上述目的，本發明所揭露的發光裝置包含：一承載元件，具有多個電極，其中該些電極至少包括一第一電極及一第二電極；一第一發光二極體晶片，設置於該承載元件上；一熱敏電阻，設置於該承載元件上，並與該第一發光二極體晶片電性連接；以及多個金屬導線，協同該些電極、該第一發光二極體晶片以及該熱敏電阻形成一電路；其中，從該發光裝置之頂面觀之，該熱敏電阻具有一晶片級之尺寸。

本發明之另一目的在於提供一種背光模組，其至少包含上述的發光裝置。

本發明之另一目的在於提供一種照明模組，其至少包含上述的發光裝置及一驅動器，該驅動器與該發光裝置相電性連接。

為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以較佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。

1A、1B、1C、1D、2A、2B、3A、3B、3C、3D．．．發光裝置

10．．．承載元件

101．．．絕緣殼體

11．．．電極

11A．．．第一電極

11B．．．第二電極

11C．．．第三電極

20．．．第一發光二極體晶片、第一LED晶片

30．．．第二發光二極體晶片、第二LED晶片

40．．．熱敏電阻

41．．．陶瓷材料層

42．．．上金屬層、第二接著區

421．．．內層

422．．．外電極層

43．．．下金屬層、第一接著區

431．．．內層

432．．．外電極層

50．．．金屬導線

51．．．第一金屬導線

52．．．第二金屬導線

53．．．第三金屬導線

60．．．齊納二極體

70．．．封裝體

4．．．驅動器

第1圖為依據本發明的第一較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第2A圖為第1圖的熱敏電阻的結構示意圖。
第2B圖為第1圖的熱敏電阻的另一結構示意圖。
第3圖為第1圖的熱敏電阻的電阻相對溫度的變化圖。
第4圖為依據本發明的第一較佳實施例至第六較佳實施例的發光裝置的等效電路圖。
第5圖為依據本發明的第一較佳實施例的發光裝置的立體圖。
第6圖為依據本發明的第二較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第7圖為依據本發明的第三較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第8圖為依據本發明的第四較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第9圖為依據本發明的第五較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第10圖為依據本發明的第六較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第11圖為依據本發明的第七較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第12圖為依據本發明的第七較佳實施例至第十較佳實施例的發光裝置的一等效電路圖。
第13圖為依據本發明的第八較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第14圖為依據本發明的第九較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第15圖為依據本發明的第十較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。
第16圖為依據本發明的第十較佳實施例的照明模組的示意圖。

請參閱第1圖所示，為依據本發明的第一較佳實施例的發光裝置的元件布置圖(layout)。於本發明的第一實施例中，一發光裝置1A被提出，該發光裝置1A可包含：一承載元件10、至少一第一發光二極體晶片20、至少一第二發光二極體晶片30、一熱敏電阻40及多個金屬導線50；以下，各元件的技術內容將依序地說明。

該承載元件10用以供其他元件設置於其上，且其可由一絕緣殼體101及一導線架(lead frame)所組成。承載元件10還具有多個相分隔的電極11(即導線架的一部份)，而該些電極11至少包括一第一電極11A及一第二電極11B。該第一電極11A及第二電極11B可分別電連接一外部電源(圖未示)的正極及負極。

在本發明中，第一發光二極體晶片(以下簡稱為第一LED晶片20及第二發光二極體晶片(以下簡稱為第二LED晶片30所發出之光係無特定限制。較佳地，第一LED晶片20可為一紅光LED晶片，而第二LED晶片30可為一藍光LED晶片。此外，第一LED晶片20與第二LED晶片30之數目無特定限制。於第1圖中，第一LED晶片20的數目係以一個為例，而第二LED晶片30的數目係以兩個為例。

在本發明中，LED晶片20或30之結構型態無特定限制，可任選為垂直連接式發光二極體晶片（即接點於晶片之頂面及底面者）或水平連接式發光二極體晶片（即電性連接點於晶片之頂面者）。於本發明後之實施例中，第一LED晶片20係例示為一垂直連接式之發光二極體晶片，而第二LED晶片30係例示為一水平連接式之發光二極體晶片。

第一LED晶片20及第二LED晶片30皆設置於承載元件10上，且第一LED晶片20及第二LED晶片30可分別任選地設置於承載元件10的第一電極11A或第二電極11B上；於本實施例中，第一LED晶片20及第二LED晶片30皆設置於第一電極11A上。第一LED晶片20的其中一個電性連接點會直接接觸到第一電極11A，以與第一電極11A形成電性連接。

熱敏電阻40係為一晶片級熱敏電阻，也就是，從發光裝置1A之頂面觀之，熱敏電阻40具有一晶片級之尺寸(即長度及寬度)，該尺寸較佳可為「約0.15 mm乘約0.15 mm」至「約1 mm 乘約1 mm」。從發光裝置1A之側面觀之，熱敏電阻40具有一次微米至微米級之厚度，較佳不大於約190微米(μm)。

請參閱第2A圖所示，為第1圖的熱敏電阻的結構示意圖。使熱敏電阻40具有晶片級尺寸的其中一種方式為如下：熱敏電阻40於結構上包含一陶瓷材料層41、一上金屬層42及一下金屬層43，而陶瓷材料層41設置於上金屬層42及下金屬層43之間；換言之，上金屬層42、陶瓷材料層41及下金屬層43為堆疊地設置，以佔據較小的空間。

進一步而言，陶瓷材料層41主要係由多晶之陶瓷材料所構成，較佳係鈦酸鋇(Barium Titanate, BaTiO₃)，而上金屬層42具有一內層(under layer)421及一外電極層422，下金屬層43也具有一內層431及一外電極層432；內層421(431)塗佈於陶瓷材料層41上，而外電極層422(432)塗佈於內層421(431)上；內層421(431)的製造材料可為導電材料，較佳為銀；而外電極層422(432)的製造材料可為與銲料接著性較佳之導電材料，較佳為金。陶瓷材料層41的一例示厚度可為90微米，而上金屬層42的一例示厚度可為5微米，下金屬層43的一例示厚度可為5微米，使得熱敏電阻40的整體厚度可約為100微米。然而，在部分實施態樣中，下金屬層43可僅具有內層431，即無需外電極層432，可減少外電極層之用料量。

需說明的是，於本實施例中，外電極層422可塗佈於內層421的全部區域上。然而，於其他實施例中，外電極層422可塗佈於內層421的部分區域上(如第2B圖所示)，該外電極層422於內層421的塗佈位置及塗佈面積對應於後述的金屬導線50的連接方式。

熱敏電阻40還具有一第一接著區及一第二接著區，用以電性連接其他元件。下金屬層43可作為該第一接著區，而上金屬層42可作為該第二接著區。由於第一接著區43及第二接著區42為垂直地相對，熱敏電阻40為一垂直連接式熱敏電阻。在使用上，可將熱敏電阻40中之一接著區（舉例言之，第一接著區）固定於承載元件10之一電極11上並形成電性接觸，而熱敏電阻40之另一接著區係以打線連接方式與其他元件電性連接，藉此形成導通的電路。特定言之，本發明發光裝置中係採用一晶片級之熱敏電阻，可便利地將熱敏電阻封裝於承載結構中。同時，有別於傳統熱敏電阻需安置於電極11之交界，本發明中所採用之熱敏電阻可隨意地選擇配置位置（可在電極11之任何位置），大幅提升電極11之設計自由度及各元件間之空間調配性。此外，亦可省略迴焊製程所需之加熱過程，大幅減少工時成本。

在本發明中，第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40可分別設置於任意電極上，即，如於第一較佳實施例中具有二電極者或如於後述之第五較佳實施例中具有三電極者，第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40可分別設置於任一電極上。較佳地，選用垂直連接式之第一LED晶片20時，較佳係使第一LED晶片20與熱敏電阻40固定於同一電極11上，藉此俾使LED晶片20與熱敏電阻40再藉由一金屬導線電性連接後即形成並聯型態，可減少導線之用料量。此外，固定第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40之固定材料無特定限制，可採用一般LED業界常用之固晶膠。

在本發明之部分實施態樣中，無論第一LED晶片20為垂直連接式者或水平連接式者，較佳係使第一LED晶片20與熱敏電阻40位於同一熱傳導界質上，俾使熱敏電阻40可準確地感應第一LED晶片20之溫度並反應出該溫度下之電阻值。

請參閱第3圖所示，為第1圖的熱敏電阻的電阻相對溫度的變化圖。該熱敏電阻40可為一正溫度係數者(positive thermal coefficient)，因此熱敏電阻40的電阻會隨著溫度上昇而增加。此外，熱敏電阻40的電阻與溫度的關係非線性；詳言之，當熱敏電阻40在低於一特定溫度時，熱敏電阻40具有一第一電阻增加率，而在高於該特定溫度時，熱敏電阻40具有一第二電阻增加率，而第二電阻增加率明顯地大於第一電阻增加率。換言之，熱敏電阻40的電阻在到達特定溫度時，會開始明顯地上昇。該特定溫度介於約攝氏60度至約攝氏110度之間，而較佳地，該特定溫度介於約攝氏65度至約攝氏75度之間，以配合現有電子設備操作時之操作溫度而改變電阻。

請復參閱第1圖所示，熱敏電阻40設置於承載元件10上，且設置於承載元件10的其中一個電極11上。於本實施例中，熱敏電阻40與第一LED晶片20及第二LED晶片30一樣，設置於第一電極11A上，且熱敏電阻40的第一接著區43(如第2A圖所示)直接固定於第一電極11A上，與第一電極11形成電性連接。

該些金屬導線50可協同承載元件10的該些電極11、第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40形成一電路，也就是，第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40彼此之間可藉由電極11與金屬導線50達成電性連接，形成具有一特定功能之電路。

詳細而言，使熱敏電阻40的第一接著區43與第一LED晶片20的其中一電性連接點(即位於底面的接點)固定於第一電極11A並形成電性連接；並藉由該些金屬導線50所包含的一第一金屬導線51相電性連接熱敏電阻40的第二接著區42與第一LED晶片20的另一電性連接點(即位於頂面的接點)，也就是，第一金屬導線51的一端固定於第二接著區42上，而第一金屬導線51的另一端固定於第一LED晶片20的電性連接點上。如此，熱敏電阻40與第一LED晶片20為並聯連接。

另外，可以該些金屬導線50所包含的一第二金屬導線52電性連接熱敏電阻40的第二接著區42與第二LED晶片30的其中一電性連接點，也就是，第二金屬導線52的一端固定於第二接著區42上，而第二金屬導線52的另一端固定於第二LED晶片30的電性連接點上。第二LED晶片30的另一電性連接點再透過其中一條金屬導線50而電性連接至第二電極11B。

整體而言，第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40所形成的等效電路可如第4圖所示。

請復參閱第1圖所示，較佳地，發光裝置1A可更包含一齊納二極體（Zener diode）60。該齊納二極體60設置於承載元件10上，並與第一電極11A及第二電極11B電性連接。齊納二極體60可避免逆向電壓施加於第一LED晶片20或第二LED晶片30上。此外，齊納二極體60之設置位置並無特殊限制，可任選的位於任一電極上。

請參閱第5圖所示，為依據本發明的第一較佳實施例的發光裝置的立體圖。較佳地，發光裝置1A還可包含一封裝體（Encapsulant）70。該封裝體70設置於承載元件10上，並包覆第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40(如第1圖所示)，藉此保護該等元件。封裝體70較佳包含螢光材料，可包含選自以下群組之一或多者：鋁酸鹽螢光材料、矽酸鹽螢光材料、硫化物螢光材料、氮氧化物螢光材料、氮化物螢光材料及前述之任意組合。藉此，可利用第一LED晶片20及/或第二LED晶片30所發射之光吸收螢光材料並發射出不同之釋放光，並將未被吸收之發射光與釋放光混合形成具有所欲顏色之光。

請參閱第6圖所示，為依據本發明的第二較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。於本發明的第二實施例中，一發光裝置1B被提出。發光裝置1B與第一實施例中的發光裝置1A的相異處在於：發光裝置1B的第一LED晶片20為一水平連接式者，其二電性連接點皆設置於第一LED晶片20的頂面。因此，第一LED晶片20的其中一電性連接點無法直接與第一電極11A電性接觸，需透過一第三金屬導線53連接至第一電極11A，藉此與熱敏電阻40形成導通的電路。

請參閱第7圖及第8圖所示，分別為依據本發明的第三較佳實施例及第四較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。於本發明的第三實施例中，二發光裝置1C及1D被提出。發光裝置1C及1D與第一實施例中的發光裝置1A的相異處在於：發光裝置1C及1D的第一LED晶片20及熱敏電阻40設置於第二電極11B，而第二LED晶片30仍設置於第一電極11A上；發光裝置1C的第一LED晶片20為垂直連接式者，故第一LED晶片20的其中一電性連接點可接觸第二電極11B而與第二電極11B達成電性連接；發光裝置1D的第一LED晶片20則為水平連接式者，故第一LED晶片20的其中一電性連接點可透過第三金屬導線53與第二電極11B達成電性連接。

請參閱第9圖所示，為依據本發明的第五較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。於本發明的第五實施例中，一發光裝置2A被提出。發光裝置2A與前述實施例中的發光裝置1A至1D的相異處在於：發光裝置2A的該些電極11包含一第一電極11A、一第二電極11B及一第三電極11C，而第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40可分別設置於第一電極11A、第二電極11B或第三電極11C上。

進一步而言，第一LED晶片20、熱敏電阻40及其中一個第二LED晶片30設置於第一電極11A上，而另一個第二LED晶片30設置於第二電極11B上；第一LED晶片20的其中一電性連接點及熱敏電阻40的第一接著區43(如第2A圖所示)可直接透過第一電極11A來電性連接，而第一LED晶片20的另一電性連接點及熱敏電阻40的第二接著區42的電性連接，則是透過第一金屬導線51、第二金屬導線52及第三電極11C三者。

詳言之，第一LED晶片20的另一電性連接點先藉由第一金屬導線51與第三電極11C電性連接，第三電極11C再藉由第二金屬導線52與熱敏電阻40的第二接著區42電性連接。類似地，熱敏電阻40的第二接著區42與第二LED晶片30的電性連接點的電性連接，則是透過第一金屬導線51、第三金屬導線53及第三電極11C三者。

請參閱第10圖所示，為依據本發明的第六較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。於本發明的第六實施例中，一發光裝置2B被提出。發光裝置2B與前述實施例中的發光裝置2A的相異處在於：發光裝置2B的第一LED晶片20及熱敏電阻40設置於第三電極11C上，而該些第二LED晶片30分別設置於第一電極11A及第二電極11B上；然後，第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40再透過該些金屬導線50及該些電極11來達成電性連接及構成一電路。

綜合上述，上述的發光裝置1A、1B、1C、1D、2A及2B雖在元件配置上有差異，但發光裝置1A、1B、1C、1D、2A及2B的等效電路仍可為第4圖所示者。發光裝置1A至2B至少可有以下共同的特點：
　　1、熱敏電阻40與第一LED晶片20為並聯，當第一LED晶片20的溫度升高時，熱敏電阻40的電阻會上昇，使得較多電流通過第一LED晶片20，從而維持第一LED晶片20的發光亮度。
　　2、由於熱敏電阻40為垂直連接形式，且可藉由金屬導線50與第一LED晶片20電性連接，熱敏電阻40於電極11上的位置較不受限；換言之，熱敏電阻40不需如習知般，設置於電極11的交界處上。
　　3、熱敏電阻40具有晶片級之尺寸，可封裝於程載元件10之內，且對於發光裝置1A的整體尺寸的縮減有利。
　　4、熱敏電阻40並非SMT型態，故迴焊製程可省略。
　　5、熱敏電阻40的第二接著區42可供多條金屬導線50固定。
　　6、熱敏電阻40的厚度不大於190微米，故熱敏電阻40不易遮蔽到第一LED晶片20或第二LED晶片30所發射出的光線，且金屬導線50與熱敏電阻40的連接會較為容易。

請參閱第11圖、第13圖、第14圖至第15圖所示，分別為依據本發明的第七較佳實施例至第十較佳實施例的發光裝置的元件布置圖。於本發明的第七實施例至第十實施例中，發光裝置3A至3D被提出。發光裝置3A至3D可包含：一承載元件10、一第一LED晶片20、一第二LED晶片30、一熱敏電阻40及多個金屬導線50，第一LED晶片20、第二LED晶片30及熱敏電阻40設置於承載元件10上，且透過承載元件10的電極11及該些金屬導線50來形成一如第12圖所示的電路。

另一方面，發光裝置3A至3D的熱敏電阻40為一負溫度係數者，也就是，當熱敏電阻40的溫度上昇時，熱敏電阻40的電阻值會下降。此外，負溫度係數的熱敏電阻40與第二LED晶片30串聯連接；如此，當溫度上昇時，熱敏電阻40的電阻下降，使得較多電流可通過第二LED晶片30，從而維持第二LED晶片30的發光亮度。

請參閱第16圖所示，為依據本發明的第十一較佳實施例的照明模組的示意圖。於本發明的第十一實施例中，一照明模組被提出，該照明模組包含上述任一實施例的發光裝置1A至3D以及一驅動器4，該驅動器4電性連接該發光裝置1A至3D，以控制發光裝置1A至3D發射光線。本發明尚有一實施例，係為一背光模組（backlight module），其包含上述任一實施例的發光裝置1A至3D。

上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

1A．．．發光裝置

10．．．承載元件

101．．．絕緣殼體

11．．．電極

11A．．．第一電極

11B．．．第二電極

20．．．第一發光二極體晶片、第一LED晶片

30．．．第二發光二極體晶片、第二LED晶片

40．．．熱敏電阻

41．．．陶瓷材料層

42．．．上金屬層、第二接著區

50．．．金屬導線

51．．．第一金屬導線

52．．．第二金屬導線

60．．．齊納二極體

Claims (23)

1. 一種發光裝置，包含：
   　　一承載元件，具有多個電極，其中該些電極至少包括一第一電極及一第二電極；
   　　一第一發光二極體晶片，設置於該承載元件上；
   　　一熱敏電阻，設置於該承載元件上，並與該第一發光二極體晶片電性連接；以及
   　　多個金屬導線，協同該些電極、該第一發光二極體晶片以及該熱敏電阻形成一電路；
   　　其中，從該發光裝置之頂面觀之，該熱敏電阻具有一晶片級之尺寸。
2. 如請求項1所述的發光裝置，其中該熱敏電阻之尺寸為約0.15 mm乘約0.15 mm至約1 mm乘約1 mm。
3. 如請求項1所述的發光裝置，其中該熱敏電阻具有一第一接著區及一第二接著區，該第一接著區固定於該些電極之其中一者。
4. 如請求項3所述的發光裝置，其中該些金屬導線包含一第一金屬導線，該第一金屬導線係電性連接該熱敏電阻與該第一發光二極體晶片。
5. 如請求項1至4任一項所述的發光裝置，更包含一第二發光二極體晶片，設置於該承載元件上，並與該熱敏電阻電性及/或該第一發光二極體晶片連接。
6. 如請求項5所述的發光裝置，其中該些金屬導線更包括一第二金屬導線，該第二金屬導線係電性連接該熱敏電阻及該該第二發光二極體晶片。
7. 如請求項6所述的發光裝置，其中該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片及該熱敏電阻係分別設置於該第一電極或該第二電極上。
8. 如請求項7所述的發光裝置，其中該第一發光二極體晶片與該熱敏電阻係設置於同一個該電極上。
9. 如請求項6所述的發光裝置，其中該些電極更包含一第三電極，該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片及該熱敏電阻係分別設置於該第一電極、該第二電極或該第三電極上。
10. 如請求項9所述的發光裝置，其中該第一發光二極體晶片與該熱敏電阻係設置於同一個該電極上。
11. 如請求項6所述的發光裝置，其中該晶片級熱敏電阻為一正溫度係數者。
12. 如請求項6所述的發光裝置，其中該熱敏電阻在低於一特定溫度時具有一第一電阻增加率，而在高於該特定溫度時具有一第二電阻增加率；該第二電阻增加率大於該第一電阻增加率，而該特定溫度介於約攝氏60度至約攝氏110度之間。
13. 如請求項10所述的發光裝置，其中該特定溫度介於攝氏65度至75度之間。
14. 如請求項6所述的發光裝置，其中該熱敏電阻包含一陶瓷材料層、一上金屬層及一下金屬層，該陶瓷材料層設置於該上金屬層及該下金屬層之間。
15. 如請求項14所述的發光裝置，其中該陶瓷材料層的製造材料為鈦酸鋇(Barium Titanate)。
16. 如請求項14所述的發光裝置，其中該熱敏電阻具有一不大於約190微米的厚度。
17. 如請求項6所述的發光裝置，其中該第一發光二極體晶片為一紅光發光二極體晶片。
18. 如請求項6所述的發光裝置，其中該第二發光二極體晶片為一藍光發光二極體晶片。
19. 如請求項6所述的發光裝置，更包含一封裝體（Encapsulant），設置於該承載元件上，並包覆該第一發光二極體晶片、該第二發光二極體晶片及該熱敏電阻。
20. 如請求項19所述的發光裝置，其中該封裝體包含選自以下群組之一或多者：鋁酸鹽螢光材料、矽酸鹽螢光材料、硫化物螢光材料、氮氧化物螢光材料、氮化物螢光材料及前述之任意組合。
21. 如請求項6所述的發光裝置，更包含一齊納二極體（Zener diode），設置於該承載元件上。
22. 一種背光模組，包含如請求項1所述的發光裝置。
23. 一種照明模組，包含：
    　　一驅動器；以及
    　　如請求項1所述的發光裝置，與該驅動器電性連接。